CN104081458B - Co‑Cr‑Pt 系溅射靶及其制造方法 - Google Patents

Co‑Cr‑Pt 系溅射靶及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104081458B
CN104081458B CN201280067523.7A CN201280067523A CN104081458B CN 104081458 B CN104081458 B CN 104081458B CN 201280067523 A CN201280067523 A CN 201280067523A CN 104081458 B CN104081458 B CN 104081458B
Authority
CN
China
Prior art keywords
powder
oxide
region
sputtering target
target
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201280067523.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104081458A (zh
Inventor
佐藤敦
池田祐希
荒川笃俊
高见英生
中村祐郎
中村祐一郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JX Nippon Mining and Metals Corp
Original Assignee
JX Nippon Mining and Metals Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JX Nippon Mining and Metals Corp filed Critical JX Nippon Mining and Metals Corp
Publication of CN104081458A publication Critical patent/CN104081458A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104081458B publication Critical patent/CN104081458B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/12—Metallic powder containing non-metallic particles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F5/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the special shape of the product
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
    • B22F9/02—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes
    • B22F9/04—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes starting from solid material, e.g. by crushing, grinding or milling
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C1/00—Making non-ferrous alloys
    • C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
    • C22C1/05—Mixtures of metal powder with non-metallic powder
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C1/00—Making non-ferrous alloys
    • C22C1/10—Alloys containing non-metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C19/00—Alloys based on nickel or cobalt
    • C22C19/07—Alloys based on nickel or cobalt based on cobalt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C32/00—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ
    • C22C32/001—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ with only oxides
    • C22C32/0015—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ with only oxides with only single oxides as main non-metallic constituents
    • C22C32/0026—Matrix based on Ni, Co, Cr or alloys thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414—Targets
    • H01J37/3426—Material
    • H01J37/3429—Plural materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2201/00—Treatment under specific atmosphere
    • B22F2201/10—Inert gases
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2201/00—Treatment under specific atmosphere
    • B22F2201/20—Use of vacuum
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2302/00—Metal Compound, non-Metallic compound or non-metal composition of the powder or its coating
    • B22F2302/25—Oxide

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)

Abstract

一种溅射靶，含有0.5摩尔％～45摩尔％Cr、余量为Co作为金属成分，并含有包含Ti氧化物的2种以上氧化物作为非金属成分，其特征在于，其组织包含在Co中分散有至少包含Ti氧化物的氧化物的区域(非Cr系区域)和在Cr或Co‑Cr中分散有Ti氧化物以外的氧化物的区域(Cr系区域)，所述非Cr系区域散布在所述Cr系区域中。本发明的课题是提供抑制粗大的复合氧化物颗粒的形成、溅射时粉粒产生少的颗粒膜形成用溅射靶。

Description

Co-Cr-Pt系溅射靶及其制造方法
技术领域
本发明涉及用于形成垂直磁记录方式HDD(硬盘驱动器)中的磁记录介质的颗粒膜的溅射靶，特别是涉及微细分散有氧化物的Co-Cr-Pt系溅射靶。
背景技术
在以硬盘驱动器为代表的磁记录领域，作为磁记录介质中的磁性薄膜的材料，一直使用基于强磁性金属Co、Fe或Ni的材料。
近年来对于采用已实用化的垂直磁记录方式的硬盘驱动器的磁性薄膜而言，经常使用包含以Co作为主要成分的Co-Cr-Pt系强磁性合金和非磁性的无机物颗粒的复合材料。并且，从生产率的高低考虑，上述磁性薄膜多数情况下通过利用DC磁控溅射装置对以上述材料为成分的烧结体溅射靶进行溅射来制作。
另一方面，使用溅射装置进行溅射时，存在产生粉粒的问题。已知形成颗粒膜时所产生的粉粒的大部分是由靶组织中的氧化物引起的。近年来，硬盘驱动器随着记录密度的提高其磁头的浮动高度(浮上量)减小，因此磁记录介质中所允许的粉粒的尺寸和个数受到越来越严格的限制。
关于颗粒膜形成用溅射靶及其制造方法已知各种技术(专利文献1～4等)。例如，在专利文献1中公开了如下方法：利用球磨机等将原料粉末混合、粉碎时，预先将原料粉末的一部分混合、烧结、粉碎，将由此得到的一次烧结体粉末混合，由此抑制氧化物颗粒的凝聚，使靶组织细化，并且减少粉粒的产生。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-208169号公报
专利文献2：日本特开2011-174174号公报
专利文献3：日本特开2011-175725号公报
专利文献4：日本特愿2011-536231
发明内容
发明所要解决的问题
通常，在制造用于形成颗粒膜的溅射靶时，非磁性氧化物有时会发生凝聚，以该凝聚后的氧化物为起点，溅射时有时会产生粉粒。在上述的现有技术中，为了抑制这样的粉粒产生，进行使溅射靶中的氧化物分散在母相合金中。
但是，使用Ti(钛)氧化物作为非磁性氧化物时，除了氧化物的凝聚以外，有时Ti氧化物与金属Cr(铬)在烧结中发生反应，从而形成粗大的复合氧化物颗粒，其成为粉粒产生的原因。
鉴于这样的问题，本发明的课题在于提供抑制这样粗大的复合氧化物颗粒的形成、溅射时粉粒产生少的颗粒膜形成用溅射靶。
用于解决问题的手段
为了解决上述问题，本发明人进行了深入研究，结果发现通过限制金属Cr与Ti氧化物的接触，能够抑制粗大的复合氧化物颗粒的形成。并且发现，如此制造成的溅射靶由于氧化物微细分散在母相合金中，因而能够减少粉粒产生，能够提高成膜时的成品率。
基于这样的发现，本发明提供：
1)一种溅射靶，含有0.5～45摩尔％Cr、余量为Co作为金属成分，并含有包含Ti氧化物的2种以上氧化物作为非金属成分，其特征在于，其组织包含在Co中分散有至少包含Ti氧化物的氧化物的区域(非Cr系区域：该“非Cr系区域”是指“不含金属Cr的区域”，下同)和在Cr或Co-Cr中分散有Ti氧化物以外的氧化物的区域(Cr系区域)，上述非Cr系区域散布在上述Cr系区域中；
2)一种溅射靶，含有0.5～30摩尔％Cr、0.5～30摩尔％Pt、余量为Co作为金属成分，并含有包含Ti氧化物的2种以上氧化物作为非金属成分，其特征在于，其组织包含在Co或Co-Pt中分散有至少包含Ti氧化物的氧化物的区域(非Cr系区域)和在Co-Cr、Cr-Pt、Co-Cr-Pt的任意一种以上的相中分散有Ti氧化物以外的氧化物的区域(Cr系区域)，上述非Cr系区域散布在上述Cr系区域中；
3)如上述1或2所述的溅射靶，其特征在于，上述2种以上氧化物(除Ti氧化物以外)为包含选自B、Mg、Al、Si、Cr、Zr、Nb、Ta中的1种以上元素的氧化物；
4)如上述1～3中任一项所述的溅射靶，其特征在于，溅射靶中的氧化物以体积比率计为20％以上且小于50％；
5)如上述1～4中任一项所述的溅射靶，其特征在于，还含有选自B、Cu、Mo、Ru、Ta、W中的1种以上元素作为金属成分；
6)一种溅射靶的制造方法，其特征在于，包括：通过将金属粉与包含Ti氧化物的氧化物粉混合而成的混合粉A在真空中或惰性气体气氛中加压烧结而制造烧结体A，将该烧结体A粉碎、筛分，从而制造对应于非Cr系区域的烧结体粉A的工序；制造金属粉与Ti氧化物以外的氧化物粉混合而成的对应于Cr系区域的混合粉B的工序；和将上述烧结体粉A和上述混合粉B混合后，将其在真空中或惰性气体气氛中加压烧结从而制造作为靶材的二次烧结体的工序；
7)如上述6所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，烧结体粉A的粒径为20～200μm。
发明效果
根据本发明的Co-Cr-Pt系溅射靶，通过限制Ti氧化物与金属Cr的反应，能够抑制粗大的复合氧化物颗粒的形成、能够提高氧化物的分散性，因此具有能够降低溅射时所产生的粉粒量、能够提高成膜时的成品率这样优良的效果。
附图说明
图1是利用光学显微镜观察实施例3的靶时的组织图像。
具体实施方式
本发明的溅射靶含有0.5～45摩尔％Cr、余量为Co作为金属成分，并含有包含Ti氧化物的2种以上氧化物作为非金属成分，其特征在于，其组织包含在Co中分散有至少包含Ti氧化物的氧化物的区域(非Cr系区域)和在Cr或Co-Cr中分散有Ti氧化物以外的氧化物的区域(Cr系区域)，上述非Cr系区域散布在上述Cr系区域中。
如此，本发明的溅射靶由于Ti氧化物与金属Cr(或Cr合金)在烧结中不发生反应，因此能够限制粗大的复合氧化物的形成，其结果是能够抑制以此为起点的粉粒产生。
另外，这些各个氧化物颗粒的面积对粉粒产生带来影响，因此各个氧化物颗粒的平均面积优选小于2.0μm2。
另外，本发明的溅射靶含有0.5～30摩尔％Cr、0.5～30摩尔％Pt、余量为Co作为金属成分，并含有包含Ti氧化物的2种以上氧化物作为非金属成分，其特征在于，其组织包含在Co或Co-Pt中分散有至少包含Ti氧化物的氧化物的区域(非Cr系区域)和在Co-Cr、Cr-Pt、Co-Cr-Pt的任意一种以上的相中分散有Ti氧化物以外的氧化物的区域(Cr系区域)，上述非Cr系区域散布在上述Cr系区域中。
如上所述，Cr系区域存在Co-Cr、Cr-Pt、Co-Cr-Pt三种，包含在它们中的1种以上中分散有Ti氧化物以外的氧化物的状态(组织)。如此，本发明的溅射靶由于Ti氧化物与Cr合金在烧结中不发生反应，因此能够限制粗大的复合氧化物的形成。其结果是能够抑制以此为起点的粉粒产生。
与上述一样，各个氧化物颗粒的面积对粉粒产生带来影响，因此各个氧化物颗粒的平均面积优选小于2.0μm2。
另外，本发明的溅射靶的特征在于，作为非金属成分含有的2种以上氧化物(除Ti氧化物以外)为包含选自B、Mg、Al、Si、Cr、Zr、Nb、Ta中的1种以上元素的氧化物。与Ti氧化物相比，这些非磁性氧化物难以与金属Cr或Cr合金发生反应，因此这些氧化物可以分散在金属Cr或Cr合金中。
另外，本发明的溅射靶的特征在于，非磁性成分的氧化物在溅射靶中以体积比率计为20％以上且小于50％。非磁性氧化物的体积比率如果为20％以上且小于50％，则能够得到良好的磁特性。
另外，本发明的溅射靶的特征在于，含有选自B、Cu、Mo、Ru、Ta、W的1种以上元素作为金属成分。这些金属成分可以根据所期望的磁特性而适当添加。
另外，添加B作为金属成分的情况下，根据靶组成，B有时在烧结中将其它氧化物还原而形成B2O3，但是这种情况为在量上可以忽略的程度。因此，可以认为在靶中存在的B来源于作为金属成分添加的B，在靶中存在的B2O3来源于作为氧化物添加的B2O3。
本发明的溅射靶能够通过以下方法制造。
例如，准备Co粉末、Cr粉末、Pt粉末作为金属粉；准备TiO2粉末、SiO2粉末作为氧化物粉，这些原料粉之中，将Cr粉末以外的金属粉(Co粉末、Pt粉末)和至少包含TiO2粉末的氧化物粉混合，由此得到混合粉(混合粉A)。如此，本发明中，事先将容易与金属Cr或Cr合金反应的Ti氧化物与Cr以外的金属混合，使它们预先反应是重要的。在此，混合粉A是指将作为金属成分的Cr以外(Co、Pt)的粉末与作为非金属成分的至少包含Ti氧化物的氧化物粉末混合而成的粉末。
然后，将所得到的混合粉(混合粉A)在真空中或惰性气体气氛中加压烧结从而制造烧结体(烧结体A)，将该烧结体粉碎、筛分，从而制造对应于非Cr系区域的烧结体粉(烧结体粉A)。在此，烧结体粉A是指将作为金属成分的Cr以外(Co、Pt)的粉末与作为非金属成分的至少包含Ti氧化物的氧化物粉末混合、烧结后，将其烧结体粉碎、筛分而得到的粉末。
此时，烧结体粉A的粒径优选为20～200μm。这是因为，粒径小于20μm时，非Cr区域与Cr区域的接触面积增大，因而在烧结中难以抑制金属Cr或Cr合金与Ti氧化物的反应。另一方面，粒径大于200μm时，在溅射时有可能无法得到具有均匀组成的溅射膜。
然后，将Cr粉末和TiO2粉末以外的氧化物粉(SiO2粉末)混合，由此得到对应于Cr系区域的混合粉(混合粉B)。在此，混合粉B是指将作为金属成分的至少包含Cr的粉末和作为非金属成分的Ti氧化物以外的氧化物粉末混合而成的粉末。
然后，将烧结体粉A和混合粉B混合后，将该混合粉在真空中或惰性气体气氛中加压烧结，从而能够制造作为靶材的二次烧结体。将如此得到的二次烧结体加工成所期望的形状，由此能够制造本发明的溅射靶。
根据以上所述，没有由Ti氧化物与金属Cr或Cr合金的反应所引起的粗大的复合氧化物颗粒的形成，能够制作氧化物均匀地微细分散的Co-Cr-Pt系溅射靶。如此制造而成的本发明的溅射靶作为用于颗粒结构的磁性薄膜的成膜的溅射靶是有用的。
实施例
以下基于实施例和比较例进行说明。另外，本实施例只不过是一个示例，并不受该示例任何限制。即，本发明只受权利要求书的限制，包含本发明所含的实施例以外的各种变形。
(实施例1)
准备平均粒径为3μm的Co粉末、平均粒径为5μm的Cr粉末作为金属原料粉末；准备平均粒径为1μm的TiO2粉末、平均粒径为1μm的SiO2粉末作为氧化物原料粉末。然后，为了制作混合粉A和混合粉B，分别按照以下的组成比称量各1600g。
(混合粉A)：90.5Co-9.5TiO2(摩尔％)
(混合粉B)：72.36Co-20.73Cr-6.91SiO2(摩尔％)
然后将称量的粉末分别与粉碎介质氧化锆球一起密封在容量为10升的球磨罐中，旋转20小时进行混合。然后，只将混合粉A填充到碳制模具中，在真空气氛中、温度为1000℃、保持时间为2小时、加压压力为30MPa的条件下，进行热压从而得到烧结体(烧结体A)。然后，使用颚式破碎机和石臼型粉碎机将该烧结体粉碎后，使用孔径为50μm和150μm的筛进行筛分，从而得到粒径为50～150μm的烧结体粉A。
然后，对于烧结体粉A和混合粉B，分别称量726.7g烧结体粉A、944.1g混合粉B使得溅射靶整体的组成为下述组成比。
(靶组成)：80Co-12Cr-4TiO2-4SiO2(摩尔％)
然后，将称量的粉末投入球容量约7升的行星运动型混合机，混合20分钟，从而得到二次烧结体制作用混合粉。将如此得到的二次烧结体制作用混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛中、温度为1050℃、保持时间为2小时、加压压力为30MPa的条件下进行热压，从而得到相对密度为98.2％的烧结体。并且，将该烧结体用车床进行切削加工，从而得到直径为180mm、厚度为5mm的圆盘状溅射靶。
对实施例1的溅射靶的组织进行观察，结果确认其具有在Co中分散有TiO2的区域(非Cr系区域)和在Co-Cr合金中分散有SiO2的区域(Cr系区域)，非Cr系区域散布在Cr系区域中。并且，在靶组织面上的任选的8处，在100μm×75μm的视野大小中拍摄靶研磨面的组织，利用图像处理软件对该拍摄的组织照片进行二值化，求出氧化物每一个颗粒的平均面积，结果为1.1μm2。
然后，将该靶安装在DC磁控溅射装置上进行溅射。溅射条件设定为溅射功率为1kw、Ar气压为1.5Pa，实施2kWh的预溅射后，以目标膜厚为1000nm溅射到4英寸直径的硅基板上。然后，利用粉粒计数器测定附着在基板上的粉粒的个数。其结果是硅基板上的粉粒数为5个。
(比较例1)
准备平均粒径为3μm的Co粉末、平均粒径为5μm的Cr粉末作为金属原料粉末；准备平均粒径为1μm的TiO2粉末、平均粒径为1μm的SiO2粉末作为氧化物原料粉末。然后，称量合计为1670.7g的这些粉末使得溅射靶整体的组成为下述组成比。
(靶组成)：80Co-12Cr-4TiO2-4SiO2(摩尔％)
然后将称量的粉末与粉碎介质氧化锆球一起密封在容量为10升的球磨罐中，旋转20小时进行混合。将如此得到的混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛中、温度为1050℃、保持时间为2小时、加压压力为30MPa的条件下进行热压，从而得到相对密度为98.5％的烧结体。并且，将该烧结体用车床进行切削加工，从而得到直径为180mm、厚度为5mm的圆盘状溅射靶。
对比较例1的溅射靶的组织进行观察，结果确认在Co-Cr合金中分散有TiO2和SiO2。并且，在靶组织面上的任选的8处，在100μm×75μm的视野大小中拍摄靶研磨面的组织，利用图像处理软件对该拍摄的组织照片进行二值化，求出氧化物每一个颗粒的平均面积，结果为2.1μm2，是与实施例1相比氧化物粗大化的结果。
然后，将该靶安装在DC磁控溅射装置上进行溅射。溅射条件设定为溅射功率为1kw、Ar气压为1.5Pa，实施2kWh的预溅射后，以目标膜厚为1000nm溅射到4英寸直径的硅基板上。然后，利用粉粒计数器测定附着在基板上的粉粒的个数。其结果是硅基板上的粉粒数为13个，与实施例1相比粉粒数较多。
(实施例2)
准备平均粒径为3μm的Co粉末、平均粒径为5μm的Cr粉末、平均粒径为2μm的Pt粉末作为金属原料粉末；准备平均粒径为1μm的TiO2粉末、平均粒径为1μm的SiO2粉末、平均粒径为3μm的Cr2O3粉末作为氧化物原料粉末。然后，为了制作混合粉A和混合粉B，分别按照以下组成比称量各2000g。
(混合粉A)：68.15Co-22.29Pt-4.78TiO2-4.78Cr2O3(摩尔％)
(混合粉B)：59.68Co-32.26Cr-8.06SiO2(摩尔％)
然后将称量的粉末分别与粉碎介质氧化锆球一起密封在容量为10升的球磨罐中，旋转20小时进行混合。然后，只将混合粉A填充到碳制模具中，在真空气氛中、温度为1000℃、保持时间为2小时、加压压力为30MPa的条件下进行热压从而得到烧结体(烧结体A)。然后，使用颚式破碎机和石臼型粉碎机将该烧结体粉碎后，使用孔径为38μm和106μm的筛进行筛分，从而得到粒径为38～106μm的烧结体粉A。
然后，对于烧结体粉A和混合粉B，分别称量1550.6g烧结体粉A、550.6g混合粉B使得溅射靶整体的组成为下述组成比。
(靶组成)：65Co-12Cr-14Pt-3TiO2-3SiO2-3Cr2O3(摩尔％)
然后将称量的粉末投入球容量约7升的行星运动型混合机中，混合20分钟，从而得到二次烧结体制作用混合粉。将如此得到的二次烧结体制作用混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛中、温度为1100℃、保持时间为2小时、加压压力为30MPa的条件下进行热压，从而得到相对密度为97.9％的烧结体。并且，将该烧结体用车床进行切削加工，从而得到直径为180mm、厚度为5mm的圆盘状溅射靶。
对实施例2的溅射靶的组织进行观察，结果确认具有在Co-Pt中分散有TiO2和Cr2O3的区域(非Cr系区域)和在Co-Cr合金中分散有SiO2的区域(Cr系区域)，非Cr系区域散布在Cr系区域中。并且，在靶组织面上的任选的8处，在100μm×75μm的视野大小中拍摄靶研磨面的组织，利用图像处理软件对该拍摄的组织照片进行二值化，求出氧化物每一个颗粒的平均面积，结果为1.4μm2。
然后，将该靶安装在DC磁控溅射装置上进行溅射。溅射条件设定为溅射功率为1kw、Ar气压为1.5Pa，实施2kWh的预溅射后，以目标膜厚为1000nm溅射到4英寸直径的硅基板上。然后，利用粉粒计数器测定附着在基板上的粉粒的个数。其结果是硅基板上的粉粒数为3个。
(实施例3)
准备平均粒径为3μm的Co粉末、平均粒径为5μm的Cr粉末、平均粒径为2μm的Pt粉末作为金属原料粉末；准备平均粒径为1μm的TiO2粉末、平均粒径为1μm的SiO2粉末、平均粒径为3μm的Cr2O3粉末作为氧化物原料粉末。然后，为了制作混合粉A和混合粉B，分别按照以下的组成比称量各2000g。
(混合粉A)：81.76Co-9.12Pt-4.56TiO2-4.56Cr2O3(摩尔％)
(混合粉B)：32.75Co-35.09Cr-23.39Pt-8.77SiO2(摩尔％)
然后将称量的粉末分别与粉碎介质氧化锆球一起密封在容量为10升的球磨罐中，旋转20小时进行混合。然后，只将混合粉A填充到碳制模具中，在真空气氛中、温度为1000℃、保持时间为2小时、加压压力为30MPa的条件下，进行热压从而得到烧结体(烧结体A)。然后，使用颚式破碎机和石臼型粉碎机将该烧结体粉碎后，使用孔径为38μm和106μm的筛进行筛分，从而得到粒径为38～106μm的烧结体粉A。
然后，对于烧结体粉A和混合粉B，分别称量1312.0g烧结体粉A、788.0g混合粉B使得溅射靶整体的组成为下述组成比。
(靶组成)：65Co-12Cr-14Pt-3TiO2-3SiO2-3Cr2O3(摩尔％)
然后将称量的粉末投入球容量约7升的行星运动型混合机中，混合20分钟，从而得到二次烧结体制作用混合粉。将如此得到的二次烧结体制作用混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛中、温度为1100℃、保持时间为2小时、加压压力为30MPa的条件下进行热压，从而得到相对密度为97.6％的烧结体。并且，将该烧结体用车床进行切削加工，从而得到直径为180mm、厚度为5mm的圆盘状溅射靶。
对实施例3的溅射靶的组织进行观察，结果确认具有在Co-Pt中分散有TiO2和Cr2O3的区域(非Cr系区域)和在Co-Cr-Pt合金中分散有SiO2的区域(Cr系区域)，非Cr系区域散布在Cr系区域中。实施例3的靶的组织照片示于图1中。在图1中，粗框内为Co-Pt-TiO2-Cr2O3(非Cr系区域)，粗框外为Co-Cr-Pt-SiO2(Cr系区域)。
并且，在靶组织面上的任选的8处，在100μm×75μm的视野大小中拍摄靶研磨面的组织，利用图像处理软件对该拍摄的组织照片进行二值化，求出氧化物每一个颗粒的平均面积，结果为1.5μm2。
然后，将该靶安装在DC磁控溅射装置上进行溅射。溅射条件设定为溅射功率为1kw、Ar气压为1.5Pa，实施2kWh的预溅射后，以目标膜厚为1000nm溅射到4英寸直径的硅基板上。然后，利用粉粒计数器测定附着在基板上的粉粒的个数。其结果是硅基板上的粉粒数为2个。
(比较例2)
准备平均粒径为3μm的Co粉末、平均粒径为5μm的Cr粉末、平均粒径为2μm的Pt粉末作为金属原料粉末；准备平均粒径为1μm的TiO2粉末、平均粒径为1μm的SiO2粉末、平均粒径为3μm的Cr2O3粉末作为氧化物原料粉末。然后，称量合计为2100.0g的这些粉末使得溅射靶整体的组成为下述组成比。
(靶组成)：65Co-12Cr-14Pt-3TiO2-3SiO2-3Cr2O3(摩尔％)
然后将称量的粉末与粉碎介质氧化锆球一起密封在容量为10升的球磨罐中，旋转20小时进行混合。将如此得到的混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛中、温度为1100℃、保持时间为2小时、加压压力为30MPa的条件下进行热压，从而得到相对密度为98.6％的烧结体。并且，将该烧结体用车床进行切削加工，从而得到直径为180mm、厚度为5mm的圆盘状溅射靶。
对比较例2的溅射靶的组织进行观察，结果确认在Co-Cr-Pt合金中分散有TiO2、SiO2和Cr2O3。并且，在靶组织面上的任选的8处，在100μm×75μm的视野大小中拍摄靶研磨面的组织，利用图像处理软件对该拍摄的组织照片进行二值化，求出氧化物每一个颗粒的平均面积，结果为2.3μm2，与实施例2、3相比氧化物粗大化。
然后，将该靶安装在DC磁控溅射装置上进行溅射。溅射条件设定为溅射功率为1kw、Ar气压为1.5Pa，实施2kWh的预溅射后，以目标膜厚为1000nm溅射到4英寸直径的硅基板上。然后，利用粉粒计数器测定附着在基板上的粉粒的个数。其结果是硅基板上的粉粒数为15个，与实施例2、3相比，粉粒数较多。
(比较例3)
准备平均粒径为3μm的Co粉末、平均粒径为5μm的Cr粉末、平均粒径为2μm的Pt粉末作为金属原料粉末；准备平均粒径为1μm的TiO2粉末、平均粒径为1μm的SiO2粉末、平均粒径为3μm的Cr2O3粉末作为氧化物原料粉末。然后，为了制作混合粉A和混合粉B，分别按照以下的组成比称量各2000g。
(混合粉A)：81.76Co-9.12Pt-4.56TiO2-4.56Cr2O3(摩尔％)
(混合粉B)：32.75Co-35.09Cr-23.39Pt-8.77SiO2(摩尔％)
然后将称量的粉末分别与粉碎介质氧化锆球一起密封在容量为10升的球磨罐中，旋转20小时进行混合。然后，只将混合粉A填充到碳制模具中，在真空气氛中、温度为1000℃、保持时间为2小时、加压压力为30MPa的条件下，进行热压从而得到烧结体(烧结体A)。然后，使用颚式破碎机和石臼型粉碎机将该烧结体粉碎后，使用气流分级机进行分级，从而得到了平均粒径为18μm的烧结体粉A。
然后，对于烧结体粉A和混合粉B，分别称量1312.0g烧结体粉A、788.0g混合粉B使得溅射靶整体的组成为下述组成比。
(靶组成)：65Co-12Cr-14Pt-3TiO2-3SiO2-3Cr2O3(摩尔％)
然后将称量的粉末投入球容量约7升的行星运动型混合机中，混合20分钟，从而得到二次烧结体制作用混合粉。将如此得到的二次烧结体制作用混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛中、温度为1100℃、保持时间为2小时、加压压力为30MPa的条件下进行热压，从而得到相对密度为97.6％的烧结体。并且，将该烧结体用车床进行切削加工，从而得到直径为180mm、厚度为5mm的圆盘状溅射靶。
对比较例3的溅射靶的组织进行观察，结果为如下组织：在Co-Pt中分散有TiO2和Cr2O3的区域(非Cr系区域)和在Co-Cr-Pt合金中分散有SiO2的区域(Cr系区域)无法明确地分离并确认。
并且，在靶组织面上的任选的8处，在100μm×75μm的视野大小中拍摄靶研磨面的组织，利用图像处理软件对该拍摄的组织照片进行二值化，求出氧化物每一个颗粒的平均面积，结果为2.1μm2。结果与实施例2、3相比氧化物粗大化。
然后，将该靶安装在DC磁控溅射装置上进行溅射。溅射条件设定为溅射功率为1kw、Ar气压为1.5Pa，实施2kWh的预溅射后，以目标膜厚为1000nm溅射到4英寸直径的硅基板上。然后，利用粉粒计数器测定附着在基板上的粉粒的个数。其结果是硅基板上的粉粒数为10个，与实施例2、3相比，粉粒数较多。
(比较例4)
准备平均粒径为3μm的Co粉末、平均粒径为5μm的Cr粉末、平均粒径为2μm的Pt粉末作为金属原料粉末；准备平均粒径为1μm的TiO2粉末、平均粒径为1μm的SiO2粉末、平均粒径为3μm的Cr2O3粉末作为氧化物原料粉末。然后，为了制作混合粉A和混合粉B，分别按照以下的组成比称量各2000g。
(混合粉A)：75.34Co-16.44Pt-4.11SiO2-4.11Cr2O3(摩尔％)
(混合粉B)：37.04Co-44.44Cr-7.41Pt-11.11TiO2(摩尔％)
然后将称量的粉末分别与粉碎介质氧化锆球一起密封在容量为10升的球磨罐中，旋转20小时进行混合。然后，只将混合粉A填充到碳制模具中，在真空气氛中、温度为1100℃、保持时间为2小时、加压压力为30MPa的条件下，进行热压从而得到烧结体(烧结体A)。然后，使用颚式破碎机和石臼型粉碎机将该烧结体粉碎后，使用孔径为38μm和106μm的筛进行筛分，从而得到粒径为38～106μm的烧结体粉A。
然后，对于烧结体粉A和混合粉B，分别称量1619.9g烧结体粉A、480.1g混合粉B使得溅射靶整体的组成为下述组成比。
(靶组成)：65Co-12Cr-14Pt-3TiO2-3SiO2-3Cr2O3(摩尔％)
然后将称量的粉末投入球容量约7升的行星运动型混合机中，混合20分钟，从而得到二次烧结体制作用混合粉。将如此得到的二次烧结体制作用的混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛中、温度为1000℃、保持时间为2小时、加压压力为30MPa的条件下进行热压，从而得到相对密度为98.1％的烧结体。并且，将该烧结体用车床进行切削加工，从而得到直径为180mm、厚度为5mm的圆盘状溅射靶。
对比较例4的溅射靶的组织进行观察，结果确认具有在Co-Pt中分散有SiO2和Cr2O3的区域和在Co-Cr-Pt合金中分散有TiO2的区域，在Co-Pt中分散有SiO2和Cr2O3的区域散布在Co-Cr-Pt合金中分散有TiO2的区域中。
并且，在靶组织面上的任选的8处，在100μm×75μm的视野大小中拍摄靶研磨面的组织，利用图像处理软件对该拍摄的组织照片进行二值化，求出氧化物每一个颗粒的平均面积，结果为2.6μm2。结果与实施例2、3相比氧化物粗大化。
然后，将该靶安装在DC磁控溅射装置上进行溅射。溅射条件设定为溅射功率为1kw、Ar气压为1.5Pa，实施2kWh的预溅射后，以目标膜厚为1000nm溅射到4英寸直径的硅基板上。然后，利用粉粒计数器测定附着在基板上的粉粒的个数。其结果是硅基板上的粉粒数为18个，与实施例2、3相比粉粒数较多。
(实施例4)
准备平均粒径为3μm的Co粉末、平均粒径为5μm的Cr粉末、平均粒径为2μm的Pt粉末、平均粒径为10μm的B粉末作为金属原料粉末；准备平均粒径为1μm的TiO2粉末、平均粒径为1μm的SiO2粉末作为氧化物原料粉末。然后，为了制作混合粉A和混合粉B，分别按照以下的组成比称量各2000g。
(混合粉A)：80.96Co-9.52Pt-9.52TiO2(摩尔％)
(混合粉B)：53.45Co-20.69Cr-13.79Pt-5.17B-6.9SiO2(摩尔％)
然后将称量的粉末分别与粉碎介质氧化锆球一起密封在容量为10升的球磨罐中，旋转20小时进行混合。然后，只将混合粉A填充到碳制模具中，在真空气氛中、温度为1000℃、保持时间为2小时、加压压力为30MPa的条件下，进行热压从而得到烧结体(烧结体A)。然后，使用颚式破碎机和石臼型粉碎机将该烧结体粉碎后，使用孔径为38μm和106μm的筛进行筛分，从而得到粒径为38～106μm的烧结体粉A。
然后，对于烧结体粉A和混合粉B，分别称量1217.8g烧结体粉A、882.2g混合粉B使得溅射靶整体的组成为下述组成比。
(靶组成)：65Co-12Cr-12Pt-3B-4TiO2-4SiO2(摩尔％)
然后将称量的粉末投入球容量约7升的行星运动型混合机中，混合20分钟，从而得到二次烧结体制作用混合粉。将如此得到的二次烧结体制作用混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛中、温度为1000℃、保持时间为2小时、加压压力为30MPa的条件下进行热压，从而得到相对密度为96.5％的烧结体。并且，将该烧结体用车床进行切削加工，从而得到直径为180mm、厚度为5mm的圆盘状溅射靶。
对实施例4的溅射靶的组织进行观察，结果确认具有在Co-Pt中分散有TiO2的区域(非Cr系区域)和在Co-Cr-Pt-B合金中分散有SiO2的区域(Cr系区域)，非Cr系区域散布在Cr系区域中。
并且，在靶组织面上的任选的8处，在100μm×75μm的视野大小中拍摄靶研磨面的组织，利用图像处理软件对该拍摄的组织照片进行二值化，求出氧化物每一个颗粒的平均面积，结果为1.8μm2。
然后，将该靶安装在DC磁控溅射装置上进行溅射。溅射条件设定为溅射功率为1kw、Ar气压为1.5Pa，实施2kWh的预溅射后，以目标膜厚为1000nm溅射到4英寸直径的硅基板上。然后，利用粉粒计数器测定附着在基板上的粉粒的个数。其结果是硅基板上的粉粒数为6个。
(比较例5)
准备平均粒径为3μm的Co粉末、平均粒径为5μm的Cr粉末、平均粒径为2μm的Pt粉末、平均粒径为10μm的B粉末作为金属原料粉末；准备平均粒径为1μm的TiO2粉末、平均粒径为1μm的SiO2粉末作为氧化物原料粉末。然后，称量合计为2100.0g的这些粉末使得溅射靶整体的组成为下述组成比。
(靶组成)：65Co-12Cr-12Pt-3B-4TiO2-4SiO2(摩尔％)
然后将称量的粉末与粉碎介质氧化锆球一起密封在容量为10升的球磨罐中，旋转20小时进行混合。将如此得到的混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛中、温度为1000℃、保持时间为2小时、加压压力为30MPa的条件下进行热压，从而得到相对密度为96.2％的烧结体。并且，将该烧结体用车床进行切削加工，从而得到直径为180mm、厚度为5mm的圆盘状溅射靶。
对比较例5的溅射靶的组织进行观察，结果确认在Co-Cr-Pt-B合金中分散有TiO2和SiO2。并且，在靶组织面上的任选的8处，在100μm×75μm的视野大小中拍摄靶研磨面的组织，利用图像处理软件对该拍摄的组织照片进行二值化，求出氧化物每一个颗粒的平均面积，结果为2.5μm2，与实施例4相比氧化物粗大化。
然后，将该靶安装在DC磁控溅射装置上进行溅射。溅射条件设定为溅射功率为1kw、Ar气压为1.5Pa，实施2kWh的预溅射后，以目标膜厚为1000nm溅射到4英寸直径的硅基板上。然后，利用粉粒计数器测定附着在基板上的粉粒的个数。其结果是硅基板上的粉粒数为19个，与实施例4相比粉粒数较多。
(实施例5)
准备平均粒径为3μm的Co粉末、平均粒径为5μm的Cr粉末、平均粒径为2μm的Pt粉末、平均粒径为10μm的Ru粉末作为金属原料粉末；准备平均粒径为1μm的TiO2粉末、平均粒径为1μm的SiO2粉末、平均粒径为3μm的Cr2O3粉末作为氧化物原料粉末。然后，为了制作混合粉A和混合粉B，分别按照以下的组成比称量各2000g。
(混合粉A)：89.29Co-10.71TiO2(摩尔％)
(混合粉B)：54.16Co-16.67Cr-13.89Pt-6.94Ru-4.17SiO2-4.17Cr2O3(摩尔％)
然后将称量的粉末分别与粉碎介质氧化锆球一起密封在容量为10升的球磨罐中，旋转20小时进行混合。然后，只将混合粉A填充到碳制模具中，在真空气氛中、温度为1000℃、保持时间为2小时、加压压力为30MPa的条件下，进行热压从而得到烧结体(烧结体A)。然后，使用颚式破碎机和石臼型粉碎机将该烧结体粉碎后，使用孔径为38μm和106μm的筛进行筛分，从而得到粒径为38～106μm的烧结体粉A。
然后，对于烧结体粉A和混合粉B，分别称量465.5g烧结体粉A、1634.5g混合粉B使得溅射靶整体的组成为下述组成比。
(靶组成)：64Co-12Cr-10Pt-5Ru-3TiO2-3SiO2-3Cr2O3(摩尔％)
然后将称量的粉末投入球容量约7升的行星运动型混合机中，混合20分钟，从而得到二次烧结体制作用混合粉。将如此得到的二次烧结体制作用混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛中、温度为1100℃、保持时间为2小时、加压压力为30MPa的条件下进行热压，从而得到相对密度为98.8％的烧结体。并且，将该烧结体用车床进行切削加工，从而得到直径为180mm、厚度为5mm的圆盘状溅射靶。
对实施例5的溅射靶的组织进行观察，结果确认具有在Co中分散有TiO2的区域(非Cr系区域)和在Co-Cr-Pt-Ru合金中分散有SiO2和Cr2O3的区域(Cr系区域)，非Cr系区域散布在Cr系区域中。
并且，在靶组织面上的任选的8处，在100μm×75μm的视野大小中拍摄靶研磨面的组织，利用图像处理软件对该拍摄的组织照片进行二值化，求出氧化物每一个颗粒的平均面积，结果为1.1μm2。
然后，将该靶安装在DC磁控溅射装置上进行溅射。溅射条件设定为溅射功率为1kw、Ar气压为1.5Pa，实施2kWh的预溅射后，以目标膜厚为1000nm溅射到4英寸直径的硅基板上。然后，利用粉粒计数器测定附着在基板上的粉粒的个数。其结果是硅基板上的粉粒数为2个。
(比较例6)
准备平均粒径为3μm的Co粉末、平均粒径为5μm的Cr粉末、平均粒径为2μm的Pt粉末、平均粒径为10μm的Ru粉末作为金属原料粉末；准备平均粒径为1μm的TiO2粉末、平均粒径为1μm的SiO2粉末、平均粒径为3μm的Cr2O3粉末作为氧化物原料粉末。然后，称量合计为2100.0g的这些粉末使得溅射靶整体的组成为下述组成比。
(靶组成)：64Co-12Cr-10Pt-5Ru-3TiO2-3SiO2-3Cr2O3(摩尔％)
然后将称量的粉末与粉碎介质氧化锆球一起密封在容量为10升的球磨罐中，旋转20小时进行混合。将如此得到的混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛中、温度为1100℃、保持时间为2小时、加压压力为30MPa的条件下进行热压，从而得到相对密度为98.9％的烧结体。并且，将该烧结体用车床进行切削加工，从而得到直径为180mm、厚度为5mm的圆盘状溅射靶。
对比较例6的溅射靶的组织进行观察，结果确认在Co-Cr-Pt-Ru合金中分散有TiO2、SiO2和Cr2O3。并且，在靶组织面上的任选的8处，在100μm×75μm的视野大小中拍摄靶研磨面的组织，利用图像处理软件对该拍摄的组织照片进行二值化，求出氧化物每一个颗粒的平均面积，结果为2.0μm2，与实施例5相比氧化物粗大化。
然后，将该靶安装在DC磁控溅射装置上进行溅射。溅射条件设定为溅射功率为1kw、Ar气压为1.5Pa，实施2kWh的预溅射后，以目标膜厚为1000nm溅射到4英寸直径的硅基板上。然后，利用粉粒计数器测定附着在基板上的粉粒的个数。其结果是硅基板上的粉粒数为12个，与实施例5相比粉粒数较多。
(实施例6)
准备平均粒径为3μm的Co粉末、平均粒径为5μm的Cr粉末、平均粒径为2μm的Pt粉末作为金属原料粉末；准备平均粒径为1μm的TiO2粉末、平均粒径为1μm的SiO2粉末、平均粒径为10μm的B2O3粉末作为氧化物原料粉末。然后，为了制作混合粉A和混合粉B，分别按照以下的组成比称量各2000g。
(混合粉A)：89.29Co-10.71TiO2(摩尔％)
(混合粉B)：61.11Co-16.67Cr-13.89Pt-4.17SiO2-4.17B2O3(摩尔％)
然后将称量的粉末分别与粉碎介质氧化锆球一起密封在容量为10升的球磨罐中，旋转20小时进行混合。然后，只将混合粉A填充到碳制模具中，在真空气氛中、温度为1000℃、保持时间为2小时、加压压力为30MPa的条件下，进行热压从而得到烧结体(烧结体A)。然后，使用颚式破碎机和石臼型粉碎机将该烧结体粉碎后，使用孔径为38μm和106μm的筛进行筛分，从而得到粒径为38～106μm的烧结体粉A。
然后，对于烧结体粉A和混合粉B，分别称量471.4g烧结体粉A、1528.6g混合粉B使得溅射靶整体的组成为下述组成比。
(靶组成)：69Co-12Cr-10Pt-3TiO2-3SiO2-3B2O3(摩尔％)
然后将称量的粉末投入球容量约7升的行星运动型混合机中，混合20分钟，从而得到二次烧结体制作用混合粉。将如此得到的二次烧结体制作用混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛中、温度为850℃、保持时间为2小时、加压压力为30MPa的条件下进行热压，从而得到相对密度为98.3％的烧结体。并且，将该烧结体用车床进行切削加工，从而得到直径为180mm、厚度为5mm的圆盘状溅射靶。
对实施例6的溅射靶的组织进行观察，结果确认具有在Co中分散有TiO2的区域(非Cr系区域)和在Co-Cr-Pt合金中分散有SiO2和B2O3的区域(Cr系区域)，非Cr系区域散布在Cr系区域中。
并且，在靶组织面上的任选的8处，在100μm×75μm的视野大小中拍摄靶研磨面的组织，利用图像处理软件对该拍摄的组织照片进行二值化，求出氧化物每一个颗粒的平均面积，结果为1.9μm2。
然后，将该靶安装在DC磁控溅射装置上进行溅射。溅射条件设定为溅射功率为1kw、Ar气压为1.5Pa，实施2kWh的预溅射后，以目标膜厚为1000nm溅射到4英寸直径的硅基板上。然后，利用粉粒计数器测定附着在基板上的粉粒的个数。其结果是硅基板上的粉粒数为6个。
(比较例7)
准备平均粒径为3μm的Co粉末、平均粒径为5μm的Cr粉末、平均粒径为2μm的Pt粉末作为金属原料粉末；准备平均粒径为1μm的TiO2粉末、平均粒径为1μm的SiO2粉末、平均粒径为10μm的B2O3粉末作为氧化物原料粉末。然后，称量合计为2000.0g的这些粉末使得溅射靶整体的组成为下述组成比。
(靶组成)：69Co-12Cr-10Pt-3TiO2-3SiO2-3B2O3(摩尔％)
然后将称量的粉末与粉碎介质氧化锆球一起密封在容量为10升的球磨罐中，旋转20小时进行混合。将如此得到的混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛中、温度为850℃、保持时间为2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压，从而得到相对密度为98.7％的烧结体。并且，将该烧结体用车床进行切削加工，从而得到直径为180mm、厚度为5mm的圆盘状溅射靶。
对比较例7的溅射靶的组织进行观察，结果确认在Co-Cr-Pt合金中分散有TiO2、SiO2和B2O3。并且，在靶组织面上的任选的8处，在100μm×75μm的视野大小中拍摄靶研磨面的组织，利用图像处理软件对该拍摄的组织照片进行二值化，求出氧化物每一个颗粒的平均面积，结果为3.1μm2，与实施例6相比氧化物粗大化。
然后，将该靶安装在DC磁控溅射装置上进行溅射。溅射条件设定为溅射功率为1kw、Ar气压为1.5Pa，实施2kWh的预溅射后，以目标膜厚为1000nm溅射到4英寸直径的硅基板上。然后，利用粉粒计数器测定附着在基板上的粉粒的个数。其结果是硅基板上的粉粒数为18个，与实施例6相比粉粒数较多。
(实施例7)
准备平均粒径为3μm的Co粉末、平均粒径为5μm的Cr粉末、平均粒径为2μm的Pt粉末作为金属原料粉末；准备平均粒径为1μm的TiO2粉末、平均粒径为1μm的SiO2粉末、平均粒径为3μm的MnO粉末作为氧化物原料粉末。然后，为了制作混合粉A和混合粉B，分别按照以下的组成比称量各2000g。
(混合粉A)：89.29Co-10.71TiO2(摩尔％)
(混合粉B)：61.10Co-16.67Cr-13.89Pt-2.78SiO2-5.56MnO(摩尔％)
然后将称量的粉末分别与粉碎介质氧化锆球一起密封在容量为10升的球磨罐中，旋转20小时进行混合。然后，只将混合粉A填充到碳制模具中，在真空气氛中、温度为1000℃、保持时间为2小时、加压压力为30MPa的条件下，进行热压从而得到烧结体(烧结体A)。然后，使用颚式破碎机和石臼型粉碎机将该烧结体粉碎后，使用孔径为38μm和106μm的筛进行筛分，从而得到粒径为38～106μm的烧结体粉A。
然后，对于烧结体粉A和混合粉B，分别称量470.2g烧结体粉A、1529.8g混合粉B使得溅射靶整体的组成为下述组成比。
(靶组成)：69Co-12Cr-10Pt-3TiO2-2SiO2-4MnO(摩尔％)
然后将称量的粉末投入球容量约7升的行星运动型混合机中，混合20分钟，从而得到二次烧结体制作用混合粉。将如此得到的二次烧结体制作用混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛中、温度为950℃、保持时间为2小时、加压压力为30MPa的条件下进行热压，从而得到相对密度为98.2％的烧结体。并且，将该烧结体用车床进行切削加工，从而得到直径为180mm、厚度为5mm的圆盘状溅射靶。
对实施例7的溅射靶的组织进行观察，结果确认具有在Co中分散有TiO2的区域(非Cr系区域)和在Co-Cr-Pt合金中分散有SiO2和MnO的区域(Cr系区域)，非Cr系区域散布在Cr系区域中。
并且，在靶组织面上的任选的8处，在100μm×75μm的视野大小中拍摄靶研磨面的组织，利用图像处理软件对该拍摄的组织照片进行二值化，求出氧化物每一个颗粒的平均面积，结果为1.6μm2。
然后，将该靶安装在DC磁控溅射装置上进行溅射。溅射条件设定为溅射功率为1kw、Ar气压为1.5Pa，实施2kWh的预溅射后，以目标膜厚为1000nm溅射到4英寸直径的硅基板上。然后，利用粉粒计数器测定附着在基板上的粉粒的个数。其结果是硅基板上的粉粒数为6个。
(比较例8)
准备平均粒径为3μm的Co粉末、平均粒径为5μm的Cr粉末、平均粒径为2μm的Pt粉末作为金属原料粉末；准备平均粒径为1μm的TiO2粉末、平均粒径为1μm的SiO2粉末、平均粒径为3μm的MnO粉末作为氧化物原料粉末。然后，称量合计为2000.0g的这些粉末使得溅射靶整体的组成为下述组成比。
(靶组成)：69Co-12Cr-10Pt-3TiO2-2SiO2-4MnO(摩尔％)
然后将称量的粉末与粉碎介质氧化锆球一起密封在容量为10升的球磨罐中，旋转20小时进行混合。将如此得到的混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛中、温度为950℃、保持时间为2小时、加压压力为30MPa的条件下进行热压，从而得到了相对密度为98.7％的烧结体。并且，将该烧结体用车床进行切削加工，从而得到直径为180mm、厚度为5mm的圆盘状溅射靶。
对比较例8的溅射靶的组织进行观察，结果确认在Co-Cr-Pt合金中分散有TiO2、SiO2和MnO。并且，在靶组织面上的任选的8处，在100μm×75μm的视野大小中拍摄靶研磨面的组织，利用图像处理软件对该拍摄的组织照片进行二值化，求出氧化物每一个颗粒的平均面积，结果为2.9μm2，与实施例6相比氧化物粗大化。
然后，将该靶安装在DC磁控溅射装置上进行溅射。溅射条件设定为溅射功率为1kw、Ar气体压为1.5Pa，实施2kWh的预溅射后，以目标膜厚为1000nm溅射到4英寸直径的硅基板上。然后，利用粉粒计数器测定附着在基板上的粉粒的个数。其结果是硅基板上的粉粒数为13个，与实施例6相比粉粒数较多。
在实施例1～7中均确认：各个氧化物颗粒的平均面积小于2.0μm2，氧化物微细分散。可知这样的组织结构对于抑制溅射时所产生的粉粒量、提高成膜时的成品率具有非常重要的作用。
产业实用性
本发明的溅射靶及其制造方法能够抑制粗大的复合氧化物颗粒的形成、能够提高氧化物的分散性，因此具有能够降低溅射时所产生的粉粒量、能够提高成膜时的成品率这样优良的效果。因此，作为用于形成颗粒膜的溅射靶是有用的。

Claims (12)

1.一种溅射靶，含有0.5摩尔％～45摩尔％Cr、余量为Co作为金属成分，并含有包含Ti氧化物的2种以上氧化物作为非金属成分，其特征在于，所述溅射靶的组织包含在Co中分散有至少包含Ti氧化物的氧化物的区域和在Cr或Co-Cr中分散有Ti氧化物以外的氧化物的区域，将在Co中分散有至少包含Ti氧化物的氧化物的区域定义为非Cr系区域，该“非Cr系区域”是指“不含金属Cr的区域”，将在Cr或Co-Cr中分散有Ti氧化物以外的氧化物的区域定义为Cr系区域，所述非Cr系区域散布在所述Cr系区域中。
2.如权利要求1所述的溅射靶，其特征在于，除Ti氧化物以外，所述2种以上氧化物为包含选自B、Mg、Al、Si、Cr、Zr、Nb、Ta中的1种以上元素的氧化物。
3.如权利要求1所述的溅射靶，其特征在于，溅射靶中的氧化物以体积比率计为20％以上且小于50％。
4.如权利要求2所述的溅射靶，其特征在于，溅射靶中的氧化物以体积比率计为20％以上且小于50％。
5.如权利要求1～4中任一项所述的溅射靶，其特征在于，还含有选自B、Cu、Mo、Ru、Ta、W中的1种以上元素作为金属成分。
6.一种溅射靶，含有0.5摩尔％～30摩尔％Cr、0.5摩尔％～30摩尔％Pt、余量为Co作为金属成分，并含有包含Ti氧化物的2种以上氧化物作为非金属成分，其特征在于，所述溅射靶的组织包含在Co或Co-Pt中分散有至少包含Ti氧化物的氧化物的区域和在Co-Cr、Cr-Pt、Co-Cr-Pt的任意一种以上的相中分散有Ti氧化物以外的氧化物的区域，将在Co或Co-Pt中分散有至少包含Ti氧化物的氧化物的区域定义为非Cr系区域，将在Co-Cr、Cr-Pt、Co-Cr-Pt的任意一种以上的相中分散有Ti氧化物以外的氧化物的区域定义为Cr系区域，所述非Cr系区域散布在所述Cr系区域中。
7.如权利要求6所述的溅射靶，其特征在于，除Ti氧化物以外，所述2种以上氧化物为包含选自B、Mg、Al、Si、Cr、Zr、Nb、Ta中的1种以上元素的氧化物。
8.如权利要求6所述的溅射靶，其特征在于，溅射靶中的氧化物以体积比率计为20％以上且小于50％。
9.如权利要求7所述的溅射靶，其特征在于，溅射靶中的氧化物以体积比率计为20％以上且小于50％。
10.如权利要求6～9中任一项所述的溅射靶，其特征在于，还含有选自B、Cu、Mo、Ru、Ta、W中的1种以上元素作为金属成分。
11.一种溅射靶的制造方法，其特征在于，包括：通过将Cr以外的金属粉与包含Ti氧化物的氧化物粉混合而成的混合粉A在真空中或惰性气体气氛中加压烧结而制造烧结体A，将该烧结体A粉碎、筛分，从而制造对应于非Cr系区域的烧结体粉A的工序；制造至少包含Cr的金属粉与Ti氧化物以外的氧化物粉混合而成的对应于Cr系区域的混合粉B的工序；和将所述烧结体粉A和所述混合粉B混合后，将其在真空中或惰性气体气氛中加压烧结从而制造作为靶材的二次烧结体的工序。
12.如权利要求11所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，烧结体粉A的粒径为20μm～200μm。
CN201280067523.7A 2012-01-18 2012-12-12 Co‑Cr‑Pt 系溅射靶及其制造方法 Active CN104081458B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012-007950 2012-01-18
JP2012007950 2012-01-18
PCT/JP2012/082131 WO2013108520A1 (ja) 2012-01-18 2012-12-12 Ｃｏ－Ｃｒ－Ｐｔ系スパッタリングターゲット及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104081458A CN104081458A (zh) 2014-10-01
CN104081458B true CN104081458B (zh) 2017-05-03

Family

ID=48798957

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280067523.7A Active CN104081458B (zh) 2012-01-18 2012-12-12 Co‑Cr‑Pt 系溅射靶及其制造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9732414B2 (zh)
JP (1) JP5847203B2 (zh)
CN (1) CN104081458B (zh)
MY (1) MY167946A (zh)
SG (1) SG11201403857TA (zh)
TW (1) TWI537407B (zh)
WO (1) WO2013108520A1 (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103210115B (zh) 2010-07-29 2016-01-20 吉坤日矿日石金属株式会社 磁记录膜用溅射靶及其制造方法
WO2014046040A1 (ja) * 2012-09-18 2014-03-27 Jx日鉱日石金属株式会社 スパッタリングターゲット
WO2015064761A1 (ja) * 2013-10-29 2015-05-07 田中貴金属工業株式会社 マグネトロンスパッタリング用ターゲット
JP6005767B2 (ja) * 2014-01-17 2016-10-12 Ｊｘ金属株式会社 磁性記録媒体用スパッタリングターゲット
JP6359662B2 (ja) * 2014-07-25 2018-07-18 Ｊｘ金属株式会社 磁性体薄膜形成用スパッタリングターゲット
US10837101B2 (en) 2016-03-31 2020-11-17 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Ferromagnetic material sputtering target
US10971181B2 (en) * 2016-11-01 2021-04-06 Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. Sputtering target for magnetic recording media
TWI702294B (zh) * 2018-07-31 2020-08-21 日商田中貴金屬工業股份有限公司 磁氣記錄媒體用濺鍍靶

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101405429A (zh) * 2006-03-31 2009-04-08 三菱麻铁里亚尔株式会社 颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶的制造方法、及磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶
JP2009132975A (ja) * 2007-11-30 2009-06-18 Mitsubishi Materials Corp 比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット
CN101495667A (zh) * 2007-01-04 2009-07-29 三井金属矿业株式会社 CoCrPt系溅射靶及其制造方法
JP2010272177A (ja) * 2009-05-22 2010-12-02 Mitsubishi Materials Corp 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6042777A (en) 1999-08-03 2000-03-28 Sony Corporation Manufacturing of high density intermetallic sputter targets
JP3964453B2 (ja) 2004-03-26 2007-08-22 日鉱金属株式会社 Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金スパッタリングターゲット
JP4975647B2 (ja) 2006-01-13 2012-07-11 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット
US20100270146A1 (en) 2006-03-31 2010-10-28 Mitsubishi Materials Corporation Method for manufacturing co-base sintered alloy sputtering target for formation of magnetic recording film which is less likely to generate partricles, and co-base sintered alloy sputtering target for formation of magnetic recording film
CN101224496B (zh) 2007-01-18 2010-05-19 光洋应用材料科技股份有限公司 溅镀靶材的制造方法
CN101981224B (zh) 2008-03-28 2012-08-22 Jx日矿日石金属株式会社 非磁性材料粒子分散型强磁性材料溅射靶
MY146996A (en) 2009-03-03 2012-10-15 Jx Nippon Mining & Metals Corp Sputtering target and process for producing same
US9103023B2 (en) 2009-03-27 2015-08-11 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Nonmagnetic material particle-dispersed ferromagnetic material sputtering target
JP4870855B2 (ja) 2009-08-06 2012-02-08 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 無機物粒子分散型スパッタリングターゲット
MY149640A (en) 2009-12-11 2013-09-13 Jx Nippon Mining & Metals Corp Sputtering target comprising oxide phase dispersed in co or co alloy phase, magnetic thin film made of co or co alloy phase and oxide phase, and magnetic recording medium using the said thin film
US20120273347A1 (en) 2009-12-25 2012-11-01 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Sputtering target with reduced particle generation and method of producing said target
MY149437A (en) 2010-01-21 2013-08-30 Jx Nippon Mining & Metals Corp Ferromagnetic material sputtering target
JP2011175725A (ja) * 2010-01-26 2011-09-08 Mitsubishi Materials Corp 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP2011174174A (ja) 2010-01-26 2011-09-08 Mitsubishi Materials Corp 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP5375707B2 (ja) * 2010-03-28 2013-12-25 三菱マテリアル株式会社 磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP2011216135A (ja) 2010-03-31 2011-10-27 Mitsubishi Materials Corp 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法
MY150826A (en) 2010-07-20 2014-02-28 Jx Nippon Mining & Metals Corp Sputtering target of perromagnetic material with low generation of particles
WO2012011294A1 (ja) 2010-07-20 2012-01-26 Jx日鉱日石金属株式会社 パーティクル発生の少ない強磁性材スパッタリングターゲット
MY160775A (en) 2010-09-03 2017-03-15 Jx Nippon Mining & Metals Corp Ferromagnetic material sputtering target
SG188601A1 (en) 2010-12-09 2013-04-30 Jx Nippon Mining & Metals Corp Ferromagnetic material sputtering target
CN103097570B (zh) 2010-12-15 2015-04-01 吉坤日矿日石金属株式会社 强磁性材料溅射靶及其制造方法
SG189832A1 (en) 2010-12-17 2013-06-28 Jx Nippon Mining & Metals Corp Ferromagnetic material sputtering target
US20130213804A1 (en) 2010-12-17 2013-08-22 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Ferromagnetic material sputtering target
CN103262166B (zh) 2010-12-21 2016-10-26 吉坤日矿日石金属株式会社 磁记录膜用溅射靶及其制造方法
US20130206592A1 (en) 2010-12-22 2013-08-15 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Ferromagnetic Sputtering Target
US20130213802A1 (en) 2010-12-22 2013-08-22 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Sintered Compact Sputtering Target
JP5654126B2 (ja) 2011-06-30 2015-01-14 Jx日鉱日石金属株式会社 Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金スパッタリングターゲット及びその製造方法
SG193277A1 (en) 2011-08-23 2013-10-30 Jx Nippon Mining & Metals Corp Ferromagnetic sputtering target with minimized particle generation
JP2012026452A (ja) * 2011-09-26 2012-02-09 Sanden Corp 流体機械、該流体機械を用いたランキン回路及び車両の廃熱利用システム

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101405429A (zh) * 2006-03-31 2009-04-08 三菱麻铁里亚尔株式会社 颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶的制造方法、及磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶
CN101495667A (zh) * 2007-01-04 2009-07-29 三井金属矿业株式会社 CoCrPt系溅射靶及其制造方法
JP2009132975A (ja) * 2007-11-30 2009-06-18 Mitsubishi Materials Corp 比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット
JP2010272177A (ja) * 2009-05-22 2010-12-02 Mitsubishi Materials Corp 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201333236A (zh) 2013-08-16
CN104081458A (zh) 2014-10-01
MY167946A (en) 2018-10-08
TWI537407B (zh) 2016-06-11
JPWO2013108520A1 (ja) 2015-05-11
WO2013108520A1 (ja) 2013-07-25
SG11201403857TA (en) 2014-09-26
US20140367254A1 (en) 2014-12-18
US9732414B2 (en) 2017-08-15
JP5847203B2 (ja) 2016-01-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104081458B (zh) Co‑Cr‑Pt 系溅射靶及其制造方法
TWI547581B (zh) Sintered body sputtering target
CN104105812B (zh) 粉粒产生少的强磁性材料溅射靶
CN103038388B (zh) 强磁性材料溅射靶
CN103080368B (zh) 强磁性材料溅射靶
US9761422B2 (en) Magnetic material sputtering target and manufacturing method for same
JP6359622B2 (ja) Ｃｏ又はＦｅを含有するスパッタリングターゲット
CN103003468A (zh) 粉粒产生少的强磁性材料溅射靶
CN106048545A (zh) 磁性材料溅射靶及其制造方法
JP6958819B2 (ja) 磁気記録媒体用スパッタリングターゲット
JP5375707B2 (ja) 磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法
CN104126026B (zh) 含有铬氧化物的强磁性材料溅射靶
JP6100352B2 (ja) クロム酸化物を含有する強磁性材スパッタリングターゲット
JP2015155573A (ja) 磁性記録媒体用スパッタリングターゲット
JPWO2017141557A1 (ja) 磁気記録媒体用スパッタリングターゲット及び磁性薄膜
JPWO2016035415A1 (ja) スパッタリングターゲット
WO2018123500A1 (ja) 磁性材スパッタリングターゲット及びその製造方法
CN108699677A (zh) 磁记录介质用溅射靶以及磁性薄膜
JP2009132976A (ja) 比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット
TW202405197A (zh) Ｃｏ－Ｃｒ－Ｐｔ－氧化物系濺鍍靶

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant