JP2544845B2 - 磁性薄膜、ラミネ―ト、磁気記録ヘッドおよび磁気遮蔽体ならびにラミネ―トの製造方法 - Google Patents
磁性薄膜、ラミネ―ト、磁気記録ヘッドおよび磁気遮蔽体ならびにラミネ―トの製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜の形態で、磁気記
録ヘッド、磁束ガイド及び遮蔽体において磁性薄膜とし
て有用なものとする電磁気特性の独特な組合せを有する
コバルト、鉄及び銅（ＣｏＦｅＣｕ）のある種の合金に
関する。本発明は、薄膜形態のこの合金を製造すること
ができる新規なめっき法及びめっき浴にも関する。
録ヘッド、磁束ガイド及び遮蔽体において磁性薄膜とし
て有用なものとする電磁気特性の独特な組合せを有する
コバルト、鉄及び銅（ＣｏＦｅＣｕ）のある種の合金に
関する。本発明は、薄膜形態のこの合金を製造すること
ができる新規なめっき法及びめっき浴にも関する。
【０００２】
【従来の技術】電子コンピューターディスク記憶系にお
いて現在進行している次第に高くなる線形ビット密度に
向けての需要によって増大した飽和保磁力を持つ磁気記
憶媒体が使用されるに至っている。同時に、より速い電
子データ転送速度に向う現在の傾向によって、上記の目
的のため上記の媒体中使用される磁気記録ヘッドの高周
波性能の着実な上昇が要求されている。
いて現在進行している次第に高くなる線形ビット密度に
向けての需要によって増大した飽和保磁力を持つ磁気記
憶媒体が使用されるに至っている。同時に、より速い電
子データ転送速度に向う現在の傾向によって、上記の目
的のため上記の媒体中使用される磁気記録ヘッドの高周
波性能の着実な上昇が要求されている。
【０００３】その結果、より高速でより大きな「書き込
み」（write）の場を得ることができる誘導又は磁気記
録ヘッドがいつも必要とされる。この必要性に応えるた
めには、現在使用されている薄膜材料において利用され
るものより有意に高い飽和磁化（４πＭs）を有する磁
性薄膜を提供することが必要である。現在最も使用され
ている磁性薄膜材料は、Permalloy として広く知られて
いるニッケル−鉄合金（ＮｉＦｅ）であり、このものは
約９,５００〜１０,０００ガウスの飽和磁化を有してい
る。
み」（write）の場を得ることができる誘導又は磁気記
録ヘッドがいつも必要とされる。この必要性に応えるた
めには、現在使用されている薄膜材料において利用され
るものより有意に高い飽和磁化（４πＭs）を有する磁
性薄膜を提供することが必要である。現在最も使用され
ている磁性薄膜材料は、Permalloy として広く知られて
いるニッケル−鉄合金（ＮｉＦｅ）であり、このものは
約９,５００〜１０,０００ガウスの飽和磁化を有してい
る。
【０００４】より高い飽和磁化を有する磁性薄膜を使用
すれば２つの主な利点が生じる。記録ヘッド中このよう
な材料を使用すると、記録ヘッドは、それに比例して高
い飽和保磁力を持つ記録媒体に書き込むことができるの
で、より高い線形密度も達成することができる。更に、
このような材料を使用することによって、より薄い記録
ヘッド磁極端の使用が可能となり、それによってその厚
さの平方と逆の関係の周波数応答を拡大する。より薄い
磁性膜の使用は又、その製造法を簡略化する可能性もあ
る。更に、磁気記録ヘッドが記憶されたデータを読み取
ることにも使用される適用において、このような適用の
ため次第にせまくなる磁極端の使用（より高いトラック
密度を達成するため）は、記録ヘッド装置のストレス誘
導磁気異方性を小さくするため、又薄膜材料中エッジド
メインの大きさを磁極端自体の大きさより有意に小さく
するために、Permalloy より有意に高い固有異方性磁界
を有する磁性薄膜材料の使用を必要とする。Permalloy
の固有異方性磁界は約３〜６エルステッドである。磁極
端が薄くなると読み取りの間分解能は高くなり、そして
隣接ビットからの干渉は小さくなる。
すれば２つの主な利点が生じる。記録ヘッド中このよう
な材料を使用すると、記録ヘッドは、それに比例して高
い飽和保磁力を持つ記録媒体に書き込むことができるの
で、より高い線形密度も達成することができる。更に、
このような材料を使用することによって、より薄い記録
ヘッド磁極端の使用が可能となり、それによってその厚
さの平方と逆の関係の周波数応答を拡大する。より薄い
磁性膜の使用は又、その製造法を簡略化する可能性もあ
る。更に、磁気記録ヘッドが記憶されたデータを読み取
ることにも使用される適用において、このような適用の
ため次第にせまくなる磁極端の使用（より高いトラック
密度を達成するため）は、記録ヘッド装置のストレス誘
導磁気異方性を小さくするため、又薄膜材料中エッジド
メインの大きさを磁極端自体の大きさより有意に小さく
するために、Permalloy より有意に高い固有異方性磁界
を有する磁性薄膜材料の使用を必要とする。Permalloy
の固有異方性磁界は約３〜６エルステッドである。磁極
端が薄くなると読み取りの間分解能は高くなり、そして
隣接ビットからの干渉は小さくなる。
【０００５】米国特許３,４８０,５２２号（Brownlow）
は、Ｃｕ含量が多い非磁性ＮｉＦｅ合金とＣｕの率が低
い磁気ＮｉＦｅ合金とのラミネートからつくられる磁性
薄膜を開示している。
は、Ｃｕ含量が多い非磁性ＮｉＦｅ合金とＣｕの率が低
い磁気ＮｉＦｅ合金とのラミネートからつくられる磁性
薄膜を開示している。
【０００６】米国特許４,１０８,７３９号（Tadokoro
ら）は、非磁性めっき膜と強磁性めっき膜との交互の層
の薄膜ラミネートの電気めっきによる形成を開示してい
る。このめっき浴は、合金中に組み入れられる燐の存在
を要求する。
ら）は、非磁性めっき膜と強磁性めっき膜との交互の層
の薄膜ラミネートの電気めっきによる形成を開示してい
る。このめっき浴は、合金中に組み入れられる燐の存在
を要求する。
【０００７】米国特許４,６５２,３４８号（Yahalom
ら）は、高い弾性率及び改善された磁気特性を有する合
金の電着による製造を開示している。電着される金属の
例は、銅−ニッケル、銅−パラジウム、ニッケル−金、
銅−ニッケル−鉄及びニッケルをコバルト又は鉄に置換
えた対応する合金である。しかし企図されているＣｕＮ
ｉＣｏ合金は比較的高いＣｕ含量を有している。更に、
いわゆる合金は、使用される各金属が使用される金属全
部の真の合金ではなく、実質的に純粋な形態で別々に沈
着されているように明らかに形成されている。
ら）は、高い弾性率及び改善された磁気特性を有する合
金の電着による製造を開示している。電着される金属の
例は、銅−ニッケル、銅−パラジウム、ニッケル−金、
銅−ニッケル−鉄及びニッケルをコバルト又は鉄に置換
えた対応する合金である。しかし企図されているＣｕＮ
ｉＣｏ合金は比較的高いＣｕ含量を有している。更に、
いわゆる合金は、使用される各金属が使用される金属全
部の真の合金ではなく、実質的に純粋な形態で別々に沈
着されているように明らかに形成されている。
【０００８】L.T. Romankiw ら（Extended Abstracts o
f the Electrochemical Society,ＡＢＳ＃３００，８９
巻，４３０〜４３１頁，１９８９）は、誘導記録ヘッド
及び磁気遮蔽体のため、単一めっき溶液からの積層型磁
性及び非磁性ＣｕＮｉＦｅ膜の電気めっきを開示してい
る。磁性層は、約５％のＣｕ、並びに残りは４：１の比
のＮｉ及びＦｅである。非磁性層は９５％のＣｕ及び５
％のＮｉＦｅである。
f the Electrochemical Society,ＡＢＳ＃３００，８９
巻，４３０〜４３１頁，１９８９）は、誘導記録ヘッド
及び磁気遮蔽体のため、単一めっき溶液からの積層型磁
性及び非磁性ＣｕＮｉＦｅ膜の電気めっきを開示してい
る。磁性層は、約５％のＣｕ、並びに残りは４：１の比
のＮｉ及びＦｅである。非磁性層は９５％のＣｕ及び５
％のＮｉＦｅである。
【０００９】J.C. Slonczewski ら（IEEE Transactions
on Magnetics, ２４巻，３号，１９８８年５月）は、
積層型 Permalloy 膜の「マイクロマグネチックス」を
開示している。
on Magnetics, ２４巻，３号，１９８８年５月）は、
積層型 Permalloy 膜の「マイクロマグネチックス」を
開示している。
【００１０】D.V. Subrahmanyam ら（Electroplating a
nd Metal Finishing，１９６７年２月，４４頁）は、ピ
ロ燐酸浴からのＣｕ及びＣｏの電着を開示している。
nd Metal Finishing，１９６７年２月，４４頁）は、ピ
ロ燐酸浴からのＣｕ及びＣｏの電着を開示している。
【００１１】M. Sarojamma ら（Plating, １９７８年６
月，６１９頁）は、ピロ燐酸浴からのＣｏＮｉＣｕ合金
の電着を開示している。
月，６１９頁）は、ピロ燐酸浴からのＣｏＮｉＣｕ合金
の電着を開示している。
【００１２】米国特許４,７５６,８１６号（Liao ら）
は、きわめて高いコバルト含量を有する二元ＣｏＦｅ合
金膜の製造を開示している。
は、きわめて高いコバルト含量を有する二元ＣｏＦｅ合
金膜の製造を開示している。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、非磁
性膜薄板との薄膜ラミネート形態の電磁気特性の独特な
組合せを有するコバルト、鉄及び銅の合金を提供するこ
とである。
性膜薄板との薄膜ラミネート形態の電磁気特性の独特な
組合せを有するコバルト、鉄及び銅の合金を提供するこ
とである。
【００１４】更に本発明の目的は、電磁気特性の独特な
組合せを有するコバルト、鉄及び銅の磁性薄膜合金を提
供することである。
組合せを有するコバルト、鉄及び銅の磁性薄膜合金を提
供することである。
【００１５】更に本発明の目的は、薄膜ラミネートの形
態で、磁気記録ヘッド及び遮蔽板において磁性薄膜とし
て有用である上記の合金を提供することである。
態で、磁気記録ヘッド及び遮蔽板において磁性薄膜とし
て有用である上記の合金を提供することである。
【００１６】更に本発明の目的は、上記の磁性薄膜を用
いる新規な磁気記録ヘッドを提供することである。
いる新規な磁気記録ヘッドを提供することである。
【００１７】更に本発明の目的は、上記の合金及び上記
の薄膜ラミネートを得るための新規な電気めっき浴及び
方法を提供することである。
の薄膜ラミネートを得るための新規な電気めっき浴及び
方法を提供することである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、下に開
示されるめっき浴系を使用してＤＣめっきされるコバル
ト、鉄及び銅のある種の薄膜合金、並びにパルス電流に
よってめっきされる上記の合金及び他の非磁性ラミナの
薄膜ラミネートを得ることによって達成される。
示されるめっき浴系を使用してＤＣめっきされるコバル
ト、鉄及び銅のある種の薄膜合金、並びにパルス電流に
よってめっきされる上記の合金及び他の非磁性ラミナの
薄膜ラミネートを得ることによって達成される。
【００１９】本発明の合金は、組成ＣｏxＦｅyＣｕ
z（ただしｘ、ｙ及びｚは、それぞれ上記の合金中に存
在するＣｏ、Ｆｅ及びＣｕの重量％を表わす）を有し、
そしてｘは約６６〜９２、好ましくは約７３〜８９、そ
して最も好ましくは７４〜８７であり、ｙは約６〜１
４、好ましくは約８〜１３、そして最も好ましくは約９
〜１２であり、そしてｚは約２〜２０、好ましくは約３
〜１４、そして最も好ましくは約４〜１４である。
z（ただしｘ、ｙ及びｚは、それぞれ上記の合金中に存
在するＣｏ、Ｆｅ及びＣｕの重量％を表わす）を有し、
そしてｘは約６６〜９２、好ましくは約７３〜８９、そ
して最も好ましくは７４〜８７であり、ｙは約６〜１
４、好ましくは約８〜１３、そして最も好ましくは約９
〜１２であり、そしてｚは約２〜２０、好ましくは約３
〜１４、そして最も好ましくは約４〜１４である。
【００２０】元素状の酸素、炭素、硫黄その他の成分の
１種又はそれ以上のあるマイナーな量を、それらが膜の
磁気特性に悪影響を及ぼさない（その飽和保磁力を増大
させず、異方性磁界の損失又は飽和磁化の過度の損失を
招かない）かぎり合金が含有していてよい。
１種又はそれ以上のあるマイナーな量を、それらが膜の
磁気特性に悪影響を及ぼさない（その飽和保磁力を増大
させず、異方性磁界の損失又は飽和磁化の過度の損失を
招かない）かぎり合金が含有していてよい。
【００２１】積層されていない形態においては、本発明
の合金の厚さは約５００〜５０,０００Åである。
の合金の厚さは約５００〜５０,０００Åである。
【００２２】積層された形態においては、本発明の目的
のためには、又下に更に詳述されるとおり、合金は好ま
しくは、各々厚さ約５００〜１０,０００オングストロ
ーム単位（Å）である磁性層の形態で製造される。それ
らは好ましくは、後述されるとおり、非磁性ラミナとの
ラミネートの形態でも製造される。非磁性ラミナは、各
々厚さ約５〜５００Åであり、非磁性材料として、銅単
独の層、又は大部分が銅で根跡、約５重量％未満のコバ
ルトより構成される層である。
のためには、又下に更に詳述されるとおり、合金は好ま
しくは、各々厚さ約５００〜１０,０００オングストロ
ーム単位（Å）である磁性層の形態で製造される。それ
らは好ましくは、後述されるとおり、非磁性ラミナとの
ラミネートの形態でも製造される。非磁性ラミナは、各
々厚さ約５〜５００Åであり、非磁性材料として、銅単
独の層、又は大部分が銅で根跡、約５重量％未満のコバ
ルトより構成される層である。
【００２３】得られたラミネートは、ｎの磁性ラミナの
層及びｎ−１の非磁性ラミナの層（ただしｎは２〜５０
の範囲のいずれかの偶数である）よりなる。ラミネート
は約０.１〜５ミクロンの全体の厚さを有する。
層及びｎ−１の非磁性ラミナの層（ただしｎは２〜５０
の範囲のいずれかの偶数である）よりなる。ラミネート
は約０.１〜５ミクロンの全体の厚さを有する。
【００２４】本発明の合金は、前記の合金の薄膜の形態
であり、次の電磁気特性を有する: 約１６,０００〜２４,０００、そして好ましくは約１
８,０００〜２０,０００ガウスの飽和磁化、 約１１〜２０エルステッド（Ｏｅ）、そして好ましくは
約１５〜１８エルステッドの異方性磁界、 約≦１.５エルステッド、そして好ましくは１エルステ
ッド未満、又最も好ましくは約０.１〜０.８エルステッ
ドの飽和保磁力値及び 約＋１０-4〜−１０-4、そして好ましくは約＋１０-5〜
−１０-4の磁歪値。
であり、次の電磁気特性を有する: 約１６,０００〜２４,０００、そして好ましくは約１
８,０００〜２０,０００ガウスの飽和磁化、 約１１〜２０エルステッド（Ｏｅ）、そして好ましくは
約１５〜１８エルステッドの異方性磁界、 約≦１.５エルステッド、そして好ましくは１エルステ
ッド未満、又最も好ましくは約０.１〜０.８エルステッ
ドの飽和保磁力値及び 約＋１０-4〜−１０-4、そして好ましくは約＋１０-5〜
−１０-4の磁歪値。
【００２５】本発明者らが知るかぎり、個々に又は組み
合せて、本発明の合金又は膜によって提供される次の電
磁気特性を有するＣｏ、Ｆｅその他の元素の磁性薄膜を
提供したものは従来なかった：約１６,０００〜２４,０
００の飽和磁化、１エルステッド未満の飽和保磁力値及
び約１１〜２０の異方性磁界。
合せて、本発明の合金又は膜によって提供される次の電
磁気特性を有するＣｏ、Ｆｅその他の元素の磁性薄膜を
提供したものは従来なかった：約１６,０００〜２４,０
００の飽和磁化、１エルステッド未満の飽和保磁力値及
び約１１〜２０の異方性磁界。
【００２６】本発明の磁性薄膜が磁気記録ヘッド中使用
されるときには、ヘッドは厚さがわずか約０.１〜５.０
ミクロンである磁極端を用いてつくられる。
されるときには、ヘッドは厚さがわずか約０.１〜５.０
ミクロンである磁極端を用いてつくられる。
【００２７】〔合金及びフィルムの製造〕本発明のＣｏ
ＦｅＣｕ合金は、ＤＣ又はパルス電流電着法を使用して
単一の新規な水性めっき溶液から製造される。これら合
金は好ましくは、薄膜又は上述した非磁性ラミナとの薄
膜ラミネートの形態で上記の溶液から製造される。
ＦｅＣｕ合金は、ＤＣ又はパルス電流電着法を使用して
単一の新規な水性めっき溶液から製造される。これら合
金は好ましくは、薄膜又は上述した非磁性ラミナとの薄
膜ラミネートの形態で上記の溶液から製造される。
【００２８】Ｃｏ、Ｆｅ及びＣｕイオンは、めっき溶液
又は浴に、好ましくは可溶性硫酸塩、酢酸塩、スルホン
酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩の形態、又はいずれかの他
の適当なイオン形態で供給される。
又は浴に、好ましくは可溶性硫酸塩、酢酸塩、スルホン
酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩の形態、又はいずれかの他
の適当なイオン形態で供給される。
【００２９】Ｃｏ、Ｆｅ及びＣｕイオンの外に、本発明
のめっき浴又は溶液は、１種又はそれ以上の水溶性緩衝
剤、例えば酢酸塩、クエン酸塩、酒石酸塩、スルホン酸
塩、マロン酸塩、又は同様な剤（ただし緩衝剤中陽イオ
ンは好ましくはＮａ又はＫである）、１種又はそれ以上
の水溶性界面活性剤、例えばＦＣ−９５、Triton Ｘ−
１００、ラウリル硫酸ナトリウム、又はいずれかの同様
な界面活性剤、１種又はそれ以上の水溶性応力減少剤
（stress reducer）、例えばサッカリン又は同様なもの
の水溶性の塩及び１種又はそれ以上の水溶性伝導性塩、
例えば硫酸ナトリウム又は同様な塩を含有することがあ
る。
のめっき浴又は溶液は、１種又はそれ以上の水溶性緩衝
剤、例えば酢酸塩、クエン酸塩、酒石酸塩、スルホン酸
塩、マロン酸塩、又は同様な剤（ただし緩衝剤中陽イオ
ンは好ましくはＮａ又はＫである）、１種又はそれ以上
の水溶性界面活性剤、例えばＦＣ−９５、Triton Ｘ−
１００、ラウリル硫酸ナトリウム、又はいずれかの同様
な界面活性剤、１種又はそれ以上の水溶性応力減少剤
（stress reducer）、例えばサッカリン又は同様なもの
の水溶性の塩及び１種又はそれ以上の水溶性伝導性塩、
例えば硫酸ナトリウム又は同様な塩を含有することがあ
る。
【００３０】浴の組成は次のとおり変動することにな
る：
る：
【表１】
【００３１】めっき浴は約２〜５、そして好ましくは約
２.５〜４の範囲のｐＨを有する。硫酸を使用して所望
のｐＨ値を得てよい。
２.５〜４の範囲のｐＨを有する。硫酸を使用して所望
のｐＨ値を得てよい。
【００３２】浴中使用される水は、好ましくは蒸留また
は脱イオン水である。
は脱イオン水である。
【００３３】電着法は、好ましくは約２０〜３０℃の室
温において、又約４〜５０mA／cm2のカソード電流密度
において実施される。使用されるカソードは、好ましく
は、Ｎｉ80Ｆｅ20シード誘電性基材である。使用される
アノードは好ましくはＣｏである。
温において、又約４〜５０mA／cm2のカソード電流密度
において実施される。使用されるカソードは、好ましく
は、Ｎｉ80Ｆｅ20シード誘電性基材である。使用される
アノードは好ましくはＣｏである。
【００３４】カソードにおけるＣｕ沈積反応が、熱力学
的に、Ｃｏ及びＦｅ沈積反応より有利であるという事実
により、得られる沈積した合金組成物のＣｕ濃度は、浴
の撹拌に、並びに溶液中Ｃｕ2+濃度及び電流密度に強く
左右される。即ち、本発明の電解質浴は、大きな面積
面、典型的には約８×８in2(約２０×２０cm2）又はそ
れよりはるかに大きい面にわたって均一な撹拌を与える
パドルを備えた電解槽中実施されるめっき法において使
用するのに最も適している（米国特許４,１０２,７５６
号−Castellani ら参照）。上記のパドル槽撹拌は、パ
ドル運動の振動数が約１ヘルツ（Hz）であるとき、回転
ディスク電極の２００〜７００rpmと均等である。均一
な組成及び厚さを持つ合金のめっきは、同様なレベルの
均一な撹拌を与えることができる他の型のめっき槽中で
行なうこともできる。均一でない撹拌であれば均一でな
い組成を持つ膜を生じることとなり、磁性装置のために
は望ましくないが、他の目的には望ましいことがある。
的に、Ｃｏ及びＦｅ沈積反応より有利であるという事実
により、得られる沈積した合金組成物のＣｕ濃度は、浴
の撹拌に、並びに溶液中Ｃｕ2+濃度及び電流密度に強く
左右される。即ち、本発明の電解質浴は、大きな面積
面、典型的には約８×８in2(約２０×２０cm2）又はそ
れよりはるかに大きい面にわたって均一な撹拌を与える
パドルを備えた電解槽中実施されるめっき法において使
用するのに最も適している（米国特許４,１０２,７５６
号−Castellani ら参照）。上記のパドル槽撹拌は、パ
ドル運動の振動数が約１ヘルツ（Hz）であるとき、回転
ディスク電極の２００〜７００rpmと均等である。均一
な組成及び厚さを持つ合金のめっきは、同様なレベルの
均一な撹拌を与えることができる他の型のめっき槽中で
行なうこともできる。均一でない撹拌であれば均一でな
い組成を持つ膜を生じることとなり、磁性装置のために
は望ましくないが、他の目的には望ましいことがある。
【００３５】沈積の間めっき槽全体に約１００〜１０,
０００ガウス、そして好ましくは５００〜３５００ガウ
スのレベルで連続して外部磁場をかける。
０００ガウス、そして好ましくは５００〜３５００ガウ
スのレベルで連続して外部磁場をかける。
【００３６】ＣｏＦｅＣｕめっきのために使用される、
上述したものと同じめっき溶液は、本発明によれば、磁
性膜と非磁性膜との交互の層から積層膜をつくるために
も使用することができる。磁性膜層は、本発明のＣｏＦ
ｅＣｕ合金の層よりなり、非磁性層は、純Ｃｕ又はＣｏ
の量が約５重量％未満であるＣｏＣｕ合金のものである
こととなる。これらのＣｏＦｅＣｕ−Ｃｕ又はＣｏＦｅ
Ｃｕ−ＣｏＣｕラミネートは、めっき電流を２つの値ｉ
ｈｉ及びｉＩＯの間でパルスさせることによってつくる
ことができる。これらの値は、それぞれ低Ｃｕ及び高Ｃ
ｕ層を表わす。
上述したものと同じめっき溶液は、本発明によれば、磁
性膜と非磁性膜との交互の層から積層膜をつくるために
も使用することができる。磁性膜層は、本発明のＣｏＦ
ｅＣｕ合金の層よりなり、非磁性層は、純Ｃｕ又はＣｏ
の量が約５重量％未満であるＣｏＣｕ合金のものである
こととなる。これらのＣｏＦｅＣｕ−Ｃｕ又はＣｏＦｅ
Ｃｕ−ＣｏＣｕラミネートは、めっき電流を２つの値ｉ
ｈｉ及びｉＩＯの間でパルスさせることによってつくる
ことができる。これらの値は、それぞれ低Ｃｕ及び高Ｃ
ｕ層を表わす。
【００３７】ｉhiの値で電流を流している間、本発明の
ＣｏＦｅＣｕ磁性合金が析出めっきされる。ｉhiの大き
さは、磁性合金の所望の組成、浴の組成及び用いられる
撹拌の強さによってきまる。
ＣｏＦｅＣｕ磁性合金が析出めっきされる。ｉhiの大き
さは、磁性合金の所望の組成、浴の組成及び用いられる
撹拌の強さによってきまる。
【００３８】即ち、固定した撹拌においてｉhiの値を上
げると、合金中Ｃｏ及びＦｅの濃度を増大させる方に働
らき、Ｃｏ、Ｆｅ及びＣｕイオンの濃度をそれぞれ増大
させると、合金中のそれぞれの元素の含量を増大させる
方に働らき、そして撹拌の強さを増大させると、合金中
Ｃｕの含量を増大させる方に働らく。
げると、合金中Ｃｏ及びＦｅの濃度を増大させる方に働
らき、Ｃｏ、Ｆｅ及びＣｕイオンの濃度をそれぞれ増大
させると、合金中のそれぞれの元素の含量を増大させる
方に働らき、そして撹拌の強さを増大させると、合金中
Ｃｕの含量を増大させる方に働らく。
【００３９】ｉloの値で電流を流している間、非磁性Ｃ
ｕ又はＣｏＣｕ層が析出めっきされる。ｉlo値の大きさ
は、好ましくはＣｕ2+の拡散限定２電子還元電流密度
（diffusion limited two-electron reduction cirrent
density）より低くあるべきであり、したがってＣｕ2+
濃度及び撹拌の関数である。典型的には、１ヘルツのパ
ドル振動数及び０.０００７モルのＣｕ2+濃度において
本発明の電解質浴から、０.５mA／cm2のめっき電流は純
粋に近いＣｕの電着層を生じ、そして０.７〜１.０mA／
cm2のめっき電流は低Ｃｕ含量の非磁性ＣｏＣｕ合金の
電着層を生じる（mA＝ミリアンペア）。
ｕ又はＣｏＣｕ層が析出めっきされる。ｉlo値の大きさ
は、好ましくはＣｕ2+の拡散限定２電子還元電流密度
（diffusion limited two-electron reduction cirrent
density）より低くあるべきであり、したがってＣｕ2+
濃度及び撹拌の関数である。典型的には、１ヘルツのパ
ドル振動数及び０.０００７モルのＣｕ2+濃度において
本発明の電解質浴から、０.５mA／cm2のめっき電流は純
粋に近いＣｕの電着層を生じ、そして０.７〜１.０mA／
cm2のめっき電流は低Ｃｕ含量の非磁性ＣｏＣｕ合金の
電着層を生じる（mA＝ミリアンペア）。
【００４０】各電流パルスの長さは、４〜５０mA／cm2
において磁性層の場合約２０〜４００秒であり、そして
０.５〜１.０mA／cm2及び１ヘルツのパドル振動数の非
磁性層の場合約１０〜８００秒である。
において磁性層の場合約２０〜４００秒であり、そして
０.５〜１.０mA／cm2及び１ヘルツのパドル振動数の非
磁性層の場合約１０〜８００秒である。
【００４１】ラミネート中得られる層の数は、施用され
るパルスの対の数によって定められるが、本発明の目的
には、各ラミネートの最も外側の層は共に磁性でなけれ
ばならないと理解される。各層の厚さは、用いられる電
流の大きさ、パルスの長さ及び層の沈積の間の電流効率
によって定められる。即ち、電流の大きさを増大させる
と、膜の厚さを増大させ、一方同時に膜のＣｕ含量を減
少させる方に働らき、又パルスの長さを増大させると、
膜のＣｕ含量を一定に保ちながら層の厚さを増大させる
方に働らく。
るパルスの対の数によって定められるが、本発明の目的
には、各ラミネートの最も外側の層は共に磁性でなけれ
ばならないと理解される。各層の厚さは、用いられる電
流の大きさ、パルスの長さ及び層の沈積の間の電流効率
によって定められる。即ち、電流の大きさを増大させる
と、膜の厚さを増大させ、一方同時に膜のＣｕ含量を減
少させる方に働らき、又パルスの長さを増大させると、
膜のＣｕ含量を一定に保ちながら層の厚さを増大させる
方に働らく。
【００４２】典型的には、上述しためっき浴から本発明
の磁性を得る場合カソードにおける電流効率は約７０％
である。非磁性層の沈積の場合の電流効率は約３０％〜
５０％であり、ｉlo値の増大と共に増大する。最上の結
果のためには、各非磁性層沈積パルスを持続時間約１〜
２秒及び大きさ約０.５mA／cm2のアノードパルスによっ
て進行させる。
の磁性を得る場合カソードにおける電流効率は約７０％
である。非磁性層の沈積の場合の電流効率は約３０％〜
５０％であり、ｉlo値の増大と共に増大する。最上の結
果のためには、各非磁性層沈積パルスを持続時間約１〜
２秒及び大きさ約０.５mA／cm2のアノードパルスによっ
て進行させる。
【００４３】この電着法が進行するに従って、浴の組成
をモニターし、枯渇したイオンを補充する。
をモニターし、枯渇したイオンを補充する。
【００４４】同じ電気めっき浴から磁性及び非磁性三元
合金層を交互にめっきする上述した新規な電流パルス法
は、他のラミネート、例えば５％Ｃｕ−９５％ＮｉＦｅ
（磁性）／９５％Ｃｕ−５％ＮｉＦｅ（非磁性）をめっ
きするのに使用することができる。例えば、Romankiw
ら、誘導記録ヘッド及び磁気遮蔽体のための単一めっき
からの電気めっき積層Ｃｕ−Ｎｉ−Ｆｅ膜、Extended A
bstracts of the Electrochemical Society ＡＢＳ＃３
００，８９巻，４３０頁（１９８９）参照（参照例とし
て提示する）。
合金層を交互にめっきする上述した新規な電流パルス法
は、他のラミネート、例えば５％Ｃｕ−９５％ＮｉＦｅ
（磁性）／９５％Ｃｕ−５％ＮｉＦｅ（非磁性）をめっ
きするのに使用することができる。例えば、Romankiw
ら、誘導記録ヘッド及び磁気遮蔽体のための単一めっき
からの電気めっき積層Ｃｕ−Ｎｉ−Ｆｅ膜、Extended A
bstracts of the Electrochemical Society ＡＢＳ＃３
００，８９巻，４３０頁（１９８９）参照（参照例とし
て提示する）。
【００４５】〔図面の説明〕 図１〜４において、本発明のめっきＣｏ86Ｆｅ11Ｃｕ3
磁性膜のＢ−Ｈループを同一の厚さ（＝２μｍ）のＮｉ
82Ｆｅ18膜の対応するＢ−Ｈループと比較する。Ｎｉ82
Ｆｅ18膜について、図１は磁化容易軸Ｂ−Ｈループを示
し、図２は磁化困難軸Ｂ−Ｈループを示す。Ｃｏ86Ｆｅ
11Ｃｕ3膜について、図３は磁化容易軸Ｂ−Ｈループを
示し、図４は磁化困難軸Ｂ−Ｈループを示す。上記のル
ープを誘導する際使用される駆動磁場（driving fiel
d）は、磁化容易軸ループ及び磁化困難軸ループについ
てそれぞれ４エルステッド及び２０エルステッドであっ
た。Ｃｏ86Ｆｅ11Ｃｕ3膜の飽和磁化は、Ｎｉ82Ｆｅ18
膜の飽和磁化の２倍であった。２μｍのＣｏ86Ｆｅ11Ｃ
ｕ3膜の飽和保磁力は０.６４エルステッドであり、これ
は２μｍのＮｉ82Ｆｅ18膜のもの（＝０.４６エルステ
ッド）と比較すると有利である。最後に、Ｃｏ86Ｆｅ11
Ｃｕ3膜の場合異方性磁界（Ｈk）は１４エルステッドで
あり、これはＮｉ82Ｆｅ18膜のＨk値(＝３エルステッ
ド)よりかなり高い。
磁性膜のＢ−Ｈループを同一の厚さ（＝２μｍ）のＮｉ
82Ｆｅ18膜の対応するＢ−Ｈループと比較する。Ｎｉ82
Ｆｅ18膜について、図１は磁化容易軸Ｂ−Ｈループを示
し、図２は磁化困難軸Ｂ−Ｈループを示す。Ｃｏ86Ｆｅ
11Ｃｕ3膜について、図３は磁化容易軸Ｂ−Ｈループを
示し、図４は磁化困難軸Ｂ−Ｈループを示す。上記のル
ープを誘導する際使用される駆動磁場（driving fiel
d）は、磁化容易軸ループ及び磁化困難軸ループについ
てそれぞれ４エルステッド及び２０エルステッドであっ
た。Ｃｏ86Ｆｅ11Ｃｕ3膜の飽和磁化は、Ｎｉ82Ｆｅ18
膜の飽和磁化の２倍であった。２μｍのＣｏ86Ｆｅ11Ｃ
ｕ3膜の飽和保磁力は０.６４エルステッドであり、これ
は２μｍのＮｉ82Ｆｅ18膜のもの（＝０.４６エルステ
ッド）と比較すると有利である。最後に、Ｃｏ86Ｆｅ11
Ｃｕ3膜の場合異方性磁界（Ｈk）は１４エルステッドで
あり、これはＮｉ82Ｆｅ18膜のＨk値(＝３エルステッ
ド)よりかなり高い。
【００４６】図５は、それぞれの元素の重量％で、本発
明のＣｏＦｅＣｕ合金の組成の全範囲を示すグラフであ
る。図５の網目型の区域（cross-hatched area）１は、
本発明の合金中鉄及び銅の実際の重量％を示す。図５の
合金中Ｃｏの重量％は、１００重量％までの差によって
得られる。グラフの網目型の区域１は、合金の磁気特性
が記録ヘッド及び遮蔽体において使用するのに最もよい
ＣｏＦｅＣｕ組成図中の地域を示す。この地域内の合金
が上述した浴から電気めっきされる。磁気特性は膜の組
成の関数として変動する。
明のＣｏＦｅＣｕ合金の組成の全範囲を示すグラフであ
る。図５の網目型の区域（cross-hatched area）１は、
本発明の合金中鉄及び銅の実際の重量％を示す。図５の
合金中Ｃｏの重量％は、１００重量％までの差によって
得られる。グラフの網目型の区域１は、合金の磁気特性
が記録ヘッド及び遮蔽体において使用するのに最もよい
ＣｏＦｅＣｕ組成図中の地域を示す。この地域内の合金
が上述した浴から電気めっきされる。磁気特性は膜の組
成の関数として変動する。
【００４７】これらのＣｏＦｅＣｕ膜について飽和保磁
力値は、示された地域内において約１.５エルステッド
以下である。それは、Ｃｏ86Ｆｅ11Ｃｕ3−Ｃｏ79Ｆｅ
12Ｃｕ9−Ｃｏ73Ｆｅ13Ｃｕ14及びその近傍の組成軸に
沿って最も低い。しかし、この地域外の組成を持つＣｏ
ＦｅＣｕ膜の場合は、飽和保磁力が１.５エルステッド
よりかなり大きくなる。例えば、Ｃｏ71Ｆｅ4Ｃｕ25膜
の飽和保磁力は２.６５エルステッドである。
力値は、示された地域内において約１.５エルステッド
以下である。それは、Ｃｏ86Ｆｅ11Ｃｕ3−Ｃｏ79Ｆｅ
12Ｃｕ9−Ｃｏ73Ｆｅ13Ｃｕ14及びその近傍の組成軸に
沿って最も低い。しかし、この地域外の組成を持つＣｏ
ＦｅＣｕ膜の場合は、飽和保磁力が１.５エルステッド
よりかなり大きくなる。例えば、Ｃｏ71Ｆｅ4Ｃｕ25膜
の飽和保磁力は２.６５エルステッドである。
【００４８】異方性磁界は、ＣｏＦｅＣｕ膜のＣｕ含量
と共に増大する。ＣｏＦｅＣｕ合金のＣｕ補強によって
本発明の合金中１１エルステッドより高い異方性磁界を
達成することができる。即ち、３〜６重量％のＣｕの範
囲の膜の場合は、異方性磁界が１３〜１４エルステッド
であり、約１４〜２０重量％のＣｕを持つ膜の場合は、
約１６〜２０エルステッドに増大する。
と共に増大する。ＣｏＦｅＣｕ合金のＣｕ補強によって
本発明の合金中１１エルステッドより高い異方性磁界を
達成することができる。即ち、３〜６重量％のＣｕの範
囲の膜の場合は、異方性磁界が１３〜１４エルステッド
であり、約１４〜２０重量％のＣｕを持つ膜の場合は、
約１６〜２０エルステッドに増大する。
【００４９】図２に示される地域の組成を持つＣｏＦｅ
Ｃｕ膜の飽和磁化は、Ｃｕ含量の増大と共に減少し、Ｆ
ｅ含量と共に増大する。即ち、この地域の左側の組成
（８重量％未満のＣｕ含量及び約６〜１５重量％のＦｅ
含量）を持つ合金の飽和磁化は約１８,０００〜２４,０
００ガウスであり、下の右の地域の組成（約１７〜２０
重量％のＣｕ含量及び約６〜８重量％のＦｅ含量）を持
つ合金は約１６,０００〜１８,０００ガウスの飽和磁化
を有し、又上の右の地域の組成（約１７〜２０重量％の
Ｃｕ含量及び約１１〜１５重量％のＦｅ含量）を持つ合
金は、約１８,０００〜２０,０００ガウスの飽和磁化を
有する。
Ｃｕ膜の飽和磁化は、Ｃｕ含量の増大と共に減少し、Ｆ
ｅ含量と共に増大する。即ち、この地域の左側の組成
（８重量％未満のＣｕ含量及び約６〜１５重量％のＦｅ
含量）を持つ合金の飽和磁化は約１８,０００〜２４,０
００ガウスであり、下の右の地域の組成（約１７〜２０
重量％のＣｕ含量及び約６〜８重量％のＦｅ含量）を持
つ合金は約１６,０００〜１８,０００ガウスの飽和磁化
を有し、又上の右の地域の組成（約１７〜２０重量％の
Ｃｕ含量及び約１１〜１５重量％のＦｅ含量）を持つ合
金は、約１８,０００〜２０,０００ガウスの飽和磁化を
有する。
【００５０】上述した低い飽和保磁力の組成軸に沿うＣ
ｏＦｅＣｕ膜の磁歪係数は、０にきわめて近い。それ
は、約９重量％未満のＦｅを持つ膜の場合負であり、Ｃ
ｕ含量の増大と共に減少する。約１１重量％を超えるＦ
ｅを持つ膜の場合磁歪係数は正であり、Ｃｕ含量の増大
と共に増大する。
ｏＦｅＣｕ膜の磁歪係数は、０にきわめて近い。それ
は、約９重量％未満のＦｅを持つ膜の場合負であり、Ｃ
ｕ含量の増大と共に減少する。約１１重量％を超えるＦ
ｅを持つ膜の場合磁歪係数は正であり、Ｃｕ含量の増大
と共に増大する。
【００５１】
【発明の効果】即ち、これらのデータに基づけば、本発
明の低Ｃｕ含量ＣｏＦｅＣｕ合金は、独特なセットの電
磁気特性を有し、これは本発明者が知るかぎり、記録ヘ
ッド、遮蔽体及び磁束ガイドにおいて有用である薄膜合
金中現在利用できる最良の特性のセットであることがわ
かる。これらの合金は、低い飽和保磁力、高い飽和磁
化、比較的高い異方性磁界及び０に近い磁歪係数の組合
せを提供する。
明の低Ｃｕ含量ＣｏＦｅＣｕ合金は、独特なセットの電
磁気特性を有し、これは本発明者が知るかぎり、記録ヘ
ッド、遮蔽体及び磁束ガイドにおいて有用である薄膜合
金中現在利用できる最良の特性のセットであることがわ
かる。これらの合金は、低い飽和保磁力、高い飽和磁
化、比較的高い異方性磁界及び０に近い磁歪係数の組合
せを提供する。
【００５２】上述したパルス電流変調法を使用して、本
発明のＣｏＦｅＣｕ合金とのＣｕのラミネートも製造さ
れた。この方法が上述したラミネートを生じる証拠は図
６に示される。図６は、本発明の方法によってつくられ
たＣｏ86Ｆｅ11Ｃｕ3−Ｃｕラミネートの断面の電子ミ
クロ組織検査図を示す。図６に示される積層膜は、５つ
の２５Åの厚さのＣｕ層３によって分離された６つの３
０００Åの厚さのＣｏ86Ｆｅ11Ｃｕ3層２よりなる。示
される断面は、膜の実際の断面に対して２０,０００倍
に拡大されている。
発明のＣｏＦｅＣｕ合金とのＣｕのラミネートも製造さ
れた。この方法が上述したラミネートを生じる証拠は図
６に示される。図６は、本発明の方法によってつくられ
たＣｏ86Ｆｅ11Ｃｕ3−Ｃｕラミネートの断面の電子ミ
クロ組織検査図を示す。図６に示される積層膜は、５つ
の２５Åの厚さのＣｕ層３によって分離された６つの３
０００Åの厚さのＣｏ86Ｆｅ11Ｃｕ3層２よりなる。示
される断面は、膜の実際の断面に対して２０,０００倍
に拡大されている。
【００５３】本発明は、その好ましい実施態様に関して
特に示され説明されたが、形態及び詳細の前記その他の
変化を本発明の精神及び範囲から逸脱することなしに行
ない得ることが当業者に理解されるべきであり、本発明
の範囲は、特許請求の範囲によってのみ限定されるべき
である。
特に示され説明されたが、形態及び詳細の前記その他の
変化を本発明の精神及び範囲から逸脱することなしに行
ない得ることが当業者に理解されるべきであり、本発明
の範囲は、特許請求の範囲によってのみ限定されるべき
である。
【図１】２μｍのＮｉ82Ｆｅ18膜の磁化容易軸における
Ｂ−Ｈループを示す。
Ｂ−Ｈループを示す。
【図２】２μｍのＮｉ82Ｆｅ18膜の磁化困難軸における
Ｂ−Ｈループを示す。
Ｂ−Ｈループを示す。
【図３】２μｍのＣｏ86Ｆｅ11Ｃｕ3膜の磁化容易軸に
おけるＢ−Ｈループを示す。
おけるＢ−Ｈループを示す。
【図４】２μｍのＣｏ86Ｆｅ11Ｃｕ3膜の磁化困難軸に
おけるＢ−Ｈループを示す。
おけるＢ−Ｈループを示す。
【図５】それぞれの元素の重量％で、本発明のＣｏＦｅ
Ｃｕ合金の組成の範囲を示すグラフ。
Ｃｕ合金の組成の範囲を示すグラフ。
【図６】本発明のラミネート膜の電子ミクロ組織検査
図。
図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジエイ−ウエイ・チヤン アメリカ合衆国ニユーヨーク州10707. タカホウ．ロレンスアベニユー54 (72)発明者 ウイルマ・ジーン・ホーカンス アメリカ合衆国ニユーヨーク州10562. オシニング．ウツズブルツクサークル９ −１ (72)発明者 ジユーデイス・ダイアン・オルセン アメリカ合衆国ニユーヨーク州13827. オウイーゴ．キングポイントサークルサ ウス10 (72)発明者 ボーヤン・ペテク アメリカ合衆国ニユーヨーク州10520. クロトン−オン−ハドソン．ホリスレイ ン28 (72)発明者 ルボミル・タラス・ロマンキウ アメリカ合衆国ニユーヨーク州10510. ブライアークリフマナー．ダンレイン７ (56)参考文献 特開 昭59−41810（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−17325（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−238106（ＪＰ，Ａ)
Claims (12)
- 【請求項１】 式ＣｏxＦｅyＣｕz(ここに、x,yおよびz
は合金中のＣｏ、ＦｅおよびＣｕの重量%をそれぞれ表
し、66≦x≦92、6≦y≦14、2≦z≦20、かつ、x+y+z=100
である)で表されるコバルト、鉄および銅の合金からな
る磁性薄膜。 - 【請求項２】 Ｃｏ，ＦｅおよびＣｕの合金が、11〜20
エルステッド(Oe)の異方性磁界を有する請求項１記載の
磁性薄膜。 - 【請求項３】 Ｃｏ，ＦｅおよびＣｕの合金が、1エル
ステッド(Oe)未満の保磁力値を有する請求項１記載の磁
性薄膜。 - 【請求項４】 Ｃｏ，ＦｅおよびＣｕの合金が、＋１０
-4〜−１０-4の磁歪値を有する請求項１記載の磁性薄
膜。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかに記載の磁性薄
膜を非磁性薄膜に積層してなるラミネート。 - 【請求項６】 請求項１〜４のいずれかに記載の磁性薄
膜を含む磁気記録ヘッド。 - 【請求項７】 磁性薄膜を含む磁気記録ヘッドであっ
て、磁性薄膜が図５に示すクロスハッチの領域の重量%
組成を有するコバルト、鉄および銅の合金からなる磁気
記録ヘッド。 - 【請求項８】 請求項５記載のラミネートを含む磁気記
録ヘッド。 - 【請求項９】 請求項１記載の磁性薄膜を含む磁気遮蔽
体。 - 【請求項１０】 磁性薄膜を含む磁気遮蔽体であって、
磁性薄膜が図５に示すクロスハッチの領域の重量%組成
を有するコバルト、鉄および銅の合金からなる磁気遮蔽
体。 - 【請求項１１】 請求項５記載のラミネートを含む磁気
遮蔽体。 - 【請求項１２】 少なくとも１つの磁性層と少なくとも
１つの非磁性層との交互の層の積層フィルムを電解析出
させる方法であって、３元合金からなる磁性層と３元合
金中の少なくとも１種の元素からなる非磁性層を、３元
合金の３種の元素のそれぞれを含有する電気めっき浴か
ら、浴のカソードに高めっき電流と低めっき電流とを交
互にパルスさせることにより交互にそれぞれを電気めっ
き析出させることを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US57180490A | 1990-08-23 | 1990-08-23 | |
| US571804 | 1990-08-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065423A JPH065423A (ja) | 1994-01-14 |
| JP2544845B2 true JP2544845B2 (ja) | 1996-10-16 |
Family
ID=24285131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3162301A Expired - Lifetime JP2544845B2 (ja) | 1990-08-23 | 1991-06-07 | 磁性薄膜、ラミネ―ト、磁気記録ヘッドおよび磁気遮蔽体ならびにラミネ―トの製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5582927A (ja) |
| EP (1) | EP0471946A3 (ja) |
| JP (1) | JP2544845B2 (ja) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07192919A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Sony Corp | 人工格子膜およびこれを用いた磁気抵抗効果素子 |
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| US7576296B2 (en) | 1995-03-14 | 2009-08-18 | Battelle Energy Alliance, Llc | Thermal synthesis apparatus |
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| US7245462B2 (en) * | 2003-08-21 | 2007-07-17 | Grandis, Inc. | Magnetoresistive element having reduced spin transfer induced noise |
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| US7413845B2 (en) * | 2004-04-23 | 2008-08-19 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Elimination of write head plating defects using high activation chemically amplified resist |
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| US7736753B2 (en) * | 2007-01-05 | 2010-06-15 | International Business Machines Corporation | Formation of nanostructures comprising compositionally modulated ferromagnetic layers by pulsed ECD |
| US8591821B2 (en) | 2009-04-23 | 2013-11-26 | Battelle Energy Alliance, Llc | Combustion flame-plasma hybrid reactor systems, and chemical reactant sources |
| US8449948B2 (en) * | 2009-09-10 | 2013-05-28 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for corrosion protection of layers in a structure of a magnetic recording transducer |
| US8982507B2 (en) | 2010-09-10 | 2015-03-17 | Seagate Technology Llc | Magnetic flux barrier |
| US8737022B2 (en) | 2012-07-13 | 2014-05-27 | Tdk Corporation | Multilayer film, magnetic head, magnetic head device, magnetic recording/reproducing apparatus and method for manufacturing multilayer film |
| DE102013011709A1 (de) * | 2013-07-15 | 2015-01-15 | Fachhochschule Kaiserslautern | Verfahren zur Herstellung magnetischer Funktionsschichten, magnetischer Schichtwerkstoff sowie Bauelement mit einem magnetischen Schichtwerkstoff |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US3408522A (en) * | 1963-03-04 | 1968-10-29 | Sylvania Electric Prod | Cup-shaped photoconductor tube |
| JPS4917325A (ja) * | 1972-06-10 | 1974-02-15 | ||
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1991
- 1991-06-07 JP JP3162301A patent/JP2544845B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1991-06-26 EP EP19910110559 patent/EP0471946A3/en not_active Ceased
-
1994
- 1994-12-05 US US08/349,475 patent/US5582927A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0471946A3 (en) | 1992-11-19 |
| US5582927A (en) | 1996-12-10 |
| JPH065423A (ja) | 1994-01-14 |
| EP0471946A2 (en) | 1992-02-26 |
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