JPH03283013A - 軟磁性薄膜成膜方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［概　要］ 磁気記録装置に用いる薄膜磁気ヘッドの磁性薄膜の成膜
方法に関し、 高性能の薄膜磁気ヘッドの提供を目的とし、磁気ギャッ
プを介した２層の軟磁性薄膜に依り構成される磁気回路
に交差するように配置された薄膜コイルを有する薄膜磁
気ヘッドに於いて、軟磁性膜を鉄とコバルトの合金めっ
き法に依って形成する際に、鉄とコバルトのイオン比を
１：５乃至１：３０としためっき浴に依り成膜するよう
に構成ｆる。

［産業上の利用分野］ 本発明は、磁気記録装置に用いる薄膜磁気ヘッドの磁性
薄膜の成膜方法に関する。

磁気記録装置の高速化大容量化に伴い、薄膜磁気ヘッド
の使用が一般化しつつある。

薄膜磁気ヘッドは、例えば鉄とニンケルの合金であるパ
ーマロイ等の軟磁性薄膜とコイルで磁気回路を構成して
いる。

パーマロイの薄膜は、通常蒸着やスパッタ等の真空成膜
法やめっき法に依って形成される。

［従来の技術］ 薄膜磁気ヘッドは、第２図の斜視図に示す如き構造をし
ていて、第３図（ａ）〜（６）に示す工程で作られる。

（１）同図（ａ）に示す如く、Ａｌｚ０３−Ｔｉ−Ｃ等
の基板１の上にアルミナ等のスパッタリングに依り下部
保護膜層２を形成し、その上にパーマロイ、センダスト
等の軟磁性合金、又は、ＭｎＺｎフェライト系軟磁性合
金をスパッタリング或いはめっきに依り下部磁極層（下
部軟磁性膜）３を形成する。

（２）同図ら）に示す如く、下部磁極層３の上にアルミ
ナ等のスパッタリングに依りギャップ絶縁層４を形成す
る。

（３）同図（Ｃ）に示す如く、ギャップ絶縁層４の上に
フォトレジストに依り下部絶縁膜層５を形成する。

（４）同図（ｄ）に示す如く、下部絶縁膜層５の上に銅
等のスパッタリング或いはめっきに依りコイル層６を形
成する。

（５）同図（ｅ）に示す如く、コイル層６を覆うように
フォトレジストに依り下部絶縁膜層５の上に上部絶縁膜
層７を形成する。

（６）同図げ）に示す如く上部絶縁膜層７の上に下部磁
極層３と同一材料のスパッタリング或いはめっきに依り
上部磁極層（上部軟磁性膜）８を形成する。

（７）同図（顧に示す如く、上部磁極層８の上にアルミ
ナ等のスパッタリングに依り上部保護膜層９を形成した
後、点線部分迄研磨して下部磁極Ｎ３と上部磁極層８の
端面を露出する。

このようにして第１図に示す如く、下部磁極３ａと上部
磁極８ａがギャップ絶縁層４に依って磁気ギャップを介
して対向した薄膜磁気ヘッドが得られる。

〔発明が解決しようとする課題］ 従来の薄膜磁気ヘッドに用いられているパーマロイは、
鉄とニッケルの合金であって、通常Ｎｉ−８１ｗｔ、％
ニッケル近傍の組成を使用している。

パーマロイの飽和磁束密度は、９０００〜１００００ガ
ウスである。

近年、磁気記憶装置の高性能化の為に、記録媒体を高抗
磁力（＝保磁カニＨｃ）化して磁化の反転幅を縮小し、
反転密度を高密度化することが進められており、いまや
Ｈｃは２００００ｅに近づきつつある。

このような高抗磁力記録媒体に情報を記録する磁気ヘッ
ドには、媒体Ｈｃの２乃至３倍の大きな磁場を発生する
ことが要求される。

然し乍ら、従来技術の薄膜磁気ヘッドでは、Ｈｃは１５
０００ｅ程度の記録媒体迄しか記録出来ず、磁気記録装
置の高性能化の障壁となると言う問題点があった。

本発明は、高性能の薄膜磁気ヘッドの提供を目的とする
ものである。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成する為に本発明に於いては、所定の間隙
を介した２層の軟磁性薄膜に依り構成される磁気回路に
交差するように配置された薄膜コイルを有する薄膜磁気
ヘッドに於いて、軟磁性薄膜を鉄とコバルトの合金めっ
き法に依り形成する際に、鉄とコバルトのイオン比を１
：５乃至１：３０としためっき浴に依って成膜するよう
にしたものである。

〔作用〕

鉄とコバルトのイオン比を１：５乃至１：３０とした組
成のめっき浴に依って軟磁性薄膜を成膜することに依り
、抗磁力が小さく且つ飽和磁束密度が大きく、表面粗さ
が小さい良好な磁性膜が得られる。

〔実施例〕

第１図は本発明を適用し各種イオン比に於いて成膜され
た軟磁性薄膜の特性を示す磁化曲線図である。

本発明に於いては、従来技術の２層の下部磁極層（下部
軟磁性膜）３と上部磁極層（上部軟磁性膜）８を鉄とコ
バルトの合金めっき法に依り形成すると共に、そのめっ
き浴の鉄とコバルトのイオン比をｌ：５乃至１：３０と
したものである。

即ち、磁極層の飽和磁束密度を大きくして太きな磁場を
発生する為には、磁極の材料として鉄とコバルトの合金
が適しており、従来技術のパーマロイのそれが９０００
〜１００００ガウスであるのに比し１８０００ガウスと
大きい。

一般にコバルトの薄膜は、成膜方向に結晶配向して垂直
磁気異方性を保存し易い性質を有する為に、１１１ｖＡ
気ヘツドに適した良好な磁性膜を得ることが困難である
。

薄膜磁気ヘッドに適した良好な磁性膜とは、磁気特性で
抗磁力が小さく、且つ表面粗さが小さい（光沢面）等の
条件を満足するものであり、この両者を満足するめっき
浴の組成を発見する為に、実験に依り以下の表に示す如
く詳細に検討した。

表 二の結果、第１図（ａ）〜（Ｃ）の磁化曲線図に示す如
く、めっき浴の鉄：コバルトのイオンの組成比は、１：
１０の時に磁気特性及び表面性が最も優れていることが
判った。

〔発明の効果］ 本発明の軟磁性薄膜成膜方法に依って軟磁性薄膜を成膜
することに依り、抗磁力が小さく、且つ飽和磁束密度が
大きく、表面粗さが小さい良好な磁性膜の薄膜磁気ヘッ
ドが得られる等、経済上及び産業上に多大の効果を奏す
る。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明を適用し各種イオン比に
於いて成膜された軟磁性薄膜の特性を示す磁化曲線図、 第２図は本発明を適用する薄膜磁気ヘッドの斜視図、 第３図（ａ）〜（匂は薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す
説明図である。 図に於いて、 １は基板、　　　　　　　２は下部保護膜層、３は下部
磁極層（下部軟磁性薄膜）、 ３ａは下部磁極、　　　　４はギャップ絶縁層、５は下
部絶縁膜層、　　　６はコイル層、７は上部絶縁膜層、 ８は上部磁極層（上部軟磁性薄膜）、 ８ａは上部磁極、　　　　９は上部保護膜層である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 磁気ギャップを介した２層の軟磁性薄膜に依り構成され
   る磁気回路に交差するように配置された薄膜コイルを有
   する薄膜磁気ヘッドに於いて、前記軟磁性薄膜を鉄とコ
   バルトの合金めっき法に依って形成する際に、 鉄とコバルトのイオン比を１：５乃至１：３０としため
   っき浴に依り成膜することを特徴とする軟磁性薄膜成膜
   方法。