KR20030075227A - 금속 나노 막대 제조용 다공성 알루미나 및 그의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 금속 나노 막대 제조용 다공성 알루미나 및 그의 제조방법, 그리고 상기 다공성 알루미나를 이용하여 금속 나노 막대를 제조하는 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 전기화학적 방법을 사용하여 균일한 크기의 금속 나노 막대를 고밀도로 제조하기 위한 다공성 알루미나 및 그의 제조방법에 관한 것이다.

Description

금속 나노 막대 제조용 다공성 알루미나 및 그의 제조방법 {Porous alumina for metal nano-sized rod and process for preparing the same}

본 발명은 금속 나노 막대 제조용 다공성 알루미나 및 그의 제조방법, 그리고 상기 다공성 알루미나를 이용하여 금속 나노 막대를 제조하는 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 전기화학적 방법을 사용하여 균일한 크기의 금속 나노 막대를 고밀도로 제조하기 위한 다공성 알루미나 및 그의 제조방법에 관한 것이다.

최근 들어 메모리 분야나, 디스 플레이 분야, 광학 기기 분야 등에서 나노기술이 각광을 받고 있다. 나노기술이라 하면 나노미터(㎚) 즉 10^-9m의 아주 작은 크기의 물질을 만들거나 제어하는 기술 등을 총칭해서 일컫는 말이다. 이러한 나노기술은 현재 초기 단계로서 무한한 발전 가능성을 지니고 있다.

그러나 나노미터 크기의 물질들은 쉽게 제어가 힘든 만큼 일정한 구멍을 가진 틀을 통해 제어를 하게 되면 좀 더 잘 정돈된 나노미터 크기의 물질을 얻는 것이 가능해진다. 이러한 일정한 틀을 템플레이트(template)라고 하며 이러한 템플레이트의 합성 방법은 전기 화학적 방법(Electrochemical deposition), 졸-겔 방법(Sol-gel deposition), 화학 증착법( Chemical vapor deposition) 등 여러 가지 방법이 사용되고 있으며, 지금도 많은 연구가 이루어지고 있다.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 금속 나노 막대 제조용 다공성 알루미나를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 제조방법을 통하여 제조된 다공성 알루미나를 제공하는 것이다.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은,

전해연마과정, 제1 양극산화과정, 에칭과정 및 제2 양극산화과정을 포함하는 전기화학적 방법으로 제조하는 것을 특징으로 하는 다공성 알루미나의 제조방법을 제공한다.

상기 제조방법에서, 전해연마과정은 전해 연마 용액 내에서 알루미늄을 양극으로 하여 정전류 방법 또는 정전압 방법으로 행해지는 것을 특징으로 한다.

상기 전해연마과정에서 전해 연마 용액으로서는 과염소산 및 에탄올의 혼합용액이 바람직하다.

상기 제조방법에서, 제1 양극산화과정은 전해액 내에서 상기 전해연마과정을 거친 알루미늄을 양극으로 하여 정전류 방법 또는 정전압방법으로 행해지는 것을 특징으로 한다.

상기 제1 양극산화과정에서, 전해액으로서는 황산 수용액 또는 옥살산 수용액이 바람직하다.

상기 제1 양극산화과정에서, 정전압방법을 사용하는 경우 그 전압 범위는 1 내지 50V가 바람직하다.

상기 제1 양극산화과정에서, 반응온도는 0 내지 30℃가 바람직하다.

상기 제1 양극산화과정에서, 반응시간은 0.5 내지 10시간이 바람직하다.

상기 제조방법에서, 에칭과정은 제1 양극산화과정을 거친 알루미늄을 산 수용액 내에 침지하는 것을 특징으로 한다.

상기 에칭과정에서, 산 수용액으로서는 인산 및 크롬산의 혼합용액이 바람직하다.

상기 에칭과정에서, 에칭온도는 10 내지 100℃가 바람직하다.

상기 제조방법에서, 제2 양극산화과정은 전해액 내에서 상기 에칭 과정을 거친 알루미늄을 양극으로 하여 정전류 방법 또는 정전압방법으로 행해지는 것을 특징으로 한다.

상기 제2 양극산화과정에서, 전해액으로서는 황산 수용액 또는 옥살산 수용액이 바람직하다.

상기 제2 양극산화과정에서, 정전압방법을 사용하는 경우 그 전압 범위는 1 내지 50V가 바람직하다.

상기 제2 양극산화과정에서, 반응온도는 0 내지 30℃가 바람직하다.

상기 제2 양극산화과정에서, 반응시간은 0.5 내지 20시간이 바람직하다.

상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은 상기 제조방법을 통해 제공되는 다공성 알루미나를 제공한다.

이하에서 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다.

본 발명은 고순도 알루미늄을 전기화학적인 방법으로 나노미터 크기의 일정한 구멍을 가지는 다공성 알루미나를 합성하는 방법 및 이와 같은 제조방법을 통해 얻어지는 다공성 알루미나에 관한 것이다.

다공성 알루미나는 그 자체로서도 수십 나노미터의 균일한 구멍의 크기를 가지는 나노미터 크기의 물질이지만, 그 보다는 다른 나노미터 크기 물질의 합성에 중요한 틀이 된다. 본 발명에 따라 합성된 다공성 알루미나는 15 내지 200 nm 정도의 균일한 구멍을 가지며, 이와 같은 구멍의 균일성을 이용하여 구멍 안에서 나노미터 크기의 막대기(Nanorod), 양자 점(Quantum dot), 탄소 나노 튜브(Carbon nanotube) 등을 합성하는 것이 가능해진다.

전기 화학적 방법을 이용한 다공성 알루미나의 합성은 알루미늄을 양극으로 하여 일정한 전해액에서 분극시킬 경우 자연산화 피막보다 두꺼운 양극산화 피막이 생성되는데, 이러한 공정을 양극산화 피막처리라 하며, 이 때 생성된 피막은 크게 두 가지 즉 장벽형(barrier type)과 다공형 (porous type) 피막으로 나누어진다. 이 구조는 전해액의 종류나 실험조건에 의해 결정된다. 유전체 피막이나 특수용도의 전자 재료용으로 사용되는 기공이 없는 장벽형 피막은 용도에 있어 아직 제한성이 많기 때문에 기계적 표면 물성 향상을 위해서는 사용되지 않으며, 일반적으로 기공이 무수히 많은 다공형의 산화 피막이 후처리 기술과 더불어 특수한 표면 물성을 가지는 다용도성 피막으로 널리 이용되고 있다.

전기 화학적 방법을 이용하여 합성한 다공성 알루미늄의 구조는 벌집모양의셀 (Cell) 가운데에는 구멍 (Pore)이 뚫려 있고 구멍의 크기는 수 nm - 수백 nm 까지 다양하다.

양극산화의 과정은 3단계까지 진행할 수 있으나 2단계 양극산화를 하는 것이 바람직하다. 2단계의 양극산화는 피막의 안정도나, 구멍의 균일도가 우수하다. 먼저 고순도의 알루미늄을 증류수로 깨끗이 수세한 후 금속표면에 있는 지방성분이나 불순물을 제거한다. 이런 과정을 전해연마과정(Electropolishing)이라 하고 양극산화시보다 높은 전류를 유지한다. 전해연마과정을 거친 후에는 양극산화과정(Anodizing)과 에칭(Etching)과정을 거치게 된다. 에칭은 처음 양극산화 과정에서 생긴 다공성의 알루미나를 제거하는 과정으로 적정한 온도에서 행한다. 다음으로 제1 양극산화과정과 동일한 조건에서 제2 양극산화과정을 거치게 된다. 2차 양극산화과정은 다공성 알루미나의 두께를 결정짓는 중요한 역할을 한다. 경우에 따라서는 3차 양극산화과정도 거치게 되는데 보통 2차 양극산화가 바람직하다.

최종적으로 선택적인 구멍 넓힘(Pore widening) 과정을 거치게 되는데 이 과정은 배리어층의 두께를 줄일 수 있다는 장점은 있으나 상대적으로 구멍의 크기가 넓어진다는 단점도 가진다.

상기와 같은 전기화학적 방법을 통해 얻어지는 다공성 알루미나가 가지는 나노미터 크기의 구멍의 밀도는 단위 면적당 10¹⁰(개/㎠)이상이 된다. 2단계의 양극산화 과정을 통해 얻어지는 다공성 알루미나의 구멍의 크기는 15 내지 200 ㎚의 다양한 구멍의 크기를 가지며 구멍의 균일도 또한 탁월하다.

본 발명의 다공성 알루미나의 제조는 전해연마(electropolishing) 과정, 제1 양극산화과정(anodizing), 에칭(etching)과정 및 제2 양극산화과정의 4단계 과정을 거친다.

상기 전해연마 과정은 양극산화에 사용되는 고순도 알루미늄(99.999%)의 전처리 과정으로 알루미늄을 양극산화의 방법으로 전해액 중에서 소정의 조건으로 전해함으로써 평활한 면이 만들어지고, 재료와 처리에 따라서는 광택면을 갖게 한다. 특히 재료를 정선해서 광택을 주기 위해 처리하는 방법을 광휘처리법(Electrobrighening process)이라 한다. 이와 같은 광휘처리법은 비교적 고온과 높은 전류밀도로 행하여져, 전해 중 생성되는 양극 산화피막과 그것이 전해액 중에 용해하는 속도가 거의 평행적으로 진행해 전해면을 평활하게 만든다. 이때의 조건으로 다음과 같은 것이 있다.

1) 알루미늄이 그 전해연마에 적합한 것일 것.

2) 전해액의 양극산화 및 생성피막 용해능력이 충분하고, 치밀하고 균일한 것일 것.

3) 전해 조건중 온도 혹은 피막 용해 능력과 전류밀도의 균형이 적당해 항상 엷은 막으로 보호되면서 표면은 용해되는 형이 될 것.

4) 전해액은 점액상태이므로 충분히 수세하여 표면에서 잘 제거 할 것.

알루미늄의 전해 연마과정과 연마액은 여러 종류가 있으며 다공성 알루미나의 제조에 사용되는 연마액은 일반적으로 과염소산과 에탄올을 1:4로 섞은 용액을 사용하는 것이 바람직하다. 끈적한 에탄올 용액이 알루미늄 표면에 있어서 알루미늄이 알루미늄 3가의 양이온이 되는 반응에 관여하고, 과염소산은 이 반응이 진행 될 수 있도록 pH를 유지시켜주는 역할을 하는 것으로 알려져 있다. 전해연마시에는 발생되는 열의 분산을 위하여 교반과정을 포함하는 것이 바람직하다.

이와 같은 전해 연마과정은 정전류 방법 또는 정전압방법을 사용하여 수행할 수 있으며, 정전류 방법이 바람직하다. 정전류 방법을 사용하는 경우의 전류밀도는 0.1 내지 5A/cm²이 바람직하며, 전해시간은 시료에 따라 차이가 있으나 0.1 내지 10분이 바람직하다.

상기 전해연마 과정을 거친 알루미늄은 충분한 수세 후에 제1 양극산화 과정을 거치게 된다. 제1 양극산화 과정은 실제적인 다공성 알루미나를 만드는 과정이고, 전해액은 여러 산이나 염기가 널리 이용된다. 이중 가장 널리 이용되는 산이 옥살산이나 황산 등이며, 옥살산이 황산에 비하여 만들어지는 구멍의 균일도, 내식성, 내마모성 등이 우수하므로 바람직하다.

상기와 같은 알루미늄의 양극산화에는 전압을 일정하게 유지시켜주는 정전압 방법(potentio-stat)과 전류밀도를 일정하게 유지시켜주는 정전류 방법(galvano -stat)이 있다. 이들중 양극산화에는 정전압방법이 바람직하며, 그 전압범위는 1 내지 50V가 바람직하며, 반응온도는 0 내지 30℃가 바람직하다. 또한 반응시간은 0.5 내지 10시간이 바람직하다.

양극 산화는 대부분 2단계로 진행되며 경우에 따라서는 3단계까지 진행한다. 2단계의 양극산화 과정은 1단계의 양극산화 후에 만들어진 다공성 알루미나를 에칭과정을 통해 제거한 후 다시 1단계의 양극산화 과정과 동일한 조건에서 다시 한번양극 산화하는 것을 말한다. 본 발명에서는 정전압 방법을 이용하는 2단계의 양극산화 과정을 거쳐 다공성 알루미나를 합성하는 것이 바람직하다. 이와 같은 제2 양극산화과정의 반응조건은 제1 양극산화조건과 유사하게 실행할 수 있다.

상기 제1 양극산화과정 및 제2 양극산화과정 사이에 수행되는 에칭과정은 제1 양극산화과정을 거친 알루미늄을 산 수용액 내에 침지하는 과정을 의미하며, 상기 산 수용액으로서는 인산 및 크롬산의 혼합용액이 특히 바람직하다. 또한 에칭온도는 10 내지 100℃가 바람직하다.

상기와 같이 전해연마 과정, 양극산화 과정, 에칭과정 등을 거쳐 합성한 다공성 알루미나는 실제적인 응용 단계인 구멍에 철, 코발트 등의 금속 나노막대를 합성하게 된다. 다공성 알루미나의 구멍의 크기는 여러 가지 변수로 조절이 가능하므로 원하는 구멍의 크기를 결정한 후 온도나 전압 등의 여러 조건을 고려하여 합성하게 된다. 원하는 크기의 구멍이 합성된 다공성 알루미나는 또 다시 전기 화학적인 방법을 이용하여 철, 코발트 등의 나노막대를 합성하거나 탄소나노튜브의 촉매 역할을 하는 코발트(Co)나 철(Fe) 등의 양자점을 만든다.

이하에서 본 발명을 실시예를 들어 보다 상세히 설명하나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.

실시예 1

전해연마과정

전해연마 용액은 과염소산(Perchloric acid)과 에탄올(Ethanol)을 부피비로 1:4로 섞어 만들었다. 양극은 시료로 쓰이는 순도 99.999%의 알루미늄을 사용하며음극으로는 탄소전극을 사용하였다. 양극의 크기는 1.5 ㎝×3.5 ㎝×0.5 ㎜이며 이때의 대극인 탄소전극은 지름이 5㎝인 둥근 것을 사용하였다. 전해연마는 정전류 방법을 이용하였으며 전류밀도는 1 A/㎠로 맞추었으며 전해시간은 1분으로 맞추어 주었다. 용액의 온도는 상온이었으며 실험시 교반을 행하였다.

제1 양극산화 (1st anodizing)

제1 양극산화는 정전압 방법을 이용했으며, 전해액은 0.3 M 옥살산 수용액을 사용하였다. 전해연마 과정이 끝난 시료를 증류수로 충분히 수세한 후 바로 양극산화 하였다. 양극산화시 전압은 30V로 실험했으며 그때의 온도는 섭씨 3도를 유지하였다. 대극은 전해연마 과정때와 마찬가지로 탄소전극을 이용하였으며 양극산화시 발생하는 열의 제거를 위하여 충분히 교반하였다. 제1 양극산화 시간은 5시간으로 고정했으며, 양극산화시 걸리는 전류는 수 ㎃ 정도로 하였다.

에칭과정

에칭은 제1 양극산화가 끝난 뒤 다공성 알루미나를 제거하기 위한 과정으로서, 용액은 질량백분율을 기준으로 인산 6 %, 크롬산 1.8 %의 혼합용액을 사용하며 용액의 온도는 60도를 유지하였다. 엣칭 시간은 제1 양극산화시간에 따라 결정되며 1차 양극 산화시간과 동일하게 유지하였다.

제2 양극산화

에칭이 끝나면 물로 충분히 수세한 후 제2 양극산화를 하였다. 제2 양극산화의 과정은 제1 양극산화의 과정과 동일한 조건에서 행하여지며, 제2 양극산화 시간은 다공성 알루미나의 두께를 고려하여 선택하였으며, 1시간으로 고정하였다. 제2양극산화가 끝난 후 구멍 넓힘(Pore widening) 과정을 통해 다공성 알루미나의 구멍을 넓힘과 동시에 밑바닥의 배리어층(barrier layer)의 두께를 최소화하였다. 또 제2 양극 산화시 전압은 단계적으로 내려주는 전류 회복방법(Current recovery method)을 이용하여 배리어층(barrier layer)의 두께를 줄이는 데 이용하였다.

실시예 2

전해연마과정

전해연마 용액은 과염소산(Perchloric acid)과 에탄올(Ethanol)을 부피비로 1:4로 섞어 만들었다. 양극은 시료로 쓰이는 순도 99.999%의 알루미늄을 사용하며 음극으로는 탄소전극을 사용하였다. 양극의 크기는 1.5 ㎝×3.5 ㎝×0.5 ㎜이며 이때의 대극인 탄소전극은 지름이 5㎝인 둥근 것을 사용하였다. 전해연마는 정전류 방법을 이용하였으며 전류밀도는 1 A/㎠로 맞추었으며 전해시간은 1분으로 맞추어 주었다. 용액의 온도는 상온이었으며 실험시 교반을 행하였다.

제1 양극산화 (1st anodizing)

제1 양극산화는 정전압 방법을 이용했으며, 전해액은 0.1 M 황산 수용액을 사용하였다. 전해연마 과정이 끝난 시료를 증류수로 충분히 수세한 후 바로 양극산화 하였다. 양극산화시 전압은 20V로 실험했으며 그때의 온도는 섭씨 10도를 유지하였다. 대극은 전해연마 과정때와 마찬가지로 탄소전극을 이용하였으며 양극산화시 발생하는 열의 제거를 위하여 충분히 교반하였다. 제1 양극산화 시간은 2시간으로 고정했으며, 양극산화시 걸리는 전류는 수 ㎃ 정도로 하였다.

에칭과정

에칭은 제1 양극산화가 끝난 뒤 다공성 알루미나를 제거하기 위한 과정으로서, 용액은 질량백분율을 기준으로 인산 6 %, 크롬산 1.8 %의 혼합용액을 사용하며 용액의 온도는 60도를 유지하였다. 에칭 시간은 제1 양극산화시간에 따라 결정되며 1차 양극 산화시간과 동일하게 유지하였다.

제2 양극산화

에칭이 끝나면 물로 충분히 수세한 후 제2 양극산화를 하였다. 제2 양극산화의 과정은 제1 양극산화의 과정과 동일한 조건에서 행하여지며, 제2 양극산화 시간은 다공성 알루미나의 두께를 고려하여 선택하였으며, 1시간으로 고정하였다. 제2 양극산화가 끝난 후 구멍 넓힘(Pore widening) 과정을 통해 다공성 알루미나의 구멍을 넓힘과 동시에 밑바닥의 배리어층(barrier layer)의 두께를 최소화하였다. 또 제2 양극 산화시 전압은 단계적으로 내려주는 전류 회복방법(Current recovery method)을 이용하여 배리어층(barrier layer)의 두께를 줄이는 데 이용하였다.

상기 실시예 2의 0.1 M 황산 수용액을 전해액으로 하여 2단계의 양극산화를 한 경우의 SEM (Jeol JSM-35CF)사진의 결과 다공성 알루미나의 전체적인 셀 크기는 약 90 ㎚ 정도이며 구멍의 크기는 대략 50 ㎚ 정도이고 구멍간의 거리(Interpore distance)는 약 40 ㎚ 정도임을 확인할 수 있었다. 구멍크기의 균일도는 잘 지켜진 반면에 곳곳에 구멍이 파괴된 곳을 발견하였다. 전체적인 구멍의 균일도는 약 60 % 정도를 유지했으며 단위 면적당 구멍의 밀도는 10¹⁰개/㎠를 나타냈다. 황산 전해액 상의 구멍의 모양은 육각형 밀집구조를 가짐을 확인할 수 있었다.

상기 실시예 1의 0.3 M 옥살산 수용액 하에서 정전압 방법을 이용하여 2차양극산화 후 찍은 SEM 사진의 결과는 다음과 같다. 옥살산 전해액 상에서는 황산 수용액을 사용한 실시예 2보다 구멍들의 균일성이 현저히 증가함을 알 수 있었다. 전체적인 셀의 크기는 약 95 ㎚ 정도로 실시예 2의 황산 수용액과 비슷한 결과를 가졌으며 구멍의 크기는 약 35 ㎚ 정도이고, 구멍간의 거리는 60 ㎚ 정도로 일정한 간격을 나타내었다. 또 구조면에서도 황산 수용액을 전해액으로 사용했을 때와는 달리 95 % 이상의 육각 밀집구조의 배열을 가졌다. 또 정전압 방법을 이용하여 2차 양극산화 한 후의 다공성 알루미나의 SEM 사진의 결과에서는 다공성 알루미나의 구멍은 직선으로 수직하게 뚫려 있음을 확인할 수 있었으며 구멍간의 교차나 끊김도 찾아볼 수 없었다. 또 구멍의 크기가 황산 수용액을 전해액으로 사용했을 때 보다 작아졌음을 알 수 있었다. 이렇게 구멍의 크기가 황산 수용액을 전해액으로 썼을 때 보다 작아진 이유는 전해액의 농도 변화와 전해액의 온도의 조건 변화와 가해준 전압의 차이에서 생긴 것으로 판단된다.

실험예: 다공성 알루미나를 이용한 코발트, 철 나노 막대의 합성

다공성 알루미나의 구멍에 채워지는 코발트, 철 등의 나노막대의 분석은 다공성 알루미나의 경우와 마찬가지로 주로 SEM과 AFM으로 분석하였다. 다공성 알루미나의 구멍은 15 ㎚까지 조절이 가능하나 분석이 어려운 관계로 주로 30-40 ㎚에 기준을 두고 합성했다. 다공성 알루미나의 구멍에 금속 나노막대를 합성한 결과는 다음과 같다. 합성시 정전류 방법을 이용했으며 전류의 세기는 DC 0.01 A 이하로 조절하였고 합성 시간은 2분으로 하였다. 금속 나노 막대는 다공성 알루미나의 구멍에 정확하게 형성된 것을 알 수 있다. 정확한 분석을 위하여 EDAX( EnergyDispersion Analysis)와 XRD (X ray Diffraction)를 찍어 구멍에 채워진 금속을 확인해 보았다. XRD의 결과는 다공성의 알루미나와 다른 피크 양상을 보이긴 했으나 정확한 판단은 어려웠다. 반면 EDAX 결과를 통하여 정확하게 금속임을 확인 할 수 있었다. 이렇게 구멍에 합성된 금속 나노 막대의 경우 직경이 약 40 ㎚ 정도이고 길이는 5.6 ㎛이였다. 금속 나노막대가 평균적으로 다공성 알루미나에 채워진 넓이는 면적비로 1:0.8 정도로 상당히 넓은 부분에 걸쳐 잘 채워진 것을 알 수 있었다. 금속이 채워진 다공성 알루미나는 약간의 적색계통을 띄었으나 밑판인 알루미늄을 분리하지 않은 상황에서는 색 변화의 관찰이 어려웠다.

본 발명은 고순도 알루미늄을 전기 화학적인 방법으로 나노미터의 크기의 일정한 구멍을 가지는 다공성 알루미나를 합성하고, 그 구멍 안에 철, 코발트 등의 금속 나노막대를 형성하는 방법에 관한 것이다. 정전압 방법으로 합성된 다공성 알루미나의 구멍은 육각 밀집구조를 가졌으며 구멍의 크기는 가해준 전압, 욕의 온도 등의 조건에 따라 조절이 가능했다. 조절 가능한 구멍의 크기는 최하 15㎚ 정도였으며, 전체적인 구멍의 밀도는 단위 면적당 10¹⁰(개/㎠) 이상으로 대단히 높은 밀도 분포를 가졌다. 다공성 알루미나 층의 높이는 시간의 조절로 가능했으며, 아래로 향한 구멍은 구멍간의 교차나 끊김없이 수직하게 잘 성장한 것을 관찰할 수 있었다.

이렇게 합성된 다공성 알루미나는 금속 나노 막대를 성장시키는 기판으로 사용가능하며, 다공성 알루미나의 구멍안에 합성된 금속 나노막대는 상당히 균일한크기를 가졌으며 다공성 알루미나의 구멍을 따라 수직하게 배열되어 있었다.

Claims (17)

1. 전해연마과정, 제1 양극산화과정, 에칭과정 및 제2 양극산화과정을 포함하는 전기화학적 방법으로 제조하는 것을 특징으로 하는 다공성 알루미나의 제조방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 전해연마과정은 전해 연마 용액 내에서 알루미늄을 양극으로 하여 정전류 방법 또는 정전압 방법으로 행해지는 것을 특징으로 하는 제조방법.
3. 제2항에 있어서, 상기 전해 연마 용액이 과염소산 및 에탄올의 혼합용액인 것을 특징으로 하는 제조방법.
4. 제1항에 있어서, 상기 제1 양극산화과정은 전해액 내에서 상기 전해연마과정을 거친 알루미늄을 양극으로 하여 정전류 방법 또는 정전압방법으로 행해지는 것을 특징으로 하는 제조방법.
5. 제4항에 있어서, 상기 전해액이 황산 수용액 또는 옥살산 수용액인 것을 특징으로 하는 제조방법.
6. 제4항에 있어서, 상기 정전압방법을 사용하는 경우 그 전압 범위는 1 내지 50V인 것을 특징으로 하는 제조방법.
7. 제4항에 있어서, 반응온도가 0 내지 30℃인 것을 특징으로 하는 제조방법.
8. 제4항에 있어서, 반응시간이 0.5 내지 10시간인 것을 특징으로 하는 제조방법.
9. 제1항에 있어서, 상기 에칭과정은 제1 양극산화과정을 거친 알루미늄을 산 수용액 내에 침지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
10. 제9항에 있어서, 상기 산 수용액이 인산 및 크롬산의 혼합용액인 것을 특징으로 하는 제조방법.
11. 제9항에 있어서, 에칭온도가 10 내지 100℃인 것을 특징으로 하는 제조방법.
12. 제1항에 있어서, 상기 제2 양극산화과정은 전해액 내에서 상기 에칭 과정을 거친 알루미늄을 양극으로 하여 정전류 방법 또는 정전압방법으로 행해지는 것을 특징으로 하는 제조방법.
13. 제12항에 있어서, 상기 전해액이 황산 수용액 또는 옥살산 수용액인 것을 특징으로 하는 제조방법.
14. 제12항에 있어서, 상기 정전압방법을 사용하는 경우 그 전압 범위는 1 내지 50V인 것을 특징으로 하는 제조방법.
15. 제12항에 있어서, 반응온도가 0 내지 30℃인 것을 특징으로 하는 제조방법.
16. 제12항에 있어서, 반응시간이 0.5 내지 20시간인 것을 특징으로 하는 제조방법.
17. 제1항 내지 제16항 어느 한 항에 따른 제조방법을 사용하여 얻어지는 것을 특징으로 하는 다공성 알루미나.