JP2963230B2 - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JP2963230B2 JP2963230B2 JP9949291A JP9949291A JP2963230B2 JP 2963230 B2 JP2963230 B2 JP 2963230B2 JP 9949291 A JP9949291 A JP 9949291A JP 9949291 A JP9949291 A JP 9949291A JP 2963230 B2 JP2963230 B2 JP 2963230B2
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- film
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- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気記録媒体に関する。
更に詳細には、本発明はＣｏＰｔ電解メッキ磁気記録層
を有する磁気記録媒体に関する。
更に詳細には、本発明はＣｏＰｔ電解メッキ磁気記録層
を有する磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、磁気記録の分野においては、ガン
マ酸化鉄などの磁性粉を有機バインダ中に分散させたも
のを基体上に塗布し、磁気記録媒体を形成していた。し
かし、最近では、高密度記録への要求が高まるにつれ
て、真空蒸着法あるいはスパッタリング法を用いてディ
スク基板上に形成した磁性薄膜を記録層とする薄膜型磁
気記録媒体の研究開発が盛んに行われるようになった。
マ酸化鉄などの磁性粉を有機バインダ中に分散させたも
のを基体上に塗布し、磁気記録媒体を形成していた。し
かし、最近では、高密度記録への要求が高まるにつれ
て、真空蒸着法あるいはスパッタリング法を用いてディ
スク基板上に形成した磁性薄膜を記録層とする薄膜型磁
気記録媒体の研究開発が盛んに行われるようになった。
【０００３】現在、主に研究開発が進められている材料
としては、Ｃｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｐ
ｔ，Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｃｒ−ＰｔなどＣｏ主体金属、
あるいは酸素を膜中に含有させたＣｏ主成分の磁性薄膜
が、その代表例として挙げられる。これらの磁性薄膜を
記録層とする磁気記録媒体は、従来の塗布型磁気記録媒
体に比べ、優れた高密度記録性能を有することが、数多
くの研究により実証されている。
としては、Ｃｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｐ
ｔ，Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｃｒ−ＰｔなどＣｏ主体金属、
あるいは酸素を膜中に含有させたＣｏ主成分の磁性薄膜
が、その代表例として挙げられる。これらの磁性薄膜を
記録層とする磁気記録媒体は、従来の塗布型磁気記録媒
体に比べ、優れた高密度記録性能を有することが、数多
くの研究により実証されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、真空蒸着法や
スパッタ法による薄膜形成は量産性に劣ることが知られ
ていた。従って、性能的には申し分ないが、コスト面で
普及が進まないという現象が起こっていた。従って、本
発明の目的は、量産性に優れた薄膜型磁気記録媒体およ
びその製造方法を提供することである。
スパッタ法による薄膜形成は量産性に劣ることが知られ
ていた。従って、性能的には申し分ないが、コスト面で
普及が進まないという現象が起こっていた。従って、本
発明の目的は、量産性に優れた薄膜型磁気記録媒体およ
びその製造方法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明では、電解メッキ法により形成されたＣｏＰ
ｔ薄膜型磁気記録層を有する磁気記録媒体を提供する。
前記ＣｏＰｔ磁気記録層は、陽極に対する陰極の印加電
圧を−１．５Ｖ〜−１０Ｖの範囲内とし、メッキ浴中の
Ｃｏイオンに対するＰｔイオンの割合を１０-3〜１の範
囲内とし、メッキ浴中のｐＨを２〜６．５の範囲内とす
ることからなる電解メッキ法により形成される。
に、本発明では、電解メッキ法により形成されたＣｏＰ
ｔ薄膜型磁気記録層を有する磁気記録媒体を提供する。
前記ＣｏＰｔ磁気記録層は、陽極に対する陰極の印加電
圧を−１．５Ｖ〜−１０Ｖの範囲内とし、メッキ浴中の
Ｃｏイオンに対するＰｔイオンの割合を１０-3〜１の範
囲内とし、メッキ浴中のｐＨを２〜６．５の範囲内とす
ることからなる電解メッキ法により形成される。
【０００６】
【作用】本発明の電解メッキ法により形成された薄膜型
ＣｏＰｔ磁気記録層は耐食性およびＳ／Ｎ比の点で非常
に優れている。
ＣｏＰｔ磁気記録層は耐食性およびＳ／Ｎ比の点で非常
に優れている。
【０００７】電解メッキ法による薄膜型Ｃｏ系磁気記録
層の形成は従来から行われている。従来の電解メッキ法
による薄膜型Ｃｏ系磁気記録層はＣｏ−ＰまたはＣｏ−
Ｎｉ−Ｐなどに限られていたが、これらは耐食性が悪
く、信頼性に欠けることが知られている。これに対し、
本発明によれば、ＣｏにＰｔを加えることにより、薄膜
型磁気記録層の耐食性が一段と改善されることが発見さ
れた。
層の形成は従来から行われている。従来の電解メッキ法
による薄膜型Ｃｏ系磁気記録層はＣｏ−ＰまたはＣｏ−
Ｎｉ−Ｐなどに限られていたが、これらは耐食性が悪
く、信頼性に欠けることが知られている。これに対し、
本発明によれば、ＣｏにＰｔを加えることにより、薄膜
型磁気記録層の耐食性が一段と改善されることが発見さ
れた。
【０００８】ＣｏＰｔからなるスパッタ膜を磁気記録層
とする媒体が知られている。しかし、このＣｏＰｔスパ
ッタ膜の断面構造を分析すると柱状構造を示し、Ｓ／Ｎ
比が低い。これに対し、本発明の電解メッキ法によるＣ
ｏＰｔ膜は微小な粒子が積み重なるようにして形成され
ている。実際、ＣｏＰｔスパッタ膜の結晶粒の大きさは
約５００Å程度であるのに対し、本発明のＣｏＰｔ電解
メッキ膜の結晶粒の大きさは約１００Å以下になる。こ
のように、結晶粒が小さくなることによりＳ／Ｎ比が良
好になるものと思われる。
とする媒体が知られている。しかし、このＣｏＰｔスパ
ッタ膜の断面構造を分析すると柱状構造を示し、Ｓ／Ｎ
比が低い。これに対し、本発明の電解メッキ法によるＣ
ｏＰｔ膜は微小な粒子が積み重なるようにして形成され
ている。実際、ＣｏＰｔスパッタ膜の結晶粒の大きさは
約５００Å程度であるのに対し、本発明のＣｏＰｔ電解
メッキ膜の結晶粒の大きさは約１００Å以下になる。こ
のように、結晶粒が小さくなることによりＳ／Ｎ比が良
好になるものと思われる。
【０００９】高保磁力のＣｏＰｔ電解メッキ膜を得るた
めには、 (1) メッキ時の陰極（ディスク）の電位を、陽極に対
し、−１．５Ｖ〜−１０Ｖ、更に望ましくは、−２Ｖ〜
−６Ｖの範囲内とする； (2) メッキ浴中のＣｏイオンに対するＰｔイオンの量
（Ｐｔイオン数／Ｃｏイオン数）を１／１０００〜１／
１に、更に望ましくは、１／１００〜１／２の範囲内と
する；および (3) メッキ浴のｐＨを２〜６．５、更に望ましくは、
２．５〜５．５の範囲内とする；という条件で電解メッ
キを行うことが必要である。
めには、 (1) メッキ時の陰極（ディスク）の電位を、陽極に対
し、−１．５Ｖ〜−１０Ｖ、更に望ましくは、−２Ｖ〜
−６Ｖの範囲内とする； (2) メッキ浴中のＣｏイオンに対するＰｔイオンの量
（Ｐｔイオン数／Ｃｏイオン数）を１／１０００〜１／
１に、更に望ましくは、１／１００〜１／２の範囲内と
する；および (3) メッキ浴のｐＨを２〜６．５、更に望ましくは、
２．５〜５．５の範囲内とする；という条件で電解メッ
キを行うことが必要である。
【００１０】陰極の電位が−１．５Ｖよりも高いと、Ｃ
ｏＰｔ電解メッキ膜の基板への付着力が弱くなり、すぐ
に剥離してしまう。また、−１０Ｖよりも低いと、結晶
粒の粗大化が起こり、Ｓ／Ｎ比および磁気特性が劣化す
る。
ｏＰｔ電解メッキ膜の基板への付着力が弱くなり、すぐ
に剥離してしまう。また、−１０Ｖよりも低いと、結晶
粒の粗大化が起こり、Ｓ／Ｎ比および磁気特性が劣化す
る。
【００１１】メッキ浴中のＣｏイオンに対するＰｔイオ
ン量が１／１０００より小さいと、膜中のＰｔ量が少な
くなり、保磁力が小さくなる。また、１より大きいと、
膜中のＰｔ量が大きくなりすぎるので飽和磁化が低下
し、磁気記録媒体として適さなくなる。
ン量が１／１０００より小さいと、膜中のＰｔ量が少な
くなり、保磁力が小さくなる。また、１より大きいと、
膜中のＰｔ量が大きくなりすぎるので飽和磁化が低下
し、磁気記録媒体として適さなくなる。
【００１２】メッキ浴のｐＨが２より小さいと、水素イ
オンの還元が盛んとなり、メッキ効率が劣化する。ま
た、ｐＨが６．５より大きいと、何らかの原因でｐＨが
少し高くなるだけで、Ｃｏイオンが水酸化物として沈殿
してくるので、溶液としての安定性に欠ける。
オンの還元が盛んとなり、メッキ効率が劣化する。ま
た、ｐＨが６．５より大きいと、何らかの原因でｐＨが
少し高くなるだけで、Ｃｏイオンが水酸化物として沈殿
してくるので、溶液としての安定性に欠ける。
【００１３】本発明の磁気記録媒体に使用される非磁性
基板としては、アルミニウム基板の他に、ポリイミド，
ポリエチレンテレフタレート等の高分子フィルム，ガラ
ス類，セラミック，陽極酸化アルミ，黄銅などの金属
板，Ｓｉ単結晶板，表面を熱酸化処理したＳｉ単結晶板
などがある。基板が非導電性材料からなる場合、電解メ
ッキを行えるようにするため、基板表面に電極となる金
属を無電解メッキ法、スパッタ法または真空蒸着法など
の方法により堆積させる必要がある。電極金属の厚さ自
体は本発明の必須要件ではないが、一般的に、１０００
Å程度で十分である。
基板としては、アルミニウム基板の他に、ポリイミド，
ポリエチレンテレフタレート等の高分子フィルム，ガラ
ス類，セラミック，陽極酸化アルミ，黄銅などの金属
板，Ｓｉ単結晶板，表面を熱酸化処理したＳｉ単結晶板
などがある。基板が非導電性材料からなる場合、電解メ
ッキを行えるようにするため、基板表面に電極となる金
属を無電解メッキ法、スパッタ法または真空蒸着法など
の方法により堆積させる必要がある。電極金属の厚さ自
体は本発明の必須要件ではないが、一般的に、１０００
Å程度で十分である。
【００１４】メッキ時に流す電流は、直流、交流、パル
ス、直流バイアス上に交流もしくはバイアス電流を重畳
したものなどを使用できる。
ス、直流バイアス上に交流もしくはバイアス電流を重畳
したものなどを使用できる。
【００１５】また、本発明の磁気記録媒体としては、ポ
リエステルフィルム、ポリイミドフィルムなどの合成樹
脂フィルムを基体とする磁気テープや磁気ディスク、合
成樹脂フィルム、アルミニウム板およびガラス板等から
なる円盤やドラムを基体とする磁気ディスクや磁気ドラ
ムなど、磁気ヘッドと摺接する構造の種々の形態を包含
する。
リエステルフィルム、ポリイミドフィルムなどの合成樹
脂フィルムを基体とする磁気テープや磁気ディスク、合
成樹脂フィルム、アルミニウム板およびガラス板等から
なる円盤やドラムを基体とする磁気ディスクや磁気ドラ
ムなど、磁気ヘッドと摺接する構造の種々の形態を包含
する。
【００１６】
【実施例】以下、図面により本発明を更に詳細に説明す
る。実施例１〜６ 硫酸コバルトと塩化白金酸カリウム(I) を用いてＣｏイ
オンに対するＰｔイオン量が１／１０のメッキ液を調製
した。ｐＨを３．５に調整し、ガラス基板上に１０００
Åの銅をスパッタしたものを基板電極とし、基板電極の
陽極に対する印加電圧を−１．５、−２、−６、−８お
よび−１０ＶとしてＣｏＰｔ膜を基板上に形成した。メ
ッキ時間は３０秒間とした。
る。実施例１〜６ 硫酸コバルトと塩化白金酸カリウム(I) を用いてＣｏイ
オンに対するＰｔイオン量が１／１０のメッキ液を調製
した。ｐＨを３．５に調整し、ガラス基板上に１０００
Åの銅をスパッタしたものを基板電極とし、基板電極の
陽極に対する印加電圧を−１．５、−２、−６、−８お
よび−１０ＶとしてＣｏＰｔ膜を基板上に形成した。メ
ッキ時間は３０秒間とした。
【００１７】比較例１〜２ 前記の実施例で使用されたメッキ浴および基板電極と同
じメッキ浴および基板電極を使用し、基板電極の陽極に
対する印加電圧を−１および−１２ＶとしてＣｏＰｔ膜
を作成した。
じメッキ浴および基板電極を使用し、基板電極の陽極に
対する印加電圧を−１および−１２ＶとしてＣｏＰｔ膜
を作成した。
【００１８】実施例７〜１１ 硫酸コバルトと塩化白金(IV)を用いてＣｏイオンに対す
るＰｔイオン量が１／１０００、１／１００、１／１
０、１／２および１／１でｐＨが３．５のメッキ浴を調
製した。ガラス基板上に１０００Åの銅をスパッタした
ものを基板電極として使用し、基板電極の陽極に対する
印加電圧を−４Ｖとして、前記メッキ浴からＣｏＰｔ膜
を作成した。メッキ時間は３０秒間とした。
るＰｔイオン量が１／１０００、１／１００、１／１
０、１／２および１／１でｐＨが３．５のメッキ浴を調
製した。ガラス基板上に１０００Åの銅をスパッタした
ものを基板電極として使用し、基板電極の陽極に対する
印加電圧を−４Ｖとして、前記メッキ浴からＣｏＰｔ膜
を作成した。メッキ時間は３０秒間とした。
【００１９】比較例３〜４ 実施例７〜１１と同じ条件で、ただし、メッキ浴中のＣ
ｏイオンに対するＰｔイオン量が１／１００００および
２／１のメッキ浴を用いＣｏＰｔ膜を作成した。
ｏイオンに対するＰｔイオン量が１／１００００および
２／１のメッキ浴を用いＣｏＰｔ膜を作成した。
【００２０】実施例１２〜１６ 硫酸コバルトと塩化白金酸カリウム(II)を用いてＣｏイ
オンに対するＰｔイオン量が１／１０で、ｐＨが２，
２．５，３，５．５および６．５のメッキ浴を調製し
た。ＮｉＰをコートしたＡｌ基板上に白金を２００Åス
パッタしたものを基板電極とし、陽極に対する基板電極
の電位を−４ＶとしてＣｏＰｔ膜を作成した。メッキ時
間は３０秒間とした。
オンに対するＰｔイオン量が１／１０で、ｐＨが２，
２．５，３，５．５および６．５のメッキ浴を調製し
た。ＮｉＰをコートしたＡｌ基板上に白金を２００Åス
パッタしたものを基板電極とし、陽極に対する基板電極
の電位を−４ＶとしてＣｏＰｔ膜を作成した。メッキ時
間は３０秒間とした。
【００２１】比較例５〜６ 実施例１２〜１６と同じ条件で、但し、メッキ浴のｐＨ
を１．５および７としてＣｏＰｔ膜を作成した。前記の
実施例１〜１６および比較例１〜６で得られた各磁気記
録媒体の磁気特性を試料振動型磁力計を用いて測定し
た。結果を下記の表１〜表３に示す。
を１．５および７としてＣｏＰｔ膜を作成した。前記の
実施例１〜１６および比較例１〜６で得られた各磁気記
録媒体の磁気特性を試料振動型磁力計を用いて測定し
た。結果を下記の表１〜表３に示す。
【００２２】
【表１】 表１ 試 料 印加電圧（Ｖ） 保磁力（Oe） 実施例 １ −１．５ ２００ 実施例 ２ −２ ４００ 実施例 ３ −４ ７５０ 実施例 ４ −６ ７００ 実施例 ５ −８ ４００ 実施例 ６ −１０ ３００ 比較例 １ −１ −−− 比較例 ２ −１２ ９０ 比較例１のサンプルはメッキ膜が剥離し、測定ができな
かった。
かった。
【００２３】
【表２】 表２ 試 料 Ｐｔイオン数／Ｃｏイオン数 保磁力（Oe） 実施例 ７ １／１０００ ６００ 実施例 ８ １／１００ ８００ 実施例 ９ １／１０ １０００ 実施例１０ １／２ ６００ 実施例１１ １／１ ４００ 比較例 ３ １／１００００ ２０ 比較例 ４ ２／１ 〜０
【００２４】
【表３】 表３ 試 料 ｐＨ 保磁力（Oe） 実施例１２ ２ ３００ 実施例１３ ２．５ ４００ 実施例１４ ３ ７００ 実施例１５ ５．５ ７００ 実施例１６ ６．５ ５００ 比較例 ５ １．５ ５０ 比較例 ６ ７ ５０
【００２５】前記の表１〜表３に示された結果から明ら
かなように、本発明の実施例１〜１６の磁気記録媒体は
磁気記録媒体として望ましい保磁力を有することが理解
できる。
かなように、本発明の実施例１〜１６の磁気記録媒体は
磁気記録媒体として望ましい保磁力を有することが理解
できる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
優れた保磁力を有し、耐食性およびＳ／Ｎ比が優れたＣ
ｏＰｔ電解メッキ膜を磁気記録層とする磁気記録媒体が
得られる。この媒体は従来のスパッタＣｏＰｔ膜に比べ
て、量産性の点でも著しく優れている。
優れた保磁力を有し、耐食性およびＳ／Ｎ比が優れたＣ
ｏＰｔ電解メッキ膜を磁気記録層とする磁気記録媒体が
得られる。この媒体は従来のスパッタＣｏＰｔ膜に比べ
て、量産性の点でも著しく優れている。
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 5/858 C25D 3/56 G11B 5/66
Claims (1)
- 【請求項１】 ＣｏＰｔからなる磁気記録層を有する磁
気記録媒体の製造方法において、前記ＣｏＰｔ磁気記録
層は、陽極に対する陰極の印加電圧を−１．５Ｖ〜−１
０Ｖの範囲内とし、メッキ浴中のＣｏイオンに対するＰ
ｔイオンの割合を１０-3〜１の範囲内とし、メッキ浴中
のｐＨを２〜６．５の範囲内とすることからなる電解メ
ッキ法により形成されることを特徴とする磁気記録媒体
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9949291A JP2963230B2 (ja) | 1991-04-04 | 1991-04-04 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9949291A JP2963230B2 (ja) | 1991-04-04 | 1991-04-04 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04307419A JPH04307419A (ja) | 1992-10-29 |
| JP2963230B2 true JP2963230B2 (ja) | 1999-10-18 |
Family
ID=14248799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9949291A Expired - Lifetime JP2963230B2 (ja) | 1991-04-04 | 1991-04-04 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2963230B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10614953B2 (en) * | 2016-01-12 | 2020-04-07 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Mitigation of contamination of electroplated cobalt-platinum films on substrates |
-
1991
- 1991-04-04 JP JP9949291A patent/JP2963230B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04307419A (ja) | 1992-10-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990727 |