JP2012087412A - マグネトロンスパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】強磁性金属元素を有するマグネトロンスパッタリング用ターゲットであって、前記強磁性金属元素を含む磁性相12と、前記強磁性金属元素を含み、かつ、構成元素またはその含有割合の異なる複数の非磁性相14、16と、酸化物相18とを有している。
【選択図】図1
Description
少なくとも1種を含むものとすることができる。
−TiO2−Cr2O3ターゲットを本発明の実施形態として取り上げ、具体的に説明する。本実施形態では、金属相を1つの磁性相と2つの非磁性相で構成した3相構造とするが、金属相を1つの磁性相と3つ以上の非磁性相で構成した4相以上の多相構造とすることもできる。
本実施形態に係るターゲットの構成成分は、Co−Cr−Pt−SiO2−TiO2−Cr2O3である。Co、Cr、Ptは、スパッタリングによって形成される磁気記録層のグラニュラ構造において、磁性粒子(微小な磁石)となる。酸化物(SiO2、TiO2、Cr2O3)は、グラニュラ構造において、磁性粒子(微小な磁石)を仕切る非磁性マトリックスとなる。
本実施形態に係るターゲットのミクロ構造は、図1(実施例1のターゲットの厚さ方向断面のSEM写真)を例にとって示すように、磁性相(Coの含有割合が85at%以上のCo−Cr合金相)、第1の非磁性相(Coの含有割合が0at%より大きく73at%以下のCo−Cr−Pt合金相)、第2の非磁性相(Coの含有割合が0at%より大きく12at%以下のCo−Pt合金相)がお互いに分散し、かつ、酸化物相によって仕切られ、お互いに接触していない構造となっている。なお、本実施形態では、磁性相(Coの含有割合が85at%以上のCo−Cr合金相)をCoの含有割合が100at%のCo単体相としてもよく、Coの含有割合が85at%以上のCo−Cr合金相には、Coの含有割合が100at%のCo単体相も含まれるものとする。
本実施形態に係るターゲット10は、以下のようにして製造することができる。
所定の組成(Coの含有割合が85at%以上)となるようにCo、Crを秤量し、合金溶湯を作製して、ガスアトマイズを行い、所定の組成(Coの含有割合が85at%以上)のCo−Cr合金アトマイズ磁性粉末を作製する。ここで、Crを含有させずにCo単体のアトマイズ磁性粉末としてもよく、本実施形態では、所定の組成(Coの含有割合が85at%以上)のCo−Cr合金アトマイズ磁性粉末には、Co単体のアトマイズ磁性粉末も含まれるものとする。
所定の組成(Coの含有割合が0at%より大きく73at%以下)となるようにCo、Cr、Ptを秤量し、合金溶湯を作製して、ガスアトマイズを行い、所定の組成(Coの含有割合が0at%より大きく73at%以下)のCo−Cr−Pt合金アトマイズ非磁性粉末を作製する。
所定の組成(Coの含有割合が0at%より大きく12at%以下)となるようにCo、Ptを秤量し、合金溶湯を作製して、ガスアトマイズを行い、所定の組成(Coの含有割合が0at%より大きく12at%以下)のCo−Pt合金アトマイズ非磁性粉末を作製する。
作製した磁性混合粉末(酸化物粉末が被覆されたCo−Cr合金粉末)、第1の非磁性混合粉末(酸化物粉末が被覆されたCo−Cr−Pt合金粉末)、第2の非磁性混合粉末(酸化物粉末が被覆されたCo−Pt合金粉末)を概ね均一になるまで混合分散して、加圧焼結用混合粉末を作製する。この加圧焼結用混合粉末の作製の際には、磁性混合粉末、第1の非磁性混合粉末、第2の非磁性混合粉末に、必要に応じ酸化物粉末を加えて混合分散を行ってもよい。なお、この工程での混合分散は、各粒子径が小さくならない程度に止める。各粒子径が小さくなるほど混合分散を行うと、アトマイズ金属粉末を覆っている酸化物粉末層が破壊されて、3種類のアトマイズ金属粉末(Co−Cr合金粉末、Co−Cr−Pt合金粉末、Co−Pt合金粉末)同士が接触して、混合分散により金属原子の拡散が起こって、各アトマイズ金属粉末の組成が所定の組成からずれてしまうおそれがある。
作製した加圧焼結用混合粉末を、例えば真空ホットプレス法により加圧焼結して成形し、ターゲットを作製する。
本実施形態に係る製造方法の特徴は、各金属粉末(Co−Cr合金粉末、Co−Cr−Pt合金粉末、Co−Pt合金粉末)をそれぞれ酸化物粉末(SiO2粉末、TiO2粉末、Cr2O3粉末)と混合分散させて、金属粒子の周囲を酸化物粉末で覆わせた混合粉末とした(1段階目の混合)後、各混合粉末同士を混合分散させて加圧焼結用混合粉末を得ており(2段階目の混合)、加圧焼結用混合粉末を2段階の混合を経て作製していることである。
実施例1として作製したターゲット全体の組成は、91(73Co−11Cr−16Pt)−4SiO2−2TiO2−3Cr2O3であり、以下のようにして作製を行うとともに評価を行った。なお、ターゲット全体の金属(Co、Cr、Pt)に対するCoの含有割合は73at%、Crの含有割合は11at%、Ptの含有割合は16at%である。
実施例2として作製したターゲット全体の組成は、91(73Co−11Cr−16Pt)−4SiO2−2TiO2−3Cr2O3であり、実施例1と同じであるが、アトマイズにより作製する第2の非磁性金属粉末が10Co−90Pt合金粉末である点が異なる。
比較例1として作製したターゲット全体の組成は、91(73Co−11Cr−16Pt)−4SiO2−2TiO2−3Cr2O3であり、実施例1、2と同じであるが、実施例1、2の第2の非磁性金属粉末(5Co−95Pt合金粉末、10Co−90Pt合金粉末)に替えて、磁性金属粉末である50Co−50Pt合金粉末を用いてターゲットを作製しており、非磁性相が1つである点(磁性相がCo相と50Co−50Pt合金相の2つである点)が異なる。
比較例2として作製したターゲット全体の組成は、91(73Co−11Cr−16Pt)−4SiO2−2TiO2−3Cr2O3であり、実施例1、2および比較例1と同じである。また、ターゲットの作製に用いる磁性金属粉末はCo粉末であり、第1の非磁性金属粉末は69Co−22Cr−9Pt合金粉末であり、第2の磁性金属粉末は50Co−50Pt合金粉末であり、ターゲットの作製に用いる3種類の金属粉末の組成は比較例1と同じである。
比較例3として作製したターゲット全体の組成は、91(71Co−11Cr−18Pt)−3SiO2−2TiO2−4Cr2O3である。なお、ターゲット全体の金属(Co、Cr、Pt)に対するCoの含有割合は71at%、Crの含有割合は11at%、Ptの含有割合は18at%である。
φ152.4mm×厚さ6.0mmのターゲットを作製する際の焼結温度を1000℃にし、比較例3の焼結温度を1030℃よりも低くした以外は比較例3と同様にして、φ152.4mm×厚さ6.0mmのターゲットを作製した。
実施例1、2、比較例1〜4では、ターゲットの作製に用いたアトマイズ金属粉末はいずれも3種類であったが、本比較例5でターゲットの作製に用いるアトマイズ金属粉末は71Co−11Cr−18Pt合金粉末の1種類である。
平均漏洩磁束率を測定した実施例1、2、比較例1〜5についての測定結果を下記の表14にまとめて示す。ただし、実施例1、2、比較例1、2において平均漏洩磁束率を測定したターゲットの厚さが7mmであるのに対し、比較例3〜5において平均漏洩磁束率を測定したターゲットの厚さは6mmであり、この厚さの違いにより、実施例1、2、比較例1、2よりも比較例3〜5の方が平均漏洩磁束率が大きく測定されやすくなる点に留意する必要がある。また、実施例1、2、比較例1、2のターゲット全体の組成が91(73Co−11Cr−16Pt)−4SiO2−2TiO2−3Cr2O3であるのに対し、比較例3〜5のターゲット全体の組成は91(71Co−11Cr−18Pt)−3SiO2−2TiO2−4Cr2O3であり、実施例1、2、比較例1、2のターゲットにおけるCoの含有割合が66.43mol%であるのに対し、比較例3〜5のターゲットにおけるCoの含有割合が64.61mol%であり、比較例3〜5のターゲットの方が強磁性金属元素であるCoの含有割合が小さくなっており、強磁性金属元素であるCoの含有割合の点からも、実施例1、2、比較例1、2よりも比較例3〜5の方が平均漏洩磁束率が大きく測定されやすくなる点に留意する必要がある。
12…磁性相
14…第1の非磁性相
16…第2の非磁性相
18、22、26、30、34…酸化物相
20…Co相
24…69Co−22Cr−9Pt合金相
28…5Co−95Pt合金相
32…10Co−90Pt合金相
Claims (17)
- 強磁性金属元素を有するマグネトロンスパッタリング用ターゲットであって、
前記強磁性金属元素を含む磁性相と、前記強磁性金属元素を含み、かつ、構成元素またはその含有割合の異なる複数の非磁性相と、酸化物相とを有していることを特徴とするマグネトロンスパッタリング用ターゲット。 - 請求項1において、
前記複数の非磁性相は、2種の非磁性相であることを特徴とするマグネトロンスパッタリング用ターゲット。 - 請求項1または2において、
前記強磁性金属元素は、Coであることを特徴とするマグネトロンスパッタリング用ターゲット。 - 請求項3において、
前記磁性相は、Coの含有割合が85at%以上であるCo−Cr合金相からなることを特徴とするマグネトロンスパッタリング用ターゲット。 - 請求項3において、
前記磁性相は、Co単体であることを特徴とするマグネトロンスパッタリング用ターゲット。 - 請求項3〜5のいずれかにおいて、
前記非磁性相のうちの少なくとも1つは、Coの含有割合が0at%より大きく75at%以下であるCo−Cr合金相またはCoの含有割合が0at%より大きく73at%以下であるCo−Cr−Pt合金相からなることを特徴とするマグネトロンスパッタリング用ターゲット。 - 請求項3〜6のいずれかにおいて、
前記非磁性相のうちの少なくとも1つは、Coの含有割合が12at%以下であるCo−Pt合金相からなることを特徴とするマグネトロンスパッタリング用ターゲット。 - 請求項1〜7のいずれかにおいて、
前記酸化物相は、SiO2、TiO2、Ti2O3、Ta2O5、Cr2O3、CoO、Co3O4、B2O5、Fe2O3、CuO、Y2O3、MgO、Al2O3、ZrO2、Nb2O5、MoO3、CeO2、Sm2O3、Gd2O3、WO2、WO3、HfO2、NiO2のうちの少なくとも1種を含むことを特徴とするマグネトロンスパッタリング用ターゲット。 - 請求項1〜8のいずれかにおいて、
前記ターゲットは、磁気記録層の形成に用いられることを特徴とするマグネトロンスパッタリング用ターゲット。 - 強磁性金属元素を含む磁性金属粉末と、前記強磁性金属元素を含み、かつ、構成元素またはその含有割合の異なる複数の非磁性金属粉末と、酸化物粉末とを用いることを特徴とするマグネトロンスパッタリング用ターゲットの製造方法。
- 請求項10において、
前記複数の非磁性金属粉末は、2種の非磁性金属粉末であることを特徴とするマグネトロンスパッタリング用ターゲットの製造方法。 - 請求項10または11において、
前記強磁性金属元素は、Coであることを特徴とするマグネトロンスパッタリング用ターゲットの製造方法。 - 請求項12において、
前記磁性金属粉末はCoおよびCrを主成分として含み、該磁性金属粉末におけるCoの含有割合が85at%以上であることを特徴とするマグネトロンスパッタリング用ターゲットの製造方法。 - 請求項12において、
前記磁性金属粉末はCo単体からなることを特徴とするマグネトロンスパッタリング用ターゲットの製造方法。 - 請求項10〜14のいずれかにおいて、
前記複数の非磁性金属粉末のうち少なくとも1つは、Coの含有割合が0at%より大きく75at%以下であるCo−Cr合金またはCoの含有割合が0at%より大きく73at%以下であるCo−Cr−Pt合金からなることを特徴とするマグネトロンスパッタリング用ターゲットの製造方法。 - 請求項10〜15のいずれかにおいて、
前記複数の非磁性金属粉末のうち少なくとも1つは、Coの含有割合が12at%以下であるCo−Pt合金からなることを特徴とするマグネトロンスパッタリング用ターゲットの製造方法。 - 請求項10〜16のいずれかに記載の製造方法により得られたマグネトロンスパッタリング用ターゲット。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016143858A1 (ja) * | 2015-03-12 | 2016-09-15 | 山陽特殊製鋼株式会社 | Ni系スパッタリングターゲット材および磁気記録媒体 |
CN113817993A (zh) * | 2017-09-21 | 2021-12-21 | Jx金属株式会社 | 溅镀靶、积层膜的制造方法、积层膜及磁记录媒体 |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0925566A (ja) * | 1995-07-10 | 1997-01-28 | Sony Corp | スパッタリング用ターゲットの製造方法 |
JP2006144124A (ja) * | 2001-04-11 | 2006-06-08 | Heraeus Inc | 貴金属磁気スパッタリングターゲットの製造方法及びこの方法で製造された貴金属磁気スパッタリングターゲット |
JP2007059424A (ja) * | 2005-08-22 | 2007-03-08 | Showa Denko Kk | 磁性薄膜作成用ターゲット、磁気記録媒体およびその製造方法、磁気記録再生装置 |
JP2008088546A (ja) * | 2006-09-08 | 2008-04-17 | Mitsubishi Materials Corp | パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Co基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法 |
JP2008163438A (ja) * | 2007-01-04 | 2008-07-17 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | CoCrPt系スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
JP2008260970A (ja) * | 2007-04-10 | 2008-10-30 | Hitachi Metals Ltd | Co−Zr系合金焼結スパッタリングターゲット材およびその製造方法 |
JP2009001861A (ja) * | 2007-06-21 | 2009-01-08 | Mitsubishi Materials Corp | 比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット |
JP2009001862A (ja) * | 2007-06-21 | 2009-01-08 | Mitsubishi Materials Corp | 比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット |
JP2009001860A (ja) * | 2007-06-21 | 2009-01-08 | Mitsubishi Materials Corp | 比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット |
JP2009132975A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Mitsubishi Materials Corp | 比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット |
JP2009293102A (ja) * | 2008-06-09 | 2009-12-17 | Mitsubishi Materials Corp | 比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット |
JP4422203B1 (ja) * | 2009-04-01 | 2010-02-24 | Tanakaホールディングス株式会社 | マグネトロンスパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 |
JP4673453B1 (ja) * | 2010-01-21 | 2011-04-20 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 強磁性材スパッタリングターゲット |
JP4673448B2 (ja) * | 2009-03-27 | 2011-04-20 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット |
-
2011
- 2011-11-17 JP JP2011252104A patent/JP5748639B2/ja active Active
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0925566A (ja) * | 1995-07-10 | 1997-01-28 | Sony Corp | スパッタリング用ターゲットの製造方法 |
JP2006144124A (ja) * | 2001-04-11 | 2006-06-08 | Heraeus Inc | 貴金属磁気スパッタリングターゲットの製造方法及びこの方法で製造された貴金属磁気スパッタリングターゲット |
JP2007059424A (ja) * | 2005-08-22 | 2007-03-08 | Showa Denko Kk | 磁性薄膜作成用ターゲット、磁気記録媒体およびその製造方法、磁気記録再生装置 |
JP2008088546A (ja) * | 2006-09-08 | 2008-04-17 | Mitsubishi Materials Corp | パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Co基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法 |
JP2008163438A (ja) * | 2007-01-04 | 2008-07-17 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | CoCrPt系スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
JP2008260970A (ja) * | 2007-04-10 | 2008-10-30 | Hitachi Metals Ltd | Co−Zr系合金焼結スパッタリングターゲット材およびその製造方法 |
JP2009001861A (ja) * | 2007-06-21 | 2009-01-08 | Mitsubishi Materials Corp | 比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット |
JP2009001862A (ja) * | 2007-06-21 | 2009-01-08 | Mitsubishi Materials Corp | 比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット |
JP2009001860A (ja) * | 2007-06-21 | 2009-01-08 | Mitsubishi Materials Corp | 比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット |
JP2009132975A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Mitsubishi Materials Corp | 比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット |
JP2009293102A (ja) * | 2008-06-09 | 2009-12-17 | Mitsubishi Materials Corp | 比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット |
JP4673448B2 (ja) * | 2009-03-27 | 2011-04-20 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット |
JP4422203B1 (ja) * | 2009-04-01 | 2010-02-24 | Tanakaホールディングス株式会社 | マグネトロンスパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 |
JP4673453B1 (ja) * | 2010-01-21 | 2011-04-20 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 強磁性材スパッタリングターゲット |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016143858A1 (ja) * | 2015-03-12 | 2016-09-15 | 山陽特殊製鋼株式会社 | Ni系スパッタリングターゲット材および磁気記録媒体 |
JPWO2016143858A1 (ja) * | 2015-03-12 | 2017-04-27 | 山陽特殊製鋼株式会社 | Ni系スパッタリングターゲット材および磁気記録媒体 |
CN107408397A (zh) * | 2015-03-12 | 2017-11-28 | 山阳特殊制钢株式会社 | Ni系溅射靶材和磁记录介质 |
CN107408397B (zh) * | 2015-03-12 | 2019-07-05 | 山阳特殊制钢株式会社 | Ni系溅射靶材和磁记录介质 |
CN113817993A (zh) * | 2017-09-21 | 2021-12-21 | Jx金属株式会社 | 溅镀靶、积层膜的制造方法、积层膜及磁记录媒体 |
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