JPS61136697A - 電気めつきニツケル−鉄−インジウム合金膜とその電気めつき浴 - Google Patents
電気めつきニツケル−鉄−インジウム合金膜とその電気めつき浴Info
- Publication number
- JPS61136697A JPS61136697A JP25760684A JP25760684A JPS61136697A JP S61136697 A JPS61136697 A JP S61136697A JP 25760684 A JP25760684 A JP 25760684A JP 25760684 A JP25760684 A JP 25760684A JP S61136697 A JPS61136697 A JP S61136697A
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- plated
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は新規な電気めっき膜及びそのめっき浴に係り、
特に磁性薄膜として好適な本質的にニッケルと鉄とイン
ジウムからなる耐熱性を有する磁性薄膜とそれを形成す
る電気めっき浴に関する。
特に磁性薄膜として好適な本質的にニッケルと鉄とイン
ジウムからなる耐熱性を有する磁性薄膜とそれを形成す
る電気めっき浴に関する。
薄膜磁気ヘッド用コア材料には、約８０：＄１ｊｌｔｓ
のニッケルと約２０重量−の鉄とからなるＮｉ −Ｆｅ
パーマロイ合金が、その磁歪定数がはｙ零付近にあるこ
と、また異方性磁界が低く保磁力が低いことから透磁率
が高いという利点によって、従来から使用されている。
のニッケルと約２０重量−の鉄とからなるＮｉ −Ｆｅ
パーマロイ合金が、その磁歪定数がはｙ零付近にあるこ
と、また異方性磁界が低く保磁力が低いことから透磁率
が高いという利点によって、従来から使用されている。
その薄膜の形成法としては真空蒸着法、スパッタリング
法およびめっき法等が挙げられ、それぞれ特徴を有して
いる。そのなかで、めっき法社比較的低温から高速で成
膜できること、装置が簡易で低価格であることから。
法およびめっき法等が挙げられ、それぞれ特徴を有して
いる。そのなかで、めっき法社比較的低温から高速で成
膜できること、装置が簡易で低価格であることから。
古くから研究されている。しかし、めっき法を薄膜磁気
ヘッド用コアに適用するには、めっき膜が該ヘッドの襄
造過程での温度履歴に耐えられないという一点がめった
。
ヘッド用コアに適用するには、めっき膜が該ヘッドの襄
造過程での温度履歴に耐えられないという一点がめった
。
一般に、めっき法では比較的低温で速やかに膜が形成さ
れるので、膜の結晶粒は極めて微細となり内部応力が大
きくなる。このことは、めっき膜では再結晶！！匿が低
く、割合低い温度で結晶粒の成長が起ることを意味し、
その成長に伴い内部応力がさらに増し磁気特性が劣化す
ること２つまり耐熱性が恐いという結果につながる。
れるので、膜の結晶粒は極めて微細となり内部応力が大
きくなる。このことは、めっき膜では再結晶！！匿が低
く、割合低い温度で結晶粒の成長が起ることを意味し、
その成長に伴い内部応力がさらに増し磁気特性が劣化す
ること２つまり耐熱性が恐いという結果につながる。
すなわち、めっきしたま＼のニッケル−鉄膜は、−軸異
方性を示すとともに保磁力、Ａ方性磁界が共に低いなど
の優れた磁気的性質を有するが、耐熱性に１点がある。
方性を示すとともに保磁力、Ａ方性磁界が共に低いなど
の優れた磁気的性質を有するが、耐熱性に１点がある。
例えば、３００Ｃ位に熱せられるとその磁気的性質に劣
化を示しはじめ、３５０Ｃでは一軸異方性？失うととも
に磁歪定数も正側に増大して、パーマロイとしての性能
を発揮しなくなる。そして、従来からめつき浴に加えら
れていたサッカリンナトリウム、ジスルホン酸ナトリウ
ムなどの応力緩和剤を用いたとしても、めっき後には１
０匂ｆ／−前後であった内部応力が。
化を示しはじめ、３５０Ｃでは一軸異方性？失うととも
に磁歪定数も正側に増大して、パーマロイとしての性能
を発揮しなくなる。そして、従来からめつき浴に加えら
れていたサッカリンナトリウム、ジスルホン酸ナトリウ
ムなどの応力緩和剤を用いたとしても、めっき後には１
０匂ｆ／−前後であった内部応力が。
３０００以上の加熱上′うけると５０〜７０匂ｆ／−に
まで増大し、それらの応力緩和効果は認められなかった
。
まで増大し、それらの応力緩和効果は認められなかった
。
従って、めっき法によって形成したニッケル−鉄合金膜
を、薄膜磁気ヘッド用コアとして適合させるためには、
４膜４ａ気ヘツドの製造工程において不可避的に遭遇す
る温度履歴に十分に耐えられるめっき浴を開発すること
が、緊要な課題でめった。
を、薄膜磁気ヘッド用コアとして適合させるためには、
４膜４ａ気ヘツドの製造工程において不可避的に遭遇す
る温度履歴に十分に耐えられるめっき浴を開発すること
が、緊要な課題でめった。
本発明の目的は、ニッケル−鉄パーマロイめっき膜なみ
の優れた磁気的性質を保有し、かつ良好な耐熱性を有す
る電気めっき合金膜とその電気めっき浴を提供するにあ
る。
の優れた磁気的性質を保有し、かつ良好な耐熱性を有す
る電気めっき合金膜とその電気めっき浴を提供するにあ
る。
本発明は、重量で鉄１８〜２２ｓ、インジクムム合金膜
にめる。
にめる。
更に、本発明の特徴は、ニッケルおよび鉄を主成分とす
る電気めっき浴組成において、ＮｉＣ１゜・６Ｈ鵞０（
Ｎｉ８０４・６Ｈ鵞０で置換してもよい）５０〜２００
ｇ／ ｔ、 Ｆｅ８０ｉ ・７Ｈｓ Ｏｌ〜４ｇ／Ｌ
及びＩｎＣ２５・４Ｈｓ ００．０８〜０．３ ｇ／ｌ
ｔ−含有する水溶液からなることを特徴とするニッケル
−鉄−インジウム合金の電気めっき浴にある。
る電気めっき浴組成において、ＮｉＣ１゜・６Ｈ鵞０（
Ｎｉ８０４・６Ｈ鵞０で置換してもよい）５０〜２００
ｇ／ ｔ、 Ｆｅ８０ｉ ・７Ｈｓ Ｏｌ〜４ｇ／Ｌ
及びＩｎＣ２５・４Ｈｓ ００．０８〜０．３ ｇ／ｌ
ｔ−含有する水溶液からなることを特徴とするニッケル
−鉄−インジウム合金の電気めっき浴にある。
特に、本発明の合金膜は磁歪係数が零付近になるように
合金組成がａｌｌ！される。
合金組成がａｌｌ！される。
前述のように１本発明においては、０．０８〜０．３ｇ
／ｌの塩化イ／ジウＡ （ＩｎＣｔｓ −４Ｈｚ Ｏ）
をめっき浴に含有させる。これによって、めっき膜の再
結晶温度を高め結晶粒の粗大化を抑制し、３０００以上
の温度履歴によって従来のパーマロイめっき膜にみられ
九磁気特性の劣化を防止することができる。塩化インジ
ウムの添加がパーマロイ膜の耐熱性を高める効果を示す
のは、めっき膜中に含まれるインジウムが基地のパーマ
ロイに固溶せずパーマロイの結晶粒界に電析されるため
に、めつき膜ｔ−３００１：’以上に加熱した際にもそ
のインジウムがパーマロイの結晶粒成長をおさえ、その
結果として膜の内部応力の増大も減殺することによる。
／ｌの塩化イ／ジウＡ （ＩｎＣｔｓ −４Ｈｚ Ｏ）
をめっき浴に含有させる。これによって、めっき膜の再
結晶温度を高め結晶粒の粗大化を抑制し、３０００以上
の温度履歴によって従来のパーマロイめっき膜にみられ
九磁気特性の劣化を防止することができる。塩化インジ
ウムの添加がパーマロイ膜の耐熱性を高める効果を示す
のは、めっき膜中に含まれるインジウムが基地のパーマ
ロイに固溶せずパーマロイの結晶粒界に電析されるため
に、めつき膜ｔ−３００１：’以上に加熱した際にもそ
のインジウムがパーマロイの結晶粒成長をおさえ、その
結果として膜の内部応力の増大も減殺することによる。
塩化インジウムの一度ｆ：ｏ、 ｏ ｓ〜ｏ、ａｇ／ｌ
の範囲に限定した理由は下記による。すなわち、塩化イ
ンジウムがこれより少量では耐熱性の改善に効果を認め
られず、また、この一度範囲より多量でめると耐熱性に
対してかえって悪影響を及ぼすためでるる。第１図に示
すように０．０８〜０．１５ｇ ／ Ｌの範囲は、その
めっき膜が本来のパーマロイと実質的に同等の磁気特性
を有し耐熱性にもすぐれており、とくに好ましい。
の範囲に限定した理由は下記による。すなわち、塩化イ
ンジウムがこれより少量では耐熱性の改善に効果を認め
られず、また、この一度範囲より多量でめると耐熱性に
対してかえって悪影響を及ぼすためでるる。第１図に示
すように０．０８〜０．１５ｇ ／ Ｌの範囲は、その
めっき膜が本来のパーマロイと実質的に同等の磁気特性
を有し耐熱性にもすぐれており、とくに好ましい。
本発明のめつき浴には、主成分であるニッケルおよび鉄
が公知の範囲で富有されるほか、通常用いられるｐＨ緩
衝剤、応力緩和剤や界面活性剤なども添加されてよい。
が公知の範囲で富有されるほか、通常用いられるｐＨ緩
衝剤、応力緩和剤や界面活性剤なども添加されてよい。
（１）基板の準備
めっきするべき基板として１通常のガラス板もしくはセ
ラミック板（寸法；直径３インチ、厚さ；０．５〜４ｓ
ｍ＋）ｔ−用いた。まず、基板をトリクレンの煮沸超音
波洗浄により十分洗浄したあとく、０．１μｍ程度の厚
さのパーマロイ膜をスパッタリング法るるいは真空蒸着
法により堆積し、めっき用の下地膜とした。
ラミック板（寸法；直径３インチ、厚さ；０．５〜４ｓ
ｍ＋）ｔ−用いた。まず、基板をトリクレンの煮沸超音
波洗浄により十分洗浄したあとく、０．１μｍ程度の厚
さのパーマロイ膜をスパッタリング法るるいは真空蒸着
法により堆積し、めっき用の下地膜とした。
（２）を気めっき浴の組成
ｐｉｉＣ１２・６Ｈ＊ ０ ： ５０〜２００ ｇ／
ｌＦｅ５Ｏａ ＊ ７Ｈ＊ Ｏ： １〜４ ｇ／ＬＩ
ｎｃｈｓ ・４ｋｈ Ｏ： ０．０８ ＝ ０．３
ｇ ／ １、適宜、 Ｎ１ｃｔ、・６Ｈ濡ＯＩ／ｉＮ
ｉ ８０４・６Ｈ２０と置換することは可能である。そ
の他、ｐＨ緩衝剤としての硼酸、応力緩和剤としてのサ
ッカリンナトリウム及び界面活性剤としてのラウリル硫
酸ナトリウムを適量加える。
ｌＦｅ５Ｏａ ＊ ７Ｈ＊ Ｏ： １〜４ ｇ／ＬＩ
ｎｃｈｓ ・４ｋｈ Ｏ： ０．０８ ＝ ０．３
ｇ ／ １、適宜、 Ｎ１ｃｔ、・６Ｈ濡ＯＩ／ｉＮ
ｉ ８０４・６Ｈ２０と置換することは可能である。そ
の他、ｐＨ緩衝剤としての硼酸、応力緩和剤としてのサ
ッカリンナトリウム及び界面活性剤としてのラウリル硫
酸ナトリウムを適量加える。
（３） 電気めっき条件と手順
浴温度 ：２０〜３５Ｃの範囲で選ぶ。
ｐＨ二１０±０．１
電流密度＝４〜４５ｍＡ１０＋！の範囲で選ぶ。
前記下地膜を施された基板をめつき槽中の治具にとりつ
け、陰極（該基板）と陽極（８ＯＮｉ−Ｆｅ合金）との
間にめっき電流を流すとともに、浴を循環させ攪拌する
。めっきの間中、一方向に５００ｅの直流磁界を印加す
る。
け、陰極（該基板）と陽極（８ＯＮｉ−Ｆｅ合金）との
間にめっき電流を流すとともに、浴を循環させ攪拌する
。めっきの間中、一方向に５００ｅの直流磁界を印加す
る。
めっき膜はそのま＼の状態、で磁気特性を評価し、次い
で真空中３５０Ｃで１時間磁界中焼鈍（印加磁界５００
ｅ）を施したのちに再び磁気特性を評価する。めっき漠
の耐熱性を、この焼鈍前後の特性を比較することによっ
て評価される。
で真空中３５０Ｃで１時間磁界中焼鈍（印加磁界５００
ｅ）を施したのちに再び磁気特性を評価する。めっき漠
の耐熱性を、この焼鈍前後の特性を比較することによっ
て評価される。
（比較例）
塩化インジウムを含まない下記の組成（単位ｇ／ｌ）か
らなるめっき浴を用いた。
らなるめっき浴を用いた。
Ｎ１Ｃｔ冨 ・ ６ Ｈｚ ０
６ ＆１Ｎｊ８０４・６ Ｈｚ ０ ２ ＆５
Ｆｅ８０４・７ Ｈｚ Ｏ１４ 硼酸 ２５ サッカリンナトリウム Ｌ５ラウリル硫酸
ナトリウム ００ｌｐＨｔ−１０に調整し、電
流密度１０ｍＡ／ｉ、浴温３０Ｃでめっきした。
６ ＆１Ｎｊ８０４・６ Ｈｚ ０ ２ ＆５
Ｆｅ８０４・７ Ｈｚ Ｏ１４ 硼酸 ２５ サッカリンナトリウム Ｌ５ラウリル硫酸
ナトリウム ００ｌｐＨｔ−１０に調整し、電
流密度１０ｍＡ／ｉ、浴温３０Ｃでめっきした。
得られためつきパーマロイｇ（厚さ１．５μｍ）は、−
軸異方性を示すとともに磁化困難軸方向の保磁力Ｈｃｔ
ｔは０． ｌ ９０ ｅ 、異方性磁界ＨｔＺ８０ｅ。
軸異方性を示すとともに磁化困難軸方向の保磁力Ｈｃｔ
ｔは０． ｌ ９０ ｅ 、異方性磁界ＨｔＺ８０ｅ。
磁歪定数λ−０，６Ｘ １０−’と極めて優れた磁気特
性を示した。しかし、この膜に３５０ｃで１時間磁界中
・焼鈍（印加磁界５００ｅ）ｆ：施すと、第２図に示す
ようにその磁化困難軸方向の保磁力Ｈｅｗ及び磁化容易
軸方向の保磁力Ｈｃｘが共に著しく大きくなり、−軸異
方性も失なわれた。すなわち。
性を示した。しかし、この膜に３５０ｃで１時間磁界中
・焼鈍（印加磁界５００ｅ）ｆ：施すと、第２図に示す
ようにその磁化困難軸方向の保磁力Ｈｅｗ及び磁化容易
軸方向の保磁力Ｈｃｘが共に著しく大きくなり、−軸異
方性も失なわれた。すなわち。
このめっき膜が前記熱処理によって磁気特性を著しく劣
化させられ、耐熱性に劣ることが認められた。
化させられ、耐熱性に劣ることが認められた。
（実施例１）
めっき浴組成にＩｎｃｔｓ ・４Ｈ２０ｅ０．０８ｇ／
を添■した点を除いては、比較例と全く同様にしてめっ
きを実施した。めっき膜厚は１．５μｍであった。めっ
き後の磁気４！性は、比較例に訃けるとその膜ｔ−３５
０Ｃ，１時間７７１１熱したのちの磁気特性は、第３図
に示すよつにＨｃｘｌｆｉ Ｏ，２Ｑｅ 、 Ｈｓ３．
２０ｅ、λ −０，ｌＸ１０−’と一軸異方性がくずれ
ることなく依然優れており、このめっき膜が良好な耐熱
性を有することを示している。なお、膜中のインジウム
含量Ｆ１１．０重量％でめった。
を添■した点を除いては、比較例と全く同様にしてめっ
きを実施した。めっき膜厚は１．５μｍであった。めっ
き後の磁気４！性は、比較例に訃けるとその膜ｔ−３５
０Ｃ，１時間７７１１熱したのちの磁気特性は、第３図
に示すよつにＨｃｘｌｆｉ Ｏ，２Ｑｅ 、 Ｈｓ３．
２０ｅ、λ −０，ｌＸ１０−’と一軸異方性がくずれ
ることなく依然優れており、このめっき膜が良好な耐熱
性を有することを示している。なお、膜中のインジウム
含量Ｆ１１．０重量％でめった。
（実施例２）
めっき浴中にＩｎｃｔｓ ・４ Ｈｓ Ｏ’ｋ Ｏ，１
５ｇ ／ Ｌ添加した点を除いては比較例と全く同様に
してめっきを施し九。めっき後の磁気特性＃′ｉ第２図
（ａ）に示したと同様に優れていた。Ｉ ｎ Ｃｔｓ・
４Ｈ３０を添加してもめつき条件及びめっき効率、磁気
特性に何等悪影響を及ぼさなかった。むしろ若干光沢性
が増すことがわかった。その膜ｆ：３５０１：’、 １
時間加熱して磁気特性を評価した。磁化困難軸方向の保
磁力Ｈｃ＊Ｆｉわずか増大するものの一軸異方性を示し
磁歪定数λは−Ｑ、ｌＸ１０−’であった。
５ｇ ／ Ｌ添加した点を除いては比較例と全く同様に
してめっきを施し九。めっき後の磁気特性＃′ｉ第２図
（ａ）に示したと同様に優れていた。Ｉ ｎ Ｃｔｓ・
４Ｈ３０を添加してもめつき条件及びめっき効率、磁気
特性に何等悪影響を及ぼさなかった。むしろ若干光沢性
が増すことがわかった。その膜ｆ：３５０１：’、 １
時間加熱して磁気特性を評価した。磁化困難軸方向の保
磁力Ｈｃ＊Ｆｉわずか増大するものの一軸異方性を示し
磁歪定数λは−Ｑ、ｌＸ１０−’であった。
（実施例３）
前記し九実施例で示したものと同様の基板をめつき槽中
の治具に取り付は下記に示す組成のめつき浴を循環・攪
拌した。
の治具に取り付は下記に示す組成のめつき浴を循環・攪
拌した。
Ｎ ｉ ＣＬ、・６Ｈ＊０ ：１００ｇ／１Ｆ６８
０４ ・７ Ｈｚ Ｏ： １５ｇ／１Ｉｎ（、ｔｓ ・
４ Ｎ２０ ： ０．１ ｇ／Ｌ硼酸 ：
２５ｇ／ｌ サッカリンナトリウム ：１．５ｇ／ｌラウリル硫酸
ナトリウム ： Ｏ，１５ｇ／１ｐＨｄ＆０に調整し、
めっき電流密度１４ｍＡ／ｃｄ、浴１３０Ｃに制御した
。、膜厚は１０μｍでろり九。
０４ ・７ Ｈｚ Ｏ： １５ｇ／１Ｉｎ（、ｔｓ ・
４ Ｎ２０ ： ０．１ ｇ／Ｌ硼酸 ：
２５ｇ／ｌ サッカリンナトリウム ：１．５ｇ／ｌラウリル硫酸
ナトリウム ： Ｏ，１５ｇ／１ｐＨｄ＆０に調整し、
めっき電流密度１４ｍＡ／ｃｄ、浴１３０Ｃに制御した
。、膜厚は１０μｍでろり九。
このめっき膜の磁気特性は、磁化困難軸方向の保磁力Ｈ
ａｍ Ｏ，１４Ｑｅ、異方性磁界ＨＥ ａｏｏｅ。
ａｍ Ｏ，１４Ｑｅ、異方性磁界ＨＥ ａｏｏｅ。
磁歪定数λ −０，６Ｘ１０−’でめった。その３５０
Ｃ焼鈍後の磁気特性は、Ｈｃｍ Ｏ，Ｉ Ｑｅ 、
Ｈｔ３．２０ｅｌ λ Ｑ、２ＸｌＯ−’であって、−
軸異方性を維持し優れていた。これらの結果から、この
膜の耐熱性の良好なことが確認され念。このめっき膜の
インジウム含量Ｆｉ！、ｓ重量−でめった。
Ｃ焼鈍後の磁気特性は、Ｈｃｍ Ｏ，Ｉ Ｑｅ 、
Ｈｔ３．２０ｅｌ λ Ｑ、２ＸｌＯ−’であって、−
軸異方性を維持し優れていた。これらの結果から、この
膜の耐熱性の良好なことが確認され念。このめっき膜の
インジウム含量Ｆｉ！、ｓ重量−でめった。
そのほかさらに浴組成、めっき条件を第１表に示すよう
に変えて実施し友。得られた膜の磁気特性および３５０
Ｃ，１時間魂鈍後の磁気特性を第２表に示す。
に変えて実施し友。得られた膜の磁気特性および３５０
Ｃ，１時間魂鈍後の磁気特性を第２表に示す。
前記の実施例から、浴成分としてＩｎＣｔｓ・４Ｈ，０
を含有させることによってめっき膜に良好な耐熱性を付
与することができ、ｏ、ｏａｇ／ｌの二うな少量ですで
に効果を示し、ｏ、ａｇ／ｌまでの範囲が適量で多るこ
とがわかる。
を含有させることによってめっき膜に良好な耐熱性を付
与することができ、ｏ、ｏａｇ／ｌの二うな少量ですで
に効果を示し、ｏ、ａｇ／ｌまでの範囲が適量で多るこ
とがわかる。
一方、めっき膜の内部応力はＩｎＣ１５・４Ｈ２０の添
加によってもほとんど変らず９〜１２４／ｊでＩｎＣｔ
ｓ・４Ｈ２０を含まない通常の応力緩和剤（サッカリン
ナトリウム）の場合とほとんど同様であるが、３５０Ｃ
，１時間の加熱により、［ｎＣｔｓ・４Ｈ２０を添加し
ないものは６５〜７０Ｋｑ／−と約６〜７倍に増大した
が、 ＩｎＣ１５・４Ｈ雪０ｔ−０，０８〜０．３ｇ
／ｌの範囲に添加したものは４０Ｋｇ／−と約４倍程度
の増大に収まっており、ＩｎＣ２５・４１（雪０の添加
が３５０Ｃ，１時間加熱した際にもめつき膜の内部応力
の増大を抑制していることが確認された。
加によってもほとんど変らず９〜１２４／ｊでＩｎＣｔ
ｓ・４Ｈ２０を含まない通常の応力緩和剤（サッカリン
ナトリウム）の場合とほとんど同様であるが、３５０Ｃ
，１時間の加熱により、［ｎＣｔｓ・４Ｈ２０を添加し
ないものは６５〜７０Ｋｑ／−と約６〜７倍に増大した
が、 ＩｎＣ１５・４Ｈ雪０ｔ−０，０８〜０．３ｇ
／ｌの範囲に添加したものは４０Ｋｇ／−と約４倍程度
の増大に収まっており、ＩｎＣ２５・４１（雪０の添加
が３５０Ｃ，１時間加熱した際にもめつき膜の内部応力
の増大を抑制していることが確認された。
これまではめつきパーマロイ膜の加熱による結晶粒成長
の抑制剤としてＩｎＣ１５・４Ｈ２０について説明した
が、インジウムのように基地のパーマロイく固溶せず、
しかもめつき可能な添加剤であれば塩化ビスマス、塩化
銀、娠酸銀、シアン化金。
の抑制剤としてＩｎＣ１５・４Ｈ２０について説明した
が、インジウムのように基地のパーマロイく固溶せず、
しかもめつき可能な添加剤であれば塩化ビスマス、塩化
銀、娠酸銀、シアン化金。
シアン化白金の１種又Ｆｉ２ｉａｙ、ｈｅ含んだ試薬を
使用し、インジウムと同様に０．５〜２重量％を含有さ
せることがいずれも有効である。これらの浴中への添加
量はこれらの化合物が浴中で沈澱しない量とし、特にｏ
、ｓｇ／を以下が好ましい。ニッケル量及び鉄量をさら
に高めためつき浴においても有効でめることを確認した
。
使用し、インジウムと同様に０．５〜２重量％を含有さ
せることがいずれも有効である。これらの浴中への添加
量はこれらの化合物が浴中で沈澱しない量とし、特にｏ
、ｓｇ／を以下が好ましい。ニッケル量及び鉄量をさら
に高めためつき浴においても有効でめることを確認した
。
以上の説明から明らかなように、本発明くよれば、パー
マロイに固溶せず、かつめっき可能な添加剤を添加する
ので、加熱による結晶粒の成長を抑制し、膜の内部応力
の増大を軽減することが可能になり、めっきパーマロイ
膜の適用範囲を温度履歴を有するプロセスの領域にまで
拡大できる。
マロイに固溶せず、かつめっき可能な添加剤を添加する
ので、加熱による結晶粒の成長を抑制し、膜の内部応力
の増大を軽減することが可能になり、めっきパーマロイ
膜の適用範囲を温度履歴を有するプロセスの領域にまで
拡大できる。
第１図はめつき浴中の塩化インジウム量とめつき膜の磁
気特性との関係を示す線図、第２図は従来のパーマロイ
めっき浴からのめつき膜のＢ−Ｈ曲線例としてａ）めつ
きのま＼、 ｂ）めっき後３５０Ｃ２１時間加熱後の
ものを示す図、第３図は本発明によるめっき膜の３５０
Ｃ，１時間加熱後のＢ−Ｈ曲線の一例を示す線図である
。 禾α化困ｙＵ一方５に鐸ツ簸カのり１ 一方・１主鳳がイｏｅ） １２食這社衰家度（丁
Ｊ第 ２ 口 Ｃαり
気特性との関係を示す線図、第２図は従来のパーマロイ
めっき浴からのめつき膜のＢ−Ｈ曲線例としてａ）めつ
きのま＼、 ｂ）めっき後３５０Ｃ２１時間加熱後の
ものを示す図、第３図は本発明によるめっき膜の３５０
Ｃ，１時間加熱後のＢ−Ｈ曲線の一例を示す線図である
。 禾α化困ｙＵ一方５に鐸ツ簸カのり１ 一方・１主鳳がイｏｅ） １２食這社衰家度（丁
Ｊ第 ２ 口 Ｃαり
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、重量で、鉄１８〜２２％、インジウム０．５〜２％
及び残部が実質的にニッケルからなることを特徴とする
電気めつきニッケル−鉄−インジウム合金膜。 ２、ニッケルと鉄を主成分とする電気めつきにおいて、
ＮｉＣｌ＿２・６Ｈ＿２Ｏ ５０〜２００ｇ／ｌ、Ｆｅ
ＳＯ＿４・７Ｈ２Ｏ １〜４ｇ／ｌ及びＩｎＣｌ＿３・
４Ｈ＿２Ｏ ０．０８〜０．３ｇ／ｌを含む水溶液から
なることを特徴とするニッケル−鉄−インジウム合金の
電気めつき浴。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25760684A JPS61136697A (ja) | 1984-12-07 | 1984-12-07 | 電気めつきニツケル−鉄−インジウム合金膜とその電気めつき浴 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25760684A JPS61136697A (ja) | 1984-12-07 | 1984-12-07 | 電気めつきニツケル−鉄−インジウム合金膜とその電気めつき浴 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61136697A true JPS61136697A (ja) | 1986-06-24 |
Family
ID=17308600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25760684A Pending JPS61136697A (ja) | 1984-12-07 | 1984-12-07 | 電気めつきニツケル−鉄−インジウム合金膜とその電気めつき浴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61136697A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8460533B2 (en) | 2006-12-15 | 2013-06-11 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Indium compositions |
| US8491773B2 (en) | 2008-04-22 | 2013-07-23 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Method of replenishing indium ions in indium electroplating compositions |
-
1984
- 1984-12-07 JP JP25760684A patent/JPS61136697A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8460533B2 (en) | 2006-12-15 | 2013-06-11 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Indium compositions |
| US9206519B2 (en) | 2006-12-15 | 2015-12-08 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Indium compositions |
| US8491773B2 (en) | 2008-04-22 | 2013-07-23 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Method of replenishing indium ions in indium electroplating compositions |
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