JPS61258323A - 磁気抵抗効果ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果ヘツドInfo
- Publication number
- JPS61258323A JPS61258323A JP9912585A JP9912585A JPS61258323A JP S61258323 A JPS61258323 A JP S61258323A JP 9912585 A JP9912585 A JP 9912585A JP 9912585 A JP9912585 A JP 9912585A JP S61258323 A JPS61258323 A JP S61258323A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- soft magnetic
- layer
- film
- head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は磁気ヘッドに関し、特に磁気ディスク装置、磁
気テープ装置等からの情報の読出しに用いられ強磁性薄
膜より成る磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子と呼ぶ）を
利用した磁気抵抗効果ヘッド（以下ＭＲヘッドと呼ぶ）
に関するものである。
気テープ装置等からの情報の読出しに用いられ強磁性薄
膜より成る磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子と呼ぶ）を
利用した磁気抵抗効果ヘッド（以下ＭＲヘッドと呼ぶ）
に関するものである。
（従来技術とその問題点）
周知のように強磁性合金薄膜より成るＭＲ素子は、信号
磁界に対する再生感度が高く、しかも磁束応答型である
ため信号出力が相対速度に依存せず、高周波領域まで一
定の出力が得られるなど優れた特徴を備えている。この
ため磁気記録の分野では、このように優れた特徴を持つ
ＭＲ素子を高記録密度再生用ヘッド、所謂ＭＲヘッドと
して使用することが考えられており、種々の検討が活発
に行なわれている。
磁界に対する再生感度が高く、しかも磁束応答型である
ため信号出力が相対速度に依存せず、高周波領域まで一
定の出力が得られるなど優れた特徴を備えている。この
ため磁気記録の分野では、このように優れた特徴を持つ
ＭＲ素子を高記録密度再生用ヘッド、所謂ＭＲヘッドと
して使用することが考えられており、種々の検討が活発
に行なわれている。
この様なＭＲヘッドは通常％ＭＲ素子を絶縁層を介して
、高速磁率磁性薄膜より成る上、下２つの磁気シールド
間に挿入し次構造となっている。
、高速磁率磁性薄膜より成る上、下２つの磁気シールド
間に挿入し次構造となっている。
その磁気シールドは、記録媒体上の磁化遷移からの不要
な漏洩磁場を遮断し、ＭＲ素子の飽和及び高調波歪等の
混入を抑制する効果、および高密度記録された媒体から
の漏洩磁場を効率良＜ＭＥＬ素子まで引上げる対果を有
しており、ＭＲ，ヘッドの分解能を向上させ、高周波特
性を改善する作用を担っている。
な漏洩磁場を遮断し、ＭＲ素子の飽和及び高調波歪等の
混入を抑制する効果、および高密度記録された媒体から
の漏洩磁場を効率良＜ＭＥＬ素子まで引上げる対果を有
しており、ＭＲ，ヘッドの分解能を向上させ、高周波特
性を改善する作用を担っている。
従って、この磁気シールドを形成する材料としては、優
れた軟磁気特性を有することが不可欠である。特に、近
年の高記録密度化の流れを考えると、磁気シールド材料
に求められる特性は増々大きくなっており、従来用いら
れていたＮｉＦｅ合金（透磁率ｊＪ＝１５００．保磁力
Ｈｃ＝０．５Ｏｅ）Ｋ−替ワル。
れた軟磁気特性を有することが不可欠である。特に、近
年の高記録密度化の流れを考えると、磁気シールド材料
に求められる特性は増々大きくなっており、従来用いら
れていたＮｉＦｅ合金（透磁率ｊＪ＝１５００．保磁力
Ｈｃ＝０．５Ｏｅ）Ｋ−替ワル。
より一層優れた特性をもつ材料によって磁気シールドを
構成してその磁気シールドの効果を十分発揮させること
が、ＭＦＬヘッドにとって極めて重要となりつつある。
構成してその磁気シールドの効果を十分発揮させること
が、ＭＦＬヘッドにとって極めて重要となりつつある。
この様な磁気シールド材料の一つとして、非晶質軟磁性
材料、例えばＣｏ−Ｚｒ、 Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ 等の
Ｃｏ−メタル系非晶質軟磁性材料が考えられる。
材料、例えばＣｏ−Ｚｒ、 Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ 等の
Ｃｏ−メタル系非晶質軟磁性材料が考えられる。
これらのＣｏ−メタル系非晶質材料１例えはＣｏ−Ｚｒ
膜は１０ＭＨｚでも３５００という高い透磁率を有し。
膜は１０ＭＨｚでも３５００という高い透磁率を有し。
しかも０．０３０ｅ以下という小さな保磁力を有してい
るため、従来のＮｉＦｅ合金より構成さｎる磁気シール
ドに比較して格段に優れた磁気シールドが得られる。し
かしながら、この非晶質軟磁性材料は、熱的に不安定で
めυ、磁気特性の経時変化が大きく、初期の高い透磁率
が次第に低下するという欠点があった。しかも、ＭＲ素
子はＦＡ理上常時センス電流をＭＲ素子内に流す必要が
あバこのＭＲ素子を挟む磁気シールドは絶えずそのセン
ス電流による発熱を受けることとなシ、そのため磁気特
性の経時変化が一層加速されるという問題点があった。
るため、従来のＮｉＦｅ合金より構成さｎる磁気シール
ドに比較して格段に優れた磁気シールドが得られる。し
かしながら、この非晶質軟磁性材料は、熱的に不安定で
めυ、磁気特性の経時変化が大きく、初期の高い透磁率
が次第に低下するという欠点があった。しかも、ＭＲ素
子はＦＡ理上常時センス電流をＭＲ素子内に流す必要が
あバこのＭＲ素子を挟む磁気シールドは絶えずそのセン
ス電流による発熱を受けることとなシ、そのため磁気特
性の経時変化が一層加速されるという問題点があった。
このような磁気特性の劣化は、当然のことながら磁気シ
ールドの効果・作用の低下を意味しておシ、その結果Ｍ
Ｒヘッドのヘッド特性も低下し、Ｍλヘッドの信頼性を
損なうものであった。
ールドの効果・作用の低下を意味しておシ、その結果Ｍ
Ｒヘッドのヘッド特性も低下し、Ｍλヘッドの信頼性を
損なうものであった。
（発明の目的）
本発明の目的は、これら従来の欠点を除去し、磁気シー
ルドの特性劣化を抑制して、信頼性の高いＭＲヘッドを
提供することにある。
ルドの特性劣化を抑制して、信頼性の高いＭＲヘッドを
提供することにある。
（発明の構成）
本発明の構成は、高透磁率軟磁性薄膜からなる上、下２
つの磁気シールドの間にそれぞれ絶縁層を介して、強磁
性薄膜からなるＭＲ素子を挟んで形成されるシールド付
きＭＲヘッドにおいて、前記上、下磁気シールドの少な
くとも一方が、非晶質高透磁率軟磁性材料より成る層と
結晶質高透磁率軟磁性材料より成る層とを各々少なくと
も１層ずつ積層して構成されることを特徴とする。
つの磁気シールドの間にそれぞれ絶縁層を介して、強磁
性薄膜からなるＭＲ素子を挟んで形成されるシールド付
きＭＲヘッドにおいて、前記上、下磁気シールドの少な
くとも一方が、非晶質高透磁率軟磁性材料より成る層と
結晶質高透磁率軟磁性材料より成る層とを各々少なくと
も１層ずつ積層して構成されることを特徴とする。
（発明の作用）
本発明の構成をとることにより、磁気７−ルドが非晶質
軟磁性材料よ）成る層と結晶質軟磁性材料よ構成る層と
を少なくとも２層積層した多層膜によυ構成されるので
、非晶質軟磁性薄膜層と結晶質軟磁性薄膜層とを磁気的
に結合し、磁気シールドの磁気特性の劣化、特に透磁率
の低下を抑制して、信頼性の高い優れたＭ Ｂ、ヘッド
を実現することができる。
軟磁性材料よ）成る層と結晶質軟磁性材料よ構成る層と
を少なくとも２層積層した多層膜によυ構成されるので
、非晶質軟磁性薄膜層と結晶質軟磁性薄膜層とを磁気的
に結合し、磁気シールドの磁気特性の劣化、特に透磁率
の低下を抑制して、信頼性の高い優れたＭ Ｂ、ヘッド
を実現することができる。
（実施例）
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の一実施例の部分断面斜視図である。本
実施例は、ガラス・セラミックス等よ構成る基板１１上
にスパッタリング法あるいは蒸着法等の薄膜形成技術と
フォｌ−ＩＪソゲラフイー技術を用いて下磁気シールド
１２を形成しくここではスパッタリングを用いた）、つ
いでスパッタ膜からなる絶縁層１３を介して、 ＮｉＦ
ｅ合金等の強磁性薄膜よシなるＭ几素子１４を蒸着法に
よ）形成し、このＭ′ｋＬ素子１４にセンス電流を供給
するＡｕ等の４を性材料よしなる端子１６が下磁気シー
ルド１２と同様の集積化薄膜技術を用いて形成した（こ
こで（まＡｕを蒸着法で形成した）。その後再度絶縁層
１３（ここでは５ｉ０２スパツタ腺）が形成され、つい
で下磁気シールド１２と同様に上磁気シールド１５が形
成されてシールド付きＭＲヘッドが構成されている。
実施例は、ガラス・セラミックス等よ構成る基板１１上
にスパッタリング法あるいは蒸着法等の薄膜形成技術と
フォｌ−ＩＪソゲラフイー技術を用いて下磁気シールド
１２を形成しくここではスパッタリングを用いた）、つ
いでスパッタ膜からなる絶縁層１３を介して、 ＮｉＦ
ｅ合金等の強磁性薄膜よシなるＭ几素子１４を蒸着法に
よ）形成し、このＭ′ｋＬ素子１４にセンス電流を供給
するＡｕ等の４を性材料よしなる端子１６が下磁気シー
ルド１２と同様の集積化薄膜技術を用いて形成した（こ
こで（まＡｕを蒸着法で形成した）。その後再度絶縁層
１３（ここでは５ｉ０２スパツタ腺）が形成され、つい
で下磁気シールド１２と同様に上磁気シールド１５が形
成されてシールド付きＭＲヘッドが構成されている。
ここで上、下両磁気シールド１５．１２は、第２図に示
したような構造となっている。すなわち、膜厚５００人
のＮｉＦｅ合金より成る結晶質軟磁性層１８を４層と、
膜厚３０００ＡのＣｏＺｒ非晶質軟磁性層１７を３層と
を交互に積み重ねた軟磁跣積層膜によって上、下両磁気
シールド１５．１２が構成される。
したような構造となっている。すなわち、膜厚５００人
のＮｉＦｅ合金より成る結晶質軟磁性層１８を４層と、
膜厚３０００ＡのＣｏＺｒ非晶質軟磁性層１７を３層と
を交互に積み重ねた軟磁跣積層膜によって上、下両磁気
シールド１５．１２が構成される。
この積層膜の作製時Ｃごは、結晶質軟磁性層１８と非晶
質軟磁性層１７との磁気的な結合を実現するために、結
晶質、非晶質軟磁性層１８．１７の各磁化容易軸が同一
方向となる様に、磁場中成膜を行なうことが望ましい。
質軟磁性層１７との磁気的な結合を実現するために、結
晶質、非晶質軟磁性層１８．１７の各磁化容易軸が同一
方向となる様に、磁場中成膜を行なうことが望ましい。
この積層膜は、磁気シールド材料として必須の優れ九軟
磁気特ｍｔ有してい友。つまり、保磁力Ｈｃ＝０．０３
〜０．０５０ｅ、透磁率μ＝２５００〜３０００という
従来の磁気シールド材料１例えばＮｉＦｅ合金の特性を
遥かに凌ぐ軟磁気特性を有してい九〇 第３図は第１図の本発明によるＭＲヘッドの磁気シール
ドとなる第２図のＣｏＺｒ／ＮｉＦｅ積層膜とＣ０３ｒ
単層膜（膜厚１００００人）とを８０℃の大気中に放置
した時の透磁率の経時変化の様子を示すグラフである。
磁気特ｍｔ有してい友。つまり、保磁力Ｈｃ＝０．０３
〜０．０５０ｅ、透磁率μ＝２５００〜３０００という
従来の磁気シールド材料１例えばＮｉＦｅ合金の特性を
遥かに凌ぐ軟磁気特性を有してい九〇 第３図は第１図の本発明によるＭＲヘッドの磁気シール
ドとなる第２図のＣｏＺｒ／ＮｉＦｅ積層膜とＣ０３ｒ
単層膜（膜厚１００００人）とを８０℃の大気中に放置
した時の透磁率の経時変化の様子を示すグラフである。
この図において、Ｗ＠は膜構成を有する本発明による軟
磁性多層膜の経時変化を示しており、破線はＣｏＺｒ単
層膜の経時変化を示している。ここで横軸は処理時間、
つまり８０℃の大気中に放置し九時間を対数目盛りで示
し、縦軸は処理前の透磁率μ０で、を時間後の透磁率μ
（１）を規格化して示しである。なお透磁率の測定とし
ては、雑誌「レビニー・オプ・サイエンティフィック・
インストルメント（Ｒｅｖｉｅｗ ｏｆ Ｓｃｉｅｎｔ
ｉｆｉｃＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ月の第４６巻（１９７
５年）の９０４頁に示された方法を用いた。すなわち、
８字形に形成し九薄膜コイルの下部に供試ナングルを挿
入し、磁界印加用の他のコイルにより、その供試サンプ
ルを励磁した時、８字形コイルに鎖交する磁束量から求
めた磁束密度と、その励磁磁界との比から透磁率を求め
る方法にニジ行なった。又、この透磁率の測定周波数は
５ ＭＨｚである。
磁性多層膜の経時変化を示しており、破線はＣｏＺｒ単
層膜の経時変化を示している。ここで横軸は処理時間、
つまり８０℃の大気中に放置し九時間を対数目盛りで示
し、縦軸は処理前の透磁率μ０で、を時間後の透磁率μ
（１）を規格化して示しである。なお透磁率の測定とし
ては、雑誌「レビニー・オプ・サイエンティフィック・
インストルメント（Ｒｅｖｉｅｗ ｏｆ Ｓｃｉｅｎｔ
ｉｆｉｃＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ月の第４６巻（１９７
５年）の９０４頁に示された方法を用いた。すなわち、
８字形に形成し九薄膜コイルの下部に供試ナングルを挿
入し、磁界印加用の他のコイルにより、その供試サンプ
ルを励磁した時、８字形コイルに鎖交する磁束量から求
めた磁束密度と、その励磁磁界との比から透磁率を求め
る方法にニジ行なった。又、この透磁率の測定周波数は
５ ＭＨｚである。
ＩＥＢ図から明らか蓄如く、本発明によるＣｏＺｒ／Ｎ
ｉＦｅ積層膜の透磁率の低下は、単層膜に比較して小さ
い。例えば％ １０００時間経過後では、単層膜の透磁
率は初期値の約６５％にも低下し大きな経時変化を示し
ているが、本発明による積層膜においては約２０％の減
少にとどまっておシ、透磁率の経時変化が大幅に改善さ
れている。
ｉＦｅ積層膜の透磁率の低下は、単層膜に比較して小さ
い。例えば％ １０００時間経過後では、単層膜の透磁
率は初期値の約６５％にも低下し大きな経時変化を示し
ているが、本発明による積層膜においては約２０％の減
少にとどまっておシ、透磁率の経時変化が大幅に改善さ
れている。
すなわ、ち、１０００時間後の透磁率の減少率りを次式
のように定義する。
のように定義する。
μＯ−μｔ ｏｏ。
１）＝＝ Ｘ１００（％）
μＯ
ここで、μ０１μｍＧ００は各々透磁率の初期値、１０
００時間後の透磁率を示す。この場合、単層膜、積層膜
の減少率Ｄ１．Ｄ２は各々次式となる。
００時間後の透磁率を示す。この場合、単層膜、積層膜
の減少率Ｄ１．Ｄ２は各々次式となる。
Ｄ１＝３５（％）、Ｄｚ＝２０瀉）
経時変化による減少量は本発明により３５％から２０％
へと改善される。
へと改善される。
以上の様に本発明によるＭＲヘッドの磁気７−ルドは、
優れ比軟磁気特性、すなわち高い透磁率と小さな保母力
を持ち、しかも磁気特性の経時変化も少なく、磁気シー
ルドの効果・作用の低下を抑制できるため、優れた特性
とを有すると共に高い信頼性が得られる。
優れ比軟磁気特性、すなわち高い透磁率と小さな保母力
を持ち、しかも磁気特性の経時変化も少なく、磁気シー
ルドの効果・作用の低下を抑制できるため、優れた特性
とを有すると共に高い信頼性が得られる。
更に、非晶質軟磁性４１７と、結晶質軟磁性層１８とが
互いに磁気的に結合しているため、磁気シールドの磁区
構造が安定化するという効果もあシ、磁気シールドとＭ
Ｒ素子との相互作用が安定で再現性のよいものとなるの
で、この点からも信頼性の高いＭＲヘッドが得られる。
互いに磁気的に結合しているため、磁気シールドの磁区
構造が安定化するという効果もあシ、磁気シールドとＭ
Ｒ素子との相互作用が安定で再現性のよいものとなるの
で、この点からも信頼性の高いＭＲヘッドが得られる。
なお、第２図の横層膜の構成は一例にすぎず、各層の膜
厚、各層の構成材料に各ＭＲヘッドの仕様に応じて選定
されるべきものである。また、本実施例では結晶質軟磁
性層を、まず基板上に形成した例を示したが、非晶質軟
磁性層を先に基板上に形成してもかまわず、また結晶質
軟磁性層と非晶質軟磁性層とを各々一層づつ形成した構
成でもよい。
厚、各層の構成材料に各ＭＲヘッドの仕様に応じて選定
されるべきものである。また、本実施例では結晶質軟磁
性層を、まず基板上に形成した例を示したが、非晶質軟
磁性層を先に基板上に形成してもかまわず、また結晶質
軟磁性層と非晶質軟磁性層とを各々一層づつ形成した構
成でもよい。
（発明の効果）
以上の述べたように、本発明のＭＲ，ヘッドにおいては
、磁気シールドが優れた軟磁気特性を有し。
、磁気シールドが優れた軟磁気特性を有し。
しかも経時変化が大幅に改善され％また磁気シールドの
磁区構造も安定化されるので％磁気シールドとＭＲ素子
の相互作用が安定で再現性が艮く、信頼性の高いＭＲヘ
ッドを実現できる。
磁区構造も安定化されるので％磁気シールドとＭＲ素子
の相互作用が安定で再現性が艮く、信頼性の高いＭＲヘ
ッドを実現できる。
第１図は本発明の一実施例のＭＦＬヘッドの構成を示す
断面斜視図、第２図は第１図中の上、下磁気シールドの
構造を示す断面図、第３図は磁気シールドとなる積層膜
の透磁率の経時変化を示すグラフである。図において １１・・・・・・基板、１２・・・・・・下シールド、
１４・・・・・・ＭＲ素子、１５・・・・・・上シール
ド、１７・・・・・・非晶質軟磁性層、１８・・・・・
・結晶質軟磁性層である。 茶２割 ８６鴇 半づ頂 題理吟閤（吟間）
断面斜視図、第２図は第１図中の上、下磁気シールドの
構造を示す断面図、第３図は磁気シールドとなる積層膜
の透磁率の経時変化を示すグラフである。図において １１・・・・・・基板、１２・・・・・・下シールド、
１４・・・・・・ＭＲ素子、１５・・・・・・上シール
ド、１７・・・・・・非晶質軟磁性層、１８・・・・・
・結晶質軟磁性層である。 茶２割 ８６鴇 半づ頂 題理吟閤（吟間）
Claims (1)
- 高透磁率軟磁性薄膜からなる上、下２つの磁気シールド
の間にそれぞれ絶縁層を介して、強磁性薄膜より成る磁
気抵抗効果素子を挾んで形成されるシールド付き磁気抵
抗効果ヘッドにおいて、前記上、下磁気シールドの少な
くとも一方が、非晶質高透磁率軟磁性材料より成る層と
結晶質高透磁率軟磁性材料より成る層とを各々少なくと
も１層づつ積層して構成されることを特徴とする磁気抵
抗効果ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9912585A JPS61258323A (ja) | 1985-05-10 | 1985-05-10 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9912585A JPS61258323A (ja) | 1985-05-10 | 1985-05-10 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61258323A true JPS61258323A (ja) | 1986-11-15 |
| JPH0572644B2 JPH0572644B2 (ja) | 1993-10-12 |
Family
ID=14239040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9912585A Granted JPS61258323A (ja) | 1985-05-10 | 1985-05-10 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61258323A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63223190A (ja) * | 1987-03-13 | 1988-09-16 | Nippon Shokubai Kagaku Kogyo Co Ltd | 硝酸第２セリウム溶液の製造法 |
| JPS63223189A (ja) * | 1987-03-13 | 1988-09-16 | Nippon Shokubai Kagaku Kogyo Co Ltd | 硝酸第２セリウム溶液の製造法 |
| US5473492A (en) * | 1993-03-03 | 1995-12-05 | Tdk Corporation | Magnetic head including a reproducing head utilizing a magnetoresistance effect and having a magnetic shielding film containing nitrogen |
| US5761011A (en) * | 1996-04-01 | 1998-06-02 | Tdk Corporation | Magnetic head having a magnetic shield film with a lower saturation magnetization than a magnetic field response film of an MR element |
| US5936812A (en) * | 1996-09-06 | 1999-08-10 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head with inductive magnetic conversion element and magnetoresistive conversion element |
| US6267824B1 (en) | 1996-11-28 | 2001-07-31 | Nec Corporation | Method for manufacturing a magnetoresistive effect composite having a pole containing Co-M |
| US6515837B1 (en) * | 2000-03-14 | 2003-02-04 | Hitachi, Ltd. | Magnetoresistive head and magnetic storage apparatus |
| US6597545B2 (en) * | 2000-05-25 | 2003-07-22 | Seagate Technology Llc | Shield design for magnetoresistive sensor |
| US6731474B2 (en) * | 2000-11-27 | 2004-05-04 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head and method of manufacturing the same |
| US7663845B2 (en) * | 2006-03-07 | 2010-02-16 | Tdk Corporation | Current-perpendicular-to-plane magneto-resistive element including multilayer lower magnetic shielding film |
-
1985
- 1985-05-10 JP JP9912585A patent/JPS61258323A/ja active Granted
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63223190A (ja) * | 1987-03-13 | 1988-09-16 | Nippon Shokubai Kagaku Kogyo Co Ltd | 硝酸第２セリウム溶液の製造法 |
| JPS63223189A (ja) * | 1987-03-13 | 1988-09-16 | Nippon Shokubai Kagaku Kogyo Co Ltd | 硝酸第２セリウム溶液の製造法 |
| JPH0240744B2 (ja) * | 1987-03-13 | 1990-09-13 | Nippon Shokubai Kagaku Kogyo Kk | |
| JPH0244903B2 (ja) * | 1987-03-13 | 1990-10-05 | Nippon Shokubai Kagaku Kogyo Kk | |
| US5473492A (en) * | 1993-03-03 | 1995-12-05 | Tdk Corporation | Magnetic head including a reproducing head utilizing a magnetoresistance effect and having a magnetic shielding film containing nitrogen |
| US5761011A (en) * | 1996-04-01 | 1998-06-02 | Tdk Corporation | Magnetic head having a magnetic shield film with a lower saturation magnetization than a magnetic field response film of an MR element |
| US5936812A (en) * | 1996-09-06 | 1999-08-10 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head with inductive magnetic conversion element and magnetoresistive conversion element |
| US6267824B1 (en) | 1996-11-28 | 2001-07-31 | Nec Corporation | Method for manufacturing a magnetoresistive effect composite having a pole containing Co-M |
| US6515837B1 (en) * | 2000-03-14 | 2003-02-04 | Hitachi, Ltd. | Magnetoresistive head and magnetic storage apparatus |
| US6597545B2 (en) * | 2000-05-25 | 2003-07-22 | Seagate Technology Llc | Shield design for magnetoresistive sensor |
| US6731474B2 (en) * | 2000-11-27 | 2004-05-04 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head and method of manufacturing the same |
| US7663845B2 (en) * | 2006-03-07 | 2010-02-16 | Tdk Corporation | Current-perpendicular-to-plane magneto-resistive element including multilayer lower magnetic shielding film |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0572644B2 (ja) | 1993-10-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5850325A (en) | Magnetic head having a read element upper shield film and a write element lower magnetic film separated by a non-magnetic film having a thickness such that magnetic coupling is enduced therebetween | |
| KR100269820B1 (ko) | 자기저항효과 헤드 | |
| JP2947621B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| US5751528A (en) | Multilayer exchange coupled magnetic poles with approximate zero magnetostriction | |
| JPH0997409A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及び磁気記録再生装置 | |
| US5761011A (en) | Magnetic head having a magnetic shield film with a lower saturation magnetization than a magnetic field response film of an MR element | |
| JP2000113418A (ja) | スピンバルブ効果に基づく磁気抵抗効果型ヘッド及びそれを用いた磁気記録再生装置 | |
| EP0403076A2 (en) | Magnetic medium for longitudinal recording | |
| JPS61258323A (ja) | 磁気抵抗効果ヘツド | |
| JP2533255B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JP2550893B2 (ja) | 磁性多層膜 | |
| JPH05135332A (ja) | 磁気抵抗効果再生ヘツドおよびそれを用いた磁気記録装置 | |
| JP3294742B2 (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JPH07169023A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JPH0329104A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPS63224016A (ja) | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 | |
| EP0694911B1 (en) | Magnetic resistance type magnetic head for recording/reproducing | |
| EP0585930A2 (en) | Thin film magnetic head | |
| JPH0845035A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH0498608A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JP3096589B2 (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JPS61258322A (ja) | 磁気抵抗効果ヘツド | |
| JPS63138512A (ja) | 薄膜磁気ヘツド及びその製造方法 | |
| JP3204871B2 (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JPS61158017A (ja) | 薄膜磁気ヘツド |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |