JP2008163438A - CoCrPt系スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】コバルト、クロム、セラミックスおよび白金を含有するスパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲットに偏在する、クロム原子を高濃度で含有する高クロム含有粒子の最大差し渡し径が40μm以下であることを特徴とするCoCrPt系スパッタリングターゲット。
【選択図】図2
Description
本発明のCoCrPt系スパッタリングターゲットの製造方法のうち、その第一の方法は、コバルトとクロムとを含む合金をアトマイズし、次いで粉砕することにより粉末(1)を得るA工程と、
コバルトとセラミックスとをメカニカルアロイングすることにより粉末(2)を得るB工程と、
粉末(1)と粉末(2)と白金とを混合し、粉末(3)を得るC工程と、
粉末(3)を焼成するD工程とを
有することを特徴としている。
また、前記D工程は、粉末(3)を加圧焼結により焼成する工程であってもよい。
前記A工程における粉末(1)として、マイクロトラック粒径(D90)が50μm以下のクロム含有粉末を用いてもよい。
粉末(4)と白金とを混合し、粉末(5)を得るG工程と、
粉末(5)を焼成するH工程とを
有することを特徴としている。
また、前記H工程は、粉末(D)を加圧焼結により焼成する工程であってもよい。
前記F工程における粉末(4)として、マイクロトラック粒径(D90)が50μm以下のクロム含有粉末を用いてもよい。
<CoCrPt系スパッタリングターゲット>
本発明のCoCrPt系スパッタリングターゲット(以下、「本発明のスパッタリングターゲット」ともいう)は、コバルト、クロム、セラミックスおよび白金を含有する。本発明のスパッタリングターゲットは、通常、該ターゲット100モル%中、クロムを1〜40モル%、好ましくは1〜30モル%、より好ましくは1〜20モル%の量で、プラチナを1〜40モル%、好ましくは5〜30モル%、より好ましくは5〜20モル%の量で、セラミックスを0.01〜40モル%、好ましくは0.01〜30モル%、より好ましくは0.01〜20モル%の量で含有し、残部がコバルトである。セラミックスは、二酸化ケイ素、二酸化チタン、五酸化タンタル、Al2O3、MgO、CaO、ZrO2、B2O3、Sm2O3、HfO2、Gd2O3からなる群から選択される少なくとも1種であり、なかでも二酸化ケイ素が好ましい。残部には、本発明の効果を損なわない範囲で他の元素を含有してもよい。例えば、タンタル、ニオブ、銅、ネオジムなどが挙げられる。
に示される白色表示された領域を10000倍に拡大し、20×10μm視野内においてクロムの簡易定量面分析を行った際、そのクロム濃度(原子%)が、ターゲット作製時に配合したクロム濃度よりも0.6原子%以上高い領域をいう。
20個以下であり、好ましくは10個以下、より好ましくは1個以下である。該個数の下限値については特に限定されないが、通常0.2個(0.6×0.5mm2×5視野内に
1個)以上であり、0.01個(0.6×0.5mm2×10視野内に1個)以上である
のが好ましい。
<磁気記録膜>
本発明のCoCrPt系スパッタリングターゲットは、スパッタリングすることにより、磁気記録膜を得ることができる。スパッタリング方式としては、通常、DCマグネトロンスパッタリング方式またはRFマグネトロンスパッタリング方式が好適に用いられる。膜厚は特に限定されるものではないが、通常5〜100nmであり、5〜20nmが好適である。
本発明のCoCrPt系スパッタリングターゲットの製造方法は、第一の方法および第二の方法の2通りの方法がある。まず、第一の方法について詳細に説明する。
第一の方法は、コバルトとクロムとを含む合金をアトマイズし、次いで粉砕することにより粉末(1)を得るA工程と、
コバルトとセラミックスとをメカニカルアロイングすることにより粉末(2)を得るB工程と、
粉末(1)と粉末(2)と白金とを混合し、粉末(3)を得るC工程と、
粉末(3)を焼成するD工程とを
有することを特徴としている。
A工程では、まずコバルトとクロムとを含む合金をアトマイズする。原料として用いる合金は、クロム濃度が、通常35〜95原子%、好ましくは35〜68原子%である。この合金をアトマイズすることにより、粉末を得る。
噴射すると、酸化を抑制することができるとともに球状の粉末が得られるので好ましい。上記合金をアトマイズすることで、平均粒径が10〜600μm、好ましくは10〜200μm、より好ましくは10〜80μmのアトマイズ粉が得られる。
上記粉砕率とするため、粉砕はボールミルにて行い、ボールとしては高純度ジルコニアボール、アルミナボールを用いることができ、高純度ジルコニアボールが好適に用いられる。ジルコニアボール径は、通常1〜20mmである。また、ボールミルの容器としては、樹脂製容器、または樹脂にターゲットの構成元素からなる板状体を貼り付けた容器などが挙げられる。
B工程では、コバルトとセラミックスとをメカニカルアロイングすることにより、粉末(2)を得る。セラミックスとは、具体的には、二酸化ケイ素、二酸化チタン、五酸化タンタル、Al2O3、MgO、CaO、ZrO2、B2O3、Sm2O3、HfO2、Gd2O3からなる群から選択される少なくとも1種であり、これらは1種単独であっても2種以上混合してもよい。これらのなかでも二酸化ケイ素が好ましい。
メカニカルアロイングは、ボールミルにて行い、ボールとしては高純度ジルコニアボール、アルミナボールを用いることができ、高純度ジルコニアボールが好適に用いられる。ジルコニアボール径は、通常1〜20mmである。また、ボールミルの容器としては、樹脂製容器、または樹脂にターゲットの構成元素からなる板状体を貼り付けた容器などが挙げられる。コバルトおよびセラミックスの総量と、ボールとの重量比は通常1/5〜1/100、好ましくは1/5〜1/50である。これらが上記範囲であると、効率よくメカニカルアロイングを行うことができる。
記範囲であると、コバルトとセラミックとが均一に混合した粉末(2)を得ることができ、該粉末(2)を用いることによって、より均質性が高いスパッタリングターゲットを作製することが可能となる。
C工程では、粉末(1)と粉末(2)と白金とを混合し、粉末(3)を得る。白金としては、平均粒径0.05〜10μmの単体粉末を用いるのが好ましい。白金の単体粉末を用いる場合、該粉末のマイクロトラック粒径(D90)は、通常0.05〜100、好ましくは0.05〜10、より好ましくは0.05〜2であり、マイクロトラック粒径(D50)は、通常0.025〜5、好ましくは0.025〜0.5、より好ましくは0.025〜0.25である。
D工程では、粉末(3)を焼成する。焼成雰囲気は、通常、不活性ガス雰囲気または真空雰囲気下で行うが、不活性ガス雰囲気下で行うのが好適である。焼成温度は、通常900〜1500℃、好ましくは1000〜1400℃、より好ましくは1100〜1300℃である。焼成時の圧力は、通常5〜100MPa、好ましくは5〜50MPa、より好ましくは10〜30MPaである。
このようにD工程を経て得られた焼結体を、常法にて機械加工することにより、所望の寸法を有するCoCrPt系スパッタリングターゲットを作製する。
本発明のCoCrPt系スパッタリングターゲットを作製する第二の方法は、
コバルトとクロムとの合金とセラミックスとをメカニカルアロイングすることにより粉末(4)を得るF工程と、
粉末(4)と白金とを混合し、粉末(5)を得るG工程と、
粉末(5)を焼成するH工程とを
有することを特徴とする。
F工程では、コバルトとクロムとの合金とセラミックスとをメカニカルアロイングすることにより粉末(4)を得る。コバルトとクロムとの合金はアトマイズするのが好ましい。原料として用いる合金は、クロム濃度が、通常35〜95原子%、好ましくは35〜68原子%である。この合金をアトマイズすることにより、粉末を得る。
噴射すると、酸化を抑制することができるとともに球状の粉末が得られるので好ましい。上記合金をアトマイズすることで、平均粒径が10〜600μm、好ましくは10〜200μm、より好ましくは10〜80μmのアトマイズ粉が得られる。
さらに、上記のように粉末(4)を得る代わりに、マイクロトラック粒径(D90)が50μm以下のクロム含有粉末を直接用いて、次工程以降の処理を行ってもよい。マイクロトラック粒径(D90)の下限値は特に限定されないが、0.05μm以上であるのが望ましい。また、該クロム含有粉末は、コバルトとクロムのほか、セラミックス等を含有しているのが好ましい。
G工程では、粉末(4)と白金とを混合し、粉末(5)を得る。白金は、C工程で用いる白金と同様の単体粉末を用いるのが好ましい。混合方法は、特に限定されないが、ブレンダーミル混合が好適である。本発明の製造方法では、白金をアトマイズすることなく、次工程の焼成工程(H工程)直前に白金を混合するので、必然的に白金の歩留まりを高くすることができる。
H工程では、粉末(5)を焼成する。焼成雰囲気は、通常、不活性ガス雰囲気、または真空雰囲気下で行うが、不活性ガス雰囲気下で行うのが好適である。焼成温度は、通常900〜1500℃、好ましくは1000〜1400℃、より好ましくは1100〜1300℃である。焼成時の圧力は、通常5〜100MPa、好ましくは5〜50MPa、より好ましくは10〜30MPaである。
このようにH工程を経て得られた焼結体を、常法にて機械加工することにより、所望の寸法を有するCoCrPt系スパッタリングターゲットを作製する。
[実施例1]:第一の方法によるCoCrPt系スパッタリングターゲットの製造
Co60Cr40の合金1.5kgを超小型ガスアトマイズ装置(日新技研社製)を用い、出湯温度1650℃(放射温度計で測定)下、50kg/cm2のArガスを噴射してガ
スアトマイズすることにより粉末を得た。得られた粉末は平均粒径150μm以下の球状粉末であった。
重量比で1:2となるようにメカニカルアロイングした。メカニカルアロイングは、容積2Lの樹脂製ミル容器内に、該容器にφ5mmのジルコニア製ボールと、前記Co粉末とSiO2粉末とを投入して、ボールとこれらの粉末との重量比を1:40とし、回転速度
50rpm、回転時間120時間に設定して行い、粉末(2)を得た。
。混合にはボールミルを用いた。
次いで、粉末(3)を成形型に入れ、Ar雰囲気下、焼結温度1150℃、焼結時間1時間、面圧力200kgf/cm2に設定し、ホットプレスを行った。得られた焼結体を
切削加工することにより、φ4インチのスパッタリングターゲットを得た。
粉末(1)を得るためのジルコニアボールミルを用いた粉砕工程において、回転時間を
それぞれ48時間、144時間、および192時間に設定した以外は、実施例1と同様の方法によりスパッタリングターゲットを得た。
粉末(1)を得るためのジルコニアボールミルを用いた粉砕工程において、回転時間を0時間または3時間に設定した以外は、実施例1と同様の方法によりスパッタリングターゲットを得た。
Co60Cr40の合金2kgを超小型ガスアトマイズ装置(日新技研社製)を用いて、出湯温度1650℃(放射温度計で測定)下、50kg/cm2のArガスを噴射してガス
アトマイズすることにより粉末を得た。得られた粉末は平均粒径150μm以下の球状粉末であった。
雰囲気下、ジルコニアボールミルにて、ボールと粉末との重量比を20:1とし、回転速度50rpm、回転時間192時間に設定してメカニカルアロイングを施し、粉末(4)を得た。
末(5)を得た。混合にはボールミルを用いた。
次いで、粉末(5)を成形型に入れ、Ar雰囲気下、焼結温度1150℃、焼結時間1時間、面圧力200kgf/cm2に設定し、ホットプレスを行った。得られた焼結体を
切削加工することにより、φ4インチのスパッタリングターゲットを得た。
実施例1〜5および比較例1〜2で得られたスパッタリングターゲットを用いて、下記の方法により、評価を行なった。
マイクロトラック粒径(D90)を用い、第一の方法では粉砕前のD90と粉砕後のD90とを値を測定し、第2の方法ではメカニカルアロイング前のD90とメカニカルアロイング後のD90とを測定し、これらの値から粉砕率を求めた。
走査型分析電子顕微鏡(日本電子データム株式会社製)を用いて、実施例1〜5および比較例1〜2で作製したターゲットの表面を観察し、0.6×0.5mm2視野内におい
て、15μm以上の差し渡し径を有する高クロム含有粒子数を測定した。
上記高クロム含有粒子を観察した領域を10000倍に拡大し、20×10μm視野内においてクロムの簡易定量面分析を行い、任意に5点抽出して各点におけるCr濃度を測定し、その平均値を求めて高クロム含有粒子のCr濃度とした。
枚様式マグネトロンスパッタリング装置を用い、Arガス圧:0.5Pa、投入電力:5W/cm2とし、磁気記録膜を作製した際におけるアーキング回数を測定した。
走査型分析電子顕微鏡(日本電子データム株式会社製)を用いて、上記磁気記録膜作製後におけるスパッタリングターゲットの表面を観察し、1.0×1.0mm2視野内にお
ける、10μm以上の差し渡し径を有する高クロム含有粒子の脱落痕跡数を測定した。
上記磁気記録膜作製時における成膜条件と同様の条件下、ガラス基板上に、Co−Nb−Zr、Ru、実施例1〜5および比較例1〜2で作製したターゲットより得られる磁性膜、の順に成膜して多層膜を作製した。得られた多層膜における円周方向の保磁力を測定し、保磁力の最大値と最小値の差を保磁力分散度(G)として求めた。
第一の方法における粉砕工程、または第二の方法におけるメカニカルアロイング工程において混入した不純物であるZrおよびCの混入量を測定した。Zrの混入量については、ICP発光分光分析装置SPS3000(セイコーインスツルメンツ株式会社製)を用いて測定した。Cの混入量については、粉体を酸素気流中にて燃焼させ、赤外線吸収法により、炭素−硫黄分析装置EMIA−521(株式会社堀場製作所製)を用いて測定した。
Claims (12)
- コバルト、クロム、セラミックスおよび白金を含有するスパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲット内に偏在する、クロム原子を高濃度で含有する高クロム含有粒子の最大差し渡し径が40μm以下であることを特徴とするCoCrPt系スパッタリングターゲット。
- 前記スパッタリングターゲット表面を走査型分析電子顕微鏡で測定した0.6×0.5mm2視野内において、15μm以上の差し渡し径を有する高クロム含有粒子が20個以
下であることを特徴とする請求項1に記載のCoCrPt系スパッタリングターゲット。 - コバルトとクロムとを含む合金をアトマイズし、次いで粉砕することにより粉末(1)を得るA工程と、
コバルトとセラミックスとをメカニカルアロイングすることにより粉末(2)を得るB工程と、
粉末(1)と粉末(2)と白金とを混合し、粉末(3)を得るC工程と、
粉末(3)を焼成するD工程とを
有することを特徴とするCoCrPt系スパッタリングターゲットの製造方法。 - 前記C工程が、粉末(1)と粉末(2)と白金とコバルトとを混合し、粉末(3)を得る工程であることを特徴とする請求項3に記載のCoCrPt系スパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記D工程が、粉末(3)を加圧焼結により焼成する工程であることを特徴とする請求項3または4に記載のCoCrPt系スパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記C工程とD工程との間に、粉末(3)を整粒するE工程を含むことを特徴とする請求項3〜5のいずれかに記載のCoCrPt系スパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記A工程における粉末(1)として、マイクロトラック粒径(D90)が50μm以下のクロム含有粉末を用いることを特徴とする請求項3〜6のいずれかに記載のCoCrPt系スパッタリングターゲットの製造方法。
- コバルトとクロムとの合金とセラミックスとをメカニカルアロイングすることにより粉末(4)を得るF工程と、
粉末(4)と白金とを混合し、粉末(5)を得るG工程と、
粉末(5)を焼成するH工程とを
有することを特徴とするCoCrPt系スパッタリングターゲットの製造方法。 - 前記G工程が、粉末(4)と白金とコバルトとを混合し、粉末(5)を得る工程であることを特徴とする請求項8に記載のCoCrPt系スパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記H工程が、粉末(D)を加圧焼結により焼成する工程であることを特徴とする請求項8または9に記載のCoCrPt系スパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記G工程とH工程との間に、粉末(5)を整粒するI工程を含むことを特徴とする請求項8〜10のいずれかに記載のCoCrPt系スパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記F工程における粉末(4)として、マイクロトラック粒径(D90)が50μm以下
のクロム含有粉末を用いることを特徴とする請求項8〜11のいずれかに記載のCoCrPt系スパッタリングターゲットの製造方法。
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