CN103262166B - 磁记录膜用溅射靶及其制造方法 - Google Patents

磁记录膜用溅射靶及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103262166B
CN103262166B CN201180061201.7A CN201180061201A CN103262166B CN 103262166 B CN103262166 B CN 103262166B CN 201180061201 A CN201180061201 A CN 201180061201A CN 103262166 B CN103262166 B CN 103262166B
Authority
CN
China
Prior art keywords
powder
sio
target
quartz
magnetic recording
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201180061201.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103262166A (zh
Inventor
荻野真
荻野真一
奈良淳史
高见英生
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JX Nippon Mining and Metals Corp
Original Assignee
JX Nippon Mining and Metals Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=46313584&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=CN103262166(B) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by JX Nippon Mining and Metals Corp filed Critical JX Nippon Mining and Metals Corp
Publication of CN103262166A publication Critical patent/CN103262166A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103262166B publication Critical patent/CN103262166B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C19/00—Alloys based on nickel or cobalt
    • C22C19/07—Alloys based on nickel or cobalt based on cobalt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C32/00—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ
    • C22C32/001—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ with only oxides
    • C22C32/0015—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ with only oxides with only single oxides as main non-metallic constituents
    • C22C32/0026—Matrix based on Ni, Co, Cr or alloys thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C33/00—Making ferrous alloys
    • C22C33/02—Making ferrous alloys by powder metallurgy
    • C22C33/0257—Making ferrous alloys by powder metallurgy characterised by the range of the alloying elements
    • C22C33/0278—Making ferrous alloys by powder metallurgy characterised by the range of the alloying elements with at least one alloying element having a minimum content above 5%
    • C22C33/0292—Making ferrous alloys by powder metallurgy characterised by the range of the alloying elements with at least one alloying element having a minimum content above 5% with more than 5% preformed carbides, nitrides or borides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C5/00—Alloys based on noble metals
    • C22C5/04—Alloys based on a platinum group metal
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
    • H01F41/18—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by cathode sputtering
    • H01F41/183—Sputtering targets therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
    • B22F3/12—Both compacting and sintering
    • B22F3/14—Both compacting and sintering simultaneously
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C2202/00—Physical properties
    • C22C2202/02—Magnetic

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Magnetic Record Carriers (AREA)

Abstract

一种磁记录膜用溅射靶，其含有SiO2，其特征在于，在X射线衍射中石英的（011）面相对于背景强度的峰强度比（石英峰强度/背景强度）为1.40以上。本发明的课题在于得到如下的磁记录膜用溅射靶：可以抑制在靶中造成溅射时产生粉粒的方英石的形成，并且可以缩短预烧时间，可以将成膜后的单磁畴粒子微细地磁隔离，并且可以提高记录密度。

Description

磁记录膜用溅射靶及其制造方法
技术领域
本发明涉及磁记录介质的磁性体薄膜、特别是采用垂直磁记录方式的硬盘的磁记录层的成膜中使用的磁记录膜用溅射靶，并涉及可以抑制造成溅射时产生粉粒的方英石的形成，并且可以缩短从溅射开始到成膜所需的时间（以下称为预烧（burn-in）时间）的溅射靶。
背景技术
在以硬盘驱动器为代表的磁记录领域，作为承担记录的磁性薄膜的材料，使用以作为强磁性金属的Co、Fe或Ni为基质的材料。例如，采用面内磁记录方式的硬盘的记录层中使用以Co为主成分的Co-Cr型或Co-Cr-Pt型强磁性合金。
另外，在采用近年实用化的垂直磁记录方式的硬盘的记录层中，通常使用包含以Co为主成分的Co-Cr-Pt型强磁性合金与非磁性的无机物的复合材料。
而且，硬盘等磁记录介质的磁性薄膜，从生产率高的观点考虑，通常通过将以上述材料为成分的强磁性材料溅射靶进行溅射来制作。另外，在这样的磁记录膜用溅射靶中，添加SiO2作为用于在溅射后的膜中将合金相磁隔离的隔离物。
作为强磁性溅射靶的制作方法，考虑溶炼法或粉末冶金法。采用哪种方法来制作取决于所要求的特性，不能一概而论，在垂直磁记录方式的硬盘的记录层中使用的包含强磁性合金和非磁性的无机物粒子的溅射靶，一般通过粉末冶金法来制作。这是因为：需要将SiO2等无机物粒子均匀地分散到合金基质中，因此难以通过溶炼法制作。
例如，提出了将通过急冷凝固法制作的具有合金相的合金粉末与构成陶瓷相的粉末进行机械合金化，使构成陶瓷相的粉末均匀地分散到合金粉末中，通过热压进行成形，从而得到磁记录介质用溅射靶的方法（专利文献1）。
此时的靶组织，看起来是基质以鱼白（鳕鱼的精子）状结合，在其周围包围着SiO2（陶瓷）的形态（专利文献1的图2）或者呈细绳状分散（专利文献1的图3）的形态。其它图不清晰，但是推测为同样的组织。这样的组织具有后述的问题，不能说是合适的磁记录介质用溅射靶。另外，专利文献1的图4所示的球状物质是机械合金化的粉末，并非靶的组织。
另外，即使不使用通过急冷凝固法制作的合金粉末，也可以通过对于构成靶的各成分准备市售的原料粉末，将这些原料粉末以达到所需组成的方式进行称量，用球磨法等公知的方法进行混合，将混合粉末通过热压进行成型和烧结，由此制作强磁性材料溅射靶。
溅射装置有各种方式，在上述磁记录膜的成膜中，从生产率高的观点考虑，广泛使用具备DC电源的磁控溅射装置。溅射法使用的原理如下：将作为正极的衬底与作为负极的靶对置，在惰性气体气氛中，在该衬底与该靶之间施加高电压以产生电场。此时，惰性气体电离，形成包含电子和阳离子的等离子体，该等离子体中的阳离子撞击靶（负极）的表面时将构成靶的原子击出，该飞出的原子附着到对置的衬底表面形成膜。通过这样的一系列动作，构成靶的材料在衬底上形成膜。
如上所述，在磁记录膜用溅射靶中，添加SiO2作为用于在溅射后的膜中将合金相磁隔离的隔离物。在磁性金属材料中添加SiO2时，存在的问题是：靶产生微裂纹，溅射中发现大量地产生粉粒。另外，添加有SiO2的磁性材料靶与不添加SiO2的磁性材料靶相比，还产生预烧时间长等问题。
关于这些问题，提出了是SiO2本身的问题、SiO2发生了改性、还是与其它磁性金属或添加材料的相互作用的问题等程度的问题，但是还没有从根本上弄清楚。多数情况下，上述的问题会被当作不可避免的问题而被默认或忽视。但是，如今需要高度地保持磁性膜的特性，因此要求进一步提高溅射膜特性。
在现有技术中，关于使用磁性材料的溅射靶，可以找到几项添加SiO2的技术。在下述文献2中，公开了具有作为基质的金属相、分散在该基质相中的陶瓷相和金属相与陶瓷相的界面反应相，且相对密度为99%以上的靶。陶瓷相中也有SiO2的选择，但是未认识到上述问题以及提出解决方案。
在下述文献3中，提出了在制造CoCrPt-SiO2溅射靶时，将Pt粉末和SiO2粉末煅烧，在所得到的煅烧粉末中混合Cr粉末、Co粉然后加压烧结。但是，未认识到上述问题以及提出解决方案。
在下述文献4中，公开了具有包含Co的金属相、粒径10μm以下的陶瓷相和金属相与陶瓷相的界面反应相，陶瓷相分散在金属相中的溅射靶，提出了在所述陶瓷相中也有SiO2的选择。但是，未认识到上述问题以及提出解决方案。
在下述文献5中，提出了非磁性氧化物0.5～15摩尔%、Cr4～20摩尔%、Pt5～25摩尔%、B0.5～8摩尔%、其余为Co的溅射靶。提出了在非磁性氧化物中也有SiO2的选择。但是，未认识到上述问题以及提出解决方案。
另外，列举下述文献6作为参考，在该文献中公开了制造方英石粒子作为存储器等半导体元件用密封剂的填充剂的技术。该文献是与溅射靶无关的技术，但是属于与SiO2的方英石相关的技术。
下述文献7中作为电子照相显影剂用载体芯材使用，因此是与溅射靶无关的技术，但是公开了与SiO2有关的结晶的种类。其中的一种是SiO2的石英结晶，另一种是方英石结晶。
下述文献8是与溅射靶无关的技术，但是记载了方英石是损害碳化硅的抗氧化功能的材料。
在下述文献9中，记载了在硫族化锌基质中分散有无定形SiO2的组织的、用于形成光记录介质保护膜的溅射靶。此时公开了：由硫族化锌-SiO2构成的靶的抗折强度和溅射时的破裂的产生受到SiO2的形态和形状的影响，为无定形（非晶）时，即使在高输出功率的溅射下，也不产生靶破裂。
这在某种意义上来说是暗示，但是总归不过是使用硫族化锌的用于形成光记录介质保护膜的溅射靶，是否能够解决基质材料不同的磁性材料的问题则完全不清楚。
另外，在下述专利文献10中，记载了粉粒产生少的用于形成光记录保护膜的溅射靶。此时记载了在硫化锌基质中分散有二氧化硅粉末的靶，并记载了二氧化硅粉末使用石英、方英石、鳞石英等结晶二氧化硅粉末。
在该文献10中，记载了上述例示的二氧化硅粉末各自是等价的，至于它们的利弊，并不特别地成为问题。
在下述的专利文献11中，记载了粉粒产生少的磁记录膜用溅射靶。而且，在段落[0008]中，记载了“作为原料粉末的二氧化硅粉末，结晶质的粉末比非晶质的粉末优选。其理由在于：结晶质的二氧化硅粉末与非晶质的二氧化硅粉末相比，不易凝聚形成粗大粒子，因此不易引起异常放电，粉粒的产生少”。
此时，结晶质好的理由是凝聚性小、不易形成粗大粒子，并没有其它记载。毕竟该发明的中心内容是使氧化铬均匀地分散在晶粒间界处，从而没有提及上述以外的二氧化硅粉末。
一般而言，结晶性二氧化硅粉末的种类存在几种，但是没有公开具体的粉末原料。
在下述的专利文献12中，记载了磁记录膜形成用溅射靶及其制造方法。而且，在现有例、比较例中记载了“使用由市售的合成石英构成的二氧化硅粉碎粉末”。文献12的发明中，靶中的二氧化硅相的用线段法求出的平均宽度在0.5～5μm的范围内，因此对于石英粉末在溅射靶中起着怎样的作用、究竟应该选择什么样的石英粉末作为最合适的石英粉末等完全没有披露。
由于比较例中使用了合成石英，因此当然可以说没有具体公开石英粉末的作用。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平10-88333号公报
专利文献2：日本特开2006-45587号公报
专利文献3：日本特开2006-176808号公报
专利文献4：日本特开2008-179900号公报
专利文献5：日本特开2009-1861号公报
专利文献6：日本特开2008-162849号公报
专利文献7：日本特开2009-80348号公报
专利文献8：日本特开平10-158097号公报
专利文献9：日本特开2000-178726号公报
专利文献10：日本特开2001-64766号公报
专利文献11：日本专利第4553136号公报
专利文献12：日本特开2004-339586号公报
发明内容
磁记录膜用溅射靶大多使用包含强磁性合金和非磁性无机物的复合材料，并且添加SiO2作为无机物。但是，添加有SiO2的靶，产生在溅射中大量产生粉粒、预烧时间也延长等问题。
另外，在磁性金属材料中添加SiO2时，产生靶中产生微裂纹，在溅射中大量产生粉粒的问题。
因此，本发明人对于磁记录膜用溅射靶中SiO2的添加进行了研究，发现通过抑制造成溅射时产生粉粒的方英石的形成，可以抑制靶中的微裂纹的产生以及溅射中的粉粒产生，并且可以缩短预烧时间，并在以前进行了专利申请（日本特愿2010-171038）。
先前的发明与以往相比，对于得到上述特性是非常有效的，但是，为了抑制方英石的形成，需要将烧结温度降低至1120℃以下，如此地降低烧结温度时，发现存在靶的密度下降的问题。从提高密度的观点考虑，本发明产生了对先前的发明进一步改进的需要。
为了解决上述问题，本发明人进行了广泛深入的研究，结果发现，通过使用石英作为SiO2的原料，可以得到防止造成溅射时产生粉粒的方英石的形成，抑制靶中的微裂纹的产生以及溅射中的粉粒产生，并且可以缩短预烧时间的溅射靶，并且可以进一步提高记录密度。
基于这样的发现，本发明提供：
1）一种磁记录膜用溅射靶，其含有SiO2，其特征在于，在X射线衍射中石英的（011）面的峰强度相对于背景强度的比（石英峰强度/背景强度）为1.40以上。
另外，本发明提供：
2）如上述1）所述的磁记录膜用溅射靶，其特征在于，Cr为20摩尔%以下（不包括0摩尔%），SiO2为1摩尔%以上且20摩尔%以下，其余为Co。
3）如上述1）所述的磁记录膜用溅射靶，其特征在于，Cr为20摩尔%以下（不包括0摩尔%），Pt为1摩尔%以上且30摩尔%以下，SiO2为1摩尔%以上且20摩尔%以下，其余为Co。
4）如上述1）所述的磁记录膜用溅射靶，其特征在于，Pt为5摩尔%以上且60摩尔%以下，SiO2为20摩尔%以下，其余为Fe。
5）如上述1）所述的磁记录膜用溅射靶，其特征在于，Pt为5摩尔%以上且60摩尔%以下，SiO2为20摩尔%以下，其余为Co。
另外，本发明提供：
6）如上述1）至5）中任一项所述的磁记录膜用溅射靶，其特征在于，含有0.5摩尔%以上且10摩尔%以下的选自B、Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta、W的一种以上元素作为添加元素。
7）如上述1）至6）中任一项所述的磁记录膜用溅射靶，其特征在于，含有选自碳、除SiO2以外的氧化物、氮化物、碳化物的一种以上的无机物材料作为添加材料。
8）一种上述1）至7）中任一项所述的磁记录膜用溅射靶的制造方法，其特征在于，使用石英作为SiO2的粉末原料，将该石英的粉末原料与磁性金属粉末原料混合，并在1300℃以下的烧结温度下进行烧结。
发明效果
这样调节的本发明的磁记录膜用溅射靶，通过使用石英，具有如下优良效果：可以在不降低烧结温度的情况下阻碍方英石化，可以抑制靶的微裂纹的产生，并且可以抑制溅射中的粉粒产生，并且可以缩短预烧时间。这样，粉粒的产生少，因此具有磁记录膜的不合格率减少，从而降低成本的显著效果。另外，所述预烧时间的缩短，对于生产效率的提高具有显著贡献。
另外，石英的密度高于无定形SiO2或方英石，因此通过使用石英，可以增加单位体积的SiO2物质量，即使靶中的氧化物（石英）的物质量提高，由此可以得到能够将成膜后的单磁畴粒子微细地磁隔离、能够提高记录密度的显著效果。
附图说明
图1是实施例1的使用石英时的靶的组织照片。
图2是比较例1的使用方英石时的靶的组织照片。
图3是比较例2的将无定形SiO2方英石化时的靶的组织照片。
具体实施方式
本发明的磁记录膜用溅射靶，为含有SiO2的磁记录膜用溅射靶，使用石英作为SiO2。由此，可以得到在溅射靶的X射线衍射中石英的（011）面的峰强度相对于背景强度的比（石英峰强度/背景强度）为1.40以上的磁记录膜用溅射靶。
作为结晶化的SiO2的方英石不存在或者大幅减少。另外，石英峰强度为26.64°，所述背景强度的计算方法为：（（（25.1°～26.1°的平均）+（27.1°～28.1°的平均））/2）。
磁记录膜用溅射靶大多使用包含强磁性合金和非磁性无机物的复合材料，并且添加SiO2作为无机物。
但是，该SiO2在靶中以结晶化的方英石形式存在时，方英石在270℃附近存在α相β相的相变点，在相变的同时产生剧烈的体积变化。
烧结后，烧结体冷却时或者对烧结体进行加工时，经过该270℃附近，因此由于体积变化而产生微裂纹。该微裂纹被认为是造成溅射时的粉粒的原因。
另一方面，石英不存在方英石这样的剧烈体积变化（无相变点），因此几乎不产生微裂纹，可以减少溅射时的粉粒。
另外，石英的密度如上所述高于无定形SiO2或方英石，因此可以在相同的体积内投入更多物质量的SiO2。这对于成膜后的单磁畴结晶的磁隔离是有效的。
即，将SiO2溅射时，SiO2的大部分先分解为Si和O，然后在基材上重构。此时，重构后的结晶结构不依赖于最初的结晶结构，而是无定形。因此，密度高的石英与无定形SiO2或方英石相比，可以以相同的体积释放更多的Si和O，从成膜后的SiO2的记录密度的方面来说，石英是有利的。
可见，通过使用不易产生结晶化的方英石的石英，可以提高烧结温度，可以提高靶的密度。另外，可以使靶中的每单位体积内的SiO2物质量大量存在，因此对于提高记录密度也是有效的。
提到作为溅射靶原料的石英时，作为SiO2的材料，虽然已知有石英，但是，无定形SiO2粉末是可以以微粉末的形式容易得到的材料，因此可以说，只要没有特别的理由，就没有使用石英粉末的理由。
但是，通过使用石英的粉末，可以提高烧结温度，结果，可以提高烧结密度。顺便提一下，无定形SiO2的密度为2.2g/cm3、方英石的密度为2.33g/cm3、石英的密度为2.65g/cm3，石英本身为高密度。提高石英的存在比率，意味着减少无定形SiO2以及方英石的存在比率。另外，与无定形SiO2相比，石英即使在高温下烧结也不容易产生方英石，因此使用石英对于提高烧结体（靶）的密度是有效的。
如上所述，作为磁记录膜用溅射靶，对于磁性材料没有特别限制，对（A）Cr为20摩尔%以下（不包括0摩尔%），SiO2为1摩尔%以上且20摩尔%以下，其余为Co的磁记录膜用溅射靶、（B）Cr为20摩尔%以下（不包括0摩尔%），Pt为1摩尔%以上且30摩尔%以下，SiO2为1摩尔%以上且20摩尔%以下，其余为Co的磁记录膜用溅射靶、（C）Pt为5摩尔%以上且60摩尔%以下，SiO2为20摩尔%以下，其余为Fe的磁记录膜用溅射靶、以及（D）Pt为5摩尔%以上且60摩尔%以下，SiO2为20摩尔%以下，其余为Co的磁记录膜用溅射靶是有用的。
另外，上述“不包括0摩尔%”的记载，是指即使微量添加也有效果，既然始终是以添加作为目的，因此不包括0。另一方面，所述Pt-Co-SiO2型靶是无需存在Cr的情况。
这些成分是作为磁记录介质所需要的成分，配合比例在上述范围内各种各样，但是均可以保持作为有效的磁记录介质的特性。
此时，需要靶中不产生结晶化的方英石，而是以石英的形式存在于靶中。
另外，所述（A）中，Cr作为必要成分而添加，因此不包括0摩尔%。即，至少含有可以进行分析的下限值以上的Cr量。Cr量如果为20摩尔%以下，则即使在微量添加的情况下也有效果。本申请发明包括这些方面。这些成分是作为磁记录介质所需要的成分，配合比例在上述范围内各种各样，均可以保持作为有效的磁记录介质的特性。
另外，所述（B）中，Cr为20摩尔%以下，但是不包括0摩尔%。另外，Pt如果为1摩尔%以上且30摩尔%以下，则即使在微量添加的情况下也有效果。本申请发明包括这些方面。这些成分是作为磁记录介质所需要的成分，配合比例在上述范围内各种各样，均可以保持作为有效的磁记录介质的特性。
另外，所述（C）为以Fe-Pt合金作为主要成分的磁记录膜用溅射靶，发挥同样的效果。
此外，对于含有0.5摩尔%以上且10摩尔%以下的选自B、Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta、W的一种以上元素作为添加元素的所述磁记录膜用溅射靶是有效的。所述添加元素是为了提高作为磁记录介质的特性而根据需要添加的元素。
另外，对于含有选自碳、除SiO2以外的氧化物、氮化物、碳化物的一种以上的无机物材料作为添加材料的所述磁记录膜用溅射靶是有效的。
在制造这样的磁记录膜用溅射靶时，使用石英作为SiO2的粉末原料是有效的。将该石英的粉末原料与磁性金属粉末原料混合，并在1300℃以下的烧结温度下烧结。该烧结温度的提高，可以通过使用密度高的石英来实现，对于提高靶的密度是有效的。
另外，以下对制造方法的具体例进行详细说明，该制造方法表示代表性的适合例。即，本发明不限于以下的制造方法，即使是其它的制造方法，只要可以实现本发明的目的和条件，就可以任意采用这些制造方法，这一点是容易理解的。
本发明的强磁性材料溅射靶，可以通过粉末冶金法制造。首先，准备各金属元素的粉末、石英粉末、以及根据需要添加的添加金属元素的粉末。这些粉末期望使用最大粒径20μm以下的粉末。
另外，也可以准备这些金属的合金粉末代替各金属元素的粉末，此时也期望最大粒径为20μm以下。
另一方面，粒径过小时，促进氧化，产生成分组成不在范围内等问题，因此进一步期望设定为0.1μm以上。
而且，以达到所需组成的方式称量这些金属粉末，并使用球磨法等公知的方法进行粉碎和混合。对于要添加无机物粉末的情况，在该阶段与金属粉末混合即可。
作为无机物粉末准备碳粉末、除SiO2以外的氧化物粉末、氮化物粉末或碳化物粉末，无机物粉末期望使用最大粒径5μm以下的粉末。另一方面，粒径过小时容易凝聚，因此进一步期望使用0.1μm以上的粉末。
另外，作为混合机，优选为行星运动型混合机或者行星运动型搅拌混合机。另外，考虑到混合中的氧化问题，优选在惰性气体气氛中或者真空中进行混合。
使用真空热压装置将这样得到的粉末成形、烧结，并切削加工为所需的形状，由此可以制作本发明的强磁性材料溅射靶。此时，如上所述，在1300℃以下的烧结温度下进行烧结。该烧结温度的提高，是对于抑制烧结密度的下降所必需的温度。
另外，成型、烧结不限于热压，也可以使用放电等离子体烧结法、热等静压烧结法。烧结时的保持温度优选设定为靶充分致密化的温度范围中最低的温度。虽然取决于靶的组成，但是多数情况下可以设定为1100～1300℃的温度范围。
实施例
以下，基于实施例和比较例进行说明。另外，本实施例终究为一例，本发明不限于该例。即，本发明仅由权利要求书的范围限制，也包括本发明中包含的实施例以外的各种变形。
（实施例1）
在实施例1中，作为原料粉末，准备平均粒径3μm的Co粉末、平均粒径5μm的Cr粉末、平均粒径1μm的石英粉末（SiO2粉末）。以Co粉末81.42重量%、Cr粉末10.72重量%、SiO2粉末7.84重量%的重量比率称量这些粉末，使得靶的组成为80.4Co-12Cr-7.6SiO2（摩尔%）。
然后，将Co粉末、Cr粉末和石英（SiO2）粉末与作为粉碎介质的二氧化锆球一起密封到容量10升的球磨机罐中，旋转20小时进行混合。
将该混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛下、在温度1160℃、保持时间120分钟、压力30MPa的条件下进行热压，得到烧结体。然后，使用车床将所得烧结体进行切削加工，得到直径180mm、厚度5mm的圆盘状靶。该靶的组织照片如图1所示。
关于石英的峰强度，切割靶的一部分并利用X射线衍射法进行测定。该结果如表1所示。
在2θ：26.64°处出现的峰强度为404，另外测定背景强度（（（25.1°～26.1°的强度平均值）+（27.1°～28.1°的强度平均值））÷2）。
石英的（011）面的峰强度相对于背景强度的比（石英的峰强度/背景强度）为10.98。另外，测定装置使用理学（リガク）公司制造的Ultima IV，测定条件为：管电压40kV、管电流30mA、扫描速度4°/分钟、步进0.02°。
使用该靶进行溅射的结果如表1所示。稳态时的粉粒产生数为1.2个。另外，测定稳态的粉粒数时，使成膜厚度为HDD制品膜厚的约20倍从而使得容易观察到粉粒。
另外，溅射的预烧寿命为0.25kWh。可见，在石英的（011）面的峰强度比高时，得到预烧缩短、粉粒产生数少的结果。
SiO2在靶中所占的占有率如表2所示。该占有率是制造靶时从组织照片计算出的SiO2的占有率。如表2所示，实施例1中为23.57%，为良好的值。该表2中所示的值越小，表示相同体积内越可以投入更多的SiO2。
越提高靶中SiO2的占有率越容易产生粉粒，因此密度高的石英在粉粒方面是有利的。换句话说，在相同物质量的情况下，SiO2的占有率小可以说SiO2本身的密度高。这一点从与下述的比较例1、比较例2的对比中可以明显看出。
表2
（实施例2）
在实施例2中，作为原料粉末，准备平均粒径3μm的Co粉末、平均粒径5μm的Cr粉末、平均粒径1μm的Pt粉末、平均粒径1μm的石英粉末（SiO2粉末）。以Co粉末50.24重量%、Cr粉末7.94重量%、Pt粉末37.23重量%、SiO2粉末4.59重量%的重量比率称量这些粉末，使得靶的组成为67Co-12Cr-15Pt-6SiO2（摩尔%）。
将该混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛下、在温度1160℃、保持时间120分钟、压力30MPa的条件下进行热压，得到烧结体。然后，使用车床将所得烧结体进行切削加工，得到直径180mm、厚度5mm的圆盘状靶。
关于石英的峰强度，切割靶的一部分并利用X射线衍射法进行测定。该结果如表1所示。
在2θ：26.64°处出现的峰强度为385，另外测定背景强度（（（25.1°～26.1°的强度平均值）+（27.1°～28.1°的强度平均值））÷2）。
石英的（011）面的峰强度相对于背景强度的比（石英的峰强度/背景强度）为9.51。另外，测定装置使用理学（リガク）公司制造的UltimaIV，测定条件为：管电压40kV、管电流30mA、扫描速度4°/分钟、步进0.02°。
使用该靶进行溅射的结果如表1所示。稳态时的粉粒产生数为1.1个。另外，测定稳态的粉粒数时，使成膜厚度为HDD制品膜厚的约20倍从而使得容易观察到粉粒。
另外，溅射的预烧寿命为0.34kWh。可见，在石英的（011）面的峰强度比高时，得到预烧缩短、粉粒产生数少的结果。
SiO2在靶中所占的占有率如表2所示。该占有率是制造靶时从组织照片计算出的SiO2的占有率。如表2所示，实施例2中SiO2的占有率为20.38%，为良好的值。
该表2中所示的值越小，表示相同体积内越可以投入更多的SiO2。
越提高靶中SiO2的占有率越容易产生粉粒，因此密度高的石英在粉粒方面是有利的。换句话说，在相同物质量的情况下，SiO2的占有率小可以说SiO2本身的密度高。这一点从与下述的比较例4的对比中可以明显看出。
（实施例3）
在实施例3中，作为原料粉末，准备平均粒径5μm的Fe粉末、平均粒径1μm的Pt粉末、平均粒径1μm的石英粉末（SiO2粉末）。以Fe粉末20.14重量%、Pt粉末70.35重量%、SiO2粉末9.51重量%的重量比率称量这些粉末，使得靶的组成为41Fe-41Pt-18SiO2（摩尔%）。
将该混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛下、在温度1200℃、保持时间120分钟、压力30MPa的条件下进行热压，得到烧结体。然后，使用车床将所得烧结体进行切削加工，得到直径180mm、厚度5mm的圆盘状靶。
关于石英的峰强度，切割靶的一部分并利用X射线衍射法进行测定。该结果如表1所示。
在2θ：26.64°处出现的峰强度为506，另外测定背景强度（（（25.1°～26.1°的强度平均值）+（27.1°～28.1°的强度平均值））÷2）。
石英的（011）面的峰强度相对于背景强度的比（石英的峰强度/背景强度）为12.56。另外，测定装置使用理学（リガク）公司制造的Ultima IV，测定条件为：管电压40kV、管电流30mA、扫描速度4°/分钟、步进0.02°。
使用该靶进行溅射的结果如表1所示。稳态时的粉粒产生数为1.3个。另外，测定稳态的粉粒数时，使成膜厚度为HDD制品膜厚的约20倍从而使得容易观察到粉粒。
另外，溅射的预烧寿命为0.33kWh。可见，在石英的（011）面的峰强度比高时，得到预烧缩短、粉粒产生数少的结果。
SiO2在靶中所占的占有率如表2所示。该占有率是制造靶时从组织照片计算出的SiO2的占有率。如表2所示，实施例3中SiO2的占有率为39.10%，为比相同组成的靶更良好的值。
该表2中所示的值越小，表示相同体积内越可以投入更多的SiO2。
越提高靶中SiO2的占有率越容易产生粉粒，因此密度高的石英在粉粒方面是有利的。换句话说，在相同物质量的情况下，SiO2的占有率小可以说SiO2本身的密度高。这一点从与下述的比较例5的对比中可以明显看出。
（比较例1）
在比较例1中，作为原料粉末，准备平均粒径3μm的Co粉末、平均粒径5μm的Cr粉末、平均粒径1μm的结晶SiO2粉末（方英石粉末）。以Co粉末81.42重量%、Cr粉末10.72重量%、SiO2粉末7.84重量%的重量比率称量这些粉末，使得靶的组成为80.4Co-12Cr-7.6SiO2（摩尔%）。
然后，将这些粉末与作为粉碎介质的二氧化锆球一起密封到容量10升的球磨机罐中，旋转20小时进行混合。
然后，将该混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛下、在温度1160℃、保持时间2小时、压力30MPa的条件下进行热压，得到烧结体。
然后，使用车床将所得烧结体加工为直径180mm、厚度5mm的圆盘状靶。该靶的组织照片如图2所示。图2中，观察到大量晶粒生长的SiO2。
关于石英的（011）面的峰强度，与实施例1同样地，切割靶的一部分并利用X射线衍射法进行测定。即，测定在2θ：26.64°处出现的峰强度以及背景强度（（（25.1°～26.1°的强度平均值）+（27.1°～28.1°的强度平均值））÷2）。
结果，在2θ：26.64°处出现的峰强度为11，石英的（011）面的峰强度相对于背景强度的比（石英峰强度/背景强度）为1.27。
这些值与实施例1相比均小。结果如表1所示。另外，测定装置、测定条件与实施例1同样。
使用该靶进行溅射的结果是，稳态时的粉粒产生数增加到31个。另外，溅射的预烧寿命为3.1kWh，预烧时间延长。可见，在石英的（011）面的峰强度比小时，得到溅射的预烧时间延长，并且溅射时的粉粒产生数增加的结果。结果如表1所示。
SiO2在靶中所占的占有率如表2所示。该占有率是制造靶时从组织照片计算出的SiO2的占有率。如表2所示，SiO2的占有率为25.61%。该值比实施例1的值大。
该表2中所示的值越大，表示越不能在相同体积内投入更多的SiO2。越提高靶中SiO2的占有率越容易产生粉粒，因此密度高的石英在粉粒方面是有利的，但是，本比较例的结果正相反，在相同物质量的情况下，SiO2的占有率大，因此，在该程度上得到了SiO2密度下降的结果。
（比较例2）
在比较例2中，作为原料粉末，准备平均粒径3μm的Co粉末、平均粒径5μm的Cr粉末、平均粒径1μm的SiO2粉末（无定形SiO2粉末）。以Co粉末81.42重量%、Cr粉末10.72重量%、SiO2粉末7.84重量%的重量比率称量这些粉末，使得靶的组成为80.4Co-12Cr-7.6SiO2（摩尔%）。
然后，将这些粉末与作为粉碎介质的二氧化锆球一起密封到容量10升的球磨机罐中，旋转20小时进行混合。
然后，将该混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛下、在温度1160℃、保持时间2小时、压力30MPa的条件下进行热压，得到烧结体。
然后，使用车床将所得烧结体加工为直径180mm、厚度5mm的圆盘状靶。另外，在上述制造工序中，在制造工序中将无定形SiO2方英石化。该靶的组织照片如图3所示。图3中，观察到一些晶粒生长的SiO2。
关于石英的（011）面的峰强度，与实施例1同样地，切割靶的一部分并利用X射线衍射法进行测定。即，测定在2θ：26.64°处出现的峰强度以及背景强度（（（25.1°～26.1°的强度平均值）+（27.1°～28.1°的强度平均值））÷2）。
结果，在2θ：26.64°处出现的峰强度为11，石英的（011）面的峰强度相对于背景强度的比（石英峰强度/背景强度）为1.23。
这些值与实施例1相比均小。结果如表1所示。另外，测定装置、测定条件与实施例1同样。
使用该靶进行溅射的结果是，稳态时的粉粒产生数增加到20个。另外，溅射的预烧寿命为1.76kWh，预烧时间延长。可见，在石英的（011）面的峰强度比小时，得到溅射的预烧时间延长，并且溅射时的粉粒产生数增加的结果。结果如表1所示。
SiO2在靶中所占的占有率如表2所示。该占有率是制造靶时从组织照片计算出的SiO2的占有率。如表2所示，SiO2的占有率为28.21%。该值比实施例1的值大。
该表2中，相同组成之间比较时，所示的值越小，表示越不能在相同体积内投入更多的SiO2。越提高靶中SiO2的占有率越容易产生粉粒，因此密度高的石英在粉粒方面是有利的，但是，本比较例2的结果正相反，在相同物质量的情况下，SiO2的占有率大，因此，在该程度上得到了SiO2密度下降的结果。
（比较例3）
在比较例3中，作为原料粉末，准备平均粒径3μm的Co粉末、平均粒径5μm的Cr粉末、平均粒径1μm的SiO2粉末（无定形SiO2粉末）。以Co粉末81.42重量%、Cr粉末10.72重量%、SiO2粉末7.84重量%的重量比率称量这些粉末，使得靶的组成为80.4Co-12Cr-7.6SiO2（摩尔%）。
然后，将这些粉末与作为粉碎介质的二氧化锆球一起密封到容量10升的球磨机罐中，旋转20小时进行混合。
然后，将该混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛下、在温度1100℃、保持时间2小时、压力30MPa的条件下进行热压，得到烧结体。
然后，使用车床将所得烧结体加工为直径180mm、厚度5mm的圆盘状靶。在靶的组织中，观察到少量晶粒生长的SiO2。
关于石英的（011）面的峰强度，与实施例1同样地，切割靶的一部分并利用X射线衍射法进行测定。即，测定在2θ：26.64°处出现的峰强度以及背景强度（（（25.1°～26.1°的强度平均值）+（27.1°～28.1°的强度平均值））÷2）。
结果，在2θ：26.64°处出现的峰强度为11，石英的（011）面的峰强度相对于背景强度的比（石英峰强度/背景强度）为1.24。
这些值与实施例1相比均小。结果如表1所示。另外，测定装置、测定条件与实施例1同样。
使用该靶进行溅射的结果是，稳态时的粉粒产生数增加到2.9个。另外，溅射的预烧寿命为0.48kWh，预烧时间延长。可见，在石英的（011）面的峰强度比小时，得到溅射的预烧时间延长，并且溅射时的粉粒产生数增加的结果。结果如表1所示。
（比较例4）
在比较例4中，作为原料粉末，准备平均粒径3μm的Co粉末、平均粒径5μm的Cr粉末、平均粒径1μm的Pt粉末、平均粒径1μm的SiO2粉末（无定形SiO2粉末）。以Co粉末50.24重量%、Cr粉末7.94重量%、Pt粉末37.23重量%、SiO2粉末4.59重量%的重量比率称量这些粉末，使得靶的组成为67Co-12Cr-15Pt-6SiO2（摩尔%）。
然后，将这些粉末与作为粉碎介质的二氧化锆球一起密封到容量10升的球磨机罐中，旋转20小时进行混合。
然后，将该混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛下、在温度1160℃、保持时间2小时、压力30MPa的条件下进行热压，得到烧结体。
然后，使用车床将所得烧结体加工为直径180mm、厚度5mm的圆盘状靶。另外，在所述制造工序中，在制造工序中将无定形SiO2方英石化。在该靶的组织中，观察到少量晶粒生长的SiO2。
关于石英的（011）面的峰强度，与实施例1同样地，切割靶的一部分并利用X射线衍射法进行测定。即，测定在2θ：26.64°处出现的峰强度以及背景强度（（（25.1°～26.1°的强度平均值）+（27.1°～28.1°的强度平均值））÷2）。
结果，在2θ：26.64°处出现的峰强度为10，石英的（011）面的峰强度相对于背景强度的比（石英峰强度/背景强度）为1.23。
这些值与实施例2相比均小。结果如表1所示。另外，测定装置、测定条件与实施例1同样。
使用该靶进行溅射的结果是，稳态时的粉粒产生数增加到23个。另外，溅射的预烧寿命为1.54kWh，预烧时间延长。可见，在石英的（011）面的峰强度比小时，得到溅射的预烧时间延长，并且溅射时的粉粒产生数增加的结果。结果如表1所示。
（比较例5）
在比较例5中，作为原料粉末，准备平均粒径5μm的Fe粉末、平均粒径1μm的Pt粉末、平均粒径1μm的SiO2粉末（无定形SiO2粉末）。以Fe粉末20.14重量%、Pt粉末70.35重量%、SiO2粉末9.51重量%的重量比率称量这些粉末，使得靶的组成为41Fe-41Pt-18SiO2（摩尔%）。
然后，将这些粉末与作为粉碎介质的二氧化锆球一起密封到容量10升的球磨机罐中，旋转20小时进行混合。
然后，将该混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛下、在温度1200℃、保持时间2小时、压力30MPa的条件下进行热压，得到烧结体。
然后，使用车床将所得烧结体加工为直径180mm、厚度5mm的圆盘状靶。另外，在所述制造工序中，在制造工序中将无定形SiO2方英石化。在该靶的组织中，观察到少量晶粒生长的SiO2。
关于石英的（011）面的峰强度，与实施例1同样地，切割靶的一部分并利用X射线衍射法进行测定。即，测定在2θ：26.64°处出现的峰强度以及背景强度（（（25.1°～26.1°的强度平均值）+（27.1°～28.1°的强度平均值））÷2）。
结果，在2θ：26.64°处出现的峰强度为12，石英的（011）面的峰强度相对于背景强度的比（石英峰强度/背景强度）为1.28。
这些值与实施例3相比均小。结果如表1所示。另外，测定装置、测定条件与实施例1同样。
使用该靶进行溅射的结果是，稳态时的粉粒产生数增加到25个。另外，溅射的预烧寿命为2.14kWh，预烧时间延长。可见，在石英的（011）面的峰强度比小时，得到溅射的预烧时间延长，并且溅射时的粉粒产生数增加的结果。结果如表1所示。
（实施例4）
在实施例4中，作为原料粉末，准备平均粒径3μm的Co粉末、平均粒径1μm的Pt粉末、平均粒径1μm的石英粉末（SiO2粉末）。以Co粉末62.56重量%、Pt粉末31.06重量%、SiO2粉末6.38重量%的重量比率称量这些粉末，使得靶的组成为80Co-12Pt-8SiO2（摩尔%）。
将该混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛下、在温度1160℃、保持时间120分钟、压力30MPa的条件下进行热压，得到烧结体。然后，使用车床将所得烧结体进行切削加工，得到直径180mm、厚度5mm的圆盘状靶。
关于石英的峰强度，切割靶的一部分并利用X射线衍射法进行测定。该结果如表1所示。
在2θ：26.64°处出现的峰强度为413，另外测定背景强度（（（25.1°～26.1°的强度平均值）+（27.1°～28.1°的强度平均值））÷2）。
石英的（011）面的峰强度相对于背景强度的比（石英的峰强度/背景强度）为11.21。另外，测定装置使用理学（リガク）公司制造的Ultima IV，测定条件为：管电压40kV、管电流30mA、扫描速度4°/分钟、步进0.02°。
使用该靶进行溅射的结果如表1所示。稳态时的粉粒产生数为1.1个。另外，测定稳态的粉粒数时，使成膜厚度为HDD制品膜厚的约20倍从而使得容易观察到粉粒。
另外，溅射的预烧寿命为0.31kWh。可见，在石英的（011）面的峰强度比高时，得到预烧缩短、粉粒产生数少的结果。
（比较例6）
在比较例6中，作为原料粉末，准备平均粒径3μm的Co粉末、平均粒径1μm的Pt粉末、平均粒径1μm的SiO2粉末（无定形SiO2粉末）。以Co粉末62.56重量%、Pt粉末31.06重量%、SiO2粉末6.38重量%的重量比率称量这些粉末，使得靶的组成为80Co-12Pt-8SiO2（摩尔%）。
然后，将这些粉末与作为粉碎介质的二氧化锆球一起密封到容量10升的球磨机罐中，旋转20小时进行混合。
然后，将该混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛下、在温度1160℃、保持时间2小时、压力30MPa的条件下进行热压，得到烧结体。
然后，使用车床将所得烧结体加工为直径180mm、厚度5mm的圆盘状靶。另外，在所述制造工序中，在制造工序中将无定形SiO2方英石化。在该靶的组织照片中，观察到少量晶粒生长的SiO2。
关于石英的（011）面的峰强度，与实施例1同样地，切割靶的一部分并利用X射线衍射法进行测定。即，测定在2θ：26.64°处出现的峰强度以及背景强度（（（25.1°～26.1°的强度平均值）+（27.1°～28.1°的强度平均值））÷2）。
结果，在2θ：26.64°处出现的峰强度为11，石英的（011）面的峰强度相对于背景强度的比（石英峰强度/背景强度）为1.24。
这些值与实施例4相比均小。结果如表1所示。另外，测定装置、测定条件与实施例1同样。
使用该靶进行溅射的结果是，稳态时的粉粒产生数增加到24个。另外，溅射的预烧寿命为1.37kWh，预烧时间延长。可见，在石英的（011）面的峰强度比小时，得到溅射的预烧时间延长，并且溅射时的粉粒产生数增加的结果。结果如表1所示。
（实施例5）
在实施例5中，作为原料粉末，准备平均粒径3μm的Co粉末、平均粒径5μm的Cr粉末、平均粒径1μm的Pt粉末、平均粒径1μm的TiO2粉末、平均粒径1μm的石英粉末（SiO2粉末）、平均粒径1μm的Cr2O3粉末。以Co粉末52.11重量%、Cr粉末6.66重量%、Pt粉末30.00重量%、TiO2粉末3.07重量%、SiO2粉末2.31重量%、Cr2O3粉末5.84重量%的重量比率称量这些粉末，使得靶的组成为69Co-10Cr-12Pt-3TiO2-3SiO2-3Cr2O3（摩尔%）。
将该混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛下、在温度1160℃、保持时间120分钟、压力30MPa的条件下进行热压，得到烧结体。然后，使用车床将所得烧结体进行切削加工，得到直径180mm、厚度5mm的圆盘状靶。
关于石英的峰强度，切割靶的一部分并利用X射线衍射法进行测定。该结果如表1所示。
在2θ：26.64°处出现的峰强度为152，另外测定背景强度（（（25.1°～26.1°的强度平均值）+（27.1°～28.1°的强度平均值））÷2）。
石英的（011）面的峰强度相对于背景强度的比（石英的峰强度/背景强度）为4.13。另外，测定装置使用理学（リガク）公司制造的UltimaIV，测定条件为：管电压40kV、管电流30mA、扫描速度4°/分钟、步进0.02°。
使用该靶进行溅射的结果如表1所示。稳态时的粉粒产生数为1.2个。另外，测定稳态的粉粒数时，使成膜厚度为HDD制品膜厚的约20倍从而使得容易观察到粉粒。
另外，溅射的预烧寿命为0.31kWh。可见，在石英的（011）面的峰强度比高时，得到预烧缩短、粉粒产生数少的结果。
（比较例7）
在比较例7中，作为原料粉末，准备平均粒径3μm的Co粉末、平均粒径5μm的Cr粉末、平均粒径1μm的Pt粉末、平均粒径1μm的TiO2粉末、平均粒径1μm的SiO2粉末（无定形SiO2粉末）、平均粒径1μm的Cr2O3粉末。以Co粉末52.11重量%、Cr粉末6.66重量%、Pt粉末30.00重量%、TiO2粉末3.07重量%、SiO2粉末2.31重量%、Cr2O3粉末5.84重量%的重量比率称量这些粉末，使得靶的组成为69Co-10Cr-12Pt-3TiO2-3SiO2-3Cr2O3（摩尔%）。
然后，将这些粉末与作为粉碎介质的二氧化锆球一起密封到容量10升的球磨机罐中，旋转20小时进行混合。
然后，将该混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛下、在温度1160℃、保持时间2小时、压力30MPa的条件下进行热压，得到烧结体。
然后，使用车床将所得烧结体加工为直径180mm、厚度5mm的圆盘状靶。另外，在所述制造工序中，在制造工序中将无定形SiO2方英石化。在该靶的组织中，观察到少量晶粒生长的SiO2。
关于石英的（011）面的峰强度，与实施例1同样地，切割靶的一部分并利用X射线衍射法进行测定。即，测定在2θ：26.64°处出现的峰强度以及背景强度（（（25.1°～26.1°的强度平均值）+（27.1°～28.1°的强度平均值））÷2）。
结果，在2θ：26.64°处出现的峰强度为11，石英的（011）面的峰强度相对于背景强度的比（石英峰强度/背景强度）为1.23。
这些值与实施例5相比均小。结果如表1所示。另外，测定装置、测定条件与实施例1同样。
使用该靶进行溅射的结果是，稳态时的粉粒产生数增加到18个。另外，溅射的预烧寿命为1.38kWh，预烧时间延长。可见，在石英的（011）面的峰强度比小时，得到溅射的预烧时间延长，并且溅射时的粉粒产生数增加的结果。结果如表1所示。
（实施例6）
在实施例6中，作为原料粉末，准备平均粒径3μm的Co粉末、平均粒径5μm的Cr粉末、平均粒径8μm的Ru粉末、平均粒径1μm的Pt粉末、平均粒径1μm的TiO2粉末、平均粒径1μm的石英粉末（SiO2粉末）、平均粒径1μm的Cr2O3粉末。以Co粉末48.81重量%、Cr粉末3.12重量%、Pt粉末35.13重量%、Ru粉末2.43重量%、TiO2粉末2.88重量%、SiO2粉末2.16重量%、Cr2O3粉末5.47重量%的重量比率称量这些粉末，使得靶的组成为69Co-5Cr-15Pt-2Ru-3TiO2-3SiO2-3Cr2O3（摩尔%）。
将该混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛下、在温度1160℃、保持时间120分钟、压力30MPa的条件下进行热压，得到烧结体。然后，使用车床将所得烧结体进行切削加工，得到直径180mm、厚度5mm的圆盘状靶。
关于石英的峰强度，切割靶的一部分并利用X射线衍射法进行测定。该结果如表1所示。
在2θ：26.64°处出现的峰强度为148，另外测定背景强度（（（25.1°～26.1°的强度平均值）+（27.1°～28.1°的强度平均值））÷2）。
石英的（011）面的峰强度相对于背景强度的比（石英的峰强度/背景强度）为4.05。另外，测定装置使用理学（リガク）公司制造的Ultima IV，测定条件为：管电压40kV、管电流30mA、扫描速度4°/分钟、步进0.02°。
使用该靶进行溅射的结果如表1所示。稳态时的粉粒产生数为1.3个。另外，测定稳态的粉粒数时，使成膜厚度为HDD制品膜厚的约20倍从而使得容易观察到粉粒。
另外，溅射的预烧寿命为0.33kWh。可见，在石英的（011）面的峰强度比高时，得到预烧缩短、粉粒产生数少的结果。
（比较例8）
在比较例8中，作为原料粉末，准备平均粒径3μm的Co粉末、平均粒径5μm的Cr粉末、平均粒径8μm的Ru粉末、平均粒径1μm的Pt粉末、平均粒径1μm的TiO2粉末、平均粒径1μm的SiO2粉末（无定形SiO2粉末）、平均粒径1μm的Cr2O3粉末。以Co粉末48.81重量%、Cr粉末3.12重量%、Pt粉末35.13重量%、Ru粉末2.43重量%、TiO2粉末2.88重量%、SiO2粉末2.16重量%、Cr2O3粉末5.47重量%的重量比率称量这些粉末，使得靶的组成为69Co-5Cr-15Pt-2Ru-3TiO2-3SiO2-3Cr2O3（摩尔%）。
然后，将这些粉末与作为粉碎介质的二氧化锆球一起密封到容量10升的球磨机罐中，旋转20小时进行混合。
然后，将该混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛下、在温度1160℃、保持时间2小时、压力30MPa的条件下进行热压，得到烧结体。
然后，使用车床将所得烧结体加工为直径180mm、厚度5mm的圆盘状靶。另外，在所述制造工序中，在制造工序中将无定形SiO2方英石化。在该靶的组织中，观察到少量晶粒生长的SiO2。
关于石英的（011）面的峰强度，与实施例1同样地，切割靶的一部分并利用X射线衍射法进行测定。即，测定在2θ：26.64°处出现的峰强度以及背景强度（（（25.1°～26.1°的强度平均值）+（27.1°～28.1°的强度平均值））÷2）。
结果，在2θ：26.64°处出现的峰强度为12，石英的（011）面的峰强度相对于背景强度的比（石英峰强度/背景强度）为1.29。
这些值与实施例6相比均小。结果如表1所示。另外，测定装置、测定条件与实施例1同样。
使用该靶进行溅射的结果是，稳态时的粉粒产生数增加到19个。另外，溅射的预烧寿命为1.45kWh，预烧时间延长。可见，在石英的（011）面的峰强度比小时，得到溅射的预烧时间延长，并且溅射时的粉粒产生数增加的结果。结果如表1所示。
（实施例7）
在实施例7中，作为原料粉末，准备平均粒径3μm的Co粉末、平均粒径5μm的Cr粉末、平均粒径1μm的Pt粉末、平均粒径3μm的B粉末、平均粒径1μm的石英粉末（SiO2粉末）。以Co粉末52.24重量%、Cr粉末13.38重量%、Pt粉末27.89重量%、B粉末0.46重量%、SiO2粉末6.01重量%的重量比率称量这些粉末，使得靶的组成为62Co-18Cr-10Pt-3B-7SiO2（摩尔%）。
将该混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛下、在温度900℃、保持时间120分钟、压力30MPa的条件下进行热压，得到烧结体。然后，使用车床将所得烧结体进行切削加工，得到直径180mm、厚度5mm的圆盘状靶。
关于石英的峰强度，切割靶的一部分并利用X射线衍射法进行测定。该结果如表1所示。
在2θ：26.64°处出现的峰强度为377，另外测定背景强度（（（25.1°～26.1°的强度平均值）+（27.1°～28.1°的强度平均值））÷2）。
石英的（011）面的峰强度相对于背景强度的比（石英的峰强度/背景强度）为10.24。另外，测定装置使用理学（リガク）公司制造的Ultima IV，测定条件为：管电压40kV、管电流30mA、扫描速度4°/分钟、步进0.02°。
使用该靶进行溅射的结果如表1所示。稳态时的粉粒产生数为1.2个。另外，测定稳态的粉粒数时，使成膜厚度为HDD制品膜厚的约20倍从而使得容易观察到粉粒。
另外，溅射的预烧寿命为0.26kWh。可见，在石英的（011）面的峰强度比高时，得到预烧缩短、粉粒产生数少的结果。
（比较例9）
在比较例9中，作为原料粉末，准备平均粒径3μm的Co粉末、平均粒径5μm的Cr粉末、平均粒径1μm的Pt粉末、平均粒径3μm的B粉末、平均粒径1μm的SiO2粉末（无定形SiO2粉末）。以Co粉末52.24重量%、Cr粉末13.38重量%、Pt粉末27.89重量%、B粉末0.46重量%、SiO2粉末6.01重量%的重量比率称量这些粉末，使得靶的组成为62Co-18Cr-10Pt-3B-7SiO2（摩尔%）。
然后，将这些粉末与作为粉碎介质的二氧化锆球一起密封到容量10升的球磨机罐中，旋转20小时进行混合。
然后，将该混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛下、在温度900℃、保持时间2小时、压力30MPa的条件下进行热压，得到烧结体。
然后，使用车床将所得烧结体加工为直径180mm、厚度5mm的圆盘状靶。在该靶的组织照片中，观察到少量晶粒生长的SiO2。
关于石英的（011）面的峰强度，与实施例1同样地，切割靶的一部分并利用X射线衍射法进行测定。即，测定在2θ：26.64°处出现的峰强度以及背景强度（（（25.1°～26.1°的强度平均值）+（27.1°～28.1°的强度平均值））÷2）。
结果，在2θ：26.64°处出现的峰强度为12，石英的（011）面的峰强度相对于背景强度的比（石英峰强度/背景强度）为1.28。
这些值与实施例7相比均小。结果如表1所示。另外，测定装置、测定条件与实施例1同样。
使用该靶进行溅射的结果是，稳态时的粉粒产生数增加到3.1个。另外，溅射的预烧寿命为0.47kWh，预烧时间延长。可见，在石英的（011）面的峰强度比小时，得到溅射的预烧时间延长，并且溅射时的粉粒产生数增加的结果。结果如表1所示。
（实施例8）
在实施例8中，作为原料粉末，准备平均粒径3μm的Co粉末、平均粒径5μm的Cr粉末、平均粒径1μm的Pt粉末、平均粒径1μm的石英粉末（SiO2粉末）。以Co粉末54.03重量%、Cr粉末7.94重量%、Pt粉末37.26重量%、SiO2粉末0.77重量%的重量比率称量这些粉末，使得靶的组成为72Co-12Cr-15Pt-SiO2（摩尔%）。
将该混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛下、在温度1160℃、保持时间120分钟、压力30MPa的条件下进行热压，得到烧结体。然后，使用车床将所得烧结体进行切削加工，得到直径180mm、厚度5mm的圆盘状靶。
关于石英的峰强度，切割靶的一部分并利用X射线衍射法进行测定。该结果如表1所示。
在2θ：26.64°处出现的峰强度为53，另外测定背景强度（（（25.1°～26.1°的强度平均值）+（27.1°～28.1°的强度平均值））÷2）。
石英的（011）面的峰强度相对于背景强度的比（石英的峰强度/背景强度）为1.44。另外，测定装置使用理学（リガク）公司制造的Ultima IV，测定条件为：管电压40kV、管电流30mA、扫描速度4°/分钟、步进0.02°。
使用该靶进行溅射的结果如表1所示。稳态时的粉粒产生数为1.1个。另外，测定稳态的粉粒数时，使成膜厚度为HDD制品膜厚的约20倍从而使得容易观察到粉粒。
另外，溅射的预烧寿命为0.31kWh。可见，在石英的（011）面的峰强度比高时，得到预烧缩短、粉粒产生数少的结果。
（比较例10）
在比较例10中，作为原料粉末，准备平均粒径3μm的Co粉末、平均粒径5μm的Cr粉末、平均粒径1μm的Pt粉末、平均粒径1μm的SiO2粉末（无定形SiO2粉末）。以Co粉末54.03重量%、Cr粉末7.94重量%、Pt粉末37.26重量%、SiO2粉末0.77重量%的重量比率称量这些粉末，使得靶的组成为72Co-12Cr-15Pt-SiO2（摩尔%）。
然后，将这些粉末与作为粉碎介质的二氧化锆球一起密封到容量10升的球磨机罐中，旋转20小时进行混合。
然后，将该混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛下、在温度1160℃、保持时间2小时、压力30MPa的条件下进行热压，得到烧结体。
然后，使用车床将所得烧结体加工为直径180mm、厚度5mm的圆盘状靶。另外，在所述制造工序中，在制造工序中使无定形SiO2方英石化。在该靶的组织中，观察到少量晶粒生长的SiO2。
关于石英的（011）面的峰强度，与实施例1同样地，切割靶的一部分并利用X射线衍射法进行测定。即，测定在2θ：26.64°处出现的峰强度以及背景强度（（（25.1°～26.1°的强度平均值）+（27.1°～28.1°的强度平均值））÷2）。
结果，在2θ：26.64°处出现的峰强度为10，石英的（011）面的峰强度相对于背景强度的比（石英峰强度/背景强度）为1.22。
这些值与实施例8相比均小。结果如表1所示。另外，测定装置、测定条件与实施例1同样。
使用该靶进行溅射的结果是，稳态时的粉粒产生数增加到10.2个。另外，溅射的预烧寿命为1.02kWh，预烧时间延长。可见，在石英的（011）面的峰强度比小时，得到溅射的预烧时间延长，并且溅射时的粉粒产生数增加的结果。结果如表1所示。
（实施例9）
在实施例9中，作为原料粉末，准备平均粒径5μm的Fe粉末、平均粒径1μm的Pt粉末、平均粒径1μm的SiO2粉末（无定形SiO2粉末）、平均粒径0.05μm的C粉。以Fe粉末21.51重量%、Pt粉末73.64重量%、SiO2粉末4.75重量%、C粉末0.53重量%的重量比率称量这些粉末，使得靶的组成为43Fe-43Pt-9SiO2-5C（摩尔%）。
将该混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛下、在温度1200℃、保持时间120分钟、压力30MPa的条件下进行热压，得到烧结体。然后，使用车床将所得烧结体进行切削加工，得到直径180mm、厚度5mm的圆盘状靶。
关于石英的峰强度，切割靶的一部分并利用X射线衍射法进行测定。该结果如表1所示。在2θ：26.64°处出现的峰强度为358，另外测定背景强度（（（25.1°～26.1°的强度平均值）+（27.1°～28.1°的强度平均值））÷2）。
石英的（011）面的峰强度相对于背景强度的比（石英的峰强度/背景强度）为8.76。另外，测定装置使用理学（リガク）公司制造的Ultima IV，测定条件为：管电压40kV、管电流30mA、扫描速度4°/分钟、步进0.02°。
使用该靶进行溅射的结果如表1所示。稳态时的粉粒产生数为9.8个。另外，测定稳态的粉粒数时，使成膜厚度为HDD制品膜厚的约20倍从而使得容易观察到粉粒。
另外，溅射的预烧寿命为0.43kWh。可见，在石英的（011）面的峰强度比高时，得到预烧缩短、粉粒产生数少的结果。
（比较例11）
在比较例11中，作为原料粉末，准备平均粒径5μm的Fe粉末、平均粒径1μm的Pt粉末、平均粒径1μm的SiO2粉末（无定形SiO2粉末）、平均粒径0.05μm的C粉。以Fe粉末21.51重量%、Pt粉末73.64重量%、SiO2粉末4.75重量%、C粉末0.53重量%的重量比率称量这些粉末，使得靶的组成为43Fe-43Pt-9SiO2-5C（摩尔%）。
然后，将这些粉末与作为粉碎介质的二氧化锆球一起密封到容量10升的球磨机罐中，旋转20小时进行混合。
然后，将该混合粉填充到碳制模具中，在真空气氛下、在温度1200℃、保持时间2小时、压力30MPa的条件下进行热压，得到烧结体。
然后，使用车床将所得烧结体加工为直径180mm、厚度5mm的圆盘状靶。另外，在所述制造工序中，在制造工序中使无定形SiO2方英石化。在该靶的组织中，观察到少量晶粒生长的SiO2。
关于石英的（011）面的峰强度，与实施例1同样地，切割靶的一部分并利用X射线衍射法进行测定。即，测定在2θ：26.64°处出现的峰强度以及背景强度（（（25.1°～26.1°的强度平均值）+（27.1°～28.1°的强度平均值））÷2）。
结果，在2θ：26.64°处出现的峰强度为11，石英的（011）面的峰强度相对于背景强度的比（石英峰强度/背景强度）为1.23。这些值与实施例9相比均小。结果如表1所示。另外，测定装置、测定条件与实施例1同样。
使用该靶进行溅射的结果是，稳态时的粉粒产生数增加到31个。另外，溅射的预烧寿命为2.06kWh，预烧时间延长。
可见，在石英的（011）面的峰强度比小时，得到溅射的预烧时间延长，并且溅射时的粉粒产生数增加的结果。结果如表1所示。
产业实用性
本发明的磁记录膜用溅射靶，具有如下优良效果：可以抑制靶的微裂纹的产生，并且可以抑制溅射中的粉粒产生，并且可以缩短预烧时间。这样，粉粒的产生少，因此具有磁记录膜的不合格率减少，并且可以降低成本的优良效果。另外，所述预烧时间的缩短，对于生产效率的提高有很大的贡献。
另外，石英的密度高于无定形SiO2和方英石，因此通过使用石英，可以增加每单位体积的SiO2物质量，即提高靶中的氧化物（石英）的物质量，由此可以得到可以将成膜后的单磁畴粒子微细地磁隔离，可以提高记录密度的显著效果。
因此，作为磁记录介质的磁性体薄膜、特别是硬盘驱动器记录层的成膜中使用的强磁性材料溅射靶有用。

Claims (9)

1.一种磁记录膜用溅射靶，其含有SiO2，其特征在于，使用石英作为SiO2，在X射线衍射中石英的(011)面的峰强度相对于背景强度的比(石英峰强度/背景强度)为1.40以上。
2.如权利要求1所述的磁记录膜用溅射靶，其特征在于，Cr为20摩尔％以下，SiO2为1摩尔％以上且20摩尔％以下，其余为Co，其中Cr作为必要成分添加，不包括0摩尔％。
3.如权利要求1所述的磁记录膜用溅射靶，其特征在于，Cr为20摩尔％以下，Pt为1摩尔％以上且30摩尔％以下，SiO2为1摩尔％以上且20摩尔％以下，其余为Co，其中Cr作为必要成分添加，不包括0摩尔％。
4.如权利要求1所述的磁记录膜用溅射靶，其特征在于，Pt为5摩尔％以上且60摩尔％以下，SiO2为20摩尔％以下，其余为Fe。
5.如权利要求1所述的磁记录膜用溅射靶，其特征在于，Pt为5摩尔％以上且60摩尔％以下，SiO2为20摩尔％以下，其余为Co。
6.如权利要求1至5中任一项所述的磁记录膜用溅射靶，其特征在于，含有0.5摩尔％以上且10摩尔％以下的选自B、Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta、W的一种以上元素作为添加元素。
7.如权利要求1至5中任一项所述的磁记录膜用溅射靶，其特征在于，含有选自碳、除SiO2以外的氧化物、氮化物、碳化物的一种以上的无机物材料作为添加材料。
8.如权利要求6所述的磁记录膜用溅射靶，其特征在于，含有选自碳、除SiO2以外的氧化物、氮化物、碳化物的一种以上的无机物材料作为添加材料。
9.一种权利要求1至8中任一项所述的磁记录膜用溅射靶的制造方法，其特征在于，使用石英作为SiO2的粉末原料，将该石英的粉末原料与磁性金属粉末原料混合，并在1300℃以下的烧结温度下进行烧结。
CN201180061201.7A 2010-12-21 2011-10-19 磁记录膜用溅射靶及其制造方法 Active CN103262166B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010284671 2010-12-21
JP2010-284671 2010-12-21
PCT/JP2011/073993 WO2012086300A1 (ja) 2010-12-21 2011-10-19 磁気記録膜用スパッタリングターゲット及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103262166A CN103262166A (zh) 2013-08-21
CN103262166B true CN103262166B (zh) 2016-10-26

Family

ID=46313584

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201180061201.7A Active CN103262166B (zh) 2010-12-21 2011-10-19 磁记录膜用溅射靶及其制造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9605339B2 (zh)
JP (1) JP5009447B1 (zh)
CN (1) CN103262166B (zh)
MY (1) MY156716A (zh)
SG (1) SG190773A1 (zh)
TW (1) TWI529257B (zh)
WO (1) WO2012086300A1 (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG185768A1 (en) 2010-07-20 2013-01-30 Jx Nippon Mining & Metals Corp Sputtering target of ferromagnetic material with low generation of particles
CN102482765B (zh) 2010-07-20 2014-03-26 吉坤日矿日石金属株式会社 粉粒产生少的强磁性材料溅射靶
MY165512A (en) 2010-07-29 2018-03-28 Jx Nippon Mining & Metals Corp Sputtering target for magnetic recording film, and process for producing same
CN103081009B (zh) 2010-08-31 2016-05-18 吉坤日矿日石金属株式会社 Fe-Pt型强磁性材料溅射靶
TWI504768B (zh) 2012-01-13 2015-10-21 Tanaka Precious Metal Ind FePt sputtering target and its manufacturing method
CN104081458B (zh) 2012-01-18 2017-05-03 吉坤日矿日石金属株式会社 Co‑Cr‑Pt 系溅射靶及其制造方法
WO2013125469A1 (ja) 2012-02-22 2013-08-29 Jx日鉱日石金属株式会社 磁性材スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP5457615B1 (ja) 2012-07-20 2014-04-02 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法
WO2014034390A1 (ja) 2012-08-31 2014-03-06 Jx日鉱日石金属株式会社 Ｆｅ系磁性材焼結体
WO2014045744A1 (ja) 2012-09-21 2014-03-27 Jx日鉱日石金属株式会社 Ｆｅ－Ｐｔ系磁性材焼結体
JP6553755B2 (ja) * 2016-02-19 2019-07-31 Ｊｘ金属株式会社 磁気記録媒体用スパッタリングターゲット及び磁性薄膜
SG11201807804PA (en) 2016-03-31 2018-10-30 Jx Nippon Mining & Metals Corp Ferromagnetic material sputtering target
SG11202009585QA (en) * 2018-03-28 2020-10-29 Jx Nippon Mining & Metals Corp Perpendicular magnetic recording medium

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1856591A (zh) * 2003-09-26 2006-11-01 株式会社东芝 溅射靶及使用其的Si氧化膜的制造方法

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3816595B2 (ja) 1996-09-18 2006-08-30 三井金属鉱業株式会社 スパッタリングターゲットの製造方法
JPH10158097A (ja) 1996-11-28 1998-06-16 Chokoon Zairyo Kenkyusho:Kk 酸化防護皮膜
TW379256B (en) 1997-07-21 2000-01-11 Oda Junichi Sputtering target for forming optical recording protective film
JP3468136B2 (ja) 1998-12-18 2003-11-17 三菱マテリアル株式会社 光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット
JP2001064766A (ja) * 1999-08-26 2001-03-13 Mitsubishi Materials Corp パーティクル発生の少ない光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット
JP4717247B2 (ja) * 2001-04-13 2011-07-06 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 スパッタリング用ターゲット及びその製造方法
JP2004339586A (ja) * 2003-05-19 2004-12-02 Mitsubishi Materials Corp 磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP2005097657A (ja) * 2003-09-24 2005-04-14 Mitsubishi Materials Corp パーティクル発生の少ない磁性層形成用スパッタリングターゲット
WO2005093124A1 (ja) 2004-03-26 2005-10-06 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Ｃｏ-Ｃｒ-Ｐｔ-Ｂ系合金スパッタリングターゲット
JP4422574B2 (ja) 2004-07-30 2010-02-24 三井金属鉱業株式会社 セラミックス−金属複合材料からなるスパッタリングターゲット材およびその製造方法
WO2006016473A1 (ja) 2004-08-10 2006-02-16 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. フレキシブル銅基板用バリア膜及びバリア膜形成用スパッタリングターゲット
JP2006176808A (ja) 2004-12-21 2006-07-06 Mitsubishi Materials Corp 磁気記録膜形成用ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２スパッタリングターゲットの製造方法
JP2006313584A (ja) 2005-05-06 2006-11-16 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv 磁気記録媒体の製造方法
JP4553136B2 (ja) 2005-07-29 2010-09-29 三菱マテリアル株式会社 パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット
WO2007080781A1 (ja) 2006-01-13 2007-07-19 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. 非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット
JP5062396B2 (ja) 2006-12-28 2012-10-31 信越化学工業株式会社 高純度クリストバライト粒子及びその製造方法
JP2009001861A (ja) 2007-06-21 2009-01-08 Mitsubishi Materials Corp 比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット
JP4948342B2 (ja) 2007-09-26 2012-06-06 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 電子写真現像用キャリア芯材およびその製造方法、磁性キャリア並びに電子写真現像剤
JP4468461B2 (ja) 2008-02-27 2010-05-26 三井金属鉱業株式会社 セラミックス−金属複合材料からなるスパッタリングターゲット材の製造方法
CN101981224B (zh) 2008-03-28 2012-08-22 Jx日矿日石金属株式会社 非磁性材料粒子分散型强磁性材料溅射靶
SG172790A1 (en) 2009-03-27 2011-08-29 Jx Nippon Mining & Metals Corp Ferromagnetic-material sputtering target of nonmagnetic-material particle dispersion type
CN102482764B (zh) 2009-08-06 2014-06-18 吉坤日矿日石金属株式会社 无机物粒子分散型溅射靶
WO2011070860A1 (ja) 2009-12-11 2011-06-16 Jx日鉱日石金属株式会社 磁性材スパッタリングターゲット
MY149437A (en) 2010-01-21 2013-08-30 Jx Nippon Mining & Metals Corp Ferromagnetic material sputtering target
MY165512A (en) * 2010-07-29 2018-03-28 Jx Nippon Mining & Metals Corp Sputtering target for magnetic recording film, and process for producing same
US20130175167A1 (en) 2010-12-15 2013-07-11 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Ferromagnetic sputtering target and method for manufacturing same
WO2012081340A1 (ja) 2010-12-17 2012-06-21 Jx日鉱日石金属株式会社 磁気記録膜用スパッタリングターゲット及びその製造方法
WO2012086578A1 (ja) 2010-12-20 2012-06-28 Jx日鉱日石金属株式会社 Ｆｅ－Ｐｔ系強磁性材スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP5457615B1 (ja) 2012-07-20 2014-04-02 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法
CN112695273A (zh) 2012-09-18 2021-04-23 捷客斯金属株式会社 溅射靶
WO2014045744A1 (ja) * 2012-09-21 2014-03-27 Jx日鉱日石金属株式会社 Ｆｅ－Ｐｔ系磁性材焼結体
WO2014064995A1 (ja) 2012-10-25 2014-05-01 Jx日鉱日石金属株式会社 非磁性物質分散型Ｆｅ－Ｐｔ系スパッタリングターゲット

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1856591A (zh) * 2003-09-26 2006-11-01 株式会社东芝 溅射靶及使用其的Si氧化膜的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2012086300A1 (ja) 2014-05-22
SG190773A1 (en) 2013-07-31
TW201226611A (en) 2012-07-01
US20130248362A1 (en) 2013-09-26
CN103262166A (zh) 2013-08-21
MY156716A (en) 2016-03-15
WO2012086300A1 (ja) 2012-06-28
JP5009447B1 (ja) 2012-08-22
US9605339B2 (en) 2017-03-28
TWI529257B (zh) 2016-04-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103262166B (zh) 磁记录膜用溅射靶及其制造方法
JP5009448B2 (ja) 磁気記録膜用スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP4970633B1 (ja) 強磁性材スパッタリングターゲット及びその製造方法
CN103210115B (zh) 磁记录膜用溅射靶及其制造方法
JP5829747B2 (ja) 磁性材スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP5394576B2 (ja) 強磁性材スパッタリングターゲット
JP5394575B2 (ja) 強磁性材スパッタリングターゲット
WO2012011294A1 (ja) パーティクル発生の少ない強磁性材スパッタリングターゲット
WO2011089760A1 (ja) 強磁性材スパッタリングターゲット
WO2012011204A1 (ja) パーティクル発生の少ない強磁性材スパッタリングターゲット
JPWO2012086578A1 (ja) Ｆｅ−Ｐｔ系強磁性材スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP4673453B1 (ja) 強磁性材スパッタリングターゲット
CN109844167B (zh) 磁性材料溅射靶及其制造方法
JP4819199B1 (ja) パーティクル発生の少ない強磁性材スパッタリングターゲット
JP4758522B1 (ja) パーティクル発生の少ない強磁性材スパッタリングターゲット
JP6475526B2 (ja) 強磁性材スパッタリングターゲット

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: JX Nippon Mining & Metals Corporation

CP01 Change in the name or title of a patent holder