JP2923790B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はアルマイト磁性膜を利用した磁気記録媒体に
関する。更に詳細には、本発明は面内磁気特性が向上さ
れたアルマイト磁性膜利用磁気記録媒体に関する。
関する。更に詳細には、本発明は面内磁気特性が向上さ
れたアルマイト磁性膜利用磁気記録媒体に関する。
［従来の技術］ アルマイト微細孔中にFe,Co,Niなどの磁性金属をメッ
キ充填した磁性膜は、その大きな形状効果から垂直磁気
異方性を示すことが知られている。
キ充填した磁性膜は、その大きな形状効果から垂直磁気
異方性を示すことが知られている。
近年、これらの材料をハードディスクに適用し、高密
度垂直磁気記録媒体とする検討が進められている。しか
し、ハードディスクでは記録再生時に磁気ヘッドが0.3
μｍ程度媒体から浮上しており、垂直磁気記録では、こ
の浮上量により媒体の最下層まで記録が十分に行えない
ため、再生時に十分な出力が得られず、オーバーライト
特性も十分な特性が得られないという問題がある。一般
的に、垂直磁気記録では磁気ヘッドと媒体との距離（ス
ペーシング）を0.05μｍ以下に保たなければ本来の高密
度記録が実現できない。
度垂直磁気記録媒体とする検討が進められている。しか
し、ハードディスクでは記録再生時に磁気ヘッドが0.3
μｍ程度媒体から浮上しており、垂直磁気記録では、こ
の浮上量により媒体の最下層まで記録が十分に行えない
ため、再生時に十分な出力が得られず、オーバーライト
特性も十分な特性が得られないという問題がある。一般
的に、垂直磁気記録では磁気ヘッドと媒体との距離（ス
ペーシング）を0.05μｍ以下に保たなければ本来の高密
度記録が実現できない。
従って、垂直磁気記録では、ヘッドと媒体とが接触す
る接触型のシステム（例えば、磁気テープまたはフロッ
ピーディスクなどの可撓性媒体）が原則と考えられる。
しかし、アルマイト系垂直磁化膜では前記のような接触
型システムを形成することはできない。これは、磁性粒
子を取り囲んでいる非晶質アルマイトが硬く、しかも、
脆いために、アルマイト表面にヘッドを接触させること
ができないからである。
る接触型のシステム（例えば、磁気テープまたはフロッ
ピーディスクなどの可撓性媒体）が原則と考えられる。
しかし、アルマイト系垂直磁化膜では前記のような接触
型システムを形成することはできない。これは、磁性粒
子を取り囲んでいる非晶質アルマイトが硬く、しかも、
脆いために、アルマイト表面にヘッドを接触させること
ができないからである。
［発明が解決しようとする課題］ 従って、本発明の目的はアルマイト表面から磁気ヘッ
ドを浮上させたままでも優れたR/W特性を示すアルマイ
ト系磁気記録媒体を提供することである。
ドを浮上させたままでも優れたR/W特性を示すアルマイ
ト系磁気記録媒体を提供することである。
［課題を解決するための手段］ 前記目的を達成するために、本発明では、AlまたはAl
合金の表面を陽極酸化することにより生成された微細孔
（ポア）中に磁性体をメッキ充填した磁気記録媒体にお
いて、前記磁性体はCo単体またはCoを主体とする合金中
にＰ元素を含有することを特徴とする磁気記録媒体を提
供する。
合金の表面を陽極酸化することにより生成された微細孔
（ポア）中に磁性体をメッキ充填した磁気記録媒体にお
いて、前記磁性体はCo単体またはCoを主体とする合金中
にＰ元素を含有することを特徴とする磁気記録媒体を提
供する。
［作用］ 本発明の好ましい実施例によれば、アルマイト微細孔
中のCo単体またはCoを主体とする合金磁性体中にＰ元素
を含有させることで、膜面内に磁気異方性を有するアル
マイト磁性膜（面内方向の残留磁化が垂直方向に比べて
大きい磁性膜）となることが発見された。
中のCo単体またはCoを主体とする合金磁性体中にＰ元素
を含有させることで、膜面内に磁気異方性を有するアル
マイト磁性膜（面内方向の残留磁化が垂直方向に比べて
大きい磁性膜）となることが発見された。
Coを主体とする合金とは、Coの配合量が50％超の合金
のことであり、Co−Ni,Co−FeまたはCo−Ni−Feなどで
ある。
のことであり、Co−Ni,Co−FeまたはCo−Ni−Feなどで
ある。
磁性体中のＰの含有量は一般的に、10at％超33at％以
下の範囲内であることが好ましい。
下の範囲内であることが好ましい。
更に、アルマイトの有孔率（セル中に占めるポアの面
積の割合）を0.3〜0.7に増大させることで、Co−Ｐ粒子
の形状異方性を低下させ、面内磁気特性を一層向上させ
ることができる。
積の割合）を0.3〜0.7に増大させることで、Co−Ｐ粒子
の形状異方性を低下させ、面内磁気特性を一層向上させ
ることができる。
アルマイト中のCo粒子を断面TEM像で観察するとＰ添
加により粒子内に層状構造が出現しており、粒子が薄い
層の積み重ねにより構成されている。各層は基板面に対
して完全に平行ではないが、Ｐ添加によりCo粒子がその
長さ方向において薄片に切断され、粒子の形状異方性が
大きく低下したため、面内磁気異方性を生じたものと考
えられる。更に、Ｐ添加によりCoの磁化容易軸であるｃ
軸が膜面内方向に配向する確率が増大し、Coの結晶磁気
異方性も面内磁気異方性の出現に影響を及ぼしていると
考えられる。
加により粒子内に層状構造が出現しており、粒子が薄い
層の積み重ねにより構成されている。各層は基板面に対
して完全に平行ではないが、Ｐ添加によりCo粒子がその
長さ方向において薄片に切断され、粒子の形状異方性が
大きく低下したため、面内磁気異方性を生じたものと考
えられる。更に、Ｐ添加によりCoの磁化容易軸であるｃ
軸が膜面内方向に配向する確率が増大し、Coの結晶磁気
異方性も面内磁気異方性の出現に影響を及ぼしていると
考えられる。
CoまたはCo合金磁性体中のＰ元素の含有量は、33at％
以下であり、このＰ元素の含有量が33at％を超えると飽
和磁化が大幅に減少し、再生出力の低下を招くため好ま
しくない。なお、CoまたはCo合金磁性体中のＰ元素の含
有量の下限については、Co中に添加するＰ元素は少量で
あっても面内膜形成に効果があるので特に限定されない
が、一般的な指標としては、10at％超である。
以下であり、このＰ元素の含有量が33at％を超えると飽
和磁化が大幅に減少し、再生出力の低下を招くため好ま
しくない。なお、CoまたはCo合金磁性体中のＰ元素の含
有量の下限については、Co中に添加するＰ元素は少量で
あっても面内膜形成に効果があるので特に限定されない
が、一般的な指標としては、10at％超である。
一方、マクロな形状異方性を低下させ、面内磁気特性
を一層向上させるため、アルマイトの有効率を0.3〜0.7
とすることが好ましい。有効率を上げることはアルマイ
ト磁性膜の飽和磁化を高める効果も含んでおり、再生出
力の向上にも都合が良い。
を一層向上させるため、アルマイトの有効率を0.3〜0.7
とすることが好ましい。有効率を上げることはアルマイ
ト磁性膜の飽和磁化を高める効果も含んでおり、再生出
力の向上にも都合が良い。
Ｐ元素を含有することにより面内磁気異方性が発生す
る原因は明らかではないが、Ｐ含有により針状粒子が内
部で層状に分断されたこと、および／または、粒子内に
Ｐが周期的に局在し、Coのリン化物を生成することによ
り針状粒子の微視的な形状異方性が低下したことが関係
していると推測される。
る原因は明らかではないが、Ｐ含有により針状粒子が内
部で層状に分断されたこと、および／または、粒子内に
Ｐが周期的に局在し、Coのリン化物を生成することによ
り針状粒子の微視的な形状異方性が低下したことが関係
していると推測される。
前記のように、本発明のアルマイト磁性膜では面内磁
気記録が可能になり、磁気ヘッドの浮上量に対する再生
出力の減少が抑制され、また、十分なオーバーライト特
性が期待できる。
気記録が可能になり、磁気ヘッドの浮上量に対する再生
出力の減少が抑制され、また、十分なオーバーライト特
性が期待できる。
更に、各々の磁性粒子が酸化アルミニウムで囲まれ、
完全に分離されているため、耐食性および耐久性に優
れ、しかも、連続的薄膜型磁気記録媒体のように磁化遷
移領域でジグザグドメインが発生しにくく、その結果、
再生時のノイズが小さくなり高い再生出力が得られ、ノ
イズの低減が期待出来る。また、膜面内で特定の方向に
異方性を生じないため（膜面内での異方性磁界〜50O
e）、再生時のモジュレーションも無い。
完全に分離されているため、耐食性および耐久性に優
れ、しかも、連続的薄膜型磁気記録媒体のように磁化遷
移領域でジグザグドメインが発生しにくく、その結果、
再生時のノイズが小さくなり高い再生出力が得られ、ノ
イズの低減が期待出来る。また、膜面内で特定の方向に
異方性を生じないため（膜面内での異方性磁界〜50O
e）、再生時のモジュレーションも無い。
CoまたはCo合金中に添加するＰ元素の供給源として
は、Coメッキ浴に可溶性のリン化合物が用いられる。リ
ン化合物としてはリンの原子価が３価以下の、亜リン酸
塩および次亜リン酸塩、例えば、亜リン酸ナトリウム
（Na2HPO3）および次亜リン酸ナトリウム（NaPH2O2）な
どが好適に使用できる。亜リン酸塩および次亜リン酸塩
は単独でも、あるいは、二種類以上を組み合わせて併用
することもできる。原子価が３価よりも高いＰはFe中に
混入されない。従って、リン酸（H3PO4）はCoメッキ浴
中に添加してもアルマイト微細孔中のCoには取り込まれ
ない。この場合、Ｐの原子価は＋５価であり、Ｐの電子
配列はNeと同じである。従って、＋５価のＰは安定化
し、メッキの際、電子の授受を行わないことが関係して
いると考えられる。
は、Coメッキ浴に可溶性のリン化合物が用いられる。リ
ン化合物としてはリンの原子価が３価以下の、亜リン酸
塩および次亜リン酸塩、例えば、亜リン酸ナトリウム
（Na2HPO3）および次亜リン酸ナトリウム（NaPH2O2）な
どが好適に使用できる。亜リン酸塩および次亜リン酸塩
は単独でも、あるいは、二種類以上を組み合わせて併用
することもできる。原子価が３価よりも高いＰはFe中に
混入されない。従って、リン酸（H3PO4）はCoメッキ浴
中に添加してもアルマイト微細孔中のCoには取り込まれ
ない。この場合、Ｐの原子価は＋５価であり、Ｐの電子
配列はNeと同じである。従って、＋５価のＰは安定化
し、メッキの際、電子の授受を行わないことが関係して
いると考えられる。
CoまたはCo合金磁性体中のＰ元素の含有量は、メッキ
浴中に添加されるリン化合物の濃度の他、メッキ時間、
印加電圧、pH、浴温などのメッキ条件を変化させること
によりコントロールすることができる。
浴中に添加されるリン化合物の濃度の他、メッキ時間、
印加電圧、pH、浴温などのメッキ条件を変化させること
によりコントロールすることができる。
陽極酸化浴に硫酸を用いる方法が試みられている。硫
酸は、解離度が大きい酸であるため浴の抵抗が小さく、
陽極酸化時にかかる電圧は、〜20V程度であり、微細孔
径は、〜200オングストロームである。硫酸に対し、シ
ュウ酸およびリン酸は、解離度が小さく、陽極酸化時に
大きな電圧がかかる。従って、微細孔径〜500オングス
トロームのアルマイトが得られる。陽極酸化の後にリン
酸またはスルファミン酸等の浴で更に微細孔拡大を行う
こともできる。
酸は、解離度が大きい酸であるため浴の抵抗が小さく、
陽極酸化時にかかる電圧は、〜20V程度であり、微細孔
径は、〜200オングストロームである。硫酸に対し、シ
ュウ酸およびリン酸は、解離度が小さく、陽極酸化時に
大きな電圧がかかる。従って、微細孔径〜500オングス
トロームのアルマイトが得られる。陽極酸化の後にリン
酸またはスルファミン酸等の浴で更に微細孔拡大を行う
こともできる。
前記のように、Ｐ元素の添加により面内磁化膜を形成
させることもできるが、これに加えて他の方法を併用す
ることもできる。
させることもできるが、これに加えて他の方法を併用す
ることもできる。
例えば、アルマイト微細孔中にCr下地層を設け、この
上に本発明の磁性体を積層させると、CoまたはCo合金の
（100）面が基板に平行に成長し、軸化容易軸が基板面
内に配向し、一層良好な面内磁化膜となる。下地層はCr
に限らず、Coのｃ軸を膜面内方向に配向させることがで
きるものであれば何でもよい。
上に本発明の磁性体を積層させると、CoまたはCo合金の
（100）面が基板に平行に成長し、軸化容易軸が基板面
内に配向し、一層良好な面内磁化膜となる。下地層はCr
に限らず、Coのｃ軸を膜面内方向に配向させることがで
きるものであれば何でもよい。
下地層の厚さは特に限定されないが、一般的には0.02
μｍ〜１μｍの範囲内が好ましい。0.02μｍ以下では、
Crの（110）面が十分に成長せず、CoまたはCo合金を面
内配向させることが困難となる。一方、１μｍ超では、
CoまたはCo合金の面内配向に及ぼす効果が飽和し、厚く
するだけ不経済となる。
μｍ〜１μｍの範囲内が好ましい。0.02μｍ以下では、
Crの（110）面が十分に成長せず、CoまたはCo合金を面
内配向させることが困難となる。一方、１μｍ超では、
CoまたはCo合金の面内配向に及ぼす効果が飽和し、厚く
するだけ不経済となる。
アルマイト層中に形成される微細孔の深さは電界時間
を制御することにより調節できる。説明するまでもな
く、微細孔の深さはアルマイト層の厚さ以下である。軸
比が問題になる場合、微細孔の直径は前記の軸比の設計
値により決定される。
を制御することにより調節できる。説明するまでもな
く、微細孔の深さはアルマイト層の厚さ以下である。軸
比が問題になる場合、微細孔の直径は前記の軸比の設計
値により決定される。
アルマイト層はアルミニウム基板を陽極酸化すること
により基板上に直接形成させることもできるが、非磁性
基板上にアルミニウムまたはアルミニウム合金を物理蒸
着法により蒸着し、この蒸着層を陽極酸化することによ
っても形成させることができる。物理蒸着法としては、
真空蒸着法，イオンプレーティング法，スパッタリング
法，イオンビームデポジション法および化学的気相成長
法（CVD法）などがある。
により基板上に直接形成させることもできるが、非磁性
基板上にアルミニウムまたはアルミニウム合金を物理蒸
着法により蒸着し、この蒸着層を陽極酸化することによ
っても形成させることができる。物理蒸着法としては、
真空蒸着法，イオンプレーティング法，スパッタリング
法，イオンビームデポジション法および化学的気相成長
法（CVD法）などがある。
アルミニウムの陽極酸化法は公知である。一般的に、
アルミニウムの陽極酸化は直流（DC）で行っている。DC
では、電流密度を増大させると、耐電場強度が増大し、
腐食性が強くなり、その結果、開始点（ピット）が多く
なる。この電解初期に生じたピットが続けてエッチング
され微細なホール（孔）が形成される。
アルミニウムの陽極酸化は直流（DC）で行っている。DC
では、電流密度を増大させると、耐電場強度が増大し、
腐食性が強くなり、その結果、開始点（ピット）が多く
なる。この電解初期に生じたピットが続けてエッチング
され微細なホール（孔）が形成される。
本発明の磁気記録媒体に使用される非磁性基板として
は、アルミニウム基板の他に、ポリイミド，ポリエチレ
ンテレフタレート等の高分子フィルム，ガラス類，セラ
ミック，陽極酸化アルミ，黄銅などの金属板,Si単結晶
板，表面を熱酸化処理したSi単結晶板などがある。
は、アルミニウム基板の他に、ポリイミド，ポリエチレ
ンテレフタレート等の高分子フィルム，ガラス類，セラ
ミック，陽極酸化アルミ，黄銅などの金属板,Si単結晶
板，表面を熱酸化処理したSi単結晶板などがある。
また、本発明の磁気記録媒体としては、ポリエステル
フィルム、ポリイミドフィルムなどの合成樹脂フィルム
を基体とする磁気テープや磁気ディスク、合成樹脂フィ
ルム、アルミニウム板およびガラス板等からなる円盤や
ドラムを基体とする磁気ディスクや磁気ドラムなど、磁
気ヘッドと摺接する構造の種々の形態を包含する。
フィルム、ポリイミドフィルムなどの合成樹脂フィルム
を基体とする磁気テープや磁気ディスク、合成樹脂フィ
ルム、アルミニウム板およびガラス板等からなる円盤や
ドラムを基体とする磁気ディスクや磁気ドラムなど、磁
気ヘッドと摺接する構造の種々の形態を包含する。
［実施例］ 以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。
実施例１ 純度99.99％のAl板（厚さ65μm,20mm×20mm）をトリ
クロロエチレンで超音波洗浄し、5wt％NaOHで表面酸化
物層を除去後、6vol％HNO3で中和し、水洗した。次い
で、１モル／リットルのH2SO4浴中（20℃）で対極をカ
ーボンとし、1A/dm2の電流密度でAl板の陽極酸化を行
い、厚さ0.3μｍのアルマイト層を形成した。その後、1
wt％のH3PO4浴（30℃）で微細孔径の拡大を行い、ポア
径を270オングストロームとした。Co−Ｐメッキ浴とし
ては、CoSO4・7H2O:0.2モル／リットル、H3BO3:0.20モ
／リットル、グリセリン:2ml/リットル、NaPH2O2・H2O:
0.1モル／リットルからなるものを使用し、１モル／リ
ットルのH2SO4によりpHを4.0に調整した。メッキに使用
した電源はAC500Hz、16Vp−ｐの交流で、カーボンを対
極とし、20℃において３分間メッキした。
クロロエチレンで超音波洗浄し、5wt％NaOHで表面酸化
物層を除去後、6vol％HNO3で中和し、水洗した。次い
で、１モル／リットルのH2SO4浴中（20℃）で対極をカ
ーボンとし、1A/dm2の電流密度でAl板の陽極酸化を行
い、厚さ0.3μｍのアルマイト層を形成した。その後、1
wt％のH3PO4浴（30℃）で微細孔径の拡大を行い、ポア
径を270オングストロームとした。Co−Ｐメッキ浴とし
ては、CoSO4・7H2O:0.2モル／リットル、H3BO3:0.20モ
／リットル、グリセリン:2ml/リットル、NaPH2O2・H2O:
0.1モル／リットルからなるものを使用し、１モル／リ
ットルのH2SO4によりpHを4.0に調整した。メッキに使用
した電源はAC500Hz、16Vp−ｐの交流で、カーボンを対
極とし、20℃において３分間メッキした。
比較例１ 実施例１においてメッキ浴中にNaPH2O2・H2Oを添加し
なかったこと以外は実施例１と同じ方法でCoメッキ膜を
作製した。
なかったこと以外は実施例１と同じ方法でCoメッキ膜を
作製した。
実施例２ 実施例１と同じ方法により厚さ0.45μｍのアルマイト
層を生成させた後、30℃、1wt％のリン酸浴中でポア径
を370オングストロームに拡大した。この後、CoNi−Ｐ
メッキを以下の方法により行った。メッキ浴は、CoSO4
・7H2O:0.090モル／リットル、NiSO4・6H2O:0.038モル
／リットル、H3BO3:0.24モル／リットル、グリセリン:2
ml/リットル、NaPH2O2・H2O:0.051モル／リットルから
なるものを使用し、5wt％NaOHによりpHを6.5に調整し
た。メッキに使用した電源はAC500Hz、25Vp−ｐの交流
で、アルマイト側に−15V、対極（カーボン）に＋10Vと
なるようにDCバイアスを印加し、20℃において10秒間メ
ッキした。
層を生成させた後、30℃、1wt％のリン酸浴中でポア径
を370オングストロームに拡大した。この後、CoNi−Ｐ
メッキを以下の方法により行った。メッキ浴は、CoSO4
・7H2O:0.090モル／リットル、NiSO4・6H2O:0.038モル
／リットル、H3BO3:0.24モル／リットル、グリセリン:2
ml/リットル、NaPH2O2・H2O:0.051モル／リットルから
なるものを使用し、5wt％NaOHによりpHを6.5に調整し
た。メッキに使用した電源はAC500Hz、25Vp−ｐの交流
で、アルマイト側に−15V、対極（カーボン）に＋10Vと
なるようにDCバイアスを印加し、20℃において10秒間メ
ッキした。
比較例２ 実施例２においてメッキ浴組成が、CoSO4・7H2O:0.06
4モル／リットル、NiSO4・6H2O:0.064モル／リットル、
H3BO3:0.24モル／リットル、グリセリン:2ml/リットル
からなること以外は実施例２と同様の方法でCoNiメッキ
膜を作製した。
4モル／リットル、NiSO4・6H2O:0.064モル／リットル、
H3BO3:0.24モル／リットル、グリセリン:2ml/リットル
からなること以外は実施例２と同様の方法でCoNiメッキ
膜を作製した。
実施例３ 実施例１と同じ方法により厚さ0.3μｍのアルマイト
層を生成させた後、30℃、1wt％のリン酸浴中でポア径
を370オングストロームに拡大した。この後、CoFe−Ｐ
メッキを以下の方法により行った。メッキ浴は、CoSO4
・7H2O:0.090モル／リットル、FeSO4（NH4）2SO4・6H
2O:0.006モル／リットル、H3BO3:0.24モル／リットル、
グリセリン:2ml/リットル、NaPH2O2・H2O:0.51モル／リ
ットルからなるものを使用し、１モル／リットルのH2SO
4によりpHを4.0に調整した。メッキに使用した電源はAC
500Hz、25Vp−ｐの交流で、アルマイト側に−15V、対極
（カーボン）に＋10VとなるようにDCバイアスを印加
し、20℃において10秒間メッキした。
層を生成させた後、30℃、1wt％のリン酸浴中でポア径
を370オングストロームに拡大した。この後、CoFe−Ｐ
メッキを以下の方法により行った。メッキ浴は、CoSO4
・7H2O:0.090モル／リットル、FeSO4（NH4）2SO4・6H
2O:0.006モル／リットル、H3BO3:0.24モル／リットル、
グリセリン:2ml/リットル、NaPH2O2・H2O:0.51モル／リ
ットルからなるものを使用し、１モル／リットルのH2SO
4によりpHを4.0に調整した。メッキに使用した電源はAC
500Hz、25Vp−ｐの交流で、アルマイト側に−15V、対極
（カーボン）に＋10VとなるようにDCバイアスを印加
し、20℃において10秒間メッキした。
比較例３ 実施例３においてメッキ浴中にNaPH2O2・H2Oを添加し
なかったこと以外は実施例３と同じ方法でCoFeメッキ膜
を作製した。
なかったこと以外は実施例３と同じ方法でCoFeメッキ膜
を作製した。
実施例４ 実施例１と同じ方法により厚さ0.3μｍのアルマイト
層を生成させた後、30℃、1wt％のリン酸浴中でポア径
を370オングストロームに拡大した。この後、CoNiFe−
Ｐメッキを以下の方法により行った。メッキ浴は、CoSO
4・7H2O:0.085モル／リットル、NiSO4・6H2O:0.03モル
／リットル、FeSO4（NH4）2SO4・6H2O:0.007モル／リッ
トル、H3BO3:0.24モル／リットル、グリセリン:2ml/リ
ットル、NaPH2O2・H2O:0.051モル／リットルからなるも
のを使用し、１モル／リットルのH2SO4によりpHを4.0に
調整した。メッキに使用した電源はAC500Hz、25Vp−ｐ
の交流で、アルマイト側に−15V、対極（カーボン）に
＋10VとなるようにDCバイアスを印加し、20℃において1
0秒間メッキした。
層を生成させた後、30℃、1wt％のリン酸浴中でポア径
を370オングストロームに拡大した。この後、CoNiFe−
Ｐメッキを以下の方法により行った。メッキ浴は、CoSO
4・7H2O:0.085モル／リットル、NiSO4・6H2O:0.03モル
／リットル、FeSO4（NH4）2SO4・6H2O:0.007モル／リッ
トル、H3BO3:0.24モル／リットル、グリセリン:2ml/リ
ットル、NaPH2O2・H2O:0.051モル／リットルからなるも
のを使用し、１モル／リットルのH2SO4によりpHを4.0に
調整した。メッキに使用した電源はAC500Hz、25Vp−ｐ
の交流で、アルマイト側に−15V、対極（カーボン）に
＋10VとなるようにDCバイアスを印加し、20℃において1
0秒間メッキした。
比較例４ 実施例４においてメッキ浴中にNaPH2O2・H2Oを添加し
なかったこと以外は実施例４と同じ方法でCoNiFeメッキ
膜を作製した。
なかったこと以外は実施例４と同じ方法でCoNiFeメッキ
膜を作製した。
前記各実施例および比較例で得られたアルマイト磁性
膜の面内方向保磁力と角形比を試料振動型磁力計により
最大印加磁場10kOeで測定した。測定結果を下記の表１
に要約して示す。
膜の面内方向保磁力と角形比を試料振動型磁力計により
最大印加磁場10kOeで測定した。測定結果を下記の表１
に要約して示す。
表１に示された結果から明らかなように、メッキ充填
される磁性体中にＰを含有させることにより、磁性膜の
面内方向保磁力および角形比の何れも大幅に向上され
る。
される磁性体中にＰを含有させることにより、磁性膜の
面内方向保磁力および角形比の何れも大幅に向上され
る。
実施例５ 実施例２におけるメッキ浴組成が（CoSO4・7H2O）＋
（NiSO4・6H2O）＝0.128モル／リットルで一定とし、各
々の添加比を変えたこと以外は実施例２と同じ方法でCo
Ni−Ｐメッキを行った。
（NiSO4・6H2O）＝0.128モル／リットルで一定とし、各
々の添加比を変えたこと以外は実施例２と同じ方法でCo
Ni−Ｐメッキを行った。
比較例５ 比較例２におけるメッキ浴組成が（CoSO4・7H2O）＋
（NiSO4・6H2O）＝0.128モル／リットルで一定とし、各
々の添加比を変えたこと以外は比較例２と同じ方法でCo
Niメッキを行った。
（NiSO4・6H2O）＝0.128モル／リットルで一定とし、各
々の添加比を変えたこと以外は比較例２と同じ方法でCo
Niメッキを行った。
第１図（Ａ）および（Ｂ）に実施例５と比較例５で得
られたアルマイト磁性膜の面内方向の角形比および保磁
力と、膜中のNi/（Ni＋Co）の原子比の関係を示す。な
お、実施例５においてはＰの含有率、P/（Co＋Ni＋Ｐ）
は0.092〜0.135であり、比較例５ではＰは含有されてい
ない。第１図より明らかなように、Ｐの含有によりCo組
成の高い領域で面内方向の角形比と保磁力が増大してい
ることが分かる。Co組成の高い領域では飽和磁化が大き
く、再生出力に有利に作用すると考えられる。
られたアルマイト磁性膜の面内方向の角形比および保磁
力と、膜中のNi/（Ni＋Co）の原子比の関係を示す。な
お、実施例５においてはＰの含有率、P/（Co＋Ni＋Ｐ）
は0.092〜0.135であり、比較例５ではＰは含有されてい
ない。第１図より明らかなように、Ｐの含有によりCo組
成の高い領域で面内方向の角形比と保磁力が増大してい
ることが分かる。Co組成の高い領域では飽和磁化が大き
く、再生出力に有利に作用すると考えられる。
比較例６ 実施例１においてメッキ浴のpHを5wt％NaOHにより6.5
に調整したこと以外は実施例１と同じ方法でCo−Ｐメッ
キを行った。
に調整したこと以外は実施例１と同じ方法でCo−Ｐメッ
キを行った。
実施例１および比較例６で得られたCo−Ｐメッキ膜の
面内方向保磁力と角形比の測定結果を表２に示す。
面内方向保磁力と角形比の測定結果を表２に示す。
表２に示された結果から明らかなように、メッキ浴組
成が同一でも、pHが4.0から6.5に増大すると、Ｐ含有量
が減少し、面内磁気特性がやや劣化する。
成が同一でも、pHが4.0から6.5に増大すると、Ｐ含有量
が減少し、面内磁気特性がやや劣化する。
［発明の効果］ 以上説明した様に、Co系強磁性体中にＰを添加し、ア
ルマイト微細孔中にメッキ充填することにより、アルマ
イト−Coメッキ膜に強い面内磁気異方性を持たせること
が可能になり、磁気ヘッドの浮上量に対する再生出力の
減少が抑制され、また、十分なオーバーライト特性が期
待できる。
ルマイト微細孔中にメッキ充填することにより、アルマ
イト−Coメッキ膜に強い面内磁気異方性を持たせること
が可能になり、磁気ヘッドの浮上量に対する再生出力の
減少が抑制され、また、十分なオーバーライト特性が期
待できる。
第１図（Ａ）は実施例５および比較例５で得られたメッ
キ膜の、膜中のNi/（Ni＋Co）含有率と面内方向角形比
との関係を示す特性図であり、第１図（Ｂ）は実施例５
および比較例５で得られたメッキ膜の、膜中のNi/（Ni
＋Co）含有率と面内方向保磁力との関係を示す特性図で
ある。
キ膜の、膜中のNi/（Ni＋Co）含有率と面内方向角形比
との関係を示す特性図であり、第１図（Ｂ）は実施例５
および比較例５で得られたメッキ膜の、膜中のNi/（Ni
＋Co）含有率と面内方向保磁力との関係を示す特性図で
ある。
フロントページの続き (72)発明者 酒本 章人 大阪府茨木市丑寅１丁目１番88号 日立 マクセル株式会社内 (56)参考文献 特開 昭52−94104（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−13216（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−221826（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 5/64
Claims (3)
- 【請求項１】AlまたはAl合金の表面を陽極酸化すること
により生成された微細孔（ポア）中に磁性体をメッキ充
填した磁気記録媒体において、前記磁性体はCo単体また
はCoを主体とする合金中にＰ元素を含有することを特徴
とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】Ｐの含有量が10at％超33at％以下の範囲内
であることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】Coを主体とする合金はCo−Ni,Co−Feまた
はCo−Ni−Feであることを特徴とする請求項１または２
に記載の磁気記録媒体。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1-142599 | 1989-06-05 | ||
| JP14259989 | 1989-06-05 | ||
| JP31007089 | 1989-11-29 | ||
| JP1-310070 | 1989-11-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03219415A JPH03219415A (ja) | 1991-09-26 |
| JP2923790B2 true JP2923790B2 (ja) | 1999-07-26 |
Family
ID=26474549
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2046737A Expired - Fee Related JP2923790B2 (ja) | 1989-06-05 | 1990-02-27 | 磁気記録媒体 |
| JP2072768A Expired - Lifetime JP2923791B2 (ja) | 1989-06-05 | 1990-03-22 | 磁気記録媒体 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5679473A (en) * | 1993-04-01 | 1997-10-21 | Asahi Komag Co., Ltd. | Magnetic recording medium and method for its production |
| WO1996037885A1 (de) * | 1995-05-26 | 1996-11-28 | International Business Machines Corporation | Direkt kontaktierbare platte für vertikale magnetische datenspeicherung |
| US6174597B1 (en) * | 1996-07-26 | 2001-01-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording apparatus |
| JP2821456B1 (ja) * | 1997-07-03 | 1998-11-05 | 学校法人早稲田大学 | コバルト・鉄・ニッケル磁性薄膜とその製造方法，及びそれを用いた複合型薄膜磁気ヘッドと磁気記憶装置 |
| US5867239A (en) * | 1997-10-17 | 1999-02-02 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Wide angle optical retarder |
| RU2169398C1 (ru) | 2000-02-11 | 2001-06-20 | Общество с ограниченной ответственностью "ЛабИНТЕХ" (Лаборатория ионных нанотехнологий) | Способ изготовления магнитного носителя |
| US20020145826A1 (en) * | 2001-04-09 | 2002-10-10 | University Of Alabama | Method for the preparation of nanometer scale particle arrays and the particle arrays prepared thereby |
| US6808741B1 (en) * | 2001-10-26 | 2004-10-26 | Seagate Technology Llc | In-line, pass-by method for vapor lubrication |
| US6995121B1 (en) * | 2002-06-24 | 2006-02-07 | Seagate Technology Llc | Stability polymeric lubricants and thin film recording media comprising same |
| US6846542B1 (en) | 2002-09-30 | 2005-01-25 | Seagate Technology Llc | UV treatment for improving performance of lubricated thin film recording media and media obtained thereby |
| SG118264A1 (en) * | 2004-06-29 | 2006-01-27 | Sony Corp | A magnetic material and a MEMS device using the magnetic material |
| US20070147348A1 (en) * | 2005-12-23 | 2007-06-28 | Tingting Lu | Methods, systems, and computer program products for providing location information for VoIP emergency calling |
| US7719793B2 (en) | 2005-12-28 | 2010-05-18 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Circumferentially patterned disk for longitudinal and perpendicular recording |
| US7532505B1 (en) * | 2006-07-17 | 2009-05-12 | Grandis, Inc. | Method and system for using a pulsed field to assist spin transfer induced switching of magnetic memory elements |
| US7502249B1 (en) * | 2006-07-17 | 2009-03-10 | Grandis, Inc. | Method and system for using a pulsed field to assist spin transfer induced switching of magnetic memory elements |
| US8900655B2 (en) | 2006-10-04 | 2014-12-02 | Seagate Technology Llc | Method for fabricating patterned magnetic recording device |
| US7704614B2 (en) * | 2006-10-20 | 2010-04-27 | Seagate Technology Llc | Process for fabricating patterned magnetic recording media |
| WO2010002003A1 (ja) | 2008-07-03 | 2010-01-07 | 株式会社フジクラ | パルス光発生器及びパルスファイバレーザ |
| US8411497B2 (en) | 2010-05-05 | 2013-04-02 | Grandis, Inc. | Method and system for providing a magnetic field aligned spin transfer torque random access memory |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59221826A (ja) * | 1983-05-28 | 1984-12-13 | Toshiro Takahashi | 磁気記録媒体 |
| US4548682A (en) * | 1983-06-10 | 1985-10-22 | Nippon Light Metal Company Limited | Process of producing magnetic recording media |
| US4774130A (en) * | 1985-01-17 | 1988-09-27 | Hitachi Metals, Ltd. | Magnetic recording medium |
| JPS623423A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-01-09 | Pilot Precision Co Ltd | Ａｌ製磁気記録材料の基板 |
| JPS6262419A (ja) * | 1985-09-12 | 1987-03-19 | Pilot Precision Co Ltd | 磁気記録材料およびその製造方法 |
| JPS62125526A (ja) * | 1985-11-27 | 1987-06-06 | Nippon Gakki Seizo Kk | 磁気記録媒体 |
| US4738885A (en) * | 1986-02-24 | 1988-04-19 | Kyocera Corporation | Magnetic disk, substrate therefor and process for preparation thereof |
-
1990
- 1990-02-27 JP JP2046737A patent/JP2923790B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1990-03-22 JP JP2072768A patent/JP2923791B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1990-06-01 EP EP19900306015 patent/EP0402065A3/en not_active Withdrawn
- 1990-06-04 US US07/532,756 patent/US5480694A/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| EP0402065A3 (en) | 1991-10-02 |
| EP0402065A2 (en) | 1990-12-12 |
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| JP2923791B2 (ja) | 1999-07-26 |
| JPH03219415A (ja) | 1991-09-26 |
| US5480694A (en) | 1996-01-02 |
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