JP2006269690A - 軟磁性薄膜および磁気記録ヘッド - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 83
- 229910002546 FeCo Inorganic materials 0.000 claims abstract description 61
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 90
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 65
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 20
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 7
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 9
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910002555 FeNi Inorganic materials 0.000 description 4
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 4
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002545 FeCoNi Inorganic materials 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 ammonium ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- FTLYMKDSHNWQKD-UHFFFAOYSA-N (2,4,5-trichlorophenyl)boronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC(Cl)=C(Cl)C=C1Cl FTLYMKDSHNWQKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003266 NiCo Inorganic materials 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- YGSZNSDQUQYJCY-UHFFFAOYSA-L disodium;naphthalene-1,5-disulfonate Chemical compound [Na+].[Na+].C1=CC=C2C(S(=O)(=O)[O-])=CC=CC2=C1S([O-])(=O)=O YGSZNSDQUQYJCY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007885 magnetic separation Methods 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006259 organic additive Substances 0.000 description 1
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 1
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229940085605 saccharin sodium Drugs 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- IIACRCGMVDHOTQ-UHFFFAOYSA-M sulfamate Chemical compound NS([O-])(=O)=O IIACRCGMVDHOTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000011573 trace mineral Substances 0.000 description 1
- 235000013619 trace mineral Nutrition 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
- NJPKYOIXTSGVAN-UHFFFAOYSA-K trisodium;naphthalene-1,3,6-trisulfonate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]S(=O)(=O)C1=CC(S([O-])(=O)=O)=CC2=CC(S(=O)(=O)[O-])=CC=C21 NJPKYOIXTSGVAN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
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- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
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- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/24—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates from liquids
- H01F41/26—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates from liquids using electric currents, e.g. electroplating
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Abstract
【解決手段】 下部磁極16と上部磁極24が絶縁層20を介して積層され、後端に下部磁極16と上部磁極24とが接するバックギャップ27が形成され、媒体面に対向する先端に磁気ギャップ30が形成され、バックギャップ27を複数回巻いたコイル22が形成された薄膜磁気ヘッド10において、上部磁極24の磁気ギャップ30に近接した層に、FeCoがFexCo1-x(60≦x≦75wt%)で示される組成を有し、結晶構造がbcc構造で、(110)面に結晶配向している電解めっき膜からなる軟磁性薄膜25が形成されていることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
記録密度の向上に伴い、このような記録ヘッドの磁極材料に対して、飽和磁束密度Bsの高い材料が求められている。
また特開2004-127479Aでは、FeCoNiの軟磁気特性向上の方法としてRuを下地層とすることが提案されている。
Bs>2.3T(テスラー)のFeCoめっき膜の軟磁気特性向上の方法として、特開2003-317040ではbcc(211)とbcc(110)の強度比を制御する方法が提案されている。
特許文献2のものでは、FeCoNiは、Niを含むためBsが低下し、2.3T(テスラー)を得ることは出来ない材料であるため、2.3T以上のBsを有するFeCo軟磁性化技術が要求される。
特許文献3のものでは、2.3T以上のBsが得られるが、下地層としてNiFe系材料を必要とすること、結晶配向制御のマージンが狭く制御が難しいことなど問題がある。
本発明は上記課題を解決すべくなされたものであり、その目的とするところは、磁極材料として、めっきの下地に非磁性導電性材料、磁性導電性材料、共に使用が可能で、量産時のバラツキにも対応でき、しかも高Bsかつ軟磁気特性が良好な軟磁性薄膜を提供するものであり、また、この軟磁性薄膜を磁極材料として用い、記録特性に優れる磁気記録ヘッドを提供するものである。
また、この軟磁性薄膜は、非磁性導電性材料を下地層として、該下地層上にめっき膜が形成されていることを特徴とする。
あるいは、この軟磁性薄膜は、Fe、Co、Niのうち2元素以上を含む合金から成る磁性導電性薄膜を下地層として、該下地層上にめっき膜が形成されていることを特徴とする。
下地層の下層への密着層としてTa、Ti、Cr、Nbのうちの1元素からなる単層膜を形成すると好適である。
また、前記磁気ギャップが非磁性導電性材料層により形成され、該非磁性導電性材料層を下地層として、該下地層上に軟磁性薄膜が形成されていることを特徴とする。
図1、2はいわゆるフラットトップタイプ構造のヘッドであるが、スティッチドタイプ構造への適用も可能である.図1、図2は、軟磁性薄膜を水平記録ヘッド記録ヘッドの上部磁極に、図3は、軟磁性薄膜を垂直記録ヘッドの主磁極又はトレーリングシールドに適用したものを示すものである。
磁気ヘッド10は、磁気記録ヘッド12と再生ヘッド14とを有する。この磁気ヘッド10の構造そのものは公知であるので、以下簡単にその構造を説明する。
再生ヘッド14は、FeNiからなる下部シールド層15と上部シールド層16との間にアルミナ等からなる絶縁層17が形成され、絶縁層17中に公知のMR素子センス部18が形成されてなる。
下部磁極16上には、アルミナ等よりなる絶縁層20が形成され、絶縁層20内にはコイル22が形成され、また、絶縁層22上には、2層の上部磁極24が形成されている。
この上部磁極は本発明に従うFeCoめっき層25と、このめっき層25の上に形成されるFeNiめっき層26の2層からなっている。
また、磁気ギャップ30は、後記するようにRuを代表とする非磁性導電性材料層により形成され、該非磁性導電性材料層を下地層として、該下地層上に上部磁極24の上記FeCoめっき層(軟磁性薄膜)25が形成されている。
本実施の形態では、高Bs層31上に、アルミナ(Al2O3)あるいはSlO2等の絶縁材料からなる磁気ギャップ32が形成されている。また、上部磁極24は、磁性導電性材料よりなるめっき下地層28と、このめっき下地層28を給電層として電解めっきによって形成されたFeCoめっき層25と、FeNiめっき層26の3層からなっている。
なお、16bは磁気分離層である。
本実施の形態では、絶縁層34上に、後記するような材料からなる非磁性導電層35が形成され、非磁性導電層35を給電層として非磁性導電層35上にFeCoめっき層からなる主磁極36が形成されている。また、この主磁極36上に後記するような材料からなる非磁性導電層37が形成されている。また、リターンヨーク38の媒体面(図示せず)側の先端に、非磁性導電層37をめっきの下地層としてFeCoめっき層からなるトレーリングシールド40が形成されている。尚,トレーリングシールドは記録密度が高くなり,高い磁界勾配が必要なヘッドにおいて形成が必要となる構造で,記録密度によっては必ずしも形成が必要ではない.よって,図3ではトレーリングシールド型の垂直記録単磁極ヘッドを示しているが,本技術はトレーリングシールド型ではない垂直記録単磁極ヘッドへの適用も可能である.
基板(下層)は、Al2O3-TiCを使用し、めっき下地膜として非磁性導電性材をスパッタ又は蒸着法で形成する。成膜時、基板との密着性を向上させるため、基板上にTiを5〜10nm成膜した。Ti以外にもTa、Cr、Nb等の適用が可能である。下地膜の厚みは、めっき膜の分布に影響するシート抵抗の大きさを考慮する必要がある。シート抵抗は金属の比抵抗に関連し、比抵抗が高い材料であれば厚く成膜されていないと、シート抵抗を下げることが出来ない。シート抵抗に対する膜厚分布の依存性を図11に示す。要求される膜厚分布は、適用する工程依存するが、例えば、垂直記録単磁極ヘッドの主磁極に適用する場合は、少なくとも±5%以内には抑えたいことから、シート抵抗は1.6Ω/sq以下に抑える必要がある。また、インダクティブヘッドに適用する場合は、望ましくは±5%以内であるが、もう少しばらつきがあっても問題なければ、シート抵抗を上げることも出来る。例えば、Ruを適用するときは少なくとも50nm以上の膜厚があれば、インダクティブヘッド、垂直記録単磁極ヘッドの主磁極、トレーリングシールド、全てに適用可能である。
12 磁気記録ヘッド
14 再生ヘッド
15 下部シールド層
16 上部シールド層(下部磁極)
17 絶縁層
18 MR素子センス部
20 絶縁層
22 コイル
24 上部磁極
25 FeCoめっき層
26 FeNiめっき層
27 バックギャップ
28 磁性導電性層
30 磁気ギャップ
31 高Bs層
33 磁気記録ヘッド
34 絶縁層
35 非磁性導電性層
36 主磁極
37 非磁性導電性層
38 リターンヨーク
40 トレーリングシールド
Claims (8)
- FeCoがFexCo1-x(60≦x≦75wt%)で示される組成を有し、結晶構造がbcc構造で、(110)面に結晶配向している電解めっき膜から成ることを特徴とする軟磁性薄膜。
- 非磁性導電性材料を下地層として、該下地層上にめっき膜が形成されていることを特徴とする請求項1記載の軟磁性薄膜。
- Fe、Co、Niのうち2元素以上を含む合金から成る磁性導電性薄膜を下地層として、該下地層上にめっき膜が形成されていることを特徴とする請求項1項記載の軟磁性薄膜。
- 下地層がシート抵抗5.3Ω/cm2以下となるような膜厚で形成されていることを特徴とする請求項2または3記載の軟磁性薄膜。
- 下地層の下層への密着層としてTa、Ti、Cr、Nbのうちの1元素からなる単層膜が形成されていることを特徴とする請求項2または3項記載の軟磁性薄膜。
- 下部磁極と上部磁極が絶縁層を介して積層され、後端に前記下部磁極と上部磁極とが接するバックギャップが形成され、媒体面に対向する先端に磁気ギャップが形成され、バックギャップを複数回巻いたコイルが形成された薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記上部磁極の磁気ギャップに近接した層に、FeCoがFexCo1-x(60≦x≦75wt%)で示される組成を有し、結晶構造がbcc構造で、(110)面に結晶配向している電解めっき膜からなる軟磁性薄膜が形成されていることを特徴とする磁気記録ヘッド。 - 前記磁気ギャップが非磁性導電性材料層により形成され、該非磁性導電性材料層を下地層として、該下地層上に軟磁性薄膜が形成されていることを特徴とする請求項6記載の磁気記録ヘッド。
- 主磁極とリターンヨークが絶縁層を介して積層され、後端に前記主磁極とリターンヨークとが接するバックギャップが形成され、媒体面に対向する先端側の主磁極の両側に非磁性導電性材料層が形成され、媒体面に対向するリターンヨークの先端側にトレーリングシールドが形成された垂直磁気記録単磁極ヘッドにおいて、
前記主磁極およびトレーリングシールドの少なくとも一方が、前記非磁性導電性材料層を下地層として形成された、FeCoがFexCo1-x(60≦x≦75wt%)で示される組成を有し、結晶構造がbcc構造で、(110)面に結晶配向している電解めっき膜から成る軟磁性薄膜であることを特徴とする垂直磁気記録単磁極ヘッド。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005084935A JP2006269690A (ja) | 2005-03-23 | 2005-03-23 | 軟磁性薄膜および磁気記録ヘッド |
US11/154,181 US7397632B2 (en) | 2005-03-23 | 2005-06-16 | Soft magnetic thin film and magnetic recording head |
KR1020050052937A KR100723901B1 (ko) | 2005-03-23 | 2005-06-20 | 연자성 박막 및 자기 기록 헤드 |
CNB200510083079XA CN100371989C (zh) | 2005-03-23 | 2005-07-08 | 软磁性薄膜和磁记录头 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005084935A JP2006269690A (ja) | 2005-03-23 | 2005-03-23 | 軟磁性薄膜および磁気記録ヘッド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006269690A true JP2006269690A (ja) | 2006-10-05 |
JP2006269690A5 JP2006269690A5 (ja) | 2008-03-06 |
Family
ID=37015613
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005084935A Pending JP2006269690A (ja) | 2005-03-23 | 2005-03-23 | 軟磁性薄膜および磁気記録ヘッド |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7397632B2 (ja) |
JP (1) | JP2006269690A (ja) |
KR (1) | KR100723901B1 (ja) |
CN (1) | CN100371989C (ja) |
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- 2005-06-20 KR KR1020050052937A patent/KR100723901B1/ko not_active IP Right Cessation
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---|---|
CN100371989C (zh) | 2008-02-27 |
CN1838244A (zh) | 2006-09-27 |
KR20060102462A (ko) | 2006-09-27 |
KR100723901B1 (ko) | 2007-06-04 |
US20060215315A1 (en) | 2006-09-28 |
US7397632B2 (en) | 2008-07-08 |
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A521 | Request for written amendment filed |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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