JPH01237927A - 磁気記録媒体および陽極酸化用材料 - Google Patents
磁気記録媒体および陽極酸化用材料Info
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- JPH01237927A JPH01237927A JP6526188A JP6526188A JPH01237927A JP H01237927 A JPH01237927 A JP H01237927A JP 6526188 A JP6526188 A JP 6526188A JP 6526188 A JP6526188 A JP 6526188A JP H01237927 A JPH01237927 A JP H01237927A
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はA、ItもしくはAl合金を陽極酸化して成る
アルマイト微細孔中に、磁性金属をメッキ充填して成る
磁気記録媒体に関する。史に詳細には、本発明は該磁気
記録媒体の生産性向1−および膜の何首力の向1ユに関
する。
アルマイト微細孔中に、磁性金属をメッキ充填して成る
磁気記録媒体に関する。史に詳細には、本発明は該磁気
記録媒体の生産性向1−および膜の何首力の向1ユに関
する。
[従来の技術]
アルマイト微細孔中に強磁性金属をメッキ充1#′!し
た磁気記録媒体は、耐食性、耐久性に優れておリ、近年
性]」されている新材料である。
た磁気記録媒体は、耐食性、耐久性に優れておリ、近年
性]」されている新材料である。
[発明が解決しようとする課題]
微細孔中への金属メッキには、主に交流が使用されてい
る。これは、アルマイト七金属Alの界面に、バリヤー
層とI11’ばれる絶縁層が存在しており、直流ではメ
ッキが不iJ能なためである。
る。これは、アルマイト七金属Alの界面に、バリヤー
層とI11’ばれる絶縁層が存在しており、直流ではメ
ッキが不iJ能なためである。
交流ではメッキ効率が直流に比べて劣り、コストの面で
問題がある。また、非磁性基体1.に物理蒸着法で、A
l膜を設けた材料を出発物質きし、陽極酸化、Feメッ
キを行うと、AJと基体の付着力が弱いため、基体から
膜が剥離する問題がある。
問題がある。また、非磁性基体1.に物理蒸着法で、A
l膜を設けた材料を出発物質きし、陽極酸化、Feメッ
キを行うと、AJと基体の付着力が弱いため、基体から
膜が剥離する問題がある。
この発明は、直流によるアルマイト微細孔への金属メッ
キを可能にして生産性を向1ニジ、さらに、Alと非磁
性基体の付?′を力を向I−L、陽極酸化時及びメッキ
時における膜剥離の問題を解決することをl−1的とす
る。
キを可能にして生産性を向1ニジ、さらに、Alと非磁
性基体の付?′を力を向I−L、陽極酸化時及びメッキ
時における膜剥離の問題を解決することをl−1的とす
る。
[課題を解決するためのr−段]
上記問題は、AJlもしくはAl合金の下地に、Ti+
Cr+ Zr+ Nb、Tar Wt Vの中から選
ばれる少なくとも1種類の金属を設けた材料を陽極酸化
用物質とし、陽極酸化反応を、AJ、表面よりIt記ト
下地金属層で行う°1fにより解決される。
Cr+ Zr+ Nb、Tar Wt Vの中から選
ばれる少なくとも1種類の金属を設けた材料を陽極酸化
用物質とし、陽極酸化反応を、AJ、表面よりIt記ト
下地金属層で行う°1fにより解決される。
[作用コ
AJlを疏酸、シュウ酸、リン酸等の水溶液中で陽極酸
化すると、各々の電解電圧にほぼ比例したバリヤー層が
孔底部に形成される。このバリヤー層は非晶質のAl2
03からなる緻密な非導電性の絶縁層である。このため
、交流によれば孔中の強磁性金属をメッキ充填すること
ができるが、直流ではメッキ充填することができない。
化すると、各々の電解電圧にほぼ比例したバリヤー層が
孔底部に形成される。このバリヤー層は非晶質のAl2
03からなる緻密な非導電性の絶縁層である。このため
、交流によれば孔中の強磁性金属をメッキ充填すること
ができるが、直流ではメッキ充填することができない。
例えば、硫酸浴中、電解電圧15Vで、陽極酸化した試
料の断面を透過型電r顕微鏡で観察すると、約250A
のバリヤー層が形成されるこ七が確認できる。
料の断面を透過型電r顕微鏡で観察すると、約250A
のバリヤー層が形成されるこ七が確認できる。
しかし、Aiの上地層にTi等の金属層を設け、陽極酸
化反応を下地の金属層にまで好うと、バリヤー層が存在
しなくなる。Ti等の下地金属層の陽極酸化皮膜は、導
電性を(1′シているため、メッキI−程で電極の役割
をはたすことが可能である。
化反応を下地の金属層にまで好うと、バリヤー層が存在
しなくなる。Ti等の下地金属層の陽極酸化皮膜は、導
電性を(1′シているため、メッキI−程で電極の役割
をはたすことが可能である。
従って、Ti等の一下地層まで陽極酸化反応を行った試
料に対しては、直流で強磁性金属をメッキ充填すること
がIIT能であり、メッキ効率を向[−させることがで
きる。
料に対しては、直流で強磁性金属をメッキ充填すること
がIIT能であり、メッキ効率を向[−させることがで
きる。
また、AJlを非磁性基体上に直接設けた場合に比べ、
Ti等の上地層を介してAIを設けると、付着力が向卜
し、陽極酸化及びメッキIユ程において膜剥離が生じな
くなる。
Ti等の上地層を介してAIを設けると、付着力が向卜
し、陽極酸化及びメッキIユ程において膜剥離が生じな
くなる。
Ti等のF地層の膜厚は0.03μm 〜0.5μmの
範囲内が適当である。0.03μm未満だと、陽極酸化
を打う際、十分に酸化皮膜が成長せず、バリヤー層が残
ってしまう。また、0.5μm超では、効果が同じで、
厚くするだけ不経済となる。
範囲内が適当である。0.03μm未満だと、陽極酸化
を打う際、十分に酸化皮膜が成長せず、バリヤー層が残
ってしまう。また、0.5μm超では、効果が同じで、
厚くするだけ不経済となる。
Ti等の下地金属層l二に設けるAiまたはAl合金層
の膜厚は一般的に、0.1μm〜5μmの範囲内である
。O,1μ【n以ドでは、AJの結晶成長が不1−゛分
なため、陽極酸化時に規則+l゛I、いセルが形成され
ない。5μm超になると剛性が高くなりすぎて好ましく
ない。特に、この材料を磁気テープに応用する場合には
、柔軟性の点からAIまたはA、l’合金層を、0.5
μm以ドにすることが好ましい。
の膜厚は一般的に、0.1μm〜5μmの範囲内である
。O,1μ【n以ドでは、AJの結晶成長が不1−゛分
なため、陽極酸化時に規則+l゛I、いセルが形成され
ない。5μm超になると剛性が高くなりすぎて好ましく
ない。特に、この材料を磁気テープに応用する場合には
、柔軟性の点からAIまたはA、l’合金層を、0.5
μm以ドにすることが好ましい。
上地層およびAJlまたはAl合金膜は物理蒸着法によ
り、非磁性基体表面に蒸着させることができる。物理蒸
着法としては、真空蒸着法、イオンブレーティング法、
スパッタリング法、イオンビームデポジンロン法および
化学的気相成長法(CVl)法)などがある。
り、非磁性基体表面に蒸着させることができる。物理蒸
着法としては、真空蒸着法、イオンブレーティング法、
スパッタリング法、イオンビームデポジンロン法および
化学的気相成長法(CVl)法)などがある。
下地金属層を設ける前に非磁性基体表面をプラズマ処理
すると、−上地層と非磁性基体との付着力を史に一層高
めることができる。
すると、−上地層と非磁性基体との付着力を史に一層高
めることができる。
AJlまたはAJ1合金の陽極酸化法自体は当業者に周
知なので、ここでは特に説明しない。
知なので、ここでは特に説明しない。
本発明の磁気記録媒体に使用される非磁性基板としては
、アルミニウム基板の他に、ポリイミド。
、アルミニウム基板の他に、ポリイミド。
ポリエチレンテレフタレート等のイ1″機高分子フィル
t1.ガラス類、セラミック、陽極酸化アルミ。
t1.ガラス類、セラミック、陽極酸化アルミ。
黄銅などの金属板、Si中結晶板1表面を熱酸化処理し
たS i ’P−結晶板などがある。イf機高分子フィ
ルムが特に好ましい。
たS i ’P−結晶板などがある。イf機高分子フィ
ルムが特に好ましい。
また、本発明の製造方法により得られる磁気記録媒体と
しては、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルムな
どの合成樹脂フィルムを基体とする磁気テープや磁気デ
ィスク、合成樹脂フ1ルム、アルミニウム板およびガラ
ス板等からなる円盤やドラムをノス体とする磁気ディス
クや磁気ドラムなど、磁気ヘッドと摺接する構造の種々
の形態を包含する。
しては、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルムな
どの合成樹脂フィルムを基体とする磁気テープや磁気デ
ィスク、合成樹脂フ1ルム、アルミニウム板およびガラ
ス板等からなる円盤やドラムをノス体とする磁気ディス
クや磁気ドラムなど、磁気ヘッドと摺接する構造の種々
の形態を包含する。
[実施例]
以ド、実施例により本発明を史に詳細に説明する。
火遊LLL
連続巻取式の蒸着装置を用い、厚さ20μmのPETフ
ィルムLに、T l下地層およびAJ1層を順次成膜し
た。
ィルムLに、T l下地層およびAJ1層を順次成膜し
た。
Tiミド層、A、It層の膜厚をそれぞれ、0.1μI
n、o、 3μmとした。蒸着時の基板湯度は、25℃
、蒸着時の真空度は、1 x 10−5Torr。
n、o、 3μmとした。蒸着時の基板湯度は、25℃
、蒸着時の真空度は、1 x 10−5Torr。
TiとA、Itの蒸着速度は、それぞれ350人/Se
c、300人/ s e cであった。
c、300人/ s e cであった。
tすられた陽極酸化用材料の断面構造を第1図に示す。
図中、1はPETフィルムからなる非磁性基体であり、
2はTiミド層であり、3はAl層である。
2はTiミド層であり、3はAl層である。
作製したA J / T i膜を1 m o J /
Jの硫酸浴中において% l A / d m 2の
定電流で陽極酸化した。この時、陽極酸化反応がAJ/
Tiw而付近まで面む様に、電解時間を調節した。次に
、試料を30℃* 1 wt1% ノ’J ン酸洛中
に移1..0.04A/dm2の微少電流で1分間陽極
酸化し、その後、8Vの定電圧で2分間陽極酸化した。
Jの硫酸浴中において% l A / d m 2の
定電流で陽極酸化した。この時、陽極酸化反応がAJ/
Tiw而付近まで面む様に、電解時間を調節した。次に
、試料を30℃* 1 wt1% ノ’J ン酸洛中
に移1..0.04A/dm2の微少電流で1分間陽極
酸化し、その後、8Vの定電圧で2分間陽極酸化した。
この試料の断面構造を透過型の電子顕微鏡で観察した。
その結果、酸化皮膜は、AJ/Ti界向を越え、Ti層
の表面200人まで成長しており、これまで観察された
バリヤー層は存在していなかった。
の表面200人まで成長しており、これまで観察された
バリヤー層は存在していなかった。
天11舛2一
実施例1で作製した酸化皮膜に磁性金属としてFeをメ
ッキ充填した。メッキ浴の組成は、硫酸第1鉄アンモニ
ウム50g/λ、ホウ酸15g/λ、グルセリン2 m
1 / Jであり、希硫酸でpHを3.0に調整した
。
ッキ充填した。メッキ浴の組成は、硫酸第1鉄アンモニ
ウム50g/λ、ホウ酸15g/λ、グルセリン2 m
1 / Jであり、希硫酸でpHを3.0に調整した
。
メッキには、I)C(−10V)および交流(正弦波、
−10V、+5V、5Hz 〜200Hz)を使用し、
メッキ時間はlO抄とした。
−10V、+5V、5Hz 〜200Hz)を使用し、
メッキ時間はlO抄とした。
第2図に各々のメッキ膜の飽和磁化を示す。図から明ら
かの様に、直流印加時において、最も大きい飽和磁化を
示し、この試料が直流でメッキ11能であることが分か
る。
かの様に、直流印加時において、最も大きい飽和磁化を
示し、この試料が直流でメッキ11能であることが分か
る。
北上1
実施例1において、Tiミド層を設けること簾<、Al
だけを0.3μm蒸着した試料を作製し、実施例1と同
様の陽極酸化処理を行った後、断面構造を透過型電−r
顕微鏡で観察した。その結束、微細孔底部に約250人
のバリヤー層が存在していた。
だけを0.3μm蒸着した試料を作製し、実施例1と同
様の陽極酸化処理を行った後、断面構造を透過型電−r
顕微鏡で観察した。その結束、微細孔底部に約250人
のバリヤー層が存在していた。
L校阻1
比較例1で作製した酸化皮膜に、実施例2で述べた方法
と同一の方法によりFeメッキを施した。
と同一の方法によりFeメッキを施した。
その結果を第3図に示す。交流20Hz以−1ユでメッ
キ11能であるが、直流では、メッキが不可能であるこ
とが分かる。
キ11能であるが、直流では、メッキが不可能であるこ
とが分かる。
災i叶1
実施例2で作製したFeメッキ膜の付着力を90度折曲
試験(試料を90度に折り曲げ、また元の状態にもどす
操作をくり返して行う試験)により評価した。結果を下
記の表1に示す。
試験(試料を90度に折り曲げ、また元の状態にもどす
操作をくり返して行う試験)により評価した。結果を下
記の表1に示す。
止孜璽J工
比較例2において、交流200HzでFeメッキした試
料の付着力を実施例3と同じ90度折曲試験で評価した
。結果を下記の表1に示す。
料の付着力を実施例3と同じ90度折曲試験で評価した
。結果を下記の表1に示す。
表1に示された結果から明らかなように、非磁性基体と
Al層との間に、T i上地膜を設けた実施例3の磁気
記録媒体では、15000回以1−の折り曲げに対して
も膜は剥離しない。一方、比較例3の磁気記録媒体では
、32回の折り曲げで膜が剥離した。
Al層との間に、T i上地膜を設けた実施例3の磁気
記録媒体では、15000回以1−の折り曲げに対して
も膜は剥離しない。一方、比較例3の磁気記録媒体では
、32回の折り曲げで膜が剥離した。
[発明の効果コ
以−L説明した様に、本発明では、非磁性基体とAJま
たはAl合金膜との間に、Tit Cr、 Zr、Nb
+ Ta+ W、Vの中から選ばれる少な(とも1種の
下地金属層を設けた構造をとり、陽極酸化反応をAJl
またはA、It合金表面から、上記下地金属層まで行っ
ているため、この導電性下地金属層の存在により磁性金
属のメッキを直流で行うことができ、従来の交流メッキ
に比べて生産性を向1−1させることができる。
たはAl合金膜との間に、Tit Cr、 Zr、Nb
+ Ta+ W、Vの中から選ばれる少な(とも1種の
下地金属層を設けた構造をとり、陽極酸化反応をAJl
またはA、It合金表面から、上記下地金属層まで行っ
ているため、この導電性下地金属層の存在により磁性金
属のメッキを直流で行うことができ、従来の交流メッキ
に比べて生産性を向1−1させることができる。
また、1−記−下地金属層を設けることで、非磁性基体
との付着力を向トさせ、膜の剥離を防ぐ効果がある。
との付着力を向トさせ、膜の剥離を防ぐ効果がある。
第1図は本発明による陽極酸化用材料の−・実施例を示
す要部断面図、第2図と第3図は、Feメッキ時の印加
交流周波数とメッキ膜の飽和磁化の関係を示す特性図で
ある。 1・・・PETフィルム。 2・・・Tir地層。 3・・・AJlFI
す要部断面図、第2図と第3図は、Feメッキ時の印加
交流周波数とメッキ膜の飽和磁化の関係を示す特性図で
ある。 1・・・PETフィルム。 2・・・Tir地層。 3・・・AJlFI
Claims (5)
- (1)AlもしくはAl合金を陽極酸化して成るアルマ
イト微細孔中に、磁性金属をメッキ充填して成る磁気記
録媒体において、非磁性基体とAlもしくはAl合金陽
極酸化被膜との間に、AlもしくはAl合金以外の金属
の陽極酸化被膜が設けられていることを特徴とする磁気
記録媒体。 - (2)AlもしくはAl合金以外の金属の陽極酸化皮膜
が、Ti、Cr、Zr、Nb、Ta、W、Vの中から選
ばれる少なくとも1種類の金属の陽極酸化皮膜であるこ
とを特徴とする請求項(1)記載の磁気記録媒体。 - (3)非磁性基体上に、AlもしくはAl合金を物理蒸
着法により成膜して成る陽極酸化用材料において、非磁
性基板とAlもしくはAl合金層との間に、Ti、Cr
、Zr、Nb、Ta、W、Vの中から選ばれる少なくと
も1種類の金属からなる層が物理蒸着法により設けてあ
ることを特徴とする陽極酸化用材料。 - (4)AlもしくはAl合金膜の膜厚が0.1μm〜5
μm、Ti、Cr、Zr、Nb、Ta、W、Vの中から
選ばれる少なくとも1種類の下地金属層の膜厚が0.0
3μm〜0.5μmである事を特徴とする請求項(3)
記載の陽極酸化用材料。 - (5)非磁性基体が有機高分子フィルムであることを特
徴とする請求項(3)または(4)記載の陽極酸化用材
料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6526188A JPH01237927A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 磁気記録媒体および陽極酸化用材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6526188A JPH01237927A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 磁気記録媒体および陽極酸化用材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01237927A true JPH01237927A (ja) | 1989-09-22 |
Family
ID=13281797
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6526188A Pending JPH01237927A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 磁気記録媒体および陽極酸化用材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01237927A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0257690A (ja) * | 1988-08-23 | 1990-02-27 | Nkk Corp | 陽極酸化処理用多層アルミニウムめっき基体 |
US6838297B2 (en) | 1998-03-27 | 2005-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Nanostructure, electron emitting device, carbon nanotube device, and method of producing the same |
JP2008041138A (ja) * | 2006-08-02 | 2008-02-21 | Yamagata Fujitsu Ltd | 記録媒体および記録媒体の製造方法 |
-
1988
- 1988-03-18 JP JP6526188A patent/JPH01237927A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0257690A (ja) * | 1988-08-23 | 1990-02-27 | Nkk Corp | 陽極酸化処理用多層アルミニウムめっき基体 |
JPH0611917B2 (ja) * | 1988-08-23 | 1994-02-16 | 日本鋼管株式会社 | 陽極酸化処理用多層アルミニウムめっき基体 |
US6838297B2 (en) | 1998-03-27 | 2005-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Nanostructure, electron emitting device, carbon nanotube device, and method of producing the same |
JP2008041138A (ja) * | 2006-08-02 | 2008-02-21 | Yamagata Fujitsu Ltd | 記録媒体および記録媒体の製造方法 |
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