JPH01211213A - 磁気記録媒体 - Google Patents
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- JPH01211213A JPH01211213A JP3281888A JP3281888A JPH01211213A JP H01211213 A JPH01211213 A JP H01211213A JP 3281888 A JP3281888 A JP 3281888A JP 3281888 A JP3281888 A JP 3281888A JP H01211213 A JPH01211213 A JP H01211213A
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業1−1の利用分野]
本発明は磁気記録媒体に関する。史に詳細には、本発明
は面内磁気記録媒体に関する。
は面内磁気記録媒体に関する。
[従来の技術]
薄膜型連続媒体として近年、スパッタ法や湿式のメッキ
法で作製したCo−Ni而山内磁気記録ディスク商品化
されている。スパッタ法は、これまで蒸着法とともに、
薄膜形成法の主流をなしてきた方法であり、量産装置も
完成している。
法で作製したCo−Ni而山内磁気記録ディスク商品化
されている。スパッタ法は、これまで蒸着法とともに、
薄膜形成法の主流をなしてきた方法であり、量産装置も
完成している。
[発明が解決しようとする課題]
しかし、スパッタ法で量産した場合、基板の搬送方向や
、スパッタ原子の飛散方向により、基板面内方向に特定
の異方性が生じる。この異方性は、trf 生時のエン
ベロープにモジュレーションと呼ハれる約180度周期
の出力変動を起こす問題がある。また、スパッタ法、メ
ッキ法いずれの場合もCo−Niは耐食性に劣っている
ため、CoNi中に第3の元素を添加したり、保護膜を
形成して、Co−Niの防食を行う必要がある。
、スパッタ原子の飛散方向により、基板面内方向に特定
の異方性が生じる。この異方性は、trf 生時のエン
ベロープにモジュレーションと呼ハれる約180度周期
の出力変動を起こす問題がある。また、スパッタ法、メ
ッキ法いずれの場合もCo−Niは耐食性に劣っている
ため、CoNi中に第3の元素を添加したり、保護膜を
形成して、Co−Niの防食を行う必要がある。
パイロット万年筆の何台らはアルマイト微細孔にCo−
Ni合金をメ・ツキ充填すると、Co5θ−Ni5θ付
近の組成で、面内磁化膜が得られるIGを報告している
(J、Elctroches、Soc、、vol、+2
2゜1)p、32(1975))。この面内磁気W方性
は、結晶構造に起因していると考えられ、1−記の組成
では、Niのfee相とCOのhcl)相が混在してい
る。
Ni合金をメ・ツキ充填すると、Co5θ−Ni5θ付
近の組成で、面内磁化膜が得られるIGを報告している
(J、Elctroches、Soc、、vol、+2
2゜1)p、32(1975))。この面内磁気W方性
は、結晶構造に起因していると考えられ、1−記の組成
では、Niのfee相とCOのhcl)相が混在してい
る。
アルマイトは、」−記した様に耐食性に優れた材料であ
り、またCo−Niをメッキ法で充填するため、基板面
内方向でスパッタ法の様に、特定の異方性が生じること
は無い。
り、またCo−Niをメッキ法で充填するため、基板面
内方向でスパッタ法の様に、特定の異方性が生じること
は無い。
しかし、河合らの作製した市内磁化膜は、面内方向の保
磁力および角形比が他面方向の保磁力や角形比とほぼ同
等の値を示し、市内磁化膜としての特性が不十分であっ
た。
磁力および角形比が他面方向の保磁力や角形比とほぼ同
等の値を示し、市内磁化膜としての特性が不十分であっ
た。
従って、本発明の目的は耐食性に優れ、特定の異方性を
生じない、優れた市内磁化膜特性を有する磁気記録媒体
を提供することである。
生じない、優れた市内磁化膜特性を有する磁気記録媒体
を提供することである。
[課題を解決するための手段コ
前記目的を達成するために、本発明の磁気記録媒体は、
AlもしくはAJ2合金の陽極酸化により生成された微
細孔中に先ず下地層を設け、この1−にCo−Ni合金
磁性層を積層させることにより形成されている。
AlもしくはAJ2合金の陽極酸化により生成された微
細孔中に先ず下地層を設け、この1−にCo−Ni合金
磁性層を積層させることにより形成されている。
本発明の磁気記録媒体で使用される上地層はhCp構造
のCo−Ni合金のC軸を市内に向けることができる物
質であればよい。このような物質としては、例えば、C
r1Bi等が好適である。
のCo−Ni合金のC軸を市内に向けることができる物
質であればよい。このような物質としては、例えば、C
r1Bi等が好適である。
Crが特に好ましい。
上地層およびCo−Ni合金は何れも、アルマイト微細
孔中にメッキ充Jiされる。
孔中にメッキ充Jiされる。
[作用コ
本発明では、G o −N iの基板(または1才体)
としてアルマイトを使用する。アルマイトはA、l’ま
たはA、l!金合金Lに酸性溶液中で陽極酸化すること
により生成される多孔質AJ酸化被膜であり、非常に耐
食性に富む物質である。このアルマイト微細孔は膜面屯
直方向に成長している。
としてアルマイトを使用する。アルマイトはA、l’ま
たはA、l!金合金Lに酸性溶液中で陽極酸化すること
により生成される多孔質AJ酸化被膜であり、非常に耐
食性に富む物質である。このアルマイト微細孔は膜面屯
直方向に成長している。
アルマイト微細孔中にCrド地層を設け、このLにCo
−Ni合金を積層させると、Co−Niの(100)而
が基板に平行に成長し、軸化容易軸が基板面内に配向し
、市内磁化膜となる。
−Ni合金を積層させると、Co−Niの(100)而
が基板に平行に成長し、軸化容易軸が基板面内に配向し
、市内磁化膜となる。
本発明の磁気記録媒体の断面構造の一例を第1図に示す
。
。
第1図に示されるように、非磁性基体1の1−にアルマ
イト層3が設けられいて、このアルマイト層3中の微細
孔5の底部7から所定の高さまでド地層形成物質9が充
填されている。この下地層の一ヒ端面から微細孔の開1
]部端而11までの部分にはCo−Ni合金13が充填
されている。強磁性金属層は底面および側面がアルマイ
ト層で保護されているので、水蒸気やH2S、NO2、
SO2等の大気中に含まれる腐食性ガスあるいは酸性雰
囲気から隔離された状態となり、耐食性が確保される。
イト層3が設けられいて、このアルマイト層3中の微細
孔5の底部7から所定の高さまでド地層形成物質9が充
填されている。この下地層の一ヒ端面から微細孔の開1
]部端而11までの部分にはCo−Ni合金13が充填
されている。強磁性金属層は底面および側面がアルマイ
ト層で保護されているので、水蒸気やH2S、NO2、
SO2等の大気中に含まれる腐食性ガスあるいは酸性雰
囲気から隔離された状態となり、耐食性が確保される。
かくして、耐食性に優れ、特定の異方性を生じない、優
れた市内磁化膜特性を有する磁気記録媒体が得られる。
れた市内磁化膜特性を有する磁気記録媒体が得られる。
前記のような下地層を使用し、結晶磁気異方性の点から
市内膜化する方法に加えて、アルマイト微細孔の軸比を
低下させ、形状異方性の点から市内膜化させる方法があ
る。
市内膜化する方法に加えて、アルマイト微細孔の軸比を
低下させ、形状異方性の点から市内膜化させる方法があ
る。
アルマイトの微細孔径は、陽極酸化時の電解電圧(V)
にほぼ比例し、電解電圧が高い程、微細孔径が増大する
。従って、アルマイト微細孔の深さを一定にした場合、
微細孔径が大きい程、後に充填する磁性体の軸比(微細
孔の深さ/微細孔径)が低下し、市内磁化膜に対して、
打利となる。本発明の磁気記録媒体では磁性体の軸比が
10以下となるように形成することが好ましい。ただし
、軸比は本発明の必須型外ではない。Crt’地層を設
けるだけでも部分な市内磁化膜が得られるからである。
にほぼ比例し、電解電圧が高い程、微細孔径が増大する
。従って、アルマイト微細孔の深さを一定にした場合、
微細孔径が大きい程、後に充填する磁性体の軸比(微細
孔の深さ/微細孔径)が低下し、市内磁化膜に対して、
打利となる。本発明の磁気記録媒体では磁性体の軸比が
10以下となるように形成することが好ましい。ただし
、軸比は本発明の必須型外ではない。Crt’地層を設
けるだけでも部分な市内磁化膜が得られるからである。
河合らは、陽極酸化浴に、硫酸を用いている。
硫酸は、解離度が大きい酸であるため浴の抵抗が小さく
、陽極酸化時にかかる電圧は、〜20V程度であり、微
細孔径は、〜200人である。硫酸に対し、シュウ酸お
よびリン酸は、解離度が小さく、陽極酸化時に大きな電
圧がかかる。従って、微細孔径〜500人のアルマイト
が得られ、硫酸浴に比べ軸比が1/2以下のものが得ら
れる。陽極酸化の後にリン酸またはスルファミン酸等の
浴で微細孔拡大を行うと、さらに軸比を、小さくする・
11:もてきる。
、陽極酸化時にかかる電圧は、〜20V程度であり、微
細孔径は、〜200人である。硫酸に対し、シュウ酸お
よびリン酸は、解離度が小さく、陽極酸化時に大きな電
圧がかかる。従って、微細孔径〜500人のアルマイト
が得られ、硫酸浴に比べ軸比が1/2以下のものが得ら
れる。陽極酸化の後にリン酸またはスルファミン酸等の
浴で微細孔拡大を行うと、さらに軸比を、小さくする・
11:もてきる。
このように、本発明によれば、上地層の存在による結晶
磁気光方性と、軸比による形吠磁気異方性の両刃の点か
ら相乗的に磁性層を市内膜化することができ、極めて優
れた特性をイ「する而内磁化膜が得られる。
磁気光方性と、軸比による形吠磁気異方性の両刃の点か
ら相乗的に磁性層を市内膜化することができ、極めて優
れた特性をイ「する而内磁化膜が得られる。
ド地層の厚さは特に限定されないが、一般的には0.0
2μm〜1μmの範囲内が好ましい。0゜02μm以−
ドでは、Crの(110)而が十分に成長せず、co−
Ni合金を面内配向させることが困難となる。−・方、
1μm超では、Co−Niの面内配向に及ぼす効果が飽
和し、厚くするたけ不経済となる。
2μm〜1μmの範囲内が好ましい。0゜02μm以−
ドでは、Crの(110)而が十分に成長せず、co−
Ni合金を面内配向させることが困難となる。−・方、
1μm超では、Co−Niの面内配向に及ぼす効果が飽
和し、厚くするたけ不経済となる。
本発明の磁気記録媒体におけるCo−Ni磁性層は一般
的に0.5μm〜3μmの範囲内の厚さを有することが
好ましい。
的に0.5μm〜3μmの範囲内の厚さを有することが
好ましい。
非磁性基体−Lに形成されるアルマイト層の厚さ自体は
本発明の必須殻件ではないが、一般的な指標としては、
約数丁・へ〜約数μmの範囲内にあることが好ましい。
本発明の必須殻件ではないが、一般的な指標としては、
約数丁・へ〜約数μmの範囲内にあることが好ましい。
アルマイト層中に形成される微細孔の深さは電界時間を
制御することにより調節できる。説明するまでもなく、
微細孔の深さはアルマイト層の厚さ以ドである。微細孔
の直径は前記の軸比の設計値により決定される。
制御することにより調節できる。説明するまでもなく、
微細孔の深さはアルマイト層の厚さ以ドである。微細孔
の直径は前記の軸比の設計値により決定される。
アルマイト層はアルミニウム基板を陽極酸化することに
より基板1ユに直接形成させることもでき、 るが、
非磁性ノλ板ヒにアルミニウムまたはアルミニウム合金
を物理蒸着法により族7tシ、この蒸着層を陽極酸化す
ることによっても形成させることができる。物理蒸着法
としては、真空蒸着法、イオンブレーティング法、スパ
ッタリング法、イオンビームデポジション法および化学
的気相成長法(CVD法)などがある。
より基板1ユに直接形成させることもでき、 るが、
非磁性ノλ板ヒにアルミニウムまたはアルミニウム合金
を物理蒸着法により族7tシ、この蒸着層を陽極酸化す
ることによっても形成させることができる。物理蒸着法
としては、真空蒸着法、イオンブレーティング法、スパ
ッタリング法、イオンビームデポジション法および化学
的気相成長法(CVD法)などがある。
アルミニウムの陽極酸化法は公知である。−・般的に、
アルミニウムの陽極酸化は直流(I) C)で行ってい
る。I) Cでは、電流密度を増大させると、耐電場強
度が増大し、腐食性が強くなり、その結果、開始点(ピ
ット)が多くなる。この電解初期に生じたピントが続け
て工、チングされ微細なポール(孔)が形成される。
アルミニウムの陽極酸化は直流(I) C)で行ってい
る。I) Cでは、電流密度を増大させると、耐電場強
度が増大し、腐食性が強くなり、その結果、開始点(ピ
ット)が多くなる。この電解初期に生じたピントが続け
て工、チングされ微細なポール(孔)が形成される。
本発明の磁気記録媒体に使11される非峨性基板として
は、アルミニウム基板の他に、ポリイミド。
は、アルミニウム基板の他に、ポリイミド。
ポリエチレンテレフタレート等の高分子フィルム。
ガラス類、セラミック、陽極酸化アルミ、黄銅などの金
属板+ S t ’f’結晶板9表面を熱酸化処理し
たSi単結晶板などがある。
属板+ S t ’f’結晶板9表面を熱酸化処理し
たSi単結晶板などがある。
また、本発明の磁気記録媒体としては、ポリエステルフ
ィルム、ポリイミドフィルムなどの合成樹脂フィルムを
基体とする磁気テープや磁気ディスク、合成樹脂フィル
ム、アルミニウム板およびガラス板等からなる円盤やド
ラムを基体とする磁気ディスクや磁気ドラムなど、磁気
ヘッドと摺接する構造の種々の形態を包含する。
ィルム、ポリイミドフィルムなどの合成樹脂フィルムを
基体とする磁気テープや磁気ディスク、合成樹脂フィル
ム、アルミニウム板およびガラス板等からなる円盤やド
ラムを基体とする磁気ディスクや磁気ドラムなど、磁気
ヘッドと摺接する構造の種々の形態を包含する。
[実施例]
以下、実施例により本発明を史に詳細に説明する。
実温LLL
純度99.99%(以ド「4N」と略す)のAJ片(0
,09mmX20mmX20mm)をトリクレンで超に
波洗KN シ、5 at%NaOHで表面酸化物層を除
去後、6volXHN03で中和し、水洗した。3wt
%の7ユウ酸浴中で対極をカーボンとし、40Vで定電
圧電解を行った。浴/&1I20°Cでアルマイト層厚
は0.76/1mとした。その後、30℃、lvt%の
リン酸浴で微細孔拡大処理を18分行った。この時の微
細孔の内径は0.05971mである。
,09mmX20mmX20mm)をトリクレンで超に
波洗KN シ、5 at%NaOHで表面酸化物層を除
去後、6volXHN03で中和し、水洗した。3wt
%の7ユウ酸浴中で対極をカーボンとし、40Vで定電
圧電解を行った。浴/&1I20°Cでアルマイト層厚
は0.76/1mとした。その後、30℃、lvt%の
リン酸浴で微細孔拡大処理を18分行った。この時の微
細孔の内径は0.05971mである。
Co−Niをメッキする前にCrを下地としてメッキし
た。Crのメッキ浴として、硫酸クロノ、200 g/
J!、尿素200g/J、硫酸アンモニウム400g/
ヌの浴を用い、浴430℃、pH2,5において、交流
電源を使用し、+側10V1−側15V1500Hzで
メッキを行った。Cr層厚を0.3μmにした。
た。Crのメッキ浴として、硫酸クロノ、200 g/
J!、尿素200g/J、硫酸アンモニウム400g/
ヌの浴を用い、浴430℃、pH2,5において、交流
電源を使用し、+側10V1−側15V1500Hzで
メッキを行った。Cr層厚を0.3μmにした。
次にCO3O4・7H20とN15Oq・6H20を種
々の割合で含むメッキ浴でCo−Ni合金を微細孔中に
メッキ充填した。軸比は7.6である。CoZ+とNi
2+の合計のモル数を0゜128mol/ヌで−・定に
する様にした。メッキ浴には面内特性向1−のため、次
亜リン酸ソーダを0゜510mol/J添加し、NaO
H溶液により浴のp tIを6.50に調整した。メッ
キ浴温は20℃、メッキ印加電源には交流を使用し、周
波数500HZ N++側10V1側15Vになる様に
直流バイアスを印加した。メッキ時間を10秒とした。
々の割合で含むメッキ浴でCo−Ni合金を微細孔中に
メッキ充填した。軸比は7.6である。CoZ+とNi
2+の合計のモル数を0゜128mol/ヌで−・定に
する様にした。メッキ浴には面内特性向1−のため、次
亜リン酸ソーダを0゜510mol/J添加し、NaO
H溶液により浴のp tIを6.50に調整した。メッ
キ浴温は20℃、メッキ印加電源には交流を使用し、周
波数500HZ N++側10V1側15Vになる様に
直流バイアスを印加した。メッキ時間を10秒とした。
作製した膜の磁気特性を試料振動型磁力計で測定した。
磁気特性とメッキ浴組性の関係を第2図にボす。
L悦性上
4NAl片(0,09mmX20mmX20mm)をト
リクレンで超音波洗浄し、5wt%NaOHで表面酸化
物層を除去後、8vo1%HNOaで中和し、水洗した
。3wt%のシュウ酸浴中で対極をカーボンとし、40
vで定電圧電解を行った。浴温20°Cでアルマイト層
厚は0.45μmとした。
リクレンで超音波洗浄し、5wt%NaOHで表面酸化
物層を除去後、8vo1%HNOaで中和し、水洗した
。3wt%のシュウ酸浴中で対極をカーボンとし、40
vで定電圧電解を行った。浴温20°Cでアルマイト層
厚は0.45μmとした。
その後、30°C11wt%のリン酸浴で微細孔拡大処
理を18分行った。この時の微細孔の内径は0゜059
μmであり、軸比は7.6であった。C。
理を18分行った。この時の微細孔の内径は0゜059
μmであり、軸比は7.6であった。C。
SOq・7H20とNiSO4・6H20を種々の割合
で含むメッキ浴でCo−Ni合金を微細孔中にメッキ充
填した。Co2+とNi2+の合計のモル数を0.12
8mol/ヌで一定にする様にした。メッキ浴には面内
特性向」−のため、次亜リン酸ソーダを0. 510m
ol /、It添加し、NaOH溶液により浴のpHを
6.50に調整した。メッキ浴温は20°C1メッキ印
加電源には交流を使用し、周波数500Hz、+側10
V、−側15Vになる様に直流バイアスを印加した。メ
ッキ時間を10秒とした。作製した膜の磁気特性を実施
例1と同様にして測定した。測定結果を第2図に示す。
で含むメッキ浴でCo−Ni合金を微細孔中にメッキ充
填した。Co2+とNi2+の合計のモル数を0.12
8mol/ヌで一定にする様にした。メッキ浴には面内
特性向」−のため、次亜リン酸ソーダを0. 510m
ol /、It添加し、NaOH溶液により浴のpHを
6.50に調整した。メッキ浴温は20°C1メッキ印
加電源には交流を使用し、周波数500Hz、+側10
V、−側15Vになる様に直流バイアスを印加した。メ
ッキ時間を10秒とした。作製した膜の磁気特性を実施
例1と同様にして測定した。測定結果を第2図に示す。
第2図(a)に示された特性曲線から明らかなように、
Cr下地層をイイする本発明の磁気記録媒体は、Co
N i磁性層のみからなる比較例の磁気記録媒体に比
べて而内方向の保磁力が著しく高く、反面、垂直方向の
保磁力が低い。すなわち、而内方向の保磁力と東回方向
の伯父力との差が大きく、比較例の磁気記録媒体よりも
優れた市内磁化膜となっていることが理解される。
Cr下地層をイイする本発明の磁気記録媒体は、Co
N i磁性層のみからなる比較例の磁気記録媒体に比
べて而内方向の保磁力が著しく高く、反面、垂直方向の
保磁力が低い。すなわち、而内方向の保磁力と東回方向
の伯父力との差が大きく、比較例の磁気記録媒体よりも
優れた市内磁化膜となっていることが理解される。
第2図(b)に示された角形比に関する特性曲線からも
同様な結論が得られる。
同様な結論が得られる。
光五匠1
実施例1で作製したCo−Ni/Crメッキ膜を以ドの
2つの条件で耐食試験を行った。
2つの条件で耐食試験を行った。
(a) 80210ppm % 7u度40℃、湿度9
0RH% (b) lu度60°C11u度90RH%耐食性は磁
気記録媒体の飽和磁化の劣化率を測定することにより評
価した。
0RH% (b) lu度60°C11u度90RH%耐食性は磁
気記録媒体の飽和磁化の劣化率を測定することにより評
価した。
比jd帆2−
スパッタ法により、AJ/NiP基板上に、Crド地0
.211m5 Co−N1p、05#mを順次設け、こ
の試料を実施例2と同じ2つの条件Fで耐食試験を行っ
た。測定結果を第3図に示す。
.211m5 Co−N1p、05#mを順次設け、こ
の試料を実施例2と同じ2つの条件Fで耐食試験を行っ
た。測定結果を第3図に示す。
スパッタ膜に比べ、アルマイトメッキ膜は、酸化性雰囲
気及び、高温高湿下において、優れた耐食性を打してい
る。
気及び、高温高湿下において、優れた耐食性を打してい
る。
止佼旌1
比較例1と同じ条件で微細孔内径0.089μmで軸比
6.5のアルマイト層を形成した。ただし、比較例1の
シュウ酸浴の代わりに、5wt%のリン酸浴を使用した
。次に、実施例1と同じメッキ条件でCo−Niの合金
メッキを行った。
6.5のアルマイト層を形成した。ただし、比較例1の
シュウ酸浴の代わりに、5wt%のリン酸浴を使用した
。次に、実施例1と同じメッキ条件でCo−Niの合金
メッキを行った。
比11列」1
比較例1で用いたものと同じ4NAl片を使用し、同じ
前処理をした後、1mol/λの硫酸浴中で対極をカー
ボンとし、IA/dmで定電流電解を行った。浴電月−
は約17Vであった。浴温20℃で、アルマイト層厚を
0.45μmとした。その後、30℃、1wt%のリン
酸浴中で微細孔拡大処理を18分間行った。この時の微
細孔内径は0゜42μmであり、軸比は10.7であっ
た。次に、実施例1と同じメッキ条件でCo−Niの合
金メッキを行った。
前処理をした後、1mol/λの硫酸浴中で対極をカー
ボンとし、IA/dmで定電流電解を行った。浴電月−
は約17Vであった。浴温20℃で、アルマイト層厚を
0.45μmとした。その後、30℃、1wt%のリン
酸浴中で微細孔拡大処理を18分間行った。この時の微
細孔内径は0゜42μmであり、軸比は10.7であっ
た。次に、実施例1と同じメッキ条件でCo−Niの合
金メッキを行った。
比較例3および4で得られた磁気記録媒体の磁気特性を
実施例1に述べた方法により測定した。
実施例1に述べた方法により測定した。
先に得られた比較例1の測定結果と共に、第4図に示す
。
。
第4図に示された結果から明らかなように、シュウ酸浴
とリン酸浴で作製された軸比の小さい磁気記録媒体は、
硫酸浴で作製された軸比の入きな磁気記録媒体に比べて
、メッキ浴組成Ni”/(Ni2” +Co2” )>
0.6の範囲で、大きな而内方向の保磁力と角形比を示
し、良好な而内磁化膜となっていることがわかる。軸比
が小さいほど面内磁化膜として優れた特性を示す。
とリン酸浴で作製された軸比の小さい磁気記録媒体は、
硫酸浴で作製された軸比の入きな磁気記録媒体に比べて
、メッキ浴組成Ni”/(Ni2” +Co2” )>
0.6の範囲で、大きな而内方向の保磁力と角形比を示
し、良好な而内磁化膜となっていることがわかる。軸比
が小さいほど面内磁化膜として優れた特性を示す。
以−1−の結果から、Cr−ド地層を設け、軸比の小さ
な磁気記録媒体を作製することにより、極めて優れた面
内磁化膜が得られることが理解される。
な磁気記録媒体を作製することにより、極めて優れた面
内磁化膜が得られることが理解される。
[発明の効果]
以り説明した様に、アルマイト微細孔にCo−Niをメ
ッキした磁気記録媒体では、Crをド地層とすることで
面内磁気特性を向トさせる効果がある。
ッキした磁気記録媒体では、Crをド地層とすることで
面内磁気特性を向トさせる効果がある。
また、陽極酸化浴にシュウ酸もしくは、リン酸を用いる
ことで微細孔径の大きなアルマイトが得られ、その結果
、軸比を小さくシ、面内磁気特性を一層向七、させる効
果がある。
ことで微細孔径の大きなアルマイトが得られ、その結果
、軸比を小さくシ、面内磁気特性を一層向七、させる効
果がある。
さらに、アルマイトメッキ膜は、磁性体を耐食性に富む
アルミニウム酸化物でつつんだ構造を仔しているため、
酸化性雰囲気及び高温高湿下で優れた耐食性を持たせる
効果がある。
アルミニウム酸化物でつつんだ構造を仔しているため、
酸化性雰囲気及び高温高湿下で優れた耐食性を持たせる
効果がある。
第1図は本発明の磁気記録媒体の断面構造を示す[型図
、第2図(a)は実施例1および比較例1で得られた磁
気記録媒体の、メッキ浴中のC0−Ni組成に対する保
磁力の関係を示す特性曲線、第2図(b)は実施例1お
よび比較例1で得られた磁気記録媒体の、メンキ浴中の
Co−Ni組成に対する角形比の関係を示す特性曲線、
第3図(a)は実施例1および比較例2で得られた磁気
記録媒体の酸化性雰囲気ドにおける飽和磁化劣化率を示
す特性曲線、第3図(b)は実施例1および比較例2で
得られた磁気記録媒体の高温多湿雰囲気下における飽和
磁化劣化率を示す特性曲線、第4図(a)は比較例1,
3および4で得られた磁気記録媒体の、メッキ浴中のC
o−Ni組成に対する保磁力の関係を示す特性曲線、第
4図(b)は比較例1.3および4でjIIられた磁気
記録媒体の、メッキ浴中のCo−Ni組成に対する角形
比の関係を示す特性曲線である。 ■・・・基板、3・・・アルマイト層、5・・・微細孔
。 7・・・底部、9・・・Cr下地層、11・・・開[−
1部。 13=Co−Ni磁性層 第1図 第2図 (a) (b) x−v’谷中の ×・・・キ;谷cP
めNi”1(Ni”+Co2÷>
Ni” I(Ni” 十Co”)第3図 (a) (SO2、IOppm 、 40’C,90%RH)第
3図 (b) (60’C、90%RH) 曝露特開(day) 第4図 (a) (b)o : pb
+*イz;j+ <H7,6、y−ウv’、;e>ロ
:北軟イタ゛130旧比65.リシ酸:谷)Δ:」;l
Z較イ列4 (ilE j71o 、7 * Fa、
N ’、ff )口ぬ予IJ言直す間の符、1牛Σ示T
。 黒めオIオ面内オmの拵・1午8示す。
、第2図(a)は実施例1および比較例1で得られた磁
気記録媒体の、メッキ浴中のC0−Ni組成に対する保
磁力の関係を示す特性曲線、第2図(b)は実施例1お
よび比較例1で得られた磁気記録媒体の、メンキ浴中の
Co−Ni組成に対する角形比の関係を示す特性曲線、
第3図(a)は実施例1および比較例2で得られた磁気
記録媒体の酸化性雰囲気ドにおける飽和磁化劣化率を示
す特性曲線、第3図(b)は実施例1および比較例2で
得られた磁気記録媒体の高温多湿雰囲気下における飽和
磁化劣化率を示す特性曲線、第4図(a)は比較例1,
3および4で得られた磁気記録媒体の、メッキ浴中のC
o−Ni組成に対する保磁力の関係を示す特性曲線、第
4図(b)は比較例1.3および4でjIIられた磁気
記録媒体の、メッキ浴中のCo−Ni組成に対する角形
比の関係を示す特性曲線である。 ■・・・基板、3・・・アルマイト層、5・・・微細孔
。 7・・・底部、9・・・Cr下地層、11・・・開[−
1部。 13=Co−Ni磁性層 第1図 第2図 (a) (b) x−v’谷中の ×・・・キ;谷cP
めNi”1(Ni”+Co2÷>
Ni” I(Ni” 十Co”)第3図 (a) (SO2、IOppm 、 40’C,90%RH)第
3図 (b) (60’C、90%RH) 曝露特開(day) 第4図 (a) (b)o : pb
+*イz;j+ <H7,6、y−ウv’、;e>ロ
:北軟イタ゛130旧比65.リシ酸:谷)Δ:」;l
Z較イ列4 (ilE j71o 、7 * Fa、
N ’、ff )口ぬ予IJ言直す間の符、1牛Σ示T
。 黒めオIオ面内オmの拵・1午8示す。
Claims (3)
- (1)AlもしくはAl合金の陽極酸化により生成され
た微細孔中に下地層とCo−Ni合金磁性層が積層され
ていることを特徴とする磁気記録媒体。 - (2)下地層はCrからなることを特徴とする請求項(
1)記載の磁気記録媒体。 - (3)Cr下地層およびCo−Ni合金磁性層は前記微
細孔中にメッキ充填されたものである請求項(1)また
は(2)記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3281888A JPH01211213A (ja) | 1988-02-17 | 1988-02-17 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3281888A JPH01211213A (ja) | 1988-02-17 | 1988-02-17 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01211213A true JPH01211213A (ja) | 1989-08-24 |
Family
ID=12369413
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3281888A Pending JPH01211213A (ja) | 1988-02-17 | 1988-02-17 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01211213A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004070712A1 (ja) * | 2003-02-06 | 2004-08-19 | Fujitsu Limited | 磁気記録媒体及びその製造方法、磁気記録媒体に用いられる磁気媒体基板、並びに磁気記憶装置 |
WO2004084193A1 (ja) * | 2003-03-19 | 2004-09-30 | Fujitsu Limited | 磁気記録媒体及びその製造方法、並びに、磁気記録装置及び磁気記録方法 |
US7629021B2 (en) | 2005-06-16 | 2009-12-08 | Yamagata Fujitsu Limited | Method for producing a stamper |
US7776388B2 (en) | 2007-09-05 | 2010-08-17 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Fabricating magnetic recording media on patterned seed layers |
-
1988
- 1988-02-17 JP JP3281888A patent/JPH01211213A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004070712A1 (ja) * | 2003-02-06 | 2004-08-19 | Fujitsu Limited | 磁気記録媒体及びその製造方法、磁気記録媒体に用いられる磁気媒体基板、並びに磁気記憶装置 |
US7112377B2 (en) | 2003-02-06 | 2006-09-26 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium, method of manufacturing the same, magnetic medium substrate employed in the magnetic recording medium, and magnetic storage unit |
WO2004084193A1 (ja) * | 2003-03-19 | 2004-09-30 | Fujitsu Limited | 磁気記録媒体及びその製造方法、並びに、磁気記録装置及び磁気記録方法 |
US7629021B2 (en) | 2005-06-16 | 2009-12-08 | Yamagata Fujitsu Limited | Method for producing a stamper |
US7776388B2 (en) | 2007-09-05 | 2010-08-17 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Fabricating magnetic recording media on patterned seed layers |
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