KR100611683B1 - 강유전체 나노 튜브 어레이 고밀도 기록 매체 - Google Patents

강유전체 나노 튜브 어레이 고밀도 기록 매체 Download PDF

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Abstract

본 발명은 강유전체의 잔류분극을 이용한 나노 스토리지 기록 매체에 관한 것이다. 본 발명의 강유전체 나노 튜브 어레이의 형성 방법은 기판 상의 알루미늄의 표면을 전기연마 처리하는 단계, 표면 처리된 알루미늄 전체 표면을 1차 아노다이징하여 불규칙적인 알루미나 나노 기공을 형성하는 단계, 불규칙적인 알루미나 나노 기공을 제거하는 단계, 알루미늄을 2차 아노다이징하는 단계, 알루미나 나노 기공이 형성된 기판을 졸겔 용액에 침지하여 나노 기공 속으로 졸겔 용액을 충전시키는 단계, 기판을 건조시킨 후 겔 상태의 기판을 열처리한 후 냉각하는 단계, 기판 상부에 부가적으로 형성된 강유전체 상부 박막을 제거하는 단계를 포함한다.
강유전체, 나노 튜브 어레이, 나노 스토리지, 고밀도 기록 매체

Description

강유전체 나노 튜브 어레이 고밀도 기록 매체{Ferroelectric Nano Tube Array High Density Recording Media}
도 1은 알루미늄 나노 기공에 삽입된 강유전체 나노 튜브의 사진.
도 2는 나노 스토리지 기록 매체 개념 설명을 위한 사진.
도 3은 강유전체의 전계-분극 히스테리시스 곡선을 보여주는 그래프.
도 4는 밀리페드 강유전체 나노 기록 매체 정보 읽기에 사용되는 다중 프로브 형상을 보여주는 사진.
도 5는 강유전체 나노 튜브 어레이에 인가되는 인가 전압의 극성에 따른 강유전 분극 변환 모습을 보여주는 사진.
도 6은 실리콘 기판 위에 알루미나 나노 기공을 형성하는 방법을 보여주는 모식도.
도 7은 잘 정렬된 알루미나 나노 기공 형성 과정을 보여주는 사진.
도 8은 알루미나 나노 기공의 표면 및 단면 형상을 보여주는 사진.
도 9는 알루미나 나노 기공에 형성된 강유전체 나노 튜브 다발 및 상부 층의 모습을 보여주는 사진.
도 10은 하드 디스크 드라이브용 알루미늄 디스크에 형성된 알루미나 나노 기공을 보여주는 사진.
[1] R. Waser, "Nanoelectronics and Information Technology," 2003, Wiley-VCH
[2] T. Morita and Y. Cho,“Polarization reversal anti-parallel to the applied electric field observed using a scanning nonlinear dielectric microscopy," Appl. Phys. Lett. 84(2), 2004 p257.
[3] K. Fujimoto and Y. Cho, "High speed switching of nanoscale ferroelectrtic domains in congruent single crystal LiTaO3, "Appl. Phys. Lett. 83(25), 2003 p5265.
[4] Y. Cho, K, Fujimoto et al., "Tbit/inch2 ferroelectric data storage based on scanning nonlinear dielectric microscopy, "Appl. Phys. Lett. 81(23), 2002 p4401.
[5] K. Terabe, M. Nankmura, et al., "Microscale to nanoscale ferroelectric domain and surface engineering of a near stoichiometric LiNbO3 crystal, "Appl. Phys. Lett. 82(3), 2003 p433.
본 발명은 강유전체의 잔류분극을 이용한 나노 스토리지(Nano storage) 기록 매체(Recording media)에 관한 것이다.
기존의 기술은 여러 개의 원자탐침(Atomic force microscopy tip)을 이용하여 전계 인가에 따른 강유전체 단결정의 분극 방향을 변화시켜 데이터를 저장하는 밀리페드(Millipede) 기술이다.
이 기술은 단결정의 국소 부분의 강유전체 분극 방향을 변경시켜 데이터를 기록하고, 이 부분을 감지하여 데이터를 읽는 방식을 사용한다 [1-5 참고]. 따라서, 강유전체 단결정의 국부적인 분극의 격리(isolation)가 필요하고, 이 때문에 고밀도 정보기록 매체 구현의 어려움이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 고밀도화가 가능하고, 제조 공정의 용이성 및 공정 비용 절감 및 대면적화가 용이한 강유전체 나노 튜브 어레이 고밀도 기록 매체를 제공하는 것이다.
본 발명은 잘 정렬된 알루미나 나노기공을 사용하여 전기적으로 격리된 강유전체 나노 튜브 어레이를 제조하고, 이를 사용하여 고밀도 강유전체 기록 매체에 응용하는 기술에 관한 것이다.
본 발명에서는 기존의 강유전체 단결정 기판 대신에, 수십 나노미터의 간격을 가진 수십 나노미터 크기의 강유전체 나노 튜브 어레이를 제조하여 데이터 저장 위치를 상호 격리하였고, 이에 의해 테라비트급 (Tbit/inch2) 고밀도 기록 매체로 활용이 가능한 강유전체 나노 튜브를 제공할 수 있다.
본 발명의 강유전체 나노 튜브 어레이는 강유전체 나노 튜브 어레이 대용량 기록 매체 기술을 구현하기 위해 잘 배열된 알루미나 나노 기공 어레이 형성 공정 및 상기 나노 기공에 강유전체 나노 튜브 어레이를 형성시키는 공정으로 제조할 수 있다.
알루미나 나노 기공 어레이 형성 공정은 잘 정렬된 기둥 모양의 수십 나노 미터 직경의 나노 기공 어레이 구현이 중요하며, 기판 상에 형성된 알루미늄의 표면을 전기연마 처리하는 단계, 표면 처리된 알루미늄 전체 표면을 1차 아노다이징하여 알루미나 나노 기공을 형성하는 단계, 불규칙적인 1차 알루미나 나노 기공을 제거하는 단계 및 알루미늄을 2차 아노다이징하는 단계를 포함한다.
본 발명의 방법에서, 아노다이징 용액에 노출되는 부분만 알루미나 나노 기공을 형성시키기 위해 알루미늄 표면의 전기연마 처리 단계 후에 반도체 포토 리소그라피 공정을 이용하여 알루미늄 표면의 일부에 용액이 접촉되지 않는 패턴을 형성하는 단계를 추가로 포함할 수 있다.
1차 및 2차 아노다이징에 사용되는 용액의 예로는 황산, 옥살산, 인산 등을 언급할 수 있고, 이로 제한되지 않는다. 아노다이징의 조건은 0.3-1.0 몰%의 아노다이징 용액, 25 - 160 V/cm2 (시편 넓이)의 전계를 사용한다.
상기 1차 아노다이징 결과로 표면에 불규칙적으로 형성된 알루미나 나노 기공을 1차 제거하여 시작점을 형성하고, 2차 아노다이징에 의해 잘 정렬된 알루미나 나노 기공을 형성한다.
강유전체 나노튜브 어레이 저장 매체를 구성하기 위해서는 강유전체 나노튜브 어레이 하단부에 전극이 필요하며, 이를 위해 아노다이징되지 않은 알루미늄 층을 사용하거나, 하부 실리콘에 도핑을 다량 실시하여 실리콘 반도체의 전도도를 높이는 방법 등을 사용할 수 있다. 양질의 알루미나 나노 기공 형성을 위해서는 용액에 전계를 가하여 표면을 연마하는 전기 연마법으로 표면 처리를 실시할 수 있다. 전기 연마법을 위해 사용될 수 있는 용액의 예로는 과염소산 (HClO4) 등을 언급할 수 있고, 이로 제한되지 않는다.
상기와 같이 잘 배열된 알루미나 나노 기공 어레이를 형성한 후에 형성된 나노 기공에 강유전체 나노 튜브 어레이를 형성시키는 공정을 수행한다.
강유전체 나노 튜브 어레이를 형성시키는 공정은 잘 정렬된 알루미나 나노 기공이 형성된 기판을 졸겔 용액에 침지하여 나노 기공 속으로 졸겔 용액을 충전시키는 단계, 기판을 건조시킨 후 겔 상태의 기판을 열처리한 후 냉각하는 단계 및 도 9의 (91)처럼 기판 상부에 부가적으로 형성된 강유전체 상부 박막 부분을 고주파 플라즈마 에칭에 의해 제거하는 단계를 포함한다.
상기 알루미나 나노 기공이 형성된 기판을 침지시키는 졸겔 용액으로는 PbZrO3 (PZT) 형성용 졸겔 용액 (Pb, Zr, Ti 알콕사이드 용액)과 같은 강유전체 졸겔 용액을 사용할 수 있다.
본 발명의 일실시태양에서, 상기와 같이 알루미나 나노 기공 내벽에 형성된 강유전체 나노 튜브 주위의 전기적으로 격리된 알루미나 층을 선택적으로 일부 제거한 도 1의 (12)의 구조에서 강유전체 나노 튜브를 분명하게 관찰할 수 있다.
도 2는 본 발명으로 형성한 강유전체 나노 튜브 어레이의 모습이다. 도 2에서, (21)과 (23)의 교차점에 해당하는 부분에 전계를 가하면, 이 부분에 격리된 강유전체 나노 튜브가 분극되어 정보를 저장하게 된다. 이 경우, 사이에 있는 알루미나에 의해 주위의 다른 강유전체 나노 튜브 데이터점과 격리된 구조를 가지게 된다. 이 지점의 정보는 데이터를 읽기 위해 동일한 점에서 전계를 감지하면 정보를 읽게 된다.
이러한 과정의 반복으로, 국부적인 영역에서의 분극 상태를 데이터점으로 사용할 때, 기존 단일 강유전체 단결정보다 수월하게 강유전체 분극점을 유지할 수 있는 장점이 있다.
이러한 현상은 도 3처럼 전계(E)를 가하면 강유전체 나노 튜브 어레이에 형성되는 강유전성 잔류분극(Remnant Polarization, Pr)이 형성되고, 이 데이터점은 전계를 제거하여도 그대로 남게 되어 비휘발성 정보기록 매체로 활용이 가능하다.
도 2에서 (21)과 (23)의 교차점에 저장된 잔류분극 정보는 강유전체 나노 튜브 사이에 존재하는 알루미나 층에 의해 전기적으로 격리되고, 이러한 전기적 독립성은 전계에 의한 정보저장의 고밀도화를 고려한 데이터 저장점의 피치를 결정하게 된다. 도 2에서 데이터 저장 피치는 (21)과 (22)의 두 선 사이로 정의될 수 있고, 이를 바탕으로 환산하면, 본 실시태양에서 구현할 수 있는 기록 매체의 밀도는 60 Gbit/제곱인치 정도이다.
도 2의 (21)과 (23)의 교차점 부위에 도 4와 같은 극소형 탐침 어레이 (42)를 사용하여 전계를 인가하여 정보를 저장하고, 정전기를 측정하여 정보 읽기를 수행할 수 있다. 도 4의 탐침 어레이는 (41)과 같은 단일 탐침으로 강유전체 나노 튜브 어레이 정보 기록 자리에 정보 쓰기를 수행하며, 이동 거리를 짧게 하고, 다음 정보 저장 나노 튜브 어레이에 인가되는 전계는 도 4의 (42)와 같이 탐침 어레이를 구성하여 고밀도 정보저장 매체의 정보 읽고 쓰기를 수행한다.
본 발명의 강유전체 나노 튜브 어레이를 형성하는 기판으로는 실리콘 기판 위에 형성된 알루미늄 박막을 사용할 수도 있지만, 기존 생산되는 하드 디스크 드라이브(HDD)용 알루미늄 합금 디스크를 사용하면 강유전체 나노 튜브 어레이 정보 저장 장치를 상업화할 수 있다는 장점이 있다. 전기 연마 (Electro polishing) 방법으로 알루미늄 합금 디스크의 표면을 평탄하게 한 후, 알루미늄 박막에서의 아노다이징 조건과 동일한 조건으로 1차 아노다이징한 후에 형성된 나노 기공의 형태는 도 10과 같이 잘 정렬되고 있다. 이러한 알루미나 나노 기공을 사용하여 강유전체 나노 튜브 어레이를 형성하면, 기존 알루미늄 합금을 이용하여 저가의 강유전체 나노 튜브 어레이 고밀도 기록 매체를 제조할 수 있다.
이하에 상기한 본 발명의 바람직한 실시예를 참고하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명이 이로 제한되는 것은 아니다.
실시예 1
도 6에서와 같이, 실리콘 기판 위에 형성된 알루미늄 박막을 표 1과 같은 조건으로 아노다이징하여 알루미나 나노 기공 어레이를 형성하였다.
(61)은 실리콘 기판 위에 알루미늄을 형성하는 단계이다. 강유전체 나노튜브 어레이 저장 매체를 구성하기 위해서는 강유전체 나노튜브 어레이 하단부에 전극이 필요하며, 이 전극으로서 아노다이징되지 않은 전기전도가 가능한 알루미늄 층을 사용하였다. (62)에서 양질의 알루미나 나노 기공 형성을 위해 전기 연마를 수행하였다. 전기 연마는 과염소산 (HClO4)과 에틸 알콜을 1:5로 혼합한 용액에 시편을 침지한 후 18V의 전계를 인가하여 수행하였다. (63)처럼, 알루미늄을 아노다이징하여 1차적으로 불규칙적인 알루미나 나노 기공을 형성하고, (64)처럼 1 몰% NaOH 용액으로 1차적으로 형성된 알루미나 나노 기공을 제거하여 잘 정렬된 아노다이징 공정 시작점을 형성하였다. 이 부분에 (65)처럼 2차 아노다이징을 수행하여 양질의 알루미나 나노 기공을 형성하였다. 여기서 1차 아노다이징과 2차 아노다이징에 사용된 아노다이징 용액과 인가 전압 등의 조건은 동일하였다.
형성된 단계별 알루미나 나노 기공의 형상은 도 7과 같고, 여기서 (72)의 1차 아노다이징 결과로 표면에 불규칙적으로 형성된 알루미나 나노 기공이 (73)과 같이 1차 제거에 의해 시작점을 형성하고, (75)처럼 2차 아노다이징에 의해 잘 정렬된 알루미나 나노 기공이 형성되었다. 최종적으로 형성된 알루미나 나노 기공의 표면 모습은 도 8의 (81)과 같고, 단면 모습은 (82)와 같다.
아노다이징에 사용된 용액의 종류, 농도, 인가 전압 및 그에 따른 대표적인 나노 기공의 직경을 표 1에 정리하였다.
아노다이징 용액 농도 (mol%) 전압 (V) 대표적인 공극 직경 (nm)
황산 0.5 25 30
옥살산 0.3 40 45
인산 1.0 160 400
실시예 2
도 1은 알루미나 나노 기공에 형성된 강유전체 나노 튜브의 형상을 나타내고 있다. 이러한 강유전체 나노 튜브 어레이를 형성하기 위해서는 다음의 순서를 따른다.
먼저, 잘 정렬된 알루미나 나노 기공 시편의 나노 기공을 진공으로 유지된 상태에서, PbZrO3 (PZT) 형성용 졸겔 용액 (Pb, Zr, Ti 알콕사이드 용액, 한국 이노스텍사 제품)에 담근 후, 용액을 상압으로 5분 유지하여, 나노 기공 속으로 졸겔 용액이 충분히 채워진 후 대기 중에서 건조시켰다. 건조된 겔 상태의 PZT 함입 기판을 섭씨 600도에서 6시간 열처리하였다. 건조 겔 PZT의 열처리 중 과잉 수축에 따른 크랙 발생을 억제하기 위해 20 시간 정도에 걸쳐서 서서히 냉각하였다. 이후에, 도 9와 같이 강유전체 나노튜브 어레이 다발 상부에 부가적으로 형성된 상부 PZT 박막층을 20W 고주파(RF) 플라즈마 에칭법으로 제거하고, 그 구조는 도 1의 (11)의 사진에서 확인할 수 있다. 여기서, 알루미나 나노 기공 내벽에 형성된 강유전체 나노 튜브를 관찰할 수 있다.
강유전체 나노 튜브 주위의 전기적으로 격리된 알루미나 층을 1 몰% NaOH 용액으로 선택적으로 일부 제거하면, 도 1의 (12)의 구조처럼 강유전체 나노 튜브를 분명하게 관찰할 수 있다. 형성된 강유전체 나노 튜브를 40도 기울여 보면, 도 1의 (13)처럼 정렬된 3차원 구조를 관찰할 수 있다.
실시예 3
실시예 1에서 제조한 강유전체 나노 튜브 어레이의 국부적인 잔류분극 저장 가능성에 관한 결과는 도 5와 같다. 도 5의 (51)의 정전기력 미세사진 (Electrostatic Force Microscope, EFM)에서 밝은 부분과 진한 부분이 잔류분극의 차이를 나타내고 있다. 전계를 인가하지 않을 때의 정전기력 미세사진 모습은 (51)과 같고, 2 V의 전계를 인가했을 때는 (52)처럼 밝기의 차이가 심화되고, -2V의 전계를 인가할 때에 (53)과 같이 명암이 약하게 변하는 모습을 관찰할 수 있다. 이 결과로부터 강유전체 나노 튜브 어레이를 전계의 극성 변화에 의해 두 종류의 전하를 가진 잔류 분극시킴으로써, 고밀도 정보 기록 매체로 활용이 가능함을 알 수 있다.
본 발명에 따른 강유전체 고밀도 기록 매체는 전기적으로 격리된 나노 튜브 어레이를 사용하여 고밀도화가 가능한 강유전체 기록 매체로 제조할 수 있고, 또한 이를 형성하는 공정이 용이하고, 공정 비용이 저렴하고, 강유전체 나노 튜브의 대면적화가 가능하다는 잇점을 갖는다. 본 발명의 방법으로 제조된 전기적으로 격리된 강유전체 나노 튜브 어레이는 밀리페드 방식으로 정보 저장, 읽기를 수행할 수 있는 강유전체 정보 기록매체로 사용할 수 있다.

Claims (4)

  1. 기판 상에 형성된 알루미늄의 표면을 전기연마 처리하는 단계,
    표면 처리된 알루미늄 전체 표면을 1차 아노다이징하여 불규칙적인 알루미나 나노 기공을 형성하는 단계,
    불규칙적인 알루미나 나노 기공을 제거하는 단계,
    알루미늄을 2차 아노다이징하는 단계,
    상기 단계에서 제조된 알루미나 나노 기공이 형성된 기판을 졸겔 용액에 침지하여 나노 기공 속으로 졸겔 용액을 충전시키는 단계,
    기판을 건조시킨 후 겔 상태의 기판을 열처리한 후 냉각하는 단계,
    기판 상부에 부가적으로 형성된 강유전체 상부 박막을 플라즈마 에칭에 의해 제거하는 단계
    를 포함하는 강유전체 나노 튜브 어레이의 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 기판이 HDD용 알루미늄 합금 디스크인 방법.
  3. 제1항에 있어서, 아노다이징 용액에 노출되는 부분만 알루미나 나노 기공을 형성시키기 위해 알루미늄 표면의 전기연마 처리 단계 후에 반도체 포토 리소그라피 공정을 이용하여 알루미늄 표면의 일부에 용액이 접촉되지 않는 패턴을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
  4. 삭제
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103498178A (zh) * 2013-09-30 2014-01-08 南方科技大学 透明导电薄膜及其制备方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001305360A (ja) 2000-04-25 2001-10-31 Canon Inc 構造体、構造体の製造方法、発光デバイス、および発光デバイスの製造方法
US6359288B1 (en) 1997-04-24 2002-03-19 Massachusetts Institute Of Technology Nanowire arrays
KR20020037428A (ko) * 2000-11-14 2002-05-21 서정쌍 반도체 다이오드의 성질을 나타내는 탄소나노튜브 및 상기탄소나노튜브의 제조를 위한 다공성 알루미나 나노틀의세공을 파는 방법
KR20020044312A (ko) * 2000-12-05 2002-06-15 오길록 정보 저장 장치 및 그것에 이용되는 정보 저장 매체 제조방법
US20020118027A1 (en) 2000-10-24 2002-08-29 Dmitri Routkevitch Nanostructured ceramic platform for micromachined devices and device arrays
KR20030075227A (ko) * 2002-03-16 2003-09-26 김영식 금속 나노 막대 제조용 다공성 알루미나 및 그의 제조방법
KR20030084279A (ko) * 2002-04-26 2003-11-01 이진규 다공성 알루미나 또는 나노패턴 알루미늄을 이용하여대면적의 나노표면 구조를 가지는 물질을 제조하는 방법
WO2004097894A2 (en) 2002-08-28 2004-11-11 University Of Pittsburgh Self-organized nanopore arrays with controlled symmetry and order
JP2004323975A (ja) 2003-04-21 2004-11-18 Samsung Electronics Co Ltd 自己整列化ナノチャンネルアレイの製造方法及び自己整列化ナノチャンネルアレイを利用したナノドットの製造方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6359288B1 (en) 1997-04-24 2002-03-19 Massachusetts Institute Of Technology Nanowire arrays
JP2001305360A (ja) 2000-04-25 2001-10-31 Canon Inc 構造体、構造体の製造方法、発光デバイス、および発光デバイスの製造方法
US20020118027A1 (en) 2000-10-24 2002-08-29 Dmitri Routkevitch Nanostructured ceramic platform for micromachined devices and device arrays
KR20020037428A (ko) * 2000-11-14 2002-05-21 서정쌍 반도체 다이오드의 성질을 나타내는 탄소나노튜브 및 상기탄소나노튜브의 제조를 위한 다공성 알루미나 나노틀의세공을 파는 방법
KR20020044312A (ko) * 2000-12-05 2002-06-15 오길록 정보 저장 장치 및 그것에 이용되는 정보 저장 매체 제조방법
KR20030075227A (ko) * 2002-03-16 2003-09-26 김영식 금속 나노 막대 제조용 다공성 알루미나 및 그의 제조방법
KR20030084279A (ko) * 2002-04-26 2003-11-01 이진규 다공성 알루미나 또는 나노패턴 알루미늄을 이용하여대면적의 나노표면 구조를 가지는 물질을 제조하는 방법
WO2004097894A2 (en) 2002-08-28 2004-11-11 University Of Pittsburgh Self-organized nanopore arrays with controlled symmetry and order
JP2004323975A (ja) 2003-04-21 2004-11-18 Samsung Electronics Co Ltd 自己整列化ナノチャンネルアレイの製造方法及び自己整列化ナノチャンネルアレイを利用したナノドットの製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103498178A (zh) * 2013-09-30 2014-01-08 南方科技大学 透明导电薄膜及其制备方法

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