TWI537407B - Co-Cr-Pt sputtering target and its manufacturing method - Google Patents

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Description

Co-Cr-Pt系濺鍍靶及其製造方法
本發明係關於一種用以形成垂直磁記錄方式HDD(硬碟驅動器)之磁記錄媒體之粒狀膜(granular film)的濺鍍靶，尤其是關於一種微細分散有氧化物的Co-Cr-Pt系濺鍍靶。
於硬碟驅動器所代表之磁記錄的領域中，一直使用以強磁性金屬Co、Fe或Ni為基質的材料來作為磁記錄媒體中之磁性薄膜的材料。
又，於採用近年來被實用化之垂直磁記錄方式的硬碟驅動器的磁性薄膜，多使用由以Co作為主成分之Co-Cr-Pt系之強磁性合金與非磁性之無機物粒子構成的複合材料。又，由於生產性高，因此大多是以DC磁控濺鍍裝置對以上述材料作為成分之燒結體濺鍍靶進行濺鍍來製作上述磁性薄膜。
另一方面，當使用濺鍍裝置進行濺鍍時，會有產生顆粒(particle)的問題。已知形成粒狀膜時產生的顆粒大部分皆起因於靶組織中的氧化物。近年來，硬碟驅動器隨著記錄密度的提升，磁頭的浮動量變小，因此愈趨嚴格地限制磁記錄媒體可允許之顆粒的尺寸及個數。
關於粒狀膜形成用濺鍍靶其製造方法已知有各種技術(專利文獻1~4等)。例如，專利文獻1揭示一種下述之方法：在用球磨機等將原料粉末加以混合、粉碎時，混合 事先將原料粉末一部份混合、燒結、粉碎而得的一次燒結體粉末，藉此以抑制氧化物粒子的凝集，使靶組織微細化，且降低顆粒的產生。
專利文獻1：日本特開2011-208169號公報
專利文獻2：日本特開2011-174174號公報
專利文獻3：日本特開2011-175725號公報
專利文獻4：日本特願2011-5363231
一般當製造用以形成粒狀膜的濺鍍靶時，有時非磁性氧化物會發生凝集，且有時會以該凝集之氧化物為起點，而在濺鍍時產生顆粒。於上述之先前技術中，為了抑制此種顆粒產生，而會將濺鍍靶中的氧化物分散於母相合金。
然而，當使用Ti(鈦)氧化物作為非磁性氧化物的情形時，除了氧化物的凝集外，有時Ti氧化物與金屬Cr(鉻)會在燒結過程中反應，形成粗大的複合氧化物粒，而該複合氧化物粒亦會成為產生顆粒的原因。
本發明有鑑於此種問題，其課題在於提供一種抑制此種粗大複合氧化物粒之形成，在濺鍍時顆粒產生少的粒狀膜形成用濺鍍靶。
為了解決上述課題，本發明人等經潛心研究後的結果，發現藉由限制金屬Cr與Ti氧化物的接觸，可抑制粗大複合氧化物粒的形成。又，發現以此方式製造之濺鍍靶，由於氧化物微細分散在母相合金中，因此可減少顆粒產生，可提升成膜時的產率。
根據此種見解，本發明提供：
1)一種濺鍍靶，含有Cr：0.5~45mol%、剩餘部分為Co作為金屬成分，含有包含Ti氧化物之2種以上的氧化物作為非金屬成分，其特徵在於：其組織係由至少包含Ti氧化物之氧化物分散在Co中的區域(非Cr系區域)及Ti氧化物以外之氧化物分散在Cr或Co-Cr中的區域(Cr系區域)構成，該非Cr系區域散佈在該Cr系區域。
2)一種濺鍍靶，含有Cr：0.5~30mol%、Pt：0.5~30mol%、剩餘部分為Co作為金屬成分，含有包含Ti氧化物之2種以上的氧化物作為非金屬成分，其特徵在於：其組織係由至少包含Ti氧化物之氧化物分散在Co或Co-Pt中的區域(非Cr系區域)及Ti氧化物以外之氧化物分散在Co-Cr、Cr-Pt、Co-Cr-Pt中之任1種以上之相中的區域(Cr系區域)構成，該非Cr系區域散佈在該Cr系區域。
3)如上述第1或2項之濺鍍靶，其中，該2種以上的氧化物(不包含Ti氧化物)係由選自B、Mg、Al、Si、Cr、Zr、Nb、Ta中1種以上之元素構成的氧化物。
4)如上述第1至3項中任一項之濺鍍靶，其中之氧化物以體積比率計，在20%以上、未達50%。
5)如上述第1至4項中任一項之濺鍍靶，其進一步含有選自B、Cu、Mo、Ru、Ta、W中之1種以上的元素作為金屬成分。
6)一種濺鍍靶之製造方法，係由下述步驟構成：在真空中或惰性氣體環境中對混合有金屬粉與含Ti氧化物之氧 化物粉的混合粉A進行加壓燒結製造燒結體A，將此燒結體A粉碎、篩選，製造對應於該非Cr系區域之燒結體粉A；製造混合有金屬粉與Ti氧化物以外之氧化物粉的對應於該Cr系區域之混合粉B；及將該燒結體粉A與該混合粉B混合後，在真空中或惰性氣體環境中將其加壓燒結，製造作為靶材的二次燒結體。
7)如第6項之濺鍍靶之製造方法，其中，燒結體粉A的粒徑為20~200μm。
本發明之Co-Cr-Pt系濺鍍靶，藉由限制Ti氧化物與金屬Cr的反應，而可抑制粗大複合氧化物粒的形成，可提升氧化物的分散性，因此具有可降低濺鍍時產生之顆粒量、可提升成膜時之產率的優異效果。
本發明之濺鍍靶之特徵在於：含有Cr：0.5~45mol%、剩餘部分為Co作為金屬成分，含有包含Ti氧化物之2種以上的氧化物作為非金屬成分，其組織係由至少包含Ti氧化物之氧化物分散在Co中的區域(非Cr系區域)及Ti氧化物以外之氧化物分散在Cr或Co-Cr中的區域(Cr系區域)構成，該非Cr系區域散佈在該Cr系區域。
本發明之濺鍍靶如上述，由於Ti氧化物與金屬Cr(或Cr合金)不會在燒結過程中發生反應，因此可限制粗大複合氧化物的形成，結果可抑制以該粗大複合氧化物為起點之顆粒的產生。
又，由於此等之各氧化物粒子的面積會對顆粒的產生 造成影響，因此各氧化物粒子的平均面積宜未達2.0μm2。
又，本發明之濺鍍靶之特徵在於：含有Cr：0.5~30mol%、Pt：0.5~30mol%、剩餘部分為Co作為金屬成分，含有包含Ti氧化物之2種以上的氧化物作為非金屬成分，其組織係由至少包含Ti氧化物之氧化物分散在Co或Co-Pt中的區域(非Cr系區域)及Ti氧化物以外之氧化物分散在Co-Cr、Cr-Pt、Co-Cr-Pt中之任1種以上之相中的區域(Cr系區域)構成，該非Cr系區域散佈在該Cr系區域。
Cr系區域如上述，存在有3種相，即Co-Cr、Cr-Pt、Co-Cr-Pt，但包含在此等相中之1種以上分散有Ti氧化物以外之氧化物的狀態(組織)。本發明之濺鍍靶，以此方式使Ti氧化物與Cr合金不會在燒結過程中發生反應，故可限制粗大複合氧化物的形成。其結果可抑制以該粗大複合氧化物為起點產生顆粒。
與上述同，由於各氧化物粒子的面積會對顆粒的產生造成影響，因此各氧化物粒子的平均面積宜未達2.0μm2。
又，本發明之濺鍍靶之特徵在於：作為非金屬成分含有之2種以上的氧化物(不包含Ti氧化物)係由選自B、Mg、Al、Si、Cr、Zr、Nb、Ta中1種以上之元素構成的氧化物。此等非磁性氧化物相較於Ti氧化物，因不易與金屬Cr或Cr合金發生反應，故即使此等之氧化物分散在金屬Cr或Cr合金中亦無關係。
又，本發明之濺鍍靶之特徵在於：非磁性成分之氧化物在濺鍍靶中，以體積比率計為20%以上、未達50%。若 非磁性氧化物的體積比率在20%以上、未達50%，則可得到良好的磁特性。
又，本發明之濺鍍靶之特徵在於：含有選自B、Cu、Mo、Ru、Ta、W中之1種以上的元素作為金屬成分。此等之金屬成分可根據想要的磁特性作適當添加。
另，當添加B作為金屬成分之情形時，視靶組成，雖然有時B會在燒結過程中將其他氧化物還原而形成B2O3，但是在該種情形時，就數量上而言，為可忽視的程度。因此，可以認為存在靶中的B係來自作為金屬成分添加的B，而存在靶中的B2O3則來自作為氧化物添加的B2O3。
本發明之濺鍍靶可用下述方法製造。
例如，準備Co粉末、Cr粉末、Pt粉末作為金屬粉，準備TiO2粉末、SiO2粉末作為氧化物粉，將此等原料粉中除了Cr粉末以外的金屬粉(Co粉末、Pt粉末)與至少包含TiO2粉末的氧化物粉混合，藉此得到混合粉(混合粉A)。如上述，於本發明中，事先將容易與金屬Cr或Cr合金發生反應的Ti氧化物和Cr以外的金屬混合，使其先發生反應是重要的。此處，混合粉A是指將作為金屬成分之Cr以外(Co、Pt)的粉末與作為非金屬成分之至少含有Ti氧化物的氧化物粉末混合而成的粉末。
接著，在真空中或惰性氣體環境中將所得之混合粉(混合粉A)加壓燒結，製造燒結體(燒結體A)，然後對此燒結體進行粉碎、篩選，製造對應於非Cr系區域之燒結體粉(燒結體粉A)。此處，燒結體粉A是指將作為金屬成分 之除Cr以外(Co、Pt)的粉末與作為非金屬成分之至少含有Ti氧化物的氧化物粉末混合、燒結後，對其燒結體進行粉碎、篩選而得的粉末。
此時，燒結體粉A的粒徑較佳為20~200μm。若粒徑未達20μm，則因非Cr區域與Cr區域的接觸面積會變大，而難以在燒結過程中抑制金屬Cr或Cr合金與Ti氧化物的反應。另一方面，若粒徑超過200μm，則可能在濺鍍時，無法得到具有均一組成的濺鍍膜。
接著，藉由將Cr粉末與TiO2粉末以外之氧化物粉(SiO2粉末)混合，以得到對應於Cr系區域的混合粉(混合粉B)。此處，混合粉B是指將作為金屬成分之至少含有Cr的粉末與作為非金屬成分之除Ti氧化物以外的氧化物粉末混合而成的粉末。
接著，將燒結體粉A與混合粉B混合後，於真空中或惰性氣體環境中將其混合粉加壓燒結，而可製得成為靶素材的二次燒結體。藉由將以此方式製得之二次燒結體加工成想要的形狀，而可製得本發明之濺鍍靶。
藉由上述方式，可製作不會因Ti氧化物與金屬Cr或Cr合金反應而形成粗大之複合氧化物粒，氧化物均勻微細分散的Co-Cr-Pt系濺鍍靶，以此方式製得之本發明之濺鍍靶，適用作為粒狀構造之磁性薄膜成膜用的濺鍍靶。
實施例
以下，根據實施例及比較例加以說明。另，本實施例僅為一例示，並不受此例示的任何限制。亦即，本發明僅 受到申請專利範圍的限制，包含本發明所含之實施例以外的各種變形。
(實施例1)
準備平均粒徑3μm之Co粉末、平均粒徑5μm之Cr粉末作為金屬原料粉末，準備平均粒徑1μm之TiO2粉末、平均粒徑1μm之SiO2粉末作為氧化物原料粉末。然後，為了製作混合粉A與混合粉B，分別以下述組成比各秤量1600g。
(混合粉A)：90.5Co-9.5TiO2(mol%)
(混合粉B)：72.36Co-20.73Cr-6.91SiO2(mol%)
接著將經秤量之粉末各別與粉碎媒體之二氧化鋯磨球(zirconia ball)一起封閉在容量10公升的球磨鍋(ball mill pot)，旋轉20小時進行混合。然後，僅將混合粉A填充至碳製模具，於真空環境中，在溫度1000℃、保持時間2小時、加壓力30MPa的條件下，進行熱壓而得到燒結體(燒結體A)。然後，使用顎式壓碎機與石磨型粉碎機將該燒結體粉碎後，使用孔徑為50μm與150μm之篩進行篩選，得到粒徑為50~150μm的燒結體粉A。
接著以濺鍍靶整體之組成成為下述組成比的方式各別秤量燒結體粉A與混合粉B，使燒結體粉A為726.7g，混合粉B為944.1g。
(靶組成)：80Co-12Cr-4TiO2-4SiO2(mol%)
然後將經秤量之粉末投入球容量約7公升的行星運動型混合機，混合20分鐘，得到二次燒結體製作用混合粉。 將以此方式製得之二次燒結體製作用混合粉填充於碳製模具，於真空環境中，在溫度1050℃、保持時間2小時、加壓力30MPa的條件下進行熱壓，得到相對密度98.2%的燒結體。進一步用車床對該燒結體進行切削加工，得到直徑為180mm、厚度5mm的圓盤狀濺鍍靶。
觀察實施例1之濺鍍靶的組織後，可確認具有TiO2分散在Co中之區域(非Cr系區域)及SiO2分散在Co-Cr合金中之區域(Cr系區域)，且非Cr系區域散佈在Cr系區域中。並且，在靶組織面上任意選擇的8個地方，以100μm×75μm的視野尺寸對靶研磨面的組織進行拍攝，然後以影像處理軟體將所拍攝之組織照片二值化，求出每一氧化物粒子的平均面積，結果為1.1μm2。
接著，將此靶安裝在DC磁控濺鍍裝置進行濺鍍。使濺鍍條件為濺鍍功率1kw、Ar氣壓1.5Pa，實施2kWhr之預濺鍍後，以目標膜厚1000nm濺鍍在4吋直徑的矽基板上。然後，以顆粒計數器計算附著在基板上的顆粒個數。結果，矽基板上的顆粒數為5個。
(比較例1)
準備平均粒徑3μm之Co粉末、平均粒徑5μm之Cr粉末作為金屬原料粉末，準備平均粒徑1μm之TiO2粉末、平均粒徑1μm之SiO2粉末作為氧化物原料粉末。接著，以濺鍍靶整體之組成成為下述組成比的方式秤量此等之粉末，使合計為1670.7g。
(靶組成)：80Co-12Cr-4TiO2-4SiO2(mol%)
然後將經秤量之粉末與粉碎媒體之二氧化鋯磨球一起封閉在容量10公升的球磨鍋，旋轉20小時進行混合。將以此方式製得之混合粉填充至碳製模具，於真空環境中，在溫度1050℃、保持時間2小時、加壓力30MPa的條件下進行熱壓，而得到相對密度98.5%的燒結體。進一步用車床對該燒結體進行切削加工，得到直徑為180mm、厚度5mm的圓盤狀濺鍍靶。
觀察比較例1之濺鍍靶的組織後，可確認在Co-Cr合金中分散有TiO2與SiO2。並且，在靶組織面上任意選擇的8個地方，以100μm×75μm的視野尺寸對靶研磨面的組織進行拍攝，然後以影像處理軟體將所拍攝之組織照片二值化，求出每一氧化物粒子的平均面積，結果為2.1μm2，與實施例1相較之下，呈氧化物粗大化之結果。
接著，將此靶安裝在DC磁控濺鍍裝置進行濺鍍。使濺鍍條件為濺鍍功率1kw、Ar氣壓1.5Pa，實施2kWhr之預濺鍍後，以目標膜厚1000nm濺鍍在4吋直徑的矽基板上。然後，以顆粒計數器計算附著在基板上的顆粒個數。結果，矽基板上的顆粒數為13個，與實施例1相較之下，顆粒數多。
(實施例2)
準備平均粒徑3μm之Co粉末、平均粒徑5μm之Cr粉末、平均粒徑2μm之Pt粉末作為金屬原料粉末，準備平均粒徑1μm之TiO2粉末、平均粒徑1μm之SiO2粉末、平均粒徑3μm之Cr2O3粉末作為氧化物原料粉末。然後， 為了製作混合粉A與混合粉B，分別以下述組成比各秤量2000g。
(混合粉A)：68.15Co-22.29Pt-4.78TiO2-4.78Cr2O3(mol%)
(混合粉B)：59.68Co-32.26Cr-8.06SiO2(mol%)
接著將經秤量之粉末各別與粉碎媒體之二氧化鋯磨球一起封閉在容量10公升的球磨鍋，旋轉20小時進行混合。然後，僅將混合粉A填充至碳製模具，於真空環境中，在溫度1000℃、保持時間2小時、加壓力30MPa的條件下，進行熱壓而得到燒結體(燒結體A)。然後，使用顎式壓碎機與石磨型粉碎機將該燒結體粉碎後，使用孔徑為38μm與106μm之篩進行篩選，得到粒徑為38~106μm的燒結體粉A。
接著以濺鍍靶整體之組成成為下述組成比的方式各別秤量燒結體粉A與混合粉B，使燒結體粉A為1550.6g，混合粉B為550.6g。
(靶組成)：65Co-12Cr-14Pt-3TiO2-3SiO2-3Cr2O3(mol%)
然後將經秤量之粉末投入球容量約7公升的行星運動型混合機，混合20分鐘，得到二次燒結體製作用混合粉。將以此方式製得之二次燒結體製作用混合粉填充於碳製模具，於真空環境中，在溫度1100℃、保持時間2小時、加壓力30MPa的條件下進行熱壓，得到相對密度97.9%的燒結體。進一步用車床對該燒結體進行切削加工，得到直徑 為180mm、厚度5mm的圓盤狀濺鍍靶。
觀察實施例2之濺鍍靶的組織後，可確認具有TiO2與Cr2O3分散在Co-Pt中之區域(非Cr系區域)及SiO2分散在Co-Cr合金中之區域(Cr系區域)，且非Cr系區域散佈在Cr系區域中。並且，在靶組織面上任意選擇的8個地方，以100μm×75μm的視野尺寸對靶研磨面的組織進行拍攝，然後以影像處理軟體將所拍攝之組織照片二值化，求出每一氧化物粒子的平均面積，結果為1.4μm2。
接著，將此靶安裝在DC磁控濺鍍裝置進行濺鍍。使濺鍍條件為濺鍍功率1kw、Ar氣壓1.5Pa，實施2kWhr之預濺鍍後，以目標膜厚1000nm濺鍍在4吋直徑的矽基板上。然後，以顆粒計數器計算附著在基板上的顆粒個數。結果，矽基板上的顆粒數為3個。
(實施例3)
準備平均粒徑3μm之Co粉末、平均粒徑5μm之Cr粉末、平均粒徑2μm之Pt粉末作為金屬原料粉末，準備平均粒徑1μm之TiO2粉末、平均粒徑1μm之SiO2粉末、平均粒徑3μm之Cr2O3粉末作為氧化物原料粉末。然後，為了製作混合粉A與混合粉B，分別以下述組成比各秤量2000g。
(混合粉A)：81.76Co-9.12Pt-4.56TiO2-4.56Cr2O3(mol%)
(混合粉B)：32.75Co-35.09Cr-23.39Pt-8.77SiO2(mol%)
接著將經秤量之粉末各別與粉碎媒體之二氧化鋯磨球一起封閉在容量10公升的球磨鍋，旋轉20小時進行混合。然後，僅將混合粉A填充至碳製模具，於真空環境中，在溫度1000℃、保持時間2小時、加壓力30MPa的條件下，進行熱壓而得到燒結體(燒結體A)。然後，使用顎式壓碎機與石磨型粉碎機將該燒結體粉碎後，使用孔徑為38μm與106μm之篩進行篩選，得到粒徑為38~106μm的燒結體粉A。
接著以濺鍍靶整體之組成成為下述組成比的方式各別秤量燒結體粉A與混合粉B，使燒結體粉A為1312.0g，混合粉B為788.0g。
(靶組成)：65Co-12Cr-14Pt-3TiO2-3SiO2-3Cr2O3(mol%)
然後將經秤量之粉末投入球容量約7公升的行星運動型混合機，混合20分鐘，得到二次燒結體製作用混合粉。將以此方式製得之二次燒結體製作用混合粉填充於碳製模具，於真空環境中，在溫度1100℃、保持時間2小時、加壓力30MPa的條件下進行熱壓，得到相對密度97.6%的燒結體。進一步用車床對該燒結體進行切削加工，得到直徑為180mm、厚度5mm的圓盤狀濺鍍靶。
觀察實施例3之濺鍍靶的組織後，可確認具有TiO2與Cr2O3分散在Co-Pt中之區域(非Cr系區域)及SiO2分散在Co-Cr-Pt合金中之區域(Cr系區域)，且非Cr系區域散佈在Cr系區域中。圖1顯示實施例3之靶的組織照片。 於圖1中，粗線圈內為Co-Pt-TiO2-Cr2O3(非Cr系區域)，粗線圈外則為Co-Cr-Pt-SiO2(Cr系區域)。
並且，在靶組織面上任意選擇的8個地方，以100μm×75μm的視野尺寸對靶研磨面的組織進行拍攝，然後以影像處理軟體將所拍攝之組織照片二值化，求出每一氧化物粒子的平均面積，結果為1.5μm2。
接著，將此靶安裝在DC磁控濺鍍裝置進行濺鍍。使濺鍍條件為濺鍍功率1kw、Ar氣壓1.5Pa，實施2kWhr之預濺鍍後，以目標膜厚1000nm濺鍍在4吋直徑的矽基板上。然後，以顆粒計數器計算附著在基板上的顆粒個數。結果，矽基板上的顆粒數為2個。
(比較例2)
準備平均粒徑3μm之Co粉末、平均粒徑5μm之Cr粉末、平均粒徑2μm之Pt粉末作為金屬原料粉末，準備平均粒徑1μm之TiO2粉末、平均粒徑1μm之SiO2粉末、平均粒徑3μm之Cr2O3粉末作為氧化物原料粉末。接著，以濺鍍靶整體之組成成為下述組成比的方式秤量此等之粉末，使合計為2100.0g。
(靶組成)：65Co-12Cr-14Pt-3TiO2-3SiO2-3Cr2O3(mol%)
然後將經秤量之粉末與粉碎媒體之二氧化鋯磨球一起封閉在容量10公升的球磨鍋，旋轉20小時進行混合。將以此方式製得之混合粉填充至碳製模具，於真空環境中，在溫度1100℃、保持時間2小時、加壓力30MPa的條件下 進行熱壓，而得到相對密度98.6%的燒結體。進一步用車床對該燒結體進行切削加工，得到直徑為180mm、厚度5mm的圓盤狀濺鍍靶。
觀察比較例2之濺鍍靶的組織後，可確認在Co-Cr-Pt合金中分散有TiO2、SiO2與Cr2O3。並且，在靶組織面上任意選擇的8個地方，以100μm×75μm的視野尺寸對靶研磨面的組織進行拍攝，然後以影像處理軟體將所拍攝之組織照片二值化，求出每一氧化物粒子的平均面積，結果為2.3μm2，與實施例2、3相較之下，氧化物顯得粗大化。
接著，將此靶安裝在DC磁控濺鍍裝置進行濺鍍。使濺鍍條件為濺鍍功率1kw、Ar氣壓1.5Pa，實施2kWhr之預濺鍍後，以目標膜厚1000nm濺鍍在4吋直徑的矽基板上。然後，以顆粒計數器計算附著在基板上的顆粒個數。結果，矽基板上的顆粒數為15個，與實施例2、3相較之下，顆粒數多。
(比較例3)
準備平均粒徑3μm之Co粉末、平均粒徑5μm之Cr粉末、平均粒徑2μm之Pt粉末作為金屬原料粉末，準備平均粒徑1μm之TiO2粉末、平均粒徑1μm之SiO2粉末、平均粒徑3μm之Cr2O3粉末作為氧化物原料粉末。然後，為了製作混合粉A與混合粉B，分別以下述組成比各秤量2000g。
(混合粉A)：81.76Co-9.12Pt-4.56TiO2-4.56Cr2O3(mol%)
(混合粉B)：32.75Co-35.09Cr-23.39Pt-8.77SiO2(mol%)
接著將經秤量之粉末各別與粉碎媒體之二氧化鋯磨球一起封閉在容量10公升的球磨鍋，旋轉20小時進行混合。然後，僅將混合粉A填充至碳製模具，於真空環境中，在溫度1000℃、保持時間2小時、加壓力30MPa的條件下，進行熱壓而得到燒結體(燒結體A)。然後，使用顎式壓碎機與石磨型粉碎機將該燒結體粉碎後，使用氣流分級機進行分級，得到平均粒徑為18μm的燒結體粉A。
接著以濺鍍靶整體之組成成為下述組成比的方式各別秤量燒結體粉A與混合粉B，使燒結體粉A為1312.0g，混合粉B為788.0g。
(靶組成)：65Co-12Cr-14Pt-3TiO2-3SiO2-3Cr2O3(mol%)
然後將經秤量之粉末投入球容量約7公升的行星運動型混合機，混合20分鐘，得到二次燒結體製作用混合粉。將以此方式製得之二次燒結體製作用混合粉填充於碳製模具，於真空環境中，在溫度1100℃、保持時間2小時、加壓力30MPa的條件下進行熱壓，得到相對密度97.6%的燒結體。進一步用車床對該燒結體進行切削加工，得到直徑為180mm、厚度5mm的圓盤狀濺鍍靶。
觀察比較例3之濺鍍靶的組織後，TiO2與Cr2O3分散在Co-Pt中之區域(非Cr系區域)與SiO2分散在Co-Cr-Pt合金中之區域(Cr系區域)明確分離，為無法確認之組 織。
並且，在靶組織面上任意選擇的8個地方，以100μm×75μm的視野尺寸對靶研磨面的組織進行拍攝，然後以影像處理軟體將所拍攝之組織照片二值化，求出每一氧化物粒子的平均面積，結果為2.1μm2。與實施例2、3相較之下，呈氧化物粗大化之結果。
接著，將此靶安裝在DC磁控濺鍍裝置進行濺鍍。使濺鍍條件為濺鍍功率1kw、Ar氣壓1.5Pa，實施2kWhr之預濺鍍後，以目標膜厚1000nm濺鍍在4吋直徑的矽基板上。然後，以顆粒計數器計算附著在基板上的顆粒個數。結果，矽基板上的顆粒數為10個，相較於實施例2、3，顆粒數多。
(比較例4)
準備平均粒徑3μm之Co粉末、平均粒徑5μm之Cr粉末、平均粒徑2μm之Pt粉末作為金屬原料粉末，準備平均粒徑1μm之TiO2粉末、平均粒徑1μm之SiO2粉末、平均粒徑3μm之Cr2O3粉末作為氧化物原料粉末。然後，為了製作混合粉A與混合粉B，分別以下述組成比各秤量2000g。
(混合粉A)：75.34Co-16.44Pt-4.11SiO2-4.11Cr2O3(mol%)
(混合粉B)：37.04Co-44.44Cr-7.41Pt-11.11TiO2(mol%)
接著將經秤量之粉末各別與粉碎媒體之二氧化鋯磨球一起封閉在容量10公升的球磨鍋，旋轉20小時進行混合。 然後，僅將混合粉A填充至碳製模具，於真空環境中，在溫度1100℃、保持時間2小時、加壓力30MPa的條件下，進行熱壓而得到燒結體(燒結體A)。然後，使用顎式壓碎機與石磨型粉碎機將該燒結體粉碎後，使用孔徑為38μm與106μm之篩進行篩選，得到粒徑為38~106μm的燒結體粉A。
接著以濺鍍靶整體之組成成為下述組成比的方式各別秤量燒結體粉A與混合粉B，使燒結體粉A為1619.9g，混合粉B為480.1g。
(靶組成)：65Co-12Cr-14Pt-3TiO2-3SiO2-3Cr2O3(mol%)
然後將經秤量之粉末投入球容量約7公升的行星運動型混合機，混合20分鐘，得到二次燒結體製作用混合粉。將以此方式製得之二次燒結體製作用混合粉填充於碳製模具，於真空環境中，在溫度1000℃、保持時間2小時、加壓力30MPa的條件下進行熱壓，得到相對密度98.1%的燒結體。進一步用車床對該燒結體進行切削加工，得到直徑為180mm、厚度5mm的圓盤狀濺鍍靶。
觀察比較例4之濺鍍靶的組織後，可確認具有SiO2與Cr2O3分散在Co-Pt中之區域及TiO2分散在Co-Cr-Pt合金中之區域，且SiO2與Cr2O3分散在Co-Pt中之區域散佈在TiO2分散在Co-Cr-Pt合金中之區域中。
並且，在靶組織面上任意選擇的8個地方，以100μm×75μm的視野尺寸對靶研磨面的組織進行拍攝，然後以影 像處理軟體將所拍攝之組織照片二值化，求出每一氧化物粒子的平均面積，結果為2.6μm2。與實施例2、3相較之下，呈氧化物粗大化之結果。
接著，將此靶安裝在DC磁控濺鍍裝置進行濺鍍。使濺鍍條件為濺鍍功率1kw、Ar氣壓1.5Pa，實施2kWhr之預濺鍍後，以目標膜厚1000nm濺鍍在4吋直徑的矽基板上。然後，以顆粒計數器計算附著在基板上的顆粒個數。結果，矽基板上的顆粒數為18個，相較於實施例2、3，顆粒數多。
(實施例4)
準備平均粒徑3μm之Co粉末、平均粒徑5μm之Cr粉末、平均粒徑2μm之Pt粉末、平均粒徑10μm之B粉末作為金屬原料粉末，準備平均粒徑1μm之TiO2粉末、平均粒徑1μm之SiO2粉末作為氧化物原料粉末。然後，為了製作混合粉A與混合粉B，分別以下述組成比各秤量2000g。
(混合粉A)：80.96Co-9.52Pt-9.52TiO2(mol%)
(混合粉B)：53.45Co-20.69Cr-13.79Pt-5.17B-6.9SiO2(mol%)
接著將經秤量之粉末各別與粉碎媒體之二氧化鋯磨球一起封閉在容量10公升的球磨鍋，旋轉20小時進行混合。然後，僅將混合粉A填充至碳製模具，於真空環境中，在溫度1000℃、保持時間2小時、加壓力30MPa的條件下，進行熱壓而得到燒結體(燒結體A)。然後，使用顎式壓碎機與石磨型粉碎機將該燒結體粉碎後，使用孔徑為38μm 與106μm之篩進行篩選，得到粒徑為38~106μm的燒結體粉A。
接著以濺鍍靶整體之組成成為下述組成比的方式各別秤量燒結體粉A與混合粉B，使燒結體粉A為1217.8g，混合粉B為882.2g。
(靶組成)：65Co-12Cr-12Pt-3B-4TiO2-4SiO2(mol%)
然後將經秤量之粉末投入球容量約7公升的行星運動型混合機，混合20分鐘，得到二次燒結體製作用混合粉。將以此方式製得之二次燒結體製作用混合粉填充於碳製模具，於真空環境中，在溫度1000℃、保持時間2小時、加壓力30MPa的條件下進行熱壓，得到相對密度96.5%的燒結體。進一步用車床對該燒結體進行切削加工，得到直徑為180mm、厚度5mm的圓盤狀濺鍍靶。
觀察實施例4之濺鍍靶的組織後，可確認具有TiO2分散在Co-Pt中之區域(非Cr系區域)及SiO2分散在Co-Cr-Pt-B合金中之區域(Cr系區域)，且非Cr系區域散佈在Cr系區域中。
並且，在靶組織面上任意選擇的8個地方，以100μm×75μm的視野尺寸對靶研磨面的組織進行拍攝，然後以影像處理軟體將所拍攝之組織照片二值化，求出每一氧化物粒子的平均面積，結果為1.8μm2。
接著，將此靶安裝在DC磁控濺鍍裝置進行濺鍍。使濺鍍條件為濺鍍功率1kw、Ar氣壓1.5Pa，實施2kWhr之預 濺鍍後，以目標膜厚1000nm濺鍍在4吋直徑的矽基板上。然後，以顆粒計數器計算附著在基板上的顆粒個數。結果，矽基板上的顆粒數為6個。
(比較例5)
準備平均粒徑3μm之Co粉末、平均粒徑5μm之Cr粉末、平均粒徑2μm之Pt粉末、平均粒徑10μm之B粉末作為金屬原料粉末，準備平均粒徑1μm之TiO2粉末、平均粒徑1μm之SiO2粉末作為氧化物原料粉末。接著，以濺鍍靶整體之組成成為下述組成比的方式秤量此等之粉末，使合計為2100.0g。
(靶組成)：65Co-12Cr-12Pt-3B-4TiO2-4SiO2(mol%)
然後將經秤量之粉末與粉碎媒體之二氧化鋯磨球一起封閉在容量10公升的球磨鍋，旋轉20小時進行混合。將以此方式製得之混合粉填充至碳製模具，於真空環境中，在溫度1000℃、保持時間2小時、加壓力30MPa的條件下進行熱壓，而得到相對密度96.2%的燒結體。進一步用車床對該燒結體進行切削加工，得到直徑為180mm、厚度5mm的圓盤狀濺鍍靶。
觀察比較例5之濺鍍靶的組織後，可確認在Co-Cr-Pt-B合金中分散有TiO2與SiO2。並且，在靶組織面上任意選擇的8個地方，以100μm×75μm的視野尺寸對靶研磨面的組織進行拍攝，然後以影像處理軟體將所拍攝之組織照片二值化，求出每一氧化物粒子的平均面積，結果為2.5 μm2，與實施例4相較之下，呈氧化物粗大化之結果。
接著，將此靶安裝在DC磁控濺鍍裝置進行濺鍍。使濺鍍條件為濺鍍功率1kw、Ar氣壓1.5Pa，實施2kWhr之預濺鍍後，以目標膜厚1000nm濺鍍在4吋直徑的矽基板上。然後，以顆粒計數器計算附著在基板上的顆粒個數。結果，矽基板上的顆粒數為19個，與實施例4相較之下，顆粒數多。
(實施例5)
準備平均粒徑3μm之Co粉末、平均粒徑5μm之Cr粉末、平均粒徑2μm之Pt粉末、平均粒徑10μm之Ru粉末作為金屬原料粉末，準備平均粒徑1μm之TiO2粉末、平均粒徑1μm之SiO2粉末、平均粒徑3μm之Cr2O3粉末作為氧化物原料粉末。然後，為了製作混合粉A與混合粉B，分別以下述組成比各秤量2000g。
(混合粉A)：89.29Co-10.71TiO2(mol%)
(混合粉B)：54.16Co-16.67Cr-13.89Pt-6.94Ru-4.17SiO2-4.17Cr2O3(mol%)
接著將經秤量之粉末各別與粉碎媒體之二氧化鋯磨球一起封閉在容量10公升的球磨鍋，旋轉20小時進行混合。然後，僅將混合粉A填充至碳製模具，於真空環境中，在溫度1000℃、保持時間2小時、加壓力30MPa的條件下，進行熱壓而得到燒結體(燒結體A)。然後，使用顎式壓碎機與石磨型粉碎機將該燒結體粉碎後，使用孔徑為38μm與106μm之篩進行篩選，得到粒徑為38~106μm的燒結 體粉A。
接著以濺鍍靶整體之組成成為下述組成比的方式各別秤量燒結體粉A與混合粉B，使燒結體粉A為465.5g，混合粉B為1634.5g。
(靶組成)：64Co-12Cr-10Pt-5Ru-3TiO2-3SiO2-3Cr2O3(mol%)
然後將經秤量之粉末投入球容量約7公升的行星運動型混合機，混合20分鐘，得到二次燒結體製作用混合粉。將以此方式製得之二次燒結體製作用混合粉填充於碳製模具，於真空環境中，在溫度1100℃、保持時間2小時、加壓力30MPa的條件下進行熱壓，得到相對密度98.8%的燒結體。進一步用車床對該燒結體進行切削加工，得到直徑為180mm、厚度5mm的圓盤狀濺鍍靶。
觀察實施例5之濺鍍靶的組織後，可確認具有TiO2分散在Co中之區域(非Cr系區域)及SiO2與Cr2O3分散在Co-Cr-Pt-Ru合金中之區域(Cr系區域)，且非Cr系區域散佈在Cr系區域中。
並且，在靶組織面上任意選擇的8個地方，以100μm×75μm的視野尺寸對靶研磨面的組織進行拍攝，然後以影像處理軟體將所拍攝之組織照片二值化，求出每一氧化物粒子的平均面積，結果為1.1μm2。
接著，將此靶安裝在DC磁控濺鍍裝置進行濺鍍。使濺鍍條件為濺鍍功率1kw、Ar氣壓1.5Pa，實施2kWhr之預濺鍍後，以目標膜厚1000nm濺鍍在4吋直徑的矽基板上。 然後，以顆粒計數器計算附著在基板上的顆粒個數。結果，矽基板上的顆粒數為2個。
(比較例6)
準備平均粒徑3μm之Co粉末、平均粒徑5μm之Cr粉末、平均粒徑2μm之Pt粉末、平均粒徑10μm之Ru粉末作為金屬原料粉末，準備平均粒徑1μm之TiO2粉末、平均粒徑1μm之SiO2粉末、平均粒徑3μm之Cr2O3粉末作為氧化物原料粉末。接著，以濺鍍靶整體之組成成為下述組成比的方式秤量此等之粉末，使合計為2100.0g。
(靶組成)：64Co-12Cr-10Pt-5Ru-3TiO2-3SiO2-3Cr2O3(mol%)
然後將經秤量之粉末與粉碎媒體之二氧化鋯磨球一起封閉在容量10公升的球磨鍋，旋轉20小時進行混合。將以此方式製得之混合粉填充至碳製模具，於真空環境中，在溫度1100℃、保持時間2小時、加壓力30MPa的條件下進行熱壓，而得到相對密度98.9%的燒結體。進一步用車床對該燒結體進行切削加工，得到直徑為180mm、厚度5mm的圓盤狀濺鍍靶。
觀察比較例6之濺鍍靶的組織後，可確認在Co-Cr-Pt-Ru合金中分散有TiO2、SiO2與Cr2O3。並且，在靶組織面上任意選擇的8個地方，以100μm×75μm的視野尺寸對靶研磨面的組織進行拍攝，然後以影像處理軟體將所拍攝之組織照片二值化，求出每一氧化物粒子的平均面積，結果為2.0μm2，與實施例5相較之下，呈氧化物粗大化之 結果。
接著，將此靶安裝在DC磁控濺鍍裝置進行濺鍍。使濺鍍條件為濺鍍功率1kw、Ar氣壓1.5Pa，實施2kWhr之預濺鍍後，以目標膜厚1000nm濺鍍在4吋直徑的矽基板上。然後，以顆粒計數器計算附著在基板上的顆粒個數。結果，矽基板上的顆粒數為12個，與實施例5相較之下，顆粒數多。
(實施例6)
準備平均粒徑3μm之Co粉末、平均粒徑5μm之Cr粉末、平均粒徑2μm之Pt粉末作為金屬原料粉末，準備平均粒徑1μm之TiO2粉末、平均粒徑1μm之SiO2粉末、平均粒徑10μm之B2O3粉末作為氧化物原料粉末。然後，為了製作混合粉A與混合粉B，分別以下述組成比各秤量2000g。
(混合粉A)：89.29Co-10.71TiO2(mol%)
(混合粉B)：61.11Co-16.67Cr-13.89Pt-4.17SiO2-4.17B2O3(mol%)
接著將經秤量之粉末各別與粉碎媒體之二氧化鋯磨球一起封閉在容量10公升的球磨鍋，旋轉20小時進行混合。然後，僅將混合粉A填充至碳製模具，於真空環境中，在溫度1000℃、保持時間2小時、加壓力30MPa的條件下，進行熱壓而得到燒結體(燒結體A)。然後，使用顎式壓碎機與石磨型粉碎機將該燒結體粉碎後，使用孔徑為38μm與106μm之篩進行篩選，得到粒徑為38~106μm的燒結 體粉A。
接著以濺鍍靶整體之組成成為下述組成比的方式各別秤量燒結體粉A與混合粉B，使燒結體粉A為471.4g，混合粉B為1528.6g。
(靶組成)：69Co-12Cr-10Pt-3TiO2-3SiO2-3B2O3(mol%)
然後將經秤量之粉末投入球容量約7公升的行星運動型混合機，混合20分鐘，得到二次燒結體製作用混合粉。將以此方式製得之二次燒結體製作用混合粉填充於碳製模具，於真空環境中，在溫度850℃、保持時間2小時、加壓力30MPa的條件下進行熱壓，得到相對密度98.3%的燒結體。進一步用車床對該燒結體進行切削加工，得到直徑為180mm、厚度5mm的圓盤狀濺鍍靶。
觀察實施例6之濺鍍靶的組織後，可確認具有TiO2分散在Co中之區域(非Cr系區域)及SiO2與B2O3分散在Co-Cr-Pt合金中之區域(Cr系區域)，且非Cr系區域散佈在Cr系區域中。
並且，在靶組織面上任意選擇的8個地方，以100μm×75μm的視野尺寸對靶研磨面的組織進行拍攝，然後以影像處理軟體將所拍攝之組織照片二值化，求出每一氧化物粒子的平均面積，結果為1.9μm2。
接著，將此靶安裝在DC磁控濺鍍裝置進行濺鍍。使濺鍍條件為濺鍍功率1kw、Ar氣壓1.5Pa，實施2kWhr之預濺鍍後，以目標膜厚1000nm濺鍍在4吋直徑的矽基板上。 然後，以顆粒計數器計算附著在基板上的顆粒個數。結果，矽基板上的顆粒數為6個。
(比較例7)
準備平均粒徑3μm之Co粉末、平均粒徑5μm之Cr粉末、平均粒徑2μm之Pt粉末作為金屬原料粉末，準備平均粒徑1μm之TiO2粉末、平均粒徑1μm之SiO2粉末、平均粒徑10μm之B2O3粉末作為氧化物原料粉末。接著，以濺鍍靶整體之組成成為下述組成比的方式秤量此等之粉末，使合計為2000.0g。
(靶組成)：69Co-12Cr-10Pt-3TiO2-3SiO2-3B2O3(mol%)
然後將經秤量之粉末與粉碎媒體之二氧化鋯磨球一起封閉在容量10公升的球磨鍋，旋轉20小時進行混合。將以此方式製得之混合粉填充至碳製模具，於真空環境中，在溫度850℃、保持時間2小時、加壓力30MPa的條件下進行熱壓，而得到相對密度98.7%的燒結體。進一步用車床對該燒結體進行切削加工，得到直徑為180mm、厚度5mm的圓盤狀濺鍍靶。
觀察比較例7之濺鍍靶的組織後，可確認在Co-Cr-Pt合金中分散有TiO2、SiO2與B2O3。並且，在靶組織面上任意選擇的8個地方，以100μm×75μm的視野尺寸對靶研磨面的組織進行拍攝，然後以影像處理軟體將所拍攝之組織照片二值化，求出每一氧化物粒子的平均面積，結果為3.1μm2，與實施例6相較之下，呈氧化物粗大化之結果。
接著，將此靶安裝在DC磁控濺鍍裝置進行濺鍍。使濺鍍條件為濺鍍功率1kw、Ar氣壓1.5Pa，實施2kWhr之預濺鍍後，以目標膜厚1000nm濺鍍在4吋直徑的矽基板上。然後，以顆粒計數器計算附著在基板上的顆粒個數。結果，矽基板上的顆粒數為18個，與實施例6相較之下，顆粒數多。
(實施例7)
準備平均粒徑3μm之Co粉末、平均粒徑5μm之Cr粉末、平均粒徑2μm之Pt粉末作為金屬原料粉末，準備平均粒徑1μm之TiO2粉末、平均粒徑1μm之SiO2粉末、平均粒徑3μm之MnO粉末作為氧化物原料粉末。然後，為了製作混合粉A與混合粉B，分別以下述組成比各秤量2000g。
(混合粉A)：89.29Co-10.71TiO2(mol%)
(混合粉B)：61.10Co-16.67Cr-13.89Pt-2.78SiO2-5.56MnO(mol%)
接著將經秤量之粉末各別與粉碎媒體之二氧化鋯磨球一起封閉在容量10公升的球磨鍋，旋轉20小時進行混合。然後，僅將混合粉A填充至碳製模具，於真空環境中，在溫度1000℃、保持時間2小時、加壓力30MPa的條件下，進行熱壓而得到燒結體(燒結體A)。然後，使用顎式壓碎機與石磨型粉碎機將該燒結體粉碎後，使用孔徑為38μm與106μm之篩進行篩選，得到粒徑為38~106μm的燒結體粉A。
接著以濺鍍靶整體之組成成為下述組成比的方式各別秤量燒結體粉A與混合粉B，使燒結體粉A為470.2g，混合粉B為1529.8g。
(靶組成)：69Co-12Cr-10Pt-3TiO2-2SiO2-4MnO(mol%)
然後將經秤量之粉末投入球容量約7公升的行星運動型混合機，混合20分鐘，得到二次燒結體製作用混合粉。將以此方式製得之二次燒結體製作用混合粉填充於碳製模具，於真空環境中，在溫度950℃、保持時間2小時、加壓力30MPa的條件下進行熱壓，得到相對密度98.2%的燒結體。進一步用車床對該燒結體進行切削加工，得到直徑為180mm、厚度5mm的圓盤狀濺鍍靶。
觀察實施例7之濺鍍靶的組織後，可確認具有TiO2分散在Co中之區域(非Cr系區域)及SiO2與MnO分散在Co-Cr-Pt合金中之區域(Cr系區域)，且非Cr系區域散佈在Cr系區域中。
並且，在靶組織面上任意選擇的8個地方，以100μm×75μm的視野尺寸對靶研磨面的組織進行拍攝，然後以影像處理軟體將所拍攝之組織照片二值化，求出每一氧化物粒子的平均面積，結果為1.6μm2。
接著，將此靶安裝在DC磁控濺鍍裝置進行濺鍍。使濺鍍條件為濺鍍功率1kw、Ar氣壓1.5Pa，實施2kWhr之預濺鍍後，以目標膜厚1000nm濺鍍在4吋直徑的矽基板上。然後，以顆粒計數器計算附著在基板上的顆粒個數。結果， 矽基板上的顆粒數為6個。
(比較例8)
準備平均粒徑3μm之Co粉末、平均粒徑5μm之Cr粉末、平均粒徑2μm之Pt粉末作為金屬原料粉末，準備平均粒徑1μm之TiO2粉末、平均粒徑1μm之SiO2粉末、平均粒徑3μm之MnO粉末作為氧化物原料粉末。接著，以濺鍍靶整體之組成成為下述組成比的方式秤量此等之粉末，使合計為2000.0g。
(靶組成)：69Co-12Cr-10Pt-3TiO2-2SiO2-4MnO(mol%)
然後將經秤量之粉末與粉碎媒體之二氧化鋯磨球一起封閉在容量10公升的球磨鍋，旋轉20小時進行混合。將以此方式製得之混合粉填充至碳製模具，於真空環境中，在溫度950℃、保持時間2小時、加壓力30MPa的條件下進行熱壓，而得到相對密度98.7%的燒結體。進一步用車床對該燒結體進行切削加工，得到直徑為180mm、厚度5mm的圓盤狀濺鍍靶。
觀察比較例8之濺鍍靶的組織後，可確認在Co-Cr-Pt合金中分散有TiO2、SiO2與MnO。並且，在靶組織面上任意選擇的8個地方，以100μm×75μm的視野尺寸對靶研磨面的組織進行拍攝，然後以影像處理軟體將所拍攝之組織照片二值化，求出每一氧化物粒子的平均面積，結果為2.9μm2，與實施例6相較之下，呈氧化物粗大化之結果。
接著，將此靶安裝在DC磁控濺鍍裝置進行濺鍍。使濺 鍍條件為濺鍍功率1kw、Ar氣壓1.5Pa，實施2kWhr之預濺鍍後，以目標膜厚1000nm濺鍍在4吋直徑的矽基板上。然後，以顆粒計數器計算附著在基板上的顆粒個數。結果，矽基板上的顆粒數為13個，與實施例6相較之下，顆粒數多。
可確認無論是實施例1~7中哪一個實施例，各氧化物粒子的平均面積皆未達2.0μm2，且都微細分散有氧化物。此種組織構造由於可抑制濺鍍時產生的顆粒量，提升成膜時的產率，故可知具有非常重要的作用。
產業上之可利用性
本發明之濺鍍靶及其製造方法，由於可抑制粗大複合氧化物粒的形成，提升氧化物的分散性，故具有可使濺鍍時產生之顆粒量降低、提升成膜時之產率的優異效果。因此，適用作為用以形成粒狀膜的濺鍍靶。
圖1，係以光學顯微鏡觀察實施例3之靶時的組織影像。

Claims (9)

  1. 一種濺鍍靶，含有Cr：0.5~45mol%、剩餘部分為Co作為金屬成分，含有包含Ti氧化物之2種以上的氧化物作為非金屬成分，其特徵在於：其組織係由至少包含Ti氧化物之氧化物分散在Co中的區域(非Cr系區域)及Ti氧化物以外之氧化物分散在Cr或Co-Cr中的區域(Cr系區域)構成，該非Cr系區域散佈在該Cr系區域。
  2. 一種濺鍍靶，含有Cr：0.5~30mol%、Pt：0.5~30mol%、剩餘部分為Co作為金屬成分，含有包含Ti氧化物之2種以上的氧化物作為非金屬成分，其特徵在於：其組織係由至少包含Ti氧化物之氧化物分散在Co或Co-Pt中的區域(非Cr系區域)及Ti氧化物以外之氧化物分散在Co-Cr、Cr-Pt、Co-Cr-Pt中之任1種以上之相中的區域(Cr系區域)構成，該非Cr系區域散佈在該Cr系區域。
  3. 如申請專利範圍第1項之濺鍍靶，其中，該2種以上的氧化物(不包含Ti氧化物)係由選自B、Mg、Al、Si、Cr、Zr、Nb、Ta中1種以上之元素構成的氧化物。
  4. 如申請專利範圍第2項之濺鍍靶，其中，該2種以上的氧化物(不包含Ti氧化物)係由選自B、Mg、Al、Si、Cr、Zr、Nb、Ta中1種以上之元素構成的氧化物。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之濺鍍靶，其中之氧化物以體積比率計，在20%以上、未達50%。
  6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之濺鍍靶，其進一步含有選自B、Cu、Mo、Ru、Ta、W中之1種以上的元素作為金屬成分。
  7. 如申請專利範圍第5項之濺鍍靶，其進一步含有選自B、Cu、Mo、Ru、Ta、W中之1種以上的元素作為金屬成分。
  8. 一種濺鍍靶之製造方法，係由下述步驟構成：在真空中或惰性氣體環境中對混合有金屬粉與含Ti氧化物之氧化物粉的混合粉A進行加壓燒結製造燒結體A，將此燒結體A粉碎、篩選，製造對應於該非Cr系區域之燒結體粉A；製造混合有金屬粉與Ti氧化物以外之氧化物粉的對應於該Cr系區域之混合粉B；及將該燒結體粉A與該混合粉B混合後，在真空中或惰性氣體環境中將其加壓燒結，製造作為靶材的二次燒結體。
  9. 如申請專利範圍第8項之濺鍍靶之製造方法，其中，燒結體粉A的粒徑為20~200μm。
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