TWI496905B - A sputtering target having an oxide phase dispersed in a Co or Co alloy phase, a magnetic thin film composed of a Co or Co alloy phase and an oxide phase, and a magnetic recording medium using the magnetic thin film - Google Patents
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Description
本發明係關於一種磁記錄媒體之磁性體薄膜、特別是採用垂直磁記錄方式之硬碟之粒狀磁記錄膜之成膜中所使用的於Co或Co合金相分散有氧化物相之濺鍍靶等，且係關於一種電弧作用較少、利用磁控濺鍍裝置進行濺鍍時獲得穩定之放電且密度較高、濺鍍時產生之粒子較少的濺鍍靶及可藉由對該靶進行濺鍍而製造之磁性體薄膜以及使用該磁性體薄膜之磁記錄媒體。
於磁記錄領域中，已開發有藉由於磁性體薄膜中微細分散非磁性材料而提高磁特性之技術。其中一例為，於採用垂直磁記錄方式之硬碟之記錄媒體中，利用非磁性材料阻斷磁記錄膜中之磁性粒子間之磁相互作用，或採用較弱之粒狀膜，從而提高作為磁記錄媒體之各種特性。
已知Co-Cr-Pt-SiO2
為最適合於該粒狀膜之材料之一，一般係對「於主成分為Co之強磁性之Co-Cr-Pt合金基體中均勻地微細分散有為非磁性材料之SiO2
而成之非磁性材粒子分散型磁性材靶」進行濺鍍來製作該Co-Cr-Pt-SiO2
之粒狀膜。
眾所周知，由於無法利用熔解法使非磁性材粒子均勻地微細分散於磁性合金基體中，因此係藉由粉末冶金法製造此種非磁性材粒子分散型磁性材濺鍍靶。
例如，提出有如下方法：對利用急冷凝固法製作之具有合金相之合金粉末與構成陶瓷相之粉末進行機械合金化(mechanical alloying)，使構成陶瓷相之粉末均勻分散於合金粉末中，藉由熱壓進行成形而獲得磁記錄媒體用濺鍍靶(專利文獻1)。
又，亦可不使用利用急冷凝固法製作之合金粉末，而準備市售之原料粉末作為構成靶之各成分，以成為所期望之組成之方式對該等原料粉末進行稱量，利用球磨機等公知方法加以混合，利用熱壓對混合粉末進行成型、燒結，藉此可製作非磁性材粒子分散型磁性材濺鍍靶。
又，眾所周知若於燒結後獲得密度較高之素材，則濺鍍時成為問題之粒子之產生量較少。
濺鍍裝置種類繁多，但於上述磁記錄膜之成膜中，就生產性高之方面而言，廣泛使用磁控濺鍍裝置。
所謂濺鍍法，係指使為正電極之基板與為負電極之靶相對向，在惰性氣體環境下，於該基板與靶之間施加高電壓而產生電場。
此時，惰性氣體發生電離，形成由電子與陽離子構成之電漿，若該電漿中之陽離子與靶(負電極)之表面碰撞，則構成靶之原子被擊出，該濺出之原子附著於相對向之基板表面而形成膜。上述濺鍍法係使用藉由上述之一系列動作而使構成靶之材料於基板上成膜之原理。
磁控濺鍍裝置之特徵在於：於靶之內面側具備磁石，自該磁石漏出至靶表面之磁通(漏磁通)使電子在靶表面附近進行擺線運動，而可高效率地產生電漿。
至於含有Co、Cr、Pt等金屬與SiO2
等氧化物之磁性材靶，由於SiO2
等氧化物無導電性，故若於靶表面露出之氧化物相之各粒子之面積較大，則存在濺鍍時粒子產生增加之問題，為解決該問題，必須儘可能減小氧化物相之各粒子之面積。
就先前技術而言，於專利文獻2中揭示有：藉由使氧化物相中含有Cr，而抑制氧化物相之顆粒成長使其均質分散，並且獲得高密度靶。於該專利文獻2中，關鍵在於除藉由含有鉻來抑制氧化物相之顆粒成長以外，亦使用通電燒結法加以抑制。
然而，氧化鉻含量多至1.2～12.0 mol%，如此大量添加會大幅改變非磁性材粒子分散型磁性體薄膜及使用該分散型磁性體薄膜之磁記錄媒體之特性，因此成為問題。又，存在下述問題：雖使用平均粒徑為0.5 μm之氧化矽原料粉末，但所獲得之氧化物相之粒徑仍為2～2.5 μm左右，可以說粒徑並未充分微細化。
又，於專利文獻3中提出有藉由於氧化物相添加Cr氧化物，而抑制粒子產生。又，引用專利文獻4、專利文獻5等，記載有僅藉由二氧化矽相之微細化無法抑制粒子產生，從而無法解決「合金相與二氧化矽相之密著性較差」。於該專利文獻3中，將引用之二氧化矽相為10 μm以下看作「微細」，且將原料粉末SiO2
之粒徑設為20 μm以下，實施例中為3 μm，因此暗示氧化物相為上述程度以上之粒徑之組織。
又，於該專利文獻3之段落[0010]中，於溫度1200℃下進行3小時之熱壓。若進行此種高溫、長時間之熱壓，則當然會產生SiO2
之粗大化，故據此亦可知無法實現SiO2
之充分微細化。雖為減少粒子而添加Cr含量為0.01～0.5質量%，但氧化物相仍被判斷為粗大。
專利文獻1：日本特開平10-88333號公報
專利文獻2：日本特開2009-215617號公報
專利文獻3：日本特開2007-31808號公報
專利文獻4：日本特開2001-236643號公報
專利文獻5：日本特開2004-339586號公報
一般而言，若欲利用上述之磁控濺鍍裝置對非磁性材粒子分散型磁性材濺鍍靶進行濺鍍，則容易產生以氧化物粒子為基點引起電弧作用，而放電不穩定此一大問題。
為解決該問題，較有效的是使SiO2
均勻分散。
本發明之課題在於提供一種減少電弧作用，利用磁控濺鍍裝置而獲得穩定之放電且密度較高，濺鍍時產生之粒子較少之非磁性材粒子分散型磁性材濺鍍靶。為解決上述課題，本發明者等人進行努力研究，結果發現藉由調整靶之組織構造，而獲得可減少電弧作用之靶。又，獲得如下見解：該靶可充分提高密度，且可使濺鍍時所產生之粒子減少。
基於如上所述之見解，本發明提供以下發明。
1)一種於Co或Co合金相分散有氧化物相之濺鍍靶，其係由含有Co之金屬基材(metal matrix)相、及含有形成粒子並分散存在之6～14 mol%之SiO2
之氧化物的相(以下稱為「氧化物相」)構成之濺鍍靶，其特徵在於：除含有構成上述金屬基材相及氧化物相之成分以外，亦含有散佈於上述氧化物相內或其表面之0.3 mol%以上且未滿1.0 mol%之Cr氧化物，且氧化物相之各粒子之平均面積為2.0 μm2
以下。
更佳之氧化物相之各粒子之平均面積為1.5 μm2
以下。
2)如上述1)之於Co或Co合金相分散有氧化物相之濺鍍靶，其中上述金屬基材相為單一Co金屬，或Cr：6～40 mol%且其餘部分由Co構成之Co基合金，或Cr：6～40 mol%、Pt：8～20 mol%、且其餘部分由Co構成之Co基合金。
該等即為具代表性之Co系非磁性材粒子分散型磁性材，本案發明適合於該等金屬基材相。
3)如上述1)或2)之於Co或Co合金相分散有氧化物相之濺鍍靶，其中氧化物相之比電阻為3.5×1016
Ω‧cm以下。
4)如上述1)至3)中任一項之於Co或Co合金相分散有氧化物相之濺鍍靶，其中使相對密度為98%以上。
本案發明具有可使氧化物相之粒子微細化且可提高相對密度之特徵。
5)一種非磁性材粒子分散型磁性體薄膜，其特徵在於：其係由含有Co之金屬基材相、含有6～14 mol%之SiO2
之氧化物相及0.3 mol%以上且未滿1.0 mol%之Cr氧化物構成。
本發明之非磁性材粒子分散型磁性體薄膜係藉由使用上述濺鍍靶進行成膜而獲得，藉由濺鍍而形成之薄膜之成分組成反映靶之成分組成，因此具有相同之成分組成。
6)如上述5)之非磁性材粒子分散型磁性體薄膜，其中上述金屬基材相為單一Co金屬，或Cr：6～40 mol%且其餘部分由Co構成之Co基合金，或Cr：6～40 mol%、Pt：8～20 mol%、且其餘部分由Co構成之Co基合金。
7)如上述5)或6)之非磁性材粒子分散型磁性體薄膜，其中氧化物相之比電阻為3.5×1016
Ω‧cm以下。
8)一種磁記錄媒體，其使用有如上述5)至7)中任一項之非磁性材粒子分散型磁性體薄膜。
本發明之於Co或Co合金相分散有氧化物相之濺鍍靶較理想的是如上所述使相對密度成為98%以上。藉由使相對密度成為98%以上，可提高合金與非磁性材粒子之密著性，因此可抑制濺鍍時之非磁性材粒子之脫粒，而減少粒子之產生量。
此處之相對密度，係指將靶之實測密度除以計算密度而求出之值。計算密度，係指假設靶之構成成分相互擴散或不進行反應地混合存在時之密度，以下述式進行計算。
式：計算密度=Σ(構成成分之分子量×構成成分之莫耳比)/Σ(構成成分之分子量×構成成分之莫耳比/構成成分之文獻值密度)
此處，Σ係表示取靶之所有構成成分之和。
本發明之效果在於，可製成作為非磁性材料之微細的SiO2
均勻分散於Co或以Co為主成分之合金基體中之靶。即，本發明可提供一種於Co或Co合金相分散有氧化物相之濺鍍靶，其除含有構成金屬基材相及氧化物相之成分以外，亦含有散佈於上述氧化物相內或其表面之0.3 mol%以上且未滿1.0 mol%之Cr氧化物，且將氧化物相之各粒子之平均面積設為2.0 μm2
以下。
如上所述，藉由使SiO2
之氧化物粒子微細化及高密度化，可大幅減少粒子之產生量。進而，有如下優點：由於成為電弧作用較少之靶，故可獲得穩定之放電，且能以低成本製造磁性體薄膜。
本發明之於Co或Co合金相分散有氧化物相之濺鍍靶，係由含有Co且具有磁性之金屬基材相、及含有形成粒子並分散存在之6～14 mol%之SiO2
之氧化物的相(以下稱為「氧化物相」)構成之濺鍍靶。
其特徵在於：除含有構成上述金屬基材相及氧化物相之成分以外，亦含有散佈於上述氧化物相內或其表面之0.3 mol%以上且未滿1.0 mol%之Cr氧化物，且氧化物相之各粒子之平均面積為2.0 μm2
以下。
如上所述，本案發明可適用於Co或以Co為基之合金。具代表性之Co系非磁性材粒子分散型磁性材，有Cr：6～40 mol%且其餘部分由Co構成之Co基合金，或Cr：6～40 mol%、Pt：8～20 mol%、且其餘部分由Co構成之Co基合金。本案發明適合於該等Co基合金。
一般而言，即便僅添加微細之SiO2
燒結原料進行燒結，亦通常於燒結階段凝聚、粗大化。特別是，雖然期望以1200℃左右之燒結獲得微細分散之濺鍍靶，但於先前之製造方法(混合方法、燒結條件)中，燒結後之靶之每個SiO2
粒子之平均面積為3 μm2
以上(假設為圓形則粒徑為2 μm以上)。於此情形時，若降低燒結溫度或縮短燒結時間，則會微細化，但即便如此2.5 μm2
左右亦為極限，且此時反而燒結不充分，導致密度不足(燒結不足)，結果反而存在濺鍍中之異常放電(電弧作用)或粒子產生量增加之問題。
先前之製造方法係繼上述內容進一步發展，於添加氧化鉻之情形時，亦以提高密度為目的進行高溫、長時間之燒結，其結果，每個SiO2
粒子之平均面積為3 μm2
以上。其非但稱不上SiO2
粒子之微細化，且可以說默認了濺鍍中之某種程度之異常放電(電弧作用)或粒子產生。又，雖有以減少粒子為課題之專利文獻2、專利文獻3等之嘗試，但仍未達到不對磁性材之特性造成影響且使氧化物相充分微細化。
本案發明即用以解決該問題。提出的解決方法為：於燒結時，在含有SiO2
之氧化物之表面或氧化物粒子之間隙，插入相同溫度下擴散速度遠遠慢於上述氧化物之高熔點氧化物之粒子，藉此抑制含有SiO2
之氧化物彼此之凝聚。
此處，所謂「含有SiO2
之氧化物相」，係指氧化物僅為SiO2
之情形及組合SiO2
與其他氧化物而成之氧化物相。氧化物有時亦含有SiO2
以外之氧化物例如具有類似特性之TiO2
，但氧化物之存在係指強烈受到SiO2
之影響之情形。
藉此，含有SiO2
之氧化物係維持與原料粉體同程度之粒子徑而燒結，其結果，可減小氧化物相之各粒子之面積，該面積雖亦取決於燒結條件，但可將其抑制為2.0 μm2
以下。
再者，亦如上所述般，即便僅使用含有SiO2
之氧化物之原料粉體之粒徑較小者，亦因粒子尺寸越小則表面能量越高而容易凝聚，故無法使燒結後之粒徑成為原料粉體之粒徑。
實現以上內容之方法，在於添加0.3 mol%以上且未滿1.0 mol%之Cr氧化物之高熔點氧化物。又，適度抑制燒結條件，而抑制含有SiO2
之氧化物粒子之成長。若上述Cr氧化物之添加量未滿0.3 mol%，則SiO2
之粒子凝聚，無法實現SiO2
之平均粒子面積為2.0 μm2
以下。其結果無法減少粒子之產生。
另一方面，若Cr氧化物之添加量為1.0 mol%以上，則磁性特性發生變化，難以製成具有特定特性之磁性膜。又，若添加1.0 mol%以上以提高密度，則會採用更高溫、更長時間之燒結條件，從而SiO2
之燒結時之擴散、凝聚、顆粒成長加速，因此無法進行抑制。
SiO2
雖為絕緣體，但藉由添加Cr氧化物，可將作為燒結體之導電性降低至比電阻為3.5×1016
Ω‧cm以下。
即便於完全不添加Cr氧化物之情形時，亦可能於基材相中含有Cr之情形下，在燒結時進行氧化，而形成0.1～0.2 mol%左右之Cr氧化物(Cr2
O3
)。
就該意義而言，認為先前所製造之氧化物分散型Co合金濺鍍靶自然含有0.1～0.2 mol%左右之Cr氧化物，但於此情形時，SiO2
之粒子粗大且無法獲得有關氧化物相之比電阻或介電常數之效果。Cr氧化物之含量為0.3 mol%以上時效果顯著出現。
於製造本發明之於Co或Co合金相分散有氧化物相之濺鍍靶時，會準備例如平均粒徑為1 μm之Co粉末、平均粒徑為2 μm之Cr粉末、平均粒徑為2 μm之Pt粉末、平均粒徑為1 μm之SiO2
粉末作為磁性金屬，並利用混合機將其與Cr2
O3
粉末混合。
於上述範圍內添加Cr2
O3
粉末之情形時，較理想的是將Cr2
O3
粉末之平均粒徑設為0.6 μm以下。又，同樣於上述範圍內添加SiO2
之情形時，較理想的是將原料粉末之SiO2
之平均粒徑設為1 μm以下。
使用真空熱壓裝置，使以上述方式獲得之粉末成型、燒結後，切削加工成所期望之形狀，藉此製作本發明之於Co或Co合金相分散有氧化物相之濺鍍靶。
成型、燒結並不限定於熱壓，亦可使用電漿放電燒結法、熱均壓燒結法。燒結時之保持溫度較佳為設定為使靶充分緻密化之溫度範圍內之最低溫度。該溫度雖亦取決於靶之組成，但大多處於900～1200℃之溫度範圍內。
每個SiO2
粒子之平均面積可藉由對顯微鏡觀察影像進行影像處理而求出。又，密度最佳為利用阿基米德法進行測定，但亦可根據尺寸測定及重量測定進行計算。使用以上述方式測定之絕對密度，且使用於設為各分子以組成比混合存在之情況下計算出之計算密度，可計算出相對密度。
Cr氧化物之添加，例如可藉由於Co-Cr-Pt-SiO2
等之各要素粉末或構成合金粉末之混合粉末中均勻混合Cr2
O3
而獲得。又，亦可藉由下述方式添加Cr氧化物：於粉碎、混合步驟等中，藉由使Cr粉末、Co-Cr粉末或Co-Cr-Pt粉末適度地自然氧化，結果使作為金屬而存在之Cr之一部分成為Cr氧化物。
實施例
以下，基於實施例及比較例進行說明。再者，本實施例僅為一例，並不受到該例任何限制。即，本發明僅受到申請專利範圍限制，且包括本發明所包含之實施例以外之各種變形。
(實施例1)
實施例1中，準備平均粒徑為1 μm之Co粉末、平均粒徑為2 μm之Cr粉末、平均粒徑為1 μm之SiO2
粉末、平均粒徑為0.6 μm之Cr2
O3
粉末作為原料粉末。
以Co粉末79.73 wt%、Cr粉末10.60 wt%、SiO2
粉末7.73 wt%、Cr2
O3
粉末1.94 wt%之重量比率分別對該等粉末進行稱量，以使靶之組成成為12.00 Cr-7.58 SiO2
-0.75 Cr2
O3
-其餘部分Co(mol%)。
繼而，將Co粉末、Cr粉末、SiO2
粉末、Cr2
O3
粉末與粉碎介質氧化鋯球一併封入至容量為10升之球磨罐，使其旋轉20小時而進行混合。將該混合粉末填充於碳製模具中，於真空環境中且於溫度1150℃、保持90分鐘、加壓力30 MPa之條件下進行熱壓，而獲得燒結體。進而，利用車床對其進行切削加工而獲得直徑為180 mm、厚度為7 mm之圓盤狀靶。
於該實施例1中獲得相對密度超過99%之高密度之靶。將藉由掃描式電子顯微鏡(SEM)觀察實施例1之靶之研磨面時之組織影像示於圖1。如該圖1之組織影像所示，上述實施例1中極顯著之特徵，即是於基材合金相中微細分散著SiO2
粒子。於圖1中，微細分散者即是SiO2
粒子。又，氧化物相之各粒子之平均面積為1.6 μm2
。將該氧化物相之各粒子之平均面積與構成靶之成分之分析結果示於表1。
(比較例1)
比較例1中，與實施例1同樣地準備平均粒徑為1 μm之Co粉末、平均粒徑為2 μm之Cr粉、平均粒徑為1 μm之SiO2
粉末作為原料粉末。
以Co粉末81.45 wt%、Cr粉末10.72 wt%、SiO2
粉末7.83 wt%之重量比率分別對該等粉末進行稱量，以使靶之組成成為12.00 Cr-7.58 SiO2
-其餘部分Co(mol%)。與實施例1之不同點在於未添加Cr2
O3
粉末。
將該等粉末與實施例1同樣地進行混合後，將該混合粉填充於碳製模具中，於真空環境中且於溫度1150℃、保持90分鐘、加壓力30 MPa之條件下進行熱壓，而獲得燒結體。進而，利用車床對其進行切削加工而獲得直徑為180 mm、厚度為7 mm之圓盤狀靶。
比較例1中成為相對密度超過99%且與實施例1同樣為高密度之靶。將藉由掃描式電子顯微鏡(SEM)觀察該比較例1之靶之研磨面時之組織影像示於圖2。如該圖2之組織影像所示，可知於比較例1中，與上述實施例1相比，基材合金相中之SiO2
粒子粗大化。又，氧化物相之各粒子之平均面積為2.4 μm2
。將該氧化物相之各粒子之平均面積與構成靶之成分之分析結果示於表1。
(實施例2)
實施例2中，準備平均粒徑為1 μm之Co粉末、平均粒徑為2 μm之Cr粉末、平均粒徑為2 μm之Pt粉末、平均粒徑為2 μm之Ru粉末、平均粒徑為2 μm之Ta2
O5
粉末、平均粒徑為1 μm之SiO2
粉末、平均粒徑為0.6 μm之Cr2
O3
粉末作為原料粉末。
其次，分別對該等粉末進行稱量以使靶之組成成為16 Cr-18 Pt-4 Ru-1 Ta2
O5
-6 SiO2
-0.75 Cr2
O3
-其餘部分Co(mol%)。
繼而，將Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、Ru粉末、SiO2
粉末、Ta2
O5
粉末、Cr2
O3
粉末與粉碎介質氧化鋯球一併封入至容量為10升之球磨罐中，使其旋轉20小時而進行混合。
將該混合粉填充於碳製模具中，於真空環境中且於溫度1150℃、保持2小時、加壓力30 MPa之條件下進行熱壓，而獲得燒結體。進而，利用車床將其加工成直徑為180.0 mm、厚度為7.0 mm之圓盤狀靶。
於該實施例2中獲得相對密度超過99%之高密度之靶。將藉由掃描式電子顯微鏡(SEM)觀察實施例2之靶之研磨面時之組織影像示於圖3。如該圖3之組織影像所示，上述實施例2中極顯著之特徵，即是於基材合金相中微細分散著Ta2
O5
粒子及SiO2
粒子。於圖3中，微細分散者即是Ta2
O5
粒子及SiO2
粒子。又，氧化物相之各粒子之平均面積為2.0 μm2
。將該氧化物相之各粒子之平均面積與構成靶之成分之分析結果示於表1。
(比較例2)
於比較例2中，與實施例2同樣地準備平均粒徑為1 μm之Co粉末、平均粒徑為2 μm之Cr粉末、平均粒徑為2 μm之Pt粉末、平均粒徑為2 μm之Ru粉末、平均粒徑為2 μm之Ta2
O5
粉末、平均粒徑為1 μm之SiO2
粉末作為原料粉末。分別進行稱量以使靶之組成成為16 Cr-18 Pt-4 Ru-1 Ta2
O5
-6 SiO2
-其餘部分Co(mol%)。與實施例2之不同點在於未添加Cr2
O3
粉末。
將該等粉末與實施例2同樣地進行混合後，將該混合粉填充於碳製模具中，於真空環境中且於溫度1150℃、保持90分鐘、加壓力30 MPa之條件下進行熱壓，而獲得燒結體。進而，利用車床對其進行切削加工而獲得直徑為180 mm、厚度為7 mm之圓盤狀靶。
於比較例2中成為相對密度超過99%且與實施例2同樣為高密度之靶。將藉由掃描式電子顯微鏡(SEM)觀察該比較例3之靶之研磨面時之組織影像示於圖4。如該圖4之組織影像所示，可知於比較例2中，與上述實施例2相比，基材合金相中之Ta2
O5
粒及SiO2
粒子粗大化。又，氧化物相之各粒子之平均面積為2.7 μm2
。將該氧化物相之各粒子之平均面積與構成靶之成分之分析結果示於表1。
再者，於上述實施例、比較例中，雖表示了代表性之Co基合金之例，但本案發明原本係為了調查於含有Co之金屬基材相中存在SiO2
之氧化物之相時摻入Cr氧化物之情形的影響，因此可容易理解：若金屬基材相為Co或Co基合金，則具有相同傾向，且金屬基材相可適用於單一Co金屬或其他Co基合金。
又，於上述實施例及比較例中，對金屬基材相中存在SiO2
之氧化物之相之情形進行了說明，於SiO2
中含有TiO2
之情形時，TiO2
亦具有與SiO2
大致類似之特性及功能，因此自可理解能獲得與SiO2
相同之結果。本案發明亦包含該等情況。
[產業上之可利用性]
本發明係一種於Co或Co合金相分散有氧化物相之濺鍍靶，其係由含有Co之金屬基材相、及含有形成粒子並分散存在之6～14 mol%之SiO2
之氧化物之相(以下稱為「氧化物相」)構成之濺鍍靶，其特徵在於：除含有構成上述金屬基材相及氧化物相之成分以外，亦含有散佈於上述氧化物相內或其表面之0.3 mol%以上且未滿1.0 mol%之Cr氧化物，且氧化物相之各粒子之平均面積為2.0 μm2
以下，藉由使含有SiO2
之氧化物粒子微細化及高密度化，可大幅減少粒子之產生量。
因此，可利用磁控濺鍍裝置，實現於Co或Co合金相分散有氧化物相之濺鍍靶之穩定且生產性高之濺鍍。進而，有如下優異效果：成為可減少電弧作用之靶，於藉由磁控濺鍍裝置而加以使用時，有效率地促進惰性氣體之電離，而獲得穩定之放電，且能以低成本製造磁性體薄膜，因此，有利於作為磁記錄媒體之磁性體薄膜、特別是採用垂直磁記錄方式之硬碟之粒狀磁記錄膜之成膜中所使用的於Co或Co合金相分散有氧化物相之濺鍍靶。
圖1係藉由掃描式電子顯微鏡(SEM)觀察實施例1之靶面時之組織影像。
圖2係藉由掃描式電子顯微鏡(SEM)觀察比較例1之靶面時之組織影像。
圖3係藉由掃描式電子顯微鏡(SEM)觀察實施例2之靶面時之組織影像。
圖4係藉由掃描式電子顯微鏡(SEM)觀察比較例2之靶面時之組織影像。
Claims (9)
- 一種於Co或Co合金相分散有氧化物相之濺鍍靶，其係由含有Co之金屬基材(metal matrix)相，及含有SiO2 、形成粒子並分散存在之6~14mol%之氧化物之相(以下稱為「氧化物相」)構成，其特徵在於：除含有構成該金屬基材相及氧化物相之成分以外，亦含有散佈於該氧化物相內或其表面之0.3mol%以上且未滿1.0mol%之Cr氧化物，且藉由掃描式電子顯微鏡觀察該靶之研磨面時的組織影像中氧化物相之各粒子之平均面積為2.0μm2 以下。
- 如申請專利範圍第1項之於Co或Co合金相分散有氧化物相之濺鍍靶，其中該金屬基材相為單一Co金屬，或Cr：6~40mol%且其餘部分由Co構成之Co基合金，或Cr：6~40mol%、Pt：8~20mol%、且其餘部分由Co構成之Co基合金。
- 如申請專利範圍第1或2項之於Co或Co合金相分散有氧化物相之濺鍍靶，其比電阻為3.5×1016 Ω．cm以下。
- 如申請專利範圍第1或2項之於Co或Co合金相分散有氧化物相之濺鍍靶，其相對密度為98%以上。
- 如申請專利範圍第3項之於Co或Co合金相分散有氧化物相之濺鍍靶，其相對密度為98%以上。
- 一種非磁性材粒子分散型磁性體薄膜，其特徵在於：其係由含有Co之金屬基材相、含有6~14mol%之SiO2 之氧化物相及0.3mol%以上且未滿1.0mol%之Cr氧化物構 成。
- 如申請專利範圍第6項之非磁性材粒子分散型磁性體薄膜，其中該金屬基材相為單一Co金屬，或Cr：6~40mol%且其餘部分由Co構成之Co基合金，或Cr：6~40mol%、Pt：8~20mol%、且其餘部分由Co構成之Co基合金。
- 如申請專利範圍第6或7項之非磁性材粒子分散型磁性體薄膜，其比電阻為3.5×1016 Ω．cm以下。
- 一種磁記錄媒體，其使用有申請專利範圍第6至8項中任一項之非磁性材粒子分散型磁性體薄膜。
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