JPS62120470A - 鏡面磁気円板の製造方法 - Google Patents

鏡面磁気円板の製造方法

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JPS62120470A
JPS62120470A JP25835285A JP25835285A JPS62120470A JP S62120470 A JPS62120470 A JP S62120470A JP 25835285 A JP25835285 A JP 25835285A JP 25835285 A JP25835285 A JP 25835285A JP S62120470 A JPS62120470 A JP S62120470A
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JP
Japan
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disk
magnetic metal
magnetic
mirror
magnetic disk
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Pending
Application number
JP25835285A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshinori Takakura
高倉 義憲
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)
  • Solid-Phase Diffusion Into Metallic Material Surfaces (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は鏡面磁気円板の製造方法に関するものである
〔従来の技術〕
周知のように、磁気円板は情報処理システムにおけるフ
ァイル記憶の中心的な役割を果たしている。
最近の技術進歩は著しく、10年間に面記録密度は10
倍の割合で増加しており、今後もこの割合以上に増加す
ることが予想されている。
現在実用に供されている磁気円板の記録媒体のほとんど
はr −Fe2O3針状粒子を樹脂と共に塗布したもの
であり、塗布方法としては鏡面に仕上げたアルミニウム
合金製の円板を回転させ、上記円板の表面にr −Fe
2O3針状粒子を分散させた塗液を滴下し、遠心力で面
上に均一に塗液を伸展させる方法をとっている。
磁気円板の面記録密度は次式によって示される。
ρ8:面記録密度(eyト/1Iff12)K:定数 t :記録媒体厚(11m) Hc:抗磁力(エルステッド) Br:残留磁化(ガウス) 上式より、面記録密度を大きくするには、記録媒体厚(
1)を薄くシ、抗磁力(Hc)を可能な限り太き(する
ことが必要である。
しかしながら、前述の牙布方法による磁気円板の製造方
法では、記録媒体厚の薄膜化および高抗磁力を得ること
は困難である。
従って、記録媒体厚を薄膜化し、高抗磁力を得ることは
面記録密度を増大させると共に装置の記憶容量の増大に
直結するものである。
かかる方法として2例えば(7)湿式成膜(電解又は無
電解めっき)方法、(イ)湿式陽極酸化皮膜法プラス乾
式成膜方法等が挙げられる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記のよ5な成膜方法では次に述べられるような問題点
が挙げられる。
即ち、上記(7)の方法によれば、所要の面粗さに仕上
げたアルミニウム合金製の円板に常法により前処理を行
って、無電解ニッケルめっきを例えば30μ以上の膜厚
をつけ、その後1機械的に所要の面粗さに仕上げて鏡面
となし、所要厚みの磁性金属を電解、又は無電解めっき
により施し、保護膜(例えば5102又は炭素等)を形
成するのであるO この方法では製造工程が長く、めっき液の管理を厳確に
行なf′)ないと磁気’4−’j件が変化し、めっき工
程中のトラブル(めっき皮膜剥離、ビット、ブツ等の発
生)が多発し易い。
上記(イ)の方法によれば、鏡面に仕上げたアルミニウ
ム合金製の円板に常法により前処理を行って。
鏡面を損わないように陽極酸層により陽極酸化皮膜を形
成し、ついでスパッタリング又はイオンブレーティング
装置により磁性薄膜を形成するものである。
この方法では、aピ録媒体厚の薄膜化が容易で、しかも
管理も簡単となるが、湿式成膜方法と乾式成膜方法との
組み会わせてるり、製造環境が異なるため同一の場所で
は製造できす、製造工程が不連続となる。又、排水処理
、排ガス処理等の対策も必要である。
という改善すべき技術的諸問題があった〇この発明は上
記した技術的諸問題を解決するためになされたものであ
り、その目的は比較的簡便な方法により、記録媒体厚の
薄膜化及び高抗磁力を連続的にしかもより容易に得る製
造方法を提供するにある。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る鏡面磁気円板の製造方法は、鋭意検討を
重ねた結果、鏡面に仕上・げたアルミニウム合金製の円
板の表面に鏡面を損わないように全て乾式成膜方法によ
り記録媒体を形成させることにより上記目的が達成でき
ることをみい出し9本発明を完成するに致った。
即ち2本発明の鏡面(磁気円板の製造方法は、鏡面に仕
上げたアルミニウム合金製の円板に、正のバイアス電圧
をかけプラズマにより発生させた酸素負イオンをアルミ
ニウム合金製の円板表面上に所要膜厚堆積させ陽極酸化
皮膜と成した後、磁性金属をグロー放電により、上記場
極酸化皮膜上に所要膜厚堆積させ、ついで上記磁性金属
を熱処理により酸化させることを特徴とする。
〔作用〕
この発明においては、全て乾式成膜方法により鏡面磁気
円板を製造できるため、製造環境を同一にすることが可
能であり、晶質的に安定する。しかも連続的に製造でき
るので工期の短縮ともなる。
〔実施例〕
以下において実施例を掲げてこの発明を更に詳しく説明
する。
第1図(a)はこの発明による鋳4面磁気円板を示すも
のでめり、同図(b)は同図(a)のA−A而の断面を
示すものである。図において、(1)は鏡面に仕上げた
アルミニウム合金製の円板で、(3)は鏡面を損わない
ようにして、プラズマにより形成した陽極酸化皮膜層、
(4)はグロー放電により形成した磁性金属薄膜を熱処
理によって配録媒体薄膜としたものである。
なお、ここで鏡面に仕上げたアルミニウム合金製の基材
を用いて磁気円板を製造する工程を第2図を用いて簡単
に説明する。
ω[Mなどの手段によって鏡面に仕上げた基材(1)の
鏡面を損なわないように脱脂を行う。
そして次VC脱脂後、基材f1+を陽極に取り付け。
真空度を10から10Torrにし、バイアス電圧をか
ける。ついで、プラズマにより発生させた酸素負イオン
を基材(1)の表面上に所要膜厚堆積させ。
陽極酸化皮膜(3)となし、アルミニウム合金の腐食を
防止する皮膜を形成するのである。
次に、この陽極酸化皮膜(3)の上に記録媒体である磁
性層(4)を形成する訳であるが、陽極酸化皮膜(:(
jを形成した基材(1)を今度は陰極に取り付け、磁性
金属(例えば鉄、コバルト)を陽極にして、磁性金属を
加熱等により蒸発させ、グロー放電によりイオン化し、
バイアス電圧をかけて基材fi+表面上に磁性薄膜(4
)を所要膜厚堆積させ、これを所要の温度1時間熱処理
すれば磁気円板(2)が得られる。
第3図、第4図は上記の検討結果を示すもので。
第3図(a)は研磨後のアルミニウム合金製の基材(1
)の表向粗さ、同図(b)は磁性層(4)形成後の鏡面
磁気円板(2)の表面粗さを示し、第4図は熱処理後の
磁性# f41の磁気特性を示すものである。
(発明の効果〕 この発明は以上説明したとおり、記録媒体の薄膜化が可
能となり、しかも高抗磁力が得られるものであり、製造
も連続して行なうことができ、排水処理、排ガス処理等
の公害設備も不要であり。
記録密度の増大に対して十分対応できるものと確信でき
、しかも今後の技術発展に寄与するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図(、)は鏡面磁気円板の正面図、第1図(b)は
第1図(a)のA−A線断面図、第2図は鏡面磁気円板
の製造工程を示す図、第3図(、)は基材の表面粗さを
示す図、第3図(b)は鏡面磁気円板の表面粗さを示す
図、第4図は磁気円板の磁気特性の測定結果を示す図で
ある。 図において、(+)は鏡面に仕−トけた基材、(2)は
鏡面磁気円板、(3)は陽極酸化皮膜、(4)は磁性層
であるO

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  鏡面に仕上げたアルミニウム合金製の円板に、正のバ
    イアス電圧をかけ、プラズマにより発生させた酸素負イ
    オンを上記円板表面上に所要膜厚堆積させ、陽極酸化皮
    膜を形成した後、磁性金属をグロー放電により、上記陽
    極酸化皮膜上に所要の膜厚堆積させ、上記磁性金属を熱
    処理により酸化させることを特徴とする鏡面磁気円板の
    製造方法。
JP25835285A 1985-11-18 1985-11-18 鏡面磁気円板の製造方法 Pending JPS62120470A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001020953A1 (en) * 1999-09-15 2001-03-22 Nanotechnologies, Inc. Method and apparatus for producing bulk quantities of nano-sized materials by electrothermal gun synthesis
US6472632B1 (en) 1999-09-15 2002-10-29 Nanoscale Engineering And Technology Corporation Method and apparatus for direct electrothermal-physical conversion of ceramic into nanopowder

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US6653591B1 (en) 1999-09-15 2003-11-25 Nanotechnologies, Inc. Method and apparatus for direct electrothermal-physical conversion of ceramic into nanopowder

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