JP2870374B2 - 薄膜磁気抵抗効果ヘッド - Google Patents
薄膜磁気抵抗効果ヘッドInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高記録密度ハードディ
スクドライブに使用される薄膜磁気抵抗効果ヘッドに関
するものである。
スクドライブに使用される薄膜磁気抵抗効果ヘッドに関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録装置の小型化・高記録密
度化にともない、磁気抵抗効果型薄膜ヘッド（以下、薄
膜磁気抵抗効果ヘッドという）が利用されるようになっ
てきた。薄膜磁気抵抗効果ヘッドは磁気ディスクあるい
は磁気テープなどの磁気記録媒体に記録された信号磁界
を磁気抵抗効果素子（以下、磁気抵抗効果素子という）
の電気抵抗変化として検出するものであり、従って、磁
気誘導型ヘッドとは異なり磁気記録媒体の移動速度に依
存せずに信号磁界を再生できるという特長を持つ。薄膜
磁気抵抗効果ヘッドは今後さらに小型化が図られるもの
と考えられ、高い寸法精度が実現可能な薄膜形成技術が
益々重要となっている。
度化にともない、磁気抵抗効果型薄膜ヘッド（以下、薄
膜磁気抵抗効果ヘッドという）が利用されるようになっ
てきた。薄膜磁気抵抗効果ヘッドは磁気ディスクあるい
は磁気テープなどの磁気記録媒体に記録された信号磁界
を磁気抵抗効果素子（以下、磁気抵抗効果素子という）
の電気抵抗変化として検出するものであり、従って、磁
気誘導型ヘッドとは異なり磁気記録媒体の移動速度に依
存せずに信号磁界を再生できるという特長を持つ。薄膜
磁気抵抗効果ヘッドは今後さらに小型化が図られるもの
と考えられ、高い寸法精度が実現可能な薄膜形成技術が
益々重要となっている。
【０００３】図８は従来の薄膜磁気抵抗効果ヘッドを示
す斜視図であり、薄膜磁気抵抗効果ヘッドはＡｌ2 Ｏ3
−Ｔｉ−Ｃ等のセラミック構造体でなるスライダー部１
と、このスライダー部１の空気流出側の端面に薄膜形成
技術とフォトリソグラフィー技術とによって形成される
ヘッド部２とによって構成される。尚、浮上レール３は
スライダー部１を研削等により機械加工することで形成
される。また、素子部４は磁気記録媒体に信号磁界を記
録再生する箇所である。
す斜視図であり、薄膜磁気抵抗効果ヘッドはＡｌ2 Ｏ3
−Ｔｉ−Ｃ等のセラミック構造体でなるスライダー部１
と、このスライダー部１の空気流出側の端面に薄膜形成
技術とフォトリソグラフィー技術とによって形成される
ヘッド部２とによって構成される。尚、浮上レール３は
スライダー部１を研削等により機械加工することで形成
される。また、素子部４は磁気記録媒体に信号磁界を記
録再生する箇所である。
【０００４】図９は従来の薄膜磁気抵抗効果ヘッドを示
す正面図で、薄膜磁気抵抗効果ヘッドの膜構成の一例を
示した図である。この図を参照しつつ以下に従来の薄膜
磁気抵抗効果ヘッドの構成および製造方法について説明
する。
す正面図で、薄膜磁気抵抗効果ヘッドの膜構成の一例を
示した図である。この図を参照しつつ以下に従来の薄膜
磁気抵抗効果ヘッドの構成および製造方法について説明
する。
【０００５】先ず、Ａｌ2 Ｏ3 −Ｔｉ−Ｃ等のセラミッ
ク構造体でなる基板５（後にスライダー部１となる）の
全面に、Ａｌ2 Ｏ3 等でなる絶縁層６をスパッタ等で付
ける。次いで、センダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金）ま
たはパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）等の軟磁性材料より
なる下部磁気シールド層７をスパッタ法または電解めっ
き法等の薄膜形成技術によって形成する。更に、Ａｌ2
Ｏ3 等でなる非磁性膜をスパッタ法または蒸着法等によ
って形成して下部リードギャップ層８とする。その後、
パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）等の磁気抵抗効果減少を
示す材料で構成された磁気抵抗効果素子層９をスパッタ
または蒸着にて付ける。
ク構造体でなる基板５（後にスライダー部１となる）の
全面に、Ａｌ2 Ｏ3 等でなる絶縁層６をスパッタ等で付
ける。次いで、センダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金）ま
たはパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）等の軟磁性材料より
なる下部磁気シールド層７をスパッタ法または電解めっ
き法等の薄膜形成技術によって形成する。更に、Ａｌ2
Ｏ3 等でなる非磁性膜をスパッタ法または蒸着法等によ
って形成して下部リードギャップ層８とする。その後、
パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）等の磁気抵抗効果減少を
示す材料で構成された磁気抵抗効果素子層９をスパッタ
または蒸着にて付ける。
【０００６】次いで、磁気抵抗効果素子層９の左右端部
を覆う形でＡｕ等でなる導体層をスパッタにて付けリー
ド層１０を形成する。更に、Ａｌ2 Ｏ3 等でなる非磁性
膜をスパッタまたは蒸着にて付け上部リードギャップ層
１１を形成する。次いで、パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合
金）等の軟磁性材料で構成された下地電極膜１７をスパ
ッタまたは蒸着にて付け、パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合
金）等の軟磁性材料で構成された上部磁気シールド層１
２を電解めっきにより形成する。
を覆う形でＡｕ等でなる導体層をスパッタにて付けリー
ド層１０を形成する。更に、Ａｌ2 Ｏ3 等でなる非磁性
膜をスパッタまたは蒸着にて付け上部リードギャップ層
１１を形成する。次いで、パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合
金）等の軟磁性材料で構成された下地電極膜１７をスパ
ッタまたは蒸着にて付け、パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合
金）等の軟磁性材料で構成された上部磁気シールド層１
２を電解めっきにより形成する。
【０００７】更に、パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）の軟
磁性材料より構成される下部磁性層１３を電解めっきに
より形成する。次いで、図示していないが、レジスト等
でなる絶縁層を形成した後、電解めっきによる導体コイ
ルおよびレジスト等でなる絶縁層を形成する。更に、Ａ
ｌ2 Ｏ3 等でなる非磁性膜をスパッタまたは蒸着にて付
け記録ギャップ層１４とする。
磁性材料より構成される下部磁性層１３を電解めっきに
より形成する。次いで、図示していないが、レジスト等
でなる絶縁層を形成した後、電解めっきによる導体コイ
ルおよびレジスト等でなる絶縁層を形成する。更に、Ａ
ｌ2 Ｏ3 等でなる非磁性膜をスパッタまたは蒸着にて付
け記録ギャップ層１４とする。
【０００８】次いで、上部磁性層１５を電解めっきによ
り形成した後、Ａｌ2 Ｏ3 等でなる保護層１６をスパッ
タまたは蒸着で付け成膜プロセスを完了する。
り形成した後、Ａｌ2 Ｏ3 等でなる保護層１６をスパッ
タまたは蒸着で付け成膜プロセスを完了する。
【０００９】尚、各膜の形状はフォトリソグラフィー技
術と真空微細加工技術とによって所定形状に加工され
る。
術と真空微細加工技術とによって所定形状に加工され
る。
【００１０】この様に構成された薄膜磁気抵抗効果ヘッ
ドは、導体コイルに記録電流を流す事によって、下部磁
性層１３と上部磁性層１５の間に磁気回路が構成され、
記録ギャップ層１４から飛び出した磁束によって磁気記
録媒体に磁気データを書き込み、磁気抵抗効果素子層９
によって磁気記録媒体に記録された磁気データを読み取
って、磁気データを再生していた。
ドは、導体コイルに記録電流を流す事によって、下部磁
性層１３と上部磁性層１５の間に磁気回路が構成され、
記録ギャップ層１４から飛び出した磁束によって磁気記
録媒体に磁気データを書き込み、磁気抵抗効果素子層９
によって磁気記録媒体に記録された磁気データを読み取
って、磁気データを再生していた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記従来
の構成では、磁気抵抗効果素子層９で再生した再生出力
になだらかな立ち上がりまたは立ち下がりが発生し、分
解能が低下してデータの読み取りエラーを生じるという
問題点があった。この再生出力のなだらかさは、記録密
度が高くなればなるほど、その度合が大きくなり、それ
にともなって分解能が悪くなってくる。
の構成では、磁気抵抗効果素子層９で再生した再生出力
になだらかな立ち上がりまたは立ち下がりが発生し、分
解能が低下してデータの読み取りエラーを生じるという
問題点があった。この再生出力のなだらかさは、記録密
度が高くなればなるほど、その度合が大きくなり、それ
にともなって分解能が悪くなってくる。
【００１２】本発明は、前記従来の課題を解決するもの
で電磁変換特性の優れた薄膜磁気抵抗効果ヘッドを提供
することを目的とする。
で電磁変換特性の優れた薄膜磁気抵抗効果ヘッドを提供
することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、基板と、前記基板上に設けられた磁気抵抗効果素子
層と、前記磁気抵抗効果素子層にセンス電流を供給する
リード層と、前記磁気抵抗効果素子層の上方に設けら
れ、インダクティブ型の記録素子を備えた薄膜磁気抵抗
効果ヘッドであって、前記磁気抵抗効果素子層にリード
層を接合することによって生じた窪み部に段差緩和部を
設けて、記録ギャップ層の段差を制御するようにした。
に、基板と、前記基板上に設けられた磁気抵抗効果素子
層と、前記磁気抵抗効果素子層にセンス電流を供給する
リード層と、前記磁気抵抗効果素子層の上方に設けら
れ、インダクティブ型の記録素子を備えた薄膜磁気抵抗
効果ヘッドであって、前記磁気抵抗効果素子層にリード
層を接合することによって生じた窪み部に段差緩和部を
設けて、記録ギャップ層の段差を制御するようにした。
【００１４】
【作用】この構成により、記録ギャップの変形が少な
く、記録された磁気データが湾曲しない。
く、記録された磁気データが湾曲しない。
【００１５】
【実施例】図１は本発明の一実施例における薄膜磁気抵
抗効果ヘッドを示す正面図である。図１において、５は
基板、６は絶縁層、７は下部磁気シールド層、８は下部
リードギャップ層、９は磁気抵抗効果素子層（以下ＭＲ
素子層と略す）、１０はリード層、１１は上部リードギ
ャップ層、１２は上部磁気シールド層、１３は下部磁性
層、１４は記録ギャップ層、１５は上部磁性層、１６は
保護層、１７は下地電極膜でこれらはほぼ従来の構成と
同じである。また図示していないが、下部磁性層１３と
上部磁性層１５の間には、記録電流が流されるととも
に、スパイラル上に形成されたコイル層が設けられてい
る。この記録電流によって生じた磁束が、下部磁性層１
３及び上部磁性層１５の中を流れる。１９は下地電極膜
１７の上に形成された段差緩和膜で、段差緩和膜１９は
パーマロイ等の材料で構成されており、リード層１０を
ＭＲ素子層９の両端に設けた事によって生じる下地電極
膜１７の窪んだ部分に形成されている。この段差緩和膜
１９を設ける事で、上部磁気シールド層１２のＭＲ素子
層９の上部は略平坦となる。この様に構成された上部磁
気シールド層１２上に下部磁性層１３、記録ギャップ層
１４、上部磁性層１５を形成すると、記録ギャップ層１
４にはほとんど湾曲が生じない（記録ギャップ層１４を
形成する下部磁性層１３の表面の段差が０．０５μｍ以
下）事が分かった。
抗効果ヘッドを示す正面図である。図１において、５は
基板、６は絶縁層、７は下部磁気シールド層、８は下部
リードギャップ層、９は磁気抵抗効果素子層（以下ＭＲ
素子層と略す）、１０はリード層、１１は上部リードギ
ャップ層、１２は上部磁気シールド層、１３は下部磁性
層、１４は記録ギャップ層、１５は上部磁性層、１６は
保護層、１７は下地電極膜でこれらはほぼ従来の構成と
同じである。また図示していないが、下部磁性層１３と
上部磁性層１５の間には、記録電流が流されるととも
に、スパイラル上に形成されたコイル層が設けられてい
る。この記録電流によって生じた磁束が、下部磁性層１
３及び上部磁性層１５の中を流れる。１９は下地電極膜
１７の上に形成された段差緩和膜で、段差緩和膜１９は
パーマロイ等の材料で構成されており、リード層１０を
ＭＲ素子層９の両端に設けた事によって生じる下地電極
膜１７の窪んだ部分に形成されている。この段差緩和膜
１９を設ける事で、上部磁気シールド層１２のＭＲ素子
層９の上部は略平坦となる。この様に構成された上部磁
気シールド層１２上に下部磁性層１３、記録ギャップ層
１４、上部磁性層１５を形成すると、記録ギャップ層１
４にはほとんど湾曲が生じない（記録ギャップ層１４を
形成する下部磁性層１３の表面の段差が０．０５μｍ以
下）事が分かった。
【００１６】図２は本発明の一実施例における薄膜磁気
抵抗効果ヘッドで記録された磁気記録媒体上の磁気デー
タの模式図である。図２において、３０は磁気記録媒体
上に形成されたトラック部、３１はトラック部３０中の
磁化反転部、３２はトラック部３０上に磁気データを再
生するＭＲ素子層である。
抵抗効果ヘッドで記録された磁気記録媒体上の磁気デー
タの模式図である。図２において、３０は磁気記録媒体
上に形成されたトラック部、３１はトラック部３０中の
磁化反転部、３２はトラック部３０上に磁気データを再
生するＭＲ素子層である。
【００１７】この様に本実施例では、磁化反転部３１は
直線的であるので、ＭＲ素子層３２でデータを読み取る
と、その再生出力の立ち上がり及び立ち下がりは非常に
シャープな形状となり、データエラー等を生じる事はな
い。
直線的であるので、ＭＲ素子層３２でデータを読み取る
と、その再生出力の立ち上がり及び立ち下がりは非常に
シャープな形状となり、データエラー等を生じる事はな
い。
【００１８】しかしながら図３に示す様に従来のヘッド
の様に記録ギャップ層１４が湾曲している状態であれ
ば、磁化反転部３１も湾曲する事となるので、ＭＲ素子
層３２でデータを読み取ると、その再生出力の立ち上が
り及び立ち下がりはなだらかな形状となり、データエラ
ー等を生じる。
の様に記録ギャップ層１４が湾曲している状態であれ
ば、磁化反転部３１も湾曲する事となるので、ＭＲ素子
層３２でデータを読み取ると、その再生出力の立ち上が
り及び立ち下がりはなだらかな形状となり、データエラ
ー等を生じる。
【００１９】従って、本発明は、この記録ギャップ層１
４の湾曲の度合、即ち記録ギャップ層１４を設ける下部
磁性層１３に形成される段差を制御する（段差を０．０
５μｍ以下）事によって、電磁変換特性を向上させるも
のであり、段差緩和膜１９を設ける事は一つの手段であ
る。即ち、段差緩和膜１９は、リード層１０を形成した
後に形成される窪み部に、しかもＭＲ素子層９と下部磁
性層１３の間に設ければ良く、さらには段差緩和膜１９
を設けずとも、他の方法で記録ギャップ層１４の湾曲の
度合を制御してもよい。
４の湾曲の度合、即ち記録ギャップ層１４を設ける下部
磁性層１３に形成される段差を制御する（段差を０．０
５μｍ以下）事によって、電磁変換特性を向上させるも
のであり、段差緩和膜１９を設ける事は一つの手段であ
る。即ち、段差緩和膜１９は、リード層１０を形成した
後に形成される窪み部に、しかもＭＲ素子層９と下部磁
性層１３の間に設ければ良く、さらには段差緩和膜１９
を設けずとも、他の方法で記録ギャップ層１４の湾曲の
度合を制御してもよい。
【００２０】次に製造方法について説明する。図４
（ａ）〜（ｃ）及び図５（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実
施例における薄膜磁気抵抗効果ヘッドの製造方法を示す
工程図で、１７はパーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）からな
る下地電極膜、１９はパーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）よ
りなる段差緩和膜、４０は有機絶縁体でなるフォトレジ
ストである。尚、図４（ａ）は従来の技術と同じ方法で
上部リードギャップ層１１まで形成した後、次工程で電
解めっきを行うためパーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）でな
る下地電極膜１７をスパッタまたは蒸着にて上部リード
ギャップ層１１上の全面に付けた状態を示す図である。
以下図４，図５を参照しつつ、本発明による薄膜磁気抵
抗効果ヘッドの製造方法を説明する。
（ａ）〜（ｃ）及び図５（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実
施例における薄膜磁気抵抗効果ヘッドの製造方法を示す
工程図で、１７はパーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）からな
る下地電極膜、１９はパーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）よ
りなる段差緩和膜、４０は有機絶縁体でなるフォトレジ
ストである。尚、図４（ａ）は従来の技術と同じ方法で
上部リードギャップ層１１まで形成した後、次工程で電
解めっきを行うためパーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）でな
る下地電極膜１７をスパッタまたは蒸着にて上部リード
ギャップ層１１上の全面に付けた状態を示す図である。
以下図４，図５を参照しつつ、本発明による薄膜磁気抵
抗効果ヘッドの製造方法を説明する。
【００２１】先ず、図４（ａ）においてＭＲ素子層９上
の左右端部を覆う様にリード層１０（膜厚０. １５μｍ
程度）を形成することで、上部リードギャップ層１１に
は段差ｔ５（ｔ５＝０. １５μｍ）が生じる。次いで、
フォトレジスト４０を下地電極膜１７の全面に塗布した
後、上記段差部のみを露光し（図４（ｂ））、現像にて
該段差部のレジストを除去した上で（図４（ｃ））、該
段差部にパーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）よりなる段差緩
和膜１９を電流密度＝０. ８Ａ／ｄｍ2 にて段差ｔ５の
約１／２の膜厚だけ電解めっきし、段差ｔ６（ｔ６＝
０. ０８μｍ）とする（図５（ａ））。
の左右端部を覆う様にリード層１０（膜厚０. １５μｍ
程度）を形成することで、上部リードギャップ層１１に
は段差ｔ５（ｔ５＝０. １５μｍ）が生じる。次いで、
フォトレジスト４０を下地電極膜１７の全面に塗布した
後、上記段差部のみを露光し（図４（ｂ））、現像にて
該段差部のレジストを除去した上で（図４（ｃ））、該
段差部にパーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）よりなる段差緩
和膜１９を電流密度＝０. ８Ａ／ｄｍ2 にて段差ｔ５の
約１／２の膜厚だけ電解めっきし、段差ｔ６（ｔ６＝
０. ０８μｍ）とする（図５（ａ））。
【００２２】ここで、段差緩和膜１９の膜厚を段差ｔ５
の約１／２とする理由は、次工程図５（ｂ）で上部磁気
シールド層１２を電解めっきにて形成する際、下地電極
膜１７のみからなる膜厚の薄い部分よりも下地電極膜１
７の上に段差緩和膜１９が形成された膜厚の厚い部分に
より電流が集中し、この部分のめっきレートが大きくな
るためである。すなわち、仮に段差ｔ５と同じ膜厚の段
差緩和膜１９をめっきした場合には上部磁気シールド層
１２を形成した時、段差緩和膜１９上のめっき部分が盛
り上がり、逆に大きな凸状の段差ができてしまうためで
ある。
の約１／２とする理由は、次工程図５（ｂ）で上部磁気
シールド層１２を電解めっきにて形成する際、下地電極
膜１７のみからなる膜厚の薄い部分よりも下地電極膜１
７の上に段差緩和膜１９が形成された膜厚の厚い部分に
より電流が集中し、この部分のめっきレートが大きくな
るためである。すなわち、仮に段差ｔ５と同じ膜厚の段
差緩和膜１９をめっきした場合には上部磁気シールド層
１２を形成した時、段差緩和膜１９上のめっき部分が盛
り上がり、逆に大きな凸状の段差ができてしまうためで
ある。
【００２３】次いで、上部磁気シールド層１２を電流密
度＝０. ８Ａ／ｄｍ2 にて電解めっきすることで、段差
ｔ６は段差ｔ７（ｔ７＝０. ０４μｍ）まで緩和される
（図５（ｂ））。尚、この際段差緩和膜１９の左右の凹
みに対しては、これが急峻な段差であるため、めっきに
よるレベリング効果は比較的大きく作用する。次いで、
下部磁性層１３を電流密度＝０. ８Ａ／ｄｍ2 にて電解
めっきすることで、段差ｔ８はほぼゼロとなる（図５
（ｃ））。
度＝０. ８Ａ／ｄｍ2 にて電解めっきすることで、段差
ｔ６は段差ｔ７（ｔ７＝０. ０４μｍ）まで緩和される
（図５（ｂ））。尚、この際段差緩和膜１９の左右の凹
みに対しては、これが急峻な段差であるため、めっきに
よるレベリング効果は比較的大きく作用する。次いで、
下部磁性層１３を電流密度＝０. ８Ａ／ｄｍ2 にて電解
めっきすることで、段差ｔ８はほぼゼロとなる（図５
（ｃ））。
【００２４】次いで、図示しないレジスト等でなる絶縁
層および電解めっきにより導体コイルさらにレジスト等
でなる絶縁層を形成するが、これらの膜は下部磁性層１
３の形状には全く影響しない。その後、Ａｌ2 Ｏ3 等で
なる非磁性膜をスパッタまたは蒸着にて付け記録ギャッ
プ層１４を形成するが、その形状は下部磁性層１３の上
端形状で規定され、したがって平坦となる（すなわち記
録ギャップ層１４の段差とｔ８はほぼ同じ）。さらに、
上部磁性層１５を電解めっきにより形成した後、Ａｌ2
Ｏ3 等でなる保護層１６をスパッタまたは蒸着で付け成
膜プロセスを完了する（図５（ｄ））。尚、各膜の形状
はフォトリソグラフィー技術と真空微細加工技術とによ
って所定形状に加工される。
層および電解めっきにより導体コイルさらにレジスト等
でなる絶縁層を形成するが、これらの膜は下部磁性層１
３の形状には全く影響しない。その後、Ａｌ2 Ｏ3 等で
なる非磁性膜をスパッタまたは蒸着にて付け記録ギャッ
プ層１４を形成するが、その形状は下部磁性層１３の上
端形状で規定され、したがって平坦となる（すなわち記
録ギャップ層１４の段差とｔ８はほぼ同じ）。さらに、
上部磁性層１５を電解めっきにより形成した後、Ａｌ2
Ｏ3 等でなる保護層１６をスパッタまたは蒸着で付け成
膜プロセスを完了する（図５（ｄ））。尚、各膜の形状
はフォトリソグラフィー技術と真空微細加工技術とによ
って所定形状に加工される。
【００２５】ちなみに、本実施例での電解めっきを実施
するためのめっき液としては、硫酸ニッケル・塩化ニッ
ケル・硫酸第一鉄水溶液に所定量の添加剤を加えたもの
を浴温３５℃にて使用し、電解めっきは膜厚、組成等の
均一化を図るため、機械的に撹拌する装置を取り付けた
状態で行なう。尚、上記実施例では上部磁気シールド層
１２を形成する前に段差緩和膜１９を形成しているが、
上部磁気シールド層１２を形成した後に形成しても構わ
ない。また、上記実施例は上部磁気シールド層１２上に
下部磁性層１３を積層するタイプの薄膜磁気抵抗効果ヘ
ッドに対しての例であるが、上部磁気シールド層１２が
下部磁性層１３を兼ねるタイプすなわち、構造上、下部
磁性層１３が無いタイプの薄膜磁気抵抗効果ヘッドに対
して行っても構わない。また、上記実施例では段差緩和
膜１９をめっきにより形成するが、スパッタ又は、蒸着
によって形成しても構わない。
するためのめっき液としては、硫酸ニッケル・塩化ニッ
ケル・硫酸第一鉄水溶液に所定量の添加剤を加えたもの
を浴温３５℃にて使用し、電解めっきは膜厚、組成等の
均一化を図るため、機械的に撹拌する装置を取り付けた
状態で行なう。尚、上記実施例では上部磁気シールド層
１２を形成する前に段差緩和膜１９を形成しているが、
上部磁気シールド層１２を形成した後に形成しても構わ
ない。また、上記実施例は上部磁気シールド層１２上に
下部磁性層１３を積層するタイプの薄膜磁気抵抗効果ヘ
ッドに対しての例であるが、上部磁気シールド層１２が
下部磁性層１３を兼ねるタイプすなわち、構造上、下部
磁性層１３が無いタイプの薄膜磁気抵抗効果ヘッドに対
して行っても構わない。また、上記実施例では段差緩和
膜１９をめっきにより形成するが、スパッタ又は、蒸着
によって形成しても構わない。
【００２６】図６は段差ｔ８とＰＷ５０の関係を示すグ
ラフである。図４において、ＰＷ５０とは孤立再生波形
の半値幅（線記録密度の代用特性値）の変化を示すもの
である。図４から分かるように段差ｔ８が大きければ大
きい程ＰＷ５０の変化幅が大きい事がわかる。従って、
段差ｔ８は０．１０μｍ以下であれば十分に効果を得る
事ができ、更には０．０５μｍ以下であれば、ほとんど
ＰＷ５０の変化が無いことがわかる。
ラフである。図４において、ＰＷ５０とは孤立再生波形
の半値幅（線記録密度の代用特性値）の変化を示すもの
である。図４から分かるように段差ｔ８が大きければ大
きい程ＰＷ５０の変化幅が大きい事がわかる。従って、
段差ｔ８は０．１０μｍ以下であれば十分に効果を得る
事ができ、更には０．０５μｍ以下であれば、ほとんど
ＰＷ５０の変化が無いことがわかる。
【００２７】従って、段差ｔ８（記録ギャップ層１４の
段差）は０．１０μｍ以下好ましくは０．０５μｍ以下
がよい。
段差）は０．１０μｍ以下好ましくは０．０５μｍ以下
がよい。
【００２８】図７は本実施例および従来例による薄膜磁
気抵抗効果ヘッドでの再生出力電圧の記録周波数特性を
示す図であり、この図から明らかなように、本実施例に
よる薄膜磁気抵抗効果ヘッドの再生出力電圧は特に高周
波数域で従来例によるものよりも高く、再生分解能が向
上することが判る。
気抵抗効果ヘッドでの再生出力電圧の記録周波数特性を
示す図であり、この図から明らかなように、本実施例に
よる薄膜磁気抵抗効果ヘッドの再生出力電圧は特に高周
波数域で従来例によるものよりも高く、再生分解能が向
上することが判る。
【００２９】以上のように本実施例によれば、記録ギャ
ップ層１４の段差を０．１０μｍ以下好ましくは０．０
５μｍ以下に制御することによって、優れた電磁変換特
性を得る事ができる。
ップ層１４の段差を０．１０μｍ以下好ましくは０．０
５μｍ以下に制御することによって、優れた電磁変換特
性を得る事ができる。
【００３０】なお、本実施例を、記録素子（下部磁性層
１３、記録ギャップ層１４、上部磁性層１５等より構成
される）をＭＲ素子層９の上に形成するヘッドに関して
特に有用である。すなわち、従来例では、上記記録素子
によって記録再生を行うヘッドもあるが、それらには、
記録ギャップ層１４の湾曲は生じない（平坦な基板上に
形成されるから）。従って、本実施例は、記録素子を再
生素子上に形成する場合等に有効である。
１３、記録ギャップ層１４、上部磁性層１５等より構成
される）をＭＲ素子層９の上に形成するヘッドに関して
特に有用である。すなわち、従来例では、上記記録素子
によって記録再生を行うヘッドもあるが、それらには、
記録ギャップ層１４の湾曲は生じない（平坦な基板上に
形成されるから）。従って、本実施例は、記録素子を再
生素子上に形成する場合等に有効である。
【００３１】
【発明の効果】本発明は基板と、前記基板上に設けられ
た磁気抵抗効果素子層と、前記磁気抵抗効果素子層にセ
ンス電流を供給するリード層と、前記磁気抵抗効果素子
層の上方に設けられ、インダクティブ型の記録素子を備
えた薄膜磁気抵抗効果ヘッドであって、前記磁気抵抗効
果素子層にリード層を接合することによって生じた窪み
部に段差緩和部を設けて、記録ギャップ層の段差を制御
するようにした事により、記録ギャップの変形が少な
く、記録された磁気データが湾曲しないので、優れた電
磁変換特性を得ることができる。
た磁気抵抗効果素子層と、前記磁気抵抗効果素子層にセ
ンス電流を供給するリード層と、前記磁気抵抗効果素子
層の上方に設けられ、インダクティブ型の記録素子を備
えた薄膜磁気抵抗効果ヘッドであって、前記磁気抵抗効
果素子層にリード層を接合することによって生じた窪み
部に段差緩和部を設けて、記録ギャップ層の段差を制御
するようにした事により、記録ギャップの変形が少な
く、記録された磁気データが湾曲しないので、優れた電
磁変換特性を得ることができる。
【図１】本発明の一実施例における薄膜磁気抵抗効果ヘ
ッドを示す正面図
ッドを示す正面図
【図２】本発明の一実施例における薄膜磁気抵抗効果ヘ
ッドで記録された磁気記録媒体上の磁気データの模式図
ッドで記録された磁気記録媒体上の磁気データの模式図
【図３】従来の薄膜磁気抵抗効果ヘッドで記録された磁
気記録媒体上の磁気データの模式図
気記録媒体上の磁気データの模式図
【図４】本発明の一実施例における薄膜磁気抵抗効果ヘ
ッドの製造方法を示す工程図
ッドの製造方法を示す工程図
【図５】本発明の一実施例における薄膜磁気抵抗効果ヘ
ッドの製造方法を示す工程図
ッドの製造方法を示す工程図
【図６】段差ｔ８とＰＷ５０の関係を示すグラフ
【図７】本実施例および従来例による薄膜磁気抵抗効果
ヘッドでの再生出力電圧の記録周波数特性を示す図
ヘッドでの再生出力電圧の記録周波数特性を示す図
【図８】従来の薄膜磁気抵抗効果ヘッドを示す斜視図
【図９】従来の薄膜磁気抵抗効果ヘッドを示す正面図
５ 基板 ６ 絶縁層 ７ 下部磁気シールド層 ８ 下部リードギャップ層 ９ 磁気抵抗効果素子層（ＭＲ素子層） １０ リード層 １１ 上部リードギャップ層 １２ 上部磁気シールド層 １３ 下部磁性層 １４ 記録ギャップ層 １５ 上部磁性層 １６ 保護層 １７ 下地電極膜 １９ 段差緩和膜
Claims (4)
- 【請求項１】基板と、前記基板上に設けられた磁気抵抗
効果素子層と、前記磁気抵抗効果素子層にセンス電流を
供給するリード層と、前記磁気抵抗効果素子層の上方に
設けられ、インダクティブ型の記録素子を備えた薄膜磁
気抵抗効果ヘッドであって、前記磁気抵抗効果素子層に
リード層を接合することによって生じた窪み部に段差緩
和部を設けて、記録ギャップ層の段差を制御することを
特徴とする薄膜磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項２】基板と、前記基板上に設けられた下部磁気
シールド層と、前記下部磁気シールド層の上に設けられ
た磁気抵抗効果素子層と、前記磁気抵抗効果素子層にセ
ンス電流を供給するリード層と、前記磁気抵抗効果素子
層と前記リード層を前記下部磁気シールド層とともに挟
むように設けられた上部磁気シールド層とを備える再生
素子部と、前記上部磁気シールド層の上に設けられた下
部磁性層と、前記下部磁性層の上に設けられた記録ギャ
ップ層と、前記記録ギャップ層の上に設けられ、前記下
部磁性層とともに磁気回路を形成する上部磁性層と、前
記下部磁性層及び上部磁性層の間に設けられたコイル層
とを備える記録素子部とを有する薄膜磁気抵抗効果ヘッ
ドであって、前記再生素子部の前記磁気抵抗効果素子層
にリード層を接合する事によって生じた窪み部に段差緩
和部を設けて、記録素子部の記録ギャップ層の段差を制
御する事を特徴とする薄膜磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項３】磁気抵抗効果素子層と下部磁性層の間に段
差緩和部を備えたことを特徴とする請求項２記載の薄膜
磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項４】段差緩和部が、めっき膜、ないしはスパッ
タ膜、ないしは蒸着膜であることを特徴とする請求項１
または２記載の薄膜磁気抵抗効果ヘッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23965093A JP2870374B2 (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 薄膜磁気抵抗効果ヘッド |
| JP29032898A JPH11195208A (ja) | 1993-09-27 | 1998-10-13 | 薄膜磁気抵抗効果ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23965093A JP2870374B2 (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 薄膜磁気抵抗効果ヘッド |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29032898A Division JPH11195208A (ja) | 1993-09-27 | 1998-10-13 | 薄膜磁気抵抗効果ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0793717A JPH0793717A (ja) | 1995-04-07 |
| JP2870374B2 true JP2870374B2 (ja) | 1999-03-17 |
Family
ID=17047863
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23965093A Expired - Lifetime JP2870374B2 (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 薄膜磁気抵抗効果ヘッド |
| JP29032898A Pending JPH11195208A (ja) | 1993-09-27 | 1998-10-13 | 薄膜磁気抵抗効果ヘッド |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29032898A Pending JPH11195208A (ja) | 1993-09-27 | 1998-10-13 | 薄膜磁気抵抗効果ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JP2870374B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3842490B2 (ja) * | 1999-09-02 | 2006-11-08 | アルプス電気株式会社 | 記録用薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-09-27 JP JP23965093A patent/JP2870374B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-10-13 JP JP29032898A patent/JPH11195208A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11195208A (ja) | 1999-07-21 |
| JPH0793717A (ja) | 1995-04-07 |
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