JPH01237927A - 磁気記録媒体および陽極酸化用材料 - Google Patents

磁気記録媒体および陽極酸化用材料

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JPH01237927A
JPH01237927A JP6526188A JP6526188A JPH01237927A JP H01237927 A JPH01237927 A JP H01237927A JP 6526188 A JP6526188 A JP 6526188A JP 6526188 A JP6526188 A JP 6526188A JP H01237927 A JPH01237927 A JP H01237927A
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JP
Japan
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plating
alloy
film
anodic oxidation
metal
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Pending
Application number
JP6526188A
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English (en)
Inventor
Hideo Daimon
英夫 大門
Hideo Fujiwara
英夫 藤原
Yoichi Ogawa
容一 小川
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Maxell Ltd
Original Assignee
Hitachi Maxell Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はA、ItもしくはAl合金を陽極酸化して成る
アルマイト微細孔中に、磁性金属をメッキ充填して成る
磁気記録媒体に関する。史に詳細には、本発明は該磁気
記録媒体の生産性向1−および膜の何首力の向1ユに関
する。
[従来の技術] アルマイト微細孔中に強磁性金属をメッキ充1#′!し
た磁気記録媒体は、耐食性、耐久性に優れておリ、近年
性]」されている新材料である。
[発明が解決しようとする課題] 微細孔中への金属メッキには、主に交流が使用されてい
る。これは、アルマイト七金属Alの界面に、バリヤー
層とI11’ばれる絶縁層が存在しており、直流ではメ
ッキが不iJ能なためである。
交流ではメッキ効率が直流に比べて劣り、コストの面で
問題がある。また、非磁性基体1.に物理蒸着法で、A
l膜を設けた材料を出発物質きし、陽極酸化、Feメッ
キを行うと、AJと基体の付着力が弱いため、基体から
膜が剥離する問題がある。
この発明は、直流によるアルマイト微細孔への金属メッ
キを可能にして生産性を向1ニジ、さらに、Alと非磁
性基体の付?′を力を向I−L、陽極酸化時及びメッキ
時における膜剥離の問題を解決することをl−1的とす
る。
[課題を解決するためのr−段] 上記問題は、AJlもしくはAl合金の下地に、Ti+
 Cr+ Zr+ Nb、Tar Wt Vの中から選
ばれる少なくとも1種類の金属を設けた材料を陽極酸化
用物質とし、陽極酸化反応を、AJ、表面よりIt記ト
下地金属層で行う°1fにより解決される。
[作用コ AJlを疏酸、シュウ酸、リン酸等の水溶液中で陽極酸
化すると、各々の電解電圧にほぼ比例したバリヤー層が
孔底部に形成される。このバリヤー層は非晶質のAl2
03からなる緻密な非導電性の絶縁層である。このため
、交流によれば孔中の強磁性金属をメッキ充填すること
ができるが、直流ではメッキ充填することができない。
例えば、硫酸浴中、電解電圧15Vで、陽極酸化した試
料の断面を透過型電r顕微鏡で観察すると、約250A
のバリヤー層が形成されるこ七が確認できる。
しかし、Aiの上地層にTi等の金属層を設け、陽極酸
化反応を下地の金属層にまで好うと、バリヤー層が存在
しなくなる。Ti等の下地金属層の陽極酸化皮膜は、導
電性を(1′シているため、メッキI−程で電極の役割
をはたすことが可能である。
従って、Ti等の一下地層まで陽極酸化反応を行った試
料に対しては、直流で強磁性金属をメッキ充填すること
がIIT能であり、メッキ効率を向[−させることがで
きる。
また、AJlを非磁性基体上に直接設けた場合に比べ、
Ti等の上地層を介してAIを設けると、付着力が向卜
し、陽極酸化及びメッキIユ程において膜剥離が生じな
くなる。
Ti等のF地層の膜厚は0.03μm 〜0.5μmの
範囲内が適当である。0.03μm未満だと、陽極酸化
を打う際、十分に酸化皮膜が成長せず、バリヤー層が残
ってしまう。また、0.5μm超では、効果が同じで、
厚くするだけ不経済となる。
Ti等の下地金属層l二に設けるAiまたはAl合金層
の膜厚は一般的に、0.1μm〜5μmの範囲内である
。O,1μ【n以ドでは、AJの結晶成長が不1−゛分
なため、陽極酸化時に規則+l゛I、いセルが形成され
ない。5μm超になると剛性が高くなりすぎて好ましく
ない。特に、この材料を磁気テープに応用する場合には
、柔軟性の点からAIまたはA、l’合金層を、0.5
μm以ドにすることが好ましい。
上地層およびAJlまたはAl合金膜は物理蒸着法によ
り、非磁性基体表面に蒸着させることができる。物理蒸
着法としては、真空蒸着法、イオンブレーティング法、
スパッタリング法、イオンビームデポジンロン法および
化学的気相成長法(CVl)法)などがある。
下地金属層を設ける前に非磁性基体表面をプラズマ処理
すると、−上地層と非磁性基体との付着力を史に一層高
めることができる。
AJlまたはAJ1合金の陽極酸化法自体は当業者に周
知なので、ここでは特に説明しない。
本発明の磁気記録媒体に使用される非磁性基板としては
、アルミニウム基板の他に、ポリイミド。
ポリエチレンテレフタレート等のイ1″機高分子フィル
t1.ガラス類、セラミック、陽極酸化アルミ。
黄銅などの金属板、Si中結晶板1表面を熱酸化処理し
たS i ’P−結晶板などがある。イf機高分子フィ
ルムが特に好ましい。
また、本発明の製造方法により得られる磁気記録媒体と
しては、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルムな
どの合成樹脂フィルムを基体とする磁気テープや磁気デ
ィスク、合成樹脂フ1ルム、アルミニウム板およびガラ
ス板等からなる円盤やドラムをノス体とする磁気ディス
クや磁気ドラムなど、磁気ヘッドと摺接する構造の種々
の形態を包含する。
[実施例] 以ド、実施例により本発明を史に詳細に説明する。
火遊LLL 連続巻取式の蒸着装置を用い、厚さ20μmのPETフ
ィルムLに、T l下地層およびAJ1層を順次成膜し
た。
Tiミド層、A、It層の膜厚をそれぞれ、0.1μI
n、o、 3μmとした。蒸着時の基板湯度は、25℃
、蒸着時の真空度は、1 x 10−5Torr。
TiとA、Itの蒸着速度は、それぞれ350人/Se
c、300人/ s e cであった。
tすられた陽極酸化用材料の断面構造を第1図に示す。
図中、1はPETフィルムからなる非磁性基体であり、
2はTiミド層であり、3はAl層である。
作製したA J / T i膜を1 m o J / 
Jの硫酸浴中において%  l A / d m 2の
定電流で陽極酸化した。この時、陽極酸化反応がAJ/
Tiw而付近まで面む様に、電解時間を調節した。次に
、試料を30℃*  1 wt1% ノ’J ン酸洛中
に移1..0.04A/dm2の微少電流で1分間陽極
酸化し、その後、8Vの定電圧で2分間陽極酸化した。
この試料の断面構造を透過型の電子顕微鏡で観察した。
その結果、酸化皮膜は、AJ/Ti界向を越え、Ti層
の表面200人まで成長しており、これまで観察された
バリヤー層は存在していなかった。
天11舛2一 実施例1で作製した酸化皮膜に磁性金属としてFeをメ
ッキ充填した。メッキ浴の組成は、硫酸第1鉄アンモニ
ウム50g/λ、ホウ酸15g/λ、グルセリン2 m
 1 / Jであり、希硫酸でpHを3.0に調整した
メッキには、I)C(−10V)および交流(正弦波、
−10V、+5V、5Hz 〜200Hz)を使用し、
メッキ時間はlO抄とした。
第2図に各々のメッキ膜の飽和磁化を示す。図から明ら
かの様に、直流印加時において、最も大きい飽和磁化を
示し、この試料が直流でメッキ11能であることが分か
る。
北上1 実施例1において、Tiミド層を設けること簾<、Al
だけを0.3μm蒸着した試料を作製し、実施例1と同
様の陽極酸化処理を行った後、断面構造を透過型電−r
顕微鏡で観察した。その結束、微細孔底部に約250人
のバリヤー層が存在していた。
L校阻1 比較例1で作製した酸化皮膜に、実施例2で述べた方法
と同一の方法によりFeメッキを施した。
その結果を第3図に示す。交流20Hz以−1ユでメッ
キ11能であるが、直流では、メッキが不可能であるこ
とが分かる。
災i叶1 実施例2で作製したFeメッキ膜の付着力を90度折曲
試験(試料を90度に折り曲げ、また元の状態にもどす
操作をくり返して行う試験)により評価した。結果を下
記の表1に示す。
止孜璽J工 比較例2において、交流200HzでFeメッキした試
料の付着力を実施例3と同じ90度折曲試験で評価した
。結果を下記の表1に示す。
表1に示された結果から明らかなように、非磁性基体と
Al層との間に、T i上地膜を設けた実施例3の磁気
記録媒体では、15000回以1−の折り曲げに対して
も膜は剥離しない。一方、比較例3の磁気記録媒体では
、32回の折り曲げで膜が剥離した。
[発明の効果コ 以−L説明した様に、本発明では、非磁性基体とAJま
たはAl合金膜との間に、Tit Cr、 Zr、Nb
+ Ta+ W、Vの中から選ばれる少な(とも1種の
下地金属層を設けた構造をとり、陽極酸化反応をAJl
またはA、It合金表面から、上記下地金属層まで行っ
ているため、この導電性下地金属層の存在により磁性金
属のメッキを直流で行うことができ、従来の交流メッキ
に比べて生産性を向1−1させることができる。
また、1−記−下地金属層を設けることで、非磁性基体
との付着力を向トさせ、膜の剥離を防ぐ効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による陽極酸化用材料の−・実施例を示
す要部断面図、第2図と第3図は、Feメッキ時の印加
交流周波数とメッキ膜の飽和磁化の関係を示す特性図で
ある。 1・・・PETフィルム。 2・・・Tir地層。 3・・・AJlFI

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)AlもしくはAl合金を陽極酸化して成るアルマ
    イト微細孔中に、磁性金属をメッキ充填して成る磁気記
    録媒体において、非磁性基体とAlもしくはAl合金陽
    極酸化被膜との間に、AlもしくはAl合金以外の金属
    の陽極酸化被膜が設けられていることを特徴とする磁気
    記録媒体。
  2. (2)AlもしくはAl合金以外の金属の陽極酸化皮膜
    が、Ti、Cr、Zr、Nb、Ta、W、Vの中から選
    ばれる少なくとも1種類の金属の陽極酸化皮膜であるこ
    とを特徴とする請求項(1)記載の磁気記録媒体。
  3. (3)非磁性基体上に、AlもしくはAl合金を物理蒸
    着法により成膜して成る陽極酸化用材料において、非磁
    性基板とAlもしくはAl合金層との間に、Ti、Cr
    、Zr、Nb、Ta、W、Vの中から選ばれる少なくと
    も1種類の金属からなる層が物理蒸着法により設けてあ
    ることを特徴とする陽極酸化用材料。
  4. (4)AlもしくはAl合金膜の膜厚が0.1μm〜5
    μm、Ti、Cr、Zr、Nb、Ta、W、Vの中から
    選ばれる少なくとも1種類の下地金属層の膜厚が0.0
    3μm〜0.5μmである事を特徴とする請求項(3)
    記載の陽極酸化用材料。
  5. (5)非磁性基体が有機高分子フィルムであることを特
    徴とする請求項(3)または(4)記載の陽極酸化用材
    料。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0257690A (ja) * 1988-08-23 1990-02-27 Nkk Corp 陽極酸化処理用多層アルミニウムめっき基体
US6838297B2 (en) 1998-03-27 2005-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Nanostructure, electron emitting device, carbon nanotube device, and method of producing the same
JP2008041138A (ja) * 2006-08-02 2008-02-21 Yamagata Fujitsu Ltd 記録媒体および記録媒体の製造方法

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