JPS59231727A - 垂直磁化再生ヘツド - Google Patents
垂直磁化再生ヘツドInfo
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- JPS59231727A JPS59231727A JP10519383A JP10519383A JPS59231727A JP S59231727 A JPS59231727 A JP S59231727A JP 10519383 A JP10519383 A JP 10519383A JP 10519383 A JP10519383 A JP 10519383A JP S59231727 A JPS59231727 A JP S59231727A
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- Japan
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- electrode
- pole
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/1278—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive specially adapted for magnetisations perpendicular to the surface of the record carrier
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、垂直磁気記録媒体に記録された信号磁化の
再生に好適な磁気抵抗効果（ＭＲ）型の再生ヘッドに関
する。
再生に好適な磁気抵抗効果（ＭＲ）型の再生ヘッドに関
する。
従来例の構成とその問題点
垂直磁気記録媒体上に記録された信号を低速で高能率か
つ波長特性よく再生するヘッドとして次のようなＭＲヘ
ッドが提案されている（特願昭５７−６２７３１号）。
つ波長特性よく再生するヘッドとして次のようなＭＲヘ
ッドが提案されている（特願昭５７−６２７３１号）。
このヘッドは、第１図、第２図に示すようにフェライト
のような強磁性体の基板１の表面に切欠き溝２が設けら
れ、その中に非磁性部３カ硼設されている。この上に絶
縁膜７を介して、５００人厚Ｏｘ１−ｐｅ膜でつくられ
た磁気抵抗（ＭＲ）効果素子を利用した主磁極４が形成
され、この主磁極４の長手方向両端にＡｕでつくられた
電極５．６対が配置されている。主磁極４の上端部は基
板１の切欠き溝２の上部１３と重なるように配され、主
磁極４の下端部は垂直磁気記録媒体８に対向している。
のような強磁性体の基板１の表面に切欠き溝２が設けら
れ、その中に非磁性部３カ硼設されている。この上に絶
縁膜７を介して、５００人厚Ｏｘ１−ｐｅ膜でつくられ
た磁気抵抗（ＭＲ）効果素子を利用した主磁極４が形成
され、この主磁極４の長手方向両端にＡｕでつくられた
電極５．６対が配置されている。主磁極４の上端部は基
板１の切欠き溝２の上部１３と重なるように配され、主
磁極４の下端部は垂直磁気記録媒体８に対向している。
この記録媒体８はベースフィルム１１上に高透磁率膜９
を介し垂直異方性膜１０が形成されたものである。矢印
１２は記録媒体８の移動方向である。
を介し垂直異方性膜１０が形成されたものである。矢印
１２は記録媒体８の移動方向である。
垂直異方性膜１０に記録された信号磁化によって発生し
た磁束はＭＲ膜からなる主磁極４の下端部に導かれ、そ
の上端部から基板１中の切欠き溝２の上部１３に導かれ
、基板１を通り記録媒体８との当接面１４に導かれ記録
媒体８の高透磁率膜９を介して垂直異方性膜１０に戻る
。この信号磁束は」二記のような閉磁路を通るため、Ｍ
Ｒ膜のみの単体型ＭＲヘッドにおける素子中損失がなく
、Ｍ Ｒ膜厚が薄いので膜厚に起因するギャップ損失に
相当する厚さ損失もない。
た磁束はＭＲ膜からなる主磁極４の下端部に導かれ、そ
の上端部から基板１中の切欠き溝２の上部１３に導かれ
、基板１を通り記録媒体８との当接面１４に導かれ記録
媒体８の高透磁率膜９を介して垂直異方性膜１０に戻る
。この信号磁束は」二記のような閉磁路を通るため、Ｍ
Ｒ膜のみの単体型ＭＲヘッドにおける素子中損失がなく
、Ｍ Ｒ膜厚が薄いので膜厚に起因するギャップ損失に
相当する厚さ損失もない。
しかしながら、ＭＲ膜からなる主磁極４の再生に寄与す
る夾効トラック長り。は、第３図に示すように主磁極４
の長さＬから電極５．６の幅Ａ、Ｂ（通常Ａ＝Ｂ ）を
減算したもの（Ｌｏ＝Ｌ−Ａ−Ｂ）であるから、特に、
狭トラツクマルチヘッドにおいては、狭トラツク化する
につれて天動トラック長が減少することになる。
る夾効トラック長り。は、第３図に示すように主磁極４
の長さＬから電極５．６の幅Ａ、Ｂ（通常Ａ＝Ｂ ）を
減算したもの（Ｌｏ＝Ｌ−Ａ−Ｂ）であるから、特に、
狭トラツクマルチヘッドにおいては、狭トラツク化する
につれて天動トラック長が減少することになる。
例えばトラックピッチ１００μｍ、主磁極４の長さＬを
８０μｍとして、電極５．６の谷幅Ａ、Ｂをそれぞれ２
０μｍとすれば、実効トラック長り。は４０μｍであシ
、実効率は５０％にすぎない。また、実用可能な最短の
電極幅を１０μガＪとしても実効トラック長の分を含め
ると２０μｍピらチリ下の再生ヘッドは実現困難である
。なお、主磁ｆＭ４０幅を図中Ｈで示しである。
８０μｍとして、電極５．６の谷幅Ａ、Ｂをそれぞれ２
０μｍとすれば、実効トラック長り。は４０μｍであシ
、実効率は５０％にすぎない。また、実用可能な最短の
電極幅を１０μガＪとしても実効トラック長の分を含め
ると２０μｍピらチリ下の再生ヘッドは実現困難である
。なお、主磁ｆＭ４０幅を図中Ｈで示しである。
このような問題は、電極を主磁極の上部にのみ重ねた場
合も解消できないし、また、電極を主磁極と同一材料の
ＭＲ膜で一体的につくった場合でも解消できないことは
、電流ｉの経路を考えれば明らかである。
合も解消できないし、また、電極を主磁極と同一材料の
ＭＲ膜で一体的につくった場合でも解消できないことは
、電流ｉの経路を考えれば明らかである。
発明の目的
この発明の目的は、比較的簡単な構造改良によ＃）天動
トラック長の低下をなくす、あるいは少なくすることの
できる垂直磁化再生ヘッドを提供することである。
トラック長の低下をなくす、あるいは少なくすることの
できる垂直磁化再生ヘッドを提供することである。
発明の構成
この発明の垂直磁化再生ヘッドは、次の（イ）〜■の各
要素を備えたものである。
要素を備えたものである。
（イ）垂直磁気記録媒体に一端部を対向させる強磁性薄
膜よシなる磁気抵抗効果素子を利用した主磁極 （ロ）前記主磁極と磁気的に結合し前記記録媒体に対面
させる強磁性体の基板 （ハ）前記主磁極の背面に対向する状態で前記基板に埋
設された非磁性部 に）前記主磁極に接続された前記記録媒体とほぼ垂直な
方向の電極対 ＆ｈ） 前記主磁極中の磁化方向と電流方向とを相対
的に傾斜きせるための手段 そして上記（ホ）の主磁極中の磁化方向と電流方向とを
相対的に傾斜させる手段については、少なくとも次の（
ｉ）〜（ｉｖ）が含まれる。
膜よシなる磁気抵抗効果素子を利用した主磁極 （ロ）前記主磁極と磁気的に結合し前記記録媒体に対面
させる強磁性体の基板 （ハ）前記主磁極の背面に対向する状態で前記基板に埋
設された非磁性部 に）前記主磁極に接続された前記記録媒体とほぼ垂直な
方向の電極対 ＆ｈ） 前記主磁極中の磁化方向と電流方向とを相対
的に傾斜きせるための手段 そして上記（ホ）の主磁極中の磁化方向と電流方向とを
相対的に傾斜させる手段については、少なくとも次の（
ｉ）〜（ｉｖ）が含まれる。
（ｉ）前記基板に埋設の非磁性部において前記電極方向
とほぼ垂直に埋設した通電体である場合（ｉｉ）前記基
板に埋設の非磁性部における前記主磁極側の表面に形成
した前記電極方向と交差する方向の複数の凹凸条である
場合 （ｉｉｉ） 前記主磁極の表面に形成し喪前記電極方
向と交差する方向の複数の凹凸条である場合（ｉｖ）前
記主磁極の表面に付設した前記ｖｉ電極方向交差する方
向の複数の細幅な非磁性導電体であ−る場合 以上、いずれの手段によっても電極との接合部において
主磁極中における磁化の方向が電流方向と交差するため
、電極との接合部自体において主磁極に磁気抵抗（ＭＲ
）効果が現われる。換言すると主磁極の長さを従来はど
長くする必要がなく、電極の幅と同等の小さな幅の主磁
極とすることができる。
とほぼ垂直に埋設した通電体である場合（ｉｉ）前記基
板に埋設の非磁性部における前記主磁極側の表面に形成
した前記電極方向と交差する方向の複数の凹凸条である
場合 （ｉｉｉ） 前記主磁極の表面に形成し喪前記電極方
向と交差する方向の複数の凹凸条である場合（ｉｖ）前
記主磁極の表面に付設した前記ｖｉ電極方向交差する方
向の複数の細幅な非磁性導電体であ−る場合 以上、いずれの手段によっても電極との接合部において
主磁極中における磁化の方向が電流方向と交差するため
、電極との接合部自体において主磁極に磁気抵抗（ＭＲ
）効果が現われる。換言すると主磁極の長さを従来はど
長くする必要がなく、電極の幅と同等の小さな幅の主磁
極とすることができる。
実施例の説明
この発明の第１の実施例を第４図および第５図に基いて
説明する。Ｍｎ −Ｚｎフェライトなどの強磁性体よシ
なる基板１の一側下端の切欠き溝２には、非磁性の通電
体２１を埋入したＳｉＯ２などの非磁性部３が埋設され
ている。この上に、０．５μｍ厚の８１０２やＡＪ！２
０３などの絶縁膜７を介して５００人厚０Ｎｉ −Ｆｅ
ＪｐＮｉ −ｃｏなどの強磁性膜がフォトエツチング
により形成されＭＲ膜である主磁極４となっている。こ
のような主磁極４が２つ並列されてい、て。主磁極４は
、幅が２０μｍであシ、基板１の切欠き溝２の上部１３
で約３μｍ重なっている。
説明する。Ｍｎ −Ｚｎフェライトなどの強磁性体よシ
なる基板１の一側下端の切欠き溝２には、非磁性の通電
体２１を埋入したＳｉＯ２などの非磁性部３が埋設され
ている。この上に、０．５μｍ厚の８１０２やＡＪ！２
０３などの絶縁膜７を介して５００人厚０Ｎｉ −Ｆｅ
ＪｐＮｉ −ｃｏなどの強磁性膜がフォトエツチング
により形成されＭＲ膜である主磁極４となっている。こ
のような主磁極４が２つ並列されてい、て。主磁極４は
、幅が２０μｍであシ、基板１の切欠き溝２の上部１３
で約３μｍ重なっている。
各主磁極４の上下にはＡｕやＡＡ’ 、 Ｃｕなどの導
電性膜よシなる電４１Ｍ１８．１９が絶縁膜２ｏを挾ん
で形成されている。電極１８．１９は主磁極４・に流れ
る電流を記録媒体８とはぼ垂直な方向に取）出すように
配設されている。
電性膜よシなる電４１Ｍ１８．１９が絶縁膜２ｏを挾ん
で形成されている。電極１８．１９は主磁極４・に流れ
る電流を記録媒体８とはぼ垂直な方向に取）出すように
配設されている。
このヘッドの動作を第６図にょシ説明する。垂直異方性
膜１０に記録された信号磁化によって発生した磁束はＭ
Ｒ用の主磁極４を通シ、基板１から高透磁率膜９を通シ
垂直異方性膜１ｏに戻る。
膜１０に記録された信号磁化によって発生した磁束はＭ
Ｒ用の主磁極４を通シ、基板１から高透磁率膜９を通シ
垂直異方性膜１ｏに戻る。
ＭＲ用の主磁ｇｉ４の磁化容易軸方向をＥとし、通電体
２１にバイアス電流ｉを流して主磁極４中の磁化の方向
をほぼ４５°のＭ方向に向けておくとすると信号磁束の
変化にょシ磁化の方向は４５°を中心にして変化する。
２１にバイアス電流ｉを流して主磁極４中の磁化の方向
をほぼ４５°のＭ方向に向けておくとすると信号磁束の
変化にょシ磁化の方向は４５°を中心にして変化する。
電極１８．１９よシ流す電流の方向はｉ方向であるから
、信号磁束による磁化の向きの変化を抵抗の変化として
電流ｉで検出できる。
、信号磁束による磁化の向きの変化を抵抗の変化として
電流ｉで検出できる。
このヘッドの構造では電極の１８．１９の幅が主磁ｆＭ
４の長さに等しいので狭トラツク化した場合にも実効ト
ラック長が減少することはない。また垂直磁気記録媒体
のような導電性媒体を摺動再生する場合でも、主磁極４
の下側の電極１９を接地しておけばＭＲ電流のリークに
よシノイズが発生する問題は生じない。
４の長さに等しいので狭トラツク化した場合にも実効ト
ラック長が減少することはない。また垂直磁気記録媒体
のような導電性媒体を摺動再生する場合でも、主磁極４
の下側の電極１９を接地しておけばＭＲ電流のリークに
よシノイズが発生する問題は生じない。
この発明の第２の実施例を第７図に基いて説明する。Ｍ
ｎ −７：、ｎ ７エライト基板１の切欠き溝２にはガ
ラスが充填されて非磁性部３となっている。
ｎ −７：、ｎ ７エライト基板１の切欠き溝２にはガ
ラスが充填されて非磁性部３となっている。
この非磁性部３における主磁極４に対向する面には微細
な縞状のピッチ０．４μｍ１深さ３００人の凹凸条（図
示せず）が電流と４０″の角度をなすように形成されて
いる。その上に絶縁膜７を介してＭＲ膜よりなる主磁極
４が形成されておシ、主磁極４に接続して電極１８．１
９が形成されている。下側の電極１９の下端部が主磁極
４の端部よシ約７μｍ離間して設けられている。
な縞状のピッチ０．４μｍ１深さ３００人の凹凸条（図
示せず）が電流と４０″の角度をなすように形成されて
いる。その上に絶縁膜７を介してＭＲ膜よりなる主磁極
４が形成されておシ、主磁極４に接続して電極１８．１
９が形成されている。下側の電極１９の下端部が主磁極
４の端部よシ約７μｍ離間して設けられている。
この場合主磁極４中の磁化の方向は基板１表面に形成さ
れた縞状の凹凸条によシ規制され反磁界の影蕃も加わっ
て電流方向とほぼ４５°傾いた方向をなす。
れた縞状の凹凸条によシ規制され反磁界の影蕃も加わっ
て電流方向とほぼ４５°傾いた方向をなす。
このヘッドの動作は第１の実施例と同じであるが電極１
９を構成するＡｕやＣｕのような軟らかい金属が記録媒
体８から離れているので記録媒体８との摺接による電極
１９の塑性流動が起こらず経時変化の少ない特性が得ら
れる。
９を構成するＡｕやＣｕのような軟らかい金属が記録媒
体８から離れているので記録媒体８との摺接による電極
１９の塑性流動が起こらず経時変化の少ない特性が得ら
れる。
この第２の実施例の変形として、主磁極４の表面に電極
１８．１９の電流方向に対して交差する方向の複数の凹
凸条を形成してもよい。
１８．１９の電流方向に対して交差する方向の複数の凹
凸条を形成してもよい。
この発明の第３の実施例を第８図、第９図に基いて説明
する。Ｎｉ −Ｚｎ基板１は非磁性Ｚｎ７エライトから
なる非磁性部３と接合されており、その上に上述の実施
例と同様にしてＭＲ膜の主磁極４と電極１８．１９が形
成されている。主磁極４の表面には複数の細幅な非磁性
導電体２２が第９図に示すように主磁極４の辺に対して
ほぼ４５°の傾斜面で形成されている。主磁極４の長さ
方向に設定された磁化容品軸方向Ｅに対して電流ｉは導
電体２２にほぼ直角の方向に流れるので歪の少ない動作
をする。
する。Ｎｉ −Ｚｎ基板１は非磁性Ｚｎ７エライトから
なる非磁性部３と接合されており、その上に上述の実施
例と同様にしてＭＲ膜の主磁極４と電極１８．１９が形
成されている。主磁極４の表面には複数の細幅な非磁性
導電体２２が第９図に示すように主磁極４の辺に対して
ほぼ４５°の傾斜面で形成されている。主磁極４の長さ
方向に設定された磁化容品軸方向Ｅに対して電流ｉは導
電体２２にほぼ直角の方向に流れるので歪の少ない動作
をする。
本実施例では強磁性基板ｌは、記録媒体８と接していな
いので再生効率は多少落ちるが、それでもほぼ同等の特
性が得られる。
いので再生効率は多少落ちるが、それでもほぼ同等の特
性が得られる。
なお、１磁ｊＦＭ４において、磁化方向と電流方向とを
相対的に傾斜させる手段としては、上記のほかに、硬磁
性膜を主磁極４の近傍に設置する方法や外部に磁石を置
く方法なども有効である。
相対的に傾斜させる手段としては、上記のほかに、硬磁
性膜を主磁極４の近傍に設置する方法や外部に磁石を置
く方法なども有効である。
この発明の第４の実施例を第１０図、第１１図に基いて
説明する。１磁４Ｍ４、電［１８，１９が複数組並列さ
れており、記録媒体８に近い方の電極１９が共通の電極
２３をもって構成されている。
説明する。１磁４Ｍ４、電［１８，１９が複数組並列さ
れており、記録媒体８に近い方の電極１９が共通の電極
２３をもって構成されている。
この場合、ヘッドの動作は第１の実施例と同じであるが
、下側の電極２３が共通線となって、電極が一層で形成
できるのでヘッドの構成が簡単になるとともに、！極が
重なっていないので絶縁不良になることもなく良好な特
性が得られる。
、下側の電極２３が共通線となって、電極が一層で形成
できるのでヘッドの構成が簡単になるとともに、！極が
重なっていないので絶縁不良になることもなく良好な特
性が得られる。
発明の効果
この発明の垂直磁化再生ヘッドによれば、電極の幅によ
って実効トラック長が制約を受けないですみ、従来に比
べて実効トラック長をかなシ短くすることができ、例え
ば電極幅と同程度またはそれ以下の小さな実効トラック
長のものも可能であ
って実効トラック長が制約を受けないですみ、従来に比
べて実効トラック長をかなシ短くすることができ、例え
ば電極幅と同程度またはそれ以下の小さな実効トラック
長のものも可能であ
【図面の簡単な説明】
第１図は従来例を示す斜視図、第２図はその断面図、第
３図はその欠点説明図、第４図はこの発明の第１の実施
例を示す斜視図、第５図はその断面図、第６図はその動
作説明図、第７図は第２の実施例を示す断面図、第８図
は第３の実施例を示す断面図、第９図はその動作説明図
、第１０図は第４の実施例を示す断面図、第１１図はそ
の正面図である。 １・・・強磁性体の基板、３・・・非磁性部、４・・・
磁気抵抗効果素子を利用した主磁極、８・・・垂直磁気
記録媒体、１８．１９・・・電極、２１・・・通電体、
２２・・・非磁性導電体 第７図 第８図 第９図 第１１図
３図はその欠点説明図、第４図はこの発明の第１の実施
例を示す斜視図、第５図はその断面図、第６図はその動
作説明図、第７図は第２の実施例を示す断面図、第８図
は第３の実施例を示す断面図、第９図はその動作説明図
、第１０図は第４の実施例を示す断面図、第１１図はそ
の正面図である。 １・・・強磁性体の基板、３・・・非磁性部、４・・・
磁気抵抗効果素子を利用した主磁極、８・・・垂直磁気
記録媒体、１８．１９・・・電極、２１・・・通電体、
２２・・・非磁性導電体 第７図 第８図 第９図 第１１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 α） 垂直磁気記録媒体に一端部を対向させる強磁性薄
膜よシなる磁気抵抗効果素子を利用した主磁極と、前記
主磁極と磁気的に結合し前記記録媒体に対面させる強磁
性体の基板と、前記主磁極の背面に対向する状態で前記
基板に埋設された非磁性部と、前記主磁極に接続された
前記記録媒体とほぼ垂直な方向の電極対と、前記主磁極
中の磁化方向と電流方向とを相対的に傾斜させるための
傾斜手段とを備えた垂直磁化再生ヘッド。 （２）前記傾斜手段が、前記基板に埋設の非磁性部にお
いて前記電極方向とほぼ垂直に埋設した通電体である特
許請求の範囲第（１）項記載の垂直磁化再生ヘッド。 （３）前記傾斜手段が、前記基板に埋設の非磁性部にお
ける前記主磁極側の表面に形成した前記電極方向と交差
する方向の複数の凹凸条である特許請求の範囲第（１）
項記載の垂μ化再生ヘッド。 （４） 前記傾斜手段が、前記主磁極の表面に形成し
た前記電極方向と交差する方向の複数の凹凸条である特
許請求の範囲第（１）項記載の垂直磁化再生ヘッド。 （５）前記傾斜手段が、前記主磁極の表面に付設した前
記電極方向と交差する方向の複数の細幅な非磁性導電体
である特許請求の範囲第（１）項記載の垂直磁化再生ヘ
ッド。 （６）前記主磁極、電極対および前記傾斜手段の組が、
共通の前記基板および前記非磁性部に対して複数組並列
されている特許請求の範囲第（１）項記載の垂直磁化再
生ヘッド。 （７）前記複数組の電極対のうち前記記録媒体に近い側
の電極群が共通に接続されている特許請求の範囲第（６
）項記載の垂直磁化再生ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10519383A JPS59231727A (ja) | 1983-06-13 | 1983-06-13 | 垂直磁化再生ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10519383A JPS59231727A (ja) | 1983-06-13 | 1983-06-13 | 垂直磁化再生ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59231727A true JPS59231727A (ja) | 1984-12-26 |
Family
ID=14400830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10519383A Pending JPS59231727A (ja) | 1983-06-13 | 1983-06-13 | 垂直磁化再生ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59231727A (ja) |
-
1983
- 1983-06-13 JP JP10519383A patent/JPS59231727A/ja active Pending
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