JP2006024346A - 磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 信頼性を向上し高密度の情報の記録再生が可能な小径の磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】 非磁性基板上に、少なくとも裏打ち層と垂直磁気記録膜と保護膜を有する磁気記録媒体において、非磁性基板を、直径４８ｍｍ以下の円盤形のシリコンとし、保護膜をＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）で構成し、垂直磁気記録膜を、少なくともＣｏとＰｔと酸化物を含むグラニュラー構造とする。また酸化物を、ＳｉＯ_２，Ｃｒ_２Ｏ_３，ＴｉＯ，ＴｉＯ_２，Ｔａ_２Ｏ_５からなる群から選ばれた何れか一種を含む構成とする。
【選択図】 図１

Description

本発明は、磁気記録媒体、その製造方法、およびこの磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置に関するものである。

垂直磁気記録方式は、従来、媒体の面内方向に向けられていた磁気記録層の磁化容易軸を媒体の垂直方向に向けることにより、記録ビット間の境界である磁化遷移領域付近での反磁界が小さくなるため、記録密度が高くなるほど静磁気的に安定となって熱揺らぎ耐性が向上することから、面記録密度の向上に適した方式である。

また、基板と垂直磁気記録膜との間に軟磁性材料からなる裏打ち層を設けた場合には、いわゆる垂直２層媒体として機能し、高い記録能力を得ることができる。このとき、軟磁性裏打ち層は磁気ヘッドからの記録磁界を還流させる役割を果たしており、記録再生効率を向上させることができる。

一般に垂直磁気記録媒体は、基板上に裏打ち層（軟磁性膜）を設け、磁性層の磁化容易軸を基板面に対して垂直に配向させる下地膜、Ｃｏ合金からなる垂直磁気記録膜および保護膜の順で構成されている。垂直磁気記録膜に酸化物を含むグラニュラー構造である材料を用いた垂直磁気記録媒体が提案されている（例えば、特許文献１または２参照。）。
特開２００３−１６８２０７号公報 特開２００３−３４６３３４号公報

しかしながら、垂直２層媒体を用いる垂直磁気記録方式により高記録密度記録が可能な磁気記録再生装置を実用化するためには、信頼性の解決が不可欠である。一般的に用いられているガラス基板を用いると、ガラス基板の成分が媒体表面に析出するなどの問題が発生する。特に垂直磁気記録媒体で垂直磁気記録膜に酸化物を含む材料を用いた際には、顕著になる。さらに垂直磁気記録膜がグラニュラー構造であることでガラス基板以外の元素、例えば軟磁性膜、配向制御膜に用いる元素が析出するという問題も大きなものになる。

記録密度を高記録密度化することで、より小径の磁気記録媒体を提供することも可能になる。しかしながら、小径の基板を用いた際には、例えば上記問題の解決のために保護膜をＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）とするためには、ＤＬＣを成膜する際に、基板にバイアスを印加することが必要になる。小径基板が絶縁のガラス基板を用いると、バイアス印加するためには、生産性が大きく悪化するために好ましくない。シリコン基板を用いることで、生産性を悪化させることなくＤＬＣを安易に成膜することが可能となる。

垂直磁気記録膜に酸化物を含んだグラニュラー構造を用いると、欠陥起因の腐食（コロージョン）の発生が起こりやすくなるため、問題を解決しかつ安易に製造が可能な磁気記録媒体が要望されていた。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、信頼性を向上し高密度の情報の記録再生が可能な磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
（１）非磁性基板上に、少なくとも裏打ち層と垂直磁気記録膜と保護膜を有する磁気記録媒体において、非磁性基板が、直径４８ｍｍ以下の円盤形のシリコンであることを特徴とする磁気記録媒体。
（２）非磁性基板が直径２０ｍｍ以下の円盤形のシリコンであることを特徴とする（１）に記載の磁気記録媒体。
（３）保護膜がＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）からなることを特徴とする（１）または（２）に記載の磁気記録媒体
（４）垂直磁気記録膜が少なくともＣｏとＰｔと酸化物を含むグラニュラー構造であることを特徴とする（１）〜（３）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
（５）酸化物が、ＳｉＯ_２，Ｃｒ_２Ｏ_３，ＴｉＯ，ＴｉＯ_２，Ｔａ_２Ｏ_５からなる群から選ばれた何れか一種を含むことを特徴とする（４）記載の磁気記録媒体。
（６）シリコン基板上に、少なくとも裏打ち層と垂直磁気記録膜と保護膜を有する磁気記録媒体の製造方法であって、保護膜を形成する際に基板にバイアスを印加することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
（７）基板を加熱しないことを特徴とする（６）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（８）（６）または（７）に記載の磁気記録媒体の製造方法を用いて製造した磁気記録媒体。
（９）磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを備えた磁気記録再生装置であって、磁気ヘッドが単磁極ヘッドであり、磁気記録媒体が、（１）〜（５）または（８）の何れか１項に記載の磁気記録媒体であることを特徴とする磁気記録再生装置。

非磁性基板上に、少なくとも裏打ち層と垂直磁気記録膜と保護膜を有する垂直磁気記録媒体において、前記非磁性基板が、直径４８ｍｍ以下の円盤形のシリコンであることを特徴とすることにより、信頼性に優れた磁気記録媒体を安易に製造することが可能となり、高密度の情報の記録再生が可能な磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置を提供できるようになった。

図１は、本発明の磁気記録媒体の第１の実施形態の一例を示すものである。ここに示されている磁気記録媒体は、シリコン基板１上に、軟磁性膜２と、配向制御層膜３と、垂直磁気記録膜４と、保護膜５と潤滑膜６とが順次形成された構成となっている。

シリコン基板としては、単結晶シリコン、ボロンをドープしたシリコンなどを原料とした基板を用いることができる。

導電性を有するシリコン基板を用いることで、保護膜を形成する際に基板にバイアスを安定して印加することができるようにできる。

さらにシリコン基板を用いることで、ガラス基板を用いた際に問題となるガラス基板中に含まれるアルカリ金属などが含まれていないために、アルカリ金属が媒体表面上に析出するという問題が生じることがないので好ましい。

シリコン基板の直径は４８ｍｍ以下（特に２０ｍｍ以下）の円形であることが好ましい。４８ｍｍを超える大きさの基板を用いて媒体を作製する際には、いわゆる持ち換え（基板上に膜を成膜した後に、基板へのバイアス印加部、例えば基板を搬送する際のホルダーとの接触部をずらす）をすることや、基板成膜部に接触させる機構を用いることで、バイアスを印加するが容易に可能である。しかしながら、４８ｍｍ以下（特に２０ｍｍ以下）では、基板の径が小さいために上記の持ち替えが困難であり、生産性を大きく悪化させてしまうという問題が生じる。シリコン基板を用いることで、上記持ち替えの機構が必要がなく、生産性を悪化させることなく媒体を作製することが可能となる。

シリコン基板は、平均表面粗さＲａが１ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以下、さらに好ましくは０．３ｎｍ以下であるとことがヘッドを低浮上させた高記録密度記録に適している点から望ましい。

また、表面の微小うねり（Ｗａ）が０．３ｎｍ以下（より好ましくは０．２５ｎｍ以下）であるのがヘッドを低浮上させた高記録密度記録に適している点から好ましい。端面のチャンファー部の面取り部、側面部の少なくとも一方のいずれの表面平均粗さＲａが１０ｎｍ以下（より好ましくは９．５ｎｍ以下）のものを用いることが磁気ヘッドの飛行安定性にとって好ましい。微少うねり（Ｗａ）は、例えば、表面粗さ測定装置Ｐ−１２（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製）を用い、測定範囲８０μｍでの表面平均粗さとして測定することができる。

軟磁性膜は、軟磁性材料からなるもので、この材料としては、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏを含む材料を用いることができる。特に、Ｃｏを８０原子％以上含有し、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ等のうち少なくとも１種を含有するＣｏ合金を用いることが望ましい。

この材料としては、ＣｏＺｒ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ、ＣｏＺｒＣｒ、ＣｏＺｒＭｏ系合金などを好適なものとして挙げることができる。

また、Ｆｅを６０原子％以上含有するＦｅＡｌＯ、ＦｅＭｇＯ、ＦｅＴａＮ、ＦｅＺｒＮ等の微結晶構造、あるいは微細な結晶粒子がマトリクス中に分散されたグラニュラー構造を有する材料を用いてもよい。

上記のほか、軟磁性膜２の材料としては、ＦｅＣｏ合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＢなど）、ＦｅＮｉ合金（ＦｅＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＮｉＣｒ、ＦｅＮｉＳｉなど）、ＦｅＡｌ合金（ＦｅＡｌ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌＳｉＣｒ、ＦｅＡｌＳｉＴｉＲｕ、ＦｅＡｌＯなど）、ＦｅＣｒ合金（ＦｅＣｒ、ＦｅＣｒＴｉ、ＦｅＣｒＣｕなど）、ＦｅＴａ合金（ＦｅＴａ、ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮなど）、ＦｅＭｇ合金（ＦｅＭｇＯなど）、ＦｅＺｒ合金（ＦｅＺｒＮなど）、ＦｅＣ合金、ＦｅＮ合金、ＦｅＳｉ合金、ＦｅＰ合金、ＦｅＮｂ合金、ＦｅＨｆ合金、ＦｅＢ合金、ＣｏＢ合金、ＣｏＰ合金、ＣｏＮｉ合金（ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＢ、ＣｏＮｉＰなど）、ＦｅＣｏＮｉ合金（ＦｅＣｏＮｉ、ＦｅＣｏＮｉＰ、ＦｅＣｏＮｉＢなど）などを挙げることができる。
軟磁性膜は、アモルファス構造または微細結晶構造からなることが好ましい。アモルファス構造または微細結晶構造とすることで、表面が平滑化することにより、上に設けられる垂直磁気記録膜の結晶配向性を悪化させることがないからである。

軟磁性膜の保磁力Ｈｃは２０（Ｏｅ）以下（好ましくは１０（Ｏｅ）以下）とするのが好ましい。なお、１Ｏｅは、約７９Ａ／ｍである。

軟磁性下地膜２の飽和磁束密度Ｂｓは、０．６Ｔ以上（好ましくは１Ｔ以上）とするのが好ましい。

また、裏打ち層に用いる軟磁性膜の飽和磁束密度Ｂｓ（Ｔ）と軟磁性膜の膜厚ｔ（ｎｍ）との積Ｂｓ・ｔ（Ｔ・ｎｍ）の総和が２０（Ｔ・ｎｍ）以上（好ましくは４０（Ｔ・ｎｍ）以上）であることが好ましい。このＢｓ・ｔが上記範囲未満であると、ＯＷ特性が悪化するため好ましくない。

裏打ち層に用いる軟磁性膜の膜厚ｔ（ｎｍ）は１２０（ｎｍ）以下（好ましくは８０（ｎｍ）以下）であることが好ましい。軟磁性膜の厚さが上記範囲を超えると表面性の悪化による特性の劣化や生産性の悪化が生じるため好ましくない。

軟磁性膜の形成方法としては、スパッタリング法、めっき法を用いることができる。

最上層の軟磁性膜の表面（配向制御膜側の面）は、軟磁性膜を構成する材料が部分的、あるいは完全に酸化されていることもできる。つまり、最上層の軟磁性膜の表面（配向制御膜側の面）およびその近傍に、軟磁性膜を構成する材料が部分的に酸化されるか、もしくは前記材料の酸化物を形成して配されていることもできる。

軟磁性膜２は積層構造とすることが好ましい。軟磁性膜の間にＲｕを形成することで、Ｒｕの上下の軟磁性膜が反強磁性結合する。Ｒｕの膜厚は０．６ｎｍから１ｎｍの間であることが好ましい。

また、シリコン基板と軟磁性膜の間にＭｎＩｒ、ＭｎＦｅなどの反強磁性膜を設けてもよい。反強磁性膜と軟磁性膜が交換結合することで一方向に磁化を揃えためのものである。この磁化の向きとしては基板半径方向であることが好ましい。ＭｎＩｒ、ＭｎＦｅ系合金は軟磁性膜および反強磁性膜を磁場中で成膜することで軟磁性膜と反強磁性膜とを交換結合させることが可能であり、また成膜した後の磁場中でのアニールや冷却をおこなうことでさらに強固に交換結合をさせることができる。軟磁性膜の磁区を単一化することで、外部磁界に対しての磁気的な安定性が向上するので好ましい。

反強磁性膜の膜厚は、ＭｎＩｒ系合金では３（ｎｍ）以上１０（ｎｍ）以下、ＭｎＦｅ系合金では、１０（ｎｍ）以上３０（ｎｍ）以下であることが好ましい。特に、ＭｎＩｒ系合金が４（ｎｍ）から７（ｎｍ）の範囲では、交換結合磁界も十分に大きくすることができ、厚さも薄いために好ましい。

軟磁性結晶下地膜は反強磁性の結晶性を改善し、交換結合磁界を大きくするためのものである。軟磁性結晶下地膜としては、ｆｃｃまたはｈｃｐ構造を有する材料であることが好ましい。

配向制御膜は、垂直磁気記録膜の配向および粒径を制御するためのものである。配向制御膜の材料としては、ＲｕまたはＲｕ合金が好ましい。

配向制御膜の厚さを３ｎｍ以上３０ｎｍ（特に１０〜２０ｎｍ）とするのが好ましい。配向制御膜の厚さが上記範囲であるとき、垂直磁気記録膜の配向性がよく、かつ記録時における磁気ヘッドと裏打ち層との距離を小さくすることができるので、再生信号の分解能を低下させることなく記録再生特性を高めることができるからである。

配向制御膜は、Ｒｕと酸化物のグラニュラー構造としてもよい。酸化物としては、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＣｏＯ、Ｔａ_２Ｏ_５などを挙げることができる。

垂直磁気記録膜は、その磁化容易軸が基板に対して主に垂直方向に向いたものであり、少なくともＣｏとＰｔと酸化物からなるグラニュラー構造を有することが好ましい。

特にＣｏＰｔにＳｉＯ_２、ＴｉＯ、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＣｏＯ、Ｔａ_２Ｏ_５などの酸化物からなるグラニュラー構造であることが好ましい。
特にＰｔの含有量が１０原子％以上２２原子％以下（好ましくは１３原子％以上２０原子％以下）であることが好ましい。ターゲットに酸化物を添加して成膜して作成する方法やＣｏＰｔ合金を成膜する際に酸素を添加して反応性スパッタで成膜する方法がある。

主に垂直方向に向いたものとは垂直方向の保磁力Ｈｃ（Ｐ）と面内方向の保磁力Ｈｃ（Ｌ）がＨｃ（Ｐ）＞Ｈｃ（Ｌ）である垂直磁気記録膜のことである。

Ｐｔの含有量が上記範囲未満であると、記録再生特性の改善効果が不十分であるとともに、残留磁化（Ｍｒ）と飽和磁化（Ｍｓ）の比Ｍｒ／Ｍｓが低下し熱揺らぎ耐性が悪化するため好ましくない。また、Ｐｔの含有量が上記範囲を超えると、ノイズが増大するため好ましくない。

垂直磁気記録膜は、少なくともＣｏとＰｔと酸化物を含む材料からなる１層構造とすることもできるし、組成の異なる材料からなる２層以上の構造とすることもできる。

垂直磁気記録膜の厚さは、５〜２０ｎｍ（より好ましくは１０〜１６ｎｍ。）とするのが好ましい。垂直磁気記録膜の厚さが５ｎｍ以上であると、十分な磁束が得ることができ、再生時における出力が低くならず、出力波形がノイズ成分にうもれてしまうことがないので、より高記録密度に適した磁気記録再生装置として動作するので好ましい。また、垂直磁気記録膜の厚さが２０ｎｍ以下であると、垂直磁気記録膜内の磁性粒子の粗大化を抑えることができ、ノイズの増大といった記録再生特性の劣化が生じるおそれがないため好ましい。

垂直磁気記録膜の保磁力は、４０００（Ｏｅ）以上とすることが好ましい。保磁力が４０００（Ｏｅ）未満であると、高記録密度における必要な分解能が得られず、また熱揺らぎ耐性が劣るため好ましくない。

垂直磁気記録膜の残留磁化（Ｍｒ）と飽和磁化（Ｍｓ）の比Ｍｒ／Ｍｓが０．９５以上であることが好ましい。Ｍｒ／Ｍｓが０．９５未満の磁気記録媒体は、熱揺らぎ耐性に劣るため好ましくない。

垂直磁気記録膜の逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）は、１０００以上であることが好ましい。逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）が、１０００未満の磁気記録媒体は、熱揺らぎ耐性に劣るため好ましくない。

垂直磁気記録膜は、結晶粒子の平均粒径が４ｎｍ以上８ｎｍ以下であることが好ましい。この平均粒径は、例えば垂直磁気記録膜の結晶粒子をＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）で観察し、観察像を画像処理することにより求めることができる。

保護膜は垂直磁気記録膜の腐食を防ぐとともに、磁気ヘッドが媒体に接触したときに媒体表面の損傷を防ぐためのもので、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）であることが好ましい。保護層の厚さは、１ｎｍ以上５ｎｍ以下とするのがヘッドと媒体の距離を小さくできるので高記録密度の点から望ましい。

潤滑膜には従来公知の材料、例えばパーフルオロポリエーテル、フッ素化アルコール、フッ素化カルボン酸などを用いるのが好ましい。

本形態の磁気記録媒体にあっては、少なくとも裏打ち層と垂直磁気記録膜と保護膜を有する垂直磁気記録媒体において、前記非磁性基板が、直径４８ｍｍ以下の円盤形のシリコンである磁気記録媒体であるので、生産性に優れた小径の磁気記録媒体となる。さらに信頼性にも優れている磁気記録媒体となる。

図２は、上記磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置の例を示すものである。ここに示す磁気記録再生装置は、磁気記録媒体１０と、磁気記録媒体１０を回転駆動させる媒体駆動部１１と、磁気記録媒体１０に情報を記録再生する磁気ヘッド１２と、ヘッド駆動部１３と、記録再生信号処理系１４とを備えている。記録再生信号処理系１４は、入力されたデータを処理して記録信号を磁気ヘッド１２に送ったり、磁気ヘッド１２からの再生信号を処理してデータを出力することができるようになっている。

以下、実施例を示して本発明の作用効果を明確にする。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
（実施例１）
洗浄済みのシリコン基板（直径２０ｍｍ）をＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ社製Ｃ−３０１０）の成膜チャンバ内に収容して、到達真空度１×１０^−５Ｐａとなるまで成膜チャンバ内を排気した後、このシリコン基板上に軟磁性膜として８９Ｃｏ−４Ｚｒ−７Ｎｂ（Ｃｏ含有量８９原子％、Ｚｒ含有量４原子％、Ｎｂ含有量７原子％）を５０ｎｍ、Ｒｕを０．８ｎｍ、８９Ｃｏ−４Ｚｒ−７Ｎｂを５０ｎｍを成膜した。次いで、配向制御膜としてＲｕを２０ｎｍ、垂直磁気記録膜として６６Ｃｏ−８Ｃｒ−１８Ｐｔ−８ＳｉＯ２を１２ｎｍ成膜した。この間、基板加熱は一切おこなわなかった。

次いで、ＣＶＤ法により４ｎｍの保護膜（ＤＬＣ）を形成した。

次いで、ディッピング法によりパーフルオロポリエーテルからなる潤滑膜を形成し、磁気記録媒体を得た。
（比較例１）
シリコン基板の代わりにガラス基板（結晶化ガラス）を用いたこと以外は、実施例１に準じて磁気記録媒体を作製した。
（比較例２）
保護膜をスパッタ法で成膜した（非ＤＬＣ膜）以外は実施例１に準じて磁気記録媒体を作製した。

これら実施例および比較例の磁気記録媒体について、記録再生特性および信頼性の評価をおこなった。記録再生特性の評価は、米国ＧＵＺＩＫ社製リードライトアナライザＲＷＡ１６３２、およびスピンスタンドＳ１７０１ＭＰを用いて測定した。

記録再生特性の評価には、書き込みをシングルポール磁極、再生部にＧＭＲ素子を用いたヘッドを用いて、記録周波数条件を信号（ＴＡＡｏ−ｐ）を線記録密度１２０ｋＦＣＩ，ノイズ（ｎｏｉｓｅ）を線記録密度７２０ｋＦＣＩとして測定した。ＳＮＲは以下の式から算出した。
ＳＮＲ＝２０×ｌｏｇ（ＴＡＡｏ−ｐ／Ｎｏｉｓｅ）
信頼性の評価は、以下記載の方法で測定した。作製した垂直磁気記録媒体を温度６０℃、湿度８０％の高温高湿環境下に１２０時間放置した後に３０ｍｌの超純水中で３０分揺動してＣｏとＬｉを抽出した。抽出したＣｏとＬｉの濃度をＩＣＰ発光分光分析法によって測定した。

実施例１は、比較例１に比較して記録再生特性は同等で、Ｃｏの抽出量が小さく、Ｓｉ基板を用いていることによりＬｉの溶出もなく、信頼性が大きく改善することが確認できた。また、比較例２に比較して記録再生特性は同等で、Ｃｏの抽出量が小さく、信頼性が大きく改善することが確認できた。

以上述べたように本発明によれば、非磁性基板上に、少なくとも裏打ち層と垂直磁気記録膜と保護膜を有する垂直磁気記録媒体において、前記非磁性基板が、直径４８ｍｍ以下の円盤形のシリコンとすることで、信頼性に優れた磁気記録媒体を安易に製造することが可能となり、高密度の情報の記録再生が可能な磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置を提供できる。

本発明の磁気記録媒体の一例を示す断面図である。 本発明の磁気記録再生装置の１例を示す概略図である。

符号の説明

１ シリコン基板
２ 軟磁性膜
３ 配向制御膜
４ 垂直磁気記録膜
５ 保護膜
６ 潤滑膜
１０ 磁気記録媒体
１１ 媒体駆動部
１２ 磁気ヘッド
１３ ヘッド駆動部
１４ 記録再生信号処理系

Claims (9)

1. 非磁性基板上に、少なくとも裏打ち層と垂直磁気記録膜と保護膜を有する磁気記録媒体において、非磁性基板が、直径４８ｍｍ以下の円盤形のシリコンであることを特徴とする磁気記録媒体。
2. 非磁性基板が直径２０ｍｍ以下の円盤形のシリコンであることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
3. 保護膜がＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）からなることを特徴とする請求項１または２に記載の磁気記録媒体
4. 垂直磁気記録膜が少なくともＣｏとＰｔと酸化物を含むグラニュラー構造であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
5. 酸化物が、ＳｉＯ_２，Ｃｒ_２Ｏ_３，ＴｉＯ，ＴｉＯ_２，Ｔａ_２Ｏ_５からなる群から選ばれた何れか一種を含むことを特徴とする請求項４記載の磁気記録媒体。
6. シリコン基板上に、少なくとも裏打ち層と垂直磁気記録膜と保護膜を有する磁気記録媒体の製造方法であって、保護膜を形成する際に基板にバイアスを印加することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
7. 基板を加熱しないことを特徴とする請求項６に記載の磁気記録媒体の製造方法。
8. 請求項６または７に記載の磁気記録媒体の製造方法を用いて製造した磁気記録媒体。
9. 磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを備えた磁気記録再生装置であって、磁気ヘッドが単磁極ヘッドであり、磁気記録媒体が、請求項１〜５または８の何れか１項に記載の磁気記録媒体であることを特徴とする磁気記録再生装置。

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