JPH11195208A - 薄膜磁気抵抗効果ヘッド - Google Patents
薄膜磁気抵抗効果ヘッドInfo
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- JPH11195208A JPH11195208A JP29032898A JP29032898A JPH11195208A JP H11195208 A JPH11195208 A JP H11195208A JP 29032898 A JP29032898 A JP 29032898A JP 29032898 A JP29032898 A JP 29032898A JP H11195208 A JPH11195208 A JP H11195208A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電磁変換特性の優れた薄膜磁気抵抗効果ヘッ
ドを提供することを目的とする。 【解決手段】 記録ギャップ層１４の段差を０．１０μ
ｍ以下としたことにより、記録されたデータに湾曲が生
じないので、再生出力の立ち上がり立ち下がりがなだら
かにならない。
ドを提供することを目的とする。 【解決手段】 記録ギャップ層１４の段差を０．１０μ
ｍ以下としたことにより、記録されたデータに湾曲が生
じないので、再生出力の立ち上がり立ち下がりがなだら
かにならない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高記録密度ハード
ディスクドライブに使用される薄膜磁気抵抗効果ヘッド
に関するものである。
ディスクドライブに使用される薄膜磁気抵抗効果ヘッド
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録装置の小型化・高記録密
度化にともない、磁気抵抗効果型薄膜ヘッド（以下、薄
膜磁気抵抗効果ヘッドという）が利用されるようになっ
てきた。薄膜磁気抵抗効果ヘッドは磁気ディスクあるい
は磁気テープなどの磁気記録媒体に記録された信号磁界
を磁気抵抗効果素子（以下、磁気抵抗効果素子という）
の電気抵抗変化として検出するものであり、従って、磁
気誘導型ヘッドとは異なり磁気記録媒体の移動速度に依
存せずに信号磁界を再生できるという特長を持つ。薄膜
磁気抵抗効果ヘッドは今後さらに小型化が図られるもの
と考えられ、高い寸法精度が実現可能な薄膜形成技術が
益々重要となっている。
度化にともない、磁気抵抗効果型薄膜ヘッド（以下、薄
膜磁気抵抗効果ヘッドという）が利用されるようになっ
てきた。薄膜磁気抵抗効果ヘッドは磁気ディスクあるい
は磁気テープなどの磁気記録媒体に記録された信号磁界
を磁気抵抗効果素子（以下、磁気抵抗効果素子という）
の電気抵抗変化として検出するものであり、従って、磁
気誘導型ヘッドとは異なり磁気記録媒体の移動速度に依
存せずに信号磁界を再生できるという特長を持つ。薄膜
磁気抵抗効果ヘッドは今後さらに小型化が図られるもの
と考えられ、高い寸法精度が実現可能な薄膜形成技術が
益々重要となっている。
【０００３】図８は従来の薄膜磁気抵抗効果ヘッドを示
す斜視図であり、薄膜磁気抵抗効果ヘッドはＡｌ2Ｏ3−
Ｔｉ−Ｃ等のセラミック構造体でなるスライダー部１
と、このスライダー部１の空気流出側の端面に薄膜形成
技術とフォトリソグラフィー技術とによって形成される
ヘッド部２とによって構成される。尚、浮上レール３は
スライダー部１を研削等により機械加工することで形成
される。また、素子部４は磁気記録媒体に信号磁界を記
録再生する箇所である。
す斜視図であり、薄膜磁気抵抗効果ヘッドはＡｌ2Ｏ3−
Ｔｉ−Ｃ等のセラミック構造体でなるスライダー部１
と、このスライダー部１の空気流出側の端面に薄膜形成
技術とフォトリソグラフィー技術とによって形成される
ヘッド部２とによって構成される。尚、浮上レール３は
スライダー部１を研削等により機械加工することで形成
される。また、素子部４は磁気記録媒体に信号磁界を記
録再生する箇所である。
【０００４】図９は従来の薄膜磁気抵抗効果ヘッドを示
す正面図で、薄膜磁気抵抗効果ヘッドの膜構成の一例を
示した図である。この図を参照しつつ以下に従来の薄膜
磁気抵抗効果ヘッドの構成および製造方法について説明
する。
す正面図で、薄膜磁気抵抗効果ヘッドの膜構成の一例を
示した図である。この図を参照しつつ以下に従来の薄膜
磁気抵抗効果ヘッドの構成および製造方法について説明
する。
【０００５】先ず、Ａｌ2Ｏ3−Ｔｉ−Ｃ等のセラミック
構造体でなる基板５（後にスライダー部１となる）の全
面に、Ａｌ2Ｏ3等でなる絶縁層６をスパッタ等で付け
る。次いで、センダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金）また
はパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）等の軟磁性材料よりな
る下部磁気シールド層７をスパッタ法または電解めっき
法等の薄膜形成技術によって形成する。更に、Ａｌ2Ｏ3
等でなる非磁性膜をスパッタ法または蒸着法等によって
形成して下部リードギャップ層８とする。その後、パー
マロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）等の磁気抵抗効果減少を示す
材料で構成された磁気抵抗効果素子層９をスパッタまた
は蒸着にて付ける。
構造体でなる基板５（後にスライダー部１となる）の全
面に、Ａｌ2Ｏ3等でなる絶縁層６をスパッタ等で付け
る。次いで、センダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金）また
はパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）等の軟磁性材料よりな
る下部磁気シールド層７をスパッタ法または電解めっき
法等の薄膜形成技術によって形成する。更に、Ａｌ2Ｏ3
等でなる非磁性膜をスパッタ法または蒸着法等によって
形成して下部リードギャップ層８とする。その後、パー
マロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）等の磁気抵抗効果減少を示す
材料で構成された磁気抵抗効果素子層９をスパッタまた
は蒸着にて付ける。
【０００６】次いで、磁気抵抗効果素子層９の左右端部
を覆う形でＡｕ等でなる導体層をスパッタにて付けリー
ド層１０を形成する。更に、Ａｌ2Ｏ3等でなる非磁性膜
をスパッタまたは蒸着にて付け上部リードギャップ層１
１を形成する。次いで、パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）
等の軟磁性材料で構成された下地電極膜１７をスパッタ
または蒸着にて付け、パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）等
の軟磁性材料で構成された上部磁気シールド層１２を電
解めっきにより形成する。
を覆う形でＡｕ等でなる導体層をスパッタにて付けリー
ド層１０を形成する。更に、Ａｌ2Ｏ3等でなる非磁性膜
をスパッタまたは蒸着にて付け上部リードギャップ層１
１を形成する。次いで、パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）
等の軟磁性材料で構成された下地電極膜１７をスパッタ
または蒸着にて付け、パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）等
の軟磁性材料で構成された上部磁気シールド層１２を電
解めっきにより形成する。
【０００７】更に、パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）の軟
磁性材料より構成される下部磁性層１３を電解めっきに
より形成する。次いで、図示していないが、レジスト等
でなる絶縁層を形成した後、電解めっきによる導体コイ
ルおよびレジスト等でなる絶縁層を形成する。更に、Ａ
ｌ2Ｏ3等でなる非磁性膜をスパッタまたは蒸着にて付け
記録ギャップ層１４とする。
磁性材料より構成される下部磁性層１３を電解めっきに
より形成する。次いで、図示していないが、レジスト等
でなる絶縁層を形成した後、電解めっきによる導体コイ
ルおよびレジスト等でなる絶縁層を形成する。更に、Ａ
ｌ2Ｏ3等でなる非磁性膜をスパッタまたは蒸着にて付け
記録ギャップ層１４とする。
【０００８】次いで、上部磁性層１５を電解めっきによ
り形成した後、Ａｌ2Ｏ3等でなる保護層１６をスパッタ
または蒸着で付け成膜プロセスを完了する。
り形成した後、Ａｌ2Ｏ3等でなる保護層１６をスパッタ
または蒸着で付け成膜プロセスを完了する。
【０００９】尚、各膜の形状はフォトリソグラフィー技
術と真空微細加工技術とによって所定形状に加工され
る。
術と真空微細加工技術とによって所定形状に加工され
る。
【００１０】この様に構成された薄膜磁気抵抗効果ヘッ
ドは、導体コイルに記録電流を流す事によって、下部磁
性層１３と上部磁性層１５の間に磁気回路が構成され、
記録ギャップ層１４から飛び出した磁束によって磁気記
録媒体に磁気データを書き込み、磁気抵抗効果素子層９
によって磁気記録媒体に記録された磁気データを読み取
って、磁気データを再生していた。
ドは、導体コイルに記録電流を流す事によって、下部磁
性層１３と上部磁性層１５の間に磁気回路が構成され、
記録ギャップ層１４から飛び出した磁束によって磁気記
録媒体に磁気データを書き込み、磁気抵抗効果素子層９
によって磁気記録媒体に記録された磁気データを読み取
って、磁気データを再生していた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記従来
の構成では、磁気抵抗効果素子層９で再生した再生出力
になだらかな立ち上がりまたは立ち下がりが発生し、分
解能が低下してデータの読み取りエラーを生じるという
問題点があった。この再生出力のなだらかさは、記録密
度が高くなればなるほど、その度合が大きくなり、それ
にともなって分解能が悪くなってくる。
の構成では、磁気抵抗効果素子層９で再生した再生出力
になだらかな立ち上がりまたは立ち下がりが発生し、分
解能が低下してデータの読み取りエラーを生じるという
問題点があった。この再生出力のなだらかさは、記録密
度が高くなればなるほど、その度合が大きくなり、それ
にともなって分解能が悪くなってくる。
【００１２】本発明は、前記従来の課題を解決するもの
で電磁変換特性の優れた薄膜磁気抵抗効果ヘッドを提供
することを目的とする。
で電磁変換特性の優れた薄膜磁気抵抗効果ヘッドを提供
することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、記録ギャップの段差を０．１０μｍ以下とした。
に、記録ギャップの段差を０．１０μｍ以下とした。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施の形態にお
ける薄膜磁気抵抗効果ヘッドを示す正面図である。図１
において、５は基板、６は絶縁層、７は下部磁気シール
ド層、８は下部リードギャップ層、９は磁気抵抗効果素
子層（以下ＭＲ素子層と略す）、１０はリード層、１１
は上部リードギャップ層、１２は上部磁気シールド層、
１３は下部磁性層、１４は記録ギャップ層、１５は上部
磁性層、１６は保護層、１７は下地電極膜でこれらはほ
ぼ従来の構成と同じである。また図示していないが、下
部磁性層１３と上部磁性層１５の間には、記録電流が流
されるとともに、スパイラル上に形成されたコイル層が
設けられている。この記録電流によって生じた磁束が、
下部磁性層１３及び上部磁性層１５の中を流れる。１９
は下地電極膜１７の上に形成された段差緩和膜で、段差
緩和膜１９はパーマロイ等の材料で構成されており、リ
ード層１０をＭＲ素子層９の両端に設けた事によって生
じる下地電極膜１７の窪んだ部分に形成されている。こ
の段差緩和膜１９を設ける事で、上部磁気シールド層１
２のＭＲ素子層９の上部は略平坦となる。この様に構成
された上部磁気シールド層１２上に下部磁性層１３、記
録ギャップ層１４、上部磁性層１５を形成すると、記録
ギャップ層１４にはほとんど湾曲が生じない（記録ギャ
ップ層１４を形成する下部磁性層１３の表面の段差が
０．０５μｍ以下）事が分かった。
ける薄膜磁気抵抗効果ヘッドを示す正面図である。図１
において、５は基板、６は絶縁層、７は下部磁気シール
ド層、８は下部リードギャップ層、９は磁気抵抗効果素
子層（以下ＭＲ素子層と略す）、１０はリード層、１１
は上部リードギャップ層、１２は上部磁気シールド層、
１３は下部磁性層、１４は記録ギャップ層、１５は上部
磁性層、１６は保護層、１７は下地電極膜でこれらはほ
ぼ従来の構成と同じである。また図示していないが、下
部磁性層１３と上部磁性層１５の間には、記録電流が流
されるとともに、スパイラル上に形成されたコイル層が
設けられている。この記録電流によって生じた磁束が、
下部磁性層１３及び上部磁性層１５の中を流れる。１９
は下地電極膜１７の上に形成された段差緩和膜で、段差
緩和膜１９はパーマロイ等の材料で構成されており、リ
ード層１０をＭＲ素子層９の両端に設けた事によって生
じる下地電極膜１７の窪んだ部分に形成されている。こ
の段差緩和膜１９を設ける事で、上部磁気シールド層１
２のＭＲ素子層９の上部は略平坦となる。この様に構成
された上部磁気シールド層１２上に下部磁性層１３、記
録ギャップ層１４、上部磁性層１５を形成すると、記録
ギャップ層１４にはほとんど湾曲が生じない（記録ギャ
ップ層１４を形成する下部磁性層１３の表面の段差が
０．０５μｍ以下）事が分かった。
【００１５】図２は本発明の一実施の形態における薄膜
磁気抵抗効果ヘッドで記録された磁気記録媒体上の磁気
データの模式図である。図２において、３０は磁気記録
媒体上に形成されたトラック部、３１はトラック部３０
中の磁化反転部、３２はトラック部３０上に磁気データ
を再生するＭＲ素子層である。
磁気抵抗効果ヘッドで記録された磁気記録媒体上の磁気
データの模式図である。図２において、３０は磁気記録
媒体上に形成されたトラック部、３１はトラック部３０
中の磁化反転部、３２はトラック部３０上に磁気データ
を再生するＭＲ素子層である。
【００１６】この様に本実施の形態では、磁化反転部３
１は直線的であるので、ＭＲ素子層３２でデータを読み
取ると、その再生出力の立ち上がり及び立ち下がりは非
常にシャープな形状となり、データエラー等を生じる事
はない。
１は直線的であるので、ＭＲ素子層３２でデータを読み
取ると、その再生出力の立ち上がり及び立ち下がりは非
常にシャープな形状となり、データエラー等を生じる事
はない。
【００１７】しかしながら図３に示す様に従来のヘッド
の様に記録ギャップ層１４が湾曲している状態であれ
ば、磁化反転部３１も湾曲する事となるので、ＭＲ素子
層３２でデータを読み取ると、その再生出力の立ち上が
り及び立ち下がりはなだらかな形状となり、データエラ
ー等を生じる。
の様に記録ギャップ層１４が湾曲している状態であれ
ば、磁化反転部３１も湾曲する事となるので、ＭＲ素子
層３２でデータを読み取ると、その再生出力の立ち上が
り及び立ち下がりはなだらかな形状となり、データエラ
ー等を生じる。
【００１８】従って、本発明は、この記録ギャップ層１
４の湾曲の度合、即ち記録ギャップ層１４を設ける下部
磁性層１３に形成される段差を制御する（段差を０．０
５μｍ以下）事によって、電磁変換特性を向上させるも
のであり、段差緩和膜１９を設ける事は一つの手段であ
る。即ち、段差緩和膜１９は、リード層１０を形成した
後に形成される窪み部に、しかもＭＲ素子層９と下部磁
性層１３の間に設ければ良く、さらには段差緩和膜１９
を設けずとも、他の方法で記録ギャップ層１４の湾曲の
度合を制御してもよい。
４の湾曲の度合、即ち記録ギャップ層１４を設ける下部
磁性層１３に形成される段差を制御する（段差を０．０
５μｍ以下）事によって、電磁変換特性を向上させるも
のであり、段差緩和膜１９を設ける事は一つの手段であ
る。即ち、段差緩和膜１９は、リード層１０を形成した
後に形成される窪み部に、しかもＭＲ素子層９と下部磁
性層１３の間に設ければ良く、さらには段差緩和膜１９
を設けずとも、他の方法で記録ギャップ層１４の湾曲の
度合を制御してもよい。
【００１９】次に製造方法について説明する。図４
（ａ）〜（ｃ）及び図５（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実
施の形態における薄膜磁気抵抗効果ヘッドの製造方法を
示す工程図で、１７はパーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）か
らなる下地電極膜、１９はパーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合
金）よりなる段差緩和膜、４０は有機絶縁体でなるフォ
トレジストである。尚、図４（ａ）は従来の技術と同じ
方法で上部リードギャップ層１１まで形成した後、次工
程で電解めっきを行うためパーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合
金）でなる下地電極膜１７をスパッタまたは蒸着にて上
部リードギャップ層１１上の全面に付けた状態を示す図
である。以下図４，図５を参照しつつ、本発明による薄
膜磁気抵抗効果ヘッドの製造方法を説明する。
（ａ）〜（ｃ）及び図５（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実
施の形態における薄膜磁気抵抗効果ヘッドの製造方法を
示す工程図で、１７はパーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）か
らなる下地電極膜、１９はパーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合
金）よりなる段差緩和膜、４０は有機絶縁体でなるフォ
トレジストである。尚、図４（ａ）は従来の技術と同じ
方法で上部リードギャップ層１１まで形成した後、次工
程で電解めっきを行うためパーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合
金）でなる下地電極膜１７をスパッタまたは蒸着にて上
部リードギャップ層１１上の全面に付けた状態を示す図
である。以下図４，図５を参照しつつ、本発明による薄
膜磁気抵抗効果ヘッドの製造方法を説明する。
【００２０】先ず、図４（ａ）においてＭＲ素子層９上
の左右端部を覆う様にリード層１０（膜厚０．１５μｍ
程度）を形成することで、上部リードギャップ層１１に
は段差ｔ５（ｔ５＝０．１５μｍ）が生じる。次いで、
フォトレジスト４０を下地電極膜１７の全面に塗布した
後、上記段差部のみを露光し（図４（ｂ））、現像にて
該段差部のレジストを除去した上で（図４（ｃ））、該
段差部にパーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）よりなる段差緩
和膜１９を電流密度＝０．８Ａ／ｄｍ2にて段差ｔ５の
約１／２の膜厚だけ電解めっきし、段差ｔ６（ｔ６＝
０．０８μｍ）とする（図５（ａ））。
の左右端部を覆う様にリード層１０（膜厚０．１５μｍ
程度）を形成することで、上部リードギャップ層１１に
は段差ｔ５（ｔ５＝０．１５μｍ）が生じる。次いで、
フォトレジスト４０を下地電極膜１７の全面に塗布した
後、上記段差部のみを露光し（図４（ｂ））、現像にて
該段差部のレジストを除去した上で（図４（ｃ））、該
段差部にパーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）よりなる段差緩
和膜１９を電流密度＝０．８Ａ／ｄｍ2にて段差ｔ５の
約１／２の膜厚だけ電解めっきし、段差ｔ６（ｔ６＝
０．０８μｍ）とする（図５（ａ））。
【００２１】ここで、段差緩和膜１９の膜厚を段差ｔ５
の約１／２とする理由は、次工程図５（ｂ）で上部磁気
シールド層１２を電解めっきにて形成する際、下地電極
膜１７のみからなる膜厚の薄い部分よりも下地電極膜１
７の上に段差緩和膜１９が形成された膜厚の厚い部分に
より電流が集中し、この部分のめっきレートが大きくな
るためである。すなわち、仮に段差ｔ５と同じ膜厚の段
差緩和膜１９をめっきした場合には上部磁気シールド層
１２を形成した時、段差緩和膜１９上のめっき部分が盛
り上がり、逆に大きな凸状の段差ができてしまうためで
ある。
の約１／２とする理由は、次工程図５（ｂ）で上部磁気
シールド層１２を電解めっきにて形成する際、下地電極
膜１７のみからなる膜厚の薄い部分よりも下地電極膜１
７の上に段差緩和膜１９が形成された膜厚の厚い部分に
より電流が集中し、この部分のめっきレートが大きくな
るためである。すなわち、仮に段差ｔ５と同じ膜厚の段
差緩和膜１９をめっきした場合には上部磁気シールド層
１２を形成した時、段差緩和膜１９上のめっき部分が盛
り上がり、逆に大きな凸状の段差ができてしまうためで
ある。
【００２２】次いで、上部磁気シールド層１２を電流密
度＝０．８Ａ／ｄｍ2にて電解めっきすることで、段差
ｔ６は段差ｔ７（ｔ７＝０．０４μｍ）まで緩和される
（図５（ｂ））。尚、この際段差緩和膜１９の左右の凹
みに対しては、これが急峻な段差であるため、めっきに
よるレベリング効果は比較的大きく作用する。次いで、
下部磁性層１３を電流密度＝０．８Ａ／ｄｍ2にて電解
めっきすることで、段差ｔ８はほぼゼロとなる（図５
（ｃ））。
度＝０．８Ａ／ｄｍ2にて電解めっきすることで、段差
ｔ６は段差ｔ７（ｔ７＝０．０４μｍ）まで緩和される
（図５（ｂ））。尚、この際段差緩和膜１９の左右の凹
みに対しては、これが急峻な段差であるため、めっきに
よるレベリング効果は比較的大きく作用する。次いで、
下部磁性層１３を電流密度＝０．８Ａ／ｄｍ2にて電解
めっきすることで、段差ｔ８はほぼゼロとなる（図５
（ｃ））。
【００２３】次いで、図示しないレジスト等でなる絶縁
層および電解めっきにより導体コイルさらにレジスト等
でなる絶縁層を形成するが、これらの膜は下部磁性層１
３の形状には全く影響しない。その後、Ａｌ2Ｏ3等でな
る非磁性膜をスパッタまたは蒸着にて付け記録ギャップ
層１４を形成するが、その形状は下部磁性層１３の上端
形状で規定され、したがって平坦となる（すなわち記録
ギャップ層１４の段差とｔ８はほぼ同じ）。さらに、上
部磁性層１５を電解めっきにより形成した後、Ａｌ2Ｏ3
等でなる保護層１６をスパッタまたは蒸着で付け成膜プ
ロセスを完了する（図５（ｄ））。尚、各膜の形状はフ
ォトリソグラフィー技術と真空微細加工技術とによって
所定形状に加工される。
層および電解めっきにより導体コイルさらにレジスト等
でなる絶縁層を形成するが、これらの膜は下部磁性層１
３の形状には全く影響しない。その後、Ａｌ2Ｏ3等でな
る非磁性膜をスパッタまたは蒸着にて付け記録ギャップ
層１４を形成するが、その形状は下部磁性層１３の上端
形状で規定され、したがって平坦となる（すなわち記録
ギャップ層１４の段差とｔ８はほぼ同じ）。さらに、上
部磁性層１５を電解めっきにより形成した後、Ａｌ2Ｏ3
等でなる保護層１６をスパッタまたは蒸着で付け成膜プ
ロセスを完了する（図５（ｄ））。尚、各膜の形状はフ
ォトリソグラフィー技術と真空微細加工技術とによって
所定形状に加工される。
【００２４】ちなみに、本実施の形態での電解めっきを
実施するためのめっき液としては、硫酸ニッケル・塩化
ニッケル・硫酸第一鉄水溶液に所定量の添加剤を加えた
ものを浴温３５℃にて使用し、電解めっきは膜厚、組成
等の均一化を図るため、機械的に攪拌する装置を取り付
けた状態で行なう。尚、上記実施の形態では上部磁気シ
ールド層１２を形成する前に段差緩和膜１９を形成して
いるが、上部磁気シールド層１２を形成した後に形成し
ても構わない。また、上記実施の形態は上部磁気シール
ド層１２上に下部磁性層１３を積層するタイプの薄膜磁
気抵抗効果ヘッドに対しての例であるが、上部磁気シー
ルド層１２が下部磁性層１３を兼ねるタイプすなわち、
構造上、下部磁性層１３が無いタイプの薄膜磁気抵抗効
果ヘッドに対して行っても構わない。また、上記実施の
形態では段差緩和膜１９をめっきにより形成するが、ス
パッタ又は、蒸着によって形成しても構わない。
実施するためのめっき液としては、硫酸ニッケル・塩化
ニッケル・硫酸第一鉄水溶液に所定量の添加剤を加えた
ものを浴温３５℃にて使用し、電解めっきは膜厚、組成
等の均一化を図るため、機械的に攪拌する装置を取り付
けた状態で行なう。尚、上記実施の形態では上部磁気シ
ールド層１２を形成する前に段差緩和膜１９を形成して
いるが、上部磁気シールド層１２を形成した後に形成し
ても構わない。また、上記実施の形態は上部磁気シール
ド層１２上に下部磁性層１３を積層するタイプの薄膜磁
気抵抗効果ヘッドに対しての例であるが、上部磁気シー
ルド層１２が下部磁性層１３を兼ねるタイプすなわち、
構造上、下部磁性層１３が無いタイプの薄膜磁気抵抗効
果ヘッドに対して行っても構わない。また、上記実施の
形態では段差緩和膜１９をめっきにより形成するが、ス
パッタ又は、蒸着によって形成しても構わない。
【００２５】図６は段差ｔ８とＰＷ５０の関係を示すグ
ラフである。図４において、ＰＷ５０とは孤立再生波形
の半値幅（線記録密度の代用特性値）の変化を示すもの
である。図４から分かるように段差ｔ８が大きければ大
きい程ＰＷ５０の変化幅が大きい事がわかる。従って、
段差ｔ８は０．１０μｍ以下であれば十分に効果を得る
事ができ、更には０．０５μｍ以下であれば、ほとんど
ＰＷ５０の変化が無いことがわかる。
ラフである。図４において、ＰＷ５０とは孤立再生波形
の半値幅（線記録密度の代用特性値）の変化を示すもの
である。図４から分かるように段差ｔ８が大きければ大
きい程ＰＷ５０の変化幅が大きい事がわかる。従って、
段差ｔ８は０．１０μｍ以下であれば十分に効果を得る
事ができ、更には０．０５μｍ以下であれば、ほとんど
ＰＷ５０の変化が無いことがわかる。
【００２６】従って、段差ｔ８（記録ギャップ層１４の
段差）は０．１０μｍ以下好ましくは０．０５μｍ以下
がよい。
段差）は０．１０μｍ以下好ましくは０．０５μｍ以下
がよい。
【００２７】図７は本実施の形態および従来の技術によ
る薄膜磁気抵抗効果ヘッドでの再生出力電圧の記録周波
数特性を示す図であり、この図から明らかなように、本
実施の形態による薄膜磁気抵抗効果ヘッドの再生出力電
圧は特に高周波数域で従来の技術によるものよりも高
く、再生分解能が向上することが判る。
る薄膜磁気抵抗効果ヘッドでの再生出力電圧の記録周波
数特性を示す図であり、この図から明らかなように、本
実施の形態による薄膜磁気抵抗効果ヘッドの再生出力電
圧は特に高周波数域で従来の技術によるものよりも高
く、再生分解能が向上することが判る。
【００２８】以上のように本実施の形態によれば、記録
ギャップ層１４の段差を０．１０μｍ以下好ましくは
０．０５μｍ以下に制御することによって、優れた電磁
変換特性を得る事ができる。
ギャップ層１４の段差を０．１０μｍ以下好ましくは
０．０５μｍ以下に制御することによって、優れた電磁
変換特性を得る事ができる。
【００２９】なお、本実施の形態を、記録素子（下部磁
性層１３、記録ギャップ層１４、上部磁性層１５等より
構成される）をＭＲ素子層９の上に形成するヘッドに関
して特に有用である。すなわち、従来の技術では、上記
記録素子によって記録再生を行うヘッドもあるが、それ
らには、記録ギャップ層１４の湾曲は生じない（平坦な
基板上に形成されるから）。従って、本実施の形態は、
記録素子を再生素子上に形成する場合等に有効である。
性層１３、記録ギャップ層１４、上部磁性層１５等より
構成される）をＭＲ素子層９の上に形成するヘッドに関
して特に有用である。すなわち、従来の技術では、上記
記録素子によって記録再生を行うヘッドもあるが、それ
らには、記録ギャップ層１４の湾曲は生じない（平坦な
基板上に形成されるから）。従って、本実施の形態は、
記録素子を再生素子上に形成する場合等に有効である。
【００３０】
【発明の効果】本発明は記録ギャップの段差を０．１０
μｍ以下とした事により、記録ギャップの変形が少な
く、記録された磁気データが湾曲しないので、優れた電
磁変換特性を得る事ができる。
μｍ以下とした事により、記録ギャップの変形が少な
く、記録された磁気データが湾曲しないので、優れた電
磁変換特性を得る事ができる。
【図１】本発明の一実施の形態における薄膜磁気抵抗効
果ヘッドを示す正面図
果ヘッドを示す正面図
【図２】本発明の一実施の形態における薄膜磁気抵抗効
果ヘッドで記録された磁気記録媒体上の磁気データの模
式図
果ヘッドで記録された磁気記録媒体上の磁気データの模
式図
【図３】従来の薄膜磁気抵抗効果ヘッドで記録された磁
気記録媒体上の磁気データの模式図
気記録媒体上の磁気データの模式図
【図４】本発明の一実施の形態における薄膜磁気抵抗効
果ヘッドの製造方法を示す工程図
果ヘッドの製造方法を示す工程図
【図５】本発明の一実施の形態における薄膜磁気抵抗効
果ヘッドの製造方法を示す工程図
果ヘッドの製造方法を示す工程図
【図６】段差ｔ８とＰＷ５０の関係を示すグラフ
【図７】本実施の形態および従来の技術による薄膜磁気
抵抗効果ヘッドでの再生出力電圧の記録周波数特性を示
す図
抵抗効果ヘッドでの再生出力電圧の記録周波数特性を示
す図
【図８】従来の薄膜磁気抵抗効果ヘッドを示す斜視図
【図９】従来の薄膜磁気抵抗効果ヘッドを示す正面図
５ 基板 ６ 絶縁層 ７ 下部磁気シールド層 ８ 下部リードギャップ層 ９ 磁気抵抗効果素子層（ＭＲ素子層） １０ リード層 １１ 上部リードギャップ層 １２ 上部磁気シールド層 １３ 下部磁性層 １４ 記録ギャップ層 １５ 上部磁性層 １６ 保護層 １７ 下地電極膜 １９ 段差緩和膜
Claims (4)
- 【請求項１】基板と、前記基板上に設けられた磁気抵抗
効果素子層と、前記磁気抵抗効果素子層にセンス電流を
供給するリード層と、前記磁気抵抗効果素子層の上方に
設けられ、インダクティブ型の記録素子を備えた薄膜抵
抗効果型ヘッドであって、記録素子の記録ギャップ層の
段差を０．１０μｍ以下とした事を特徴とする薄膜磁気
抵抗効果ヘッド。 - 【請求項２】記録素子の記録ギャップ層の段差を０．０
５μｍ以下とした事を特徴とする請求項１記載の薄膜磁
気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項３】基板と、前記基板上に設けられた下部磁気
シールド層と、前記下部磁気シールド層の上に設けられ
た磁気抵抗効果素子層と、前記磁気抵抗効果素子層にセ
ンス電流を供給するリード層と、前記磁気抵抗効果素子
層と前記リード層を前記下部磁気シールド層とともに挟
むように設けられた上部磁気シールド層と、前記上部磁
気シールド層の上に設けられた下部磁性層と、前記下部
磁性層の上に設けられた記録ギャップ層と、前記記録ギ
ャップ層の上に設けられ、前記下部磁性層とともに磁気
回路を形成する上部磁性層と、前記下部磁性層及び上部
磁性層の間に設けられたコイル層とを備え、前記記録素
子の記録ギャップ層の段差を０．１０μｍ以下とした事
を特徴とする薄膜磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項４】記録素子の記録ギャップ層の段差を０．０
５μｍ以下とした事を特徴とする請求項３記載の薄膜磁
気抵抗効果ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29032898A JPH11195208A (ja) | 1993-09-27 | 1998-10-13 | 薄膜磁気抵抗効果ヘッド |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23965093A JP2870374B2 (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 薄膜磁気抵抗効果ヘッド |
| JP29032898A JPH11195208A (ja) | 1993-09-27 | 1998-10-13 | 薄膜磁気抵抗効果ヘッド |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23965093A Division JP2870374B2 (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 薄膜磁気抵抗効果ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11195208A true JPH11195208A (ja) | 1999-07-21 |
Family
ID=17047863
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23965093A Expired - Lifetime JP2870374B2 (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 薄膜磁気抵抗効果ヘッド |
| JP29032898A Pending JPH11195208A (ja) | 1993-09-27 | 1998-10-13 | 薄膜磁気抵抗効果ヘッド |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23965093A Expired - Lifetime JP2870374B2 (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 薄膜磁気抵抗効果ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JP2870374B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100352313B1 (ko) * | 1999-09-02 | 2002-09-12 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 박막자기헤드 및 그 제조방법 |
-
1993
- 1993-09-27 JP JP23965093A patent/JP2870374B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-10-13 JP JP29032898A patent/JPH11195208A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100352313B1 (ko) * | 1999-09-02 | 2002-09-12 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 박막자기헤드 및 그 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0793717A (ja) | 1995-04-07 |
| JP2870374B2 (ja) | 1999-03-17 |
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