JPH0963016A

JPH0963016A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法、薄膜磁気ヘッド及び磁気記憶装置

Info

Publication number: JPH0963016A
Application number: JP21759095A
Authority: JP
Inventors: Masaaki Sano; 雅章佐野; Yoshiaki Kita; 芳明北; Shunichi Narumi; 俊一鳴海; Takashi Kawabe; ▲隆▼ 川辺; Moriaki Fuyama; 盛明府山; Shinji Narushige; 真治成重; Kenzo Masuda; 賢三益田
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1995-08-25
Filing date: 1995-08-25
Publication date: 1997-03-07

Abstract

(57)【要約】【目的】高周波領域での高記録密度化に適した高飽和
磁束密度で、高比抵抗を有する磁性薄膜材料を持った薄
膜磁気ヘッドを得る。【構成】薄膜磁気ヘッドの磁気コアの製造をフレーム
めっき方法により行い、そのめっき浴は、その組成とし
て、3.5g/l〜10g/l のNi++イオン、0.5g/l〜1.6g/lのFe
++イオンを含み、かつ、Ni++とFe++とのイオン比(Ni++/
Fe++) を6〜8となるように金属イオン濃度範囲が設定さ
れ、通常使用されている応力緩和剤及び界面活性剤を添
加した溶剤を含んでpＨが2.5〜3.5に設定されたNi-Fe合
金薄膜の電気めっき浴であり、このめっき浴を用いて、
電流密度を5mA/cm²〜30mA/cm² の範囲に設定する。ま
た、めっき浴中に、さらに、モリブデン酸ナトリウム、
タングステン酸ナトリウム、及び、塩化クロームの少な
くとも1つを単独あるいは混合して0.01g/l〜1.0g/lを含
むようにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドの製造
方法、薄膜磁気ヘッド及び磁気記憶装置に係り、特に、
高記録密度の記録を行うことができる記録・再生分離型
磁気ヘッドの記録用の薄膜磁気ヘッドの製造方法、それ
により製造された薄膜磁気ヘッド、及び、この薄膜磁気
ヘッドを使用した磁気記憶装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気ディスク装置の高記録密度化
に伴って、記録媒体の高保磁力化が進み、このような高
保磁力の記録媒体に対して十分な記録能力を有する薄膜
磁気ヘッドが要求されている。そのため、この種の磁気
ヘッドは、磁気ヘッドのコア材料として飽和磁束密度
（Ｂｓ）の高い材料を用いて構成することが必要であ
る。そして、これらの材料として、従来、膜厚が３μm
程度の80％Ｎi-Ｆe合金膜が用いられてきた。

【０００３】しかし、この80％Ｎi-Ｆe合金膜は、比抵
抗が16μΩcm〜20μΩcm と低いため、うず電流損失が
大きく、このために高周波領域における記録磁界強度が
低下し、この種の合金膜を用いた磁気ヘッドの記録周波
数は、高々30ＭHz程度が限度である。また、これに代わ
る材料として、Ｃo系非晶質材料、Ｆe-Ａl-Ｓi系センダ
ト合金薄膜等が提案されているが、前者は非晶質である
がゆえに熱的に不安定であり、また、後者は500℃ 程度
の高い温度による熱処理が必要である。このため、これ
らの材料は、磁気ディスク用の磁気コア材としては製造
プロセス的に難点があり、実用化に至っていない。

【０００４】また、最近、薄膜磁気ヘッド用の磁気コア
材料として、Ｃo-Ｎi-Ｆe による３元系材料が、例え
ば、特開昭６０−８２６３８号公報、特開昭６４−８６
０５号公報、特開平２−６８９０６号公報等に記載され
て提案されているが、これらの３元系材料は、飽和磁束
密度（Ｂｓ）が1.5Ｔ以上と高いものの、80％Ｎi-Ｆe合
金膜と同様に、比抵抗が12μΩcm〜18μΩcmと小さな値
のため高周波特性に難点があった。

【０００５】一方、磁気ディスク装置の記憶容量は、年
々確実に増大しており、現在製品化されている3.5 イン
チのディスクを使用する磁気ディスク装置の面記録密度
は、最大で350Mb／in²まで高められている。この場合の
ヘッドにおけるデータ記録周波数は27ＭHz程度であり、
従来の80％Ｎi-Ｆe合金膜あるいはＣo-Ｎi-Ｆe合金膜を
用いた磁気ヘッドの性能限界に近づきつつある。

【０００６】また、高周波用の磁性膜として、40〜55％
Ｎi-ＦeにＮb、Ｔa、Ｃr、Ｍo等を添加したスパッタリ
ング法により形成した磁性膜が、例えば、特開平３−６
８７４４号公報等に記載されて提案されている。しか
し、この磁性膜の材料は、結晶磁気異方性が大きいた
め、磁気特性的にスパッタリング法による厚膜を形成す
ることが困難なものである。

【０００７】さらに、結晶粒を微細化することができ、
結晶磁気異方性の影響を軽減できるめっき法が、例え
ば、特開平４−６３４１２号公報等に記載されて提案さ
れているが、この方法は、量産性を考慮した場合に必ず
しも満足できる磁性膜を形成することができるものでは
ない。

【０００８】前述したように、高周波領域で高記録密度
の記録を行うことが可能な磁気ヘッド用の磁性膜として
は、飽和磁束密度（Ｂｓ）が大きく、困難軸方向の保磁
力が小さく、かつ、比抵抗が大きい材料が要求される。
それらの要求に応えることのできる材料としては、Ｂoz
orth著；FERROMAGNETISM等により公知のバルク材が知ら
れている。

【０００９】そして、Ｎi-Ｆe２元合金で比抵抗が最も
大きくなる組成範囲は、前記Bozorthの著作によれば、
Ｎi:30wt％前後である。しかし、その付近の飽和磁束密
度は、急激に低下する領域であり不安定である。そし
て、比抵抗も高く、飽和磁束密度も高い組成領域は、N
i:40wt％〜60wt％の範囲である。また、この組成領域
は、結晶磁気異方性が最も大きい範囲であるために、薄
膜磁気ヘッド等に適用される通常2μm以上の厚膜の磁性
膜をスパッタリング法等で作製する場合、膜の結晶粒が
大きくなってしまう。このため、この方法で作製された
磁性膜は、保磁力が大きく、一軸異方性が付与されにく
い。また、磁歪定数が正の大きい値を持つことから、薄
膜磁気ヘッド用材料としては実用化されていない。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】前述したように、従来
技術による磁気ヘッド用の磁性膜は、高周波領域におけ
る記録磁界強度が低下し、これを使用した磁気ヘッドの
記録周波数を高くすることが困難であり、あるいは、磁
気コア材とするためにその製造プロセスに難点がある等
の問題点を有している。

【００１１】本発明の目的は、前記従来技術の問題点を
解決し、高周波領域での高記録密度化に適した高飽和磁
束密度で、かつ、高比抵抗を有する磁性薄膜材料を開発
し、高周波領域で高記録密度の記録を行うことが可能
な、すなわち、高速アクセス、高速転送に対応可能な薄
膜磁気ヘッドの製造方法、それにより製造された薄膜磁
気ヘッド、及び、この薄膜磁気ヘッドを使用した磁気記
憶装置を提供することにある。

【００１２】具体的に言えば、本発明の目的は、高速転
送、高記録密度を達成させるための磁気ディスク装置、
すなわち、磁気ディスク装置の記録・再生時に磁気ディ
スクが4000rpm 以上で回転し、記録ヘッドの記録周波数
が45ＭHz以上に設定されている磁気記憶装置に搭載して
その性能を発揮させることのできる薄膜磁気ヘッドの製
造方法、それにより製造された薄膜磁気ヘッド、及びこ
の薄膜磁気ヘッドを使用した磁気記憶装置を提供するこ
とにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明によれば前記目的
は、記録・再生分離型磁気ヘッドの記録用の薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法において、前記薄膜磁気ヘッドの磁気コ
アの製造をフレームめっき方法により行い、そのめっき
浴は、その組成として、3.5g/l〜10g/l のNi++イオン、
0.5g/l〜1.6g/lのFe++イオンを含み、かつ、Ni++とFe++
とのイオン比(Ni++/Fe++) を6〜8となるように金属イオ
ン濃度範囲が設定され、通常使用されている応力緩和剤
及び界面活性剤を添加した溶剤を含んでpＨが2.5〜3.5
に設定されたNi-Fe合金薄膜の電気めっき浴であり、こ
のめっき浴を用いて、電流密度を5mA/cm²〜30mA/cm² の
範囲に設定してめっき形成することにより達成される。

【００１４】また、前記目的は、めっき浴中に、さら
に、モリブデン酸ナトリウム、タングステン酸ナトリウ
ム、及び、塩化クロームの少なくとも1つを単独あるい
は混合して0.01g/l〜1.0g/lを含むようにすることによ
り達成される。

【００１５】さらに、前記目的は、前述により形成され
た薄膜磁気ヘッドを持つ記録・再生分離型磁気ヘッドを
磁気記憶装置に組み込んで磁気記憶装置を構成すること
により達成される。

【００１６】

【作用】本発明は、従来のめっき法により、40〜60％Ni
・Feによる２元系合金をベースに、磁性膜の飽和磁束密
度を下げない範囲で比抵抗を高めるために、モリブデン
(Mo)、クローム(Cr)、タングステン(W)の第３の元素を
添加し、種々のめっき条件を検討した結果、必要な記録
磁界を得る膜厚2μm〜5μmを確保した上で飽和磁束密度
(Ｂｓ):1.5Ｔ以上、保磁力(Ｈ_CH):1.0Ｏe 以下で、か
つ、比抵抗40μΩcm以上を有する優れた磁性薄膜の組成
範囲とその製造方法を見い出したものである。そして、
前述の製造方法により作製した材料を薄膜磁気ヘッドに
用いることにより、面記録密度:500Mb/in²以上、記録周
波数:45MHz以上、転送速度15MB/s以上の高性能磁気記憶
装置を提供することができる。

【００１７】一般に、Ni・Fe 2元系めっきは、異常析出
を生起させることが知られている。そして、80％Ni-Fe
付近の組成ではかなりの研究がなされ、データも多い
が、Fe-richの組成ではデータが少ない。そこで、本発
明者等は、めっき法において通常用いられるめっき浴の
添加剤としてのホウ酸、NaCl、サッカリンナトリウム、
ラウリル硫酸ナトリウム等を一定にしておき、めっきに
直接関与するFeイオン量を0.5g/l〜1.2g/lに、Niイオン
量を3.5g/l〜10g/lの範囲に変え、めっき電流密度を5mA
/cm²〜30mA/cm²、pＨを2.5〜3.0の範囲に変えて検討し
た。この結果、適切な磁気特性を有する40〜50％Ni-Fe
の磁性薄膜、及び、この組成にMo、Co、Wのいずれか１
つを添加した磁気コアに使用する磁性薄膜を形成するた
めの生産性に適した安定なめっき浴の適正イオン量、p
Ｈ値、電流密度を見い出し、さらに、磁気ヘッドとし
て適切な磁区構造を形成するための磁界中における熱処
理法を見い出すことができた。

【００１８】すなわち、本発明は、前述のめっき法にお
けるめっき浴のFeイオン源として、FeSO₄・7H₂Oを、Niイ
オン源としてNiCl₂・6H₂O及びNiSO₄・6H₂Oを用いる。そし
て、本発明で重要なことは、めっき浴のFeイオン量を0.
5g/l〜2.0g/lの範囲とすることである。

【００１９】この理由の１つは、めっき浴のFeイオン量
が少な過ぎると、形成された磁性薄膜が所望のFe含有量
とならず、また、磁性薄膜内のFe含有量を所望のFe含有
量とするためにはめっき電流密度を5mA/cm² 以下と小さ
くせざるを得ず、めっき効率が悪く実用的でない上、磁
気特性の変動も大きく実用的でないからである。また、
理由の他の１つは、めっき浴のFeイオン量が多過ぎる場
合に問題が生じるからである。

【００２０】すなわち、めっき浴のFeイオン量が多過ぎ
ると、磁性薄膜内のFe含有量が所望のFe含有量を越えて
しまうが、めっき浴内のNi量を調整することにより、磁
性薄膜内のFe含有量を所望のFe含有量にすることが可能
で、めっき膜に磁気特性的な問題が生じることはない。
しかし、めっき浴のFeイオン量が多くなると、めっき浴
中のFeイオンが不安定となり、めっきに寄与しない３価
のFeイオンが、めっき浴中に生成されて水和酸化物とな
って浴中に沈澱し、めっきに寄与する２価のFeイオン量
が変動して浴のpＨを変化させてしまう。

【００２１】図１はめっき浴のFeイオン濃度を変えた場
合のめっき浴のpＨの時間変化を説明する図であり、以
下、これについて説明する。

【００２２】図１において、曲線（Ａ）はめっき浴のFe
イオン量を2.3g/lとした場合、曲線（Ｂ）、（Ｃ）はFe
イオン量を少なくしためっき浴で、それぞれ、Feイオン
量を1.2g/l、0.4g/lとした場合の特性例である。図１か
ら判るように、Feイオン量が2.3g/l程度の（Ａ）の場
合、時間と共にめっき浴中に錆びが発生し、めっき浴の
pＨも変化するが、Feイオン量を少なくして適正な量と
した（Ｂ）、（Ｃ）の場合、めっき浴のpＨを安定に保
持することができ、赤錆びとなるFeの水和酸化物の発生
も防止することができる。

【００２３】工業的にNi-Fe めっきを行う場合、めっき
浴内に水和酸化物が発生すると、この水和酸化物がフィ
ルタを詰まらせ、また、めっき浴のイオン管理が煩雑と
なって好ましくない。従って、適正なFeイオン量は0.5g
/l〜1.6g/lの範囲に抑えることが重要である。そして、
所望の40〜50％Ni-Fe めっき膜を得るために、Niイオン
とFeイオンとの比(Niイオン量／Feイオン量)を6〜8の範
囲になるようにFeイオン量に合わせてNiイオン量を3.5g
/l〜10g/lの範囲で調整するのがよい。

【００２４】図２はめっき浴のpＨの値と、生成された
めっき膜の磁気特性〔Ni含有量(wt％)、磁歪定数λｓ、
比抵抗ρ〕を説明する図である。この図２から判るよう
に、pＨの値それ自体は、めっき膜の磁気特性にそれ程
大きな変化を与えることはないが、pＨの値は2.5〜3.0
が望ましい。この理由は、pＨの値が2.5より低くなると
めっき下地膜を腐食させるために良好なめっき膜を得る
ことができず、また、3.0 より高くなると２価のFeイオ
ンのめっき浴中への溶解度が減少し、やはり、めっきに
寄与しない３価のFeイオンに変化し、水和酸化物が沈澱
して好ましくないからである。

【００２５】図３はめっき時の電流密度と生成されため
っき膜の特性を説明する図であり、以下、これについて
説明する。

【００２６】めっき時の電流密度による膜の磁気特性
は、Feイオン量が0.4g/lと少な過ぎるめっき浴の場合、
めっき浴のFeイオン量によって電流密度依存性が大き
い。すなわち、Feイオン量が0.4g/lと少な過ぎるめっき
浴の場合、図１で説明したように、めっき浴のpＨの変
化という面ではその変化が小さく問題ない。しかし、こ
の場合、図３に示すように、電流密度の増加と共に生成
された膜のNi含有量が増加し比抵抗が低下するという、
めっき膜の磁気特性におよぼす電流密度依存性が大き
く、工業的には不利である。そして、Feイオン量を1.2g
/l、2.3g/lと増加した場合、図３から判るように、生成
されるめっき膜の磁気特性におよぼす電流密度依存性を
ほとんど生じさせないようにすることができる。

【００２７】また、図１、図３により説明しためっき浴
のpＨの時間変化と、電流密度による生成されためっき
膜の特性の変化とを勘案すると、めっき浴の適正なFeイ
オン量は、その下限が0.5g/l、上限が1.6g/lであること
が判った。Feイオン量がこの範囲であれば、図３に示す
ように、電流密度5mA/cm²〜30mA/cm² の範囲で、生成さ
れる膜の磁気特性を従来のFeイオン量が多い場合と同等
のものとするすることができる。

【００２８】電流密度を5mA/cm² より小さくすると、生
成される膜の保磁力が大きくなってしまい、また、所望
の膜厚2μm〜5μmを得るため、めっきに長時間を要する
ことにより実用的でない。また、電流密度を30mA/cm²よ
り大きくすると、生成される膜の組成が不安定になり、
特に、Niが50wt％を越え、膜の比抵抗を低下させてしま
う。

【００２９】前述までの説明は、フラットな基板上にフ
ラットな磁性膜をめっきする場合の例であるが、実際の
磁気ヘッドをめっき法で形成する場合、フレームめっき
法が採用され、直接磁気コア形状にめっきされる。この
ため、フラットなめっき膜と異なり、磁気コア形状に起
因する形状磁気異方性により膜の応力の方向に磁化が向
き易くなる。前述のめっき法で生成される40〜50％Ni-F
e 膜の真性応力は、引張応力であり、膜の磁歪定数(λ
s)が＋50×10~⁷ という正の大きな値を持つため、磁気
コアの先端部(トラック部)の磁区構造が、その磁化がト
ラックの長手方向に向きやすく高周波励磁に対しては好
ましくない。

【００３０】本発明者等は、前述の磁区構造の変化に対
処するために、めっき後所定の温度で所定の時間磁界中
で熱処理を施すことによって磁気コアの磁区構造を適正
化できることを見い出した。

【００３１】図４は磁気コアの磁区構造の一例と、熱処
理温度と膜の磁気特性（保磁力及び比抵抗）の変化とを
説明する図であり、以下、これについて説明する。

【００３２】生成された膜に対する磁界中で熱処理の結
果、熱処理温度が低く過ぎたり、処理時間が短か過ぎる
と磁区構造の適正化が不十分であり、また、熱処理温度
が高過ぎたり、処理時間が長過ぎると結晶粒の成長を来
たし一軸異方性が消滅し、保磁力が増大して好ましくな
いことが判った。この熱処理は、印加磁界2kOe、処理温
度180℃〜300℃、処理時間0.5h〜3hが適正であった。ま
た、10wt％以下のCoを添加すると、膜の異方性磁界(Hk)
が大きくなり、熱処理後の磁区構造をより適正化しやす
くなり、少量のCoの添加が望ましい。

【００３３】前述のようにして作製した磁気ヘッドは、
記録周波数45MHz 以上の高周波領域で使用することが可
能であり、この磁気ヘッドを磁気ディスク装置に搭載す
ることにより、優れた性能を有する磁気記憶装置の供給
が可能となった。

【００３４】図５はめっき浴中にモリブデン酸ナトリウ
ム、タングステン酸ナトリウムまたは塩化クロームを添
加してめっきしためっき膜の磁気特性及び比抵抗を示す
図である。

【００３５】前述しためっき法により生成される40〜50
％Ni-Fe 磁性膜の比抵抗をさらに高めるために、めっき
浴中にモリブデン酸ナトリウム、タングステン酸ナトリ
ウムまたは塩化クロームの少なくとも１つを単独あるい
は混合して0.01g/l〜1.0g/l添加してめっきを行った。

【００３６】この場合、Mo、W、Cr の添加により磁性膜
の比抵抗をほぼ直線的に増大させることができ、得られ
た磁性膜のMo:3wt％を含む組成で、ρは凡そ65μΩcmを
示し、そのとき、Bsは約1.45Ｔであった。W、Cr の添
加、あるいは、これらを混合して添加した場合にもほぼ
同様な結果を得ることができた。

【００３７】Mo、W、Cr の少なくとも１つを単独あるい
は混合して添加することにより、得られる磁性膜のρを
添加しない場合の約1.4 倍程度に大きくすることがで
き、この結果、透磁率の周波数特性(μ-f特性)を大きく
高周波側に延ばすことができたことが確認された。

【００３８】

【実施例】以下、本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方
法の実施例を説明する。

【００３９】表１は本発明の第１の実施例によるめっき
浴組成とめっき条件とを示す表である。

【００４０】

【表１】

【００４１】本発明の第１の実施例に使用するめっき浴
の金属イオン濃度は、表１に示すように、Fe++量が1.1g
/l、Ni++量が8.4g/l(イオン比:Ni++/Fe++:7.6)となるよ
うに調整された。また、他の添加物は表１に示す通りで
ある。めっき浴のpＨはHCl水溶液を用いて3.0に調整
し、浴の温度は管理しやすい30℃とした(25〜30℃まで
変えたが磁性膜の特性にそれ程大きな差はなかった)。
そして、15mA/cm² の電流密度に設定してめっきを行っ
て磁性膜を生成させた。

【００４２】これにより得られた磁性膜は、その組成が
44.9Ni-Fe(wt％) であり、困難軸方向の保磁力が0.6Ｏ
e、異方性磁界が8.4Ｏe、比抵抗が44μΩcmと優れた特
性を示した。また、飽和磁束密度は1.6Ｔと高く、磁歪
定数は＋46×10~⁷であった。

【００４３】表２は本発明の第２の実施例によるめっき
浴組成とめっき条件とを示す表である。

【００４４】

【表２】

【００４５】この本発明の第２の実施例は、本発明の第
１の実施例の場合と同一のめっき浴組成に、生成される
45Ni-Fe 磁性膜の磁気特性を損なわずに膜の比抵抗(ρ)
をさらに増大させる目的でモリブデン酸ナトリウムを0.
1g/lを添加したものである。

【００４６】これにより得られた磁性膜は、その組成が
43Ni-55Fe-2Mo(wt％) であり、困難軸方向の保磁力が0.
33Ｏe、異方性磁界が7.0Ｏe、比抵抗が60μΩcmであっ
た。また、飽和磁束密度は、Moを添加しない場合に得ら
れた膜に比べ低いが1.5Ｔを確保することができ、磁歪
定数は＋42×10~⁷と僅かに低減している。このように、
Moを添加することによりベースとなる45％Ni-Feの磁気
特性を損なうことなく、磁性膜の比抵抗を高めることが
できる。この傾向は、W、Crを添加した場合、あるい
は、Mo、W、Crを適宜混合して添加した場合にも殆ど変
わらなかった。

【００４７】図６は本発明の前述した第１、第２の実施
例により製造された磁気ヘッドの構成を示す斜視図及び
断面図である。図６において、10は磁気ヘッド、２０は
上部磁気コア、２１は下部磁気コア、２２は下部シール
ド、２３は磁気抵抗効果型素子、２４は電極、２５はコ
イル、２６はスライダ、２７はコイル端子、２８は絶縁
膜である。

【００４８】図６に示す磁気ヘッド１０は、記録・再生
分離型薄膜磁気ヘッドであり、スライダ２６上の下部シ
ールド２２上に電極２４に挾まれれて配置された磁気抵
抗効果型素子２３による再生用ヘッドと、このヘッドに
重ねられて配置される上部シールドを兼ねる下部磁気コ
ア２１と上部磁気コア２０とこれらのコアの間に挾まれ
て配置されるコイル２５とによる記録用ヘッドとにより
構成される。

【００４９】そして、記録用ヘッドを構成する磁気コア
２０と、２１とは、前述した本発明の第１または第２の
実施例のめっき浴を用いて、フレームめっきにより形成
され、形成後、印加磁界を2kOe として、処理温度を230
℃とした条件で、１時間の熱処理が施された。なお、磁
気コア２０、２１の磁区構造は、図４に示したものと同
等であった。

【００５０】このようにして製造された磁気ヘッドを磁
気ディスク装置に組み込んで、記録周波数80MHzで保磁
力:2.5kＯe の媒体に記録を行ってその記録性能を評価
した。この結果、前述した本発明の第１、第２のいずれ
の実施例を用いた場合にも、オーバーライト性能を−40
dBを確保することができ良好なものであった。また、こ
の記録・再生分離型薄膜磁気ヘッドを磁気ディスク装置
に搭載した結果、十分に高速転送に耐えることが確認で
きた。

【００５１】なお、前述により製造される磁気記録装置
の構成についての説明は省略するが、従来技術における
磁気ディスク装置の記録・再生分離型磁気ヘッドの記録
用の薄膜磁気ヘッドとして、本発明により製造した薄膜
磁気ヘッドを使用して構成すればよく、その他の構成を
同一として構成することができる。

【００５２】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、高
周波領域での高記録密度化に適した高飽和磁束密度で、
かつ、高比抵抗を有する磁性薄膜材料を、低コストなフ
レームめっき法により得ることができ、高保磁力の記録
媒体に対しても、高周波領域で高記録密度の記録を行う
ことが可能な、すなわち、高速アクセス、高速転送に対
応可能な薄膜磁気ヘッドを得ることができる。

【００５３】また、前述の薄膜磁気ヘッドを使用するこ
とにより、高速転送、高記録密度を達成することのでき
る磁気ディスク装置、すなわち、磁気ディスク装置の記
録・再生時に磁気ディスクが4000rpm 以上で回転し、記
録ヘッドの記録周波数が45ＭHz以上に設定可能な磁気記
憶装置を得ることができる。そして、この磁気記憶装置
は、メディア転送速度15MB/s以上を確保することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】めっき浴のFeイオン濃度を変えた場合のめっき
浴のpＨの時間変化を説明する図である。

【図２】めっき浴のpＨの値と、生成されためっき膜の
磁気特性を説明する図である。

【図３】めっき時の電流密度と生成されためっき膜の特
性を説明する図である。

【図４】磁気コアの磁区構造の一例と、熱処理温度と膜
の磁気特性（保持力及び比抵抗）の変化とを説明する図
である。

【図５】めっき浴中にモリブデン酸ナトリウム、タング
ステン酸ナトリウムまたは塩化クロームを添加してめっ
きしためっき膜の磁気特性及び比抵抗を示す図である。

【図６】本発明の第１、第２の実施例により製造された
磁気ヘッドの構成を示す斜視図及び断面図である。

【符号の説明】

１０磁気ヘッド２０上部磁気コア２１下部磁気コア２２下部シールド２３磁気抵抗効果型素子２４電極２５コイル２６スライダー２７コイル端子２８絶縁膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者川辺 ▲隆▼ 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者府山盛明東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者成重真治神奈川県小田原市国府津2880番地株式会社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者益田賢三神奈川県小田原市国府津2880番地株式会社日立製作所ストレージシステム事業部内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】記録・再生分離型磁気ヘッドの記録用の
薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記薄膜磁気ヘッ
ドの磁気コアの製造をフレームめっき方法により行い、
そのめっき浴は、その組成として、3.5g/l〜10g/l のNi
++イオン、0.5g/l〜1.6g/lのFe++イオンを含み、かつ、
Ni++とFe++とのイオン比(Ni++/Fe++)を6〜8となるよう
に金属イオン濃度範囲が設定され、通常使用されている
応力緩和剤及び界面活性剤を添加した溶剤を含んでpＨ
が2.5〜3.5に設定されたNi-Fe合金薄膜の電気めっき浴
であり、このめっき浴を用いて、電流密度を5mA/cm²〜3
0mA/cm² の範囲に設定してめっき形成することを特徴と
する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】記録・再生分離型磁気ヘッドの記録用の
薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記薄膜磁気ヘッ
ドの磁気コアの製造をフレームめっき方法により行い、
そのめっき浴は、その組成として、3.5g/l〜10g/l のNi
++イオン、0.5g/l〜1.6g/lのFe++イオンを含み、かつ、
Ni++とFe++とのイオン比(Ni++/Fe++)が6〜8となるよう
にされ、さらに、モリブデン酸ナトリウム、タングステ
ン酸ナトリウム、及び、塩化クロームの少なくとも1つ
を単独あるいは混合して0.01g/l〜1.0g/lを含むように
金属イオン濃度範囲が設定され、通常使用されている応
力緩和剤及び界面活性剤を添加した溶剤を含んでpＨが
2.5〜3.5に設定されたNi-Fe合金薄膜の電気めっき浴で
あり、このめっき浴を用いて、電流密度を5mA/cm²〜30m
A/cm² の範囲に設定してめっき形成することを特徴とす
る薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】前記めっき浴の温度を20℃〜35℃に保持
し、磁界中においてめっき形成することを特徴とする請
求項１または２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】前記めっき形成された磁気コアを有する
基板を、180℃以上300℃以下の温度範囲で0.5時間〜3時
間、磁界中において熱処理を施すことを特徴とする請求
項１、２または３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】記録・再生分離型磁気ヘッドの記録用の
薄膜磁気ヘッドにおいて、前記薄膜磁気ヘッドは、請求
項１ないし４のうち１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法
により製造され、前記薄膜磁気ヘットの磁気コアが、重
量比でNi:40wt％〜50wt％、Fe:50wt％〜60wt％を有する
２元合金薄膜をベースとして、それに、それぞれ単独に
モリブデンを3wt％以下、クロームを4wt％以下、タング
ステンを1.5wt％以下含有させた、あるいは、これらの
すくなくとも２つを総合で3wt％〜4wt％含有させた３
元、４元あるいは５元合金薄膜であって、その膜厚が1
μm〜5μmの薄膜からなることを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッド。
【請求項６】記録・再生分離型磁気ヘッドを備えて構
成される磁気記憶装置において、前記記録・再生分離型
磁気ヘッドの記録用の薄膜磁気ヘッドとして請求項５記
載の薄膜磁気ヘッドを使用して構成したことを特徴とす
る磁気記憶装置。