JPH0925566A - スパッタリング用ターゲットの製造方法 - Google Patents
スパッタリング用ターゲットの製造方法Info
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- JPH0925566A JPH0925566A JP19575695A JP19575695A JPH0925566A JP H0925566 A JPH0925566 A JP H0925566A JP 19575695 A JP19575695 A JP 19575695A JP 19575695 A JP19575695 A JP 19575695A JP H0925566 A JPH0925566 A JP H0925566A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 マグネトロンスパッタ法で用いた場合にター
ゲット表面に大きな漏れ磁束を得ることができるよう
な、結晶粒径が微細で組成偏析がなく、透磁率の低い磁
性合金ターゲットを製造する。 【解決手段】 ガスアトマイズ法によって合金粉末を作
製し、この合金粉末を成型することで合金ターゲットを
製造する。
ゲット表面に大きな漏れ磁束を得ることができるよう
な、結晶粒径が微細で組成偏析がなく、透磁率の低い磁
性合金ターゲットを製造する。 【解決手段】 ガスアトマイズ法によって合金粉末を作
製し、この合金粉末を成型することで合金ターゲットを
製造する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はスパッタリング用タ
ーゲットの製造方法に関し、特に、磁性合金ターゲット
の製造に用いて好適なスパッタリング用ターゲットの製
造方法に関する。
ーゲットの製造方法に関し、特に、磁性合金ターゲット
の製造に用いて好適なスパッタリング用ターゲットの製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えばコンピュータ等の記憶媒体として
は、アルミニウム等の硬質材料よりなる基板上に記録磁
性層を形成してなる磁気ディスク（ハードディスク）が
使用されている。
は、アルミニウム等の硬質材料よりなる基板上に記録磁
性層を形成してなる磁気ディスク（ハードディスク）が
使用されている。
【０００３】この磁気ディスクとしては、磁性粉末と結
合剤を有機溶媒とともに分散混練してなる磁性塗料を基
板上に塗布，乾燥することで記録磁性層が形成される塗
布型の磁気ディスクや、Ｃｏ−Ｐｔ系合金等の金属磁性
材料を真空薄膜形成手段によって基板上に直接被着形成
することで記録磁性層が形成される金属薄膜型の磁気デ
ィスクが知られている。
合剤を有機溶媒とともに分散混練してなる磁性塗料を基
板上に塗布，乾燥することで記録磁性層が形成される塗
布型の磁気ディスクや、Ｃｏ−Ｐｔ系合金等の金属磁性
材料を真空薄膜形成手段によって基板上に直接被着形成
することで記録磁性層が形成される金属薄膜型の磁気デ
ィスクが知られている。
【０００４】このうち金属薄膜型の磁気ディスクは、記
録磁性層を非常に薄い厚さで形成することができ、ま
た、記録磁性層中にバインダーが含まれていないことか
ら高い磁束密度が得られ、信号品質にも優れている。こ
のため、特に、高密度記録用の磁気ディスクとして期待
されている。
録磁性層を非常に薄い厚さで形成することができ、ま
た、記録磁性層中にバインダーが含まれていないことか
ら高い磁束密度が得られ、信号品質にも優れている。こ
のため、特に、高密度記録用の磁気ディスクとして期待
されている。
【０００５】このような金属薄膜型の磁気ディスクで
は、磁性層を形成するための真空薄膜形成手段として
は、マグネトロンスパッタリング法が多く用いられるよ
うになっている。
は、磁性層を形成するための真空薄膜形成手段として
は、マグネトロンスパッタリング法が多く用いられるよ
うになっている。
【０００６】ここで、基本的なスパッタリング法とは、
プラズマ雰囲気下でイオン化したＡｒ等のスパッタガス
を、ターゲット表面に衝突させ、その衝突によってスパ
ッタ蒸発したターゲット粒子を基板上に堆積させ、薄膜
を形成する方法である。
プラズマ雰囲気下でイオン化したＡｒ等のスパッタガス
を、ターゲット表面に衝突させ、その衝突によってスパ
ッタ蒸発したターゲット粒子を基板上に堆積させ、薄膜
を形成する方法である。
【０００７】マグネトロンスパッタリング法は、このよ
うなスパッタリングにおいてターゲットの裏面にマグネ
ットを配置し、ターゲット表面に直交磁界を発生させる
ことで、プラズマをターゲット付近に拘束し、ターゲッ
ト付近においてスパッタガスのイオンが多数生成される
ようにしたものである。このマグネトロンスパッタリン
グ法では、ターゲットに対してスパッタガスのイオンが
高い効率で衝突するため、高速成膜が可能である。
うなスパッタリングにおいてターゲットの裏面にマグネ
ットを配置し、ターゲット表面に直交磁界を発生させる
ことで、プラズマをターゲット付近に拘束し、ターゲッ
ト付近においてスパッタガスのイオンが多数生成される
ようにしたものである。このマグネトロンスパッタリン
グ法では、ターゲットに対してスパッタガスのイオンが
高い効率で衝突するため、高速成膜が可能である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、磁気ディス
クの記録磁性層をスパッタリング法によって成膜する場
合には、Ｃｏ−Ｐｔ系合金等の金属磁性材料をターゲッ
トとして用いることになる。
クの記録磁性層をスパッタリング法によって成膜する場
合には、Ｃｏ−Ｐｔ系合金等の金属磁性材料をターゲッ
トとして用いることになる。
【０００９】ところが、マグネトロンスパッタリング法
では、磁性材料をターゲットとして用いる場合に、その
ターゲットの透磁率が余り高いと、マグネットからの磁
束の一部がターゲットによって拾われてしまう。その結
果、磁界によって十分にプラズマを拘束できなくなり、
高速成膜化が十分になされない。このため、ターゲット
はできるだけ低い透磁率となるような組織構造で作製さ
れていることが必要である。しかしながら、たとえばＣ
ｏ−Ｐｔ系合金等の磁性合金ターゲットの場合、これま
での方法で作製されたものは、透磁率が十分に低くなっ
ているとは言えないのが実情である。以下に、このＣｏ
−Ｐｔ系合金ターゲットの製造方法を説明する。
では、磁性材料をターゲットとして用いる場合に、その
ターゲットの透磁率が余り高いと、マグネットからの磁
束の一部がターゲットによって拾われてしまう。その結
果、磁界によって十分にプラズマを拘束できなくなり、
高速成膜化が十分になされない。このため、ターゲット
はできるだけ低い透磁率となるような組織構造で作製さ
れていることが必要である。しかしながら、たとえばＣ
ｏ−Ｐｔ系合金等の磁性合金ターゲットの場合、これま
での方法で作製されたものは、透磁率が十分に低くなっ
ているとは言えないのが実情である。以下に、このＣｏ
−Ｐｔ系合金ターゲットの製造方法を説明する。
【００１０】すなわち、Ｃｏ−Ｐｔ系合金ターゲットを
作製するには、Ｃｏ、Ｐｔを所望のターゲット組成に合
わせた比率で秤量、混合し、真空下で熔融する。次い
で、この熔融材料を鋳造し、さらに鍛造、圧延すること
で結晶粒を制御する。そして、得られた金属棒（ビレッ
ト）を熱処理することでターゲットは作製される。
作製するには、Ｃｏ、Ｐｔを所望のターゲット組成に合
わせた比率で秤量、混合し、真空下で熔融する。次い
で、この熔融材料を鋳造し、さらに鍛造、圧延すること
で結晶粒を制御する。そして、得られた金属棒（ビレッ
ト）を熱処理することでターゲットは作製される。
【００１１】しかし、このようにして作製されるＣｏ−
Ｐｔ系合金ターゲットは、まず結晶粒が微細とは言え
ず、また結晶粒径や組成も不均一であり、透磁率が高い
値になっている。このため、マグネトロンスパッタリン
グ法に適用すると、このターゲットによって磁界の形成
が妨げられ、期待する程のスパッタ速度が得られない。
Ｐｔ系合金ターゲットは、まず結晶粒が微細とは言え
ず、また結晶粒径や組成も不均一であり、透磁率が高い
値になっている。このため、マグネトロンスパッタリン
グ法に適用すると、このターゲットによって磁界の形成
が妨げられ、期待する程のスパッタ速度が得られない。
【００１２】また、Ｃｏ−Ｐｔ系合金ターゲットには、
記録磁性層のノイズレベルの低減等の目的から、Ｃｒ、
Ｔａ等を添加して多元素化することが検討されている。
記録磁性層のノイズレベルの低減等の目的から、Ｃｒ、
Ｔａ等を添加して多元素化することが検討されている。
【００１３】しかし、上述の作製方法では、扱う元素の
種類が増えると、鋳造、圧延に際してビレットにクラッ
クや割れ等が発生するようになる。このようなトラブル
の発生には、主に鋳造に際する冷却条件が影響している
ものと考えられるが、この冷却条件を最適に制御するの
は非常に難しく、多元素ターゲットの作製は困難であ
る。
種類が増えると、鋳造、圧延に際してビレットにクラッ
クや割れ等が発生するようになる。このようなトラブル
の発生には、主に鋳造に際する冷却条件が影響している
ものと考えられるが、この冷却条件を最適に制御するの
は非常に難しく、多元素ターゲットの作製は困難であ
る。
【００１４】そこで、本発明はこのような従来の実情に
鑑みて提案されたものであり、結晶粒が微細で且つ組成
の均一な合金ターゲットが製造できるスパッタリング用
ターゲットの製造方法を提供することを目的とする。
鑑みて提案されたものであり、結晶粒が微細で且つ組成
の均一な合金ターゲットが製造できるスパッタリング用
ターゲットの製造方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明者等が鋭意検討を重ねた結果、熔融材料の
冷却を鋳造過程で行うのではなく、ガスアトマイズ法で
の粉末化過程を行うようにすることで、結晶粒が微細で
且つ組成の均一な合金ターゲットが製造できるとの知見
を得るに至った。
めに、本発明者等が鋭意検討を重ねた結果、熔融材料の
冷却を鋳造過程で行うのではなく、ガスアトマイズ法で
の粉末化過程を行うようにすることで、結晶粒が微細で
且つ組成の均一な合金ターゲットが製造できるとの知見
を得るに至った。
【００１６】本発明のスパッタリング用ターゲットの製
造方法は、このような知見に基づいて完成されたもので
あって、ガスアトマイズ法によって合金粉末を作製し、
この合金粉末を成型することで合金ターゲットを製造す
る。
造方法は、このような知見に基づいて完成されたもので
あって、ガスアトマイズ法によって合金粉末を作製し、
この合金粉末を成型することで合金ターゲットを製造す
る。
【００１７】ガスアトマイズ法によって合金粉末を作製
すると、ガスアトマイズ法で形成された各々の粒子は全
体に均等に急冷されるので、出発組成と同一組成を有
し、組成偏析がなく、さらには微細構造を有した球状の
合金粉末が得られる。
すると、ガスアトマイズ法で形成された各々の粒子は全
体に均等に急冷されるので、出発組成と同一組成を有
し、組成偏析がなく、さらには微細構造を有した球状の
合金粉末が得られる。
【００１８】このような合金粉末を成形すると、合金粉
末の各々が出発組成と同一組成を有し、また組成偏析が
ないので、これを反映して結晶粒径が微細であり組成偏
析のないターゲットが得られる。
末の各々が出発組成と同一組成を有し、また組成偏析が
ないので、これを反映して結晶粒径が微細であり組成偏
析のないターゲットが得られる。
【００１９】したがって、たとえばＣｏ、Ｐｔ等を出発
原料として用いた場合では、透磁率が全体に亘って均一
に低い磁性合金ターゲットが製造される。このような磁
性合金ターゲットは、マグネトロンスパッタ法で用いた
場合に、ターゲット表面に大きな漏れ磁束を得ることが
でき、特性の良好な磁性薄膜が速いスパッタ速度で成膜
されることになる。
原料として用いた場合では、透磁率が全体に亘って均一
に低い磁性合金ターゲットが製造される。このような磁
性合金ターゲットは、マグネトロンスパッタ法で用いた
場合に、ターゲット表面に大きな漏れ磁束を得ることが
でき、特性の良好な磁性薄膜が速いスパッタ速度で成膜
されることになる。
【００２０】また、それに加えて、この方法では、多種
類の元素を用いた場合でもビレットにクラックや割れ等
が生じることがないので、ターゲット組成が比較的自由
に選択できるといったメリットもある。
類の元素を用いた場合でもビレットにクラックや割れ等
が生じることがないので、ターゲット組成が比較的自由
に選択できるといったメリットもある。
【００２１】なお、このような製造方法は、特にＣｏ−
Ｐｔ系合金，Ｃｏ−Ｃｒ系合金及びこれら合金に酸化物
が添加された混合物のような磁性合金ターゲットの製造
に好適である。
Ｐｔ系合金，Ｃｏ−Ｃｒ系合金及びこれら合金に酸化物
が添加された混合物のような磁性合金ターゲットの製造
に好適である。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施の形
態について図面を参照しながら説明する。なお、本実施
例は、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ合金ターゲットを製造する場合
の例である。
態について図面を参照しながら説明する。なお、本実施
例は、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ合金ターゲットを製造する場合
の例である。
【００２３】本実施例では、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ合金ター
ゲットを製造するために、先ず、ガスアトマイズ法によ
ってＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒの合金粉末を生成する。
ゲットを製造するために、先ず、ガスアトマイズ法によ
ってＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒの合金粉末を生成する。
【００２４】このＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒの合金粉末を生成す
るためのガスアトマイズ装置を図１に示す。
るためのガスアトマイズ装置を図１に示す。
【００２５】このガスアトマイズ装置は、高周波誘導加
熱等の手段によって材料を熔融する真空溶解炉１、熔融
材料を細かい霧状に噴射させることで粉末化する造粒室
２、粉末材料を貯留しておくサイクロン３及びコンテナ
４が、この順に連結されて構成されている。
熱等の手段によって材料を熔融する真空溶解炉１、熔融
材料を細かい霧状に噴射させることで粉末化する造粒室
２、粉末材料を貯留しておくサイクロン３及びコンテナ
４が、この順に連結されて構成されている。
【００２６】このガスアトマイズ装置によって、Ｃｏ−
Ｐｔ−Ｃｒの合金粉末を生成するには、まず、所望のタ
ーゲット組成に合わせた比率でＣｏ，Ｐｔ，Ｃｒをそれ
ぞれ秤量し、混合する。そして、この混合物を真空溶解
炉１にて熔融させる。熔融材料は、真空溶解炉１の直下
に設けられたノズル５を通じて、連続的に造粒室２に噴
射されるとともに、ノズル５近傍に設けられたガス導入
口６からの噴射ガスによって細かい霧状となる。そし
て、落下していく過程で急冷され、球状粒子７となる。
この球状粒子７は、さらにサイクロン３に導かれ、サイ
クロン３からコンテナ４に落下して貯留される。
Ｐｔ−Ｃｒの合金粉末を生成するには、まず、所望のタ
ーゲット組成に合わせた比率でＣｏ，Ｐｔ，Ｃｒをそれ
ぞれ秤量し、混合する。そして、この混合物を真空溶解
炉１にて熔融させる。熔融材料は、真空溶解炉１の直下
に設けられたノズル５を通じて、連続的に造粒室２に噴
射されるとともに、ノズル５近傍に設けられたガス導入
口６からの噴射ガスによって細かい霧状となる。そし
て、落下していく過程で急冷され、球状粒子７となる。
この球状粒子７は、さらにサイクロン３に導かれ、サイ
クロン３からコンテナ４に落下して貯留される。
【００２７】ここで、このようなガスアトマイズ法で
は、霧状となされた熔融材料が、この状態で急冷される
ことで、球状粒子として粉末化する。
は、霧状となされた熔融材料が、この状態で急冷される
ことで、球状粒子として粉末化する。
【００２８】この球状粒子の結晶の構造を図２に示す。
このように球状粒子には、鋳造過程で急冷されることで
発生する樹状結晶と類似した結晶構造が観察される。し
かし、この球状粒子での結晶は、鋳造過程で急冷される
ことで発生する樹状結晶と異なり、成長方向が粒子の外
部よりはむしろ中心方向に向かっている。これはガスア
トマイズ法によって造粒される球状粒子は外部から優先
的に冷却されるのではなく、全体が均等に冷却されるこ
とを示唆している。このことが起因して、ガスアトマイ
ズ法では、各々の球状粒子が出発組成と同一組成を有
し、組成偏析を生じることなく生成されることになる。
このように球状粒子には、鋳造過程で急冷されることで
発生する樹状結晶と類似した結晶構造が観察される。し
かし、この球状粒子での結晶は、鋳造過程で急冷される
ことで発生する樹状結晶と異なり、成長方向が粒子の外
部よりはむしろ中心方向に向かっている。これはガスア
トマイズ法によって造粒される球状粒子は外部から優先
的に冷却されるのではなく、全体が均等に冷却されるこ
とを示唆している。このことが起因して、ガスアトマイ
ズ法では、各々の球状粒子が出発組成と同一組成を有
し、組成偏析を生じることなく生成されることになる。
【００２９】なお、生成される球状粒子の粒径及び粒径
分布は、熔融材料の温度及び熔融材料のノズル５からの
流量、ノズル径、噴射ガスの流量等によって制御され
る。ここで、噴射ガスとしては、Ａｒ等の不活性ガスが
用いられる。
分布は、熔融材料の温度及び熔融材料のノズル５からの
流量、ノズル径、噴射ガスの流量等によって制御され
る。ここで、噴射ガスとしては、Ａｒ等の不活性ガスが
用いられる。
【００３０】このようにして得られたＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒ
の合金粉末は、この後、分級されて最適な粒度分布とな
され、成形工程に供される。この合金粉末の粒度分布
は、ターゲットの特性を決定付けるところの、グレンサ
イズとその分布さらに透磁率に強く影響するので、所望
の特性に併せて分級条件を設定するのが望ましい。
の合金粉末は、この後、分級されて最適な粒度分布とな
され、成形工程に供される。この合金粉末の粒度分布
は、ターゲットの特性を決定付けるところの、グレンサ
イズとその分布さらに透磁率に強く影響するので、所望
の特性に併せて分級条件を設定するのが望ましい。
【００３１】合金粉末の成形を行うには、まず、図３に
示すように、真空脱気雰囲気下で、軟鋼等よりなる円筒
缶８に当該合金粉末を投入し、キャニングする。なお、
このキャニングを真空脱気雰囲気下で行うのは、合金の
酸化を防止するためである。そして、キャニングされた
円筒状の金属棒（ビレッド）を、所定の温度で加熱保持
し、大型プレス機を用いて熱間押し出し成形あるいはア
ップセット成形等を行った後、鍛造する。
示すように、真空脱気雰囲気下で、軟鋼等よりなる円筒
缶８に当該合金粉末を投入し、キャニングする。なお、
このキャニングを真空脱気雰囲気下で行うのは、合金の
酸化を防止するためである。そして、キャニングされた
円筒状の金属棒（ビレッド）を、所定の温度で加熱保持
し、大型プレス機を用いて熱間押し出し成形あるいはア
ップセット成形等を行った後、鍛造する。
【００３２】押し出し成形では、図４（ａ）に示すよう
に、ビレット９を、ダイス孔１２が設けられた押し出し
成形用コンテナ１０内に挿入し、図４（ｂ）に示すよう
にこのビレット９の背後を押棒１１で加圧することによ
って、ビレット９をダイス孔１２から押し出す。そし
て、図４（ｃ）及び図４（ｄ）に示すように、この押し
出されたビレット９を工具１３を用いて圧縮する（鍛
造）。
に、ビレット９を、ダイス孔１２が設けられた押し出し
成形用コンテナ１０内に挿入し、図４（ｂ）に示すよう
にこのビレット９の背後を押棒１１で加圧することによ
って、ビレット９をダイス孔１２から押し出す。そし
て、図４（ｃ）及び図４（ｄ）に示すように、この押し
出されたビレット９を工具１３を用いて圧縮する（鍛
造）。
【００３３】また、アップセット成形では、図５（ａ）
に示すように、ビレット１４をダイズ孔が設けられてい
ないアップセット成形用コンテナ１５内に挿入し、図５
（ｂ）に示すようにこのビレット１４の背後を押棒１６
で加圧する。そして、図５（ｃ）及び図５（ｄ）に示す
ように、さらにビレット１４を押棒１６を用いて加圧す
ることで鍛造する。
に示すように、ビレット１４をダイズ孔が設けられてい
ないアップセット成形用コンテナ１５内に挿入し、図５
（ｂ）に示すようにこのビレット１４の背後を押棒１６
で加圧する。そして、図５（ｃ）及び図５（ｄ）に示す
ように、さらにビレット１４を押棒１６を用いて加圧す
ることで鍛造する。
【００３４】そして、得られた成形体を、ターゲット形
状に合わせて切断し、機械加工、ボンディングプロセス
を経ることでターゲットは完成する。
状に合わせて切断し、機械加工、ボンディングプロセス
を経ることでターゲットは完成する。
【００３５】このようにガスアトマイズ法で造粒された
合金粉末を用いて作製されたターゲットは、結晶粒径が
微細で組成偏析がなく、透磁率が全体に亘って１０未満
と、均一に低い値になっている。したがって、マグネト
ロンスパッタ法で用いた場合では、ターゲット表面に大
きな漏れ磁束を得ることができ、特性の良好なＣｏ−Ｐ
ｔ−Ｃｒの合金薄膜が速いスパッタ速度で成膜されるこ
とになる。
合金粉末を用いて作製されたターゲットは、結晶粒径が
微細で組成偏析がなく、透磁率が全体に亘って１０未満
と、均一に低い値になっている。したがって、マグネト
ロンスパッタ法で用いた場合では、ターゲット表面に大
きな漏れ磁束を得ることができ、特性の良好なＣｏ−Ｐ
ｔ−Ｃｒの合金薄膜が速いスパッタ速度で成膜されるこ
とになる。
【００３６】以上、本実施例では、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ合
金ターゲットを製造する場合を例にして説明したが、製
造されるターゲットの組成はこれに限らない。たとえば
Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ−Ｔａ合金のように、本実施例で用い
たよりもさらに多種類の元素を用いた場合でも、ビレッ
トにクラックや割れ等を生じることなくターゲットが製
造できる。したがって、ターゲット組成を比較的自由に
選択することが可能である。
金ターゲットを製造する場合を例にして説明したが、製
造されるターゲットの組成はこれに限らない。たとえば
Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ−Ｔａ合金のように、本実施例で用い
たよりもさらに多種類の元素を用いた場合でも、ビレッ
トにクラックや割れ等を生じることなくターゲットが製
造できる。したがって、ターゲット組成を比較的自由に
選択することが可能である。
【００３７】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明では、ガスアトマイズ法によって合金粉末を作製し、
この合金粉末を成型することでターゲットを製造するの
で、結晶粒径が微細で組成偏析のないターゲットが製造
できる。
明では、ガスアトマイズ法によって合金粉末を作製し、
この合金粉末を成型することでターゲットを製造するの
で、結晶粒径が微細で組成偏析のないターゲットが製造
できる。
【００３８】したがって、たとえばＣｏ、Ｐｔ等を出発
原料として用いた場合では、透磁率が全体に亘って均一
に低い金属磁性体ターゲットを製造することが可能であ
る。このような合金磁性体ターゲットは、マグネトロン
スパッタ法で用いた場合にターゲット表面に大きな漏れ
磁束を得ることができ、特性の良好な磁性薄膜が速いス
パッタ速度で成膜できる。このため、たとえばマグネト
ロンスパッタ法で記録磁性層が成膜される磁気ディスク
のメディア特性や製造効率の向上に大いに貢献できる。
原料として用いた場合では、透磁率が全体に亘って均一
に低い金属磁性体ターゲットを製造することが可能であ
る。このような合金磁性体ターゲットは、マグネトロン
スパッタ法で用いた場合にターゲット表面に大きな漏れ
磁束を得ることができ、特性の良好な磁性薄膜が速いス
パッタ速度で成膜できる。このため、たとえばマグネト
ロンスパッタ法で記録磁性層が成膜される磁気ディスク
のメディア特性や製造効率の向上に大いに貢献できる。
【００３９】また、それに加えて、この方法では、多種
類の元素を用いた場合でもビレットにクラックや割れ等
が生じることがないので、ターゲット組成が比較的自由
に選択できるといったメリットもある。
類の元素を用いた場合でもビレットにクラックや割れ等
が生じることがないので、ターゲット組成が比較的自由
に選択できるといったメリットもある。
【図１】ガスアトマイズ装置の一構成例を示す模式図で
ある。
ある。
【図２】ガスアトマイズ法で作製される合金粉末の結晶
の構造を示す写真である。
の構造を示す写真である。
【図３】合金粉末のキャニング工程を示す模式図であ
る。
る。
【図４】ビレットの押し出し成形工程を示すものであ
り、（ａ）はビレットの挿入工程を示す模式図、（ｂ）
はビレットの押し出し工程を示す模式図、（ｃ）は鍛造
準備工程を示す模式図、（ｄ）は鍛造工程を示す模式図
である。
り、（ａ）はビレットの挿入工程を示す模式図、（ｂ）
はビレットの押し出し工程を示す模式図、（ｃ）は鍛造
準備工程を示す模式図、（ｄ）は鍛造工程を示す模式図
である。
【図５】ビレットのアップセット成形工程を示すもので
あり、（ａ）はビレットの挿入工程を示す模式図、
（ｂ）はビレットの圧縮工程を示す模式図、（ｃ）は鍛
造準備工程を示す模式図、（ｄ）は鍛造工程を示す模式
図である。
あり、（ａ）はビレットの挿入工程を示す模式図、
（ｂ）はビレットの圧縮工程を示す模式図、（ｃ）は鍛
造準備工程を示す模式図、（ｄ）は鍛造工程を示す模式
図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 ガスアトマイズ法によって合金粉末を作
製し、この合金粉末を成型することで合金ターゲットを
製造するスパッタリング用ターゲットの製造方法。 - 【請求項２】 製造される合金ターゲットが、Ｃｏ−Ｐ
ｔ系合金，Ｃｏ−Ｃｒ系合金及びこれら合金に酸化物が
添加された混合物であることを特徴とする請求項１記載
のスパッタリング用ターゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19575695A JPH0925566A (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | スパッタリング用ターゲットの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19575695A JPH0925566A (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | スパッタリング用ターゲットの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0925566A true JPH0925566A (ja) | 1997-01-28 |
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| JP (1) | JPH0925566A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008081841A1 (ja) * | 2007-01-04 | 2008-07-10 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | ＣｏＣｒＰｔ系スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| WO2011016365A1 (ja) * | 2009-08-06 | 2011-02-10 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 無機物粒子分散型スパッタリングターゲット |
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-
1995
- 1995-07-10 JP JP19575695A patent/JPH0925566A/ja not_active Withdrawn
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