JPH0482012A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH0482012A JPH0482012A JP19583290A JP19583290A JPH0482012A JP H0482012 A JPH0482012 A JP H0482012A JP 19583290 A JP19583290 A JP 19583290A JP 19583290 A JP19583290 A JP 19583290A JP H0482012 A JPH0482012 A JP H0482012A
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- JP
- Japan
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- magnetic
- recording medium
- magnetic recording
- alloy
- alumite
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明はアルマイト磁性膜を利用した磁気記録媒体に関
する。更に詳細には、本発明は面内磁気特性が向上され
たアルマイト磁性膜利用磁気記録媒体に関する。
する。更に詳細には、本発明は面内磁気特性が向上され
たアルマイト磁性膜利用磁気記録媒体に関する。
［従来の技術］
アルマイト微細孔中にＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉなどの磁性金属
をメッキ充填した磁性膜は、その大きな形状効果から垂
直磁気異方性を示すことが知られている。
をメッキ充填した磁性膜は、その大きな形状効果から垂
直磁気異方性を示すことが知られている。
近年、これらの材料をリジッドディスクに適用し、高密
度垂直磁気記録媒体とする検討が進められている。しか
し、リジッドディスクでは記録再少時に磁気ヘッドが０
．２μｍ程度媒体から浮上しており、垂直磁気記録では
、この浮上量によりスペシーシング損失が大きくなり、
媒体の最下層まで記録が十分に行えないため、再生時に
十分な出力が得られず、オーバーライド特性も十分な特
性が得られないという問題がある。
度垂直磁気記録媒体とする検討が進められている。しか
し、リジッドディスクでは記録再少時に磁気ヘッドが０
．２μｍ程度媒体から浮上しており、垂直磁気記録では
、この浮上量によりスペシーシング損失が大きくなり、
媒体の最下層まで記録が十分に行えないため、再生時に
十分な出力が得られず、オーバーライド特性も十分な特
性が得られないという問題がある。
［発明が解決しようとする課題］
パイロット万年筆の河合らは陽極酸化アルマイト微細孔
にＣｏ−Ｎｉ合金をメッキ充填すると、Ｃｏ５Ｏ−Ｎｉ
５０付近の組成で、面内磁化膜が得られる事を報告して
いる（Ｊ 、Ｅ ｌｃｔｒｏｃｈｅｍ 、Ｓｏｃ 、
。
にＣｏ−Ｎｉ合金をメッキ充填すると、Ｃｏ５Ｏ−Ｎｉ
５０付近の組成で、面内磁化膜が得られる事を報告して
いる（Ｊ 、Ｅ ｌｃｔｒｏｃｈｅｍ 、Ｓｏｃ 、
。
ｖｏｌ 、２２．Ｎｏ、ｌ 、ｐｐ、３２（１９７５）
）。この面内磁気異方性は、結晶構造に起因していると
考えられ、上記の組成では、Ｎｉのｆｅｅ相とＣＯのｈ
ｃｌ）相が混在している。この媒体の断面構造を第３図
に示す。
）。この面内磁気異方性は、結晶構造に起因していると
考えられ、上記の組成では、Ｎｉのｆｅｅ相とＣＯのｈ
ｃｌ）相が混在している。この媒体の断面構造を第３図
に示す。
図示されているように、この種の媒体構造の特徴は、充
填された磁性粒子１がアルマイト３により隔離され、磁
性粒子相互の交換結合が生じないということである。こ
のことは、薄膜の磁化過程において磁壁が発生゛しにく
いことを示唆している。
填された磁性粒子１がアルマイト３により隔離され、磁
性粒子相互の交換結合が生じないということである。こ
のことは、薄膜の磁化過程において磁壁が発生゛しにく
いことを示唆している。
しかし、河合らの作製した面内磁化膜は、面内方向の保
磁力および角形比が垂直方向の保磁力や角形比とほぼ同
等の値を示し、面内磁化膜としての特性が不十分であっ
た。特に、再生出力が低（、実用レベルには至らない。
磁力および角形比が垂直方向の保磁力や角形比とほぼ同
等の値を示し、面内磁化膜としての特性が不十分であっ
た。特に、再生出力が低（、実用レベルには至らない。
従って、本発明の目的は優れた再生出力と面内磁化膜特
性を有する磁気記録媒体を提供することである。
性を有する磁気記録媒体を提供することである。
［課題を解決するための手段］
前記目的を達成するために、本発明では、ＡＪもしくは
ＡＪ！合金の表面を陽極酸化することにより生成された
微細孔（ポア）中に磁性体をメ、ツキ充填した磁気記録
媒体において、前記磁性体はＣｏ単体またはＣｏを主体
とする合金中にタングステン（Ｗ）元素を含有すること
を特徴とする磁気記録媒体を提供する。
ＡＪ！合金の表面を陽極酸化することにより生成された
微細孔（ポア）中に磁性体をメ、ツキ充填した磁気記録
媒体において、前記磁性体はＣｏ単体またはＣｏを主体
とする合金中にタングステン（Ｗ）元素を含有すること
を特徴とする磁気記録媒体を提供する。
磁性体中のＷの含有量は一般的に、０．０５ａｔ％〜５
０ａｔ％の範囲内であることが好ましい。
０ａｔ％の範囲内であることが好ましい。
Ｃｏを主体とする合金とは、ＣＯの配合量が５０％超の
合金のことであり、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−ＦｅまたはＣｏ
−Ｎｉ−Ｆｅなどである。
合金のことであり、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−ＦｅまたはＣｏ
−Ｎｉ−Ｆｅなどである。
［作用］
前記のように、本発明により、アルマイト微細孔中のＣ
ｏ単体またはＣｏを主体とする合金磁性体中にＷ元素を
含有させることで、膜面内に磁気異方性を有するアルマ
イト磁性膜（面内方向の残留磁化が垂直方向に比べて大
きい磁性膜）となることが発見された。
ｏ単体またはＣｏを主体とする合金磁性体中にＷ元素を
含有させることで、膜面内に磁気異方性を有するアルマ
イト磁性膜（面内方向の残留磁化が垂直方向に比べて大
きい磁性膜）となることが発見された。
従って、本発明のアルマイト磁性膜では面内磁気記録が
可能になり、磁気ヘッドの浮上量に対する再生出力の減
少が抑制され、また、十分なオーバーライド特性が期待
できる。
可能になり、磁気ヘッドの浮上量に対する再生出力の減
少が抑制され、また、十分なオーバーライド特性が期待
できる。
更に、各々の磁性粒子が酸化アルミニウムで囲まれ、完
全に分離されているため、連続薄膜型磁気記録媒体のよ
うに磁化遷移領域でジグザグドメインが発生しに＜＜、
その結果、再生時のノイズが小さくなり高い再生出力が
得られる。また、膜面内で特定の方向に異方性を生じな
いため、再生時のモジュレーションも無い。
全に分離されているため、連続薄膜型磁気記録媒体のよ
うに磁化遷移領域でジグザグドメインが発生しに＜＜、
その結果、再生時のノイズが小さくなり高い再生出力が
得られる。また、膜面内で特定の方向に異方性を生じな
いため、再生時のモジュレーションも無い。
Ｗ元素を含有することにより面内磁気異方性が発生する
原因は明らかではないが、ミクロな形状異方性、結晶異
方性、逆磁歪効果、表面異方性、方向性規則配列による
誘導磁気異方性等が複雑に絡み合い、面内磁気異方性を
生み出していると推測される。
原因は明らかではないが、ミクロな形状異方性、結晶異
方性、逆磁歪効果、表面異方性、方向性規則配列による
誘導磁気異方性等が複雑に絡み合い、面内磁気異方性を
生み出していると推測される。
ＣｏまたはＣｏ合金中に添加するＷ元素の供給源として
は、Ｃｏメッキ浴に可溶性のタングステン化合物が用い
られる。本発明で使用できるタングステン化合物は例え
ば、タングステン酸カリウム、タングステン酸ナトリウ
ム、メタタングステン酸塩（Ｍ２Ｏ・４ＷＯ３：但し、
Ｍ＝ＫまたはＮａ）またはパラタングステン酸塩（５Ｍ
２０・１２ＷＯ３：但し、Ｍ＝ＫまたはＮａ）などであ
る。
は、Ｃｏメッキ浴に可溶性のタングステン化合物が用い
られる。本発明で使用できるタングステン化合物は例え
ば、タングステン酸カリウム、タングステン酸ナトリウ
ム、メタタングステン酸塩（Ｍ２Ｏ・４ＷＯ３：但し、
Ｍ＝ＫまたはＮａ）またはパラタングステン酸塩（５Ｍ
２０・１２ＷＯ３：但し、Ｍ＝ＫまたはＮａ）などであ
る。
ＣｏまたはＣｏ合金磁性体中のＷ元素の含有量は、５０
ａ ｔ％以下が好ましく、このＷ元素の含有量が５０
ａｔ％超になると飽和磁化が大幅に減少し、再生出力の
低下を招くため好ましくない。なお、ＣＯまたはＣｏ合
金磁性体中のＷ元素の含有量のド限については、Ｃｏ中
に添加するＷ元素は少量であっても面内膜形成に効果が
あるので特に限定されないが、−殻内な指標としては、
０．０５ａｔ％以上であることが好ましい。
ａ ｔ％以下が好ましく、このＷ元素の含有量が５０
ａｔ％超になると飽和磁化が大幅に減少し、再生出力の
低下を招くため好ましくない。なお、ＣＯまたはＣｏ合
金磁性体中のＷ元素の含有量のド限については、Ｃｏ中
に添加するＷ元素は少量であっても面内膜形成に効果が
あるので特に限定されないが、−殻内な指標としては、
０．０５ａｔ％以上であることが好ましい。
ＣｏまたはＣＯ合金磁性体中のＷ元素の含有量は、メッ
キ洛中に添加されるタングステン化合物の濃度の他、メ
ッキ時間、印加電圧、ｐＨ，浴温などのメッキ条件を変
化させることによりコントロールすることができる。
キ洛中に添加されるタングステン化合物の濃度の他、メ
ッキ時間、印加電圧、ｐＨ，浴温などのメッキ条件を変
化させることによりコントロールすることができる。
一方、マクロ的な形状異方性を低下させ、面内磁気特性
を一層向上させることもできる。この場合、アルマイト
の有孔率を０．３〜０．８の範囲内にし、かつ、Ｃ０−
Ｗ粒子の軸比を０．５〜１０にすることが好ましい。有
孔率を上げることは、アルマイト磁性膜の飽和磁化を高
める効果も含んでおり、再生出力の向上にも都合がよい
。また、磁性層厚は０．０５μｍ〜０，５μｍの範囲内
が好ましい。０．５μｍを超えると十分な書込みが行え
ず、０．０５μｍ未満では磁性膜の磁化量が小さく、十
分な再生出力が得られない。
を一層向上させることもできる。この場合、アルマイト
の有孔率を０．３〜０．８の範囲内にし、かつ、Ｃ０−
Ｗ粒子の軸比を０．５〜１０にすることが好ましい。有
孔率を上げることは、アルマイト磁性膜の飽和磁化を高
める効果も含んでおり、再生出力の向上にも都合がよい
。また、磁性層厚は０．０５μｍ〜０，５μｍの範囲内
が好ましい。０．５μｍを超えると十分な書込みが行え
ず、０．０５μｍ未満では磁性膜の磁化量が小さく、十
分な再生出力が得られない。
前記のように、Ｗ元素の添加および軸比のコントロール
により面内磁化膜を形成させることもできるが、これに
加えて他の方法を併用することもできる。
により面内磁化膜を形成させることもできるが、これに
加えて他の方法を併用することもできる。
例えば、アルマイト微細孔中にＣｒ下地層を設け、この
上に本発明の磁性体を積層させると、ＣＯまたはＣＯ合
金の（１００）面が基板に平行に成長し、軸化容易軸が
基板面内に配向し、−層良好な面内磁化膜となる。下地
層はＣｒに限らず、ＣｏのＣ軸を膜面内方向に配向させ
ることができるものであれば何でもよい。
上に本発明の磁性体を積層させると、ＣＯまたはＣＯ合
金の（１００）面が基板に平行に成長し、軸化容易軸が
基板面内に配向し、−層良好な面内磁化膜となる。下地
層はＣｒに限らず、ＣｏのＣ軸を膜面内方向に配向させ
ることができるものであれば何でもよい。
ド地層の厚さは特に限定されないが、＝−殻内には０．
０２μｍ〜１μｍの範囲内が好ましい。０゜０２μｍ以
ドでは、Ｃｒの（１１０）面が十分に成長せず、Ｃｏま
たはＣｏ合金を面内配回させることが困難となる。一方
、１μｍ超では、ＣｏまたはＣＯ合金の面内配向に及ぼ
す効果が飽和し、厚くするだけ不経済となる。
０２μｍ〜１μｍの範囲内が好ましい。０゜０２μｍ以
ドでは、Ｃｒの（１１０）面が十分に成長せず、Ｃｏま
たはＣｏ合金を面内配回させることが困難となる。一方
、１μｍ超では、ＣｏまたはＣＯ合金の面内配向に及ぼ
す効果が飽和し、厚くするだけ不経済となる。
このように、本発明によるＷ元素の添加の他に、所望に
より、ド地層の存在による結晶磁気異方性と、軸比によ
る形状磁気異方性の両方の点から相乗的に磁性層を面内
膜化することができ、極めて優れた特性を有する面内磁
化膜が得られる。
より、ド地層の存在による結晶磁気異方性と、軸比によ
る形状磁気異方性の両方の点から相乗的に磁性層を面内
膜化することができ、極めて優れた特性を有する面内磁
化膜が得られる。
アルマイト層中に形成される微細孔の深さは電界時間を
制御することにより調節できる。説明するまでもなく、
微細孔の深さはアルマイト層の厚さ以下である。軸比が
問題になる場合、微細孔の直径は前記の軸比の設計値に
より決定される。
制御することにより調節できる。説明するまでもなく、
微細孔の深さはアルマイト層の厚さ以下である。軸比が
問題になる場合、微細孔の直径は前記の軸比の設計値に
より決定される。
アルマイト層はアルミニウム基板を陽極酸化することに
より基板上に直接形成させることもできるが、非磁性基
板上にアルミニウムまたはアルミニウム合金を物理蒸着
法により蒸着し、この蒸着層を陽極酸化することによっ
ても形成させることができる。物理蒸着法としては、真
空蒸着法、イオンブレーティング法、スパッタリング法
、イオンビームデポジション法および化学的気相成長法
（ＣＶＤ法）などがある。
より基板上に直接形成させることもできるが、非磁性基
板上にアルミニウムまたはアルミニウム合金を物理蒸着
法により蒸着し、この蒸着層を陽極酸化することによっ
ても形成させることができる。物理蒸着法としては、真
空蒸着法、イオンブレーティング法、スパッタリング法
、イオンビームデポジション法および化学的気相成長法
（ＣＶＤ法）などがある。
アルミニウムの陽極酸化法は公知である。−殻内に、ア
ルミニウムの陽極酸化は直流（ＤＣ）で行っている。Ｄ
Ｃでは、電流密度を増大させると、耐電場強度が増大し
、腐食性が強くなり、その結果、開始点（ピット）が多
くなる。この電解初期に生じたピットが続けてエツチン
グされ微細なホール（孔）が形成される。
ルミニウムの陽極酸化は直流（ＤＣ）で行っている。Ｄ
Ｃでは、電流密度を増大させると、耐電場強度が増大し
、腐食性が強くなり、その結果、開始点（ピット）が多
くなる。この電解初期に生じたピットが続けてエツチン
グされ微細なホール（孔）が形成される。
本発明の磁気記録媒体に使用される非磁性基板としては
、アルミニウム基板の他に、ポリイミド。
、アルミニウム基板の他に、ポリイミド。
ポリエチレンテレフタレート等の高分子フィルム。
ガラス類、セラミック、陽極酸化アルミ、黄銅などの金
属板、Ｓｉ単結晶板９表面を熱酸化処理したＳｉ単結晶
板などがある。
属板、Ｓｉ単結晶板９表面を熱酸化処理したＳｉ単結晶
板などがある。
また、本発明の磁気記録媒体としては、ポリエステルフ
ィルム、ポリイミドフィルムなどの合成樹脂フィルムを
基体とする磁気テープや磁気ディスク、合成樹脂フィル
ム、アルミニウム板およびガラス板等からなる円盤やド
ラムを基体とする磁気ディスクや磁気ドラムなど、磁気
ヘッドと摺接する構造の種々の形態を包含する。
ィルム、ポリイミドフィルムなどの合成樹脂フィルムを
基体とする磁気テープや磁気ディスク、合成樹脂フィル
ム、アルミニウム板およびガラス板等からなる円盤やド
ラムを基体とする磁気ディスクや磁気ドラムなど、磁気
ヘッドと摺接する構造の種々の形態を包含する。
［実施例コ
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。
天ＪＬＬＬ
純度９９．９９％のＡｊ板（厚さ６５μｍ、２０■１×
２０−■）をトリクロロエチレンで超音波洗浄し、５ｖ
ｔ％ＮａＯＨで表面酸化物層を除去後、（３ｖｏ１％Ｈ
ＮＯ３で中和し、水洗した。次いで、１モル／、Ｉ！の
Ｈ２ＳＯ４浴中（２０℃）で対極をカーボンとし、１７
．５Ｖの定電圧下でＡλ板の陽極酸化を行い、厚さ０．
４５μｍのアルマイト層を形成した。その後、１ｗｔ％
のＨ３ＰＯ４浴（３０℃）で微細孔径の拡大を行い、ポ
ア径を２７０人とした。Ｃｏ−Ｗメッキ浴としては、Ｃ
ｏＳＯ４・７Ｈ２０：０．２モル／λ、Ｈ３ＢＯ３：０
．２モル／λ、グリセリン：２ｍＪ／ｊ２、Ｋ２ＷＯ４
０，０２モル／ｉからなるものを使用し、１モル／Ｊｌ
のＨ２ＳＯ４によりｐＨを４．０に調整した。メッキに
使用した電源はＡＣ３００Ｈｚ。
２０−■）をトリクロロエチレンで超音波洗浄し、５ｖ
ｔ％ＮａＯＨで表面酸化物層を除去後、（３ｖｏ１％Ｈ
ＮＯ３で中和し、水洗した。次いで、１モル／、Ｉ！の
Ｈ２ＳＯ４浴中（２０℃）で対極をカーボンとし、１７
．５Ｖの定電圧下でＡλ板の陽極酸化を行い、厚さ０．
４５μｍのアルマイト層を形成した。その後、１ｗｔ％
のＨ３ＰＯ４浴（３０℃）で微細孔径の拡大を行い、ポ
ア径を２７０人とした。Ｃｏ−Ｗメッキ浴としては、Ｃ
ｏＳＯ４・７Ｈ２０：０．２モル／λ、Ｈ３ＢＯ３：０
．２モル／λ、グリセリン：２ｍＪ／ｊ２、Ｋ２ＷＯ４
０，０２モル／ｉからなるものを使用し、１モル／Ｊｌ
のＨ２ＳＯ４によりｐＨを４．０に調整した。メッキに
使用した電源はＡＣ３００Ｈｚ。
１６Ｖｐ−ｐの交流で、カーボンを対極とし、２０℃に
おいて６分間メッキを行った。
おいて６分間メッキを行った。
止校旌１
実施例１においてメッキ洛中にに２ ｗｏ、、を添加し
なかったこと以外は実施例１と同じ方法でＣｏメッキ膜
を作製した。
なかったこと以外は実施例１と同じ方法でＣｏメッキ膜
を作製した。
実１１舛ニー
実施例１と同し方法により厚さ０．４５μｍのアルマイ
ト層を生成させた後、３０℃、１ｗｔ％のリン酸洛中で
ポア径を３７０人に拡大した。この後ＮＣ０ＮＩ Ｗ
メッキを以下の方法により行った。メッキ浴は、ＣｏＳ
Ｏ４・７Ｈ２０：０．０９０モル／ Ｊ ｓ Ｎ ｉＳ
０４・Ｅ３Ｈ２０： ０．０３８モル／Ｊｌ、Ｈ３Ｂ
Ｏ３： ０．２４モル／Ｊ！、グリセリン：２ｍＪｉ／
Ｊ、Ｋ２ ＷＯ４： ０．００２モル／Ｊｌからなるも
のを使用し、１モル／Ｊ！のＨ２ＳＯ４によりｐＨを４
．０に調整した。メッキに使用した電源はＡＣ３００Ｈ
ｚ 、２５Ｖｐ−ｐの交流で、アルマイト側に一１５Ｖ
１対極（カーボン）に＋１０ＶとなるようにＤＣバイア
スを印加し、２０℃において１０秒間メッキを行った。
ト層を生成させた後、３０℃、１ｗｔ％のリン酸洛中で
ポア径を３７０人に拡大した。この後ＮＣ０ＮＩ Ｗ
メッキを以下の方法により行った。メッキ浴は、ＣｏＳ
Ｏ４・７Ｈ２０：０．０９０モル／ Ｊ ｓ Ｎ ｉＳ
０４・Ｅ３Ｈ２０： ０．０３８モル／Ｊｌ、Ｈ３Ｂ
Ｏ３： ０．２４モル／Ｊ！、グリセリン：２ｍＪｉ／
Ｊ、Ｋ２ ＷＯ４： ０．００２モル／Ｊｌからなるも
のを使用し、１モル／Ｊ！のＨ２ＳＯ４によりｐＨを４
．０に調整した。メッキに使用した電源はＡＣ３００Ｈ
ｚ 、２５Ｖｐ−ｐの交流で、アルマイト側に一１５Ｖ
１対極（カーボン）に＋１０ＶとなるようにＤＣバイア
スを印加し、２０℃において１０秒間メッキを行った。
Ｌ悦肚Ｚ
実施例２においてメッキ浴組成が、Ｃｏ Ｓ ０４・７
Ｈ２０： ０．０６４モル／ｊ２、ＮｉＳＯ４・６Ｈ２
０： ０．０６４モル／λ、Ｈ３ＢＯ３： ０゜２４モ
ル／λであること以外は実施例２と同様の方法でＣｏＮ
ｉメッキ膜を作製した。
Ｈ２０： ０．０６４モル／ｊ２、ＮｉＳＯ４・６Ｈ２
０： ０．０６４モル／λ、Ｈ３ＢＯ３： ０゜２４モ
ル／λであること以外は実施例２と同様の方法でＣｏＮ
ｉメッキ膜を作製した。
人ｆｉｌ外３ユ
実施例１と同じ方法により厚さ０．４５μｍのアルマイ
ト層を生成させた後、３０℃、１ｗｔ％のリン酸浴中で
ポア径を３７０人に拡大した。この後、ＣｏＦｅ−Ｗメ
ッキを以下の方法により行った。メッキ浴は、ＣＯ３Ｏ
４＠ ７Ｈ２０： ０．１２２モル／ＪＩ、Ｆｅ３Ｏ４
（ＮＨ４）２８０４ ”６Ｈ２０： ０．００６モル／
λ、Ｈ３ＢＯ３： ０゜２４モル／Ｊ、グリセリフ：２
ｍＪ！／Ｊ！、Ｋ２ＷＯ４：０．００５モル／ｉからな
るものを使用し、ｐＨを４．０に調整した。メッキに使
用した電源はＡＣ３００Ｈｚ １２５Ｖｐ−ｐの交流で
、７／Ｌ／フイト側に一１５Ｖ１対極（カーボン）に＋
ＩＯＶとなるようにＤＣバイアスを印加し、２０℃にお
いて１０秒間メッキを行った。
ト層を生成させた後、３０℃、１ｗｔ％のリン酸浴中で
ポア径を３７０人に拡大した。この後、ＣｏＦｅ−Ｗメ
ッキを以下の方法により行った。メッキ浴は、ＣＯ３Ｏ
４＠ ７Ｈ２０： ０．１２２モル／ＪＩ、Ｆｅ３Ｏ４
（ＮＨ４）２８０４ ”６Ｈ２０： ０．００６モル／
λ、Ｈ３ＢＯ３： ０゜２４モル／Ｊ、グリセリフ：２
ｍＪ！／Ｊ！、Ｋ２ＷＯ４：０．００５モル／ｉからな
るものを使用し、ｐＨを４．０に調整した。メッキに使
用した電源はＡＣ３００Ｈｚ １２５Ｖｐ−ｐの交流で
、７／Ｌ／フイト側に一１５Ｖ１対極（カーボン）に＋
ＩＯＶとなるようにＤＣバイアスを印加し、２０℃にお
いて１０秒間メッキを行った。
Ｌ佼１１
実施例３においてメッキ浴中にに２ ＷＯ４を添加しな
かったこと以外は実施例３と同じ方法でＣｏＦｅメッキ
膜を作製した。
かったこと以外は実施例３と同じ方法でＣｏＦｅメッキ
膜を作製した。
実１１例］。
実施例１と同じ方法により厚さ０．４５μｍのアルマイ
ト層を生成させた後、３０℃、１ｗｔ％のリン酸洛中で
ポア径を３７０人に拡大した。この後、ＣｏＮｉＦｅ−
ｗメッキを以下の方法により行った。メッキ浴は、Ｃｏ
Ｓ ０４・７Ｈ２０：０゜０８５モル／ Ｊ ｓ Ｎ
ｉＳ Ｏ４・８Ｈ２０：０．０３６モル／λ、Ｆ ｅ
３０４ （ＮＨ４） ２８０４１１８Ｈ２０： ０
．００７０７モル／Ｈ３ＢＯ３： ０゜２４モル／Ｊ２
、グリセリン＝２ｍλ／Ｊｌ。
ト層を生成させた後、３０℃、１ｗｔ％のリン酸洛中で
ポア径を３７０人に拡大した。この後、ＣｏＮｉＦｅ−
ｗメッキを以下の方法により行った。メッキ浴は、Ｃｏ
Ｓ ０４・７Ｈ２０：０゜０８５モル／ Ｊ ｓ Ｎ
ｉＳ Ｏ４・８Ｈ２０：０．０３６モル／λ、Ｆ ｅ
３０４ （ＮＨ４） ２８０４１１８Ｈ２０： ０
．００７０７モル／Ｈ３ＢＯ３： ０゜２４モル／Ｊ２
、グリセリン＝２ｍλ／Ｊｌ。
Ｋ２ ＷＯ４： ０ 、００２モル／オからなるものを
使用し、ｐＨを４．０に調整した。メッキに使用した電
源４ｔＡＣ５００Ｈｚ １２５Ｖｐ−ｐ Ｏ）交流で、
アルマイト側に一１５Ｖ１対極（カーボン）に＋１０Ｖ
となるようにＤ Ｃバイアスを印加し、２０℃において
１０秒間メッキＷＯ行った。
使用し、ｐＨを４．０に調整した。メッキに使用した電
源４ｔＡＣ５００Ｈｚ １２５Ｖｐ−ｐ Ｏ）交流で、
アルマイト側に一１５Ｖ１対極（カーボン）に＋１０Ｖ
となるようにＤ Ｃバイアスを印加し、２０℃において
１０秒間メッキＷＯ行った。
比」４例」１
実施例４においてメッキ浴中にに２ ＷＯ４を添加しな
かったこと以外は実施例４と同じ方法でＣｏＮｉＦｅメ
ッキ膜を作製した。
かったこと以外は実施例４と同じ方法でＣｏＮｉＦｅメ
ッキ膜を作製した。
前記各実施例および比較例で得られたアルマイト磁性膜
の面内方向保磁力と角形比を試料振動型峨力計により最
大印加磁場１０ｋＯｅで測定した。
の面内方向保磁力と角形比を試料振動型峨力計により最
大印加磁場１０ｋＯｅで測定した。
測定結果を下記の表１に要約して示す。
（以下余白）
表１に示された結果から明らかなように、メッキ充填さ
れる磁性体中にＷを含有させることにより、磁性膜の面
内方向保磁力（Ｈｅｌｌ）および角形比（Ｓ１１）の何
れも大幅に向−ヒされる。
れる磁性体中にＷを含有させることにより、磁性膜の面
内方向保磁力（Ｈｅｌｌ）および角形比（Ｓ１１）の何
れも大幅に向−ヒされる。
丈土班旦−
実施例１と同じ方法により厚さ０．４５μｍのアルマイ
ト層を生成させた後、３０℃、１ｗｔ％のリン酸洛中で
ポア径を３７０人に拡大した。この後、Ｃｏ−Ｗメッキ
浴として、Ｃｏ Ｓ ０４Φ７Ｈ２０：０．２モル／ヌ
、Ｈ３ＢＯ３： ０．２モル／λ、グリセリン：２ｍＪ
／Ｊ！に、Ｋ２ＷＯ４を０．０００２〜０．０５モル／
Ｒの範囲内で様々に変化させて添加したものを使用し、
１モル／ＪのＨ２ＳＯ４によりｐＨを４．０に調整した
。メッキに使用した電源はＡＣ３００Ｈｚ 、１６Ｖｐ
ｐの交流で、カーボ／を対極とし、２０℃において６分
間メッキを行った。
ト層を生成させた後、３０℃、１ｗｔ％のリン酸洛中で
ポア径を３７０人に拡大した。この後、Ｃｏ−Ｗメッキ
浴として、Ｃｏ Ｓ ０４Φ７Ｈ２０：０．２モル／ヌ
、Ｈ３ＢＯ３： ０．２モル／λ、グリセリン：２ｍＪ
／Ｊ！に、Ｋ２ＷＯ４を０．０００２〜０．０５モル／
Ｒの範囲内で様々に変化させて添加したものを使用し、
１モル／ＪのＨ２ＳＯ４によりｐＨを４．０に調整した
。メッキに使用した電源はＡＣ３００Ｈｚ 、１６Ｖｐ
ｐの交流で、カーボ／を対極とし、２０℃において６分
間メッキを行った。
第１図にＷ含佇率と面内方向保磁力の関係を、また、第
２図にＷ含有率と而内方向角形比の関係を示す。図中、
・はＷ含有率がゼロのときの面内方向保磁力および而内
方向角形比の値を示す。前記実施例５におけるに２ＷＯ
４の添加量０−０００２〜０．０５モル／λは、２．５
〜４７．４ａｔ％の含有率に相当する。
２図にＷ含有率と而内方向角形比の関係を示す。図中、
・はＷ含有率がゼロのときの面内方向保磁力および而内
方向角形比の値を示す。前記実施例５におけるに２ＷＯ
４の添加量０−０００２〜０．０５モル／λは、２．５
〜４７．４ａｔ％の含有率に相当する。
第１図および第２図に示された結果から、ｃ。
膜中にＷが存在することにより、面内方向保磁力と面内
方向角形比が大きくなり、Ｗを含有するＣｏメッキアル
マイトが市内磁気異方性を示すことが理解できる。
方向角形比が大きくなり、Ｗを含有するＣｏメッキアル
マイトが市内磁気異方性を示すことが理解できる。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば、アルマイト微細
孔中に充填したＣＯ単体あるいはＣＯをｔ体とする合金
にＷを含有させることにより、アルマイト磁性膜に面内
磁化膜としての特性を持たせることか可能となった。
孔中に充填したＣＯ単体あるいはＣＯをｔ体とする合金
にＷを含有させることにより、アルマイト磁性膜に面内
磁化膜としての特性を持たせることか可能となった。
この結果、本発明をリジッドディスクに適用すれば、ス
ペーシングの影響か垂直磁化膜に比へて緩和され、高い
再生出力と仏頼性を有する磁気記録媒体が得られる。
ペーシングの影響か垂直磁化膜に比へて緩和され、高い
再生出力と仏頼性を有する磁気記録媒体が得られる。
第１図は実施例５で得られたメッキ膜の、膜中のＷ／（
Ｗ＋Ｃｏ）含有率と面内方向保磁力との関係を示す特性
図であり、第２図は実施例５で得られたメッキ膜の、膜
中のＷ／ （Ｗ＋ Ｃｏ ）含有率と面内方向角形比と
の関係を示す特性図であり、第３図は公知のアルマイト
微細孔中に磁性体がメッキ充填された磁気記録媒体の一
例の断面図である。 １・・・磁性体粒子、３・・・アルマイト層。 ５・・・基板
Ｗ＋Ｃｏ）含有率と面内方向保磁力との関係を示す特性
図であり、第２図は実施例５で得られたメッキ膜の、膜
中のＷ／ （Ｗ＋ Ｃｏ ）含有率と面内方向角形比と
の関係を示す特性図であり、第３図は公知のアルマイト
微細孔中に磁性体がメッキ充填された磁気記録媒体の一
例の断面図である。 １・・・磁性体粒子、３・・・アルマイト層。 ５・・・基板
Claims (6)
- （１）ＡｌまたはＡｌ合金の表面を陽極酸化することに
より生成された微細孔（ポア）中に磁性体をメッキ充填
した磁気記録媒体において、前記磁性体はＣｏ単体また
はＣｏを主体とする合金中にタングステン（Ｗ）元素を
含有することを特徴とする磁気記録媒体。 - （２）Ｗの含有量が０．０５ａｔ％〜５０ａｔ％の範囲
内であることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体
。 - （３）Ｃｏを主体とする合金はＣｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｆｅ
またはＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅであり、合金中におけるＣｏの
含有量が５０％超であることを特徴とする請求項１また
は２に記載の磁気記録媒体。 - （４）生成したアルマイトの有孔率が０．３〜０．８の
範囲内であることを特徴とする請求項１記載の磁気記録
媒体。 - （５）アルマイト微細孔中の磁性粒子の軸比が０．５〜
１０の範囲内であることを特徴とする請求項１記載の磁
気記録媒体。 - （６）アルマイト微細孔中の磁性粒子の磁性層厚が０．
０５μｍ〜０．５μｍの範囲内であることを特徴とする
請求項１記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19583290A JPH0482012A (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19583290A JPH0482012A (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0482012A true JPH0482012A (ja) | 1992-03-16 |
Family
ID=16347756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19583290A Pending JPH0482012A (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0482012A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007132020A (ja) * | 2005-11-08 | 2007-05-31 | Osaki Industry Co Ltd | 路面標示施工装置及び路面標示施工方法 |
| US8393824B2 (en) | 2009-07-27 | 2013-03-12 | Graco Minnesota Inc. | Screed die adjustable line thickness |
-
1990
- 1990-07-24 JP JP19583290A patent/JPH0482012A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007132020A (ja) * | 2005-11-08 | 2007-05-31 | Osaki Industry Co Ltd | 路面標示施工装置及び路面標示施工方法 |
| US8393824B2 (en) | 2009-07-27 | 2013-03-12 | Graco Minnesota Inc. | Screed die adjustable line thickness |
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