JPS63108535A - 垂直磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
垂直磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS63108535A JPS63108535A JP25444286A JP25444286A JPS63108535A JP S63108535 A JPS63108535 A JP S63108535A JP 25444286 A JP25444286 A JP 25444286A JP 25444286 A JP25444286 A JP 25444286A JP S63108535 A JPS63108535 A JP S63108535A
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Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は垂直磁気記録媒体の製造法に関し。
詳しくは、垂直磁化方式に有用ないわゆる二層膜記録媒
体の新規な製造方法に関する。
体の新規な製造方法に関する。
垂直磁気記録方式は、従来からの水平磁気記録方式に比
べて高密度記録が行なえることから。
べて高密度記録が行なえることから。
近年随所で盛んにIf究開発がなされている。
この垂直磁気記録方式に使用されている磁気記録媒体(
以降単に「記録媒体」又は「媒体」と略記することがあ
る)には、(1)i分子材料からなるテープ状又はディ
スク状基板上に、膜面に対し垂直方向に磁化容易軸を有
するcocrを主成分とする垂直磁化膜(記録層)をス
パッタリング法、真空蒸着法などにより形成した単層膜
記録媒体と、(11)前記(1)の基板と記録層との間
に膜面内に磁化容易軸を有する第二の磁性# (−#−
ロマイ等の軟磁性膜)を設けた二層膜記録媒体とが代表
的なものとしてあげられる。
以降単に「記録媒体」又は「媒体」と略記することがあ
る)には、(1)i分子材料からなるテープ状又はディ
スク状基板上に、膜面に対し垂直方向に磁化容易軸を有
するcocrを主成分とする垂直磁化膜(記録層)をス
パッタリング法、真空蒸着法などにより形成した単層膜
記録媒体と、(11)前記(1)の基板と記録層との間
に膜面内に磁化容易軸を有する第二の磁性# (−#−
ロマイ等の軟磁性膜)を設けた二層膜記録媒体とが代表
的なものとしてあげられる。
だが、これらのうち前者(1)の単層膜媒体は記録・再
生の効率がいまだ低いという欠陥がある。
生の効率がいまだ低いという欠陥がある。
もつとも、アルミニウム基板に陽極電解処理で酸化アル
ミニウムの被膜(この被膜には微細孔が被膜に垂直にお
いており、比較的規則正しく配列されているのが普通で
ある)の微細孔にコバルト、コバルト・ニッケル合金、
鉄合金など。
ミニウムの被膜(この被膜には微細孔が被膜に垂直にお
いており、比較的規則正しく配列されているのが普通で
ある)の微細孔にコバルト、コバルト・ニッケル合金、
鉄合金など。
あるいはCoCr合金を交流電解法により析出させて垂
直磁化膜(記録層)を形成せしめ記録密度の向上をはか
る手段は提案されている。だが。
直磁化膜(記録層)を形成せしめ記録密度の向上をはか
る手段は提案されている。だが。
酸化アルミニウム(アルマイ)=A^Os)の多孔質膜
の孔中に前記鉄合金などを析出させた単層膜記録媒体は
磁気抵抗が大きいため記録感度。
の孔中に前記鉄合金などを析出させた単層膜記録媒体は
磁気抵抗が大きいため記録感度。
再生出力が低下してしまい、また、急峻な磁場になじみ
に(いため所期したほどの高密度記録は望めないのが実
情である。
に(いため所期したほどの高密度記録は望めないのが実
情である。
更に* AltOn の多孔質膜の孔中にCoCr合金
を析出させた前記従来の単層膜記録媒体は、記録層表面
にまではcocr合金(強V&性材料)が露出していな
いのが普通であるため、媒体自体の硬度が不足しており
、勢いパッシベーション膜等を表面に設げるようにして
いる。これは媒体作製工程を複雑にするものである。
を析出させた前記従来の単層膜記録媒体は、記録層表面
にまではcocr合金(強V&性材料)が露出していな
いのが普通であるため、媒体自体の硬度が不足しており
、勢いパッシベーション膜等を表面に設げるようにして
いる。これは媒体作製工程を複雑にするものである。
一方、後者(11)の二層膜媒体は記録層の膜厚、記録
層全体の抗磁力をコントロールする等により、記録・再
生の効率が上げられ、高い記録密度での記録・再生が実
現しうろことで有利である。そして、この二層膜媒体に
おいて、より一層の高密度記録が行なえるとともに、少
ない電圧で記録がなされ再生出力が得られるものの出現
が望まれている。
層全体の抗磁力をコントロールする等により、記録・再
生の効率が上げられ、高い記録密度での記録・再生が実
現しうろことで有利である。そして、この二層膜媒体に
おいて、より一層の高密度記録が行なえるとともに、少
ない電圧で記録がなされ再生出力が得られるものの出現
が望まれている。
本発明は高密度記録が達成しうろことは勿論。
高い記録感度及び再生出力が得られ、パッシベーション
膜の不要な二層膜タイプの垂直磁気記録媒体製造方法を
提供するものである。
膜の不要な二層膜タイプの垂直磁気記録媒体製造方法を
提供するものである。
本発明で製造される垂直磁気記録媒体は基板上に軟磁性
膜、垂直磁化膜(記録層)を順次積層した二層膜タイプ
のものであって、該垂直磁化膜が非磁性多孔質層の孔中
に垂直磁気異方性を有する強磁性材料の表面が露出する
ように存在せしめたものである。ちなみに、こ5した垂
直磁気記録媒体自体は従来知られている(特開昭60−
29931号公報)。
膜、垂直磁化膜(記録層)を順次積層した二層膜タイプ
のものであって、該垂直磁化膜が非磁性多孔質層の孔中
に垂直磁気異方性を有する強磁性材料の表面が露出する
ように存在せしめたものである。ちなみに、こ5した垂
直磁気記録媒体自体は従来知られている(特開昭60−
29931号公報)。
以下に本発明を添付の図面に従がいながらさらに詳細に
説明する。第1図は本発明により製造された垂直磁気記
録媒体の代表的な一例の拡大断面図であり、lは基板、
2は軟磁性膜、3は垂直磁化膜(記録層)を示している
。記録層3は非磁性多孔質N31の孔中に強磁性材料(
垂直磁気異方性を有する強磁性材料)32が存在し、か
つ1強磁性材料32は表面が露出するようになっている
。但し、ここにい5「表面が露出する」とは、非磁性多
孔質N31の表面とその微細孔中に存在せしめられた強
磁性材料320表面とが、同−又はほぼ同一面になるよ
うな位置関係にあることを意味している。
説明する。第1図は本発明により製造された垂直磁気記
録媒体の代表的な一例の拡大断面図であり、lは基板、
2は軟磁性膜、3は垂直磁化膜(記録層)を示している
。記録層3は非磁性多孔質N31の孔中に強磁性材料(
垂直磁気異方性を有する強磁性材料)32が存在し、か
つ1強磁性材料32は表面が露出するようになっている
。但し、ここにい5「表面が露出する」とは、非磁性多
孔質N31の表面とその微細孔中に存在せしめられた強
磁性材料320表面とが、同−又はほぼ同一面になるよ
うな位置関係にあることを意味している。
本発明方法でつくられる記録媒体は、ただし第1図に示
されたものに限られず、必要に応じて、記録媒体の耐久
性をより向上させるために記録層3上にα005〜0.
05μm厚程度0保i層(これの材料としてはCoCr
の酸化膜、ダイヤモンド状カーi)などが好ましい)を
設けたり。
されたものに限られず、必要に応じて、記録媒体の耐久
性をより向上させるために記録層3上にα005〜0.
05μm厚程度0保i層(これの材料としてはCoCr
の酸化膜、ダイヤモンド状カーi)などが好ましい)を
設けたり。
また、記録時の磁性層(軟磁性膜2及び記録層3)の配
向をより良好ならしめるためにG・、Sl。
向をより良好ならしめるためにG・、Sl。
TIなどの蒸着層又はスノqツタリング層(0,005
〜0.1μm程度)が基板lと軟磁性膜2との間に下引
き層として設けられたりしてもよい。従って、このよう
な保護層及び/又は下引き層を有するものも本発明が意
図している二層膜媒体として扱われる。しかし、前述し
たところから理解できるよ5に、保護層が設けられてい
る場合には、強磁性材料32はそのため露出されること
はなく、従って1本発明にあっては保護層をあえて設け
る必要性は乏しいものである。
〜0.1μm程度)が基板lと軟磁性膜2との間に下引
き層として設けられたりしてもよい。従って、このよう
な保護層及び/又は下引き層を有するものも本発明が意
図している二層膜媒体として扱われる。しかし、前述し
たところから理解できるよ5に、保護層が設けられてい
る場合には、強磁性材料32はそのため露出されること
はなく、従って1本発明にあっては保護層をあえて設け
る必要性は乏しいものである。
基板l゛は非磁性であって例えばアルミニウムなどの金
属板;ポリイミド、ポリエステル、ポリエチレン、ポリ
エステルテレフタレートなどの樹脂フィルム;セラミッ
クスなどが用いられる。特に、記録媒体をハードディス
クとして使用する場合には陽極酸化アルミニウムが、フ
ロッピーディスクとして使用する場合にはポリエステル
テレ7タレートフイルム、ポリイミドフィルムが有効で
ある。
属板;ポリイミド、ポリエステル、ポリエチレン、ポリ
エステルテレフタレートなどの樹脂フィルム;セラミッ
クスなどが用いられる。特に、記録媒体をハードディス
クとして使用する場合には陽極酸化アルミニウムが、フ
ロッピーディスクとして使用する場合にはポリエステル
テレ7タレートフイルム、ポリイミドフィルムが有効で
ある。
軟磁性膜(軟磁性高透磁率層)2としてはFe−Ni系
合金やCo系合金(Fe−Ni合金、Co−M。
合金やCo系合金(Fe−Ni合金、Co−M。
−Fe−Ni合金、Cu−MO−Fe−Ni合金など)
の他にFe−AJ−8t 、 Mn−Zn−FslO,
、N1−Zn−FalO,等の軟磁性材料が用いられる
。軟磁性層2の形成法としてはスパッタリング法、イオ
ンブレーティング法。
の他にFe−AJ−8t 、 Mn−Zn−FslO,
、N1−Zn−FalO,等の軟磁性材料が用いられる
。軟磁性層2の形成法としてはスパッタリング法、イオ
ンブレーティング法。
真空蒸着法、プラズマCVD法、il解メッキ法。
微粉末溶剤塗布法などが利用される。なお、軟磁性層2
の厚さは使用材料により若干異なるが0.1〜1μm程
度である。
の厚さは使用材料により若干異なるが0.1〜1μm程
度である。
記録層3における非磁性多孔質f@31を構成するもの
としてはAJtOs、包接化合物であるゼオライトなど
が適当であるが、テフロンなどの有機高分子膜を多孔質
化して適用することも可能である。殊に、AA’の陽極
酸化(陽極電解処理)で形成されるN80.は微細孔が
被膜に垂直方向に設げられる上で望ましいものである。
としてはAJtOs、包接化合物であるゼオライトなど
が適当であるが、テフロンなどの有機高分子膜を多孔質
化して適用することも可能である。殊に、AA’の陽極
酸化(陽極電解処理)で形成されるN80.は微細孔が
被膜に垂直方向に設げられる上で望ましいものである。
また、記録層3における強磁性材料32としてはNi
、 Fe 、 Co 、 Ba−F@ρ、 、 co−
Cr合金、C0−Ru−Cr合金、 Co−Cr−0合
金、Cooなどが用いられ、中でもNi g Fe 、
C0−Cr合金(Cr含ji : 10〜20チ)の
使用が好ましい。
、 Fe 、 Co 、 Ba−F@ρ、 、 co−
Cr合金、C0−Ru−Cr合金、 Co−Cr−0合
金、Cooなどが用いられ、中でもNi g Fe 、
C0−Cr合金(Cr含ji : 10〜20チ)の
使用が好ましい。
強磁性材料32を非磁性多孔質層31の孔(微細孔)に
存在せしめるのに際しては、必要であれば、孔を溶解に
より適当な大きさに溶解させておいてもよい。孔の径は
α01〜1μm好ましくはQ、01〜Q、03μm程度
であり、また、孔と孔との中心間の距離は0.01−1
μm好ましくはαO1〜0.5μm程度が適当である。
存在せしめるのに際しては、必要であれば、孔を溶解に
より適当な大きさに溶解させておいてもよい。孔の径は
α01〜1μm好ましくはQ、01〜Q、03μm程度
であり、また、孔と孔との中心間の距離は0.01−1
μm好ましくはαO1〜0.5μm程度が適当である。
更に、この微細孔の深さは0.05〜5μm好ましくは
0.1−0.5μmくらいである。
0.1−0.5μmくらいである。
この微細孔に強磁性材料32を存在させるには1例えば
強磁性材料32を構成する物質を陽極とし、一方、非磁
性多孔1xN31を陰極として、電解浴(NaC1水溶
液、 H,So、など)中で電気メッキを行ない、微細
孔中に陽極物質(強磁性材料32)を析出させるように
すればよい。
強磁性材料32を構成する物質を陽極とし、一方、非磁
性多孔1xN31を陰極として、電解浴(NaC1水溶
液、 H,So、など)中で電気メッキを行ない、微細
孔中に陽極物質(強磁性材料32)を析出させるように
すればよい。
第2図及び第3図は本発明に係る垂直磁気記録媒体の製
造法の代表的な二側を示している。
造法の代表的な二側を示している。
第2図の例について説明すると、まず(a) AJ板1
1をリン酸の電解浴中で陽極酸化し、多孔質酸化@(非
磁性多孔質f(d ) 31を形成する。次に、(bl
例えばN1%極を陽極、アルマイト層31を陰極として
、NaC4水溶液を用いて電解メッキを行ないNi (
強磁性材料32)をアルマイト層31の微細孔中に析出
せしめて垂直磁化膜3を形成する。(、)この垂直磁化
膜3上に例えばFeNiのごとき軟磁性膜2をスパッタ
リング法などくより成膜する。總いて(d)軟磁性膜2
に基板lとなる非磁性材料を接着させた後、前記AJ版
11の方から研磨していき、アルマイト層31および強
磁性材料32をともに同一平面に露出させるようにすれ
ばよい。
1をリン酸の電解浴中で陽極酸化し、多孔質酸化@(非
磁性多孔質f(d ) 31を形成する。次に、(bl
例えばN1%極を陽極、アルマイト層31を陰極として
、NaC4水溶液を用いて電解メッキを行ないNi (
強磁性材料32)をアルマイト層31の微細孔中に析出
せしめて垂直磁化膜3を形成する。(、)この垂直磁化
膜3上に例えばFeNiのごとき軟磁性膜2をスパッタ
リング法などくより成膜する。總いて(d)軟磁性膜2
に基板lとなる非磁性材料を接着させた後、前記AJ版
11の方から研磨していき、アルマイト層31および強
磁性材料32をともに同一平面に露出させるようにすれ
ばよい。
また、第3図の例について説明すると、まず(a纂板l
(例えばAI&)上にイオンブレーティング法によりC
abも−FaNlの軟磁性膜2を成膜する。
(例えばAI&)上にイオンブレーティング法によりC
abも−FaNlの軟磁性膜2を成膜する。
次に、(bつこの軟磁性層2の上に真空蒸着法で11層
311を形成した後、 (cりこれを硫酸の電解浴中
にて陽極酸化を行ない微細孔を有するアルマイト層31
を形成する。続いて、 (dつ前記第2図における(
b)の手段と同じように1強磁性材料32であるFsを
一定の磁場において電解メッキして、先の微細孔中に析
出させればよい。
311を形成した後、 (cりこれを硫酸の電解浴中
にて陽極酸化を行ない微細孔を有するアルマイト層31
を形成する。続いて、 (dつ前記第2図における(
b)の手段と同じように1強磁性材料32であるFsを
一定の磁場において電解メッキして、先の微細孔中に析
出させればよい。
なお、この例においても、アルマイト層31及びその微
細孔中に析出された強磁性材料32は同一平面として露
出されていなげればならないため、必要によっては表面
が研磨される。
細孔中に析出された強磁性材料32は同一平面として露
出されていなげればならないため、必要によっては表面
が研磨される。
上記の第2図及び第3図によった説明は2つの本発明例
にすぎず、従って、基板l、軟磁性NJ2.非磁性多孔
7131.強磁性材料32、それに電解浴、薄膜成形法
などがこれらに限定されないことは当然である。
にすぎず、従って、基板l、軟磁性NJ2.非磁性多孔
7131.強磁性材料32、それに電解浴、薄膜成形法
などがこれらに限定されないことは当然である。
°〔効 果〕
本発明方法で製造された垂直磁気記録媒体は。
非磁性体中に柱状の強磁性材料が存在するため形の垂直
磁気異方性があり、これに結晶磁気異方性も加わるので
記録密度の高いものが得られる。また1、eツシペーシ
ョン膜が不要であることから記録感度、再生出力も高い
ものが得られる。
磁気異方性があり、これに結晶磁気異方性も加わるので
記録密度の高いものが得られる。また1、eツシペーシ
ョン膜が不要であることから記録感度、再生出力も高い
ものが得られる。
第1図は本発明方法で製造される垂直磁気記録媒体の代
表的な一例の断面図である。第2図及び第3図は本発明
に係る記録媒体の製造法の二側を説明するだめの図であ
る。 l・・・基板 2・・・軟磁性膜3・・・垂直磁
化膜 31・・・非磁性多孔質層32・・・強磁性
材料
表的な一例の断面図である。第2図及び第3図は本発明
に係る記録媒体の製造法の二側を説明するだめの図であ
る。 l・・・基板 2・・・軟磁性膜3・・・垂直磁
化膜 31・・・非磁性多孔質層32・・・強磁性
材料
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、非磁性多孔質板又はシートの片面に電解メッキを施
こすことにより該多孔質板又はシートの微細孔中に強磁
性材料を析出せしめて垂直磁化績を形成した後、この垂
直磁化膜上に軟磁性膜を成膜し、この軟磁性膜上に基板
となる非磁性材料を設け、次いで、該多孔質板又はシー
トを研磨して該垂直磁化膜を露出させることを特徴とす
る垂直磁気記録媒体の製造方法。 2、基板となる非磁性材料上に軟磁性膜を成膜した後、
この上に非磁性多孔質層を設け、次いで、電解メッキを
施こすことにより該非磁性多孔質層の微細孔中に強磁性
材料を析出せしめて垂直磁化膜を形成することを特徴と
する垂直磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25444286A JPS63108535A (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25444286A JPS63108535A (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63108535A true JPS63108535A (ja) | 1988-05-13 |
Family
ID=17265060
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25444286A Pending JPS63108535A (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63108535A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100396845B1 (ko) * | 2000-12-05 | 2003-09-02 | 한국전자통신연구원 | 정보 저장 장치 및 그것에 이용되는 정보 저장 매체 제조방법 |
US8153190B2 (en) | 2003-07-19 | 2012-04-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Patterned magnetic recording medium and method of manufacturing the same |
-
1986
- 1986-10-24 JP JP25444286A patent/JPS63108535A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100396845B1 (ko) * | 2000-12-05 | 2003-09-02 | 한국전자통신연구원 | 정보 저장 장치 및 그것에 이용되는 정보 저장 매체 제조방법 |
US8153190B2 (en) | 2003-07-19 | 2012-04-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Patterned magnetic recording medium and method of manufacturing the same |
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