KR100396845B1 - 정보 저장 장치 및 그것에 이용되는 정보 저장 매체 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 자기 매체의 비트 크기가 작아지고 가까와짐에 따라 발생하는 이웃한 자성체간의 간섭을 줄여 주기 위한 물질로서 탄소 나노 튜브를 이용하여 데이터의 안정성을 높일 수 있는 정보 저장 장치 및 그것에 이용되는 정보 저장 매체 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명에 따르면, 기판(Substrate) 위에 적층된 다공성 물질(Porous Material); 상기 다공성 물질의 다공 속에 담지되어 있고, 자기 분극 현상을 일으킴으로써, 자기 기록 매체 기능을 수행하는 강자성체(Ferromagnetic Material); 상기 강자성체에 자기장을 인가함으로써, 상기 강자성체에 자기 분극을 발생시켜 정보를 기록하는 정보 기록 수단; 및 상기 강자성체의 자기 분극에 의한 효과를 검출하여 분극 방향에 따른 정보 상태를 읽어내는 정보 읽기 수단을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 정보 저장 장치가 제공된다.
Description
본 발명은 정보 저장 매체(Data Storage Media)에 관한 것으로서, 특히, 나노 미터 크기의 데이터 사이즈를 가지는 수직 자기 기록 매체에 관한 것이다.
정보화가 고도화됨에 따라 정보 저장 장치의 고용량, 고속화가 급속하게 진행되고 있으며, 기록/재생이 가능한 고속, 고밀도 정보 저장 장치의 요구가 높아지고 있다. 일반적으로, 정보 저장 장치는 반도체를 이용한 메모리 등의 주기억 장치와 하드 디스크, CD-ROM 또는 CD-RW 등의 보조 기억 장치로 나누어 진다. 특히, 하드 디스크는 대용량의 정보를 빠르게 기록 및 재생할 수 있으므로, 현재의 컴퓨터의 보조 기억 장치로 널리 사용되고 있다.
현재의 평면형 자기 기록 매체를 이용한 하드 디스크의 단위면적당 기록할수 있는 데이터의 양, 즉, 면기록 밀도는 수십 Gbit/in2정도이며, 매년 60% 정도씩 증가하고 있는 추세이다. 이는 자기 기록 매체의 발달보다는 거대 자기 저항(Giant Magnetoresistence) 헤드의 개발 등에 기인한다. 자기 기록은 자성 매체 위에 날아다니는 헤드의 자기장의 방향에 의해 두 가지 자기 모멘트 방향에 의해 데이터 비트, 즉 0 또는 1이 기록된다. 자기 저장 장치의 재생은 기록된 bit의 자기 모멘트 방향에 따라 헤드의 유도 전류에 의해 검출된 전류를 통해 판독된다.
자기 기록 매체는 근본적으로 매체를 이루는 물질의 전자가 가지는 스핀의 장거리 질서(Long-Range Ordering)에 의한 강자성을 이용하고 있기 때문에, 기록 밀도가 증가함에 따라 필연적으로 자기 기록 매체의 열적인 불안정성, 즉 초상자기성 한계(Superparamagnetic Limit)에 직면하게 된다. 초반자기 한계(Superdiamagnetic Limit)보다 자기 매체의 도메인 부피가 작아지면, 열에너지에 의한 자발적인 자기 모멘트의 소멸이 일어나기 때문에 박막형의 자기 기록 매체는 약 100 Gbit/in2이상의 기록 밀도를 가질 수 없게 된다고 보고되고 있다.
이러한 수평 기록 방식의 한계를 뛰어넘기 위해서 수직형 자기 기록 매체를 개발하려는 노력이 현재 진행되고 있으나, 구체적인 연구 성과는 없는 실정이다.
상기 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 본 발명은, 나노 미터 크기의 안정된 수직 자기 기록 매체의 구조와 제작법을 제시하여 고집적/대용량을 구현하는 정보 저장 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 나노 미터 크기의 다공속에 담지된 강자성체로 구현된 수직형 자기 기록 매체의 간략한 구성도이고,
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 나노 미터 크기의 다공속에 성장된 탄소 나노 튜브와 상기 탄소 나노 튜브 속에 담지된 강자성체로 구현된 수직형 자기 기록 매체의 간략한 구성도이고,
도 2b는 도 2a에 도시된 탄소 나노 튜브속에 담지된 강자성체를 확대한 도면이고,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 자기 기록 매체에서 비트 셀의 분포를 개념적으로 도시한 도면이고,
도 4a 내지 도 4h는 본 발명의 일 실시예에 따른 나노 미터 크기의 수직 자기 기록 매체를 구현하기 위한 공정을 나타낸 도면이다.
※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ※
110 : 기판(Substrate)
120 : 다공성 물질(Porous Materials)
130 : 탄소 나노 튜브 (Carbon Nanotubes)
140 : 다공속에 담지된 강자성체(Ferromagnetic Materials)
150 : 보호막(Protecting Layer)
121 : 다공성 물질의 다공(Pore of Porous Materials)
131 : 흑연층(Graphitic Layer)
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 정보 저장 장치에 있어서, 기판(Substrate) 위에 적층된 다공성 물질(Porous Material); 상기 다공성 물질의 다공 속에 담지되어 있고, 자기 분극 현상을 일으킴으로써, 자기 기록 매체 기능을 수행하는 강자성체(Ferromagnetic Material); 상기 강자성체에 자기장을 인가함으로써, 상기 강자성체에 자기 분극을 발생시켜 정보를 기록하는 정보 기록 수단; 및 상기 강자성체의 자기 분극에 의한 효과를 검출하여 분극 방향에 따른 정보 상태를 읽어내는 정보 읽기 수단을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 정보 저장 장치가 제공된다.
또한, 기판(Substrate) 위에 다공성 물질(Porous Material)을 만들기 위한 박막을 증착하는 제 1 단계; 상기 박막을 전기 화학적 방법으로 다공을 형성시키는 제 2 단계; 상기 제 2 단계에서 형성시킨 다공 속에 탄소 나노 튜브(Carbon Nanotube)를 성장시키는 제 3 단계; 상기 제 3 단계에서 성장시킨 상기 탄소 나노 튜브 속에 자기 분극 현상을 일으켜 자기 기록 매체 기능을 수행하는 강자성체를 담지시키는 제 4 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 정보 저장 매체 제조 방법이 제공된다.
본 발명은 수직 자기 기록 방식을 채택함으로써, 기존의 박막형 자기 기록매체보다 획기적으로 기록 밀도를 높일수 있는데, 이상적으로는 수 Tbit/in2급 자기 기록 매체를 제공한다. 즉, 본 발명에서 제시하는 나노 구조의 자기 기록 매체는 초상자기성 한계(Superparamagnetic Limit)를 벗어나지 않으면서 안정된 나노 미터 크기의 비트 셀(Bit Cell)을 형성하여, 외부의 자기 헤드에서 인가되는 자기장에 의한 강자성체의 분극 반전을 이용하여 정보를 기록하고, 기록된 자기 분극과의 상호 작용 등에 의해 유도되는 헤드의 전류 변화를 감지함으로써, 기록된 정보를 읽어내는 자기 기록 장치에 이용할 수 있다.
또한, 본 발명의 자기 기록 매체는 나노 미터의 일정한 배열을 가지는 다공성 물질로서는 전기 화학적으로 플러스로 산화시킨(Anodizing) 다공성 알루미나(Al2O3)나 다공성 실리콘(Porous Silicon)을 적용하는 것이 바람직하고, 자성체로서는 Fe, Ni, Co등의 강자성 금속이나 이들의 합금, 또는 산화물계 강자성체를 모두 사용할 수 있다. 전기 화학적으로 플러스로 산화된(Anodizing) 다공성 알루미나(Al2O3)나 다공성 실리콘(Porous Silicon)의 다공의 크기는 Anodizing 조건에 의해 수 ~ 수십 나노 미터 크기로 조절이 가능하다. 특히, 수 ~ 수십 나노 미터 거리에 존재하는 이웃한 강자성체들간의 상호 작용에 의한 간섭을 줄여 주기 위해 먼저 탄소 나노 튜브를 다공성 물질의 다공 속에 성장시킨 후, 나노 튜브의 안쪽에 자성체를 담지하는 기술을 사용하는 것도 가능하다. 수 ~ 수십 나노 미터 크기의 다공성 물질의 다공(Pore) 속에 자성체를 담지시키기 위해서는 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition) 등의 고품질 나노 박막을 제조할 수 있는 공정을적용하는 것이 바람직하다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 일실시예를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 나노 미터 크기의 다공속에 담지된 강자성체로 구현된 수직형 자기 기록 매체의 간략한 구성도이다.
도면에 도시된 바와 같이, 본 발명에서 제시한 다공속에 담지된 강자성체로 구현된 수직형 자기 기록 매체는 기판(110) 위에 다공성 물질(120)과, 정보 저장 매체인 강자성체(140)로 이루어 진다. 매체가 산화 분위기에서 작동할 경우를 위해서는 산화를 막아주는 보호층(15)이 필요한 경우도 있다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 나노 미터 크기의 다공속에 성장된 탄소 나노 튜브와, 상기 탄소 나노 튜브 속에 담지된 강자성체로 구현된 수직형 자기 기록 매체의 간략한 구성도이고, 도 2b는 도 2a에 도시된 탄소 나노 튜브속에 담지된 강자성체를 확대한 도면이다.
도면에 도시된 바와 같이, 본 발명에서 제시한 탄소 나노 튜브 속에 담지된 강자성체로 구현된 수직형 자기 기록 매체는 기판(110) 위에 다공성 물질(120)과, 상기 다공성 물질(120)의 다공속에 성장된 단일겹(Single - Walled) 또는 다중겹(Multi - Walled) 탄소 나노 튜브(130)와, 상기 탄소 나노 튜브(130) 속에 담지된 정보 저장 매체인 강자성체(140)로 이루어진다.
상기 탄소 나노 튜브(130)는 금속성을 가지고 있기 때문에 이웃한 자성체간의 자기장의 영향을 줄여 주는 역할을 함으로써, 데이터의 안정성을 증가시킨다. 또한, 외부의 화학 물질을 막아주고 열전도성을 좋게 하기 때문에 자기 반전의 반복에 의한 자성체의 열화를 방지하는 역할도 한다. 보호막(150)은 도 1에서와 마찬가지로 필요한 경우 적용될 수 있다.
상기의 강자성체 매체(140)는 미리 형성된 다공의 크기를 가지는 비트 셀로 구분이 되는데, 상기 각각의 강자성체는 외부에서 인가된 자기장에 의해 발생한 자기 분극에 따라 0 또는 1 상태를 가지게 되며, 다공막으로 분리되어 있어 비트 셀 내부에서만 분극 방향이 일정하게 된다.
상기 강자성체는 외부에서 인가하는 자기장의 방향에 따라 강자성체를 구성하는 내부 원자의 스핀 상태의 변화가 일어나 특정한 방향성을 가지는 분극을 발생하고, 같은 방향으로 정렬된 자기 분극들의 모임이 바로 기록된 정보가 된다. 이를 위하여 정보를 한 비트씩 기록할 때 하나의 비트 셀에만 국소적으로 일정한 방향으로 분극이 유도되도록, 기록 수단으로서, 미세 전극 자기 헤드를(도면에 도시되지 않음) 매체의 상부에 위치시켜 외부 자기장을 가해 준다. 상기 비트 셀 내부의 분극은 보자력(coercive field) 이상의 외부 자기장이 인가되지 않는 다상 오랜 시간동안 유지된다.한편, 이러한 상기 미세 전극 자기 헤드는 통상적으로 알려진 기술로써, 한국특허등록 0335705 또는 0328158 등에 상세하게 서술되어 있는 바, 본 발명에서는 이를 특별한 수정없이 사용할 수 있다.
이러한 강자성체에 자기장을 인가하여 자기 분극을 발생시킴으로써, 정보를 기록할 수 있으며, 이는 통상적인 헤드 등의 정보 기록 수단을 사용할 수 있다. 또한, 상기 강자성체에 원하는 정보가 이미 기록이 되면, 통상적인 헤드 등의 정보읽기 수단을 사용하여 이러한 자기 분극에 의한 효과를 검출함으로써, 정보 상태를 읽을 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 자기 기록 매체에서 비트 셀의 분포를 개념적으로 도시한 도면으로서, 위의 그림은 디스크형 자기 기록 매체를 도시한 것이고, 아래 그림은 위의 그림의 사각형 부분을 확대하여 위에서 보았을 때의 비트 셀의 형태를 도시한 것이다.
통상의 경우 다공성 물질이 형성될 때, 자발적으로 육각 구조(Hexagonal Structure) 또는 정방 구조(Cubic Structure)를 가지는데, 육각 구조의 경우가 기록 밀도가 더 높게 된다. 본 발명의 비트 셀은 수 ~ 수십 나노 미터의 크기를 가질 수 있고, 정확한 크기는 다공성 물질을 형성하는 조건에 의해 조절할 수 있다.
도 4a 내지 도 4h는 본 발명의 일 실시예에 따른 나노 미터 크기의 수직 자기 기록 매체를 구현하기 위한 공정을 나타낸 도면으로서, 이를 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 4a는 기판(110)위에 다공성 물질을 만들기 위한 박막(120)을 증착시킨 후의 단면도이다. 다공성 물질을 만들기 위한 박막(120)은 통상의 물리적 증착, 또는 화학적 증착을 이용하여 박막으로 증착시키고, 그 재질로는 다공성 알루미나(Porous Alumina, Al2O3)나 다공성 실리콘(Porous Silicon)등을 사용하는 것이 바람직하다.이러한 물리적 또는 화학적 증착 방법은 대상이 되는 물질(가령, 알루미늄 금속)을 스퍼터링(Sputtering)하는 방법, e-beam Evoporation 방법, Thermal Evaporation 방법 등을 선택하여 사용할 수 있는 바, 이러한 증착 방법은 통상적으로 널리 알려진 기술로서, 본 발명에서도 특별한 수정없이 사용할 수 있다.
도 4b는 상기 기판(110)과 다공성 물질을 만들기 위한 상기 박막(120)을 전기 화학적 방법으로 다공(121)을 형성하였을 때의 단면도이다. 앞서 언급하였듯이 다공의 크기는 수 ~ 수십 나노 미터의 크기를 가질 수 있고, 정확한 크기는 다공성 물질을 형성하는 조건에 의해 조절할 수 있다.이러한 다공 형성 방법도 통상적으로 널리 알려진 기술로서, 본 발명에서 특별한 수정없이 사용할 수 있으며, 가장 최근에 이에 관련된 기술로는 2000년 상반기에 발표된 "Applied Physics Letter, Volume 76, pp. 49-51"에 기재되어 있다.
도 4c는 상기 기판(110)과 상기 다공성 물질(120)의 다공(121)에 자성체를 담지한 후의 단면도이다. 다공의 크기가 수 ~ 수십 나노 미터 크기이므로 통상적인 물리적 증착 또는 화학적 증착으로는 균일한 자성체를 다공속에 담지할 수 없기 때문에 나노 미터 크기의 단차 피복 특성(Stack Coverage)이 우수한 원자층 증착법을 이용하는 것이바람직하다. 또한, 상기 다공성 물질(120)과 표면 장력이 큰 강자성체의 경우에는 용융 용액 형태로 만들어 모세관 현상을 이용하여 담지하는 것도 가능하다.이러한 자성체 담지 방법도 종래에 널리 알려진 기술로서, 본 발명에서 수정없이 사용할 수 있는 바, 단차 피복 특성이 우수한 원자층 증착법에 의한 박막 증착법은 한국 특허 등록 0343144, 0319880 등에 상세하게 기술되어 있고, 모세관 현상에 의한 용융액의 담지 방법은 1993년에 발표된 "Nature, Volume 361, pp333-335"에 기술되어 있다.
도 4d는 도 2a 및 도 2b에 도시된 탄소 나노 튜브에 담지된 자성체를 만들기 위한 과정을 보여 준다. 상기 기판(110)과 상기 다공성 물질(120)의 다공(121)에 탄소 나노 튜브(130)를 성장시킨 후의 단면도이다. 상기 탄소 나노 튜브(130)는 탄소를 포함하는 분자나 고분자를 화학 기상 증착법(CVD : Chemical Vapor Deposition) 또는 열 분해법등으로 성장시킬 수 있는데, 다공의 크기에 따라 단일겹 또는 다중겹 탄소 나노 튜브가 생성된다. 또한, 알루미나등을 다공 물질로 이용할 경우, 다공의 위쪽에 흑연층(131)이 형성될수 있는데, 이는 산화 분위기에서 에칭(Etching)해 낼 수 있다.이러한 탄소 나노 튜브 성장시 화학 기상 증착 방법 및 열 분해법 등은 종래에 널리 알려진 기술로서, 본 발명에서 수정없이 사용할 수 있는 바, 이에 관한 최근의 공개된 기술 문헌으로는 한국 특허 등록 0335383, 0360470, 0358972 등에 상세하게 기재되어 있다.
도 4e는 도 4d에서 다공의 위쪽에 있는 상기 흑연층(131)을 에칭하여 끝이 열린 탄소 나노 튜브를 형성했을 때의 단면도이다. 에칭은 산소 분위기에서 700℃이상 가열하거나 질산에 녹여 내는 방법을 사용할 수 있다.
도 4f는 도 4e에서 생성된 끝이 열린 탄소 나노 튜브 속에 자성체를 담지했을 때의 단면도이다. 자성체를 담지하는 방법은 상술한 원자층 증착법이나 용융 용액의 모세관 현상을 이용하는 것이 바람직하다. 자성체를 담지한 후, 필요에 따라서는 탄소 나노 튜브 끝을 닫아줄 필요가 있는데, 이는 400℃ 정도에서의 열처리나 레이저 빔 조사를 통하여 이룰 수 있다.
도 4g 및 도 4h는 각각 도 4c와 도 4f에서 형성된 자기 기록 매체에 보호층(150)을 도포하였을 때의 단면도이다. 통상적인 하드 디스크는 진공 패키징된 박스에 매체가 들어 있기 때문에 보호층이 필요하지 않지만, 분리형 디스크의 경우 매체의 산화를 막기 위한 고분자 필름 등의 도포가 필요한 경우도 있다.
이상에서 설명한 본 발명은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하므로 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 나노 미터 크기의 수직 자기 기록 매체를 제공하여 자기 기록의 기록 밀도를 획기적으로 증가시킬 방법을 제시하였다. 또한 자기 매체의 비트 크기가 작아지고 가까와짐에 따라 발생하는 이웃한 자성체간의 간섭을 줄여 주기 위한 물질로서 탄소 나노 튜브를 이용하여 데이터의 안정성을 높일 수 있는 매체를 제공하는 효과가 있다.
Claims (14)
- 정보 저장 장치에 있어서,기판(Substrate) 위에 적층된 다공성 물질(Porous Material);상기 다공성 물질의 다공 속에 담지되어 있고, 자기 분극 현상을 일으킴으로써, 자기 기록 매체 기능을 수행하는 강자성체(Ferromagnetic Material);상기 강자성체에 떨어져서 위치하여, 상기 강자성체에 자기장을 인가함으로써 상기 강자성체에 자기 분극을 발생시켜 정보를 기록하는 정보 기록 수단; 및상기 강자성체의 자기 분극에 의한 효과를 검출함으로써, 분극 방향에 따른 정보 상태를 읽어내는 정보 읽기 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 정보 저장 장치.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 강자성체는 나노 미터 크기의 탄소 나노 튜브(Carbon Nanotubes) 속에 담지되어 상기 다공성 물질의 다공 속에 형성된 것을 특징으로 하는 정보 저장 장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 다공성 물질은,기록 밀도를 높이기 위하여 육각 구조(Hexagonal Structure)로 형성된 것을 특징으로 하는 정보 저장 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 강자성체를 담지하기 위한 다공성 물질로서, 다공성 알루미나(Porous Alumina) 또는 다공성 실리콘(Porous Silicon) 중 어느 하나를 사용하여 제조된 것을 특징으로 하는 정보 저장 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 강자성체가 산화 분위기에서 작동하는 경우 산화를 막기 위하여 상기 강자성체 표면 위에 보호층을 적층시킨 것을 특징으로 하는 정보 저장 장치.
- 기판(Substrate) 위에 다공성 물질(Porous Material)을 만들기 위한 박막을 증착하는 제 1 단계;상기 박막을 전기 화학적 방법으로 다공을 형성시키는 제 2 단계;상기 제 2 단계에서 형성시킨 다공 속에 탄소 나노 튜브(Carbon Nanotube)를 성장시키는 제 3 단계;상기 탄소 나노 튜브의 끝을 열리도록 에칭하는 제 4 단계;상기 탄소 나노 튜브 속에 자기 분극 현상을 일으켜 자기 기록 매체 기능을 수행하는 강자성체를 담지시키는 제 5 단계; 및상기 강자성체가 담지된 탄소 나노 튜브의 열린 끝을 닫는 제 6 단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 정보 저장 매체 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 다공성 물질을 만들기 위한 박막은 다공성 알루미나(Porous Alumina, Al2O3) 또는 다공성 실리콘(Porous Silicon) 중 어느 하나를 이용하여 형성시키는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 정보 저장 매체 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 제 3 단계는,상기 탄소 나노 튜브는 탄소를 포함하는 분자를 화학 기상 증착법(CVD : Chemical Vapor Deposition) 또는 열분해법 중 어느 하나를 사용하여 성장시키는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 정보 저장 매체 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 제 5 단계는,상기 탄소 나노 튜브 속에 상기 강자성체를 담지하기 위하여 원자층 증착법을 사용하여 담지하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 정보 저장 매체 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 제 5 단계는,상기 탄소 나노 튜브 속에 상기 강자성체를 담지하기 위하여 상기 강자성체를 용융 용액 형태로 만들어 모세관 현상을 이용하여 담지하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 정보 저장 매체 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 탄소 나노 튜브를 성장시킬 때, 상기 다공의 위쪽에 흑연이 형성되면, 상기 흑연을 에칭함으로써, 상기 탄소 나노 튜브의 끝을 열리게끔 하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 정보 저장 매체 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 흑연을 에칭하여 상기 탄소 나노 튜브 끝이 열린 경우, 상기 자성체를 담지한 후, 열처리 방법 또는 레이저 빔 조사 방법 중 어느 하나 이상을 사용하여 상기 탄소 나노 튜브 끝을 닫아주는 단계를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 정보 저장 매체 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 강자성체의 산화를 막기 위하여 상기 강자성체의 표면 위에 보호층을 형성시키는 단계를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 정보 저장 매체 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-0073340A KR100396845B1 (ko) | 2000-12-05 | 2000-12-05 | 정보 저장 장치 및 그것에 이용되는 정보 저장 매체 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-0073340A KR100396845B1 (ko) | 2000-12-05 | 2000-12-05 | 정보 저장 장치 및 그것에 이용되는 정보 저장 매체 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20020044312A KR20020044312A (ko) | 2002-06-15 |
| KR100396845B1 true KR100396845B1 (ko) | 2003-09-02 |
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ID=27679638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-0073340A KR100396845B1 (ko) | 2000-12-05 | 2000-12-05 | 정보 저장 장치 및 그것에 이용되는 정보 저장 매체 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100396845B1 (ko) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100611683B1 (ko) * | 2005-03-24 | 2006-08-14 | 한국과학기술연구원 | 강유전체 나노 튜브 어레이 고밀도 기록 매체 |
| US8437104B2 (en) * | 2006-04-06 | 2013-05-07 | Sigma Pro Ltd. Llc | Read/write apparatus and method for a magnetic storage medium comprised of magnetic nanoparticles contained within nanotubes |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR860002787A (ko) * | 1984-09-18 | 1986-04-30 | 나가이 아즈시 | 자기 디스크 |
| JPS61229248A (ja) * | 1985-04-03 | 1986-10-13 | Nippon Gakki Seizo Kk | 光磁気記録媒体およびその製法 |
| JPS62109231A (ja) * | 1985-11-07 | 1987-05-20 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS63108535A (ja) * | 1986-10-24 | 1988-05-13 | Ricoh Co Ltd | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| US5923511A (en) * | 1995-05-26 | 1999-07-13 | International Business Machines Corporation | Directly contactable disk for vertical magnetic data storage |
-
2000
- 2000-12-05 KR KR10-2000-0073340A patent/KR100396845B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR860002787A (ko) * | 1984-09-18 | 1986-04-30 | 나가이 아즈시 | 자기 디스크 |
| JPS61229248A (ja) * | 1985-04-03 | 1986-10-13 | Nippon Gakki Seizo Kk | 光磁気記録媒体およびその製法 |
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| JPS63108535A (ja) * | 1986-10-24 | 1988-05-13 | Ricoh Co Ltd | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| US5923511A (en) * | 1995-05-26 | 1999-07-13 | International Business Machines Corporation | Directly contactable disk for vertical magnetic data storage |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20020044312A (ko) | 2002-06-15 |
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