WO2010110033A1 - 非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット - Google Patents

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    • B22F2998/00—Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy

Definitions

  • the present invention relates to a non-magnetic material particle-dispersed ferromagnetic sputtering target used for forming a magnetic thin film of a magnetic recording medium, particularly a granular magnetic recording film of a hard disk adopting a perpendicular magnetic recording method, and has a large leakage magnetic flux.
  • the present invention relates to a sputtering target capable of obtaining a stable discharge when sputtering with a magnetron sputtering apparatus and having a high density and few particles generated during sputtering.
  • a technique for improving magnetic characteristics by finely dispersing a nonmagnetic material in a magnetic thin film has been developed.
  • a hard disk recording medium employing a perpendicular magnetic recording system employs a granular film in which the magnetic interaction between the magnetic particles in the magnetic recording film is blocked or weakened by a non-magnetic material. Has improved various characteristics.
  • One of the most suitable materials for this granular film is Co—Cr—Pt—SiO 2
  • this Co—Cr—Pt—SiO 2 granular film is generally made of a ferromagnetic material mainly composed of Co.
  • Non-magnetic material particle-dispersed ferromagnetic material target in which SiO 2 as a non-magnetic material is uniformly finely dispersed in a Co—Cr—Pt alloy substrate.
  • Such a non-magnetic material particle-dispersed ferromagnetic sputtering target is manufactured by powder metallurgy because it is impossible to uniformly and finely disperse non-magnetic material particles in the ferromagnetic alloy substrate by the melting method. It is widely known. For example, an alloy powder having an alloy phase produced by a rapid solidification method and a powder constituting the ceramic phase are mechanically alloyed, and the powder constituting the ceramic phase is uniformly dispersed in the alloy powder, and then molded by hot pressing and magnetically generated. A method for obtaining a sputtering target for a recording medium has been proposed (Patent Document 1).
  • nonmagnetic material particle-dispersed ferromagnetic material sputtering target can be produced by mixing by the above method and molding and sintering the mixed powder by hot pressing.
  • magnetron sputtering apparatuses are widely used in the above-described formation of magnetic recording films because of their high productivity.
  • a substrate serving as a positive electrode and a target serving as a negative electrode are opposed to each other, and an electric field is generated by applying a high voltage between the substrate and the target in an inert gas atmosphere.
  • the inert gas is ionized and a plasma composed of electrons and cations is formed.
  • the cations in the plasma collide with the surface of the target (negative electrode)
  • atoms constituting the target are knocked out.
  • the projected atoms adhere to the opposing substrate surface to form a film.
  • the principle that the material constituting the target is formed on the substrate by such a series of operations is used.
  • the magnetron sputtering device has a magnet on the back side of the target. Magnetic flux leaking from the magnet to the target surface (leakage magnetic flux) causes electrons to cycloidly move in the vicinity of the target surface, thereby efficiently generating plasma. It is possible to generate.
  • the present inventor investigated the influence of the temperature during sintering on the magnetic characteristics of the target in order to improve the leakage magnetic flux of the non-magnetic material particle-dispersed ferromagnetic sputtering target. As a result, it was found that when the sintering temperature is lowered, the leakage flux increases when the target having the same composition and shape is produced using the same mixed powder. However, in this case, since the relative density of the target was less than 98%, a new problem of generation of particles was encountered.
  • the present invention improves the leakage magnetic flux, obtains a stable discharge in a magnetron sputtering apparatus, and is a non-magnetic material particle-dispersed ferromagnetic material sputtering target with high density and few particles generated during sputtering. It is an issue to provide.
  • the present inventors have conducted intensive research and found that a target having a large leakage magnetic flux can be obtained by adjusting the target structure. Further, the present inventors have found that the density can be sufficiently increased and particles generated during sputtering can be reduced.
  • the present invention provides a sputtering target comprising a mixture of an alloy having Cr of 5 mol% or more and 20 mol% or less and the balance of Co and the non-magnetic material particles.
  • a non-magnetic material particle-dispersed ferromagnetic sputtering target characterized by comprising:
  • the present invention also provides a sputtering target comprising a mixture of an alloy having Cr of 5 mol% to 20 mol%, Pt of 5 mol% to 30 mol%, and the balance of Co and the nonmagnetic material particles.
  • the phase (A) in which the non-magnetic material particles are uniformly finely dispersed in the alloy, and the spherical alloy phase in which the volume ratio in the target is 4% or more and 40% or less in the phase (A).
  • B A nonmagnetic material particle-dispersed ferromagnetic sputtering target is provided.
  • the present invention provides a mixture of an alloy and nonmagnetic material particles in which Cr is 5 mol% to 20 mol%, Pt is 5 mol% to 30 mol%, B is 0.5 mol% to 8 mol%, and the balance is Co.
  • the structure of the target has a phase (A) in which the nonmagnetic material particles are uniformly finely dispersed in an alloy, and a volume ratio in the target in the phase (A).
  • a nonmagnetic material particle-dispersed ferromagnetic sputtering target characterized by having a spherical alloy phase (B) of 4% or more and 40% or less.
  • the spherical alloy phase (B) occupies the entire volume of the target including the phase (A) in which the nonmagnetic material particles as a matrix are uniformly finely dispersed.
  • the volume ratio is set to 4% or more and 40% or less because when the volume ratio occupied by the spherical alloy phase (B) is smaller than the above numerical range, the improvement of the leakage magnetic flux is small.
  • the volume ratio of the nonmagnetic material particles relatively increases in the phase (A), so that the nonmagnetic material particles can be uniformly and finely dispersed.
  • the non-magnetic material particle-dispersed ferromagnetic sputtering target of the present invention has a spherical alloy phase (B) having a volume ratio of 4% to 40%.
  • the reason why the alloy composition of the target is limited to the above composition is that it is a material used for a magnetic recording film of a hard disk drive.
  • the spherical alloy phase (B) contained in the target structure is concentrated in the vicinity of the center by 25 mol% or more of Cr, and the content of Cr from the center to the outer periphery. It is effective to form an alloy phase having a lower composition.
  • the present invention provides such a target. That is, in such a target, the spherical alloy phase (B) has a remarkable non-uniformity between the central portion and the outer peripheral portion. This can be clearly confirmed by measuring the element distribution on the polished surface of the target using an electron probe microanalyzer (EPMA).
  • EPMA electron probe microanalyzer
  • the distribution state of Cr concentration in the spherical alloy phase (B) varies depending on the sintering temperature and the properties of the raw material powder. As described above, the presence of the spherical alloy phase (B) is a unique structure of the target of the present invention. This shows the structure and is a major factor for increasing the leakage flux of the target of the present application.
  • the mechanism for increasing the leakage magnetic flux due to the presence of the spherical alloy phase (B) is not necessarily clear, but the following reasons are presumed.
  • the spherical alloy phase (B) there are at least a region having a low Cr concentration and a region having a high Cr concentration, and it is considered that lattice distortion exists in a place where such a concentration variation is large.
  • the magnetic moments of Co atoms are in a non-equilibrium state, and therefore a stronger magnetic field is required to align the directions of these magnetic moments.
  • the magnetic permeability is lowered, so that the magnetic flux from the magnet of the magnetron sputtering apparatus decreases in the amount passing through the inside of the target and leaks to the target surface. The amount that comes out increases.
  • the region with a high Cr concentration in the spherical alloy phase (B) prevents the domain wall from moving as a precipitate.
  • the magnetic permeability of the target is lowered and the leakage magnetic flux is increased.
  • a method of imparting dislocations in the target by cold rolling and improving leakage magnetic flux is widely known, but the same effect can be obtained by the spherical alloy phase (B). Presumed to have been done.
  • the region with a high Cr concentration in the phase (B) blocks the magnetic interaction in the ferromagnetic phase as the parent phase, the presence of the region with a high Cr concentration may affect the leakage magnetic flux. Sex is conceivable.
  • the spherical shape used in the present invention represents a solid shape including a true sphere, a pseudo true sphere, an oblate (spheroid), and an artificial oblate.
  • the difference between the major axis and the minor axis is 0 to 50%. That is, it can be said that the ratio of the maximum value to the minimum value of the length from the center of gravity to the outer periphery of the sphere is 2 or less. If it is this range, even if there are some unevenness
  • the ratio of the maximum value to the minimum value of the center of gravity of the cross section of the phase (B) and the length to the outer periphery may be 2 or less.
  • the alloy phase (B) is spherical, vacancies are unlikely to occur at the interface between the phase (A) and the phase (B) during sintering, and the density tends to increase.
  • the surface area of the spherical shape is smaller at the same volume, diffusion with surrounding metal powder (Co powder, Pt powder, etc.) is difficult to proceed, and the composition non-uniform phase (B), that is, Cr is near the center.
  • An alloy phase having a composition in which the concentration is 25 mol% or more and the Cr content is lower than that of the central portion is easily formed on the outer peripheral portion.
  • the diameter of the spherical alloy phase (B) is preferably in the range of 50 to 200 ⁇ m. Since there is an upper limit to the volume ratio of the spherical alloy phase (B) in the entire target, the number of the spherical alloy phases (B) contributing to the improvement of the leakage magnetic flux is reduced when it is larger than the above numerical range. As a result, the improvement of leakage magnetic flux is reduced. If the numerical value is smaller than the above range, diffusion of metal elements proceeds and a spherical alloy phase (B) having a Cr concentration distribution is formed when a high-density target is obtained at a sufficient sintering temperature. It becomes difficult to be done. Therefore, in the present invention, it can be said that it is desirable to produce a spherical alloy phase (B) having a diameter within the above numerical range.
  • the non-magnetic material particle-dispersed ferromagnetic sputtering target of the present invention is a material that does not reduce or decompose even when the non-magnetic material is ignited at 900 to 1300 ° C. together with a metal material in a vacuum or in an inert gas atmosphere. It is desirable. For example, it can be selected from non-magnetic materials such as oxide, nitride, carbide, and carbon. This is to avoid the unexpected influence of composition variation due to reduction or decomposition during target production.
  • these non-magnetic material particles have a volume ratio in the target of 30% or less.
  • the reason why the volume ratio of the nonmagnetic material particles is 30% or less is that when the volume ratio is larger than this, it becomes difficult to uniformly disperse the nonmagnetic material particles in the phase (A), and the number of particles increases during sputtering. This is because another problem occurs.
  • the relative density of the nonmagnetic material particle-dispersed ferromagnetic sputtering target of the present invention is desirably 98% or more.
  • the relative density is a value obtained by dividing the actually measured density of the target by the calculated density (also called the theoretical density).
  • the calculation density is a density when it is assumed that the constituent components of the target are mixed without diffusing or reacting with each other, and is calculated by the following equation.
  • the target thus adjusted becomes a target having a large leakage magnetic flux, and when used in a magnetron sputtering apparatus, the promotion of ionization of the inert gas proceeds efficiently, and a stable discharge can be obtained. Further, since the thickness of the target can be increased, there is an advantage that the replacement frequency of the target is reduced and the magnetic thin film can be manufactured at low cost. Furthermore, there is an advantage that the amount of particles generated can be reduced by increasing the density.
  • tissue image when the target surface of Example 1 is observed with a scanning electron microscope (SEM). It is a figure which shows the element distribution image when the target surface of Example 1 is measured with an electron beam probe microanalyzer (EPMA). It is a structure
  • the non-magnetic material particle-dispersed ferromagnetic sputtering target of the present invention first, powders of Co, Cr, Pt, and B elements to be produced or alloy powders of these metals are prepared. These powders desirably have a maximum particle size of 20 ⁇ m or less. These metal powders and one or more oxide powders selected from Cr, Ta, Si, Ti, Zr, Al, Nb, and B as nonmagnetic materials are pulverized using a known technique such as a ball mill. Mix as well. In addition to the above oxide powder, nitride powder, carbide powder, or carbon powder may be used as the nonmagnetic material powder. However, it is desirable to use a nonmagnetic material powder having a maximum particle size of 5 ⁇ m or less.
  • a Co—Cr spherical powder having a diameter in the range of 50 to 200 ⁇ m is prepared and mixed with the above mixed powder with a mixer.
  • the Co—Cr spherical powder used here can be obtained by sieving a powder produced by the gas atomization method.
  • the mixer is preferably a planetary motion type mixer or a planetary motion type stirring mixer.
  • the non-magnetic material particle-dispersed ferromagnetic sputtering target of the present invention is produced by molding and sintering the powder thus obtained using a vacuum hot press machine and cutting it into a desired shape.
  • the Co—Cr spherical powder described above corresponds to the spherical alloy phase (B) observed in the target structure.
  • the composition of the Co—Cr spherical powder is preferably such that the Cr content is 25 mol% or more and 70 mol% or less.
  • the reason for limiting the composition of the Co—Cr spherical powder to the above range is that if the Cr content is less than the above range, it becomes difficult to form a Cr-concentrated region in the spherical alloy phase (B), and the leakage magnetic flux This is because improvement cannot be expected.
  • the molding / sintering is not limited to hot pressing, and a plasma discharge sintering method and a hot isostatic pressing method can also be used.
  • the holding temperature at the time of sintering is preferably set to the lowest temperature in a temperature range where the target is sufficiently densified. Depending on the composition of the target, it is often in the temperature range of 900-1300 ° C.
  • Example 1 Comparative Example 1
  • a Co powder having an average particle diameter of 3 ⁇ m, a SiO 2 powder having an average particle diameter of 1 ⁇ m, and a Co—Cr spherical powder having a diameter in the range of 50 to 150 ⁇ m and containing 60 mol% of Cr were prepared as raw material powders.
  • % Weight ratio %
  • Co powder and SiO 2 powder were enclosed in a ball mill pot with a capacity of 10 liters together with zirconia balls as a grinding medium, and rotated and mixed for 20 hours. Further, the obtained mixed powder and Co—Cr spherical powder were mixed for 10 minutes with a planetary motion type mixer having a ball capacity of about 7 liters.
  • This mixed powder was filled in a carbon mold and hot-pressed in a vacuum atmosphere under conditions of a temperature of 1150 ° C., a holding time of 2 hours, and a pressure of 30 MPa to obtain a sintered body. Further, this was cut with a lathe to obtain a disk-shaped target having a diameter of 180.00 mm and a thickness of 7.00 mm.
  • the leakage magnetic flux was measured according to ASTM F2086-01 (Standard Test Method for Pass Through Flux of Circular Magnetic Sputtering Targets, Method 2). Leakage magnetic flux measured by fixing the center of the target and rotating it at 0 degree, 30 degree, 60 degree, 90 degree, 120 degree is divided by the value of the reference field defined by ASTM, and multiplied by 100 to get a percentage. Expressed in And the result averaged about these 5 points
  • Co powder having an average particle size of 3 ⁇ m, Cr powder having an average particle size of 5 ⁇ m, and SiO 2 powder having an average particle size of 1 ⁇ m were prepared as raw material powders. These powders so that the target composition is 77.5Co-14.5Cr-8SiO 2 (mol %), Co powder 78.73wt%, Cr powder 12.99wt%, SiO 2 powder 8.28Wt% weight ratio Weighed with. These powders were enclosed in a ball mill pot with a capacity of 10 liters together with zirconia balls as a grinding medium, and rotated and mixed for 20 hours.
  • this mixed powder was filled in a carbon mold and hot-pressed in a vacuum atmosphere under conditions of a temperature of 1150 ° C., a holding time of 2 hours, and a pressure of 30 MPa to obtain a sintered body. Further, this was processed into a disk-shaped target having a diameter of 180.00 mm and a thickness of 7.00 mm with a lathe, and the average leakage magnetic flux was measured. The results are shown in Table 1.
  • Example 1 As shown in Table 1, it was confirmed that the average leakage magnetic flux of the target of Example 1 was 63%, which was improved more than 48% of Comparative Example 1. In Example 1, the relative density was 99.3%, and a high-density target exceeding 98% was obtained.
  • FIG. 1 shows a structure image when the target polished surface of Example 1 is observed with a scanning electron microscope (SEM), and FIG. 2 shows an element distribution image when a part of a spherical alloy phase is measured with EPMA.
  • SEM scanning electron microscope
  • FIG. 2 shows an element distribution image when a part of a spherical alloy phase is measured with EPMA. Show.
  • the tissue image in FIG. 1 very characteristic of the above first embodiment, in a matrix of SiO 2 particles are finely dispersed, the alloy phase of major spherical without the SiO 2 particles are dispersed It is.
  • a portion that appears white in the element distribution image of EPMA is a region having a high concentration of the element.
  • the concentration of Co and Cr is higher in the spherical alloy phase portion, and in particular, the concentration of Cr is higher (whiter) from the peripheral portion toward the central portion.
  • the concentration of Cr is higher (whiter) from the peripheral portion toward the central portion.
  • Example 2 comparative example 2
  • Co powder having an average particle diameter of 3 ⁇ m, Pt powder having an average particle diameter of 2 ⁇ m, SiO 2 powder having an average particle diameter of 1 ⁇ m, Co having a diameter in the range of 50 to 150 ⁇ m and containing 40 mol% of Cr. -Cr spherical powder was prepared. These powders as the composition of the target is 60Co-16Cr-16Pt-8SiO 2 (mol%), Co powder 26.62wt%, Pt powder 39.16wt%, SiO 2 powder 6.03wt%, Co-Cr Each spherical powder was weighed at a weight ratio of 28.19 wt%.
  • Co powder, Pt powder, and SiO 2 powder were encapsulated in a ball mill pot with a capacity of 10 liters together with zirconia balls as a grinding medium, and rotated and mixed for 20 hours. Further, the obtained mixed powder and Co—Cr spherical powder were mixed for 10 minutes by a planetary motion type mixer having a ball capacity of about 7 liters.
  • This mixed powder was filled in a carbon mold and hot-pressed in a vacuum atmosphere under conditions of a temperature of 1150 ° C., a holding time of 2 hours, and a pressure of 30 MPa to obtain a sintered body. Furthermore, this was processed into a disk-shaped target having a diameter of 165.10 mm and a thickness of 6.35 mm with a lathe, and the average leakage magnetic flux was measured. The results are shown in Table 2.
  • Co powder having an average particle size of 3 ⁇ m, Cr powder having an average particle size of 5 ⁇ m, Pt powder having an average particle size of 2 ⁇ m, and SiO 2 powder having an average particle size of 1 ⁇ m were prepared as raw material powders.
  • Each was weighed at a weight ratio of 03 wt%.
  • this mixed powder was filled in a carbon mold and hot-pressed in a vacuum atmosphere under conditions of a temperature of 1150 ° C., a holding time of 2 hours, and a pressure of 30 MPa to obtain a sintered body. Furthermore, this was processed into a disk-shaped target having a diameter of 165.10 mm and a thickness of 6.35 mm with a lathe, and the average leakage magnetic flux was measured. The results are shown in Table 2.
  • Example 2 As shown in Table 2, it was confirmed that the average leakage magnetic flux of the target of Example 2 was 70%, which was improved from 63% of Comparative Example 2. In Example 2, the relative density was 98.3%, and a high-density target exceeding 98% was obtained.
  • FIG. 4 shows a tissue image when the target polished surface of Example 2 is observed with an SEM
  • FIG. 5 shows an element distribution image when measured with an EPMA.
  • tissue image of FIG. 4 very characteristic of the above second embodiment, in a matrix of SiO 2 particles are finely dispersed, the alloy phase of major spherical without the SiO 2 particles are dispersed It is.
  • a portion that appears white in the EPMA element distribution image is a region having a high concentration of the element. That is, the concentration of Co and Cr is higher in the spherical alloy phase portion, and in particular, the concentration of Cr is higher (whiter) from the peripheral portion toward the central portion.
  • Example 3 Comparative Example 3
  • the raw material powder was Co powder having an average particle size of 3 ⁇ m, Pt powder having an average particle size of 2 ⁇ m, B powder having an average particle size of 10 ⁇ m, TiO 2 powder having an average particle size of 0.5 ⁇ m, and a diameter of 100 to 200 ⁇ m.
  • a Co—Cr spherical powder in the range and containing 40 mol% of Cr was prepared. In these powders, Co powder 22.89 wt%, Pt powder 39.99 wt%, B powder 0.4 wt so that the composition of the target is 56 Co-16.5Cr-16.5Pt-3B-8TiO 2 (mol%). %, TiO 2 powder 7.94 wt%, and Co—Cr spherical powder 28.78 wt%.
  • Co powder, Pt powder, B powder, and TiO 2 powder were sealed in a ball mill pot having a capacity of 10 liters together with zirconia balls as a grinding medium, and rotated and mixed for 20 hours. Further, the obtained mixed powder and Co—Cr spherical powder were mixed for 10 minutes by a planetary motion type mixer having a ball capacity of about 7 liters.
  • the mixed powder was filled in a carbon mold and hot-pressed in a vacuum atmosphere under the conditions of a temperature of 1050 ° C., a holding time of 2 hours, and a pressure of 30 MPa to obtain a sintered body. Furthermore, this was processed into a disk-shaped target having a diameter of 165.10 mm and a thickness of 6.35 mm with a lathe, and the average leakage magnetic flux was measured. The results are shown in Table 3.
  • the raw material powder was Co powder having an average particle size of 3 ⁇ m, Cr powder having an average particle size of 5 ⁇ m, Pt powder having an average particle size of 2 ⁇ m, B powder having an average particle size of 10 ⁇ m, and TiO 2 having an average particle size of 0.5 ⁇ m. Powder was prepared. These powders were prepared so that the target composition was 56Co-16.5Cr-16.5Pt-3B-8TiO 2 (mol%), Co powder 41 wt%, Cr powder 10.67 wt%, Pt powder 39.99 wt%, B The powder was weighed at a weight ratio of 0.4 wt% and TiO 2 powder 7.94 wt%.
  • Example 3 As shown in Table 3, it was confirmed that the average leakage magnetic flux of the target of Example 3 was 72%, which was improved from 64% of Comparative Example 3. In Example 3, the relative density was 99.2%, and a high-density target exceeding 98% was obtained.
  • FIG. 7 shows a tissue image when the target polished surface of Example 3 is observed with an SEM
  • FIG. 8 shows an element distribution image when measured with an EPMA.
  • tissue image in FIG 7 very characteristic of the above third embodiment, in a matrix of TiO 2 particles are finely dispersed, the alloy phase of major spherical free of TiO 2 particles are dispersed It is.
  • a portion that appears white in the element distribution image of EPMA is a region having a high concentration of the element. That is, the concentration of Co and Cr is higher in the spherical alloy phase portion, and in particular, the concentration of Cr is higher (whiter) from the peripheral portion toward the central portion.
  • Example 4 comparative example 4
  • Co powder having an average particle diameter of 3 ⁇ m, B 2 O 3 powder having an average particle diameter of 3 ⁇ m, SiO 2 powder having an average particle diameter of 1 ⁇ m, a diameter in the range of 75 to 150 ⁇ m, and Cr of 40 mol% Co-Cr spherical powder containing was prepared. Co powder 56.45 wt%, B 2 O 3 powder 2.39 wt%, SiO 2 so that the composition of the target is 77.5Co-14.5Cr-2B 2 O 3 -6SiO 2 (mol%). The two powders were weighed at a weight ratio of 6.19 wt% and Co-Cr spherical powder 34.97 wt%.
  • Co powder having an average particle diameter of 3 ⁇ m, Cr powder having an average particle diameter of 5 ⁇ m, B 2 O 3 powder having an average particle diameter of 3 ⁇ m, and SiO 2 powder having an average particle diameter of 1 ⁇ m were prepared as raw material powders.
  • Each was weighed at a weight ratio of 2.39 wt% and SiO 2 powder 6.19 wt%.
  • Example 4 As shown in Table 4, the average leakage magnetic flux of the target of Example 4 was 68%, which was confirmed to be significantly improved from 53% of Comparative Example 4. In Example 4, the relative density was 99.7%, and a high-density target exceeding 98% was obtained.
  • Example 4 When the target polished surface of Example 4 was observed with an SEM, a large spherical alloy phase containing no B 2 O 3 particles and SiO 2 particles in a matrix in which B 2 O 3 particles and SiO 2 particles were finely dispersed. It was confirmed that was dispersed. In addition, when the element distribution image was acquired using EPMA, the concentration of Co and Cr was high in the spherical alloy phase portion, and in particular, the concentration of Cr became higher from the peripheral portion toward the central portion. It was confirmed that
  • Example 5 Comparative Example 5
  • Co powder having an average particle diameter of 3 ⁇ m, Pt powder having an average particle diameter of 2 ⁇ m, TiO 2 powder having an average particle diameter of 0.5 ⁇ m, Cr 2 O 3 powder having an average particle diameter of 1 ⁇ m, and a diameter of 75 As a raw material powder, Co powder having an average particle diameter of 3 ⁇ m, Pt powder having an average particle diameter of 2 ⁇ m, TiO 2 powder having an average particle diameter of 0.5 ⁇ m, Cr 2 O 3 powder having an average particle diameter of 1 ⁇ m, and a diameter of 75.
  • a Co—Cr spherical powder in the range of ⁇ 150 ⁇ m and containing 40 mol% of Cr was prepared.
  • Co powder, Pt powder, TiO 2 powder, and Cr 2 O 3 powder were enclosed in a 10-liter ball mill pot together with zirconia balls serving as a grinding medium, and rotated and mixed for 20 hours. Further, the obtained mixed powder and Co—Cr spherical powder were mixed for 10 minutes by a planetary motion type mixer having a ball capacity of about 7 liters.
  • This mixed powder was filled into a carbon mold and hot-pressed in a vacuum atmosphere under the conditions of a temperature of 1100 ° C., a holding time of 2 hours, and a pressure of 30 MPa to obtain a sintered body. Furthermore, this was processed into a disk-shaped target having a diameter of 165.10 mm and a thickness of 6.35 mm with a lathe, and the average leakage magnetic flux was measured. The results are shown in Table 5.
  • Co powder with an average particle size of 3 ⁇ m, Cr powder with an average particle size of 5 ⁇ m, Pt powder with an average particle size of 2 ⁇ m, TiO 2 powder with an average particle size of 0.5 ⁇ m, Cr with an average particle size of 1 ⁇ m 2 O 3 powder was prepared. These powders were made to have a target composition of 58.7Co-15.65Cr-15.65Pt-7TiO 2 -3Cr 2 O 3 (mol%), Co powder 41.47 wt%, Cr powder 9.76 wt%, Pt The powder was weighed at a weight ratio of 36.6 wt%, TiO 2 powder 6.7 wt%, and Cr 2 O 3 powder 5.47 wt%.
  • Example 5 As shown in Table 5, it was confirmed that the average leakage magnetic flux of the target of Example 5 was 65%, which was improved more than 60% of Comparative Example 5. In Example 5, the relative density was 98.5%, and a high-density target exceeding 98% was obtained.
  • Example 5 When the target polished surface of Example 5 was observed by SEM, a large spherical alloy phase not containing TiO 2 particles and Cr 2 O 3 particles in a matrix in which TiO 2 particles and Cr 2 O 3 particles were finely dispersed. It was confirmed that was dispersed. In addition, when the element distribution image was acquired using EPMA, the concentration of Co and Cr was high in the spherical alloy phase portion, and in particular, the concentration of Cr became higher from the peripheral portion toward the central portion. It was confirmed that
  • Example 6 Comparative Example 6
  • Two powders, Co—Cr spherical powder having a diameter in the range of 75 to 150 ⁇ m and containing 40 mol% of Cr were prepared.
  • Co powder, Pt powder, B powder, TiO 2 powder, and SiO 2 powder were enclosed in a ball mill pot with a capacity of 10 liters together with zirconia balls as a grinding medium, and rotated and mixed for 20 hours. Further, the obtained mixed powder and Co—Cr spherical powder were mixed for 10 minutes by a planetary motion type mixer having a ball capacity of about 7 liters.
  • the mixed powder was filled in a carbon mold and hot-pressed in a vacuum atmosphere under the conditions of a temperature of 1050 ° C., a holding time of 2 hours, and a pressure of 30 MPa to obtain a sintered body. Furthermore, this was processed into a disk-shaped target having a diameter of 165.10 mm and a thickness of 6.35 mm with a lathe, and the average leakage magnetic flux was measured. The results are shown in Table 6.
  • the raw material powder was Co powder having an average particle size of 3 ⁇ m, Cr powder having an average particle size of 5 ⁇ m, Pt powder having an average particle size of 2 ⁇ m, B powder having an average particle size of 10 ⁇ m, and TiO 2 having an average particle size of 0.5 ⁇ m.
  • a powder and SiO 2 powder having an average particle diameter of 1 ⁇ m were prepared.
  • These powders were made to have a target composition of 58Co-16Cr-16Pt-2B-3TiO 2 -5SiO 2 (mol%), Co powder 43.08 wt%, Cr powder 10.49 wt%, Pt powder 39.35 wt%, B powder 0.27 wt%, TiO 2 powder 3.02 wt%, SiO 2 powder 3.79 wt% were weighed respectively.
  • Example 6 As shown in Table 6, it was confirmed that the average leakage magnetic flux of the target of Example 6 was 70%, which was improved from 63% of Comparative Example 6. In Example 6, the relative density was 99.1%, and a high-density target exceeding 98% was obtained.
  • Target polished surface of Example 6 was observed by SEM, in the matrix of TiO 2 particles and SiO 2 particles are finely dispersed, alloy phase of a large spherical free of TiO 2 particles and SiO 2 particles are dispersed It was confirmed.
  • the concentration of Co and Cr was high in the spherical alloy phase portion, and in particular, the concentration of Cr became higher from the peripheral portion toward the central portion. It was confirmed that
  • Example 7 Comparative Example 7
  • the raw material powder was Co powder having an average particle diameter of 3 ⁇ m, Pt powder having an average particle diameter of 2 ⁇ m, C powder having an average particle diameter of 1 ⁇ m, Co—with a diameter in the range of 75 to 150 ⁇ m and containing 40 mol% of Cr. Cr spherical powder was prepared. Co powder 26.66 wt%, Pt powder 39.19 wt%, C powder 5.95 wt% so that the composition of the target is 45.66Co-12.17Cr-12.17Pt-30C (mol%). The Co—Cr spherical powder was weighed at a weight ratio of 28.2 wt%.
  • Co powder, Pt powder, and C powder were encapsulated in a ball mill pot having a capacity of 10 liters together with zirconia balls as a grinding medium, and rotated and mixed for 20 hours. Further, the obtained mixed powder and Co—Cr spherical powder were mixed for 10 minutes by a planetary motion type mixer having a ball capacity of about 7 liters.
  • the mixed powder was filled in a carbon mold and hot-pressed in a vacuum atmosphere under the conditions of a temperature of 1300 ° C., a holding time of 2 hours, and a pressure of 30 MPa to obtain a sintered body. Furthermore, this was processed into a disk-shaped target having a diameter of 165.10 mm and a thickness of 6.35 mm with a lathe, and the average leakage magnetic flux was measured. The results are shown in Table 7.
  • Co powder having an average particle size of 3 ⁇ m, Cr powder having an average particle size of 5 ⁇ m, Pt powder having an average particle size of 2 ⁇ m, and C powder having an average particle size of 1 ⁇ m were prepared as raw material powders.
  • C powder was weighed at a weight ratio of 5.95 wt%.
  • Example 7 As shown in Table 7, the average leakage magnetic flux of the target of Example 7 was 67%, which was confirmed to be significantly improved from 61% of Comparative Example 7. In Example 7, the relative density was 98.0%, and a high-density target was obtained.
  • Example 7 When the target polished surface of Example 7 was observed with an SEM, it was confirmed that a large spherical alloy phase not containing C particles was dispersed in a matrix in which C particles were finely dispersed. In addition, when the element distribution image was acquired using EPMA, the concentration of Co and Cr was high in the spherical alloy phase portion, and in particular, the concentration of Cr became higher from the peripheral portion toward the central portion. It was confirmed that
  • Example 8 comparative example 8
  • the raw material powder was Co powder having an average particle diameter of 3 ⁇ m, Pt powder having an average particle diameter of 2 ⁇ m, SiC powder having an average particle diameter of 2 ⁇ m, Co—with a diameter in the range of 75 to 150 ⁇ m and containing 40 mol% of Cr.
  • Cr spherical powder was prepared. Co powder 25.9 wt%, Pt powder 38.1 wt%, SiC powder 8.58 wt% so that the composition of these powders was 54.78Co-14.61Cr-14.61Pt-16SiC (mol%).
  • the Co—Cr spherical powder was weighed at a weight ratio of 27.42 wt%.
  • Co powder having an average particle diameter of 3 ⁇ m, Cr powder having an average particle diameter of 5 ⁇ m, Pt powder having an average particle diameter of 2 ⁇ m, and SiC powder having an average particle diameter of 2 ⁇ m were prepared as raw material powders. These powders were coated with 43.16 wt% Co powder, 10.16 wt% Cr powder, 38.10 wt% Pt powder, and 54.78 Co-14.61 Cr-14.61 Pt-16 SiC (mol%). Each of the SiC powders was weighed at a weight ratio of 8.58 wt%.
  • Example 8 As shown in Table 8, it was confirmed that the average leakage magnetic flux of the target of Example 8 was 66%, which was improved from 58% of Comparative Example 8. In Example 8, the relative density was 98.5%, and a high-density target exceeding 98% was obtained.
  • Example 8 When the target polished surface of Example 8 was observed by SEM, it was confirmed that a large spherical alloy phase not containing SiC particles was dispersed in a matrix in which SiC particles were finely dispersed. In addition, when the element distribution image was acquired using EPMA, the concentration of Co and Cr was high in the spherical alloy phase portion, and in particular, the concentration of Cr became higher from the peripheral portion toward the central portion. It was confirmed that
  • Example 9 Comparative Example 9
  • the raw material powder was Co powder having an average particle diameter of 3 ⁇ m, Pt powder having an average particle diameter of 2 ⁇ m, TiN powder having an average particle diameter of 5 ⁇ m, Co—with a diameter in the range of 75 to 150 ⁇ m and containing 40 mol% of Cr.
  • Cr spherical powder was prepared. Co powder 24.99 wt%, Pt powder 36.74 wt%, TiN powder 11.83 wt% so that the composition of the target is 55.44Co-14.78Cr-14.78Pt-15TiN (mol%).
  • the Co—Cr spherical powder was weighed at a weight ratio of 26.44 wt%.
  • Co powder, Pt powder, and TiN powder were enclosed in a ball mill pot with a capacity of 10 liters together with zirconia balls as a grinding medium, and rotated and mixed for 20 hours. Further, the obtained mixed powder and Co—Cr spherical powder were mixed for 10 minutes by a planetary motion type mixer having a ball capacity of about 7 liters.
  • This mixed powder was filled in a carbon mold and hot-pressed in a vacuum atmosphere at a temperature of 1000 ° C., a holding time of 2 hours, and a pressure of 30 MPa to obtain a sintered body. Furthermore, this was processed into a disk-shaped target having a diameter of 165.10 mm and a thickness of 6.35 mm with a lathe, and the average leakage magnetic flux was measured. The results are shown in Table 9.
  • a Co powder having an average particle diameter of 3 ⁇ m, a Cr powder having an average particle diameter of 5 ⁇ m, a Pt powder having an average particle diameter of 2 ⁇ m, and a TiN powder having an average particle diameter of 5 ⁇ m were prepared as raw material powders. These powders were made to have a target composition of 55.44Co-14.78Cr-14.78Pt-15TiN (mol%), 41.64 wt% Co powder, 9.79 wt% Cr powder, 36.74 wt% Pt powder, The TiN powder was weighed at a weight ratio of 11.83 wt%.
  • Example 9 As shown in Table 9, it was confirmed that the average leakage magnetic flux of the target of Example 9 was 63%, which was significantly improved from 57% of Comparative Example 9. In Example 9, the relative density was 98.5%, and a high-density target exceeding 98% was obtained.
  • Example 9 When the target polished surface of Example 9 was observed by SEM, it was confirmed that a large spherical alloy phase not containing TiN particles was dispersed in a matrix in which TiN particles were finely dispersed. Further, when an element distribution image was acquired using EPMA, the concentration of Co and Cr was high in the spherical alloy phase portion, and in particular, the concentration of Cr was higher from the peripheral portion toward the central portion. It was confirmed.
  • the present invention relates to the structure of a non-magnetic material particle-dispersed ferromagnetic sputtering target having a phase (A) in which non-magnetic material particles are uniformly finely dispersed and the volume occupied in the target in the phase (A). Dispersion of non-magnetic material particles by a magnetron sputtering device by adjusting the magnetic flux so that a spherical alloy phase (B) having a ratio of 4% or more and 40% or less is present to increase the leakage magnetic flux and further increase the density of the target. Stable and highly productive sputtering of the type ferromagnetic sputtering target can be realized.
  • Non-magnetic material particle-dispersed ferromagnetic sputtering target used for forming a magnetic thin film of a magnetic recording medium, particularly a granular magnetic recording film of a hard disk employing a perpendicular magnetic recording method.

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Abstract

　Ｃｒが５ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下、Ｐｔが５ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである合金と非磁性材粒子との混合体からなるスパッタリングターゲットにおいて、このターゲットの組織が、合金の中に前記非磁性材粒子が均一に微細分散した相（Ａ）と、前記相（Ａ）の中に、ターゲット中に占める体積の比率が４％以上４０％以下の球形の合金相（Ｂ）とを有していることを特徴とする非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。漏洩磁束を向上させて、マグネトロンスパッタ装置で安定した放電が得られ、かつ高密度で、スパッタ時に発生するパーティクルの少ない非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットを得る。

Description

非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット
　本発明は、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特に垂直磁気記録方式を採用したハードディスクのグラニュラー磁気記録膜の成膜に使用される非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットに関し、漏洩磁束が大きくマグネトロンスパッタ装置でスパッタする際に安定した放電が得られ、かつ高密度で、スパッタ時に発生するパーティクルの少ないスパッタリングターゲットに関する。
　磁気記録の分野では、磁性体薄膜中に非磁性材料を微細分散させることにより磁気特性を向上させる技術が開発されている。その一例として、垂直磁気記録方式を採用するハードディスクの記録媒体では、磁気記録膜中の磁性粒子間の磁気的相互作用を非磁性材料により遮断、または弱めたグラニュラー膜を採用し、磁気記録媒体としての各種特性を向上させている。
　このグラニュラー膜に最適な材料の一つとしてＣｏ－Ｃｒ－Ｐｔ－ＳｉＯ２が知られており、このＣｏ－Ｃｒ－Ｐｔ－ＳｉＯ２のグラニュラー膜は、一般に、Ｃｏを主成分とした強磁性のＣｏ－Ｃｒ－Ｐｔ合金の素地中に非磁性材料であるＳｉＯ２が均一に微細分散した非磁性材粒子分散型強磁性材ターゲットをスパッタリングして作製される。
　このような非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットは、溶解法では非磁性材粒子を強磁性合金素地中に均一に微細分散させることが不可能であるため、粉末冶金法で製造されることが広く知られている。
　例えば、急冷凝固法で作製した合金相を持つ合金粉末とセラミックス相を構成する粉末とをメカニカルアロイングし、セラミックス相を構成する粉末を合金粉末中に均一に分散させ、ホットプレスにより成形し磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを得る方法が提案されている（特許文献１）。
　また、急冷凝固法で作製した合金粉末を用いなくても、ターゲットを構成する各成分について市販の原料粉末を用意し、それらの原料粉を所望の組成になるように秤量し、ボールミル等の公知の手法で混合し、混合粉末をホットプレスにより成型・焼結することによって、非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットは作製できる。
また焼結後に密度の高い素材が得られれば、スパッタ時に問題となるパーティクルの発生量が少ないことが一般的に知られている。
　スパッタリング装置には様々な方式のものがあるが、上記の磁気記録膜の成膜では、生産性の高さからマグネトロンスパッタリング装置が広く用いられている。
スパッタリング法とは、正の電極となる基板と負の電極となるターゲットを対向させ、不活性ガス雰囲気下で、該基板とターゲット間に高電圧を印加して電場を発生させるものである。
　この時、不活性ガスが電離し、電子と陽イオンからなるプラズマが形成されるが、このプラズマ中の陽イオンがターゲット（負の電極）の表面に衝突するとターゲットを構成する原子が叩き出されるが、この飛び出した原子が対向する基板表面に付着して膜が形成される。このような一連の動作により、ターゲットを構成する材料が基板上に成膜されるという原理を用いたものである。
　マグネトロンスパッタ装置の特徴は、ターゲットの裏面側に磁石を備えており、この磁石からターゲット表面に漏れ出てくる磁束（漏洩磁束）が、ターゲット表面近傍において電子をサイクロイド運動させて、効率良くプラズマを発生させることを可能としていることである。
特開平１０－８８３３３号公報
　一般に、上記のようなマグネトロンスパッタ装置で非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットをスパッタしようとすると、磁石からの磁束の多くは強磁性材であるターゲット内部を通過してしまうため、漏洩磁束が少なくなり、スパッタ時に放電が立たない、あるいは放電しても放電が安定しないという大きな問題が生じる。
　この問題を解決するには、ターゲット中の非磁性材粒子の体積比率を増やすことや、Ｃｏの含有割合を減らすことが考えられる。しかし、この場合、所望のグラニュラー膜を得ることができないため本質的な解決策ではない。
　また、ターゲットの厚みを薄くすることで漏洩磁束を向上させることは可能だが、この場合ターゲットのライフが短くなり、頻繁にターゲットを交換する必要が生じるのでコストアップの要因になる。
　そこで、本発明者は、非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットの漏洩磁束を向上させるために、焼結時の温度がターゲットの磁気特性に与える影響について調査した。その結果、焼結の温度を下げると、同一の混合粉末を用いて、同一組成・同一形状のターゲットを作製する場合、漏洩磁束が大きくなるという知見を得た。
しかし、この場合、ターゲットの相対密度が９８％を下回ってしまうため、パーティクルの発生という新たな問題に直面した。
　本発明は上記問題を鑑みて、漏洩磁束を向上させて、マグネトロンスパッタ装置で安定した放電が得られ、かつ、高密度でスパッタ時に発生するパーティクルの少ない非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットを提供することを課題とする。
　上記の課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、ターゲットの組織構造を調整することにより、漏洩磁束の大きいターゲットが得られることを見出した。また、このターゲットは、密度を十分高くすることができ、スパッタ時に発生するパーティクルを減少させることができるとの知見を得た。
　このような知見に基づき、本発明は、Ｃｒが５ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである合金と非磁性材粒子との混合体からなるスパッタリングターゲットにおいて、このターゲットの組織が、合金の中に前記非磁性材粒子が均一に微細分散した相（Ａ）と、前記相（Ａ）の中に、ターゲット中に占める体積の比率が４％以上４０％以下の球形の合金相（Ｂ）とを有していることを特徴とする非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットを提供する。
　また、本発明は、Ｃｒが５ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下、Ｐｔが５ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである合金と非磁性材粒子との混合体からなるスパッタリングターゲットにおいて、このターゲットの組織が、合金の中に前記非磁性材粒子が均一に微細分散した相（Ａ）と、前記相（Ａ）の中に、ターゲット中に占める体積の比率が４％以上４０％以下の球形の合金相（Ｂ）とを有していることを特徴とする非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットを提供する。
　また、本発明は、Ｃｒが５ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下、Ｐｔが５ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、Ｂが０．５ｍｏｌ％以上８ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである合金と非磁性材粒子との混合体からなるスパッタリングターゲットにおいて、このターゲットの組織が、合金の中に前記非磁性材粒子が均一に微細分散した相（Ａ）と、前記相（Ａ）の中に、ターゲット中に占める体積の比率が４％以上４０％以下の球形の合金相（Ｂ）とを有していることを特徴とする非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットを提供する。
　本発明の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットでは、マトリックスとなる非磁性材粒子が均一に微細分散した相（Ａ）を含むターゲット全体の体積において、球形の合金相（Ｂ）の占める体積比率を４％以上４０％以下としているが、これは球形の合金相（Ｂ）の占める体積比率が、上記数値範囲より小さいときには、漏洩磁束の向上が少ないからである。
　また、上記数値範囲より大きいときには、ターゲットの組成にもよるが、該相（Ａ）中で、相対的に非磁性材粒子の体積比率が増えるので、非磁性材粒子を均一に微細分散させることが難しくなり、スパッタ時にパーティクルが増加するといった、別の問題が発生するからである。
　以上から、本願発明の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットは、体積比率で４％以上４０％以下の球形の合金相（Ｂ）を有するものである。なおターゲットの合金組成を上記組成に限定するのは、ハードディスクドライブの磁気記録膜に用いられる材料であることを考慮したためである。
　上記非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットにおいて、ターゲット組織に含まれる球形の合金相（Ｂ）が、中心付近にＣｒが２５ｍｏｌ％以上濃縮し、外周部にかけてＣｒの含有量が中心部より低くなる組成の合金相を形成していることが有効である。本願発明は、このようなターゲットを提供する。
　すなわち、このようなターゲットでは、球形の合金相（Ｂ）は、中心部と外周部にかけて顕著な不均一性を有している。これは電子線プローブマイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）を用いてターゲットの研磨面の元素分布を測定すると明確に確認できる。
　球形の合金相（Ｂ）におけるＣｒ濃度の分布状態は、焼結温度や原料粉の性状によって変化するが、上記の通り、球形の合金相（Ｂ）の存在は、本願発明ターゲットの独特の組織構造を示すものであり、本願ターゲットの漏洩磁束を高める大きな要因となっている。
　球形の合金相（Ｂ）の存在による漏洩磁束を高めるメカニズムは、必ずしも明確ではないが、以下のような理由が推測される。
　第一に、球形の合金相（Ｂ）には、少なからずＣｒの濃度が低い領域と高い領域が存在し、このような濃度変動の大きな場所では格子歪みが存在すると考えられる。
　格子歪みがあると、Ｃｏ原子が持つ磁気モーメントは互いに非平衡状態をとるため、これらの磁気モーメントの向きを揃えるためには、より強力な磁場が必要となる。
　従って、金属元素が均一に拡散し、格子歪みのない状態と比較すると、透磁率が低くなるため、マグネトロンスパッタ装置の磁石からの磁束は、ターゲット内部を通過する量が減って、ターゲット表面に漏れ出てくる量が増す。
　第二に、球形の合金相（Ｂ）中のＣｒ濃度の高い領域は、析出物として磁壁の移動を妨げていると考えられる。その結果、ターゲットの透磁率が低くなり漏洩磁束が増す。
圧延加工可能な強磁性材ターゲットでは、冷間圧延でターゲット中に転位を付与し、漏洩磁束を向上させる方法が広く知られているが、それと同様の効果が球形の合金相（Ｂ）によってもたらされていると推測される。
　さらに該相（Ｂ）中のＣｒ濃度の高い領域は、母相である強磁性相内の磁気的相互作用を遮断するので、Ｃｒ濃度の高い領域の存在が漏洩磁束に影響を与えている可能性が考えられる。
　ここで、本願発明において使用する球形とは、真球、擬似真球、扁球（回転楕円体）、擬似扁球を含む立体形状を表す。いずれも、長軸と短軸の差が０～５０％であるものを言う。すなわち、球形は、その重心から外周までの長さの最小値に対する最大値の比が２以下であると言い換えることもできる。この範囲であれば、外周部に多少の凹凸があっても、組成不均一な相（Ｂ）を形成することができる。球形そのものを確認することが難しい場合は、相（Ｂ）の断面の重心と外周までの長さの最小値に対する最大値の比が２以下であることを目安としてもよい。
　このように、合金相（Ｂ）が球形であると、焼結時に相（Ａ）と相（Ｂ）の境界面に空孔が生じにくく、密度が上がり易い。また、同一体積では、球形の方が表面積が小さくなるので、周囲の金属粉（Ｃｏ粉、Ｐｔ粉など）との拡散が進みにくく、組成不均一な相（Ｂ）、すなわち中心付近にＣｒが２５ｍｏｌ％以上濃縮し、外周部にかけてＣｒの含有量が中心部より低くなる組成の合金相が容易に形成されるようになる。
　また、球形の合金相（Ｂ）の直径は５０～２００μｍの範囲にあるのが好ましい。ターゲット全体の中で球形の合金相（Ｂ）の占める体積比率には上限があるので、上記数値範囲より大きい場合には、漏洩磁束の向上に寄与する球形の合金相（Ｂ）の個数が減少してしまい、漏洩磁束の向上が少なくなる。
　また、上記数値範囲より小さい場合には、十分な焼結温度で高密度のターゲットを得ようとすると、金属元素同士の拡散が進み、Ｃｒの濃度分布をもつ球形の合金相（Ｂ）が形成され難くなる。従って、本発明においては、上記数値範囲内の直径を有する球形の合金相（Ｂ）が生ずるようにするのが望ましいと言える。
　本発明の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットは、非磁性材料が真空中又は不活性ガス雰囲気中で金属材料と共に９００～１３００°Ｃに強熱しても、還元又は分解しない材料であることが望ましい。
　例えば、酸化物、窒化物、炭化物、炭素などの非磁性材料から選択することができる。これは、ターゲット製造時に還元または分解することにより、組成の変動という不測の影響を及ぼすことを避けるためである。
　また、これらの非磁性材粒子は、ターゲット中の体積比率で３０％以下とすることが望ましい。非磁性材粒子の体積比率を３０％以下とするのは、体積比率がこれより大きくなると前記相（Ａ）中に非磁性材粒子を均一に微細分散させることが難しくなり、スパッタ時にパーティクルが増加するという別の問題が発生するからである。
　本発明の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットは、相対密度を９８％以上とすることが望ましい。相対密度を９８％以上とすることにより、合金と非磁性材粒子の密着性が高まるので、スパッタ時の非磁性材粒子の脱粒が抑制され、パーティクルの発生量を低減させることができる。
　ここでの相対密度とは、ターゲットの実測密度を計算密度（理論密度ともいう）で割り返して求めた値である。
　計算密度とはターゲットの構成成分が互いに拡散あるいは反応せずに混在していると仮定したときの密度で、次式で計算される。
　式：計算密度＝Σ（構成成分の分子量×構成成分のモル比）/Σ（構成成分の分子量×構成成分のモル比／構成成分の文献値密度）
　ここでΣは、ターゲットの構成成分の全てについて、和をとることを意味する。
　このように調整したターゲットは、漏洩磁束の大きいターゲットとなり、マグネトロンスパッタ装置で使用したとき、不活性ガスの電離促進が効率的に進み、安定した放電が得られる。またターゲットの厚みを厚くすることができるため、ターゲットの交換頻度が小さくなり、低コストで磁性体薄膜を製造できるというメリットがある。
さらに、高密度化により、パーティクルの発生量を低減させることができるというメリットもある。
実施例１のターゲット面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したときの組織画像である。 実施例１のターゲット面を電子線プローブマイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）で測定したときの元素分布画像を示す図である。 比較例１のターゲット面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したときの組織画像である。 実施例２のターゲット面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したときの組織画像である。 実施例２のターゲット面を電子線プローブマイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）で測定したときの元素分布画像を示す図である。 比較例２のターゲット面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したときの組織画像である。 実施例３のターゲット面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したときの組織画像である。 実施例３のターゲット面を電子線プローブマイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）で測定したときの元素分布画像を示す図である。 比較例３のターゲット面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したときの組織画像である。
　本発明の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットの製造に際しては、まず製造を予定するＣｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｂの元素の粉末又はこれらの金属の合金粉末を用意する。
　これらの粉末は最大粒径が２０μｍ以下のものを用いることが望ましい。そして、これらの金属粉末と、非磁性材としてＣｒ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｂから選択した１種以上の酸化物粉末とを、ボールミル等の公知の手法を用いて粉砕を兼ねて混合する。
　非磁性材粉末としては上記の酸化物粉末のほかに、窒化物粉末や炭化物粉末や炭素粉末を用いても良いが、非磁性材粉末は最大粒径が５μｍ以下のものを用いることが望ましい。
　さらに直径が５０～２００μｍの範囲にあるＣｏ－Ｃｒ球形粉末を用意し、上記の混合粉末とミキサーで混合する。ここで使用するＣｏ－Ｃｒ球形粉末は、ガスアトマイズ法で作製したものを篩別することで得ることが出来る。また、ミキサーとしては、遊星運動型ミキサーあるいは遊星運動型攪拌混合機であることが好ましい。
　このようにして得られた粉末を、真空ホットプレス装置を用いて成型・焼結し、所望の形状へ切削加工することで、本発明の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットが作製される。
　上記のＣｏ－Ｃｒ球形粉末は、ターゲットの組織において観察される球形の合金相（Ｂ）に対応するものである。Ｃｏ－Ｃｒ球形粉末の組成はＣｒの含有量が２５ｍｏｌ％以上７０ｍｏｌ％以下とすることが望ましい。
　Ｃｏ－Ｃｒ球形粉末の組成を上記範囲に限定する理由は、Ｃｒの含有量が上記範囲より少ないと、球形の合金相（Ｂ）中にＣｒが濃縮された領域が形成されにくくなり、漏洩磁束の向上が期待できないためである。また、Ｃｒの含有量が上記範囲より多いと、焼結の条件にもよるが、球形の合金相（Ｂ）の内部にカーケンダルボイドと推測される空洞が生じ、ターゲットの密度低下を引き起こす。
　Ｃｏ－Ｃｒ球形粉末は上記組成範囲内のものを用いるが、焼結後のターゲット中の体積比率が４％以上４０％以下となるように計算して秤量する。
　また、成型・焼結は、ホットプレスに限らず、プラズマ放電焼結法、熱間静水圧焼結法を使用することもできる。焼結時の保持温度はターゲットが十分緻密化する温度域のうち最も低い温度に設定するのが好ましい。ターゲットの組成にもよるが、多くの場合、９００～１３００°Ｃの温度範囲にある。
　以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。
（実施例１、比較例１）
　実施例１では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、直径が５０～１５０μｍの範囲にありＣｒを６０ｍｏｌ％含有するＣｏ－Ｃｒ球形粉末を用意した。これらの粉末をターゲットの組成が７７.５Ｃｏ－１４．５Ｃｒ－８ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末６８．９１ｗｔ％、ＳｉＯ２粉末８．２８ｗｔ％、Ｃｏ－Ｃｒ球形粉末２２．８１ｗｔ％の重量比率で秤量した。次にＣｏ粉末とＳｉＯ２粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とＣｏ－Ｃｒ球形粉末をボール容量約７リットルの遊星運動型ミキサーで１０分間混合した。
　この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１５０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で切削加工して直径が１８０．００ｍｍ、厚さが７．００ｍｍの円盤状のターゲットを得た。
漏洩磁束の測定はＡＳＴＭ　Ｆ２０８６－０１（Standard Test Method for　Pass Through Flux of Circular Magnetic Sputtering Targets, Method 2）に則して実施した。ターゲットの中心を固定し、０度、３０度、６０度、９０度、１２０度と回転させて測定した漏洩磁束を、ＡＳＴＭで定義されているreference fieldの値で割り返し、１００を掛けてパーセントで表した。そしてこれら５点について平均した結果を、平均漏洩磁束（％）として表１に記載した。
　比較例１では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉、平均粒径５μｍのＣｒ粉、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が７７.５Ｃｏ－１４．５Ｃｒ－８ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末７８．７３ｗｔ％、Ｃｒ粉末１２．９９ｗｔ％、ＳｉＯ２粉末８．２８ｗｔ％の重量比率で秤量した。
そしてこれらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。
　次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１５０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０．００ｍｍ、厚さが７．００ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、平均漏洩磁束を測定した。この結果を表1に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１に示すとおり、実施例１のターゲットの平均漏洩磁束は６３％であり、比較例１の４８％より大きく向上していることが確認された。また、実施例１では相対密度が９９．３％となり、９８％を超える高密度なターゲットが得られた。
　実施例１のターゲット研磨面を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したときの組織画像を図１に、また特に球形の合金相の部分をＥＰＭＡで測定したときの元素分布画像を図２に示す。この図１の組織画像に示すように、上記実施例１において極めて特徴的なのは、ＳｉＯ２粒子が微細分散したマトリックスの中に、ＳｉＯ２粒子を含まない大きな球形の合金相が分散していることである。
　図２に示すように、ＥＰＭＡの元素分布画像で白く見えている箇所が、当該元素の濃度の高い領域である。すなわち、球形の合金相の部分においてＣｏとＣｒの濃度が高くなっており、特にＣｒは周辺部から中心部に向かって、より濃度が高く（白っぽく）なっている。ＥＰＭＡの測定結果から球形の合金相では、Ｃｒが２５ｍｏｌ％以上濃縮されたＣｒリッチ相が中心付近に存在し、外周に近づくにつれてＣｒの濃度が低くなっていることが確認された。
　一方、同図において、球形の合金相の領域では、ＳｉとＯについては黒くなっており、この合金相中に殆ど存在していないことが分かる。
　これに対して、図３に示す比較例１によって得られたターゲット研磨面の組織画像には、ＳｉＯ２粒子が分散したマトリックスの中に球形の合金相は一切観察されなかった。
（実施例２、比較例２）
　実施例２では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径２μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、直径が５０～１５０μｍの範囲にありＣｒを４０ｍｏｌ％含有するＣｏ－Ｃｒ球形粉末を用意した。
　これらの粉末をターゲットの組成が６０Ｃｏ－１６Ｃｒ－１６Ｐｔ－８ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末２６．６２ｗｔ％、Ｐｔ粉末３９．１６ｗｔ％、ＳｉＯ２粉末６．０３ｗｔ％、Ｃｏ－Ｃｒ球形粉末２８．１９ｗｔ％の重量比率でそれぞれ秤量した。
　次に、Ｃｏ粉末、Ｐｔ粉末、ＳｉＯ２粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とＣｏ－Ｃｒ球形粉をボール容量約７リットルの遊星運動型ミキサーで１０分間混合した。
　この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１５０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１６５．１０ｍｍ、厚さが６．３５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、平均漏洩磁束を測定した。この結果を、表２に示す。
　比較例２では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径２μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末を用意した。
　これらの粉末をターゲット組成が６０Ｃｏ－１６Ｃｒ－１６Ｐｔ－８ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末４４．３７ｗｔ％、Ｃｒ粉末１０．４４ｗｔ％、Ｐｔ粉末３９．１６ｗｔ％、ＳｉＯ２粉末６．０３ｗｔ％の重量比率でそれぞれ秤量した。
そしてこれらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。
　次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１５０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとでホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１６５.１０ｍｍ、厚さが６．３５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、平均漏洩磁束を測定した。この結果を表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表２に示す通り、実施例２のターゲットの平均漏洩磁束は７０％であり、比較例２の６３％より大きく向上していることが確認された。また、実施例２では相対密度が９８．３％となり、９８％を超える高密度なターゲットが得られた。
　実施例２のターゲット研磨面を、ＳＥＭで観察したときの組織画像を図４に、EPMAで測定したときの元素分布画像を図５に示す。この図４の組織画像に示すように、上記実施例２において極めて特徴的なのは、ＳｉＯ２粒子が微細分散したマトリックスの中に、ＳｉＯ２粒子を含まない大きな球形の合金相が分散していることである。
　図４に示すように、ＥＰＭＡの元素分布画像で白く見えている箇所が、当該元素の濃度の高い領域である。すなわち、球形の合金相の部分においてＣｏとＣｒの濃度が高くなっており、特にＣｒは周辺部から中心部に向かって、より濃度が高く（白っぽく）なっている。ＥＰＭＡの測定結果から球形の合金相では、Ｃｒが２５ｍｏｌ％以上濃縮されたＣｒリッチ相が中心付近に存在し、外周に近づくにつれてＣｒの濃度が低くなっていることが確認された。
　一方、図５において、Ｐｔは球形の合金相の周縁部に存在するが中心部には殆ど見られない。また、図５において、球形の合金相の領域では、ＳｉとＯについては黒くなっており、この合金相中に殆ど存在していないことが分かる。
　これに対して、図６に示す比較例２によって得られたターゲット研磨面の組織画像には、ＳｉＯ２粒子が分散したマトリックスの中に球形の合金相は一切観察されなかった。
（実施例３、比較例３）
　実施例３では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径２μｍのＰｔ粉末、平均粒径１０μｍのＢ粉末、平均粒径０．５μｍのＴｉＯ２粉末、直径が１００～２００μｍの範囲にありＣｒを４０ｍｏｌ％含有するＣｏ－Ｃｒ球形粉末を用意した。
これらの粉末をターゲットの組成が５６Ｃｏ－１６．５Ｃｒ－１６．５Ｐｔ－３Ｂ－８ＴｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末２２．８９ｗｔ％、Ｐｔ粉末３９．９９ｗｔ％、Ｂ粉末０．４ｗｔ％、ＴｉＯ２粉末７．９４ｗｔ％、Ｃｏ－Ｃｒ球形粉末２８．７８ｗｔ％の重量比率でそれぞれ秤量した。
　次にＣｏ粉末、Ｐｔ粉末、Ｂ粉末、ＴｉＯ２粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とＣｏ－Ｃｒ球形粉をボール容量約７リットルの遊星運動型ミキサーで１０分間混合した。
　この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１６５．１０ｍｍ、厚さが６．３５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、平均漏洩磁束を測定した。この結果を表３に示す。
　比較例３では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径２μｍのＰｔ粉末、平均粒径１０μｍのＢ粉末、平均粒径０．５μｍのＴｉＯ２粉末を用意した。これらの粉末をターゲット組成が５６Ｃｏ－１６．５Ｃｒ－１６．５Ｐｔ－３Ｂ－８ＴｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末４１ｗｔ％、Ｃｒ粉末１０．６７ｗｔ％、Ｐｔ粉末３９．９９ｗｔ％、Ｂ粉末０．４ｗｔ％、ＴｉＯ２粉末７．９４ｗｔ％の重量比率でそれぞれ秤量した。
　そしてこれらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。
　この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとでホットプレスして、焼結体を得た。
さらにこれを旋盤で直径が１６５．１０ｍｍ、厚さが６．３５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、平均漏洩磁束を測定した。この結果を表３に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　表３に示すとおり、実施例３のターゲットの平均漏洩磁束は７２％であり、比較例３の６４％より大きく向上していることが確認された。また、実施例３では相対密度が９９．２％となり、９８％を超える高密度なターゲットが得られた。
　実施例３のターゲット研磨面を、ＳＥＭで観察したときの組織画像を図７に、ＥＰＭＡで測定したときの元素分布画像を図８に示す。この図７の組織画像に示すように、上記実施例３において極めて特徴的なのは、ＴｉＯ２粒子が微細分散したマトリックスの中に、ＴｉＯ２粒子を含まない大きな球形の合金相が分散していることである。
　図８に示すように、ＥＰＭＡの元素分布画像で白く見えている箇所が、当該元素の濃度の高い領域である。すなわち、球形の合金相の部分においてＣｏとＣｒの濃度が高くなっており、特にＣｒは周辺部から中心部に向かって、より濃度が高く（白っぽく）なっている。ＥＰＭＡの測定結果から球形の合金相では、Ｃｒが２５ｍｏｌ％以上濃縮されたＣｒリッチ相が中心付近に存在し、外周に近づくにつれてＣｒの濃度が低くなっていることが確認された。
　一方、図８において、Ｐｔは球形の合金相の周縁部に存在するが中心部には殆ど見られない。また、図８において、球形の合金相の領域では、Ｂは白く見えるところは極めて少なく、またＴｉとＯについては黒くなっており、これらはこの合金相中に殆ど存在していないことが分かる。
　これに対して、図９に示す比較例３によって得られたターゲット研磨面の組織画像には、ＴｉＯ２粒子が分散したマトリックスの中に球形の合金相は一切観察されなかった。
（実施例４、比較例４）
　実施例４では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径３μｍのＢ２Ｏ３粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、直径が７５～１５０μｍの範囲にありＣｒを４０ｍｏｌ％含有するＣｏ－Ｃｒ球形粉末を用意した。これらの粉末をターゲットの組成が７７．５Ｃｏ－１４．５Ｃｒ－２Ｂ２Ｏ３－６ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末５６．４５ｗｔ％、Ｂ２Ｏ３粉末２．３９ｗｔ％、ＳｉＯ２粉末６．１９ｗｔ％、Ｃｏ－Ｃｒ球形粉末３４．９７ｗｔ％の重量比率でそれぞれ秤量した。
　次にＣｏ粉末、Ｂ２Ｏ３粉末、ＳｉＯ２粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とＣｏ－Ｃｒ球形粉をボール容量約７リットルの遊星運動型ミキサーで１０分間混合した。
　この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０００°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１８０．００ｍｍ、厚さが７．００ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、平均漏洩磁束を測定した。この結果を表４に示す。
　比較例４では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径３μｍのＢ２Ｏ３粉末、平均粒径1μｍのＳｉＯ２粉末を用意した。これらの粉末をターゲット組成が７７．５Ｃｏ－１４．５Ｃｒ－２Ｂ２Ｏ３－６ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末７８．４７ｗｔ％、Ｃｒ粉末１２．９５ｗｔ％、Ｂ２Ｏ３粉末２．３９ｗｔ％、ＳｉＯ２粉末６．１９ｗｔ％の重量比率でそれぞれ秤量した。
　そしてこれらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。
　この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０００°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとでホットプレスして、焼結体を得た。
さらにこれを旋盤で直径が１８０．００ｍｍ、厚さが７．００ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、平均漏洩磁束を測定した。この結果を表４に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　表４に示すとおり、実施例４のターゲットの平均漏洩磁束は６８％であり、比較例４の５３％より大きく向上していることが確認された。また、実施例４では相対密度が９９．７％となり、９８％を超える高密度なターゲットが得られた。
　実施例４のターゲット研磨面を、ＳＥＭで観察したところ、Ｂ２Ｏ３粒子とＳｉＯ２粒子が微細分散したマトリックスの中に、Ｂ２Ｏ３粒子とＳｉＯ２粒子を含まない大きな球形の合金相が分散している様子が確認された。また、ＥＰＭＡを用いて元素分布画像を取得したところ、球形の合金相の部分においてＣｏとＣｒの濃度が高くなっており、特にＣｒは周辺部から中心部に向かって、より濃度が高くなっていることが確認された。
　これに対して、比較例４によって得られたターゲット研磨面の組織画像には、Ｂ２Ｏ３粒子とＳｉＯ２粒子が分散したマトリックスの中に球形の合金相は一切観察されなかった。
（実施例５、比較例５）
　実施例５では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径２μｍのＰｔ粉末、平均粒径０．５μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径１μｍのＣｒ２Ｏ３粉末、直径が７５～１５０μｍの範囲にありＣｒを４０ｍｏｌ％含有するＣｏ－Ｃｒ球形粉末を用意した。これらの粉末をターゲットの組成が５８．７Ｃｏ－１５．６５Ｃｒ－１５．６５Ｐｔ－７ＴｉＯ２－３Ｃｒ２Ｏ３（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末２４．８９ｗｔ％、Ｐｔ粉末３６．６ｗｔ％、ＴｉＯ２粉末６．７ｗｔ％、Ｃｒ２Ｏ３粉末５．４７ｗｔ％、Ｃｏ－Ｃｒ球形粉末２６．３４ｗｔ％の重量比率でそれぞれ秤量した。
　次に、Ｃｏ粉末、Ｐｔ粉末、ＴｉＯ２粉末、Ｃｒ２Ｏ３粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とＣｏ－Ｃｒ球形粉をボール容量約７リットルの遊星運動型ミキサーで１０分間混合した。
　この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１００°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１６５．１０ｍｍ、厚さが６．３５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、平均漏洩磁束を測定した。この結果を表５に示す。
　比較例５では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径２μｍのＰｔ粉末、平均粒径０．５μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径１μｍのＣｒ２Ｏ３粉末を用意した。これらの粉末をターゲット組成が５８．７Ｃｏ－１５．６５Ｃｒ－１５．６５Ｐｔ－７ＴｉＯ２－３Ｃｒ２Ｏ３（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末４１．４７ｗｔ％、Ｃｒ粉末９．７６ｗｔ％、Ｐｔ粉末３６．６ｗｔ％、ＴｉＯ２粉末６．７ｗｔ％、Ｃｒ２Ｏ３粉末５．４７ｗｔ％の重量比率でそれぞれ秤量した。
　そしてこれらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。
　この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１００°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとでホットプレスして、焼結体を得た。
さらにこれを旋盤で直径が１６５．１０ｍｍ、厚さが６．３５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、平均漏洩磁束を測定した。この結果を表５に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
　表５に示すとおり、実施例５のターゲットの平均漏洩磁束は６５％であり、比較例５の６０％より大きく向上していることが確認された。また、実施例５では相対密度が９８．５％となり、９８％を超える高密度なターゲットが得られた。
　実施例５のターゲット研磨面を、ＳＥＭで観察したところ、ＴｉＯ２粒子とＣｒ２Ｏ３粒子が微細分散したマトリックスの中に、ＴｉＯ２粒子とＣｒ２Ｏ３粒子を含まない大きな球形の合金相が分散している様子が確認された。また、ＥＰＭＡを用いて元素分布画像を取得したところ、球形の合金相の部分においてＣｏとＣｒの濃度が高くなっており、特にＣｒは周辺部から中心部に向かって、より濃度が高くなっていることが確認された。
　これに対して、比較例５によって得られたターゲット研磨面の組織画像には、ＴｉＯ２粒子とＣｒ２Ｏ３粒子が分散したマトリックスの中に球形の合金相は一切観察されなかった。
（実施例６、比較例６）
　実施例６では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径２μｍのＰｔ粉末、平均粒径１０μｍのＢ粉末、平均粒径０．５μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、直径が７５～１５０μｍの範囲にありＣｒを４０ｍｏｌ％含有するＣｏ－Ｃｒ球形粉末を用意した。これらの粉末をターゲットの組成が５８Ｃｏ－１６Ｃｒ－１６Ｐｔ－２Ｂ－３ＴｉＯ２－５ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末２５．２６ｗｔ％、Ｐｔ粉末３９．３５ｗｔ％、Ｂ粉末０．２７ｗｔ％、ＴｉＯ２粉末３．０２ｗｔ％、ＳｉＯ２粉末３．７９ｗｔ％、Ｃｏ－Ｃｒ球形粉末２８．３１ｗｔ％の重量比率でそれぞれ秤量した。
　次にＣｏ粉末、Ｐｔ粉末、Ｂ粉末、ＴｉＯ２粉末、ＳｉＯ２粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とＣｏ－Ｃｒ球形粉をボール容量約７リットルの遊星運動型ミキサーで１０分間混合した。
　この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１６５．１０ｍｍ、厚さが６．３５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、平均漏洩磁束を測定した。この結果を表６に示す。
　比較例６では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径２μｍのＰｔ粉末、平均粒径１０μｍのＢ粉末、平均粒径０．５μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末を用意した。これらの粉末をターゲット組成が５８Ｃｏ－１６Ｃｒ－１６Ｐｔ－２Ｂ－３ＴｉＯ２－５ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末４３．０８ｗｔ％、Ｃｒ粉末１０．４９ｗｔ％、Ｐｔ粉末３９．３５ｗｔ％、Ｂ粉末０．２７ｗｔ％、ＴｉＯ２粉末３．０２ｗｔ％、ＳｉＯ２粉末３．７９ｗｔ％の重量比率でそれぞれ秤量した。
　そしてこれらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。
　この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとでホットプレスして、焼結体を得た。
さらにこれを旋盤で直径が１６５．１０ｍｍ、厚さが６．３５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、平均漏洩磁束を測定した。この結果を表６に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
　表６に示すとおり、実施例６のターゲットの平均漏洩磁束は７０％であり、比較例６の６３％より大きく向上していることが確認された。また、実施例６では相対密度が９９．１％となり、９８％を超える高密度なターゲットが得られた。
　実施例６のターゲット研磨面を、ＳＥＭで観察したところ、ＴｉＯ２粒子とＳｉＯ２粒子が微細分散したマトリックスの中に、ＴｉＯ２粒子とＳｉＯ２粒子を含まない大きな球形の合金相が分散している様子が確認された。また、ＥＰＭＡを用いて元素分布画像を取得したところ、球形の合金相の部分においてＣｏとＣｒの濃度が高くなっており、特にＣｒは周辺部から中心部に向かって、より濃度が高くなっていることが確認された。
　これに対して、比較例６によって得られたターゲット研磨面の組織画像には、ＴｉＯ２粒子とＳｉＯ２粒子が分散したマトリックスの中に球形の合金相は一切観察されなかった。
（実施例７、比較例７）
　実施例7では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径２μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＣ粉末、直径が７５～１５０μｍの範囲にありＣｒを４０ｍｏｌ％含有するＣｏ－Ｃｒ球形粉末を用意した。これらの粉末をターゲットの組成が４５．６６Ｃｏ－１２．１７Ｃｒ－１２．１７Ｐｔ－３０Ｃ（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末２６．６６ｗｔ％、Ｐｔ粉末３９．１９ｗｔ％、Ｃ粉末５．９５ｗｔ％、Ｃｏ－Ｃｒ球形粉末２８．２ｗｔ％の重量比率でそれぞれ秤量した。
　次にＣｏ粉末、Ｐｔ粉末、Ｃ粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とＣｏ－Ｃｒ球形粉をボール容量約７リットルの遊星運動型ミキサーで１０分間混合した。
　この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１３００°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１６５．１０ｍｍ、厚さが６．３５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、平均漏洩磁束を測定した。この結果を表７に示す。
　比較例７では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径２μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＣ粉末を用意した。これらの粉末をターゲット組成が４５．６６Ｃｏ－１２．１７Ｃｒ－１２．１７Ｐｔ－３０Ｃ（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末４４．４１ｗｔ％、Ｃｒ粉末１０．４５ｗｔ％、Ｐｔ粉末３９．１９ｗｔ％、Ｃ粉末５．９５ｗｔ％の重量比率でそれぞれ秤量した。
　そしてこれらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。
　この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１３００°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとでホットプレスして、焼結体を得た。
さらにこれを旋盤で直径が１６５．１０ｍｍ、厚さが６．３５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、平均漏洩磁束を測定した。この結果を表７に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
　表７に示すとおり、実施例７のターゲットの平均漏洩磁束は６７％であり、比較例７の６１％より大きく向上していることが確認された。また、実施例７では相対密度が９８．０％となり、高密度なターゲットが得られた。
　実施例７のターゲット研磨面を、ＳＥＭで観察したところ、Ｃ粒子が微細分散したマトリックスの中に、Ｃ粒子を含まない大きな球形の合金相が分散している様子が確認された。また、ＥＰＭＡを用いて元素分布画像を取得したところ、球形の合金相の部分においてＣｏとＣｒの濃度が高くなっており、特にＣｒは周辺部から中心部に向かって、より濃度が高くなっていることが確認された。
　これに対して、比較例７によって得られたターゲット研磨面の組織画像には、Ｃ粒子が分散したマトリックスの中に球形の合金相は一切観察されなかった。
（実施例８、比較例８）
　実施例８では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径２μｍのＰｔ粉末、平均粒径２μｍのＳｉＣ粉末、直径が７５～１５０μｍの範囲にありＣｒを４０ｍｏｌ％含有するＣｏ－Ｃｒ球形粉末を用意した。これらの粉末をターゲットの組成が５４．７８Ｃｏ－１４．６１Ｃｒ－１４．６１Ｐｔ－１６ＳｉＣ（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末２５．９ｗｔ％、Ｐｔ粉末３８．１ｗｔ％、ＳｉＣ粉末８．５８ｗｔ％、Ｃｏ－Ｃｒ球形粉末２７．４２ｗｔ％の重量比率でそれぞれ秤量した。
　次にＣｏ粉末、Ｐｔ粉末、ＳｉＣ粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とＣｏ－Ｃｒ球形粉をボール容量約７リットルの遊星運動型ミキサーで１０分間混合した。
　この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０００°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１６５．１０ｍｍ、厚さが６．３５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、平均漏洩磁束を測定した。この結果を表８に示す。
　比較例８では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径２μｍのＰｔ粉末、平均粒径２μｍのＳｉＣ粉末を用意した。これらの粉末をターゲット組成が５４．７８Ｃｏ－１４．６１Ｃｒ－１４．６１Ｐｔ－１６ＳｉＣ（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末４３．１６ｗｔ％、Ｃｒ粉末１０．１６ｗｔ％、Ｐｔ粉末３８．１０ｗｔ％、ＳｉＣ粉末８．５８ｗｔ％の重量比率でそれぞれ秤量した。
　そしてこれらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。
　この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０００°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとでホットプレスして、焼結体を得た。さらに、これを旋盤で直径が１６５．１０ｍｍ、厚さが６．３５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、平均漏洩磁束を測定した。この結果を表８に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000008
　表８に示すとおり、実施例８のターゲットの平均漏洩磁束は６６％であり、比較例８の５８％より大きく向上していることが確認された。また、実施例８では相対密度が９８．５％となり、９８％を超える高密度なターゲットが得られた。
　実施例８のターゲット研磨面を、ＳＥＭで観察したところ、ＳｉＣ粒子が微細分散したマトリックスの中に、ＳｉＣ粒子を含まない大きな球形の合金相が分散している様子が確認された。また、ＥＰＭＡを用いて元素分布画像を取得したところ、球形の合金相の部分においてＣｏとＣｒの濃度が高くなっており、特にＣｒは周辺部から中心部に向かって、より濃度が高くなっていることが確認された。
これに対して、比較例８によって得られたターゲット研磨面の組織画像には、ＳｉＣ粒子が分散したマトリックスの中に球形の合金相は一切観察されなかった。
（実施例９、比較例９）
　実施例９では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径２μｍのＰｔ粉末、平均粒径５μｍのＴｉＮ粉末、直径が７５～１５０μｍの範囲にありＣｒを４０ｍｏｌ％含有するＣｏ－Ｃｒ球形粉末を用意した。これらの粉末をターゲットの組成が５５．４４Ｃｏ－１４．７８Ｃｒ－１４．７８Ｐｔ－１５ＴｉＮ（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末２４．９９ｗｔ％、Ｐｔ粉末３６．７４ｗｔ％、ＴｉＮ粉末１１．８３ｗｔ％、Ｃｏ－Ｃｒ球形粉末２６．４４ｗｔ％の重量比率でそれぞれ秤量した。
　次にＣｏ粉末、Ｐｔ粉末、ＴｉＮ粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とＣｏ－Ｃｒ球形粉をボール容量約７リットルの遊星運動型ミキサーで１０分間混合した。
　この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０００°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が１６５．１０ｍｍ、厚さが６．３５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、平均漏洩磁束を測定した。この結果を表９に示す。
　比較例９では、原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径２μｍのＰｔ粉末、平均粒径５μｍのＴｉＮ粉末を用意した。これらの粉末をターゲット組成が５５．４４Ｃｏ－１４．７８Ｃｒ－１４．７８Ｐｔ－１５ＴｉＮ（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末４１．６４ｗｔ％、Ｃｒ粉末９．７９ｗｔ％、Ｐｔ粉末３６．７４ｗｔ％、ＴｉＮ粉末１１．８３ｗｔ％の重量比率でそれぞれ秤量した。
　そしてこれらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。
　この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０００°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとでホットプレスして、焼結体を得た。
さらにこれを旋盤で直径が１６５．１０ｍｍ、厚さが６．３５ｍｍの円盤状のターゲットへ加工し、平均漏洩磁束を測定した。この結果を表９に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000009
　表９に示すとおり、実施例９のターゲットの平均漏洩磁束は６３％であり、比較例９の５７％より大きく向上していることが確認された。また、実施例９では相対密度が９８．５％となり、９８％を超える高密度なターゲットが得られた。
　実施例９のターゲット研磨面を、ＳＥＭで観察したところＴｉＮ粒子が微細分散したマトリックスの中に、ＴｉＮ粒子を含まない大きな球形の合金相が分散している様子が確認された。またＥＰＭＡを用いて元素分布画像を取得したところ、球形の合金相の部分においてＣｏとＣｒの濃度が高くなっており、特にＣｒは周辺部から中心部に向かって、より濃度が高くなっていることが確認された。
　これに対して、比較例９によって得られたターゲット研磨面の組織画像には、ＴｉＮ粒子が分散したマトリックスの中に球形の合金相は一切観察されなかった。
　実施例１～９において、いずれも球形の合金相（Ｂ）の存在が明瞭に確認でき、非磁性材粒子が均一に微細分散した相（Ａ）と該相（Ａ）に包囲された、直径が５０～２００μｍの範囲にある球形の合金相（Ｂ）の存在は、漏洩磁束を向上させるために非常に重要な役割を有することが分かる。
　本発明は、非磁性材粒子分散型強磁性スパッタリングターゲットの組織構造を、非磁性材粒子が均一に微細分散した相（Ａ）と、前記相（Ａ）の中に、ターゲット中に占める体積の比率が４％以上４０％以下の球形の合金相（Ｂ）とが存在するように調整して漏洩磁束を高め、さらにターゲットを高密度化することによって、マグネトロンスパッタリング装置による、非磁性材粒子分散型強磁性スパッタリングターゲットの安定した、かつ生産性の高いスパッタリングを実現することができる。
　磁気記録媒体の磁性体薄膜、特に垂直磁気記録方式を採用したハードディスクのグラニュラー磁気記録膜の成膜に使用される非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットとして有用である。

Claims (8)

  1. 　Ｃｒが５ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである合金と非磁性材粒子との混合体からなるスパッタリングターゲットにおいて、このターゲットの組織が、合金の中に前記非磁性材粒子が均一に微細分散した相（Ａ）と、前記相（Ａ）の中に、ターゲット中に占める体積の比率が４％以上４０％以下の球形の合金相（Ｂ）とを有していることを特徴とする非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。
  2. 　Ｃｒが５ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下、Ｐｔが５ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである合金と非磁性材粒子との混合体からなるスパッタリングターゲットにおいて、このターゲットの組織が、合金の中に前記非磁性材粒子が均一に微細分散した相（Ａ）と、前記相（Ａ）の中に、ターゲット中に占める体積の比率が４％以上４０％以下の球形の合金相（Ｂ）とを有していることを特徴とする非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。
  3. 　Ｃｒが５ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下、Ｐｔが５ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、Ｂが０．５ｍｏｌ％以上８ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである合金と非磁性材粒子との混合体からなるスパッタリングターゲットにおいて、このターゲットの組織が、合金の中に前記非磁性材粒子が均一に微細分散した相（Ａ）と、前記相（Ａ）の中に、ターゲット中に占める体積の比率が４％以上４０％以下の球形の合金相（Ｂ）とを有していることを特徴とする非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。
  4. 　球形の合金相（Ｂ）は、中心部がＣｒ２５ｍｏｌ％以上であって、中心部から外周部にかけてＣｒの含有量が中心部より低くなる組成の合金相を形成していることを特徴とする請求項１～３のいずれか一項に記載の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。
  5. 　球形の合金相（Ｂ）の直径が、５０～２００μｍの範囲にあることを特徴とする請求項１～４のいずれか一項に記載の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。
  6. 　非磁性材料が、Ｃｒ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｂからなる酸化物、窒化物若しくは炭化物又は炭素から選択した１成分以上含むことを特徴とする請求項１～５のいずれか一項に記載の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。
  7. 　ターゲット中で、非磁性材料の体積比率が３０％以下であることを特徴とする請求項６に記載の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。
  8. 　相対密度が９８％以上であることを特徴とする請求項１～７のいずれか一項に記載の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4673453B1 (ja) * 2010-01-21 2011-04-20 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 強磁性材スパッタリングターゲット
WO2011089760A1 (ja) * 2010-01-21 2011-07-28 Jx日鉱日石金属株式会社 強磁性材スパッタリングターゲット
WO2012077665A1 (ja) * 2010-12-09 2012-06-14 Jx日鉱日石金属株式会社 強磁性材スパッタリングターゲット
WO2012086335A1 (ja) * 2010-12-20 2012-06-28 Jx日鉱日石金属株式会社 Ｃ粒子が分散したＦｅ－Ｐｔ系スパッタリングターゲット
WO2012133166A1 (ja) * 2011-03-30 2012-10-04 Jx日鉱日石金属株式会社 磁気記録膜用スパッタリングターゲット
CN104105812A (zh) * 2011-08-23 2014-10-15 吉坤日矿日石金属株式会社 粉粒产生少的强磁性材料溅射靶
JP2015155573A (ja) * 2014-01-17 2015-08-27 Jx日鉱日石金属株式会社 磁性記録媒体用スパッタリングターゲット
JP5973056B2 (ja) * 2013-03-11 2016-08-23 Ｊｘ金属株式会社 磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法
JPWO2014125897A1 (ja) * 2013-02-15 2017-02-02 Ｊｘ金属株式会社 Ｃｏ又はＦｅを含有するスパッタリングターゲット
WO2021085410A1 (ja) * 2019-11-01 2021-05-06 田中貴金属工業株式会社 熱アシスト磁気記録媒体用スパッタリングターゲット
JPWO2023079856A1 (ja) * 2021-11-05 2023-05-11

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101981224B (zh) 2008-03-28 2012-08-22 Jx日矿日石金属株式会社 非磁性材料粒子分散型强磁性材料溅射靶
WO2009123055A1 (ja) * 2008-04-03 2009-10-08 日鉱金属株式会社 パーティクルの発生の少ないスパッタリングターゲット
JP2011021254A (ja) * 2009-07-16 2011-02-03 Solar Applied Materials Technology Corp ホウ素を含むスパッタリングターゲットの製造方法、薄膜及び磁気記録媒体
US9034155B2 (en) 2009-08-06 2015-05-19 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Inorganic-particle-dispersed sputtering target
US9269389B2 (en) 2009-12-11 2016-02-23 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Sputtering target of magnetic material
WO2012011204A1 (ja) 2010-07-20 2012-01-26 Jx日鉱日石金属株式会社 パーティクル発生の少ない強磁性材スパッタリングターゲット
SG185768A1 (en) 2010-07-20 2013-01-30 Jx Nippon Mining & Metals Corp Sputtering target of ferromagnetic material with low generation of particles
US9567665B2 (en) 2010-07-29 2017-02-14 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Sputtering target for magnetic recording film, and process for producing same
JP4871406B1 (ja) * 2010-08-06 2012-02-08 田中貴金属工業株式会社 マグネトロンスパッタリング用ターゲットおよびその製造方法
US9328412B2 (en) 2010-08-31 2016-05-03 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Fe—Pt-based ferromagnetic material sputtering target
CN103262166B (zh) 2010-12-21 2016-10-26 吉坤日矿日石金属株式会社 磁记录膜用溅射靶及其制造方法
JP5863411B2 (ja) * 2011-11-17 2016-02-16 田中貴金属工業株式会社 マグネトロンスパッタリング用ターゲットおよびその製造方法
JP5748639B2 (ja) * 2011-11-17 2015-07-15 田中貴金属工業株式会社 マグネトロンスパッタリング用ターゲットおよびその製造方法
US9732414B2 (en) 2012-01-18 2017-08-15 Jx Nippon Mining And Metals Corporation Co—Cr—Pt-based sputtering target and method for producing same
SG11201404314WA (en) 2012-02-22 2014-10-30 Jx Nippon Mining & Metals Corp Magnetic material sputtering target and manufacturing method for same
CN104126026B (zh) * 2012-02-23 2016-03-23 吉坤日矿日石金属株式会社 含有铬氧化物的强磁性材料溅射靶
WO2013133163A1 (ja) 2012-03-09 2013-09-12 Jx日鉱日石金属株式会社 磁気記録媒体用スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP5592022B2 (ja) 2012-06-18 2014-09-17 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 磁気記録膜用スパッタリングターゲット
JP5768029B2 (ja) * 2012-10-05 2015-08-26 田中貴金属工業株式会社 マグネトロンスパッタリング用ターゲットおよびその製造方法
MY172839A (en) * 2013-03-01 2019-12-12 Tanaka Precious Metal Ind Fept-c-based sputtering target and method for manufacturing same
KR101994722B1 (ko) * 2013-10-14 2019-07-01 삼성전기주식회사 적층형 전자부품
JP6030271B2 (ja) * 2014-03-18 2016-11-24 Ｊｘ金属株式会社 磁性材スパッタリングターゲット
WO2017170138A1 (ja) 2016-03-31 2017-10-05 Ｊｘ金属株式会社 強磁性材スパッタリングターゲット
CN109844167B (zh) * 2016-12-28 2022-01-04 捷客斯金属株式会社 磁性材料溅射靶及其制造方法
US10492582B2 (en) * 2017-03-26 2019-12-03 Stephen Miles Multifunction convertible suitcase system
CN113403596A (zh) * 2021-06-04 2021-09-17 河南科技大学 基于磁控溅射与超声滚压复合强化轴承套圈表面的方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005093124A1 (ja) * 2004-03-26 2005-10-06 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Ｃｏ-Ｃｒ-Ｐｔ-Ｂ系合金スパッタリングターゲット
JP2006176808A (ja) * 2004-12-21 2006-07-06 Mitsubishi Materials Corp 磁気記録膜形成用ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２スパッタリングターゲットの製造方法
WO2007080781A1 (ja) * 2006-01-13 2007-07-19 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. 非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット
WO2008081841A1 (ja) * 2007-01-04 2008-07-10 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. ＣｏＣｒＰｔ系スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP2008169464A (ja) * 2007-01-08 2008-07-24 Heraeus Inc スパッタターゲット及びその製造方法
WO2009119812A1 (ja) * 2008-03-28 2009-10-01 日鉱金属株式会社 非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット
JP4422203B1 (ja) * 2009-04-01 2010-02-24 Ｔａｎａｋａホールディングス株式会社 マグネトロンスパッタリング用ターゲットおよびその製造方法

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5523173A (en) * 1994-12-27 1996-06-04 International Business Machines Corporation Magnetic recording medium with a CoPtCrB alloy thin film with a 1120 crystallographic orientation deposited on an underlayer with 100 orientation
JP3816595B2 (ja) 1996-09-18 2006-08-30 三井金属鉱業株式会社 スパッタリングターゲットの製造方法
JP2000282229A (ja) * 1999-03-29 2000-10-10 Hitachi Metals Ltd ＣｏＰｔ系スパッタリングターゲットおよびその製造方法ならびにこれを用いた磁気記録膜およびＣｏＰｔ系磁気記録媒体
JP2001236643A (ja) 2000-02-23 2001-08-31 Fuji Electric Co Ltd 磁気記録媒体製造用スパッタリングターゲット、それを用いた磁気記録媒体の製造方法および磁気記録媒体
US20020106297A1 (en) 2000-12-01 2002-08-08 Hitachi Metals, Ltd. Co-base target and method of producing the same
US20030228238A1 (en) 2002-06-07 2003-12-11 Wenjun Zhang High-PTF sputtering targets and method of manufacturing
US6759005B2 (en) 2002-07-23 2004-07-06 Heraeus, Inc. Fabrication of B/C/N/O/Si doped sputtering targets
JP2004339586A (ja) 2003-05-19 2004-12-02 Mitsubishi Materials Corp 磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP4827033B2 (ja) 2004-03-01 2011-11-30 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 表面欠陥の少ないスパッタリングターゲット及びその表面加工方法
US7381282B2 (en) 2004-04-07 2008-06-03 Hitachi Metals, Ltd. Co alloy target and its production method, soft magnetic film for perpendicular magnetic recording and perpendicular magnetic recording medium
CN100470637C (zh) 2004-06-07 2009-03-18 昭和电工株式会社 磁记录介质及其制造方法以及磁记录和再现设备
US20070209547A1 (en) 2004-08-10 2007-09-13 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Barrier Film For Flexible Copper Substrate And Sputtering Target For Forming Barrier Film
TW200808980A (en) * 2006-03-31 2008-02-16 Mitsubishi Materials Corp Method for producing Co-based sintered alloy sputtering target used for forming magnetic recording film with reduced generation of particles, and Co-based sintered alloy sputtering target used for forming magnetic recording film
JP2009001860A (ja) 2007-06-21 2009-01-08 Mitsubishi Materials Corp 比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット
JP2009001862A (ja) 2007-06-21 2009-01-08 Mitsubishi Materials Corp 比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット
JP2009001861A (ja) 2007-06-21 2009-01-08 Mitsubishi Materials Corp 比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット
JP5204460B2 (ja) 2007-10-24 2013-06-05 三井金属鉱業株式会社 磁気記録膜用スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP2009132975A (ja) 2007-11-30 2009-06-18 Mitsubishi Materials Corp 比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット
JP2009132976A (ja) 2007-11-30 2009-06-18 Mitsubishi Materials Corp 比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット
JP2009215617A (ja) 2008-03-11 2009-09-24 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd コバルト、クロム、および白金からなるマトリックス相と酸化物相とを含有するスパッタリングターゲット材およびその製造方法
JP5547077B2 (ja) 2008-08-28 2014-07-09 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 貴金属粉末と酸化物粉末からなる混合粉末の製造方法及び貴金属粉末と酸化物粉末からなる混合粉末
SG173128A1 (en) 2009-03-03 2011-08-29 Jx Nippon Mining & Metals Corp Sputtering target and process for producing same
US20110003177A1 (en) 2009-07-06 2011-01-06 Solar Applied Materials Technology Corp. Method for producing sputtering target containing boron, thin film and magnetic recording media
US9034155B2 (en) 2009-08-06 2015-05-19 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Inorganic-particle-dispersed sputtering target
MY149437A (en) * 2010-01-21 2013-08-30 Jx Nippon Mining & Metals Corp Ferromagnetic material sputtering target
WO2012011204A1 (ja) 2010-07-20 2012-01-26 Jx日鉱日石金属株式会社 パーティクル発生の少ない強磁性材スパッタリングターゲット
SG185768A1 (en) * 2010-07-20 2013-01-30 Jx Nippon Mining & Metals Corp Sputtering target of ferromagnetic material with low generation of particles
MY158512A (en) 2010-12-09 2016-10-14 Jx Nippon Mining & Metals Corp Ferromagnetic material sputtering target
WO2013027443A1 (ja) 2011-08-23 2013-02-28 Jx日鉱日石金属株式会社 パーティクル発生の少ない強磁性材スパッタリングターゲット

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005093124A1 (ja) * 2004-03-26 2005-10-06 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Ｃｏ-Ｃｒ-Ｐｔ-Ｂ系合金スパッタリングターゲット
JP2006176808A (ja) * 2004-12-21 2006-07-06 Mitsubishi Materials Corp 磁気記録膜形成用ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２スパッタリングターゲットの製造方法
WO2007080781A1 (ja) * 2006-01-13 2007-07-19 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. 非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット
WO2008081841A1 (ja) * 2007-01-04 2008-07-10 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. ＣｏＣｒＰｔ系スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP2008163438A (ja) * 2007-01-04 2008-07-17 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd ＣｏＣｒＰｔ系スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP2008169464A (ja) * 2007-01-08 2008-07-24 Heraeus Inc スパッタターゲット及びその製造方法
WO2009119812A1 (ja) * 2008-03-28 2009-10-01 日鉱金属株式会社 非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット
JP4422203B1 (ja) * 2009-04-01 2010-02-24 Ｔａｎａｋａホールディングス株式会社 マグネトロンスパッタリング用ターゲットおよびその製造方法

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4673453B1 (ja) * 2010-01-21 2011-04-20 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 強磁性材スパッタリングターゲット
WO2011089760A1 (ja) * 2010-01-21 2011-07-28 Jx日鉱日石金属株式会社 強磁性材スパッタリングターゲット
WO2012077665A1 (ja) * 2010-12-09 2012-06-14 Jx日鉱日石金属株式会社 強磁性材スパッタリングターゲット
WO2012086335A1 (ja) * 2010-12-20 2012-06-28 Jx日鉱日石金属株式会社 Ｃ粒子が分散したＦｅ－Ｐｔ系スパッタリングターゲット
JP5290468B2 (ja) * 2010-12-20 2013-09-18 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 Ｃ粒子が分散したＦｅ−Ｐｔ系スパッタリングターゲット
JPWO2012086335A1 (ja) * 2010-12-20 2014-05-22 Jx日鉱日石金属株式会社 Ｃ粒子が分散したＦｅ−Ｐｔ系スパッタリングターゲット
WO2012133166A1 (ja) * 2011-03-30 2012-10-04 Jx日鉱日石金属株式会社 磁気記録膜用スパッタリングターゲット
CN103459656A (zh) * 2011-03-30 2013-12-18 吉坤日矿日石金属株式会社 磁记录膜用溅射靶
CN104105812A (zh) * 2011-08-23 2014-10-15 吉坤日矿日石金属株式会社 粉粒产生少的强磁性材料溅射靶
JPWO2014125897A1 (ja) * 2013-02-15 2017-02-02 Ｊｘ金属株式会社 Ｃｏ又はＦｅを含有するスパッタリングターゲット
JP2017137570A (ja) * 2013-02-15 2017-08-10 Ｊｘ金属株式会社 Ｃｏ又はＦｅを含有するスパッタリングターゲット
JP5973056B2 (ja) * 2013-03-11 2016-08-23 Ｊｘ金属株式会社 磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法
JP2016173871A (ja) * 2013-03-11 2016-09-29 Ｊｘ金属株式会社 磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット及び該ターゲットの製造に用いる炭素原料
JP2015155573A (ja) * 2014-01-17 2015-08-27 Jx日鉱日石金属株式会社 磁性記録媒体用スパッタリングターゲット
WO2021085410A1 (ja) * 2019-11-01 2021-05-06 田中貴金属工業株式会社 熱アシスト磁気記録媒体用スパッタリングターゲット
JPWO2023079856A1 (ja) * 2021-11-05 2023-05-11
WO2023079856A1 (ja) * 2021-11-05 2023-05-11 Ｊｘ金属株式会社 スパッタリングターゲット部材、スパッタリングターゲット組立品、及び成膜方法
JP7412659B2 (ja) 2021-11-05 2024-01-12 Ｊｘ金属株式会社 スパッタリングターゲット部材、スパッタリングターゲット組立品、及び成膜方法

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