JP2007031808A - パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット - Google Patents
パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007031808A JP2007031808A JP2005220328A JP2005220328A JP2007031808A JP 2007031808 A JP2007031808 A JP 2007031808A JP 2005220328 A JP2005220328 A JP 2005220328A JP 2005220328 A JP2005220328 A JP 2005220328A JP 2007031808 A JP2007031808 A JP 2007031808A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic recording
- powder
- mass
- recording film
- silica
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
【解決手段】 シリカ:2〜15質量%、酸化クロム:0.01〜0.5質量%、Cr:3〜20質量%、Pt:15〜45質量%を含有し、残部:Coからなる組成を有し、前記シリカおよび酸化クロムは粒界に均一分散している組織を有するCo基焼結合金からなる磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット。
【選択図】 なし
Description
この複合ターゲットは、通常、Cr粉末、Pt粉末およびCo粉末の各要素粉末を混合した混合粉末、またはCrおよびPtを含むCo基合金粉末に、シリカ粉末を、シリカ:2〜15質量%、Cr:3〜20質量%、Pt:15〜45質量%を含有し、残部:Coからなる組成となるように配合し混合したのち、ホットプレスまたは熱間静水圧プレスすることにより作製されるが、前記シリカ粉末として高温火炎加水分解法で製造されたシリカ粉末を使用し、複合ターゲットの素地中に分散するシリカ相を10μm以下の極めて細かい組織とすることによってパーティクルの発生を少なくしている(特許文献1、特許文献2などを参照)。
「富士時報」Vol.75No.3 2002(169〜172ページ)
(a)従来から知られているシリカ:2〜15質量%、Cr:3〜20質量%、Pt:15〜45質量%を含有し、残部:Coからなる組成を有するターゲットに酸化クロムを微量添加したスパッタリングターゲットは、スパッタリング中に発生するパーティクルの数が著しく減少する、
(b)前記酸化クロムの含有量は0.01〜0.5質量%の範囲内の極めて微量であることが好ましい、などの知見を得たのである。
シリカ:2〜15質量%、酸化クロム:0.01〜0.5質量%、Cr:3〜20質量%、Pt:15〜45質量%を含有し、残部:Coからなる組成を有し、前記シリカおよび酸化クロムは粒界に均一分散している組織を有するCo基焼結合金からなるパーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット、に特徴を有するものである。
また、酸化クロム粉末を添加せずに、前記原料粉末をシリカ:2〜15質量%、Cr:3〜20質量%、Pt:15〜45質量%を含有し、残部:Coからなる組成となるように配合し、得られた配合粉末を酸素および不活性ガスの混合ガス雰囲気中で混合し、混合中にCrを酸化させて酸化クロムを0.01〜0.5質量%を含む混合粉末を作製し、この混合粉末をホットプレスすることにより製造することができる。この場合、混合中にCr粉末の一部が酸化して酸化クロムとなり、酸化クロム粉末を添加したのと同じ効果がある。
原料粉末であるシリカ粉末は、非晶質よりも結晶質のものが好ましい。その理由は結晶質のシリカ粉末の方が非晶質のシリカ粉末よりも凝集して粗大粒子が生成しにくく、したがって、異常放電を起こしにくく、パーティクルの発生は少ないからである。
この用意した原料粉末であるCo粉末、Cr粉末、Pt粉末、SiO2粉末およびCr2O3粉末を、Cr2O3粉末の添加量を変えて表1に示される配合組成となるように配合し、得られた配合粉末:1kgをジルコニアボールと共に10リットルの容器に投入し、この容器内の雰囲気をArガス雰囲気中で置換し、その後、容器を密閉した。この容器をボールミルで16時間回転させ、混合粉末を作製した。得られた混合粉末を真空ホットプレス装置に充填し、真空雰囲気中、温度:1200℃、圧力:15MPa、3時間保持の条件で真空ホットプレスすることによりホットプレス体を作製し、このホットプレス体を切削加工することにより直径6インチ、厚さ:3mmの寸法を有し表1に示される成分組成を有する本発明ターゲット1〜9、比較ターゲット1〜2および従来ターゲットを作製した。この時、ターゲットの表面の最終仕上げ加工はJIS B 0601で規定されるターゲット表面の中心線平均粗さ(Ra)が0.09μmとなるまで行った。この表面粗さは特にターゲット使用初期の異常放電やパーティクル発生と関連があり、表面粗さが小さい方が使用初期の問題を回避するために行うプレスパッタの時間を短縮することができる。
到達真空度:5×10−5Pa、
電力:直流800W、
Arガス圧:6.0Pa、
ターゲット基板間距離:60mm、
基板加熱:なし、
の条件でプレスパッタを行い、ターゲット表面加工層を除去したのち、一旦チャンバーを大気開放して、防着板などのチャンバー部材の清掃を行った。その後、再び上記真空度に達するまで真空引きを行い、真空引き後、30分のプレスパッタを行ってターゲット表面の大気吸着成分や金属酸化層の除去を行ったのち、4インチSiウエハ上に厚さ:100nmの磁気記録膜を成膜した。同じ条件で合計25枚の4インチSiウエハ上に厚さ:100nmの磁気記録膜を成膜し、成膜後のウエハについて市販の異物検査装置によりウエハ表面に付着した0.2μm以上のパーティクル数を計測し、25枚の平均値を算出し、その結果を表1に示した。
Claims (1)
- シリカ:2〜15質量%、酸化クロム:0.01〜0.5質量%、Cr:3〜20質量%、Pt:15〜45質量%を含有し、残部:Coからなる組成を有し、前記シリカおよび酸化クロムは粒界に均一分散している組織を有するCo基焼結合金からなることを特徴とするパーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005220328A JP4553136B2 (ja) | 2005-07-29 | 2005-07-29 | パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005220328A JP4553136B2 (ja) | 2005-07-29 | 2005-07-29 | パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007031808A true JP2007031808A (ja) | 2007-02-08 |
JP4553136B2 JP4553136B2 (ja) | 2010-09-29 |
Family
ID=37791413
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005220328A Expired - Fee Related JP4553136B2 (ja) | 2005-07-29 | 2005-07-29 | パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4553136B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011070850A1 (ja) * | 2009-12-11 | 2011-06-16 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Co若しくはCo合金相に酸化物相を分散させたスパッタリングターゲット、Co若しくはCo合金相と酸化物相とからなる磁性体薄膜及び同磁性体薄膜を用いた磁気記録媒体 |
WO2012014504A1 (ja) * | 2010-07-29 | 2012-02-02 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 磁気記録膜用スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JP4897113B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2012-03-14 | Jx日鉱日石金属株式会社 | パーティクルの発生の少ないスパッタリングターゲット及び同ターゲットの製造方法 |
JP5009447B1 (ja) | 2010-12-21 | 2012-08-22 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 磁気記録膜用スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JP2013057111A (ja) * | 2011-09-09 | 2013-03-28 | Toppan Printing Co Ltd | 蒸着用材料、ガスバリア性蒸着フィルム及び該蒸着フィルムの製造方法 |
JP5301531B2 (ja) * | 2008-04-03 | 2013-09-25 | Jx日鉱日石金属株式会社 | パーティクルの発生の少ないスパッタリングターゲット |
US20140360870A1 (en) * | 2012-02-23 | 2014-12-11 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Ferromagnetic material sputtering target containing chromium oxide |
US9034154B2 (en) | 2009-03-03 | 2015-05-19 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target and process for producing same |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0873963A (ja) * | 1994-09-08 | 1996-03-19 | Japan Metals & Chem Co Ltd | 高酸素クロムターゲット用焼結成形体の製造方法 |
JP2002083411A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-03-22 | Sony Corp | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
-
2005
- 2005-07-29 JP JP2005220328A patent/JP4553136B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0873963A (ja) * | 1994-09-08 | 1996-03-19 | Japan Metals & Chem Co Ltd | 高酸素クロムターゲット用焼結成形体の製造方法 |
JP2002083411A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-03-22 | Sony Corp | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5301531B2 (ja) * | 2008-04-03 | 2013-09-25 | Jx日鉱日石金属株式会社 | パーティクルの発生の少ないスパッタリングターゲット |
US8936706B2 (en) | 2008-04-03 | 2015-01-20 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target with low generation of particles |
TWI447248B (zh) * | 2008-04-03 | 2014-08-01 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Reduced particle sputtering targets |
US9034154B2 (en) | 2009-03-03 | 2015-05-19 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target and process for producing same |
TWI496905B (zh) * | 2009-12-11 | 2015-08-21 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | A sputtering target having an oxide phase dispersed in a Co or Co alloy phase, a magnetic thin film composed of a Co or Co alloy phase and an oxide phase, and a magnetic recording medium using the magnetic thin film |
CN102656290A (zh) * | 2009-12-11 | 2012-09-05 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 在Co或Co合金相中分散有氧化物相的溅射靶、包含Co或Co合金相和氧化物相的磁性体薄膜及使用该磁性体薄膜的磁记录介质 |
JP4837801B2 (ja) * | 2009-12-11 | 2011-12-14 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Co若しくはCo合金相に酸化物相を分散させたスパッタリングターゲット |
WO2011070850A1 (ja) * | 2009-12-11 | 2011-06-16 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Co若しくはCo合金相に酸化物相を分散させたスパッタリングターゲット、Co若しくはCo合金相と酸化物相とからなる磁性体薄膜及び同磁性体薄膜を用いた磁気記録媒体 |
JP4897113B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2012-03-14 | Jx日鉱日石金属株式会社 | パーティクルの発生の少ないスパッタリングターゲット及び同ターゲットの製造方法 |
TWI496922B (zh) * | 2009-12-25 | 2015-08-21 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | A sputtering target for reducing particle generation, and a method for manufacturing the same |
WO2012014504A1 (ja) * | 2010-07-29 | 2012-02-02 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 磁気記録膜用スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
US9567665B2 (en) | 2010-07-29 | 2017-02-14 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target for magnetic recording film, and process for producing same |
JP5009447B1 (ja) | 2010-12-21 | 2012-08-22 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 磁気記録膜用スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
US9605339B2 (en) | 2010-12-21 | 2017-03-28 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target for magnetic recording film and process for production thereof |
JP2013057111A (ja) * | 2011-09-09 | 2013-03-28 | Toppan Printing Co Ltd | 蒸着用材料、ガスバリア性蒸着フィルム及び該蒸着フィルムの製造方法 |
US20140360870A1 (en) * | 2012-02-23 | 2014-12-11 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Ferromagnetic material sputtering target containing chromium oxide |
US9773653B2 (en) * | 2012-02-23 | 2017-09-26 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Ferromagnetic material sputtering target containing chromium oxide |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4553136B2 (ja) | 2010-09-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4553136B2 (ja) | パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット | |
JP5290468B2 (ja) | C粒子が分散したFe−Pt系スパッタリングターゲット | |
JP5587495B2 (ja) | C粒子が分散したFe−Pt系スパッタリングターゲット | |
TWI555866B (zh) | Magnetic particle sputtering target and its manufacturing method | |
JP5457615B1 (ja) | 磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
WO2012133166A1 (ja) | 磁気記録膜用スパッタリングターゲット | |
JP5705993B2 (ja) | C粒子が分散したFe−Pt−Ag−C系スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JP6285043B2 (ja) | 磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
WO2012011294A1 (ja) | パーティクル発生の少ない強磁性材スパッタリングターゲット | |
WO2012014504A1 (ja) | 磁気記録膜用スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JP6084711B2 (ja) | 磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
WO2013108520A1 (ja) | Co-Cr-Pt系スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JPWO2010074171A1 (ja) | スパッタリングターゲットおよび膜の形成方法 | |
JP5024661B2 (ja) | パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Co基焼結合金スパッタリングターゲット | |
JP5801496B2 (ja) | スパッタリングターゲット | |
JP2006176808A (ja) | 磁気記録膜形成用CoCrPt−SiO2スパッタリングターゲットの製造方法 | |
JP4962905B2 (ja) | パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Co基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法 | |
JP2006176810A (ja) | 磁気記録膜形成用CoCrPt−SiO2スパッタリングターゲットの製造方法 | |
TWI668311B (zh) | Sputtering target | |
JP2005097657A (ja) | パーティクル発生の少ない磁性層形成用スパッタリングターゲット | |
JP4968445B2 (ja) | パーティクル発生の少ない高密度磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット | |
JP5024660B2 (ja) | パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Co基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法 | |
JP5024659B2 (ja) | パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Co基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法 | |
JP4968449B2 (ja) | パーティクル発生の少ない高密度磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット | |
JP6062586B2 (ja) | 磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080321 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100611 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100623 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130723 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100706 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |