JP2003045719A

JP2003045719A - 軟磁性膜とこの軟磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッド、ならびに前記軟磁性膜の製造方法と前記薄膜磁気ヘッドの製造方法

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Publication number: JP2003045719A
Application number: JP2002005914A
Authority: JP
Inventors: Mitsuhiro Goto; 光博後藤; Yoshihiro Kaneda; 吉弘金田
Original assignee: Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 2001-01-17
Filing date: 2002-01-15
Publication date: 2003-02-14
Anticipated expiration: 2022-01-15
Also published as: JP3672533B2

Abstract

(57)【要約】【課題】ＦｅＣｏ合金にＰｄやＲｈなどの貴金属の元
素を添加することにより、飽和磁束密度Ｂｓを２．０Ｔ
以上にできると同時に耐食性にも優れた軟磁性膜とこの
軟磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッド、ならびに前記軟磁性
膜の製造方法と薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供するこ
とを目的としている。【解決手段】下部磁極層１９及び／または上部磁極層
２１を、Ｆｅの組成比Ｘ（質量％）／Ｃｏの組成比Ｙ
（質量％）の比率が２以上で５以下であり、元素α（た
だし元素αは、Ｐｄなど）の組成比Ｚが、０．５質量％
以上で１８質量％以下であり、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１００質量
％の関係を満たすＦｅ_XＣｏ_Yα_Z合金で形成する。これ
により飽和磁束密度を２．０以上にでき高記録密度化に
対応できるとともに耐食性に優れた薄膜磁気ヘッドを製
造することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば薄膜磁気ヘ
ッドのコア材として使用される軟磁性膜に係り、前記軟
磁性膜にＦｅＣｏαあるいはＦｅＣｏＲｈ（元素αは貴
金属）合金を使用することで飽和磁束密度Ｂｓを２．０
Ｔ以上にでき、且つ耐食性を向上させることが可能な軟
磁性膜とこの軟磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッド、ならび
に前記軟磁性膜の製造方法と前記薄膜磁気ヘッドの製造
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば薄膜磁気ヘッドのコア層には、特
に今後の高記録密度化に伴い、高い飽和磁束密度Ｂｓを
有する磁性材料を使用し、前記コア層のギャップ近傍に
磁束を集中させて、記録密度を向上させる必要がある。

【０００３】前記磁性材料には従来からＮｉＦｅ系合金
がよく使用されている。前記ＮｉＦｅ系合金は、直流電
流を用いた電気メッキ法によりメッキ形成され、１．８
Ｔ程度の飽和磁束密度Ｂｓを得ることが可能であった。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら今後の高
記録密度化に伴い、さらに高い飽和磁束密度Ｂｓを満た
す軟磁性膜を製造することが必要となり、ＮｉＦｅ系合
金では十分にその要望に応えることができなかった。

【０００５】またＮｉＦｅ系合金以外によく使用される
軟磁性材料としてＦｅＣｏ合金膜がある。前記ＦｅＣｏ
合金膜は、Ｆｅの組成比を適正に調整することで、Ｎｉ
Ｆｅ系合金膜よりも高い飽和磁束密度Ｂｓが得られる一
方、次のような問題点が発生した。

【０００６】薄膜磁気ヘッドや他の磁気素子の構成によ
っては、前記ＦｅＣｏ合金の上にＮｉＦｅ系合金を重ね
たり、あるいはメッキ形成された非磁性層（例えばギャ
ップ層）の上下に前記ＦｅＣｏ合金を重ねる場合がある
が、前記ＦｅＣｏ合金膜を電気メッキ法によりメッキ形
成するときなどに、ＦｅＣｏ合金膜がイオン化して溶け
出し腐食するといった問題が発生したのである。

【０００７】これは前記ＦｅＣｏ合金膜とＮｉＦｅ系合
金膜との間、あるいは前記ＦｅＣｏ合金膜と非磁性層間
には大きな電位差（標準電極電位差）が発生するからで
あり、この電位差によりいわゆる電池効果が生じて溶け
出すものと考えられる。

【０００８】またＦｅＣｏ合金膜が単層で形成される場
合も、薄膜磁気ヘッドや他の磁気素子の製造方法におい
ては、耐食性が要求される。例えばスライダの研削工程
や素子の洗浄工程に曝される場合でも腐食しないことが
要求される。また薄膜磁気ヘッドの使用上の環境的な要
因にも耐食性が要求される。

【０００９】従って薄膜磁気ヘッドのコア層などに使用
される軟磁性膜には、高い飽和磁束密度Ｂｓのみなら
ず、優れた耐食性も必要であった。

【００１０】そこで本発明は上記従来の課題を解決する
ためのものであり、ＦｅＣｏ合金にＰｄやＲｈなどの貴
金属の元素を添加することにより、飽和磁束密度Ｂｓを
２．０Ｔ以上にできると同時に耐食性にも優れた軟磁性
膜とこの軟磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッド、ならびに前
記軟磁性膜の製造方法と薄膜磁気ヘッドの製造方法を提
供することを目的としている。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明における第１の軟
磁性膜は、組成式がＦｅ_XＣｏ_Yα_Z（ただし元素αは、
Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｉｒのいずれか一種または二種以
上）で示され、Ｆｅの組成比Ｘ（質量％）／Ｃｏの組成
比Ｙ（質量％）の比率は、２以上で５以下で、元素αの
組成比Ｚは、０．５質量％以上で１８質量％以下であ
り、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１００質量％の関係を満たし、且つメ
ッキ形成されることを特徴とするものである。

【００１２】元素αは耐食性を向上させるために添加す
る元素であり、前記元素αを添加することで耐食性の向
上を図ることができる。本発明によれば、元素αの含有
量が０．５質量％よりも少ないと耐食性向上の効果をほ
とんど得ることはできず、逆に前記元素αの含有量が１
８質量％よりも多すぎると、Ｆｅ量の減少によって、飽
和磁束密度Ｂｓの低下を招き、具体的には前記飽和磁束
密度Ｂｓは２．０Ｔを下回りやすくなる。

【００１３】次にＦｅ含有量とＣｏ含有量の比である
が、後述する実験によれば前記Ｆｅの組成比Ｘ（質量
％）／Ｃｏの組成比Ｙ（質量％）の比率を２以上で５以
下にすると、飽和磁束密度Ｂｓを２．０Ｔ以上にできる
ことが後述する実験によって確認された。

【００１４】以上のように本発明の軟磁性膜によれば、
２．０Ｔ以上の高い飽和磁束密度Ｂｓを維持しつつ、元
素αを含まないＦｅＣｏ合金よりも耐食性に優れたＦｅ
Ｃｏα合金を提供することができる。

【００１５】また本発明では、前記Ｆｅの組成比Ｘ（質
量％）／Ｃｏの組成比Ｙ（質量％）の比率は、２．６以
上で４．３以下で、前記元素αの組成比Ｚは３質量％以
上で９質量％以下であり、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１００質量％の
関係を満たすことが好ましい。

【００１６】これにより２．２Ｔ以上の飽和磁束密度Ｂ
ｓを得ることができるとともに、元素αを含まないＦｅ
Ｃｏ合金に比べて耐食性に優れたＦｅＣｏα合金を提供
することができる。

【００１７】また本発明では、前記軟磁性膜の組成式は
Ｆｅ_XＣｏ_Yα_Zβ_V（ただし元素βはＮｉ、Ｃｒの一方あ
るいは両方）で示され、Ｆｅの組成比Ｘ（質量％）／Ｃ
ｏの組成比Ｙ（質量％）の比率は、２以上で５以下で、
元素αの組成比Ｚは、０．５質量％以上で１８質量％以
下であり、好ましくは、前記Ｆｅの組成比Ｘ（質量％）
／Ｃｏの組成比Ｙ（質量％）の比率は、２．６以上で
４．３以下で、前記元素αの組成比Ｚは３質量％以上で
９質量％以下であり、前記元素βの組成比Ｖは、０．５
質量％以上で５質量％以下であり、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＋Ｖ＝１
００質量％の関係を満たすことが好ましい。

【００１８】上記の組成範囲内であると飽和磁束密度Ｂ
ｓを２．０Ｔ以上、好ましくは２．２Ｔ以上にできると
共に、耐食性に優れた軟磁性膜を製造することができ
る。また元素βの添加により表面に不動態膜を形成で
き、より耐食性の向上を図ることができる。またＮｉの
添加により膜応力の低減を図ることが可能である。

【００１９】本発明における第２の軟磁性膜は、組成式
がＦｅ_XＣｏ_YＲｈ_Wで示され、Ｆｅの組成比Ｘは５６質
量％以上で、Ｃｏの組成比Ｙは２０質量％以上で、Ｒｈ
の組成比Ｗは１．７質量％以上で２０質量％以下であ
り、Ｘ＋Ｙ＋Ｗ＝１００質量％の関係を満し、且つメッ
キ形成されることを特徴とするものである。

【００２０】上記にした本発明によれば、Ｒｈの含有量
が１．７質量％よりも少ないと耐食性向上の効果をほと
んど得ることはできず、逆に前記Ｒｈの含有量が２０質
量％よりも多すぎると、Ｆｅ量の減少によって、飽和磁
束密度Ｂｓの低下を招き、具体的には前記飽和磁束密度
Ｂｓは２．１Ｔを下回りやすくなる。

【００２１】本発明では、前記Ｒｈの組成比Ｗは７．５
質量％以上であることが好ましい。後述する実験によれ
ば、従来からコア材等に使用されているＮｉＦｅ合金と
同等の耐食性を得ることができる。

【００２２】また本発明では、Ｆｅの組成比Ｘ（質量
％）／Ｃｏの組成比Ｙ（質量％）の比率は、２．０３０
以上で２．７０４以下で、Ｒｈの組成比Ｗは、７．５質
量％以上で１０質量％以下であり、Ｘ＋Ｙ＋Ｗ＝１００
質量％の関係を満たすことがより好ましい。後述する実
験によれば、各元素の組成範囲を上記範囲内に収めるこ
とで、飽和磁束密度Ｂｓを２．２Ｔ以上にできると共
に、従来からコア材等に使用されているＮｉＦｅ合金と
同等の耐食性を得ることができる。

【００２３】また本発明では、前記軟磁性膜の組成式は
Ｆｅ_XＣｏ_YＲｈ_Wβ_V（ただし元素βはＮｉ、Ｃｒの一方
あるいは両方）で示され、Ｆｅの組成比Ｘ（質量％）は
５６質量％以上で、Ｃｏの組成比Ｙは２０質量％以上
で、Ｒｈの組成比Ｗは１．７質量％以上で２０質量％以
下であり、好ましくは、前記Ｒｈの組成比Ｗは７．５質
量％以上であり、より好ましくは、Ｆｅの組成比Ｘ（質
量％）／Ｃｏの組成比Ｙ（質量％）の比率は、２．０３
０以上で２．７０４以下で、Ｒｈの組成比Ｗは、７．５
質量％以上で１０質量％以下であり、さらに前記元素β
の組成比Ｖは、０．５質量％以上で５質量％以下であ
り、Ｘ＋Ｙ＋Ｗ＋Ｖ＝１００質量％の関係を満たすこと
が好ましい。

【００２４】上記の組成範囲内であると飽和磁束密度Ｂ
ｓを２．１Ｔ以上、好ましくは２．２Ｔ以上にできると
共に、耐食性に優れた軟磁性膜を製造することができ
る。また元素βの添加により表面に不動態膜を形成で
き、より耐食性の向上を図ることができる。またＮｉの
添加により膜応力の低減を図ることが可能である。

【００２５】また本発明では、前記軟磁性膜の上にはＮ
ｉＦｅ系合金膜が重ねてメッキ形成されていても良い。

【００２６】貴金属である元素α及びＲｈは、それ自体
イオン化し難い元素である。このように軟磁性膜中に貴
金属が含まれていると、前記軟磁性膜の上にＮｉＦｅ系
合金膜を重ねて電気メッキ法によりメッキ形成する場合
でも、前記ＦｅＣｏα合金及びＦｅＣｏＲｈ合金がイオ
ン化して溶け出すことを防止することが可能である。ま
たＦｅＣｏαβ合金及びＦｅＣｏＲｈβ合金の場合、上
記作用に加えて、元素βの添加により表面に不動態膜が
形成されることにより、より効果的に前記ＦｅＣｏαβ
合金及びＦｅＣｏＲｈβ合金がイオン化して溶け出すこ
とを防止することが可能である。

【００２７】従って本発明では、前記ＦｅＣｏα合金
膜、前記ＦｅＣｏαβ合金、前記ＦｅＣｏＲｈ合金ある
いはＦｅＣｏＲｈβ合金上にＮｉＦｅ系合金膜がメッキ
形成される場合でも、前記ＦｅＣｏα合金、前記ＦｅＣ
ｏαβ合金、前記ＦｅＣｏＲｈ合金及び前記ＦｅＣｏＲ
ｈβ合金の高い飽和磁束密度Ｂｓ及び耐食性を適切に維
持することができる。

【００２８】また前記軟磁性膜の上あるいは下には非磁
性のメッキ膜が形成されていてもよい。

【００２９】また本発明は、磁性材料製の下部コア層
と、前記下部コア層上に磁気ギャップを介して形成され
た上部コア層と、両コア層に記録磁界を与えるコイル層
とを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、少なくとも一方の
コア層は、上記に記載された軟磁性膜により形成されて
いることを特徴とするものである。

【００３０】また本発明では、前記下部コア層上には記
録媒体との対向面で下部磁極層が隆起形成され、前記下
部磁極層が前記軟磁性膜により形成されていることが好
ましい。

【００３１】あるいは本発明は、下部コア層及び上部コ
ア層と、前記下部コア層と上部コア層との間に位置し且
つトラック幅方向の幅寸法が前記下部コア層及び上部コ
ア層よりも短く規制された磁極部とを有し、前記磁極部
は、下部コア層と連続する下部磁極層、上部コア層と連
続する上部磁極層、および前記下部磁極層と前記上部磁
極層間に位置するギャップ層とで構成され、あるいは前
記磁極部は、上部コア層と連続する上部磁極層、および
前記上部磁極層と下部コア層との間に位置するギャップ
層とで構成され、前記上部磁極層及び／または下部磁極
層は、上記に記載された軟磁性膜により形成されている
ことを特徴とするものである。

【００３２】なおこのとき、前記上部磁極層は前記軟磁
性膜で形成され、前記上部磁極層上に形成される上部コ
ア層はＮｉＦｅ系合金膜でメッキ形成されることが好ま
しい。

【００３３】また本発明では、前記コア層は、少なくと
も磁気ギャップに隣接する部分が２層以上の磁性層から
成り、あるいは前記磁極層が２層以上の磁性層から成
り、前記磁性層のうち前記磁気ギャップに接する磁性層
が、前記軟磁性膜により形成されていることが好まし
い。

【００３４】また前記磁気ギャップ層に接する以外の他
の磁性層はＮｉＦｅ系合金でメッキ形成されることが好
ましい。

【００３５】上記したように本発明における軟磁性膜と
してのＦｅＣｏα合金、ＦｅＣｏαβ合金、ＦｅＣｏＲ
ｈ合金及びＦｅＣｏＲｈβ合金は、飽和磁束密度Ｂｓが
２．０Ｔ以上と高く、また耐食性に優れている。このよ
うな軟磁性膜を薄膜磁気ヘッドのコア材として使用する
ことで、ギャップ近傍での磁束の集中化を図り、高記録
密度化を促進させることができ、また耐食性に優れた薄
膜磁気ヘッドを製造することが可能である。

【００３６】また本発明における軟磁性膜の製造方法
は、電気メッキ法により、Ｆｅの組成比Ｘ（質量％）／
Ｃｏの組成比Ｙ（質量％）の比率が、２以上で５以下
で、元素α（ただし元素αは、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｉｒ
のいずれか一種または二種以上）の組成比Ｚが、０．５
質量％以上で１８質量％以下であり、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１０
０質量％の関係を満たすＦｅ_XＣｏ_Yα_Z合金をメッキ形
成することを特徴とするものである。この組成比を有す
る軟磁性膜であれば飽和磁束密度Ｂｓを２．０Ｔ以上に
できるとともに、元素αを含まないＦｅＣｏ合金に比べ
て耐食性に優れた軟磁性膜を製造することが可能であ
る。

【００３７】また本発明では、前記Ｆｅの組成比Ｘ（質
量％）／Ｃｏの組成比Ｙ（質量％）の比率が、２．６以
上で４．３以下で、元素αの組成比Ｚが３質量％以上で
９質量％以下であり、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１００質量％の関係
を満たすＦｅ_XＣｏ_Yα_Z合金をメッキ形成することが好
ましい。この組成比を有する軟磁性膜であれば飽和磁束
密度Ｂｓを２．２Ｔ以上にできるとともに元素αを含ま
ないＦｅＣｏ合金に比べて耐食性に優れた軟磁性膜を製
造することが可能である。

【００３８】また本発明では、メッキ浴中のＦｅイオン
濃度を１．２ｇ／ｌ以上で３．２ｇ／ｌ以下とし、Ｃｏ
イオン濃度を０．８６ｇ／ｌ以上で１．６ｇ／ｌ以下と
し、元素αイオン濃度を０．２ｍｇ／ｌ以上で６ｍｇ／
ｌ以下とすることが好ましい。

【００３９】後述する実験結果によれば、上記のメッキ
浴組成を有することで、確実にＦｅの組成比Ｘ（質量
％）／Ｃｏの組成比Ｙ（質量％）の比率が、２以上で５
以下で、元素αの組成比Ｚが、０．５質量％以上で１８
質量％以下であり、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１００質量％の関係を
満たすＦｅ_XＣｏ_Yα_Z合金、好ましくは、前記Ｆｅの組
成比Ｘ（質量％）／Ｃｏの組成比Ｙ（質量％）の比率
が、２．６以上で４．３以下で、元素αの組成比Ｚが３
質量％以上で９質量％以下であり、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１００
質量％の関係を満たすＦｅ_XＣｏ_Yα_Z合金をメッキ形成
することができる。

【００４０】また本発明では、メッキ浴中にβイオン
（ただし元素βはＮｉ、Ｃｒの一方あるいは両方）を添
加し、前記Ｆｅ_XＣｏ_Yα_Z合金に０．５質量％以上で５
質量％以下の組成比Ｖを有する元素βを含有させ、Ｘ＋
Ｙ＋Ｚ＋Ｖ＝１００質量％の関係を満たすＦｅ_XＣｏ_Yα
_Zβ_V合金をメッキ形成してもよい。

【００４１】あるいは本発明における軟磁性膜の製造方
法は、電気メッキ法により、Ｆｅの組成比Ｘ（質量％）
が５６質量％以上で、Ｃｏの組成比Ｙが２０質量％以上
で、Ｒｈの組成比Ｗが１．７質量％以上で２０質量％以
下であり、Ｘ＋Ｙ＋Ｗ＝１００質量％の関係を満すＦｅ
_XＣｏ_YＲｈ_W合金をメッキ形成することを特徴とするも
のである。

【００４２】本発明では前記Ｒｈの組成比Ｗが７．５質
量％以上であるＦｅ_XＣｏ_YＲｈ_W合金をメッキ形成する
ことが好ましい。

【００４３】また本発明ではＦｅの組成比Ｘ（質量％）
／Ｃｏの組成比Ｙ（質量％）の比率は、２．０３０以上
で２．７０４以下で、Ｒｈの組成比Ｗは、７．５質量％
以上で１０質量％以下であり、Ｘ＋Ｙ＋Ｗ＝１００質量
％の関係を満たすＦｅ_XＣｏ_YＲｈ_W合金をメッキ形成す
ることがより好ましい。

【００４４】また本発明では、メッキ浴中のＦｅイオン
濃度を１．０ｇ／ｌ以上で５．０ｇ／ｌ以下とし、Ｃｏ
イオン濃度を０．１ｇ／ｌ以上で５．０ｇ／ｌ以下と
し、Ｒｈイオン濃度を１．０ｍｇ／ｌ以上で１０．０ｍ
ｇ／ｌ以下とすることが好ましい。

【００４５】また本発明では、メッキ浴中にβイオン
（ただし元素βはＮｉ、Ｃｒの一方あるいは両方）を添
加し、前記Ｆｅ_XＣｏ_YＲｈ_W合金に０．５質量％以上で
５質量％以下の組成比Ｖを有する元素βを含有させ、Ｘ
＋Ｙ＋Ｗ＋Ｖ＝１００質量％の関係を満たすＦｅ_XＣｏ_Y
Ｒｈ_Wβ_V合金をメッキ形成してもよい。

【００４６】なお本発明では前記電気メッキ法には、パ
ルス電流を用いた電気メッキ法を使用することが好まし
い。

【００４７】上記のように本発明では、好ましくはＦｅ
Ｃｏα合金やＦｅＣｏＲｈ合金をパルス電流を用いた電
気メッキ法によってメッキ形成する。パルス電流を用い
た電気メッキ法では、例えば電流制御素子のＯＮ／ＯＦ
Ｆを繰返し、メッキ形成時に、電流を流す時間と、電流
を流さない空白な時間を設ける。このように電流を流さ
ない時間を設けることで、ＦｅＣｏα合金膜やＦｅＣｏ
Ｒｈ合金膜を、少しずつメッキ形成し、従来のように直
流電流を用いた場合に比べメッキ形成時における電流密
度の分布の偏りを緩和することが可能になっている。パ
ルス電流による電気メッキ法によれば直流電流による電
気メッキ法に比べて軟磁性膜中に含まれるＦｅ含有量の
調整が容易になり、前記Ｆｅ含有量を膜中に多く取り込
むことができる。

【００４８】また本発明では、ＦｅＣｏα合金、ＦｅＣ
ｏαβ合金、ＦｅＣｏＲｈ合金及びＦｅＣｏＲｈβ合金
のメッキ浴中にサッカリンナトリウムを混入することが
好ましい。サッカリンナトリウム（Ｃ₆Ｈ₄ＣＯＮＮａＳ
Ｏ₂）は応力緩和剤としての役割を有しており、したが
って前記サッカリンナトリウムを混入することでＦｅＣ
ｏα合金、ＦｅＣｏαβ合金、ＦｅＣｏＲｈ合金及びＦ
ｅＣｏＲｈβ合金の膜応力を低減させることが可能であ
る。

【００４９】また本発明では、前記メッキ浴中に、２−
ブチン−１、４ジオールを混入することが好ましい。こ
れによってメッキ形成されたＦｅＣｏα合金、ＦｅＣｏ
αβ合金、ＦｅＣｏＲｈ合金及びＦｅＣｏＲｈβ合金の
結晶粒径の粗大化は抑制され、前記結晶粒径が小さくな
ることで結晶間に空隙が生じ難くなり、膜面の面粗れが
抑制される。面粗れを抑制できることで保磁力Ｈｃを小
さくすることも可能になる。

【００５０】また本発明では、前記メッキ浴中に２−エ
チルヘキシル硫酸ナトリウムを混入することが好まし
い。これによってメッキ浴中に生じる水素は、界面活性
剤である２−エチルヘキシル硫酸ナトリウムによって除
去され、前記水素がメッキ膜に付着することによる面粗
れを抑制できる。

【００５１】また前記２−エチルヘキシル硫酸ナトリウ
ムに代えて、ラウリル硫酸ナトリウムを用いても良い
が、２−エチルヘキシル硫酸ナトリウムを用いた方が、
メッキ浴中に混入したときの泡立ちが少なく、したがっ
て前記２−エチルヘキシル硫酸ナトリウムをメッキ浴中
に多く混入することができ、前記水素の除去をより適切
に行うことが可能になる。

【００５２】また本発明は、磁性材料製の下部コア層
と、記録媒体との対向面で前記下部コア層と磁気ギャッ
プを介して対向する上部コア層と、両コア層に記録磁界
を誘導するコイル層とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方
法において、少なくとも一方のコア層を、上記に記載さ
れた製造方法による軟磁性膜でメッキ形成することを特
徴とするものである。

【００５３】また本発明では、前記下部コア層上に記録
媒体との対向面で下部磁極層を隆起形成し、前記下部磁
極層を前記軟磁性膜でメッキ形成することが好ましい。

【００５４】また本発明は、下部コア層及び上部コア層
と、前記下部コア層と上部コア層との間に位置し且つト
ラック幅方向の幅寸法が前記下部コア層及び上部コア層
よりも短く規制された磁極部とを有し、前記磁極部を、
下部コア層と連続する下部磁極層、上部コア層と連続す
る上部磁極層、および前記下部磁極層と前記上部磁極層
間に位置するギャップ層とで形成し、あるいは前記磁極
部を、上部コア層と連続する上部磁極層、および前記上
部磁極層と下部コア層との間に位置するギャップ層とで
形成し、このとき前記上部磁極層及び／または下部磁極
層を、上記に記載された製造方法による軟磁性膜でメッ
キ形成することを特徴とするものである。

【００５５】また本発明では、前記上部磁極層を前記軟
磁性膜でメッキ形成し、前記上部磁極層上に上部コア層
を電気メッキ法によりＮｉＦｅ系合金膜でメッキ形成す
ることが好ましい。

【００５６】また本発明では、前記コア層を、少なくと
も磁気ギャップに隣接する部分で２層以上の磁性層で形
成し、あるいは前記磁極層を２層以上の磁性層で形成
し、このとき前記磁性層のうち前記磁気ギャップに接す
る磁性層を、前記軟磁性膜によりメッキ形成することが
好ましい。

【００５７】また本発明では、前記磁気ギャップ層に接
する以外の他の磁性層を電気メッキ法によりＮｉＦｅ系
合金でメッキ形成することが好ましい。

【００５８】上記したように本発明における軟磁性膜と
してのＦｅＣｏα合金、ＦｅＣｏαβ合金を、電気メッ
キ法によりメッキ形成することで、Ｆｅの組成比Ｘ（質
量％）／Ｃｏの組成比Ｙ（質量％）の比率が、２以上で
５以下で、元素α（ただし元素αは、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒ
ｕ、Ｉｒのいずれか一種または二種以上）の組成比Ｚが
０．５質量％以上で１８質量％以下となる、好ましく
は、Ｆｅの組成比Ｘ（質量％）／Ｃｏの組成比Ｙ（質量
％）の比率が、２．６以上で４．３以下で、元素αの組
成比Ｚが３質量％以上で９質量％以下となる、Ｆｅ_XＣ
ｏ_Yα_Z合金及び、さらに元素βの組成比Ｖが０．５質量
％以上で５質量％以下となるＦｅ_XＣｏ_Yα_Zβ_V合金をメ
ッキ形成することが可能である。

【００５９】あるいは本発明における軟磁性膜としての
ＦｅＣｏＲｈ合金及びＦｅＣｏＲｈβ合金を、電気メッ
キ法によりメッキ形成することで、Ｆｅの組成比Ｘが５
６質量％以上で、Ｃｏの組成比Ｙが２０質量％以上で、
Ｒｈの組成比Ｗが１．７質量％以上で２０質量％以下と
なる、好ましくは、前記Ｒｈの組成比Ｗが７．５質量％
以上となる、より好ましくはＦｅの組成比Ｘ（質量％）
／Ｃｏの組成比Ｙ（質量％）の比率が、２．０３０以上
で２．７０４以下で、Ｒｈの組成比Ｗが、７．５質量％
以上で１０質量％以下となるＦｅ_XＣｏ_YＲｈ_W合金及
び、さらに元素βの組成比Ｖが０．５質量％以上で５質
量％以下となるＦｅ_XＣｏ_YＲｈ_Wβ_V合金をメッキ形成す
ることが可能である。

【００６０】そしてこのような軟磁性膜を薄膜磁気ヘッ
ドのコア材として使用することで、飽和磁束密度Ｂｓが
高く高記録密度化を図ることができ、また元素αやＲｈ
を含まないＦｅＣｏ合金を用いる場合に比べて耐食性に
も優れた薄膜磁気ヘッドを歩留まり良く製造することが
可能である。

【００６１】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１実施形態の
薄膜磁気ヘッドの部分正面図、図２は図１に示す薄膜磁
気ヘッドを２−２線から切断し矢印方向から見た縦断面
図である。

【００６２】本発明における薄膜磁気ヘッドは、浮上式
ヘッドを構成するセラミック材のスライダ１１の側端面
１１ａに形成されたものであり、ＭＲヘッドｈ１と、書
込み用のインダクティブヘッドｈ２とが積層された、Ｍ
Ｒ／インダクティブ複合型薄膜磁気ヘッド（以下、単に
薄膜磁気ヘッドという）となっている。

【００６３】ＭＲヘッドｈ１は、磁気抵抗効果を利用し
てハードディスクなどの記録媒体からの洩れ磁界を検出
し、記録信号を読み取るものである。

【００６４】図２に示すように、前記スライダ１１のト
レーリング側端面１１ａ上にＡｌ₂Ｏ₃膜１２を介してＮ
ｉＦｅ等からなる磁性材料製の下部シールド層１３が形
成され、さらにその上に絶縁材料製の下部ギャップ層１
４が形成されている。

【００６５】前記下部ギャップ層１４上には記録媒体と
の対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に向けて、異方
性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）素子、巨大磁気抵抗効果（Ｇ
ＭＲ）素子あるいはトンネル型磁気抵抗効果（ＴＭＲ）
素子などの磁気抵抗効果素子１０が形成され、さらに前
記磁気抵抗効果素子１０及び下部ギャップ層１４上には
絶縁材料製の上部ギャップ層１５が形成されている。さ
らに前記上部ギャップ層１５の上にＮｉＦｅ等の磁性材
料で形成された上部シールド層１６が形成されている。
ＭＲヘッドｈ１は、前記下部シールド層１３から上部シ
ールド層１６までの積層膜で構成されている。

【００６６】次に図１及び２に示す実施形態では、前記
上部シールド層１６がインダクティブヘッドｈ２の下部
コア層としても兼用されており、前記下部コア層１６上
には、Ｇｄ決め層１７が形成され、記録媒体との対向面
から前記Ｇｄ決め層１７の先端部までの長さ寸法でギャ
ップデプス（Ｇｄ）が規制される。前記Ｇｄ決め層１７
は例えば有機絶縁材料で形成される。

【００６７】また前記下部コア層１６の上面１６ａは図
１に示すように、磁極部１８の基端からトラック幅方向
（図示Ｘ方向）に離れるにしたがって下面方向に傾く傾
斜面で形成されており、これによりサイドフリンジング
の発生を抑制することが可能である。

【００６８】また図２に示すように、記録媒体との対向
面から前記Ｇｄ決め層１７上にかけて磁極部１８が形成
されている。

【００６９】前記磁極部１８は下から下部磁極層１９、
非磁性のギャップ層２０、及び上部磁極層２１が積層さ
れている。

【００７０】前記下部磁極層１９は、下部コア層１６上
に直接メッキ形成されている。また前記下部磁極層１９
の上に形成されたギャップ層２０は、メッキ形成可能な
非磁性金属材料で形成されていることが好ましい。具体
的には、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、
Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒのうち１種または２種以
上から選択されたものであることが好ましい。

【００７１】なお本発明における具体的な実施形態とし
て前記ギャップ層２０にはＮｉＰが使用される。ＮｉＰ
で前記ギャップ層２０を形成することで前記ギャップ層
２０を適切に非磁性状態にできるからである。

【００７２】さらに前記ギャップ層２０の上にメッキ形
成された上部磁極層２１は、その上に形成される上部コ
ア層２２と磁気的に接続される。

【００７３】上記のようにギャップ層２０がメッキ形成
可能な非磁性金属材料で形成されると、下部磁極層１
９、ギャップ層２０及び上部磁極層２１を連続メッキ形
成することが可能である。

【００７４】なお前記磁極部１８は、ギャップ層２０及
び上部磁極層２１の２層で構成されていてもよい。

【００７５】図１に示すように、前記磁極部１８はトラ
ック幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法がトラック幅
Ｔｗで形成されている。

【００７６】図１及び図２に示すように、前記磁極部１
８のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側及びハイト方
向後方（図示Ｙ方向）には例えば無機絶縁材料からなる
絶縁層２３が形成されている。前記絶縁層２３の上面は
前記磁極部１８の上面と同一平面とされる。

【００７７】図２に示すように、前記絶縁層２３上には
コイル層２４が螺旋状にパターン形成されている。また
前記コイル層２４上は有機絶縁材料製の絶縁層２５によ
って覆われている。なお前記コイル層２４は絶縁層を挟
んで２層以上積層された構成であっても良い。

【００７８】図２に示すように、磁極部１８上から絶縁
層２５上にかけて上部コア層２２が例えばフレームメッ
キ法によりパターン形成されている。図１に示すよう
に、前記上部コア層２２の先端部２２ａは、記録媒体と
の対向面側でのトラック幅方向における幅寸法がＴ１で
形成され、かかる幅寸法Ｔ１はトラック幅Ｔｗよりも大
きく形成されている。

【００７９】また図２に示すように、前記上部コア層２
２の基端部２２ｂは、下部コア層１６上に形成された磁
性材料製の接続層（バックギャップ層）２６上に直接接
続されている。

【００８０】本発明では、前記上部磁極層２１及び／ま
たは下部磁極層１９が以下の組成比を有する軟磁性膜で
形成されている。（１）組成式がＦｅ_XＣｏ_Yα_Z（ただし元素αは、Ｐ
ｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｉｒのいずれか一種または二種以上）
で示され、Ｆｅの組成比Ｘ（質量％）／Ｃｏの組成比Ｙ
（質量％）の比率は、２以上で５以下で、元素αの組成
比Ｚは、０．５質量％以上で１８質量％以下であり、Ｘ
＋Ｙ＋Ｚ＝１００質量％の関係を満たし、メッキ形成さ
れることを特徴とする軟磁性膜。

【００８１】後述する実験結果により上記の組成比を有
するＦｅＣｏα合金であると飽和磁束密度Ｂｓを２．０
Ｔ以上にできることが確認された。このように本発明で
はＮｉＦｅ系合金よりも高い飽和磁束密度Ｂｓを得るこ
とが可能である。

【００８２】Ｆｅ及びＣｏは磁性を担う元素である。Ｆ
ｅ、Ｃｏの組成比を適切な値にすることによって高い飽
和磁束密度を得ることが可能になる。後述する実験によ
れば、前記Ｆｅの組成比Ｘ（質量％）／Ｃｏの組成比Ｙ
（質量％）の比率を２以上で５以下にすると、前記Ｂｓ
を２．０Ｔ以上にできることが確認された。

【００８３】次に前記元素αは特に耐食性を高めるため
に添加される元素であり、前記元素αが少なすぎると効
果的に耐食性を向上させることはできず、多すぎても磁
性を担うＦｅ、Ｃｏ量の減少によって飽和磁束密度Ｂｓ
の低下を招く。本発明では前記元素αの組成比Ｚを０．
５質量％以上で１８質量％以下とすることで、飽和磁束
密度Ｂｓを２．０Ｔ以上にできると同時にＣｏとＦｅの
みからなる軟磁性膜よりも効果的に耐食性を向上させる
ことができる。また前記元素αのうち、Ｐｄ、Ｐｔのい
ずれか一種または２種以上を添加すると、より効果的に
耐食性を向上させることが可能である。特に前記元素α
はＰｄであることが好ましい。

【００８４】また上記組成比を有するＦｅＣｏα合金で
あると、結晶が緻密に形成されることで膜面の面粗れを
少なくでき、耐食性を向上させることができるととも
に、保磁力Ｈｃを小さくすることができる。具体的には
前記保磁力を２０００（Ａ／ｍ）以下にすることが可能
である。

【００８５】またＦｅＣｏα合金が上記組成範囲内であ
ると、１５（μΩ・ｃｍ）以上の比抵抗を得ることがで
きる。また膜応力を４００ＭＰａ以下にすることができ
る。さらに異方性磁界Ｈｋに関しては、従来から軟磁性
材料として一般的に使用されているＮｉＦｅ系合金と同
程度の異方性磁界Ｈｋを得ることができる。

【００８６】また本発明では、前記Ｆｅの組成比Ｘ（質
量％）／Ｃｏの組成比Ｙ（質量％）の比率は、２．６以
上で４．３以下で、元素αの組成比Ｚは３質量％以上で
９質量％以下であり、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１００質量％の関係
を満たすことが好ましい。これにより飽和磁束密度Ｂｓ
を２．２Ｔ以上にすることができると共に元素αを含ま
ないＦｅＣｏ合金に比べて効果的に耐食性の向上を図る
ことが可能である。

【００８７】また本発明では、上記ＦｅＣｏα合金に元
素β（ただし元素βはＮｉ、Ｃｒの一方あるいは両方）
が添加され、すなわち組成式はＦｅ_XＣｏ_Yα_Zβ_Vで示さ
れ、Ｆｅの組成比Ｘ（質量％）／Ｃｏの組成比Ｙ（質量
％）の比率は、２以上で５以下で、元素αの組成比Ｚ
は、０．５質量％以上で１８質量％以下であり、好まし
くは、前記Ｆｅの組成比Ｘ（質量％）／Ｃｏの組成比Ｙ
（質量％）の比率は、２．６以上で４．３以下で、元素
αの組成比Ｚは３質量％以上で９質量％以下であり、前
記元素βの組成比Ｖは、０．５質量％以上で５質量％以
下であり、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＋Ｖ＝１００質量％の関係を満た
す軟磁性膜であってもよい。

【００８８】前記上部磁極層２１及び／または下部磁極
層１９を、上記組成範囲内のＦｅＣｏαβ合金で形成す
ることにより、飽和磁束密度Ｂｓを２．０Ｔ以上あるい
は２．２Ｔ以上にできる。また表面に不動態膜を形成す
る元素βの添加により、さらに耐食性を向上させること
ができる。またＮｉの添加により特に膜応力を小さくす
ることが可能であるから、元素βとしてＮｉを選択する
方が好ましい。

【００８９】以上のように本発明では、上記したＦｅＣ
ｏα合金あるいはＦｅＣｏαβ合金は、２．０Ｔ以上、
好ましくは２．２Ｔ以上の高い飽和磁束密度Ｂｓを得る
ことが可能であるので、前記ＦｅＣｏα合金あるいはＦ
ｅＣｏαβ合金を上部磁極層２１及び／または下部磁極
層１９に使用することにより、前記磁極層のギャップ近
傍に磁束を集中させて記録密度を向上させることが可能
であるとともに、元素αを含まないＦｅＣｏ合金を使用
する場合に比べて耐食性に優れた薄膜磁気ヘッドを製造
することが可能である。

【００９０】（２）組成式がＦｅ_XＣｏ_YＲｈ_wで示さ
れ、Ｆｅの組成比Ｘ（質量％）は５６質量％以上で、Ｃ
ｏの組成比Ｙは２０質量％以上で、Ｒｈの組成比Ｗは
１．７質量％以上で２０質量％以下であり、Ｘ＋Ｙ＋Ｗ
＝１００質量％の関係を満し、且つメッキ形成されるこ
とを特徴とする軟磁性膜。

【００９１】後述する実験結果により上記の組成比を有
するＦｅＣｏＲｈ合金であると飽和磁束密度Ｂｓを２．
１Ｔ以上にできることが確認された。このように本発明
ではＮｉＦｅ系合金よりも高い飽和磁束密度Ｂｓを得る
ことが可能である。

【００９２】Ｆｅ及びＣｏは磁性を担う元素である。Ｆ
ｅ、Ｃｏの組成比を適切な値にすることによって高い飽
和磁束密度を得ることが可能になる。後述する実験によ
れば、前記Ｆｅの組成比Ｘを５６質量％以上に、且つＣ
ｏの組成比Ｙを２０質量％以上にすると、前記Ｂｓを
２．１Ｔ以上にできることが確認された。

【００９３】次に前記Ｒｈは特に耐食性を高めるために
添加される元素であり、前記Ｒｈが少なすぎると効果的
に耐食性を向上させることはできず、多すぎても磁性を
担うＦｅ、Ｃｏ量の減少によって飽和磁束密度Ｂｓの低
下を招く。本発明では前記Ｒｈの組成比Ｗを１．７質量
％以上で２０質量％以下とすることで、飽和磁束密度Ｂ
ｓを２．１Ｔ以上にできると同時にＣｏとＦｅのみから
なる軟磁性膜よりも効果的に耐食性を向上させることが
できる。

【００９４】また上記組成比を有するＦｅＣｏＲｈ合金
であると、結晶が緻密に形成されることで膜面の面粗れ
を少なくでき、耐食性を向上させることができるととも
に、保磁力Ｈｃを小さくすることができる。具体的には
前記保磁力を２０００（Ａ／ｍ）以下にすることが可能
である。

【００９５】またＦｅＣｏＲｈ合金が上記組成範囲内で
あると、１５（μΩ・ｃｍ）以上の比抵抗を得ることが
できる。また膜応力を４００ＭＰａ以下にすることがで
きる。さらに異方性磁界Ｈｋに関しては、従来から軟磁
性材料として一般的に使用されているＮｉＦｅ系合金と
同程度の異方性磁界Ｈｋを得ることができる。

【００９６】また前記Ｒｈの組成比Ｗは、７．５質量％
以上であることが好ましい。これによってＮｉＦｅ合金
膜と同等の耐食性を得ることが可能になることが後述す
る実験によってわかった。特に図１および図２のよう
に、下部磁極層１９、非磁性層のギャップ層２０及び上
部磁極層２１が連続してメッキ形成される形態にあって
は、前記下部磁極層１９及び上部磁極層２１の耐食性が
低いと、各磁極層１９、２１をメッキ形成する際にこれ
ら磁極層が溶け出して適切にメッキ形成できないという
不具合が発生するため、図１及び図２のような連続メッ
キ膜に本発明の軟磁性膜を使用する場合には、Ｒｈが
７．５質量％以上となるＣｏＦｅＲｈ合金膜を使用する
ことが好ましい。

【００９７】また本発明では、前記Ｆｅの組成比Ｘ（質
量％）／Ｃｏの組成比Ｙ（質量％）の比率は、２．０３
０以上で２．７０４以下で、Ｒｈの組成比Ｗは７．５質
量％以上で１０質量％以下であり、Ｘ＋Ｙ＋Ｗ＝１００
質量％の関係を満たすことが好ましい。後述する実験に
よれば、各元素の組成範囲を上記範囲内に収めること
で、飽和磁束密度Ｂｓを２．２Ｔ以上にできると共に、
従来からコア材等に使用されているＮｉＦｅ合金と同等
の耐食性を得ることができる。

【００９８】また本発明では、上記ＦｅＣｏＲｈ合金に
元素β（ただし元素βはＮｉ、Ｃｒの一方あるいは両
方）が添加され、すなわち組成式はＦｅ_XＣｏ_YＲｈ_wβ_V
で示され、Ｆｅの組成比Ｘは５６質量％以上で、Ｃｏの
組成比Ｙは２０質量％以上で、Ｒｈの組成比Ｗは１．７
質量％以上で２０質量％以下であり、好ましくは、Ｒｈ
の組成比Ｗは７．５質量％以上であり、より好ましく
は、前記Ｆｅの組成比Ｘ（質量％）／Ｃｏの組成比Ｙ
（質量％）の比率は、２．０３０以上で２．７０４以下
で、Ｒｈの組成比Ｗは７．５質量％以上で１０質量％以
下であり、さらに前記元素βの組成比Ｖは、０．５質量
％以上で５質量％以下であり、Ｘ＋Ｙ＋Ｗ＋Ｖ＝１００
質量％の関係を満たす軟磁性膜であってもよい。

【００９９】前記上部磁極層２１及び／または下部磁極
層１９を、上記組成範囲内のＦｅＣｏＲｈβ合金で形成
することにより、飽和磁束密度Ｂｓを２．１Ｔ以上ある
いは２．２Ｔ以上にできる。また表面に不動態膜を形成
する元素βの添加により、さらに耐食性を向上させるこ
とができる。またＮｉの添加により特に膜応力を小さく
することが可能であるから、元素βとしてＮｉを選択す
る方が好ましい。

【０１００】以上のように本発明では、上記したＦｅＣ
ｏＲｈ合金あるいはＦｅＣｏＲｈβ合金は、２．１Ｔ以
上、好ましくは２．２Ｔ以上の高い飽和磁束密度Ｂｓを
得ることが可能であるので、前記ＦｅＣｏＲｈ合金ある
いはＦｅＣｏＲｈβ合金を上部磁極層２１及び／または
下部磁極層１９に使用することにより、前記磁極層のギ
ャップ近傍に磁束を集中させて記録密度を向上させるこ
とが可能であるとともに、Ｒｈを含まないＦｅＣｏ合金
を使用する場合に比べて耐食性に優れ、あるいはＮｉＦ
ｅ合金と同等の耐食性を有する薄膜磁気ヘッドを製造す
ることが可能である。

【０１０１】上記した（１）及び（２）の軟磁性膜は、
以下に説明する薄膜磁気ヘッドの構造にも使用すること
ができる。

【０１０２】図３は、本発明における第２実施形態の薄
膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、図４は図３に示
す４−４線から薄膜磁気ヘッドを切断し矢印方向から見
た縦断面図である。

【０１０３】この実施形態では、ＭＲヘッドｈ１の構造
は図１及び図２と同じである。図３に示すように下部コ
ア層１６上には、例えば無機絶縁材料で形成された絶縁
層３１が形成されている。前記絶縁層３１には、記録媒
体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）後方に所定
の長さ寸法で形成されたトラック幅形成溝３１ａが形成
されている。前記トラック幅形成溝３１ａは記録媒体と
の対向面においてトラック幅Ｔｗで形成されている（図
３を参照のこと）。

【０１０４】前記トラック幅形成溝３１ａには、下から
下部磁極層３２、非磁性のギャップ層３３、及び上部磁
極層３４が積層された磁極部３０が形成されている。

【０１０５】前記下部磁極層３２は、下部コア層１６上
に直接メッキ形成されている。また前記下部磁極層３２
の上に形成されたギャップ層３３は、メッキ形成可能な
非磁性金属材料で形成されていることが好ましい。具体
的には、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、
Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒのうち１種または２種以
上から選択されたものであることが好ましい。

【０１０６】なお本発明における具体的な実施形態とし
て前記ギャップ層３３にはＮｉＰが使用される。ＮｉＰ
で前記ギャップ層３３を形成することで前記ギャップ層
３３を適切に非磁性状態にできるからである。

【０１０７】なお前記磁極部３０は、ギャップ層３３及
び上部磁極層３４の２層で構成されていてもよい。

【０１０８】前記ギャップ層３３の上には、記録媒体と
の対向面からギャップデプス（Ｇｄ）だけ離れた位置か
ら絶縁層３１上にかけてＧｄ決め層３７が形成されてい
る。前記Ｇｄ決め層３７は例えば有機絶縁材料で形成さ
れる。

【０１０９】さらに前記ギャップ層３３の上に形成され
た上部磁極層３４は、その上に形成される上部コア層４
０と磁気的に接続される。

【０１１０】上記のようにギャップ層３３がメッキ形成
可能な非磁性金属材料で形成されると、下部磁極層３
２、ギャップ層３３及び上部磁極層３４を連続メッキ形
成することが可能である。

【０１１１】図４に示すように前記絶縁層３１の上には
コイル層３８が螺旋状にパターン形成されている。前記
コイル層３８は有機絶縁材料などで形成された絶縁層３
９によって覆われている。

【０１１２】図３に示すように、トラック幅規制溝３１
ａのトラック幅方向（図示Ｘ方向）における両側端面に
は、前記上部磁極層３４の上面から前記絶縁層３１の上
面３１ｂにかけて下部コア層１６から離れる方向にした
がって徐々に幅寸法が広がる傾斜面３１ｃ，３１ｃが形
成されている。

【０１１３】そして図３に示すように上部コア層４０の
先端部４０ａは、前記上部磁極層３４上面から前記傾斜
面３１ｃ，３１ｃ上にかけて下部コア層１６から離れる
方向に形成されている。

【０１１４】図４に示すように前記上部コア層４０は、
記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）にか
けて絶縁層３９上に形成され、前記上部コア層４０の基
端部４０ｂは下部コア層１６上に直接形成されている。

【０１１５】図３及び図４に示す第２実施形態では、下
部磁極層３２及び／または上部磁極層３４が、上記した
（１）あるいは（２）の軟磁性膜でメッキ形成される。
これによってギャップ近傍に磁束を集中させることがで
き、記録密度を向上させることができ、高記録密度化に
優れるとともに元素αを含まないＦｅＣｏ合金を用いた
場合に比べて耐食性に優れた薄膜磁気ヘッドの製造が可
能である。

【０１１６】図１ないし図４に示す実施形態では、いず
れも下部コア層１６と上部コア層２２、４０間に磁極部
１８、３０を有し、前記磁極部１８，３０を構成する下
部磁極層１９，３２及び／または上部磁極層２１，３４
は、上記した（１）あるいは（２）の軟磁性膜でメッキ
形成されるが、前記上部磁極層２１，３４の上に重ねて
形成される上部コア層２２，４０はＮｉＦｅ系合金でメ
ッキ形成されていることが好ましい。

【０１１７】前記上部コア層２２，４０は飽和磁束密度
Ｂｓよりもむしろ比抵抗が高いことが好ましい。高周波
帯域での記録時において、上部コア層２２，４０から前
記上部磁極層２１，３４に適切に記録磁界を導くには、
前記上部コア層２２，４０の部分で渦電流損失が発生す
ることを抑制する必要があるため、本発明では、上記の
（１）あるいは（２）の軟磁性膜よりも比抵抗の高いＮ
ｉＦｅ系合金を上部コア層２２，４０に用いることが、
高記録密度化を図る上で効果的である。なお前記上部コ
ア層２２，４０には例えばＮｉ₈₀Ｆｅ₂₀合金が使用され
る。

【０１１８】ところで本発明では上部磁極層２１，３４
として上記の（１）あるいは（２）の軟磁性膜を使用
し、上部コア層２２，４０としてＮｉＦｅ系合金を使用
しているが、これにより前記上部コア層２２，４０を電
気メッキ法にてメッキ形成しているとき、前記上部磁極
層２１，３４がイオン化されて溶け出すのを適切に防止
することができる。

【０１１９】本発明における元素αあるいはＲｈは、そ
の元素自体がイオン化されにくい貴金属であり、これら
が添加されることで、上部磁極層２１，３４のイオン化
を阻止することが可能である。

【０１２０】あるいはＦｅＣｏαβ合金あるいはＦｅＣ
ｏＲｈβ合金を上部磁極層２１，３４として使用する場
合、イオン化されにくい元素αあるいはＲｈの他に、表
面に不動態膜を形成しやすいＮｉやＣｒが添加されてい
ることで、より効果的に前記上部磁極層２１，３４のイ
オン化を抑制することができ、高い飽和磁束密度Ｂｓ及
び耐食性に優れた磁極を形成することができる。

【０１２１】なお下部磁極層１９，３２も上記の（１）
あるいは（２）の軟磁性膜で形成されることが好まし
く、これにより上部コア層２２，４０をメッキ形成する
ときの、前記下部磁極層１９，３２のイオン化を効果的
に抑制することが可能である。

【０１２２】また本発明では、前記下部磁極層１９，３
２及び／または上部磁極層２１，３４は２層以上の磁性
層が積層されて構成されていてもよい。かかる構成の場
合、ギャップ層２０，３３に接する側の磁性層が上記の
（１）あるいは（２）の軟磁性膜で形成されることが好
ましい。これによってギャップ近傍に磁束をより集中さ
せることができ、今後の高記録密度化に対応可能な薄膜
磁気ヘッドを製造することが可能である。

【０１２３】また前記ギャップ層２０，３３に接する磁
性層以外の他の磁性層は、如何なる材質、組成比の磁性
材料で形成されても良いが、前記ギャップ層２０，３３
に接する側の磁性層よりも飽和磁束密度Ｂｓが小さくな
ることが好ましく、例えば前記他の磁性層はＮｉＦｅ系
合金で形成されることが好ましい。これにより前記他の
磁性層からギャップ層２０，３３に接する側の磁性層に
適切に記録磁界が導かれ高記録密度化を図ることが可能
になると共に、前記他の磁性層をメッキ形成するとき
の、前記ギャップ層２０，３３に接する側の磁性層のイ
オン化を適切に防止することができる。

【０１２４】なお前記他の磁性層はＮｉＦｅ系合金で形
成される必要はなく、上記の（１）あるいは（２）の軟
磁性膜などで形成されても良いが、ギャップ層２０，３
３に接する側の磁性層よりも低い飽和磁束密度Ｂｓを有
するように組成比を適切に調整することが好ましい。そ
の方法としてはギャップ層２０，３３に接する側の磁性
層に比べてＦｅ量を減少させればよい。

【０１２５】また下部磁極層１９，３２の飽和磁束密度
Ｂｓは高いことが好ましいが、上部磁極層２１，３４の
飽和磁束密度Ｂｓよりも低くすることにより、下部磁極
層と上部磁極層との間における洩れ磁界を磁化反転しや
すくすると、より記録媒体への信号の書込み密度を高く
できる。

【０１２６】また図１ないし図４のように下部磁極層１
９、３２及び上部磁極層２１、３４間に非磁性のギャッ
プ層２０、３３がメッキ形成される場合、前記下部磁極
層１９、３２及び上部磁極層２１、３４の耐食性はＮｉ
Ｆｅ合金膜と同等程度であることが好ましい。磁極層や
ギャップ層をメッキ形成する際に、前記磁極層が溶け出
して適切にメッキ形成できないという不具合が発生する
からである。そこで本発明では前記下部磁極層１９、３
２及び上部磁極層２１、３４に上記した（１）の軟磁性
膜、あるいはＲｈが７．５質量％以上の（２）の軟磁性
膜を使用することが好ましい。

【０１２７】図５は本発明における第３実施形態の薄膜
磁気ヘッドの縦断面図である。この実施形態ではＭＲヘ
ッドｈ１が図１と同じである。図５に示すように下部コ
ア層１６にはアルミナなどによる磁気ギャップ層（非磁
性材料層）４１が形成されている。さらに前記磁気ギャ
ップ層４１の上にはポリイミドまたはレジスト材料製の
絶縁層４３を介して平面的に螺旋状となるようにパター
ン形成されたコイル層４４が設けられている。なお、前
記コイル層４４はＣｕ（銅）などの電気抵抗の小さい非
磁性導電性材料で形成されている。

【０１２８】さらに、前記コイル層４４はポリイミドま
たはレジスト材料で形成された絶縁層４５に囲まれ、前
記絶縁層４５の上に軟磁性材料製の上部コア層４６が形
成されている。

【０１２９】図５に示すように、前記上部コア層４６の
先端部４６ａは、記録媒体との対向面において、下部コ
ア層１６の上に前記磁気ギャップ層４１を介して対向
し、磁気ギャップ長Ｇｌ1の磁気ギャップが形成されて
おり、上部コア層４６の基端部４６ｂは図５に示すよう
に、下部コア層１６と磁気的に接続されている。

【０１３０】本発明では、下部コア層１６及び／または
上部コア層４６は、上記した（１）あるいは（２）の軟
磁性膜で形成される。これにより飽和磁束密度Ｂｓを
２．０Ｔ以上あるいは２．１Ｔ以上にできるとともに元
素αあるいはＲｈが添加されていないＦｅＣｏ合金に比
べて耐食性を向上させることができる。

【０１３１】上部コア層４６及び／または下部コア層１
６が、２．０Ｔ以上あるいは２．１Ｔ以上の高い飽和磁
束密度Ｂｓを有する上記した（１）あるいは（２）の軟
磁性膜で形成されることで、ギャップ近傍に磁束を集中
させることができ、記録密度を向上させることができる
から、高記録密度化に優れ、しかも元素αやＲｈを含ま
ないＦｅＣｏ合金を用いた場合に比べて耐食性に優れた
薄膜磁気ヘッドの製造が可能である。

【０１３２】また図１ないし図４と異なって、図５に示
す実施形態のように磁気ギャップ層４１が、アルミナ
（Ａｌ₂Ｏ₃）やＳｉＯ₂などのスパッタ膜で形成される
場合、その上あるいは下に形成されるコア層１６、４６
は、少なくともＦｅＣｏ合金膜よりも高い耐食性を有し
ていれば、前記コア層１６、４６をメッキ形成する際に
前記コア層１６、４６が溶け出すという不具合は発生せ
ず、したがって特にコア層１６、４６を上記の（２）の
軟磁性膜で形成する場合、Ｒｈの組成比Ｗは１．７質量
％以上あればよい。

【０１３３】図６は本発明における第４実施形態の薄膜
磁気ヘッドの縦断面図である。図５との違いは、上部コ
ア層４６が２層の磁性層で積層されて構成されているこ
とである。

【０１３４】前記上部コア層４６は、高い飽和磁束密度
Ｂｓを有する高Ｂｓ層４７とその上に積層された上層４
８とで構成されている。

【０１３５】前記高Ｂｓ層４７及び／または下部コア層
１６は、上記した（１）あるいは（２）の軟磁性膜で形
成される。これにより飽和磁束密度Ｂｓを２．０Ｔ以上
あるいは２．１Ｔ以上にできるとともに元素αあるいは
Ｒｈが添加されていないＦｅＣｏ合金に比べて耐食性を
向上させることができる。

【０１３６】前記上部コア層４６を構成する上層４８
は、高Ｂｓ層４７に比べて飽和磁束密度Ｂｓが小さくな
っているものの、前記高Ｂｓ層４７よりも比抵抗が高く
されている。前記上層４８は例えばＮｉ₈₀Ｆｅ₂₀合金で
形成される。

【０１３７】前記ＮｉＦｅ系合金は本発明におけるＦｅ
Ｃｏα合金、ＦｅＣｏＮｉα合金、ＦｅＣｏＲｈ合金及
びＦｅＣｏＲｈβ合金よりも飽和磁束密度Ｂｓが低くな
るものの比抵抗は高くなる。これによって前記高Ｂｓ層
４７が前記上層４８よりも高い飽和磁束密度Ｂｓを有
し、ギャップ近傍に磁束を集中させて、記録分解能を向
上させることが可能になる。なお前記上層４８はＮｉＦ
ｅ系合金で形成される必要はなく、ＦｅＣｏα合金やＦ
ｅＣｏＲｈ合金などで形成されてもよいが、かかる場
合、上層４８の飽和磁束密度Ｂｓが高Ｂｓ層４７の飽和
磁束密度Ｂｓよりも小さくなるように組成比を調整する
必要がある。その方法としてはＦｅ量を高Ｂｓ層４７に
含まれるＦｅ量よりも少なくすればよい。

【０１３８】また前記上部コア層４６に比抵抗の高い上
層４８が設けられたことで、記録周波数が上昇すること
により発生する渦電流による損失を低減させることがで
き、今後の高記録周波数化に対応可能な薄膜磁気ヘッド
を製造することができる。

【０１３９】また本発明では図６に示すように、高Ｂｓ
層４７が、ギャップ層４１と対向する下層側に形成され
ていることが好ましい。また前記高Ｂｓ層４７はギャッ
プ層４１上に直接接する上部コア層４６の先端部４６ａ
のみに形成されていてもよい。

【０１４０】また下部コア層１６も、高Ｂｓ層と高比抵
抗層の２層で構成されていてもよい。かかる構成の場
合、高比抵抗層の上に高Ｂｓ層が積層され、前記高Ｂｓ
層がギャップ層４１を介して上部コア層４６と対向す
る。

【０１４１】また図６に示す実施形態では、上部コア層
４６が２層の積層構造となっているが、３層以上であっ
てもよい。かかる構成の場合、高Ｂｓ層４７は、磁気ギ
ャップ層４１に接する側に形成されることが好ましい。

【０１４２】また高Ｂｓ層４７を本発明における上記し
た（１）あるいは（２）の軟磁性膜で形成し、上層４８
をＮｉＦｅ系合金で電気メッキ法にてメッキ形成すると
き、前記高Ｂｓ層４７にはその元素自体イオン化され難
いＲｈ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｉｒの貴金属が含まれてお
り、あるいは表面に不動態膜が形成されやすいＮｉが含
まれているので、前記高Ｂｓ層４７がイオン化されて溶
け出す現象を適切に抑制することができる。

【０１４３】図７は本発明における第５実施形態の薄膜
磁気ヘッドの縦断面図である。図７の実施形態ではＭＲ
ヘッドｈ１の構成は図１と同じである。図７に示すよう
に下部コア層１６の上に下部磁極層５０が記録媒体との
対向面から隆起形成されている。前記下部磁極層５０の
ハイト方向後方（図示Ｙ方向）には絶縁層５１が形成さ
れている。前記絶縁層５１の上面は、凹形状となり、コ
イル形成面５１ａが形成されている。

【０１４４】前記下部磁極層５０上から前記絶縁層５１
上にかけてギャップ層５２が形成されている。さらに前
記絶縁層５１のコイル形成面５１ａ上にはギャップ層５
２を介してコイル層５３が形成されている。前記コイル
層５３上は有機絶縁製の絶縁層５４によって覆われてい
る。

【０１４５】図７に示すように上部コア層５５は、前記
ギャップ層５２上から絶縁層５４上にかけて例えばフレ
ームメッキ法によりパターン形成されている。

【０１４６】前記上部コア層５５の先端部５５ａは前記
ギャップ層５２上に下部磁極層５０と対向して形成され
る。前記上部コア層５５の基端部５５ｂは、下部コア層
１６上に形成された持上げ層５６を介して前記下部コア
層１６に磁気的に接続される。

【０１４７】この実施形態においては、上部コア層５５
及び／または下部磁極層５０は、上記の（１）あるいは
（２）の軟磁性膜で形成される。これにより飽和磁束密
度Ｂｓを２．０Ｔ以上あるいは２．１Ｔ以上にできると
ともに元素αあるいはＲｈを含有しないＦｅＣｏ合金に
比べて耐食性を向上させることができる。

【０１４８】前記下部磁極層５０及び上部コア層５５が
上記の（１）あるいは（２）の軟磁性膜で形成されるこ
とで、ギャップ近傍に磁束を集中させることができ、記
録密度を向上させることができるから、高記録密度化に
優れ、しかも元素αやＲｈを含まないＦｅＣｏ合金を用
いた場合に比べて耐食性に優れた薄膜磁気ヘッドの製造
が可能である。なお前記飽和磁束密度Ｂｓは２．２Ｔ以
上であることが好ましい。

【０１４９】図７では下部磁極層５０が形成され、前記
下部磁極層５０が下部コア層１６よりも高い飽和磁束密
度Ｂｓを有する上記の（１）あるいは（２）の軟磁性膜
で形成されると、ギャップ近傍に磁束を集中させること
ができ記録密度の向上を図ることが可能である。

【０１５０】また上部コア層５５は、その全体が上記の
（１）あるいは（２）の軟磁性膜で形成されていてもよ
いが、図６と同様に前記上部コア層５５が２層以上の磁
性層の積層構造であり、そのギャップ層５２と対向する
側が高Ｂｓ層として上記の（１）あるいは（２）の軟磁
性膜で形成されていてもよい。またかかる場合、前記上
部コア層５５の先端部５５ａのみが２層以上の磁性層の
積層構造で形成され、前記ギャップ層５２上に接して高
Ｂｓ層が形成されていることが、ギャップ近傍に磁束を
集中させ、記録密度を向上させる点からして好ましい。

【０１５１】なお各実施形態において、符号１６の層
は、下部コア層と上部シールド層の兼用層となっている
が、前記下部コア層と上部シールド層とが別々に形成さ
れていてもよい。かかる場合、前記下部コア層と上部シ
ールド層間には絶縁層を介在させる。

【０１５２】次に図１ないし図７に示す薄膜磁気ヘッド
の一般的な製造方法について以下に説明する。

【０１５３】図１及び図２に示す薄膜磁気ヘッドは、下
部コア層１６上にＧｄ決め層１７を形成した後、レジス
トを用いて記録媒体との対向面からハイト方向に下部磁
極層１９、非磁性のギャップ層２０及び上部磁極層２１
から成る磁極部１８を連続メッキによって形成する。次
に前記磁極部１８のハイト方向後方に絶縁層２３を形成
した後、例えばＣＭＰ技術を用いて前記磁極部１８の上
面と前記絶縁層２３の上面とを同一平面に平坦化する。
前記絶縁層２３の上にコイル層２４を螺旋状にパターン
形成した後、前記コイル層２４の上に絶縁層２５を形成
する。そして前記磁極部１８上から絶縁層２５上にかけ
て上部コア層２２を例えばフレームメッキ法により形成
する。

【０１５４】図３及び図４に示す薄膜磁気ヘッドは、下
部コア層１６上に絶縁層３１を形成した後、レジストを
用いて前記絶縁層３１の記録媒体との対向面からハイト
方向後方に向けてトラック幅形成溝３１ａを形成する。
さらに前記トラック幅形成溝３１ａに図３に示す傾斜面
３１ｃ，３１ｃを形成する。

【０１５５】前記トラック幅形成溝３１ａ内に、下部磁
極層３２、非磁性のギャップ層３３を形成する。前記ギ
ャップ層３３上から絶縁層３１上にＧｄ決め層３７を形
成した後、前記ギャップ層３３上に上部磁極層３４をメ
ッキ形成する。次に前記絶縁層３１上にコイル層３８を
螺旋状にパターン形成した後、前記コイル層３８上に絶
縁層３９を形成する。そして前記上部磁極層３４上から
絶縁層３９上にかけて上部コア層４０を例えばフレーム
メッキ法にて形成する。

【０１５６】図５、図６に示す薄膜磁気ヘッドは、まず
下部コア層１６上にギャップ層４１を形成し、さらに絶
縁層４３を形成した後、前記絶縁層４３の上にコイル層
４４をパターン形成する。前記コイル層４４上に絶縁層
４５を形成した後、ギャップ層４１から前記絶縁層４５
上にかけて上部コア層４６をフレームメッキ法によりパ
ターン形成する。

【０１５７】図７に示す薄膜磁気ヘッドは、まず下部コ
ア層１６上にレジストを用いて下部磁極層５０を形成
し、さらに前記下部磁極層５０のハイト方向後方に絶縁
層５１を形成する。前記下部磁極層５０と前記絶縁層５
１の上面はＣＭＰ技術によって一旦平坦化された後、前
記絶縁層５１の上面に凹形状となるコイル形成面５１ａ
を形成する。次に前記下部磁極層５０上から前記絶縁層
５１上にギャップ層５２を形成した後、前記ギャップ層
５２上にコイル層５３を螺旋状にパターン形成し、さら
に前記コイル層５３上に絶縁層５４を形成する。そし
て、前記ギャップ層５２上から絶縁層５４上にかけて上
部コア層５５を例えばフレームメッキ法によりパターン
形成する。

【０１５８】次に本発明における、Ｆｅの組成比Ｘ（質
量％）／Ｃｏの組成比Ｙ（質量％）の比率が、２以上で
５以下で、元素α（ただし元素αは、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒ
ｕ、Ｉｒのいずれか一種または二種以上）の組成比Ｙ
が、０．５質量％以上で１８質量％以下であり、Ｘ＋Ｙ
＋Ｚ＝１００質量％の関係を満たすＦｅ_XＣｏ_Yα_Z合金
のメッキ形成法について以下に説明する。

【０１５９】本発明では、前記ＦｅＣｏα合金を電気メ
ッキ法によってメッキ形成するものである。

【０１６０】前記電気メッキ法には、直流電流を用いた
電気メッキ法やパルス電流を用いた電気メッキ法などが
ある。本発明では、直流電流による電気メッキ法を使用
することが可能である。

【０１６１】ただし、以下の理由によりパルス電流を用
いた電気メッキ法を用いることが好ましいとした。

【０１６２】パルス電流を用いた電気メッキ法では、例
えば電流制御素子のＯＮ／ＯＦＦを繰返し、メッキ形成
時に、電流を流す時間と、電流を流さない空白な時間を
設ける。このように電流を流さない時間を設けること
で、ＦｅＣｏα合金膜を、少しずつメッキ形成し、従来
のように直流電流を用いた場合に比べメッキ形成時にお
ける電流密度の分布の偏りを緩和することが可能になっ
ている。

【０１６３】なおパルス電流は、例えば数秒サイクルで
ＯＮ／ＯＦＦを繰返し、デューティー比を０．１〜０．
５程度にすることが好ましい。パルス電流の条件は、Ｆ
ｅＣｏα合金の平均結晶粒径及び膜面の中心線平均粗さ
Ｒａに影響を与える。

【０１６４】上記のようにパルス電流による電気メッキ
法では、メッキ形成時における電流密度の分布の偏りを
緩和することができる。

【０１６５】本発明では、Ｆｅイオン濃度を１．２ｇ／
ｌ以上で３．２ｇ／ｌ以下とし、Ｃｏイオン濃度を０．
８６ｇ／ｌ以上で１．６ｇ／ｌ以下とし、元素αイオン
濃度を０．２ｍｇ／ｌ以上で６ｍｇ／ｌ以下とする。後
述の実験結果に示すように、上記比率であると確実にＦ
ｅの組成比Ｘ（質量％）／Ｃｏの組成比Ｙ（質量％）の
比率を、２以上で５以下にでき、元素αの組成比Ｚを、
０．５質量％以上で１８質量％以下にできる。

【０１６６】上記のメッキ浴組成では、Ｆｅのイオン濃
度が従来に比べて低いことが特徴的である。従来では、
前記Ｆｅイオン濃度は例えば４．０ｇ／ｌ程度であった
が、低濃度にすることで攪拌効果を上げることができ、
より適切にＦｅＣｏα合金のＦｅ含有量を大きくするこ
とができるとともに緻密な結晶を形成でき、耐食性に優
れたＦｅＣｏα合金にすることができる。

【０１６７】また本発明では前記Ｆｅの組成比Ｘ（質量
％）／Ｃｏの組成比Ｙ（質量％）の比率が、２．６以上
で４．３以下で、元素αの組成比Ｚが３質量％以上で９
質量％以下であり、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１００質量％の関係を
満たすＦｅ_XＣｏ_Yα_Z合金をメッキ形成することが好ま
しく、上記したメッキ浴組成を適切に調整することで前
記組成比を有するＦｅＣｏα合金を容易に製造すること
が可能である。上記の組成範囲で形成されたＦｅＣｏα
合金では、飽和磁束密度Ｂｓを２．２Ｔ以上にできる。

【０１６８】また本発明では、メッキ浴中に元素βイオ
ンを含ませることで、Ｆｅ_XＣｏ_Yα _Zβ_V合金をメッキ形
成することができる。前記元素βイオン濃度は、０．３
ｇ／ｌ以上で１ｇ／ｌ以下であることが好ましく、これ
により元素βの組成比Ｖを、０．５質量％以上で５質量
％以下にでき、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＋Ｖ＝１００質量％の関係を
満たす、Ｆｅ_XＣｏ_Yα_Zβ_V合金をメッキ形成することが
できる。

【０１６９】次に本発明における、Ｆｅの組成比Ｘが５
６質量％以上で、Ｃｏの組成比Ｙが２０質量％以上で、
Ｒｈの組成比Ｗが１．７質量％以上で２０質量％以下で
あり、Ｘ＋Ｙ＋Ｗ＝１００質量％の関係を満たすＦｅ_X
Ｃｏ_YＲｈ_w合金のメッキ形成法について以下に説明す
る。

【０１７０】本発明では、前記ＦｅＣｏＲｈ合金を電気
メッキ法によってメッキ形成するものである。

【０１７１】前記電気メッキ法には、直流電流を用いた
電気メッキ法やパルス電流を用いた電気メッキ法などが
ある。本発明では、直流電流による電気メッキ法を使用
することが可能であるが、上記したようにパルス電流を
用いた電気メッキ法を用いた方が、従来のように直流電
流を用いた場合に比べメッキ形成時における電流密度の
分布の偏りを緩和することが可能になっている。

【０１７２】本発明では、Ｆｅイオン濃度を１．０ｇ／
ｌ以上で５．０ｇ／ｌ以下とし、Ｃｏイオン濃度を０．
１ｇ／ｌ以上で５．０ｇ／ｌ以下とし、Ｒｈイオン濃度
を１．０ｍｇ／ｌ以上で１０．０ｍｇ／ｌ以下とする。
後述の実験結果に示すように、上記比率であると確実に
Ｆｅの組成比Ｘを、５６質量％以上で、Ｃｏの組成比Ｙ
を２０質量％以上で、Ｒｈの組成比Ｗを、１．７質量％
以上で２０質量％以下にできる。

【０１７３】上記のメッキ浴組成では、Ｆｅのイオン濃
度が従来に比べて低いことが特徴的である。従来では、
前記Ｆｅイオン濃度は例えば４．０ｇ／ｌ程度であった
が、低濃度にすることで攪拌効果を上げることができ、
より適切にＦｅＣｏＲｈ合金のＦｅ含有量を大きくする
ことができるとともに緻密な結晶を形成でき、耐食性に
優れたＦｅＣｏＲｈ合金にすることができる。

【０１７４】また本発明では前記Ｒｈの組成比Ｗが７．
５質量％以上であるＦｅ_XＣｏ_YＲｈ _W合金をメッキ形成
することが好ましく、上記したメッキ浴組成を適切に調
整することで前記組成比を有するＦｅＣｏＲｈ合金を容
易に製造することが可能である。上記の組成範囲で形成
されたＦｅＣｏＲｈ合金では、ＮｉＦｅ合金膜と同程度
の耐食性を有する軟磁性膜を形成することができる。

【０１７５】さらに本発明では前記Ｆｅの組成比Ｘ（質
量％）／Ｃｏの組成比Ｙ（質量％）の比率が、２．０３
０以上で２．７０４以下で、Ｒｈの組成比Ｗが７．５質
量％以上で１０質量％以下であり、Ｘ＋Ｙ＋Ｗ＝１００
質量％の関係を満たすＦｅ_XＣｏ_YＲｈ_w合金をメッキ形
成することが好ましく、上記したメッキ浴組成を適切に
調整することで前記組成比を有するＦｅＣｏＲｈ合金を
容易に製造することが可能である。上記の組成範囲で形
成されたＦｅＣｏＲｈ合金では、飽和磁束密度Ｂｓを
２．２Ｔ以上にできるとともに、ＮｉＦｅ合金膜と同程
度の耐食性を得ることが可能になる。

【０１７６】また本発明では、メッキ浴中に元素βイオ
ンを含ませることで、Ｆｅ_XＣｏ_YＲｈ_Wβ_V合金をメッキ
形成することができる。前記元素βイオン濃度は、１
０．０ｇ／ｌ以上で２０．０ｇ／ｌ以下であることが好
ましく、これにより元素βの組成比Ｖを、０．５質量％
以上で５質量％以下にでき、Ｘ＋Ｙ＋Ｗ＋Ｖ＝１００質
量％の関係を満たす、Ｆｅ_XＣｏ_YＲｈ_Wβ_V合金をメッキ
形成することができる。

【０１７７】また本発明では、ＦｅＣｏα合金、ＦｅＣ
ｏαβ合金、ＦｅＣｏＲｈ合金あるいはＦｅＣｏＲｈβ
合金のメッキ浴中にサッカリンナトリウム（Ｃ₆Ｈ₄ＣＯ
ＮＮａＳＯ₂）を混入することが好ましい。前記サッカ
リンナトリウムは応力緩和剤の役割を持っており、メッ
キ形成されたＦｅＣｏα合金、ＦｅＣｏαβ合金、Ｆｅ
ＣｏＲｈ合金及びＦｅＣｏＲｈβ合金の膜応力を低減さ
せることが可能になる。

【０１７８】また上記したＦｅＣｏα合金、ＦｅＣｏα
β合金、ＦｅＣｏＲｈ合金あるいはＦｅＣｏＲｈβ合金
のメッキ浴中に、２−ブチン−１、４ジオールを混入す
ることが好ましい。これにより前記ＦｅＣｏα合金、Ｆ
ｅＣｏαβ合金、ＦｅＣｏＲｈ合金及びＦｅＣｏＲｈβ
合金の結晶粒径の粗大化を抑制し保磁力Ｈｃを低減させ
ることができる。

【０１７９】また本発明では、前記ＦｅＣｏα合金、Ｆ
ｅＣｏαβ合金、ＦｅＣｏＲｈ合金あるいはＦｅＣｏＲ
ｈβ合金のメッキ浴中に２−エチルヘキシル硫酸ナトリ
ウムを混入することが好ましい。

【０１８０】前記２−エチルヘキシル硫酸ナトリウムは
界面活性剤である。前記２−エチルヘキシル硫酸ナトリ
ウムの混入によって、ＦｅＣｏα合金、ＦｅＣｏαβ合
金、ＦｅＣｏＲｈ合金及びＦｅＣｏＲｈβ合金のメッキ
形成時に発生する水素を除去でき、メッキ膜に前記水素
が付着することを防止することができる。前記メッキ膜
に水素が付着すると、結晶が緻密に形成されずその結
果、膜面の面粗れをひどくする原因となるため、本発明
のように前記水素を除去することで、前記メッキ膜の膜
面の面粗れを小さくでき、保磁力Ｈｃを小さくすること
が可能である。

【０１８１】なお前記２−エチルヘキシル硫酸ナトリウ
ムに代えてラウリル硫酸ナトリウムを混入してもよい
が、前記ラウリル硫酸ナトリウムは、前記２−エチルヘ
キシル硫酸ナトリウムに比べてメッキ浴中に入れたとき
泡立ちやすいために、前記ラウリル硫酸ナトリウムを効
果的に水素を除去できる程度に混入することが難しい。
このため本発明では、前記ラウリル硫酸ナトリウムに比
べて泡立ちにくい２−エチルヘキシル硫酸ナトリウムを
水素を効果的に除去できる程度に混入することができて
好ましい。

【０１８２】また前記メッキ浴中にホウ酸を混入するこ
とが好ましい。ホウ酸は、電極表面のｐＨ緩衝剤とな
り、またメッキ膜の光沢を出すのに効果的である。

【０１８３】上記した軟磁性膜の製造方法を用いて図１
ないし図７の各図におけるコア層及び磁極層をメッキ形
成する。

【０１８４】上記の製造方法によれば、再現性良くしか
も容易に、上記の（１）あるいは（２）の軟磁性膜をメ
ッキ形成でき、飽和磁束密度Ｂｓが２．０Ｔ以上あるい
は２．１Ｔ以上と高く高記録密度化に対応でき、しかも
耐食性に優れた薄膜磁気ヘッドを製造することが可能で
ある。

【０１８５】なお本発明では、上記の（１）あるいは
（２）の軟磁性膜の用途として図１ないし図７に示す薄
膜磁気ヘッドを提示したが、この用途に限定されるもの
ではない。例えば上記の（１）あるいは（２）の軟磁性
膜は、薄膜インダクタ等の平面型磁気素子等にも使用可
能である。

【０１８６】

【実施例】本発明では、以下に示されたメッキ浴からパ
ルス電流による電気メッキ法を用いてＦｅＣｏＰｄ合金
をメッキ形成し、この際、前記ＦｅＣｏＰｄ合金の組成
比と飽和磁束密度Ｂｓとの関係について調べた。

【０１８７】（メッキ浴組成）ＦｅＳＯ₄・７Ｈ₂Ｏ６ｇ／ｌ〜１６ｇ／ｌ（Ｆｅイ
オン濃度は、１．２ｇ／ｌ〜３．２ｇ／ｌ）ＣｏＳＯ₄・７Ｈ₂Ｏ４．１ｇ／ｌ〜７．６ｇ／ｌ
（Ｃｏイオン濃度は、０．８６ｇ／ｌ〜１．６ｇ／ｌ）ＰｄＣｌ₂ ０〜１０ｍｇ／ｌ（Ｐｄイオン濃度は、
０ｇ／ｌ〜６ｍｇ／ｌ）サッカリンナトリウム２ｇ／ｌ塩化ナトリウム２５ｇ／ｌホウ酸２５ｇ／ｌ２−エチルヘキシル硫酸ナトリウム０．１５ｍｌ／
ｌまた実験に際して以下の成膜条件を共通にした。

【０１８８】まず電極のｐＨを２．３に設定した。また
パルス電流のデューティー比（ＯＮ／ＯＦＦ）を５００
／５００ｍｓｅｃに設定した。また電流を５００〜１０
００ｍＡに設定した。

【０１８９】そして本発明では、Ｓｉ基板上にＣｕ下地
層をスパッタ形成した後、前記Ｃｕ下地層上に上記のメ
ッキ浴からＦｅＣｏＰｄ合金あるいはＦｅＣｏ合金を
０．５μｍ〜１μｍの膜厚でメッキ形成した。その実験
結果は、以下の表１に示されている。

【０１９０】

【表１】表１に示されたＦｅ、Ｃｏ及びＰｄの各組成比と飽和磁
束密度Ｂｓとの関係をまとめたのが図８の三元図であ
る。

【０１９１】図９は、図８の領域Ａの組成範囲内を拡大
した部分三元図である。実験によれば、Ｆｅの組成比Ｘ
（質量％）／Ｃｏの組成比Ｙ（質量％）を５質量％とし
たライン、Ｆｅの組成比Ｘ（質量％）／Ｃｏの組成比Ｙ
（質量％）を２としたライン、Ｐｄの組成比を１８質量
％としたライン、Ｐｄの組成比を０．５としたラインで
囲まれる領域Ｂ内の組成範囲であれば、飽和磁束密度Ｂ
ｓを２．０Ｔ以上にでき、しかもＰｄを含まないＦｅＣ
ｏ合金に比べて耐食性に優れた軟磁性膜を製造すること
ができることがわかった。

【０１９２】次に、Ｆｅの組成比Ｘ（質量％）／Ｃｏの
組成比Ｙ（質量％）を４．３としたライン、Ｆｅの組成
比Ｘ（質量％）／Ｃｏの組成比Ｙ（質量％）を２．６と
したライン、Ｐｄの組成比を９質量％としたライン、Ｐ
ｄの組成比を３質量％としたラインで囲まれる領域Ｃ内
の組成範囲であれば、飽和磁束密度Ｂｓを２．２Ｔ以上
にでき、しかもＰｄを含まないＦｅＣｏ合金に比べて耐
食性に優れた軟磁性膜を製造することができることがわ
かった。

【０１９３】上記したＦｅの組成比Ｘ（質量％）／Ｃｏ
の組成比Ｙ（質量％）の比率の範囲は、飽和磁束密度Ｂ
ｓとの関係から求めたものである。

【０１９４】図１０は、表１の各サンプルに示すＦｅの
組成比Ｘ（質量％）／Ｃｏの組成比Ｙ（質量％）の比率
と飽和磁束密度Ｂｓとの関係を示すグラフである。

【０１９５】図１０に示すように、Ｆｅの組成比Ｘ（質
量％）／Ｃｏの組成比Ｙ（質量％）を２以上で５以下に
すれば確実に飽和磁束密度Ｂｓを２．０Ｔ以上にできる
ことがわかる。

【０１９６】次に図１０に示すように、Ｆｅの組成比Ｘ
（質量％）／Ｃｏの組成比Ｙ（質量％）を３から４程度
にすると前記飽和磁束密度Ｂｓを最も大きくでき、本発
明ではこの実験結果から好ましい前記Ｆｅの組成比Ｘ
（質量％）／Ｃｏの組成比Ｙ（質量％）の比率を２．６
以上で４．３以下とした。これによって飽和磁束密度Ｂ
ｓを２．２Ｔ以上確保できることがわかる。

【０１９７】ただし前記飽和磁束密度Ｂｓは、図１０を
見てわかるように、Ｐｄの組成比にも依存する。当然の
ことながら前記Ｐｄの組成比を大きくしていけば、Ｆｅ
の組成比Ｘ（質量％）／Ｃｏの組成比Ｙ（質量％）を上
記比率内に収めても、磁性を担うＦｅ、Ｃｏ量が減少す
るため、飽和磁束密度Ｂｓは低下しやすくなる。

【０１９８】また前記Ｐｄは耐食性を向上させるために
添加される貴金属である。耐食性の向上のためには前記
Ｐｄをある程度、ＦｅＣｏ系合金内に含有させないと、
その効果を適切に発揮させることはできない。

【０１９９】そこで次に前記Ｐｄの組成比を限定するこ
ととした。本発明ではＦｅＣｏ系合金中に含まれるＰｄ
の組成比と耐食性との関係について実験を行った。実験
は、表１から選択された６つのサンプルを用意して行っ
た。各サンプルの膜構成は、Ｆｅ₂₀Ｎｉ₈₀合金膜／軟磁
性膜／ＮｉＰ合金膜／Ｆｅ ₆₀Ｎｉ₄₀とした。

【０２００】表１からは、上記膜構成中の軟磁性膜とし
てパルス電流による電気メッキ法にてメッキ形成された
Ｆｅ₇₂Ｃｏ₂₈合金からなるサンプル２、Ｆｅ_78.72Ｃｏ
_20.78Ｐｄ_0.5合金からなるサンプル１１、Ｆｅ₆₈Ｃｏ₂₇
Ｐｄ₅合金からなるサンプル２４、Ｆｅ_63.51Ｃｏ_26.59
Ｐｄ_9.9からなるサンプル３２、Ｆｅ_55.55Ｃｏ_26.9Ｐｄ
_17.55合金からなるサンプル３３の５つを用意し、さら
に新たに、Ｆｅ₇₀Ｎｉ₃₀からなるサンプル３４を用意し
た。

【０２０１】そしてこれら各サンプルを温純水（６０
℃）、純水（４５℃）、市水（４５℃）、希硫酸（ｐＨ
＝２）に浸し、その後、各サンプルを切断して耐食性の
良否を評価した。評価は１０段階の評価とし、１０の評
価は、軟磁性膜の部分が全く腐食されておらず、すなわ
ち最も耐食性に優れていることを意味する。また１０の
評価から数字が１つ減る毎に、軟磁性膜の部分の腐食の
度合が大きくなり、１の評価は、軟磁性膜の部分がほと
んど腐食され、最も耐食性が悪いことを意味する。その
実験結果をまとめたのが以下の表２である。

【０２０２】

【表２】

【０２０３】表２に示すように、軟磁性膜にＦｅ₇₀Ｎｉ
₃₀合金膜を選択したサンプル３４では、いずれの液に浸
したときでも耐食性の評価が高く非常に耐食性に優れて
いることがわかった。

【０２０４】これに対し、軟磁性膜にＦｅ₇₂Ｃｏ₂₈合金
膜を選択したサンプル２では、温純水（６０℃）及び市
水（４５℃）における耐食性の評価が３の評価と４の評
価と低く、希硫酸に浸した時の評価はすべて５であり、
腐食しやすいことがわかった。

【０２０５】このように、軟磁性膜にＦｅ₇₂Ｃｏ₂₈合金
膜を選択した場合、耐食性が低下する原因は、Ｆｅ₇₂Ｃ
ｏ₂₈合金膜の上にＦｅ₆₀Ｎｉ₄₀合金膜を電気メッキ法に
てメッキ形成するとき、前記ＦｅＣｏ合金膜とＮｉＦｅ
系合金膜との間に大きな電位差（標準電極電位差）が発
生し、この電位差によりいわゆる電池効果が生じて前記
ＦｅＣｏ合金膜が溶け出すからであると考えられる。

【０２０６】一方、ＦｅＣｏ合金にＰｄを０．５質量％
含有させたサンプル１１では、Ｐｄを含有しないサンプ
ル２と比較して見ると、特に、希硫酸に浸した時、耐食
性が改善されたことがわかる。希硫酸は、スライダ加工
などで使用される洗浄液の一つであり、この希硫酸での
耐食性の改善は、スライダ加工時に、さらに希硫酸を使
用しやくなり好ましい。

【０２０７】さらにＰｄの組成比を増やしたサンプル２
４、３２及び３３では、Ｐｄを含まないサンプル２に比
べて飛躍的に耐食性の向上を図ることができることがわ
かり、特にＰｄを１７．５５質量％含有させたサンプル
３３に至っては、Ｆｅ₇₀Ｎｉ ₃₀合金よりも優れた耐食性
を示した。

【０２０８】このようにＦｅＣｏ合金にＰｄを含有させ
たＦｅＣｏＰｄ合金膜であるとＰｄを含まないＦｅＣｏ
合金膜より耐食性が向上する理由は、Ｐｄはそれ自体イ
オン化され難い貴金属だからであり、前記ＰｄがＦｅＣ
ｏ合金内に含有されることで、ＦｅＣｏＰｄ合金の上に
ＦｅＮｉ合金を電気メッキ法にてメッキ形成するとき前
記ＦｅＣｏＰｄ合金のイオン化を抑制でき、前記ＦｅＣ
ｏＰｄ合金の耐食性を向上させることが可能になってい
る。

【０２０９】この表から見て、本発明ではＰｄ量を０．
５質量％すると、Ｐｄを含まないＦｅＣｏ合金に比べて
効果的に耐食性の向上を図ることが可能になることがわ
かる。

【０２１０】Ｐｄ量を０．５質量％含有するサンプルＮ
ｏ．１１は表１に示すように、Ｆｅの組成比Ｘ（質量
％）／Ｃｏの組成比Ｙ（質量％）は約３．７８であり、
飽和磁束密度Ｂｓも２．０Ｔを越え約２．１８Ｔとなっ
ている。

【０２１１】このようにサンプルＮｏ．１１では、Ｆｅ
の組成比Ｘ（質量％）／Ｃｏの組成比Ｙ（質量％）が２
以上で５以下の範囲内に収まり、飽和磁束密度Ｂｓを
２．０Ｔ以上得ることができるととともに、耐食性を、
Ｐｄを含まない軟磁性膜に比べて向上させることができ
ることが確認されたので、本発明では、前記Ｐｄの組成
比の下限値を０．５質量％以上に設定した。

【０２１２】次に、Ｐｄを１７．５５質量％含有するサ
ンプルＮｏ．３３では表１を見てみると、Ｆｅの組成比
Ｘ（質量％）／Ｃｏの組成比Ｙ（質量％）が約２．０７
である。上記したように本発明では、Ｆｅの組成比Ｘ
（質量％）／Ｃｏの組成比Ｙ（質量％）を２以上で５以
下に設定している。すなわちこのサンプルＮｏ．３３で
は、Ｆｅの組成比Ｘ（質量％）／Ｃｏの組成比Ｙ（質量
％）が２付近であり、しかもＰｄの組成比は、他のサン
プルに比べて最も高いため、Ｆｅの組成比（絶対値）が
最も小さくなっている。サンプルＮｏ．３３ではＦｅの
組成比は約５５．５５質量％である。

【０２１３】サンプルＮｏ．３３では、他のサンプルに
比べてＦｅの組成比が最も低いものの、飽和磁束密度Ｂ
ｓは依然として２．０Ｔを越えている。上記したように
ＢｓはＦｅ量に最も影響を受けるため、サンプルＮｏ．
３３程度のＰｄの組成比であり、且つＦｅの組成比Ｘ
（質量％）／Ｃｏの組成比Ｙ（質量％）を２以上５以下
にすれば、飽和磁束密度を２．０Ｔ以上確保できること
がわかる。

【０２１４】また表２を見てみると、Ｐｄの組成比を１
７．５５質量％としたサンプル３３は耐食性をより効果
的に向上させることができることがわかる。したがって
本発明では、前記Ｐｄの組成比の上限値を１８質量％以
下とした。

【０２１５】以上の実験結果により、本発明では、Ｆｅ
の組成比Ｘ（質量％）／Ｃｏの組成比Ｙ（質量％）を２
以上で５以下とし、且つＰｄの組成比を０．５質量％以
上で１８質量％以下と設定した。これによって飽和磁束
密度を２．０Ｔ以上にできると共に、Ｐｄを含まないＦ
ｅＣｏ合金に比べて耐食性に優れた軟磁性膜を製造する
ことが可能になる。

【０２１６】次に、Ｆｅの組成比Ｘ（質量％）／Ｃｏの
組成比Ｙ（質量％）を２．６以上で４．３以下とし、
２．２Ｔ以上の飽和磁束密度を得ることができる場合の
Ｐｄの組成比を設定する。

【０２１７】表１で示すように、Ｐｄを含むものでＦｅ
の組成比Ｘ（質量％）／Ｃｏの組成比Ｙ（質量％）が
２．６以上で４．３以下であり、飽和磁束密度が２．２
Ｔを越えているサンプルは、Ｎｏ．１５、１７、１８、
１９、２０、２２、２５、２６、２７である。またサン
プルＮｏ．３０では、飽和磁束密度Ｂｓがわずかに２．
２Ｔを下回るもののＰｄ量が約９質量％に高くても２．
２Ｔに近い飽和磁束密度Ｂｓを得ることが可能である。

【０２１８】これらサンプルのＰｄ量を見てみると、Ｐ
ｄ量は、約３質量％から９質量％の範囲内であることが
わかる。

【０２１９】そこで本発明では、Ｆｅの組成比Ｘ（質量
％）／Ｃｏの組成比Ｙ（質量％）が２．６以上で４．３
以下であり、且つＰｄ量が３質量％以上で９質量％の範
囲を好ましい組成範囲とした。これにより飽和磁束密度
Ｂｓが２．２Ｔ以上で、しかもＰｄを含まないＦｅＣｏ
合金に比べて耐食性に優れた軟磁性膜を製造することが
できる。

【０２２０】また本発明における他の元素α（Ｐｔ、Ｒ
ｕ、Ｉｒ）は、Ｐｄと性質的に等価な貴金属であり、こ
れらの元素αを選択したときも、Ｆｅの組成比Ｘ（質量
％）／Ｃｏの組成比Ｙ（質量％）を２以上で５以下に
し、且つ元素αの組成比を０．５質量％以上で１８質量
％以下にし、好ましくは、Ｆｅの組成比Ｘ（質量％）／
Ｃｏの組成比Ｙ（質量％）を２．６以上で４．３以下に
し、且つ元素αの組成比を３質量％以上で９質量％以下
にすれば、飽和磁束密度を２．０Ｔ以上、好ましくは
２．２Ｔ以上にできると共に、元素αを含まないＦｅＣ
ｏ合金に比べて耐食性に優れた軟磁性膜を製造すること
ができると推測される。

【０２２１】次に、ＦｅＣｏＲｈからなる軟磁性膜の組
成比と飽和磁束密度Ｂｓとの関係について調べた。

【０２２２】（メッキ浴組成）ＦｅＳＯ₄・７Ｈ₂Ｏ５．０ｇ／ｌ〜２５．０ｇ／ｌ
（Ｆｅイオン濃度は、１．０ｇ／ｌ〜５．０ｇ／ｌ）ＣｏＳＯ₄・７Ｈ₂Ｏ０．４ｇ／ｌ〜２０．０ｇ／ｌ
（Ｃｏイオン濃度は、０．１ｇ／ｌ〜５．０ｇ／ｌ）Ｒｈ（ＳＯ₄）₃ ０〜４８ｍｇ／ｌ（Ｒｈイオン濃度
は、０ｇ／ｌ〜１０ｍｇ／ｌ）サッカリンナトリウム２ｇ／ｌ塩化ナトリウム２５ｇ／ｌホウ酸２５ｇ／ｌラウリル硫酸ナトリウム０．０２ｍｌ／ｌまた実験に際して以下の成膜条件を共通にした。

【０２２３】まず電極のｐＨを１．７に設定した。また
直流電流を用いた電気メッキ法で、前記ＦｅＣｏＲｈ合
金をメッキ形成した。このときの電流値は５００〜１０
００ｍＡであった。

【０２２４】そして本発明では、Ｓｉ基板上にＣｕ下地
層をスパッタ形成した後、前記Ｃｕ下地層上に上記のメ
ッキ浴からＦｅＣｏＲｈ合金あるいはＦｅＣｏ合金を
０．５μｍ〜１μｍの膜厚でメッキ形成した。その実験
結果は、以下の表３に示されている。

【０２２５】

【表３】

【０２２６】表３に示されたＦｅ、Ｃｏ及びＲｈの各組
成比と飽和磁束密度Ｂｓとの関係をまとめたのが図１１
の三元図である。

【０２２７】図１２は、図１１の一部の組成範囲内を拡
大した部分三元図である。実験によれば、Ｆｅ組成比Ｘ
を５６質量％としたライン、Ｃｏ組成比を２０質量％と
したライン、Ｒｈの組成比を１．７質量％としたライ
ン、Ｒｈの組成比を２０質量％としたラインで囲まれる
領域内の組成範囲であれば、飽和磁束密度Ｂｓを２．１
Ｔ以上にでき、しかも以下に説明するようにＲｈを含ま
ないＦｅＣｏ合金に比べて耐食性に優れた軟磁性膜を製
造することができることがわかった。

【０２２８】次に上記した組成範囲内で形成されたＦｅ
ＣｏＲｈ合金の耐食性について調べた。実験では前記Ｆ
ｅＣｏＲｈ合金をべた膜でメッキ形成し、このメッキ膜
を希硫酸（ｐＨ＝２）、希硫酸（ｐＨ＝４）及び温純水
（６０℃）に浸したときのエッチング量を調べた。その
実験結果は表４に示されている。

【０２２９】

【表４】

【０２３０】表４に示すように、Ｒｈが１．７質量％以
上含まれていれば、ＦｅＣｏ合金膜よりもエッチング量
を小さくできることがわかった。

【０２３１】以上の実験結果から本発明では、ＦｅＣｏ
Ｒｈ合金のＦｅ量を５６質量％以上とし、Ｃｏ量を２０
質量％以上とし、およびＲｈ量を１．７質量％以上で２
０質量％以下とすれば、飽和磁束密度Ｂｓを２．１Ｔ以
上にできると共に、耐食性をＦｅＣｏ合金よりも良好に
できることがわかった。

【０２３２】次に本発明では、図１ないし図４に示す実
施形態のように、下部磁極層１９、３２、ギャップ層２
０、３３及び上部磁極層２１、３４を連続メッキ形成し
たときの下部磁極層１９、３２及び上部磁極層２１、３
４の耐食性について調べた。実験では下部磁極層１９、
３２をＦｅＣｏＲｈ合金膜でメッキ形成し、ギャップ層
２０、３３をＮｉＰ合金膜でメッキ形成し、上部磁極層
２１、３４を下からＦｅＣｏＲｈ合金、およびＦｅＮｉ
合金の２層でメッキ形成した。

【０２３３】そして実験で使用したＦｅＣｏＲｈ合金膜
の組成比の異なる各サンプルを希硫酸（ｐＨ＝４）及び
温純水（６０℃）に浸し、どの程度エッチングされたか
を官能評価した。なお実験では、上記したＦｅＣｏＲｈ
合金膜で形成された部分をＦｅＣｏ合金膜で形成したサ
ンプル、及びＦｅＮｉ合金膜で形成したサンプルも用意
し、これらサンプルについても同様の耐食性実験を行っ
た。その実験結果は表５に示されている。

【０２３４】

【表５】

【０２３５】なお表５に示す官能評価は１０段階の評価
とし、１０の評価は、軟磁性膜の部分が全く腐食されて
おらず、すなわち最も耐食性に優れていることを意味す
る。また１０の評価から数字が１つ減る毎に、軟磁性膜
の部分の腐食の度合が大きくなり、１の評価は、軟磁性
膜の部分がほとんど腐食され、最も耐食性が悪いことを
意味する。

【０２３６】表５に示すように、下部磁極層及び上部磁
極層をＦｅＣｏ合金膜で形成したサンプルでは、そもそ
もメッキ形成が不可能で耐食性評価を行うことができな
かった。

【０２３７】一方、Ｒｈを２．６質量％混入したＦｅＣ
ｏＲｈ合金膜では、ＦｅＣｏ合金膜よりも耐食性は向上
するものの、官能評価はすべて「１」でかなりエッチン
グされてしまい耐食性は特にＮｉＦｅ合金膜に比べると
非常に悪かった。

【０２３８】これに対し、Ｒｈを７．５質量％以上混入
したＦｅＣｏＲｈ合金膜では、ＦｅＮｉ合金と同等の耐
食性を得ることができることがわかった。

【０２３９】以上の実験結果から特に連続メッキで形成
する部分に、ＦｅＣｏＲｈ合金膜を使用する場合、Ｒｈ
を７．５質量％以上にすることが好ましいことがわかっ
た。

【０２４０】次に本発明のより好ましい組成範囲につい
て以下に説明する。本発明では飽和磁束密度Ｂｓが２．
２Ｔ以上あり、しかも耐食性がＮｉＦｅ合金膜と同等程
度あるＦｅＣｏＲｈ合金であることがより好ましい。そ
の組成範囲は表３や表５から算出すると、図１２に示す
Ｆｅの組成比Ｘ（質量％）／Ｃｏの組成比Ｙ（質量％）
を２．０３０としたライン、Ｆｅの組成比Ｘ（質量％）
／Ｃｏの組成比Ｙ（質量％）を２．７０４としたライ
ン、Ｒｈの組成比を７．５質量％としたライン、Ｒｈの
組成比を１０質量％としたラインで囲まれる領域内であ
ることがわかった。従って本発明では、ＦｅＣｏＲｈ合
金膜のより好ましい組成範囲を、Ｆｅの組成比Ｘ（質量
％）／Ｃｏの組成比Ｙ（質量％）が２．０３０以上で
２．７０４以下で、Ｒｈの組成比が７．５質量％以上で
１０質量％以下である範囲内であるとした。

【０２４１】

【発明の効果】以上詳述した本発明では、Ｆｅの組成比
Ｘ（質量％）／Ｃｏの組成比Ｙ（質量％）の比率が２以
上で５以下であり、元素α（ただし元素αは、Ｐｄ、Ｐ
ｔ、Ｒｕ、Ｉｒのいずれか一種または二種以上）の組成
比Ｚが、０．５質量％以上で１８質量％以下であり、Ｘ
＋Ｙ＋Ｚ＝１００質量％の関係を満たし、且つメッキ形
成されるＦｅ_XＣｏ_Yα_Z合金であれば、２．０Ｔ以上の
飽和磁束密度を得ることができると共に元素αを含まな
いＦｅＣｏ合金に比べて耐食性に優れた軟磁性膜を製造
することができる。

【０２４２】また本発明では、前記Ｆｅの組成比Ｘ（質
量％）／Ｃｏの組成比Ｙ（質量％）の比率は２．６以上
で４．３以下であり、元素αの組成比Ｚは３質量％以上
で９質量％以下であり、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１００質量％の関
係を満たすことが好ましい。これにより飽和磁束密度Ｂ
ｓを２．２Ｔ以上にすることができるとともに元素αを
含まないＦｅＣｏ合金に比べて耐食性に優れた軟磁性膜
を製造することができる。

【０２４３】あるいは本発明では、Ｆｅの組成比Ｘ（質
量％）は５６質量％以上で、Ｃｏの組成比Ｙは２０質量
％以上で、Ｒｈの組成比Ｗは１．７質量％以上で２０質
量％以下であり、Ｘ＋Ｙ＋Ｗ＝１００質量％の関係を満
し、且つメッキ形成されるＦｅ_XＣｏ_YＲｈ_Wであれば、
２．１Ｔ以上の飽和磁束密度を得ることができると共に
Ｒｈを含まないＦｅＣｏ合金に比べて耐食性に優れた軟
磁性膜を製造することができる。

【０２４４】また本発明では、前記Ｒｈの組成比Ｗは
７．５質量％以上であることが好ましく、これによりＮ
ｉＦｅ合金膜と同程度の耐食性を有する軟磁性膜を製造
することができる。

【０２４５】さらに本発明では、Ｆｅの組成比Ｘ（質量
％）／Ｃｏの組成比Ｙ（質量％）の比率は、２．０３０
以上で２．７０４以下で、Ｒｈの組成比Ｗは、７．５質
量％以上で１０質量％以下であり、Ｘ＋Ｙ＋Ｗ＝１００
質量％の関係を満たすＦｅ_XＣｏ_YＲｈ_Wであれば、２．
２Ｔ以上の飽和磁束密度を得ることができると共にＲｈ
を含まないＮｉＦｅ合金膜と同程度の耐食性に優れた軟
磁性膜を製造することができる。

【０２４６】また本発明では前記ＦｅＣｏα合金やＦｅ
ＣｏＲｈ合金に元素β（ただし元素βはＮｉ、Ｃｒの一
方あるいは両方）を添加してもよい。

【０２４７】本発明では、前記ＦｅＣｏα合金やＦｅＣ
ｏＲｈ合金をパルス電流を用いた電気メッキ法あるいは
直流電流を用いた電気メッキ法によりメッキ形成するこ
とで、上記した組成比を有する前記ＦｅＣｏα合金やＦ
ｅＣｏＲｈ合金を再現性良く形成することができる。

【０２４８】以上のようにして形成されたＦｅＣｏα合
金やＦｅＣｏＲｈ合金を薄膜磁気ヘッドの磁極層やコア
層に使用することにより、前記磁極層やコア層のギャッ
プ近傍に磁束を集中させて記録密度を向上させることが
可能である。したがって今後の高記録密度化に対応可能
な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。しかも耐食
性に優れた薄膜磁気ヘッドを製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態の薄膜磁気ヘッドの部分
正面図、

【図２】図１の縦断面図、

【図３】本発明の第２実施形態の薄膜磁気ヘッドの部分
正面図、

【図４】図３の縦断面図、

【図５】本発明の第３実施形態の薄膜磁気ヘッドの縦断
面図、

【図６】本発明の第４実施形態の薄膜磁気ヘッドの縦断
面図、

【図７】本発明の第５実施形態の薄膜磁気ヘッドの縦断
面図、

【図８】電気メッキ法によりメッキ形成されたＦｅＣｏ
Ｐｄ合金とＦｅＣｏ合金の組成比と飽和磁束密度との関
係を示す三元図、

【図９】図８の領域Ａの部分を拡大した部分三元図、

【図１０】Ｆｅの質量％／Ｃｏの質量％の比率と飽和磁
束密度との関係を示すグラフ、

【図１１】電気メッキ法によりメッキ形成されたＦｅＣ
ｏＲｈ合金とＦｅＣｏ合金の組成比と飽和磁束密度との
関係を示す三元図、

【図１２】図１１のある所定領域の部分を拡大した部分
三元図、

【符号の説明】

１１スライダ１０磁気抵抗効果素子１６下部コア層（上部シールド層）１８、３０磁極部１９、３２、５０下部磁極層２０、３３ギャップ層２１、３４上部磁極層２２、４０、４６、５５上部コア層４１磁気ギャップ層４７高Ｂｓ層４８上層

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Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】組成式がＦｅ_XＣｏ_Yα_Z（ただし元素α
は、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｉｒのいずれか一種または二種
以上）で示され、Ｆｅの組成比Ｘ（質量％）／Ｃｏの組
成比Ｙ（質量％）の比率は、２以上で５以下で、元素α
の組成比Ｚは、０．５質量％以上で１８質量％以下であ
り、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１００質量％の関係を満し、且つメッ
キ形成されることを特徴とする軟磁性膜。
【請求項２】前記Ｆｅの組成比Ｘ（質量％）／Ｃｏの
組成比Ｙ（質量％）の比率は、２．６以上で４．３以下
で、前記元素αの組成比Ｚは３質量％以上で９質量％以
下であり、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１００質量％の関係を満たす請
求項１記載の軟磁性膜。
【請求項３】前記軟磁性膜の組成式はＦｅ_XＣｏ_Yα_Z
β_V（ただし元素βはＮｉ、Ｃｒの一方あるいは両方）
で示され、前記元素βの組成比Ｖは、０．５質量％以上
で５質量％以下であり、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＋Ｖ＝１００質量％
の関係を満たす請求項１または２に記載の軟磁性膜。
【請求項４】組成式がＦｅ_XＣｏ_YＲｈ_Wで示され、Ｆ
ｅの組成比Ｘは５６質量％以上で、Ｃｏの組成比Ｙは２
０質量％以上で、Ｒｈの組成比Ｗは１．７質量％以上で
２０質量％以下であり、Ｘ＋Ｙ＋Ｗ＝１００質量％の関
係を満し、且つメッキ形成されることを特徴とする軟磁
性膜。
【請求項５】前記Ｒｈの組成比Ｗは７．５質量％以上
である請求項４記載の軟磁性膜。
【請求項６】Ｆｅの組成比Ｘ（質量％）／Ｃｏの組成
比Ｙ（質量％）の比率は、２．０３０以上で２．７０４
以下で、Ｒｈの組成比Ｗは、７．５質量％以上で１０質
量％以下であり、Ｘ＋Ｙ＋Ｗ＝１００質量％の関係を満
たす請求項４記載の軟磁性膜。
【請求項７】前記軟磁性膜の組成式はＦｅ_XＣｏ_YＲｈ
_Wβ_V（ただし元素βはＮｉ、Ｃｒの一方あるいは両方）
で示され、前記元素βの組成比Ｖは、０．５質量％以上
で５質量％以下であり、Ｘ＋Ｙ＋Ｗ＋Ｖ＝１００質量％
の関係を満たす請求項４ないし６のいずれかに記載の軟
磁性膜。
【請求項８】前記軟磁性膜の上にはＮｉＦｅ系合金膜
が重ねてメッキ形成されている請求項１ないし７のいず
れかに記載の軟磁性膜。
【請求項９】前記軟磁性膜の上あるいは下には非磁性
のメッキ膜が形成されている請求項１、２、３、５、６
または７に記載の軟磁性膜。
【請求項１０】磁性材料製の下部コア層と、前記下部
コア層上に磁気ギャップを介して形成された上部コア層
と、両コア層に記録磁界を与えるコイル層とを有する薄
膜磁気ヘッドにおいて、少なくとも一方のコア層は、請求項１ないし９のいずれ
かに記載された軟磁性膜により形成されていることを特
徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項１１】前記下部コア層上には記録媒体との対
向面で下部磁極層が隆起形成され、前記下部磁極層が前
記軟磁性膜により形成されている請求項１０記載の薄膜
磁気ヘッド。
【請求項１２】下部コア層及び上部コア層と、前記下
部コア層と上部コア層との間に位置し且つトラック幅方
向の幅寸法が前記下部コア層及び上部コア層よりも短く
規制された磁極部とを有し、前記磁極部は、下部コア層と連続する下部磁極層、上部
コア層と連続する上部磁極層、および前記下部磁極層と
前記上部磁極層間に位置するギャップ層とで構成され、
あるいは前記磁極部は、上部コア層と連続する上部磁極
層、および前記上部磁極層と下部コア層との間に位置す
るギャップ層とで構成され、前記上部磁極層及び／または下部磁極層は、請求項１な
いし９のいずれかに記載された軟磁性膜により形成され
ていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項１３】前記上部磁極層は前記軟磁性膜で形成
され、前記上部磁極層上に形成される上部コア層はＮｉ
Ｆｅ系合金膜でメッキ形成される請求項１２記載の薄膜
磁気ヘッド。
【請求項１４】前記コア層は、少なくとも磁気ギャッ
プに隣接する部分が２層以上の磁性層から成り、あるい
は前記磁極層が２層以上の磁性層から成り、前記磁性層
のうち前記磁気ギャップに接する磁性層が、前記軟磁性
膜により形成されている請求項１０ないし１３のいずれ
かに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１５】前記磁気ギャップ層に接する以外の他
の磁性層はＮｉＦｅ系合金でメッキ形成される請求項１
４記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１６】電気メッキ法により、Ｆｅの組成比Ｘ
（質量％）／Ｃｏの組成比Ｙ（質量％）の比率が、２以
上で５以下で、元素α（ただし元素αは、Ｐｄ、Ｐｔ、
Ｒｕ、Ｉｒのいずれか一種または二種以上）の組成比Ｚ
が、０．５質量％以上で１８質量％以下であり、Ｘ＋Ｙ
＋Ｚ＝１００質量％の関係を満たすＦｅ_XＣｏ_Yα_Z合金
をメッキ形成することを特徴とする軟磁性膜の製造方
法。
【請求項１７】前記Ｆｅの組成比Ｘ（質量％）／Ｃｏ
の組成比Ｙ（質量％）の比率は、２．６以上で４．３以
下で、前記元素αの組成比Ｚが３質量％以上で９質量％
以下であり、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１００質量％の関係を満たす
Ｆｅ_XＣｏ_Yα _Z合金をメッキ形成する請求項１６記載の
軟磁性膜の製造方法。
【請求項１８】メッキ浴中のＦｅイオン濃度を１．２
ｇ／ｌ以上で３．２ｇ／ｌ以下とし、Ｃｏイオン濃度を
０．８６ｇ／ｌ以上で１．６ｇ／ｌ以下とし、元素αイ
オン濃度を０．２ｍｇ／ｌ以上で６ｍｇ／ｌ以下とする
請求項１６または１７に記載の軟磁性膜の製造方法。
【請求項１９】メッキ浴中にβイオン（ただし元素β
はＮｉ、Ｃｒの一方あるいは両方）を添加し、前記Ｆｅ
_XＣｏ_Yα_Z合金に０．５質量％以上で５質量％以下の組
成比Ｖを有する元素βを含有させ、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＋Ｖ＝１
００質量％の関係を満たすＦｅ_XＣｏ_Yα_Zβ_V合金をメッ
キ形成する請求項１６ないし１８のいずれかに記載の軟
磁性膜の製造方法。
【請求項２０】電気メッキ法により、Ｆｅの組成比Ｘ
が５６質量％以上で、Ｃｏの組成比Ｙが２０質量％以上
で、Ｒｈの組成比Ｗが１．７質量％以上で２０質量％以
下であり、Ｘ＋Ｙ＋Ｗ＝１００質量％の関係を満すＦｅ
_XＣｏ_YＲｈ_W合金をメッキ形成することを特徴とする軟
磁性膜の製造方法。
【請求項２１】前記Ｒｈの組成比Ｗが７．５質量％以
上であるＦｅ_XＣｏ_YＲｈ_W合金をメッキ形成する請求項
２０記載の軟磁性膜の製造方法。
【請求項２２】Ｆｅの組成比Ｘ（質量％）／Ｃｏの組
成比Ｙ（質量％）の比率は、２．０３０以上で２．７０
４以下で、Ｒｈの組成比Ｗは、７．５質量％以上で１０
質量％以下であり、Ｘ＋Ｙ＋Ｗ＝１００質量％の関係を
満たすＦｅ_XＣｏ_YＲｈ_W合金をメッキ形成する請求項２
０記載の軟磁性膜の製造方法。
【請求項２３】メッキ浴中のＦｅイオン濃度を１．０
ｇ／ｌ以上で５．０ｇ／ｌ以下とし、Ｃｏイオン濃度を
０．１ｇ／ｌ以上で５．０ｇ／ｌ以下とし、Ｒｈイオン
濃度を１．０ｍｇ／ｌ以上で１０．０ｍｇ／ｌ以下とす
る請求項２０ないし２２のいずれかに記載の軟磁性膜の
製造方法。
【請求項２４】メッキ浴中にβイオン（ただし元素β
はＮｉ、Ｃｒの一方あるいは両方）を添加し、前記Ｆｅ
_XＣｏ_YＲｈ_W合金に０．５質量％以上で５質量％以下の
組成比Ｖを有する元素βを含有させ、Ｘ＋Ｙ＋Ｗ＋Ｖ＝
１００質量％の関係を満たすＦｅ_XＣｏ_YＲｈ_Wβ_V合金を
メッキ形成する請求項２０ないし２３のいずれかに記載
の軟磁性膜の製造方法。
【請求項２５】前記電気メッキ法には、パルス電流を
用いた電気メッキ法を使用する請求項１６ないし２４の
いずれかに記載の軟磁性膜の製造方法。
【請求項２６】メッキ浴中にサッカリンナトリウムを
混入する請求項１６ないし２５のいずれかに記載の軟磁
性膜の製造方法。
【請求項２７】前記メッキ浴中に２−ブチン−１、４
ジオールを混入する請求項１６ないし２６のいずれかに
記載の軟磁性膜の製造方法。
【請求項２８】前記メッキ浴中に２−エチルヘキシル
硫酸ナトリウムを混入する請求項１６ないし２７のいず
れかに記載の軟磁性膜の製造方法。
【請求項２９】磁性材料製の下部コア層と、記録媒体
との対向面で前記下部コア層と磁気ギャップを介して対
向する上部コア層と、両コア層に記録磁界を誘導するコ
イル層とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、少なくとも一方のコア層を、請求項１６ないし２８のい
ずれかに記載された製造方法による軟磁性膜でメッキ形
成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３０】前記下部コア層上に記録媒体との対向
面で下部磁極層を隆起形成し、前記下部磁極層を前記軟
磁性膜でメッキ形成する請求項２９記載の薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。
【請求項３１】下部コア層及び上部コア層と、前記下
部コア層と上部コア層との間に位置し且つトラック幅方
向の幅寸法が前記下部コア層及び上部コア層よりも短く
規制された磁極部とを有し、前記磁極部を、下部コア層と連続する下部磁極層、上部
コア層と連続する上部磁極層、および前記下部磁極層と
前記上部磁極層間に位置するギャップ層とで形成し、あ
るいは前記磁極部を、上部コア層と連続する上部磁極
層、および前記上部磁極層と下部コア層との間に位置す
るギャップ層とで形成し、このとき前記上部磁極層及び／または下部磁極層を、請
求項１６ないし２８のいずれかに記載された製造方法に
よる軟磁性膜でメッキ形成することを特徴とする薄膜磁
気ヘッドの製造方法。
【請求項３２】前記上部磁極層を前記軟磁性膜でメッ
キ形成し、前記上部磁極層上に上部コア層を電気メッキ
法によりＮｉＦｅ系合金膜でメッキ形成する請求項３１
記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３３】前記コア層を、少なくとも磁気ギャッ
プに隣接する部分で２層以上の磁性層で形成し、あるい
は前記磁極層を２層以上の磁性層で形成し、このとき前
記磁性層のうち前記磁気ギャップに接する磁性層を、前
記軟磁性膜によりメッキ形成する請求項２９ないし３２
のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３４】前記磁気ギャップ層に接する以外の他
の磁性層を電気メッキ法によりＮｉＦｅ系合金でメッキ
形成する請求項３３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。