JP5763178B2 - パーティクル発生の少ない強磁性材スパッタリングターゲット - Google Patents
パーティクル発生の少ない強磁性材スパッタリングターゲット Download PDFInfo
- Publication number
- JP5763178B2 JP5763178B2 JP2013510395A JP2013510395A JP5763178B2 JP 5763178 B2 JP5763178 B2 JP 5763178B2 JP 2013510395 A JP2013510395 A JP 2013510395A JP 2013510395 A JP2013510395 A JP 2013510395A JP 5763178 B2 JP5763178 B2 JP 5763178B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- average particle
- target
- particle diameter
- mixed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C19/00—Alloys based on nickel or cobalt
- C22C19/07—Alloys based on nickel or cobalt based on cobalt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Manufacture Of Alloys Or Alloy Compounds (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
本発明は、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特に垂直磁気記録方式を採用したハードディスクの磁気記録層の成膜に使用される強磁性材スパッタリングターゲットに関し、漏洩磁束が大きくマグネトロンスパッタ装置でスパッタする際に安定した放電が得られる、パーティクル発生の少ないスパッタリングターゲットに関する。
ハードディスクドライブに代表される磁気記録の分野では、記録を担う磁性薄膜の材料として、強磁性金属であるＣｏ、Ｆｅ、あるいはＮｉをベースとした材料が用いられている。例えば、面内磁気記録方式を採用するハードディスクの記録層にはＣｏを主成分とするＣｏ−Ｃｒ系やＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系の強磁性合金が用いられてきた。
また、近年実用化された垂直磁気記録方式を採用するハードディスクの記録層には、Ｃｏを主成分とするＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系の強磁性合金と非磁性の無機物からなる複合材料が多く用いられている。
また、近年実用化された垂直磁気記録方式を採用するハードディスクの記録層には、Ｃｏを主成分とするＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系の強磁性合金と非磁性の無機物からなる複合材料が多く用いられている。
そしてハードディスクなどの磁気記録媒体の磁性薄膜は、生産性の高さから、上記の材料を成分とする強磁性材スパッタリングターゲットをスパッタリングして作製されることが多い。
このような強磁性材スパッタリングターゲットの作製方法としては、溶解法や粉末冶金法が考えられる。どちらの手法で作製するかは、要求される特性によるので一概には言えないが、垂直磁気記録方式のハードディスクの記録層に使用される、強磁性合金と非磁性の無機物粒子からなるスパッタリングターゲットは、一般に粉末冶金法によって作製されている。これは無機物粒子を合金素地中に均一に分散させる必要があるため、溶解法では作製することが困難だからである。
例えば、Ｃｏ粉末とＣｒ粉末とＴｉＯ２粉末とＳｉＯ２粉末を混合して得られた混合粉末とＣｏ球形粉末を遊星運動型ミキサーで混合し、この混合粉をホットプレスにより成形し磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを得る方法が提案されている（特許文献１）。
この場合のターゲット組織は、無機物粒子が分散した金属素地である相（Ａ）の中に、周囲の組織より透磁率が高い球形の金属相（Ｂ）を有している様子が見える（特許文献１の図１）。このような組織は、漏洩磁束向上の点では良いが、スパッタ時のパーティクルの発生抑制の点からは好適な磁気記録媒体用スパッタリングターゲットとは言えない。
また、Ｃｏ粉末とＣｒ粉末とＳｉＯ２粉末を混合して得られた混合粉末とＣｏアトマイズ粉末をアトライタに投入して粉砕・混合し、この混合粉末をホットプレスにより成形し磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを得る方法が提案されている（特許文献２）。
この場合のターゲット組織は、金属素地である相（Ａ）の中に、周囲の組織より透磁率が高い金属相（Ｂ）が楔のような形状を有している様子が見える（特許文献２の図１）。このような組織は、スパッタ時のパーティクルの発生抑制の点では良いものの、漏洩磁束向上の点からは好適な磁気記録媒体用スパッタリングターゲットとは言えない。
また、アトマイズ法により作製したＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金粉末にＳｉＯ２の粉末を混合した後、ボールミルによりメカニカルアロイングを施し、酸化物をＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金粉末に分散させ、ホットプレスにより成形し、Ｃｏ系合金磁性膜用スパッタリングターゲットを得る方法が提案されている（特許文献３）。
この場合のターゲット組織は、図が不鮮明であるが、大きな白い球状の組織（Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金）のまわりを黒い部分（ＳｉＯ２）が取り囲んでいる形状を備えている。このような組織も、好適な磁気記録媒体用スパッタリングターゲットとは言えない。
また、Ｃｏ−Ｃｒ二元系合金粉末とＰｔ粉末とＳｉＯ２粉末を混合して、得られた混合粉末をホットプレスすることにより、磁気記録媒体薄膜形成用スパッタリングターゲットを得る方法が提案されている（特許文献４）。
この場合のターゲット組織は、図によって示されていないが、Ｐｔ相、ＳｉＯ２相およびＣｏ-Ｃｒ二元系合金相が見られ、Ｃｏ-Ｃｒ二元系合金層の周囲に拡散層が観察できたことが記載されている。このような組織も、好適な磁気記録媒体用スパッタリングターゲットとは言えない。
スパッタリング装置には様々な方式のものがあるが、上記の磁気記録膜の成膜では、生産性の高さからＤＣ電源を備えたマグネトロンスパッタリング装置が広く用いられている。スパッタリング法とは、正の電極となる基板と負の電極となるターゲットを対向させ、不活性ガス雰囲気下で、該基板とターゲット間に高電圧を印加して電場を発生させるものである。
この時、不活性ガスが電離し、電子と陽イオンからなるプラズマが形成されるが、このプラズマ中の陽イオンがターゲット（負の電極）の表面に衝突するとターゲットを構成する原子が叩き出されるが、この飛び出した原子が対向する基板表面に付着して膜が形成される。このような一連の動作により、ターゲットを構成する材料が基板上に成膜されるという原理を用いたものである。
一般に、マグネトロンスパッタ装置で強磁性材スパッタリングターゲットをスパッタしようとすると、磁石からの磁束の多くは強磁性体であるターゲット内部を通過してしまうため、漏洩磁束が少なくなり、スパッタ時に放電が立たない、あるいは放電しても放電が安定しないという大きな問題が生じる。
この問題を解決するには、スパッタリングターゲットの製造工程で３０μｍ〜１５０μｍ程度の金属粗粒を投入し、漏洩磁束を向上させることが知られている。金属粗粒の投入量を増加するほど、漏洩磁束が大きくなる傾向にあるが、一方で、金属素地中に分散している酸化物の含有率が増加して凝集しやすくなる。その結果、ターゲット中の凝集した酸化物がスパッタリング中において脱離し、パーティクルが発生するという問題がある。
このように、従来では、マグネトロンスパッタリングの場合であっても、スパッタリングターゲットの比透磁率を小さくして、漏洩磁束を大きくすることにより、安定的な放電を得ることができたが、スパッタ時に凝集した酸化物の脱離が原因となって、パーティクルが増加する傾向にあった。
本発明は上記問題を鑑みて、マグネトロンスパッタ装置で安定した放電が得られるとともに、スパッタ時のパーティクル発生が少ない、漏洩磁束を向上させた強磁性材スパッタリングターゲットを提供することを課題とする。
本発明は上記問題を鑑みて、マグネトロンスパッタ装置で安定した放電が得られるとともに、スパッタ時のパーティクル発生が少ない、漏洩磁束を向上させた強磁性材スパッタリングターゲットを提供することを課題とする。
上記の課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、ターゲットの組織構造を調整することにより、漏洩磁束の大きく、かつ、パーティクル発生の少ないターゲットが得られることを見出した。
このような知見に基づき、本発明は、
１）Ｃｒが２０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである組成の金属からなるスパッタリングターゲットであって、このターゲット組織が、金属素地に酸化物からなる非磁性材料が分散した相（Ａ）と、Ｃｏを４０ｍｏｌ％以上含む金属相（Ｂ）を有し、前記相（Ａ）において酸化物からなる非磁性材料粒子の面積率が５０％以下であり、かつ前記相（Ｂ）に外接する面積が最小となる長方形を仮想した場合に、その外接する長方形の短辺が２μｍ〜３００μｍであるものの存在率が、全ての相（Ｂ）の９０％以上であることを特徴とする非磁性材料分散型スパッタリングターゲット。
１）Ｃｒが２０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである組成の金属からなるスパッタリングターゲットであって、このターゲット組織が、金属素地に酸化物からなる非磁性材料が分散した相（Ａ）と、Ｃｏを４０ｍｏｌ％以上含む金属相（Ｂ）を有し、前記相（Ａ）において酸化物からなる非磁性材料粒子の面積率が５０％以下であり、かつ前記相（Ｂ）に外接する面積が最小となる長方形を仮想した場合に、その外接する長方形の短辺が２μｍ〜３００μｍであるものの存在率が、全ての相（Ｂ）の９０％以上であることを特徴とする非磁性材料分散型スパッタリングターゲット。
また、本発明は、
２）Ｃｒが２０ｍｏｌ％以下、Ｐｔが５ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである組成の金属からなるスパッタリングターゲットであって、このターゲット組織が、金属素地に酸化物からなる非磁性材料が分散した相（Ａ）と、Ｃｏを４０ｍｏｌ％以上含む金属相（Ｂ）を有し、前記相（Ａ）において酸化物からなる非磁性材料粒子の面積率が５０％以下であり、かつ前記金属相（Ｂ）に外接する面積が最小となる長方形を仮想した場合に、その外接する長方形の短辺が２μｍ〜３００μｍであるものの存在率が、全ての相（Ｂ）の９０％以上であることを特徴とする非磁性材料分散型スパッタリングターゲット。
２）Ｃｒが２０ｍｏｌ％以下、Ｐｔが５ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである組成の金属からなるスパッタリングターゲットであって、このターゲット組織が、金属素地に酸化物からなる非磁性材料が分散した相（Ａ）と、Ｃｏを４０ｍｏｌ％以上含む金属相（Ｂ）を有し、前記相（Ａ）において酸化物からなる非磁性材料粒子の面積率が５０％以下であり、かつ前記金属相（Ｂ）に外接する面積が最小となる長方形を仮想した場合に、その外接する長方形の短辺が２μｍ〜３００μｍであるものの存在率が、全ての相（Ｂ）の９０％以上であることを特徴とする非磁性材料分散型スパッタリングターゲット。
さらに、本発明は、
３）Ｐｔが５ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである組成の金属からなるスパッタリングターゲットであって、このターゲット組織が、金属素地に酸化物からなる非磁性材料が分散した相（Ａ）と、Ｃｏを４０ｍｏｌ％以上含む金属相（Ｂ）を有し、前記相（Ａ）において酸化物からなる非磁性材料粒子の面積率が５０％以下であり、かつ前記金属相（Ｂ）に外接する面積が最小となる長方形を仮想した場合に、その外接する長方形の短辺が２μｍ〜３００μｍであるものの存在率が、全ての相（Ｂ）の９０％以上であることを特徴とする非磁性材料分散型スパッタリングターゲット。
３）Ｐｔが５ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである組成の金属からなるスパッタリングターゲットであって、このターゲット組織が、金属素地に酸化物からなる非磁性材料が分散した相（Ａ）と、Ｃｏを４０ｍｏｌ％以上含む金属相（Ｂ）を有し、前記相（Ａ）において酸化物からなる非磁性材料粒子の面積率が５０％以下であり、かつ前記金属相（Ｂ）に外接する面積が最小となる長方形を仮想した場合に、その外接する長方形の短辺が２μｍ〜３００μｍであるものの存在率が、全ての相（Ｂ）の９０％以上であることを特徴とする非磁性材料分散型スパッタリングターゲット。
さらに、本発明は、
４）前記金属相（Ｂ）に外接する面積が最小となる長方形を仮想した場合に、その外接する長方形のアスペクト比が１：１〜１：１５であることを特徴とする上記１）〜３）のいずれかに記載の非磁性材料分散型強磁性材スパッタリングターゲット。
５）金属素地が添加元素として、さらにＢ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗから選択した１元素以上を、０．５ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下を含有し、残余がＣｏであることを特徴とする上記１）〜４）のいずれか一項に記載の強磁性材スパッタリングターゲット。
４）前記金属相（Ｂ）に外接する面積が最小となる長方形を仮想した場合に、その外接する長方形のアスペクト比が１：１〜１：１５であることを特徴とする上記１）〜３）のいずれかに記載の非磁性材料分散型強磁性材スパッタリングターゲット。
５）金属素地が添加元素として、さらにＢ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗから選択した１元素以上を、０．５ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下を含有し、残余がＣｏであることを特徴とする上記１）〜４）のいずれか一項に記載の強磁性材スパッタリングターゲット。
このように調整したターゲットは、漏洩磁束が大きく、マグネトロンスパッタ装置で使用したとき、不活性ガスの電離促進が効率的に進み、安定した放電が得られるので、
ターゲットの厚みを厚くすることができるため、ターゲットの交換頻度が少なくなり、低コストで磁性体薄膜を製造できるというメリットがある。また、パーティクル発生が少ないため、スパッタ成膜した磁気記録膜の不良品が少なくなり、コスト削減が可能となるというメリットがある。
ターゲットの厚みを厚くすることができるため、ターゲットの交換頻度が少なくなり、低コストで磁性体薄膜を製造できるというメリットがある。また、パーティクル発生が少ないため、スパッタ成膜した磁気記録膜の不良品が少なくなり、コスト削減が可能となるというメリットがある。
本発明の強磁性材スパッタリングターゲットを構成する成分は、Ｃｒが２０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである金属と、またはＣｒが２０ｍｏｌ％以下、Ｐｔが５ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである金属である。なお、前記Ｃｒは、０ｍｏｌ％を除く。すなわち、分析可能な下限値以上のＣｒ量を含有させるものである。Ｃｒ量が２０ｍｏｌ％以下であれば、微量添加する場合においても効果がある。本願発明は、これらを包含する。
また、本発明の強磁性材スパッタリングターゲットを構成する成分は、Ｐｔが５ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである金属である。配合割合は上記範囲内で様々であるが、いずれも有効な磁気記録媒体としての特性を維持することができる。
本発明において、ターゲットの組織は、周囲の組織より透磁率が高い金属相（Ｂ）が、金属素地に酸化物からなる非磁性材料粒子が分散した相（Ａ）によって各々分断された構造になっている。
本発明において、ターゲットの組織は、周囲の組織より透磁率が高い金属相（Ｂ）が、金属素地に酸化物からなる非磁性材料粒子が分散した相（Ａ）によって各々分断された構造になっている。
本発明において重要なことは、スパッタリングターゲットの任意の切断面において、相（Ａ）の面積に対する、酸化物からなる非磁性材料粒子の面積率を調整することである（以下同様に、本願明細書では、任意の切断面での面積率、相形状、寸法を意味する。）。
酸化物からなる非磁性材料粒子の面積率は５０％以下とするのが望ましい。面積率が５０％を超える場合は、酸化物の中に金属成分が島状に分散する組織となってしまい、酸化物同士が凝集しやすくなる。したがって、面積率は５０％以下とするのが望ましい。
酸化物からなる非磁性材料粒子の面積率は５０％以下とするのが望ましい。面積率が５０％を超える場合は、酸化物の中に金属成分が島状に分散する組織となってしまい、酸化物同士が凝集しやすくなる。したがって、面積率は５０％以下とするのが望ましい。
酸化物からなる非磁性材料粒子の面積率は、Ｃｏ粉末とＣｏアトマイズ粉（又はＣｏ粗粉）の相対的な投入量を変化させることにより調整することができる。つまり、Ｃｏ粉末の投入量を相対的に増やし、Ｃｏアトマイズ粉（又はＣｏ粗粉）の投入量を相対的に減らせば、相（Ａ）におけるＣｏ量が相対的に増加して、酸化物からなる非磁性材料粒子の面積率を減少させることができる。
金属相（Ｂ）は、金属相（Ｂ）に外接する面積が最小となる長方形を仮想した場合に、その長方形の短辺が２μｍ〜３００μｍであるのが望ましい。図１に示すように、相（Ａ）には細かい酸化物からなる無機物材料の粒子が存在している（図１で微細に分散した黒い部分が無機物材料の粒子である）が、金属相（Ｂ）に外接する面積が最小となる長方形を仮想した場合に、その外接する長方形の短辺が２μｍ未満の場合は、無機物材料の粒子と混在している金属との粒サイズ差が小さくなるので、ターゲット素材を焼結させる際に、金属相（Ｂ）の拡散が進むことにより、金属相（Ｂ）の存在が不明確になってしまい、漏洩磁束密度の向上の効果が失われる。
したがって、相（Ｂ）の中で、長方形の短辺が２μｍ未満のものはできるだけ少ない方が良い。なお、一定の長さ以上が必要である短辺の長さが、金属相（Ｂ）による漏洩磁束密度への作用・効果の決定要因となるので、短辺を規定することが必要となる。この意味から短辺よりも長い長辺の規定は、下記に記述するさらに良好な範囲を規定する場合を除き、特に不要であることが理解できるであろう。
一方、３００μｍを超える場合には、スパッタリングが進むにつれてターゲット表面の平滑性が失われ、パーティクルの問題が発生しやすくなることがある。従って、金属相（Ｂ）に外接する面積が最小となる長方形を仮想した場合に、その外接する長方形の短辺は２μｍ〜３００μｍとするのが良く、その存在率が、全ての相（Ｂ）の９０％以上であること、さらに９５％以上であることが望ましい。
特に、外接する長方形の短辺が３００μｍを超えるものが存在しないことが良い。外接する長方形の短辺が２μｍ未満の相（Ｂ）が１０％程度存在しても、これらは殆ど無視できる。すなわち、長方形の短辺が２μｍ〜３００μｍである相（Ｂ）の存在が重要であり、意味がある。以上から、長方形の短辺が２μｍ〜３００μｍである相（Ｂ）の存在率が、全ての相（Ｂ）の９０％以上、さらには９５％以上であると定義することができる。
また、本発明において、金属相（Ｂ）に外接する面積が最小となる長方形を仮想した場合に、その長方形のアスペクト比が１：１〜１：１５であるのが望ましい。長方形のアスペクト比は、短辺と長辺の長さの比となるが、短辺が２μｍの場合には、１：１５の長辺の長さは、２μｍ〜３０μｍの範囲となる。短辺がさらに長くなれば、長辺の長さも長くなるが、長方形のアスペクト比がさらに大きくなることは、紐状の異形の金属相（Ｂ）になる可能性があるので、長方形のアスペクト比が１：１〜１：１５となるように、作製することが望ましい。
しかし、これは絶対条件ではなく、紐状の異形の金属相（Ｂ）も本願発明においては、許容される条件ではある。このように、本願発明においては、金属相の脱落を防止できるため、歩留まり低下の原因となるパーティクルの発生量を低減することができる。
しかし、これは絶対条件ではなく、紐状の異形の金属相（Ｂ）も本願発明においては、許容される条件ではある。このように、本願発明においては、金属相の脱落を防止できるため、歩留まり低下の原因となるパーティクルの発生量を低減することができる。
また、本発明において、金属相（Ｂ）は、Ｃｏを４０ｍｏｌ％以上含むＣｏ合金相であることが望ましい。この場合、漏洩磁束の大きいターゲットとなり、安定した放電が得られるので、強磁性材スパッタリングターゲットに好適な特性を備える。金属相（Ｂ）の最大透磁率を高く維持するためには、Ｃｏの濃度が高い方が望ましい。なお、金属相（Ｂ）のＣｏ含有量は、ＥＰＭＡを用いて測定することができる。また、他の測定方法の利用を妨げるものではなく、相（Ｂ）のＣｏ量を測定できる分析方法であれば、同様に適用できる。
また、本発明において、金属素地への添加元素として、さらにＢ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗから選択した１元素以上を０．５ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下の配合比で含有させることも可能である。したがって、これらの元素を添加した場合には、残余がＣｏとなる。これらは磁気記録媒体としての特性を向上させるために、必要に応じて添加される元素である。
このように調整したターゲットは、漏洩磁束の大きいターゲットとなり、マグネトロンスパッタ装置で使用したとき、不活性ガスの電離促進が効率的に進み、安定した放電が得られる。また、ターゲットの厚みを厚くすることができるため、ターゲットの交換頻度が少なくなり、低コストで磁性体薄膜を製造できるというメリットがある。
そして、さらにはエロージョン速度の偏りを軽減でき、金属相の脱落を防止することができるため、歩留まり低下の原因となるパーティクルの発生量を低減させることができるというメリットがある。
そして、さらにはエロージョン速度の偏りを軽減でき、金属相の脱落を防止することができるため、歩留まり低下の原因となるパーティクルの発生量を低減させることができるというメリットがある。
本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製される。まず各金属元素の粉末と、さらに必要に応じて添加金属元素の粉末を用意する。これらの粉末は最大粒径が２０μｍ以下のものを用いることが望ましい。また、各金属元素の粉末の代わりにこれら金属の合金粉末を用意してもよいが、その場合も最大粒径が２０μｍ以下とすることが望ましい。
一方、小さ過ぎると、酸化が促進されて成分組成が範囲内に入らないなどの問題があるため、０．１μｍ以上とすることがさらに望ましい。
そして、これらの金属粉末を所望の組成になるように秤量し、ボールミル等の公知の手法を用いて粉砕を兼ねて混合する。無機物粉末を添加する場合は、この段階で金属粉末と混合すればよい。
無機物粉末としては酸化物粉末を用意するが、無機物粉末は最大粒径が５μｍ以下のものを用いることが望ましい。一方、小さ過ぎると凝集しやすくなるため、０．１μｍ以上のものを用いることがさらに望ましい。
そして、これらの金属粉末を所望の組成になるように秤量し、ボールミル等の公知の手法を用いて粉砕を兼ねて混合する。無機物粉末を添加する場合は、この段階で金属粉末と混合すればよい。
無機物粉末としては酸化物粉末を用意するが、無機物粉末は最大粒径が５μｍ以下のものを用いることが望ましい。一方、小さ過ぎると凝集しやすくなるため、０．１μｍ以上のものを用いることがさらに望ましい。
Ｃｏ原料の一部として、Ｃｏ粗粉又はＣｏアトマイズ粉を使用する。このとき、酸化物の面積率が５０％を超えないように、Ｃｏ粗粉又はＣｏアトマイズ粉の混合割合を適宜調整する。直径が５０μｍ〜１５０μｍの範囲にあるＣｏアトマイズ粉末を用意し、アトライタを用いて、Ｃｏアトマイズ粉と上記の混合粉末とを粉砕・混合する。
ここで、混合装置としては、ボールミル、乳鉢などを使用することができるが、ボールミルなどの強力な混合方法を用いることが望ましい。
ここで、混合装置としては、ボールミル、乳鉢などを使用することができるが、ボールミルなどの強力な混合方法を用いることが望ましい。
または、用意したＣｏアトマイズ粉末を個別で粉砕して、直径が５０μｍ〜３００μｍの範囲にあるＣｏ粗粉を作製し、上記の混合粉末と混合することができる。混合装置としては、ボールミル、ニューグラマシン（攪拌機）、ミキサー、乳鉢などが好ましい。また、混合中の酸化の問題を考慮すると、不活性ガス雰囲気中あるいは真空中で混合することが好ましい。
このようにして得られた粉末を、真空ホットプレス装置を用いて成型・焼結し、所望の形状へ切削加工することで、本発明の強磁性材スパッタリングターゲットが作製される。なお、粉砕により形状が破壊されたＣｏ粉末は、ターゲットの組織において観察される扁平状もしくは球状の金属相（Ｂ）になる場合が多い。
また、成型・焼結は、ホットプレスに限らず、プラズマ放電焼結法、熱間静水圧焼結法を使用することもできる。焼結時の保持温度はターゲットが十分緻密化する温度域のうち最も低い温度に設定するのが好ましい。ターゲットの組成にもよるが、多くの場合、８００〜１２００°Ｃの温度範囲にある。焼結温度を低めに抑えることによって、焼結体の結晶成長を抑制することができるからである。また、焼結時の圧力は３００〜５００ｋｇ／ｃｍ２であることが好ましい。
以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。
（実施例１、比較例１）
実施例１では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、直径が５０〜３００μｍの範囲にあるＣｏ粗粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−１２Ｃｒ−１４Ｐｔ−８ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、ＳｉＯ２粉末、Ｃｏ粗粉を秤量した。
実施例１では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、直径が５０〜３００μｍの範囲にあるＣｏ粗粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−１２Ｃｒ−１４Ｐｔ−８ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、ＳｉＯ２粉末、Ｃｏ粗粉を秤量した。
次に、Ｃｏ粉末とＣｒ粉末とＰｔ粉末とＳｉＯ２粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。さらに、得られた混合粉末とＣｏ粗粉をアトライタに投入して、粉砕・混合した。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１００°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットを得た。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１００°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットを得た。
（パーティクル数の評価について）
パーティクル数の評価は、通常、製品で用いる膜厚（記録層の厚さは５〜１０ｎｍ）ではパーティクル数の差が見えにくいため、膜厚を通常の２００倍程度に厚膜にして（厚さは１０００ｎｍ）、パーティクルの絶対数を増やすことで評価した。この結果を、表１に記載した。
パーティクル数の評価は、通常、製品で用いる膜厚（記録層の厚さは５〜１０ｎｍ）ではパーティクル数の差が見えにくいため、膜厚を通常の２００倍程度に厚膜にして（厚さは１０００ｎｍ）、パーティクルの絶対数を増やすことで評価した。この結果を、表１に記載した。
（漏洩磁束の測定方法について）
また、漏洩磁束の測定は、ＡＳＴＭ Ｆ２０８６−０１（Standard Test Method for Pass Through Flux of Circular Magnetic Sputtering Targets, Method 2）に則して実施した。ターゲットの中心を固定し、０度、３０度、６０度、９０度、１２０度と回転させて測定した漏洩磁束密度を、ＡＳＴＭで定義されているreference fieldの値で割り返し、１００を掛けてパーセントで表した。そしてこれら５点について平均した結果を、平均漏洩磁束密度（％）として表１に記載した。
また、漏洩磁束の測定は、ＡＳＴＭ Ｆ２０８６−０１（Standard Test Method for Pass Through Flux of Circular Magnetic Sputtering Targets, Method 2）に則して実施した。ターゲットの中心を固定し、０度、３０度、６０度、９０度、１２０度と回転させて測定した漏洩磁束密度を、ＡＳＴＭで定義されているreference fieldの値で割り返し、１００を掛けてパーセントで表した。そしてこれら５点について平均した結果を、平均漏洩磁束密度（％）として表１に記載した。
（金属相（Ｂ）の大きさ及びアスペクト比の測定方法について）
また、金属相（Ｂ）の大きさの測定は、焼結体（スパッタリングターゲットを含む）の切断面を用いて、２２０倍の視野において存在する金属相（Ｂ）に外接する（面積が最小となる）長方形を仮想し、その短辺と長辺を測定した。
この結果、金属相（Ｂ）に外接する面積が最小となる長方形を仮想した場合に、その外接する長方形の短辺が２μｍ〜３００μｍであるものが殆どであり、短辺が２μｍ未満のものは５％にも満たなかった。また、短辺が３００μｍを超えるものは、存在しなかった。また、１視野におけるアスペクト比の最大値と最小値を求め、そしてこれを任意の５視野において実施し、これらのアスペクト比の最大値と最小値を求めた。なお、視野の一部のみに含まれる金属相（Ｂ）は除いた。この結果、前記外接する長方形のアスペクト比は１：１〜１：１５の範囲にあった。以上の結果を、表１に示す。
また、金属相（Ｂ）の大きさの測定は、焼結体（スパッタリングターゲットを含む）の切断面を用いて、２２０倍の視野において存在する金属相（Ｂ）に外接する（面積が最小となる）長方形を仮想し、その短辺と長辺を測定した。
この結果、金属相（Ｂ）に外接する面積が最小となる長方形を仮想した場合に、その外接する長方形の短辺が２μｍ〜３００μｍであるものが殆どであり、短辺が２μｍ未満のものは５％にも満たなかった。また、短辺が３００μｍを超えるものは、存在しなかった。また、１視野におけるアスペクト比の最大値と最小値を求め、そしてこれを任意の５視野において実施し、これらのアスペクト比の最大値と最小値を求めた。なお、視野の一部のみに含まれる金属相（Ｂ）は除いた。この結果、前記外接する長方形のアスペクト比は１：１〜１：１５の範囲にあった。以上の結果を、表１に示す。
（酸化物の面積率の測定方法について）
酸化物の占める面積率は、焼結体（スパッタリングターゲットを含む）の切断面を顕微鏡で観察し、２２０倍の視野において存在する酸化物の面積を測定し、これを視野全体の面積で割ることにより求めることができる。詳細には、顕微鏡写真では金属相は白く、酸化物は黒く見えることから、画像処理ソフトを用いて２値化して、それぞれの面積を算出することができる。精度を上げるために任意の５視野において実施し、平均とすることができる。なお、アスペクト比の測定と同様に、視野の一部分のみに含まれる酸化物は除いた。この結果を表１に記載した。
酸化物の占める面積率は、焼結体（スパッタリングターゲットを含む）の切断面を顕微鏡で観察し、２２０倍の視野において存在する酸化物の面積を測定し、これを視野全体の面積で割ることにより求めることができる。詳細には、顕微鏡写真では金属相は白く、酸化物は黒く見えることから、画像処理ソフトを用いて２値化して、それぞれの面積を算出することができる。精度を上げるために任意の５視野において実施し、平均とすることができる。なお、アスペクト比の測定と同様に、視野の一部分のみに含まれる酸化物は除いた。この結果を表１に記載した。
比較例１では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末を用意した。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−１２Ｃｒ−１４Ｐｔ−８ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、ＳｉＯ２粉末を秤量した。Ｃｏ粗粉やＣｏアトマイズ粉は使用しなかった。
そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１００℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を表１に示す。
表１に示すとおり、実施例１の定常状態のパーティクル数が１０．２個であり、比較例１の１０．４個より減少していることが確認された。また、実施例１の平均漏洩磁束密度は６１．３％となり、比較例１の４７．１％より大きく向上したことが確認された。
また、上記の通り、光学顕微鏡で観察した結果、金属相（Ｂ）に外接する長方形の短辺の長さは２〜３００μｍであり、アスペクト比分布は１：１〜１：１５であって、球状のものと扁平状のものが混在していることが確認された。また、相（Ａ）における酸化物の面積率は３８．００％であり、５０％以下であることが確認された。
また、上記の通り、光学顕微鏡で観察した結果、金属相（Ｂ）に外接する長方形の短辺の長さは２〜３００μｍであり、アスペクト比分布は１：１〜１：１５であって、球状のものと扁平状のものが混在していることが確認された。また、相（Ａ）における酸化物の面積率は３８．００％であり、５０％以下であることが確認された。
実施例１のターゲット研磨面を、光学顕微鏡で観察したときの組織画像を図１に、比較例１を図２に示す。図１において、黒っぽくみえている箇所が、酸化物が均一に分散した金属素地である相（Ａ）に対応する。白く見えている箇所が、金属相（Ｂ）である。
（実施例２、比較例２−１）
実施例２では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末、直径が５０μｍ〜１５０μｍの範囲にあるＣｏアトマイズ粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−９Ｃｒ−１３Ｐｔ−４Ｒｕ−７ＳｉＯ２−３Ｃｒ２Ｏ３（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、Ｒｕ粉末、ＳｉＯ２粉末、Ｃｒ２Ｏ３粉末、Ｃｏアトマイズ粉を秤量した。
実施例２では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末、直径が５０μｍ〜１５０μｍの範囲にあるＣｏアトマイズ粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−９Ｃｒ−１３Ｐｔ−４Ｒｕ−７ＳｉＯ２−３Ｃｒ２Ｏ３（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、Ｒｕ粉末、ＳｉＯ２粉末、Ｃｒ２Ｏ３粉末、Ｃｏアトマイズ粉を秤量した。
次に、Ｃｏ粉末とＣｒ粉末とＰｔ粉末とＲｕ粉末とＳｉＯ２粉末とＣｒ２Ｏ３粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とＣｏアトマイズ粉をボール容量約７リットルの遊星運動型ミキサーで１０分間混合した。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を、表１に示す。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を、表１に示す。
比較例２−１では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径８μｍのＲｕ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末を用意した。Ｃｏ粗粉やＣｏアトマイズ粉は使用しなかった。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−９Ｃｒ−１３Ｐｔ−４Ｒｕ−７ＳｉＯ２−３Ｃｒ２Ｏ３（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、Ｒｕ粉末、ＳｉＯ２粉末、Ｃｒ２Ｏ３粉末を秤量した。
そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。
次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１００℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を表１に示す。
表１に示す通り、実施例２の定常状態のパーティクル数が１１．１個であり、比較例２−１の１０．５より若干増加したが、依然として従来に比べてパーティクルの少ないターゲットが得られた。また、実施例２の平均漏洩磁束密度は６５．７％であり、比較例２−１の４０．１％より漏洩磁束密度が高いターゲットが得られた。
また、光学顕微鏡で観察した結果、金属相（Ｂ）に外接する長方形の短辺の長さは５μｍ〜３００μｍであり、短辺が２μｍ未満のものは５％にも満たなかった。また、短辺が３００μｍを超えるものは、存在しなかった。アスペクト比分布は１：１〜１：８であって、球状のものと扁平状のものが混在していることが確認された。また、相（Ａ）における酸化物の面積率は５０．００％であり、５０％以下であることが確認された。
また、光学顕微鏡で観察した結果、金属相（Ｂ）に外接する長方形の短辺の長さは５μｍ〜３００μｍであり、短辺が２μｍ未満のものは５％にも満たなかった。また、短辺が３００μｍを超えるものは、存在しなかった。アスペクト比分布は１：１〜１：８であって、球状のものと扁平状のものが混在していることが確認された。また、相（Ａ）における酸化物の面積率は５０．００％であり、５０％以下であることが確認された。
実施例２のターゲット研磨面を、光学顕微鏡で観察したときの組織画像を図３に、比較例２−１を図４に示す。図３において、黒っぽくみえている箇所が、酸化物が均一に分散した金属素地である相（Ａ）に対応する。白く見えている箇所が、金属相（Ｂ）である。実施例２のターゲットを相（Ａ）のみが見える視野で光学顕微鏡観察したときの組織画像を図５に示す。
図５において、黒っぽくみえている箇所が、酸化物からなる非磁性材料粒子に対応する。白く見えている箇所が金属素地に対応する。この図５の組織画像に示すように、上記実施例２において極めて特徴的なのは、酸化物の強い凝集が見られないことである。
図５において、黒っぽくみえている箇所が、酸化物からなる非磁性材料粒子に対応する。白く見えている箇所が金属素地に対応する。この図５の組織画像に示すように、上記実施例２において極めて特徴的なのは、酸化物の強い凝集が見られないことである。
（比較例２−２）
比較例２−２では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径８μｍのＲｕ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末、Ｃｏアトマイズ粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−９Ｃｒ−１３Ｐｔ−４Ｒｕ−７ＳｉＯ２−３Ｃｒ２Ｏ３（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、Ｒｕ粉末、ＳｉＯ２粉末、Ｃｒ２Ｏ３粉末、Ｃｏアトマイズ粉を秤量した。このとき、相対的にＣｏ粉末の量を減らし、Ｃｏアトマイズ粉の量を増やした。
比較例２−２では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径８μｍのＲｕ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末、Ｃｏアトマイズ粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−９Ｃｒ−１３Ｐｔ−４Ｒｕ−７ＳｉＯ２−３Ｃｒ２Ｏ３（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、Ｒｕ粉末、ＳｉＯ２粉末、Ｃｒ２Ｏ３粉末、Ｃｏアトマイズ粉を秤量した。このとき、相対的にＣｏ粉末の量を減らし、Ｃｏアトマイズ粉の量を増やした。
そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。
次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１００℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を表１に示す。
次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１００℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を表１に示す。
表１に示す通り、比較例２−２の相（Ａ）における酸化物の面積率は５８．００％であり、５０％以上であった。このとき、平均漏洩磁束密度は７０．８％であり、漏洩磁束密度が高いターゲットが得られたが、定常状態のパーティクル数は４８．１個と実施例２に比べて、著しくパーティクルが増加した。
（実施例３、比較例３）
実施例３では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径６μｍのＣｏ−Ｂ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、直径が５０μｍ〜１５０μｍの範囲にあるＣｏアトマイズ粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−１３Ｃｒ−１３Ｐｔ−３Ｂ−７ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、Ｃｏ−Ｂ粉末、ＳｉＯ２粉末、Ｃｏアトマイズ粉を秤量した。
実施例３では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径６μｍのＣｏ−Ｂ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、直径が５０μｍ〜１５０μｍの範囲にあるＣｏアトマイズ粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−１３Ｃｒ−１３Ｐｔ−３Ｂ−７ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、Ｃｏ−Ｂ粉末、ＳｉＯ２粉末、Ｃｏアトマイズ粉を秤量した。
次に、Ｃｏ粉末とＣｒ粉末とＰｔ粉末とＣｏ−Ｂ粉末とＳｉＯ２粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とＣｏアトマイズ粉をボール容量約７リットルの遊星運動型ミキサーで１０分間混合した。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度９００℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を、表１に示す。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度９００℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を、表１に示す。
比較例３では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末、平均粒径６μｍのＣｏ−Ｂ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末を用意した。Ｃｏ粗粉やＣｏアトマイズ粉は使用しなかった。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−１３Ｃｒ−１３Ｐｔ−３Ｂ−７ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、Ｃｏ−Ｂ粉末、ＳｉＯ２粉末を秤量した。
そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。
次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度９００℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を表１に示す。
次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度９００℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を表１に示す。
表１に示す通り、実施例３の定常状態のパーティクル数が９．１個であり、比較例３の８．８より若干増加したが、依然として従来に比べてパーティクルの少ないターゲットが得られた。また、実施例３の平均漏洩磁束密度は６４．０％であり、比較例３の４５．０％より漏洩磁束密度が高いターゲットが得られた。
また、光学顕微鏡で観察した結果、金属相（Ｂ）に外接する長方形の短辺の長さは５μｍ〜２００μｍであり、短辺が２μｍ未満のものは５％にも満たなかった。また、短辺が３００μｍを超えるものは、存在しなかった。アスペクト比分布は１：１〜１：８であって、球状のものと扁平状のものが混在していることが確認された。また、相（Ａ）における酸化物の面積率は２８．００％であり、５０％以下であることが確認された。
また、光学顕微鏡で観察した結果、金属相（Ｂ）に外接する長方形の短辺の長さは５μｍ〜２００μｍであり、短辺が２μｍ未満のものは５％にも満たなかった。また、短辺が３００μｍを超えるものは、存在しなかった。アスペクト比分布は１：１〜１：８であって、球状のものと扁平状のものが混在していることが確認された。また、相（Ａ）における酸化物の面積率は２８．００％であり、５０％以下であることが確認された。
（実施例４、比較例４）
実施例４では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末、直径が５０μｍ〜１５０μｍの範囲にあるＣｏアトマイズ粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−８Ｃｒ−１０Ｐｔ−３ＴｉＯ２−２ＳｉＯ２−４Ｃｒ２Ｏ３（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、ＴｉＯ２粉末、ＳｉＯ２粉末、Ｃｒ２Ｏ３粉末、Ｃｏアトマイズ粉を秤量した。
実施例４では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末、直径が５０μｍ〜１５０μｍの範囲にあるＣｏアトマイズ粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−８Ｃｒ−１０Ｐｔ−３ＴｉＯ２−２ＳｉＯ２−４Ｃｒ２Ｏ３（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、ＴｉＯ２粉末、ＳｉＯ２粉末、Ｃｒ２Ｏ３粉末、Ｃｏアトマイズ粉を秤量した。
次に、Ｃｏ粉末とＣｒ粉末とＰｔ粉末とＴｉＯ２粉末とＳｉＯ２粉末とＣｒ２Ｏ３粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とＣｏアトマイズ粉をボール容量約７リットルの遊星運動型ミキサーで１０分間混合した。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を、表１に示す。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を、表１に示す。
比較例４では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末を用意した。Ｃｏ粗粉やＣｏアトマイズ粉は使用しなかった。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−８Ｃｒ−１０Ｐｔ−３ＴｉＯ２−７ＳｉＯ２−４Ｃｒ２Ｏ３（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、ＴｉＯ２粉末、ＳｉＯ２粉末、Ｃｒ２Ｏ３粉末を秤量した。
そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。
次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を表１に示す。
次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を表１に示す。
表１に示す通り、実施例４の定常状態のパーティクル数が１１．３個であり、比較例４の１２．２より減少していることが確認された。また、実施例４の平均漏洩磁束密度は３８．４％であり、比較例４の３３．５％より漏洩磁束密度が高いターゲットが得られた。また、光学顕微鏡で観察した結果、金属相（Ｂ）に外接する長方形の短辺の長さは２μｍ〜２００μｍであり、短辺が２μｍ未満のものは５％にも満たなかった。また、短辺が３００μｍを超えるものは、存在しなかった。アスペクト比分布は１：１〜１：１０であって、球状のものと扁平状のものが混在していることが確認された。また、相（Ａ）における酸化物の面積率は３８．００％であり、５０％以下であることが確認された。
（実施例５、比較例５）
実施例５では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径８μｍのＲｕ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、直径が５０μｍ〜１５０μｍの範囲にあるＣｏアトマイズ粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−１０Ｃｒ−１２Ｐｔ−２Ｒｕ−５ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、Ｒｕ粉末、ＳｉＯ２粉末、Ｃｏアトマイズ粉を秤量した。
実施例５では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径８μｍのＲｕ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、直径が５０μｍ〜１５０μｍの範囲にあるＣｏアトマイズ粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−１０Ｃｒ−１２Ｐｔ−２Ｒｕ−５ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、Ｒｕ粉末、ＳｉＯ２粉末、Ｃｏアトマイズ粉を秤量した。
次に、Ｃｏ粉末とＣｒ粉末とＰｔ粉末とＲｕ粉末とＳｉＯ２粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とＣｏアトマイズ粉をボール容量約７リットルの遊星運動型ミキサーで１０分間混合した。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を、表１に示す。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を、表１に示す。
比較例５では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径８μｍのＲｕ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末を用意した。Ｃｏ粗粉やＣｏアトマイズ粉は使用しなかった。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−１０Ｃｒ−１２Ｐｔ−２Ｒｕ−５ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、Ｒｕ粉末、ＳｉＯ２粉末を秤量した。
そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。
そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。
次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を表１に示す。
表１に示す通り、実施例５の定常状態のパーティクル数が６．１個であり、比較例５の５．８個より若干増加したが、依然として従来に比べてパーティクルの少ないターゲットが得られた。また、実施例５の平均漏洩磁束密度は４０．８％であり、比較例５の３４．６％より漏洩磁束密度が高いターゲットが得られた。また、光学顕微鏡で観察した結果、金属相（Ｂ）に外接する長方形の短辺の長さは２μｍ〜２００μｍであり、短辺が２μｍ未満のものは５％にも満たなかった。また、短辺が３００μｍを超えるものは、存在しなかった。アスペクト比分布は１：１〜１：１０であって、球状のものと扁平状のものが混在していることが確認された。また、相（Ａ）における酸化物の面積率は２０．５０％であり、５０％以下であることが確認された。
（実施例６、比較例６）
実施例６では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径６μｍのＣｏ−Ｂ粉末、平均粒径１μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径１μｍのＣｏＯ粉末、直径が５０μｍ〜１５０μｍの範囲にあるＣｏアトマイズ粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−１８Ｃｒ−１２Ｐｔ−３Ｂ−５ＴｉＯ２−８ＣｏＯ（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、Ｃｏ−Ｂ粉末、ＴｉＯ２粉末、ＣｏＯ粉末、Ｃｏアトマイズ粉を秤量した。
実施例６では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径６μｍのＣｏ−Ｂ粉末、平均粒径１μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径１μｍのＣｏＯ粉末、直径が５０μｍ〜１５０μｍの範囲にあるＣｏアトマイズ粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−１８Ｃｒ−１２Ｐｔ−３Ｂ−５ＴｉＯ２−８ＣｏＯ（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、Ｃｏ−Ｂ粉末、ＴｉＯ２粉末、ＣｏＯ粉末、Ｃｏアトマイズ粉を秤量した。
次に、Ｃｏ粉末とＣｒ粉末とＰｔ粉末とＣｏ−Ｂ粉末とＴｉＯ２粉末とＣｏＯ粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とＣｏアトマイズ粉をボール容量約７リットルの遊星運動型ミキサーで１０分間混合した。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を、表１に示す。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を、表１に示す。
比較例６では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径６μｍのＣｏ−Ｂ粉末、平均粒径１μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径１μｍのＣｏＯ粉末を用意した。Ｃｏ粗粉やＣｏアトマイズ粉は使用しなかった。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−１８Ｃｒ−１２Ｐｔ−３Ｂ−５ＴｉＯ２−８ＣｏＯ（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、Ｃｏ−Ｂ粉末、ＴｉＯ２、ＣｏＯ粉末を秤量した。
そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。
次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を表１に示す。
次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を表１に示す。
表１に示す通り、実施例６の定常状態のパーティクル数が１７．５個であり、比較例６の１６．１個より若干増加したが、依然として従来に比べてパーティクルの少ないターゲットが得られた。また、実施例６の平均漏洩磁束密度は７３．２％であり、比較例６の６１．６％より漏洩磁束密度が高いターゲットが得られた。また、光学顕微鏡で観察した結果、金属相（Ｂ）に外接する長方形の短辺の長さは５μｍ〜２００μｍであり、短辺が２μｍ未満のものは５％にも満たなかった。また、短辺が３００μｍを超えるものは、存在しなかった。アスペクト比分布は１：１〜１：８であって、球状のものと扁平状のものが混在していることが確認された。また、相（Ａ）における酸化物の面積率は４２．８０％であり、５０％以下であることが確認された。
（実施例７、比較例７）
実施例７では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＴａ２Ｏ５粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、直径が５０μｍ〜１５０μｍの範囲にあるＣｏアトマイズ粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−５Ｃｒ−１５Ｐｔ−２Ｔａ２Ｏ５−５ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、Ｔａ２Ｏ５粉末、ＳｉＯ２粉末、Ｃｏアトマイズ粉を秤量した。
実施例７では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＴａ２Ｏ５粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、直径が５０μｍ〜１５０μｍの範囲にあるＣｏアトマイズ粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−５Ｃｒ−１５Ｐｔ−２Ｔａ２Ｏ５−５ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、Ｔａ２Ｏ５粉末、ＳｉＯ２粉末、Ｃｏアトマイズ粉を秤量した。
次に、Ｃｏ粉末とＣｒ粉末とＰｔ粉末とＴａ２Ｏ５粉末とＳｉＯ２粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とＣｏアトマイズ粉をボール容量約７リットルの遊星運動型ミキサーで１０分間混合した。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を、表１に示す。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を、表１に示す。
比較例７では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＴａ２Ｏ５粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末を用意した。Ｃｏ粗粉やＣｏアトマイズ粉は使用しなかった。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−５Ｃｒ−１５Ｐｔ−２Ｔａ２Ｏ５−５ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、Ｔａ２Ｏ５粉末、ＳｉＯ２粉末、を秤量した。
そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。
次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を表１に示す。
次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を表１に示す。
表１に示す通り、実施例７の定常状態のパーティクル数が１３．２個であり、比較例７の１２．２個より若干増加したが、依然として従来に比べてパーティクルの少ないターゲットが得られた。また、実施例７の平均漏洩磁束密度は３５．１％であり、比較例７の３０．３％より漏洩磁束密度が高いターゲットが得られた。
また、光学顕微鏡で観察した結果、金属相（Ｂ）に外接する長方形の短辺の長さは２μｍ〜２００μｍであり、短辺が２μｍ未満のものは５％にも満たなかった。また、短辺が３００μｍを超えるものは、存在しなかった。アスペクト比分布は１：１〜１：１０であって、球状のものと扁平状のものが混在していることが確認された。また、相（Ａ）における酸化物の面積率は２７．４０％であり、５０％以下であることが確認された。
また、光学顕微鏡で観察した結果、金属相（Ｂ）に外接する長方形の短辺の長さは２μｍ〜２００μｍであり、短辺が２μｍ未満のものは５％にも満たなかった。また、短辺が３００μｍを超えるものは、存在しなかった。アスペクト比分布は１：１〜１：１０であって、球状のものと扁平状のものが混在していることが確認された。また、相（Ａ）における酸化物の面積率は２７．４０％であり、５０％以下であることが確認された。
（実施例８、比較例８）
実施例８では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、平均粒径１０μｍのＢ２Ｏ３粉末、直径が５０μｍ〜１５０μｍの範囲にあるＣｏアトマイズ粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−１４Ｃｒ−１４Ｐｔ−３ＳｉＯ２−２Ｂ２Ｏ３（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、ＳｉＯ２粉末、２Ｂ２Ｏ３粉末、Ｃｏアトマイズ粉を秤量した。
実施例８では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、平均粒径１０μｍのＢ２Ｏ３粉末、直径が５０μｍ〜１５０μｍの範囲にあるＣｏアトマイズ粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−１４Ｃｒ−１４Ｐｔ−３ＳｉＯ２−２Ｂ２Ｏ３（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、ＳｉＯ２粉末、２Ｂ２Ｏ３粉末、Ｃｏアトマイズ粉を秤量した。
次に、Ｃｏ粉末とＣｒ粉末とＰｔ粉末とＳｉＯ２粉末と２Ｂ２Ｏ３粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とＣｏアトマイズ粉をボール容量約７リットルの遊星運動型ミキサーで１０分間混合した。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度９００℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を、表１に示す。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度９００℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を、表１に示す。
比較例８では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、平均粒径１０μｍのＢ２Ｏ３粉末を用意した。Ｃｏ粗粉やＣｏアトマイズ粉は使用しなかった。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−１４Ｃｒ−１４Ｐｔ−３ＳｉＯ２−２Ｂ２Ｏ３（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、ＳｉＯ２粉末、２Ｂ２Ｏ３粉末を秤量した。
そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。
次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度９００℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を表１に示す。
次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度９００℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を表１に示す。
表１に示す通り、実施例８の定常状態のパーティクル数が１１．５個であり、比較例８の１２．２個より減少していることが確認された。また、実施例８の平均漏洩磁束密度は６５．３％であり、比較例８の５６．６％より漏洩磁束密度が高いターゲットが得られた。また、光学顕微鏡で観察した結果、金属相（Ｂ）に外接する長方形の短辺の長さは５μｍ〜２００μｍであり、短辺が２μｍ未満のものは５％にも満たなかった。また、短辺が３００μｍを超えるものは、存在しなかった。アスペクト比分布は１：１〜１：９であって、球状のものと扁平状のものが混在していることが確認された。また、相（Ａ）における酸化物の面積率は３９．００％であり、５０％以下であることが確認された。
（実施例９、比較例９）
実施例９では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、平均粒径１μｍのＣｏ３Ｏ４粉末、直径が５０μｍ〜１５０μｍの範囲にあるＣｏアトマイズ粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−１２Ｃｒ−１６Ｐｔ−３ＴｉＯ２−３ＳｉＯ２−３Ｃｏ３Ｏ４（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、ＴｉＯ２粉末、ＳｉＯ２粉末、Ｃｏ３Ｏ４粉末、Ｃｏアトマイズ粉を秤量した。
実施例９では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、平均粒径１μｍのＣｏ３Ｏ４粉末、直径が５０μｍ〜１５０μｍの範囲にあるＣｏアトマイズ粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−１２Ｃｒ−１６Ｐｔ−３ＴｉＯ２−３ＳｉＯ２−３Ｃｏ３Ｏ４（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、ＴｉＯ２粉末、ＳｉＯ２粉末、Ｃｏ３Ｏ４粉末、Ｃｏアトマイズ粉を秤量した。
次に、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、ＴｉＯ２粉末、ＳｉＯ２粉末、Ｃｏ３Ｏ４粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とＣｏアトマイズ粉をボール容量約７リットルの遊星運動型ミキサーで１０分間混合した。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を、表１に示す。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を、表１に示す。
比較例９では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、平均粒径１μｍのＣｏ３Ｏ４粉末を用意した。Ｃｏ粗粉やＣｏアトマイズ粉は使用しなかった。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−１２Ｃｒ−１６Ｐｔ−３ＴｉＯ２−３ＳｉＯ２−３Ｃｏ３Ｏ４（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、ＴｉＯ２粉末、ＳｉＯ２粉末、Ｃｏ３Ｏ４粉末を秤量した。
そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。
次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を表１に示す。
次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を表１に示す。
表１に示す通り、実施例９の定常状態のパーティクル数が１６．２個であり、比較例９の１４．３個より若干増加したが、依然として従来に比べてパーティクルの少ないターゲットが得られた。また、実施例９の平均漏洩磁束密度は５７．８％であり、比較例９の４５．１％より漏洩磁束密度が高いターゲットが得られた。また、光学顕微鏡で観察した結果、金属相（Ｂ）に外接する長方形の短辺の長さは５μｍ〜２００μｍであり、短辺が２μｍ未満のものは５％にも満たなかった。また、短辺が３００μｍを超えるものは、存在しなかった。アスペクト比分布は１：１〜１：８であって、球状のものと扁平状のものが混在していることが確認された。また、相（Ａ）における酸化物の面積率は４１．４０％であり、５０％以下であることが確認された。
（実施例１０、比較例１０）
実施例１０では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径３μｍのＭｏ粉末、平均粒径１μｍのＴｉＯ２粉末、直径が５０μｍ〜１５０μｍの範囲にあるＣｏアトマイズ粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−６Ｃｒ−１７Ｐｔ−２Ｍｏ−６ＴｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、Ｍｏ粉末、ＴｉＯ２粉末、Ｃｏアトマイズ粉を秤量した。
実施例１０では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径３μｍのＭｏ粉末、平均粒径１μｍのＴｉＯ２粉末、直径が５０μｍ〜１５０μｍの範囲にあるＣｏアトマイズ粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−６Ｃｒ−１７Ｐｔ−２Ｍｏ−６ＴｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、Ｍｏ粉末、ＴｉＯ２粉末、Ｃｏアトマイズ粉を秤量した。
次に、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、Ｍｏ粉末、ＴｉＯ２粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とＣｏアトマイズ粉をボール容量約７リットルの遊星運動型ミキサーで１０分間混合した。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を、表１に示す。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を、表１に示す。
比較例１０では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径３μｍのＭｏ粉末、平均粒径１μｍのＴｉＯ２粉末を用意した。Ｃｏ粗粉やＣｏアトマイズ粉は使用しなかった。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−６Ｃｒ−１７Ｐｔ−２Ｍｏ−６ＴｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、Ｍｏ粉末、ＴｉＯ２粉末、を秤量した。
そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。
次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を表１に示す。
次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を表１に示す。
表１に示す通り、実施例１０の定常状態のパーティクル数が９．５個であり、比較例１０の８．７個より若干増加したが、依然として従来に比べてパーティクルの少ないターゲットが得られた。また、実施例１０の平均漏洩磁束密度は３９．７％であり、比較例１０の３１．２％より漏洩磁束密度が高いターゲットが得られた。
また、光学顕微鏡で観察した結果、金属相（Ｂ）に外接する長方形の短辺の長さは５μｍ〜２００μｍであり、短辺が２μｍ未満のものは５％にも満たなかった。また、短辺が３００μｍを超えるものは、存在しなかった。アスペクト比分布は１：１〜１：９であって、球状のものと扁平状のものが混在していることが確認された。また、相（Ａ）における酸化物の面積率は３４．５０％であり、５０％以下であることが確認された。
また、光学顕微鏡で観察した結果、金属相（Ｂ）に外接する長方形の短辺の長さは５μｍ〜２００μｍであり、短辺が２μｍ未満のものは５％にも満たなかった。また、短辺が３００μｍを超えるものは、存在しなかった。アスペクト比分布は１：１〜１：９であって、球状のものと扁平状のものが混在していることが確認された。また、相（Ａ）における酸化物の面積率は３４．５０％であり、５０％以下であることが確認された。
（実施例１１、比較例１１）
実施例１１では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径３μｍのＭｎ粉末、平均粒径１μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径１μｍのＣｏＯ粉末、直径が５０μｍ〜１５０μｍの範囲にあるＣｏアトマイズ粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−５Ｃｒ−２０Ｐｔ−１Ｍｎ−８ＴｉＯ２−３ＣｏＯ（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、Ｍｎ粉末、ＴｉＯ２粉末、ＣｏＯ粉末、Ｃｏアトマイズ粉を秤量した。
実施例１１では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径３μｍのＭｎ粉末、平均粒径１μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径１μｍのＣｏＯ粉末、直径が５０μｍ〜１５０μｍの範囲にあるＣｏアトマイズ粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−５Ｃｒ−２０Ｐｔ−１Ｍｎ−８ＴｉＯ２−３ＣｏＯ（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、Ｍｎ粉末、ＴｉＯ２粉末、ＣｏＯ粉末、Ｃｏアトマイズ粉を秤量した。
次に、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、Ｍｎ粉末、ＴｉＯ２粉末、ＣｏＯ粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とＣｏアトマイズ粉をボール容量約７リットルの遊星運動型ミキサーで１０分間混合した。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を、表１に示す。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を、表１に示す。
比較例１１では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径３μｍのＭｎ粉末、平均粒径１μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径１μｍのＣｏＯ粉末を用意した。Ｃｏ粗粉やＣｏアトマイズ粉は使用しなかった。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−５Ｃｒ−２０Ｐｔ−１Ｍｎ−８ＴｉＯ２−３ＣｏＯ（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、Ｍｎ粉末、ＴｉＯ２粉末、ＣｏＯ粉末を秤量した。
そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。
次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を表１に示す。
次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を表１に示す。
表１に示す通り、実施例１１の定常状態のパーティクル数が１１．０個であり、比較例１０の１０．５個より若干増加したが、依然として従来に比べてパーティクルの少ないターゲットが得られた。また、実施例１１の平均漏洩磁束密度は３７．８％であり、比較例１１の３０．６％より漏洩磁束密度が高いターゲットが得られた。
また、光学顕微鏡で観察した結果、金属相（Ｂ）に外接する長方形の短辺の長さは５μｍ〜２００μｍであり、短辺が２μｍ未満のものは５％にも満たなかった。また、短辺が３００μｍを超えるものは、存在しなかった。アスペクト比分布は１：１〜１：８であって、球状のものと扁平状のものが混在していることが確認された。また、相（Ａ）における酸化物の面積率は３７．３０％であり、５０％以下であることが確認された。
また、光学顕微鏡で観察した結果、金属相（Ｂ）に外接する長方形の短辺の長さは５μｍ〜２００μｍであり、短辺が２μｍ未満のものは５％にも満たなかった。また、短辺が３００μｍを超えるものは、存在しなかった。アスペクト比分布は１：１〜１：８であって、球状のものと扁平状のものが混在していることが確認された。また、相（Ａ）における酸化物の面積率は３７．３０％であり、５０％以下であることが確認された。
（実施例１２、比較例１２）
実施例１２では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＴｉ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、平均粒径１μｍのＣｏＯ粉末、直径が５０μｍ〜１５０μｍの範囲にあるＣｏアトマイズ粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−６Ｃｒ−１８Ｐｔ−２Ｔｉ−４ＳｉＯ２−２ＣｏＯ（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、Ｔｉ粉末、ＳｉＯ２粉末、ＣｏＯ粉末、Ｃｏアトマイズ粉を秤量した。
実施例１２では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＴｉ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、平均粒径１μｍのＣｏＯ粉末、直径が５０μｍ〜１５０μｍの範囲にあるＣｏアトマイズ粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−６Ｃｒ−１８Ｐｔ−２Ｔｉ−４ＳｉＯ２−２ＣｏＯ（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、Ｔｉ粉末、ＳｉＯ２粉末、ＣｏＯ粉末、Ｃｏアトマイズ粉を秤量した。
次に、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、Ｔｉ粉末、ＳｉＯ２粉末、ＣｏＯ粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とＣｏアトマイズ粉をボール容量約７リットルの遊星運動型ミキサーで１０分間混合した。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を、表１に示す。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を、表１に示す。
比較例１２では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＴｉ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、平均粒径１μｍのＣｏＯ粉末を用意した。Ｃｏ粗粉やＣｏアトマイズ粉は使用しなかった。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−６Ｃｒ−１８Ｐｔ−２Ｔｉ−４ＳｉＯ２−２ＣｏＯ（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、Ｔｉ粉末、ＳｉＯ２粉末、ＣｏＯ粉末、を秤量した。
そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。
次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を表１に示す。
次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を表１に示す。
表１に示す通り、実施例１２の定常状態のパーティクル数が９．８個であり、比較例１２の１０．０個より減少したことを確認した。また、実施例１２の平均漏洩磁束密度は３６．２％であり、比較例１２の３１．０％より漏洩磁束密度が高いターゲットが得られた。また、光学顕微鏡で観察した結果、金属相（Ｂ）に外接する長方形の短辺の長さは２μｍ〜２００μｍであり、短辺が２μｍ未満のものは５％にも満たなかった。また、短辺が３００μｍを超えるものは、存在しなかった。アスペクト比分布は１：１〜１：１０であって、球状のものと扁平状のものが混在していることが確認された。また、相（Ａ）における酸化物の面積率は３６．８０％であり、５０％以下であることが確認された。
（実施例１３、比較例１３）
実施例１３では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径８μｍのＲｕ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、直径が５０μｍ〜１５０μｍの範囲にあるＣｏアトマイズ粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−８Ｃｒ−６Ｒｕ−８ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｒｕ粉末、ＳｉＯ２粉末、Ｃｏアトマイズ粉を秤量した。
実施例１３では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径８μｍのＲｕ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、直径が５０μｍ〜１５０μｍの範囲にあるＣｏアトマイズ粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−８Ｃｒ−６Ｒｕ−８ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｒｕ粉末、ＳｉＯ２粉末、Ｃｏアトマイズ粉を秤量した。
次に、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｒｕ粉末、ＳｉＯ２粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とＣｏアトマイズ粉をボール容量約７リットルの遊星運動型ミキサーで１０分間混合した。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を、表１に示す。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を、表１に示す。
比較例１３では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径８μｍのＲｕ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末を用意した。Ｃｏ粗粉やＣｏアトマイズ粉は使用しなかった。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−８Ｃｒ−６Ｒｕ−８ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｒｕ粉末、ＳｉＯ２粉末を秤量した。
そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。
次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を表１に示す。
次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を表１に示す。
表１に示す通り、実施例１３の定常状態のパーティクル数が１０．６個であり、比較例１３の１１．３個より減少したことを確認した。また、実施例１３の平均漏洩磁束密度は４５．４％であり、比較例１３の３２．４％より漏洩磁束密度が高いターゲットが得られた。また、光学顕微鏡で観察した結果、金属相（Ｂ）に外接する長方形の短辺の長さは５μｍ〜２００μｍであり、短辺が２μｍ未満のものは５％にも満たなかった。また、短辺が３００μｍを超えるものは、存在しなかった。アスペクト比分布は１：１〜１：８であって、球状のものと扁平状のものが混在していることが確認された。また、相（Ａ）における酸化物の面積率は４１．５０％であり、５０％以下であることが確認された。
（実施例１４、比較例１４）
実施例１４では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＴｉＯ２粉末、直径が５０μｍ〜１５０μｍの範囲にあるＣｏアトマイズ粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−２０Ｃｒ−１０ＴｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、ＴｉＯ２粉末、Ｃｏアトマイズ粉を秤量した。
実施例１４では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＴｉＯ２粉末、直径が５０μｍ〜１５０μｍの範囲にあるＣｏアトマイズ粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−２０Ｃｒ−１０ＴｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、ＴｉＯ２粉末、Ｃｏアトマイズ粉を秤量した。
次に、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、ＴｉＯ２粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とＣｏアトマイズ粉をボール容量約７リットルの遊星運動型ミキサーで１０分間混合した。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を、表１に示す。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を、表１に示す。
比較例１４では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＴｉＯ２粉末を用意した。Ｃｏ粗粉やＣｏアトマイズ粉は使用しなかった。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−２０Ｃｒ−１０ＴｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、ＴｉＯ２粉末を秤量した。
そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。
次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を表１に示す。
次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を表１に示す。
表１に示す通り、実施例１４の定常状態のパーティクル数が７．８個であり、比較例１４の７．６個より若干増加したが、依然として従来に比べてパーティクルの少ないターゲットが得られた。また、実施例１４の平均漏洩磁束密度は９５．４％であり、比較例１４の８０．２％より漏洩磁束密度が高いターゲットが得られた。また、光学顕微鏡で観察した結果、金属相（Ｂ）に外接する長方形の短辺の長さは２μｍ〜２００μｍであり、短辺が２μｍ未満のものは５％にも満たなかった。また、短辺が３００μｍを超えるものは、存在しなかった。アスペクト比分布は１：１〜１：１０であって、球状のものと扁平状のものが混在していることが確認された。また、相（Ａ）における酸化物の面積率は４０．００％であり、５０％以下であることが確認された。
（実施例１５、比較例１５）
実施例１５では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、直径が５０μｍ〜１５０μｍの範囲にあるＣｏアトマイズ粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−１５Ｃｒ−１２ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、ＳｉＯ２粉末、Ｃｏアトマイズ粉を秤量した。
実施例１５では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、直径が５０μｍ〜１５０μｍの範囲にあるＣｏアトマイズ粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−１５Ｃｒ−１２ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、ＳｉＯ２粉末、Ｃｏアトマイズ粉を秤量した。
次に、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、ＳｉＯ２粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とＣｏアトマイズ粉をボール容量約７リットルの遊星運動型ミキサーで１０分間混合した。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を、表１に示す。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を、表１に示す。
比較例１５では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末を用意した。Ｃｏ粗粉やＣｏアトマイズ粉は使用しなかった。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−１５Ｃｒ−１２ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、ＳｉＯ２粉末を秤量した。
そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。
次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を表１に示す。
次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を表１に示す。
表１に示す通り、実施例１５の定常状態のパーティクル数が１１．１個であり、比較例１５の１０．６個より若干増加したが、依然として従来に比べてパーティクルの少ないターゲットが得られた。また、実施例１５の平均漏洩磁束密度は６４．５％であり、比較例１５の５１．１％より漏洩磁束密度が高いターゲットが得られた。また、光学顕微鏡で観察した結果、金属相（Ｂ）に外接する長方形の短辺の長さは２μｍ〜２００μｍであり、短辺が２μｍ未満のものは５％にも満たなかった。また、短辺が３００μｍを超えるものは、存在しなかった。アスペクト比分布は１：１〜１：１０であって、球状のものと扁平状のものが混在していることが確認された。また、相（Ａ）における酸化物の面積率は３９．６０％であり、５０％以下であることが確認された。
（実施例１６、比較例１６）
実施例１６では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径８μｍのＲｕ粉末、平均粒径１μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径１μｍのＣｏＯ粉末、直径が５０μｍ〜１５０μｍの範囲にあるＣｏアトマイズ粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−１６Ｃｒ−３Ｒｕ−５ＴｉＯ２−３ＣｏＯ（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｒｕ粉末、ＴｉＯ２粉末、ＣｏＯ粉末、Ｃｏアトマイズ粉を秤量した。
実施例１６では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径８μｍのＲｕ粉末、平均粒径１μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径１μｍのＣｏＯ粉末、直径が５０μｍ〜１５０μｍの範囲にあるＣｏアトマイズ粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−１６Ｃｒ−３Ｒｕ−５ＴｉＯ２−３ＣｏＯ（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｒｕ粉末、ＴｉＯ２粉末、ＣｏＯ粉末、Ｃｏアトマイズ粉を秤量した。
次に、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｒｕ粉末、ＴｉＯ２粉末、ＣｏＯ粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とＣｏアトマイズ粉をボール容量約７リットルの遊星運動型ミキサーで１０分間混合した。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を、表１に示す。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を、表１に示す。
比較例１６では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径８μｍのＲｕ粉末、平均粒径１μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径１μｍのＣｏＯ粉末を用意した。Ｃｏ粗粉やＣｏアトマイズ粉は使用しなかった。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−１６Ｃｒ−３Ｒｕ−５ＴｉＯ２−３ＣｏＯ（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｒｕ粉末、ＴｉＯ２粉末、ＣｏＯ粉末、Ｃｏアトマイズ粉を秤量した。
そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。
次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を表１に示す。
次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を表１に示す。
表１に示す通り、実施例１６の定常状態のパーティクル数が１２．４個であり、比較例１６の１１．７個より若干増加したが、依然として従来に比べてパーティクルの少ないターゲットが得られた。また、実施例１６の平均漏洩磁束密度は７０．１％であり、比較例１６の５８．０％より漏洩磁束密度が高いターゲットが得られた。また、光学顕微鏡で観察した結果、金属相（Ｂ）に外接する長方形の短辺の長さは５μｍ〜２００μｍであり、短辺が２μｍ未満のものは５％にも満たなかった。また、短辺が３００μｍを超えるものは、存在しなかった。アスペクト比分布は１：１〜１：８であって、球状のものと扁平状のものが混在していることが確認された。また、相（Ａ）における酸化物の面積率は４２．１０％であり、５０％以下であることが確認された。
（実施例１７、比較例１７）
実施例１７では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径３０μｍのＴａ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、直径が５０μｍ〜１５０μｍの範囲にあるＣｏアトマイズ粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−８Ｃｒ−２０Ｐｔ−３Ｔａ−３ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、Ｔａ粉末、ＳｉＯ２粉末、Ｃｏアトマイズ粉を秤量した。
実施例１７では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径３０μｍのＴａ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、直径が５０μｍ〜１５０μｍの範囲にあるＣｏアトマイズ粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−８Ｃｒ−２０Ｐｔ−３Ｔａ−３ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、Ｔａ粉末、ＳｉＯ２粉末、Ｃｏアトマイズ粉を秤量した。
次に、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、Ｔａ粉末、ＳｉＯ２粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とＣｏアトマイズ粉をボール容量約７リットルの遊星運動型ミキサーで１０分間混合した。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を、表１に示す。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を、表１に示す。
比較例１７では、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径３０μｍのＴａ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末を用意した。Ｃｏ粗粉やＣｏアトマイズ粉は使用しなかった。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−８Ｃｒ−２０Ｐｔ−３Ｔａ−３ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、Ｔａ粉末、ＳｉＯ２粉末を秤量した。
そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。
次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を表１に示す。
次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を表１に示す。
表１に示す通り、実施例１７の定常状態のパーティクル数が６．８個であり、比較例１７の７．２個より減少したことが確認できた。また、実施例１６の平均漏洩磁束密度は５６．１％であり、比較例１７の５８．０％より漏洩磁束密度が高いターゲットが得られた。また、光学顕微鏡で観察した結果、金属相（Ｂ）に外接する長方形の短辺の長さは５μｍ〜２００μｍであり、短辺が２μｍ未満のものは５％にも満たなかった。また、短辺が３００μｍを超えるものは、存在しなかった。アスペクト比分布は１：１〜１：８であって、球状のものと扁平状のものが混在していることが確認された。また、相（Ａ）における酸化物の面積率は１７．００％であり、５０％以下であることが確認された。
（実施例１８、比較例１８）
実施例１８では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径５μｍのＷ粉末、平均粒径１０μｍのＢ２Ｏ３粉末、平均粒径１μｍのＴａ２Ｏ５粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末、直径が５０〜１５０μｍの範囲にあるＣｏアトマイズ粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−８Ｃｒ−２１Ｐｔ−０．７Ｗ−３Ｂ２Ｏ３−１Ｔａ２Ｏ５−１Ｃｒ２Ｏ３（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、Ｗ粉末、Ｂ２Ｏ３粉末、Ｔａ２Ｏ３粉末、Ｃｒ２Ｏ３粉末、Ｃｏアトマイズ粉を秤量した。
実施例１８では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径５μｍのＷ粉末、平均粒径１０μｍのＢ２Ｏ３粉末、平均粒径１μｍのＴａ２Ｏ５粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末、直径が５０〜１５０μｍの範囲にあるＣｏアトマイズ粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−８Ｃｒ−２１Ｐｔ−０．７Ｗ−３Ｂ２Ｏ３−１Ｔａ２Ｏ５−１Ｃｒ２Ｏ３（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、Ｗ粉末、Ｂ２Ｏ３粉末、Ｔａ２Ｏ３粉末、Ｃｒ２Ｏ３粉末、Ｃｏアトマイズ粉を秤量した。
次に、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、Ｗ粉末、Ｂ２Ｏ３粉末、Ｔａ２Ｏ３粉末、Ｃｒ２Ｏ３粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とＣｏアトマイズ粉をボール容量約７リットルの遊星運動型ミキサーで１０分間混合した。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０００℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を、表１に示す。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０００℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を、表１に示す。
比較例１８では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径５μｍのＷ粉末、平均粒径１０μｍのＢ２Ｏ３粉末、平均粒径１μｍのＴａ２Ｏ５粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末を用意した。Ｃｏ粗粉やＣｏアトマイズ粉は使用しなかった。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−８Ｃｒ−２１Ｐｔ−０．７Ｗ−３Ｂ２Ｏ３−１Ｔａ２Ｏ５−１Ｃｒ２Ｏ３（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、Ｗ粉末、Ｂ２Ｏ３粉末、Ｔａ２Ｏ３粉末、Ｃｒ２Ｏ３粉末を秤量した。
そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。
次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０００℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を表１に示す。
次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０００℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を表１に示す。
表１に示す通り、実施例１８の定常状態のパーティクル数が１１．８個であり、比較例１８の１１．６個より若干増加したが、依然として従来に比べてパーティクルの少ないターゲットが得られた。また、実施例１８の平均漏洩磁束密度は４７．５％であり、比較例１８の３８．３％より漏洩磁束密度が高いターゲットが得られた。また、光学顕微鏡で観察した結果、金属相（Ｂ）に外接する長方形の短辺の長さは５μｍ〜２００μｍであり、短辺が２μｍ未満のものは５％にも満たなかった。また、短辺が３００μｍを超えるものは、存在しなかった。アスペクト比分布は１：１〜１：８であって、球状のものと扁平状のものが混在していることが確認された。また、相（Ａ）における酸化物の面積率は３４．００％であり、５０％以下であることが確認された。
（実施例１９、比較例１９）
実施例１９では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、直径が５０〜１５０μｍの範囲にあるＣｏアトマイズ粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−１８Ｐｔ−８ＴｉＯ２−２ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｐｔ粉末、ＴｉＯ２粉末、ＳｉＯ２粉末、Ｃｏアトマイズ粉を秤量した。
実施例１９では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、直径が５０〜１５０μｍの範囲にあるＣｏアトマイズ粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−１８Ｐｔ−８ＴｉＯ２−２ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｐｔ粉末、ＴｉＯ２粉末、ＳｉＯ２粉末、Ｃｏアトマイズ粉を秤量した。
次に、Ｃｏ粉末、Ｐｔ粉末、ＴｉＯ２粉末、ＳｉＯ２粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とＣｏアトマイズ粉をボール容量約７リットルの遊星運動型ミキサーで１０分間混合した。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０００℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を、表１に示す。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０００℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を、表１に示す。
比較例１９では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末を用意した。Ｃｏ粗粉やＣｏアトマイズ粉は使用しなかった。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−１８Ｐｔ−８ＴｉＯ２−２ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｐｔ粉末、ＴｉＯ２粉末、ＳｉＯ２粉末を秤量した。
そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。
次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０００℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を表１に示す。
次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０００℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を表１に示す。
表１に示す通り、実施例１９の定常状態のパーティクル数が１３．４個であり、比較例１９の１３．７個より減少したことを確認した。また、実施例１９の平均漏洩磁束密度は４０．５％であり、比較例１９の３３．２％より漏洩磁束密度が高いターゲットが得られた。また、光学顕微鏡で観察した結果、金属相（Ｂ）に外接する長方形の短辺の長さは２μｍ〜２００μｍであり、短辺が２μｍ未満のものは５％にも満たなかった。また、短辺が３００μｍを超えるものは、存在しなかった。アスペクト比分布は１：１〜１：１０であって、球状のものと扁平状のものが混在していることが確認された。また、相（Ａ）における酸化物の面積率は２９．００％であり、５０％以下であることが確認された。
（実施例２０、比較例２０）
実施例２０では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末、直径が５０μｍ〜１５０μｍの範囲にあるＣｏアトマイズ粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−２２Ｐｔ−６ＳｉＯ２−３Ｃｒ２Ｏ３（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｐｔ粉末、ＳｉＯ２粉末、Ｃｒ２Ｏ３粉末、Ｃｏアトマイズ粉を秤量した。
実施例２０では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末、直径が５０μｍ〜１５０μｍの範囲にあるＣｏアトマイズ粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−２２Ｐｔ−６ＳｉＯ２−３Ｃｒ２Ｏ３（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｐｔ粉末、ＳｉＯ２粉末、Ｃｒ２Ｏ３粉末、Ｃｏアトマイズ粉を秤量した。
次に、Ｃｏ粉末、Ｐｔ粉末、ＳｉＯ２粉末、Ｃｒ２Ｏ３粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とＣｏアトマイズ粉をボール容量約７リットルの遊星運動型ミキサーで１０分間混合した。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を、表１に示す。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を、表１に示す。
比較例２０では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末を用意した。Ｃｏ粗粉やＣｏアトマイズ粉は使用しなかった。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−２２Ｐｔ−６ＳｉＯ２−３Ｃｒ２Ｏ３（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｐｔ粉末、ＳｉＯ２粉末、Ｃｒ２Ｏ３粉末を秤量した。
そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。
次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を表１に示す。
次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を表１に示す。
表１に示す通り、実施例２０の定常状態のパーティクル数が１１．８個であり、比較例２０の１１．０個より減少したことを確認した。また、実施例２０の平均漏洩磁束密度は４１．１％であり、比較例２０の３３．６％より漏洩磁束密度が高いターゲットが得られた。また、光学顕微鏡で観察した結果、金属相（Ｂ）に外接する長方形の短辺の長さは２μｍ〜２００μｍであり、短辺が２μｍ未満のものは５％にも満たなかった。また、短辺が３００μｍを超えるものは、存在しなかった。アスペクト比分布は１：１〜１：１０であって、球状のものと扁平状のものが混在していることが確認された。また、相（Ａ）における酸化物の面積率は３７．００％であり、５０％以下であることが確認された。
（実施例２１、比較例２１）
実施例２１では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径８μｍのＲｕ粉末、平均粒径１μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径１μｍのＣｏＯ粉末、直径が５０μｍ〜１５０μｍの範囲にあるＣｏアトマイズ粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−１６Ｐｔ−４Ｒｕ−７ＴｉＯ２−６ＣｏＯ（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｐｔ粉末、Ｒｕ粉末、ＴｉＯ２粉末、ＣｏＯ粉末、Ｃｏアトマイズ粉を秤量した。
実施例２１では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径８μｍのＲｕ粉末、平均粒径１μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径１μｍのＣｏＯ粉末、直径が５０μｍ〜１５０μｍの範囲にあるＣｏアトマイズ粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−１６Ｐｔ−４Ｒｕ−７ＴｉＯ２−６ＣｏＯ（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｐｔ粉末、Ｒｕ粉末、ＴｉＯ２粉末、ＣｏＯ粉末、Ｃｏアトマイズ粉を秤量した。
次に、Ｃｏ粉末、Ｐｔ粉末、Ｒｕ粉末、ＴｉＯ２粉末、ＣｏＯ粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とＣｏアトマイズ粉をボール容量約７リットルの遊星運動型ミキサーで１０分間混合した。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０００℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を、表１に示す。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０００℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を、表１に示す。
比較例２１では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径８μｍのＲｕ粉末、平均粒径１μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径１μｍのＣｏＯ粉末を用意した。Ｃｏ粗粉やＣｏアトマイズ粉は使用しなかった。これらの粉末をターゲットの組成がＣｏ−１６Ｐｔ−４Ｒｕ−７ＴｉＯ２−６ＣｏＯ（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｐｔ粉末、Ｒｕ粉末、ＴｉＯ２粉末、ＣｏＯ粉末を秤量した。
そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。
次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０００℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を表１に示す。
次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０００℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、パーティクル数をカウントし、平均漏洩磁束密度を測定した。この結果を表１に示す。
表１に示す通り、実施例２１の定常状態のパーティクル数が１２．４個であり、比較例２１の１２．９個より減少したことを確認した。また、実施例２１の平均漏洩磁束密度は４３．８％であり、比較例２１の３２．８％より漏洩磁束密度が高いターゲットが得られた。また、光学顕微鏡で観察した結果、金属相（Ｂ）に外接する長方形の短辺の長さは５μｍ〜２００μｍであり、短辺が２μｍ未満のものは５％にも満たなかった。また、短辺が３００μｍを超えるものは、存在しなかった。アスペクト比分布は１：１〜１：９であって、球状のものと扁平状のものが混在していることが確認された。また、相（Ａ）における酸化物の面積率は３６．９０％であり、５０％以下であることが確認された。
実施例１〜２１のいずれにおいても、金属相（Ｂ）に外接する長方形の短辺の長さは２μｍ〜３００μｍであり、短辺が２μｍ未満のものは５％にも満たなかった。また、短辺が３００μｍを超えるものは、存在しなかった。アスペクト比分布は１：１〜１：１５であって、相（Ａ）における酸化物の面積率は５０％以下であることが確認された。こうした組織構造が、パーティクル発生を抑制し、かつ、エロージョンを均一にするとともに、漏洩磁束を向上させるために非常に重要な役割を有することが分かる。
本発明は、強磁性材スパッタリングターゲットの組織構造を調整し、パーティクルの発生を著しく抑制できるとともに、漏洩磁束を向上させることを可能とする。したがって、本発明のターゲットを使用すれば、マグネトロンスパッタ装置でスパッタリングする際に安定した放電が得られる。またターゲット厚みを厚くすることができるため、ターゲットライフが長くなり、低コストで磁性体薄膜を製造することが可能になる。さらに、スパッタリングにより形成した膜の品質を著しく向上できる。磁気記録媒体の磁性体薄膜、特にハードディスクドライブ記録層の成膜に使用される強磁性材スパッタリングターゲットとして有用である。
Claims (4)
- Ｃｒが２０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである組成の金属からなるスパッタリングターゲットであって、このターゲット組織が、金属素地に酸化物からなる非磁性材料が分散した相（Ａ）と、Ｃｏを４０ｍｏｌ％以上含む金属相（Ｂ）を有し、前記相（Ａ）において酸化物からなる非磁性材料粒子の面積率が１７．００％以上５０．００％以下であり、かつ前記相（Ｂ）に外接する面積が最小となる長方形を仮想した場合に、相（Ｂ）の全てが、その外接する長方形のアスペクト比が１：１〜１：１５の範囲にあり、その外接する長方形の短辺が２μｍ〜３００μｍであるものの存在率が、全ての相（Ｂ）の９０％以上であることを特徴とする非磁性材料分散型スパッタリングターゲット。
- Ｃｒが２０ｍｏｌ％以下、Ｐｔが５ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである組成の金属からなるスパッタリングターゲットであって、このターゲット組織が、金属素地に酸化物からなる非磁性材料が分散した相（Ａ）と、Ｃｏを４０ｍｏｌ％以上含む金属相（Ｂ）を有し、前記相（Ａ）において酸化物からなる非磁性材料粒子の面積率が１７．００％以上５０．００％以下であり、かつ前記金属相（Ｂ）に外接する面積が最小となる長方形を仮想した場合に、相（Ｂ）の全てが、その外接する長方形のアスペクト比が１：１〜１：１５の範囲にあり、その外接する長方形の短辺が２μｍ〜３００μｍであるものの存在率が、全ての相（Ｂ）の９０％以上であることを特徴とする非磁性材料分散型スパッタリングターゲット。
- Ｐｔが５ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである組成の金属からなるスパッタリングターゲットであって、このターゲット組織が、金属素地に酸化物からなる非磁性材料が分散した相（Ａ）と、Ｃｏを４０ｍｏｌ％以上含む金属相（Ｂ）を有し、前記相（Ａ）において酸化物からなる非磁性材料粒子の面積率が１７．００％以上５０．００％以下であり、かつ前記金属相（Ｂ）に外接する面積が最小となる長方形を仮想した場合に、相（Ｂ）の全てが、その外接する長方形のアスペクト比が１：１〜１：１５の範囲にあり、その外接する長方形の短辺が２μｍ〜３００μｍであるものの存在率が、全ての相（Ｂ）の９０％以上であることを特徴とする非磁性材料分散型スパッタリングターゲット。
- 金属素地が添加元素として、さらにＢ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗから選択した１元素以上を、０．５ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下含有し、残余がＣｏであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の強磁性材スパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013510395A JP5763178B2 (ja) | 2011-08-23 | 2012-04-06 | パーティクル発生の少ない強磁性材スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011181969 | 2011-08-23 | ||
| JP2011181969 | 2011-08-23 | ||
| PCT/JP2012/059513 WO2013027443A1 (ja) | 2011-08-23 | 2012-04-06 | パーティクル発生の少ない強磁性材スパッタリングターゲット |
| JP2013510395A JP5763178B2 (ja) | 2011-08-23 | 2012-04-06 | パーティクル発生の少ない強磁性材スパッタリングターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2013027443A1 JPWO2013027443A1 (ja) | 2015-03-19 |
| JP5763178B2 true JP5763178B2 (ja) | 2015-08-12 |
Family
ID=47746199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013510395A Active JP5763178B2 (ja) | 2011-08-23 | 2012-04-06 | パーティクル発生の少ない強磁性材スパッタリングターゲット |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20140001038A1 (ja) |
| JP (1) | JP5763178B2 (ja) |
| CN (1) | CN104105812B (ja) |
| MY (1) | MY162450A (ja) |
| SG (2) | SG193277A1 (ja) |
| TW (1) | TWI534285B (ja) |
| WO (1) | WO2013027443A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9103023B2 (en) | 2009-03-27 | 2015-08-11 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Nonmagnetic material particle-dispersed ferromagnetic material sputtering target |
| JP4870855B2 (ja) | 2009-08-06 | 2012-02-08 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 無機物粒子分散型スパッタリングターゲット |
| MY149437A (en) * | 2010-01-21 | 2013-08-30 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Ferromagnetic material sputtering target |
| CN103210115B (zh) | 2010-07-29 | 2016-01-20 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 磁记录膜用溅射靶及其制造方法 |
| WO2013108520A1 (ja) | 2012-01-18 | 2013-07-25 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Ｃｏ－Ｃｒ－Ｐｔ系スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| SG11201404314WA (en) | 2012-02-22 | 2014-10-30 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Magnetic material sputtering target and manufacturing method for same |
| WO2013125296A1 (ja) | 2012-02-23 | 2013-08-29 | Jx日鉱日石金属株式会社 | クロム酸化物を含有する強磁性材スパッタリングターゲット |
| US9970099B2 (en) | 2012-03-09 | 2018-05-15 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target for magnetic recording medium, and process for producing same |
| MY167825A (en) | 2012-06-18 | 2018-09-26 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Sputtering target for magnetic recording film |
| KR20180088491A (ko) | 2013-11-28 | 2018-08-03 | 제이엑스금속주식회사 | 자성재 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법 |
| JP6005767B2 (ja) * | 2014-01-17 | 2016-10-12 | Ｊｘ金属株式会社 | 磁性記録媒体用スパッタリングターゲット |
| US10837101B2 (en) | 2016-03-31 | 2020-11-17 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Ferromagnetic material sputtering target |
| TWI702294B (zh) * | 2018-07-31 | 2020-08-21 | 日商田中貴金屬工業股份有限公司 | 磁氣記錄媒體用濺鍍靶 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101981224B (zh) * | 2008-03-28 | 2012-08-22 | Jx日矿日石金属株式会社 | 非磁性材料粒子分散型强磁性材料溅射靶 |
| JP2010222639A (ja) * | 2009-03-24 | 2010-10-07 | Mitsubishi Materials Corp | 低透磁率を有する磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法 |
| US9103023B2 (en) * | 2009-03-27 | 2015-08-11 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Nonmagnetic material particle-dispersed ferromagnetic material sputtering target |
| JP4422203B1 (ja) * | 2009-04-01 | 2010-02-24 | Ｔａｎａｋａホールディングス株式会社 | マグネトロンスパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 |
| JP4870855B2 (ja) * | 2009-08-06 | 2012-02-08 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 無機物粒子分散型スパッタリングターゲット |
| MY149437A (en) * | 2010-01-21 | 2013-08-30 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Ferromagnetic material sputtering target |
| JP4673453B1 (ja) * | 2010-01-21 | 2011-04-20 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 強磁性材スパッタリングターゲット |
-
2012
- 2012-04-06 SG SG2013066196A patent/SG193277A1/en unknown
- 2012-04-06 JP JP2013510395A patent/JP5763178B2/ja active Active
- 2012-04-06 US US14/004,227 patent/US20140001038A1/en not_active Abandoned
- 2012-04-06 SG SG10201500148WA patent/SG10201500148WA/en unknown
- 2012-04-06 CN CN201280023523.7A patent/CN104105812B/zh active Active
- 2012-04-06 MY MYPI2013003400A patent/MY162450A/en unknown
- 2012-04-06 WO PCT/JP2012/059513 patent/WO2013027443A1/ja active Application Filing
- 2012-04-19 TW TW101113924A patent/TWI534285B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPWO2013027443A1 (ja) | 2015-03-19 |
| CN104105812B (zh) | 2017-05-24 |
| US20140001038A1 (en) | 2014-01-02 |
| WO2013027443A1 (ja) | 2013-02-28 |
| MY162450A (en) | 2017-06-15 |
| TWI534285B (zh) | 2016-05-21 |
| SG193277A1 (en) | 2013-10-30 |
| TW201309829A (zh) | 2013-03-01 |
| CN104105812A (zh) | 2014-10-15 |
| SG10201500148WA (en) | 2015-03-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5763178B2 (ja) | パーティクル発生の少ない強磁性材スパッタリングターゲット | |
| WO2012011204A1 (ja) | パーティクル発生の少ない強磁性材スパッタリングターゲット | |
| TWI435945B (zh) | Reduced Particle Generation of Strong Magnetic Sputtering Target | |
| JP5426030B2 (ja) | 強磁性材スパッタリングターゲット | |
| US9228251B2 (en) | Ferromagnetic material sputtering target | |
| WO2010110033A1 (ja) | 非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット | |
| JP4885333B1 (ja) | 強磁性材スパッタリングターゲット | |
| JP4837801B2 (ja) | Ｃｏ若しくはＣｏ合金相に酸化物相を分散させたスパッタリングターゲット | |
| JP5394576B2 (ja) | 強磁性材スパッタリングターゲット | |
| JP5394575B2 (ja) | 強磁性材スパッタリングターゲット | |
| TWI509096B (zh) | Strong magnetic sputtering target | |
| JP6359622B2 (ja) | Ｃｏ又はＦｅを含有するスパッタリングターゲット | |
| JP4673453B1 (ja) | 強磁性材スパッタリングターゲット | |
| JP5888664B2 (ja) | 強磁性材スパッタリングターゲット | |
| JP4758522B1 (ja) | パーティクル発生の少ない強磁性材スパッタリングターゲット | |
| JP4819199B1 (ja) | パーティクル発生の少ない強磁性材スパッタリングターゲット |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A529 | Written submission of copy of amendment under article 34 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A5211 Effective date: 20130304 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130312 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130312 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140722 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150217 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150422 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20150428 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150609 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150610 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5763178 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |