WO2007114356A1 - 垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法 - Google Patents

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oxide
recording medium
magnetic recording
target
sputtering target
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Sohei Nonaka
Yoshinori Shirai
Yukiya Sugiuchi
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Mitsubishi Materials Corporation
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    • B22F2998/00—Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy

Definitions

  • the present invention relates to a magnetic recording film applied to a high-density magnetic recording medium of a hard disk, in particular, a perpendicular magnetic recording medium having a low in-plane relative permeability for forming a magnetic recording film applied to a perpendicular magnetic recording medium.
  • the present invention relates to a method for producing a sputtering target for film formation, a sputtering target for forming a perpendicular magnetic recording medium film having a low in-plane relative relative permeability, and a sputtering target for forming a perpendicular magnetic recording medium film having a high leakage magnetic flux density.
  • Hard disk devices are generally used as external recording devices such as computers and digital home appliances, and further improvement in recording density is required. Therefore, in recent years, a perpendicular magnetic recording method that can realize ultra-high density recording has been attracting attention. Unlike the conventional in-plane recording method, this perpendicular magnetic recording method is said to have a recording magnetization that becomes stable in principle as the recording density increases, and is being developed and put into practical use. Some are. CoCrPt_Si * Darayura magnetic recording film has been proposed as a promising candidate material for the recording layer of this perpendicular magnetic recording hard disk medium.
  • the Pt-SiO dull magnetic recording film is composed of a Co-based sintered alloy phase containing Cr and Pt and silicon dioxide.
  • Non-Patent Document 1 It is known to produce by a magnetron sputtering method using a sputtering target having an elementary mixed phase (see Non-Patent Document 1).
  • This sputtering target is usually composed of silicon dioxide powder, Cr powder, Pt powder and C o
  • the powder contains silicon dioxide: 2 to: 15 mol%, ⁇ 1 :: 3 to 20 monole%, 5 to 30 mol%, and the balance: the mixture containing Co is mixed and then vacuumed It is known to be produced by hot pressing or hot isostatic pressing.
  • non-magnetic oxides such as O, ZrO, CeO and YO can be used (patented)
  • this sputtering target for forming a magnetic recording medium film is mainly composed of a Co-based alloy containing Cr and Pt, which are ferromagnetic alloys, and therefore, compared with a non-magnetic target.
  • the rate at which the magnetic flux passes through the target is large, and the magnetic flux leaking over the target is extremely small.
  • This is a magnetron sputtering method in which a magnetic circuit is placed under the target and the discharge is stabilized by increasing the ionization efficiency of the rare gas by using the magnetic flux leaking above the target, thereby improving the deposition rate. Is a big problem.
  • magnetron sputtering is performed using a target with a low leakage magnetic flux density and a small amount of magnetic flux leaking over the target, it will cause problems such as unstable discharge or extremely slow deposition even if it can be discharged. .
  • Non-Patent Document 1 "Fuji Times" Vol. 75, No. 3 2002 (169-: 172 pages)
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-236643
  • Patent Document 2 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-339586
  • Patent Document 3 Japanese Patent Laid-Open No. 2003-36525
  • Patent Document 4 Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2006-24346
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and can perform magnetron sputtering efficiently without reducing the thickness of the target, and can form an excellent magnetic recording film.
  • the purpose is to provide a method.
  • the present inventors conducted research to obtain a sputtering target capable of performing magnetron sputtering without reducing the thickness of the target, and as a result, obtained the following knowledge.
  • the relative permeability in the in-plane direction of the target should be reduced to 50 or less (more preferably 40 or less). This makes it easier for the magnetic flux to escape above the target.
  • Targets with a low relative permeability in the in-plane direction include non-silicon oxide, tantalum oxide, titanium oxide, aluminum oxide, magnesium oxide, sodium oxide, zirconium oxide, cerium oxide and yttrium oxide.
  • the plate-like sintered body containing 5 to 30 mol% and the balance: Co is retained at a temperature of 450 ° C or less, and the reduction ratio is 2 to 20% in the thickness direction. Can be produced.
  • the leakage magnetic flux density can be further increased by making the relative permeability in the inner direction smaller than the relative permeability in the thickness direction of the target.
  • a method for producing a sputtering target for forming a perpendicular magnetic recording medium film of the present invention is not Magnetic oxide 2 to 15 mol 0/0, 0 ": 3-20 contained Monore% ,? 5-30 mol%, the balance: a plate-shaped sintered body having a chemical composition comprising C o and inevitable impurities, Temperature: It is characterized by compressing in the thickness direction of the plate-like sintered body while maintaining it at 450 ° C or lower.
  • the nonmagnetic oxide may be any of silicon dioxide, tantalum oxide, titanium oxide, aluminum oxide, magnesium oxide, thorium oxide, zirconium oxide, cerium oxide, and yttrium oxide. .
  • the compression process may be a compression process within a range of a reduction ratio of 2 to 20%.
  • the first aspect of the sputtering target for forming a perpendicular magnetic recording medium film of the present invention is the method according to any one of (1) to (3), wherein the in-plane direction maximum relative permeability is 50 or less. It is manufactured by.
  • a second aspect of the perpendicular magnetic recording medium film forming sputtering target of the present invention a non-magnetic oxide: 2 to 15 mol 0/0, Rei_1 ": 3-20 Monore% ,? 5-30 mol %, And the remainder: a plate-like sintered sputtering target having a component composition containing Co and inevitable impurities, the in-plane direction relative permeability is 50 or less, and the in-plane direction relative permeability is in the thickness direction relative permeability. It is characterized by being smaller.
  • the in-plane direction relative magnetic permeability may be 40 or less.
  • the nonmagnetic oxide may be any of silicon dioxide, tantalum oxide, titanium oxide, aluminum oxide, magnesium oxide, thorium oxide, zirconium oxide, cerium oxide, and yttrium oxide. .
  • the in-plane relative permeability of the sputtering target for forming a perpendicular magnetic recording medium film of the present invention is limited to 50 or less is that when the in-plane relative permeability exceeds 50, the sputtering target is formed below the sputtering target. This is because the magnetic flux generated by the arranged magnets can easily pass through the inside of the target, and the ratio of the magnetic flux transmitted to the upper part of the target is reduced. Furthermore, by making the relative permeability in the in-plane direction smaller than the relative permeability in the thickness direction, the magnetic flux by the magnet is less likely to pass through the inside of the target, and a leakage magnetic flux can be more effectively formed on the upper part of the target.
  • the sputtering target for forming a perpendicular magnetic recording medium film of the present invention comprises silicon dioxide, acid Tantalum, titanium oxide, aluminum oxide, magnesium oxide, thorium oxide, di Rukoniumu, nonmagnetic oxides such as cerium oxide and yttrium oxide: 2: 15 mole 0/0, Rei_1 :: 3-20 Monore%, ?
  • Co-containing composition at a temperature of 450 ° C or lower Can be made.
  • the "rolling ratio" when compressing a plate-like sintered body is the thickness of the original plate-like sintered body, h.
  • the hep phase has a larger magnetic anisotropy than the fee phase, and the c-axis direction, which is the direction of easy magnetization, tends to be oriented perpendicular to the target surface when compressed at a low temperature. As a result, the in-plane direction is occupied by the non-c-axis direction which is hard to be magnetized.
  • the fee phase with a small magnetic anisotropy decreases, the magnetic anisotropy increases, the hep phase increases, and the hep phase shows a direction that is hard to be magnetized in the in-plane direction.
  • the magnetic permeability decreases and the thickness direction relative permeability increases.
  • the rolling reduction is less than 2%, a target having a sufficiently small relative permeability in the in-plane direction cannot be obtained. On the other hand, if the rolling reduction exceeds 20%, it is not preferable because cracks occur in the compression casing. For this reason, the rolling reduction of the plate-like sintered body is limited to 2 to 20%. A preferable range of the rolling reduction is 4 to 10%.
  • the compression processing performed in the present invention may be any plastic processing method as long as it is a processing method capable of unidirectional compression in the thickness direction of the plate-like sintered body, such as rolling, forging, and pressing.
  • the non-magnetic oxide 2: 15 mole 0/0, Cr: 3 to 20 Monore 0/0, Pt: 5 to 30 mole 0/0
  • the plate-like sintered body having a component composition containing Co and inevitable impurities is compressed at 450 ° C or less is that the hep crystal structure becomes a fee crystal structure at temperatures exceeding 450 ° C. This is because it is not preferable because it undergoes phase transition or rolling and the relative permeability does not decrease because the strain is relaxed. More preferably, it is 400 ° C or lower.
  • the plate-like sintered body used in the present invention can be produced by the following method.
  • Non-magnetic oxide powder 2 to: 15 mol%, Cr powder: 3 to 20 mol%, Pt powder: 5 to 30 mol%, the rest: after blending and mixing so as to have a composition containing Co powder Pressure sintering method.
  • Co, Cr either a nonmagnetic oxide Powder alloy powder containing 2 or more kinds thereof at any composition of Pt, nonmagnetic oxide: 2 to 15 mol 0/0, ⁇ 3-20 Monore% ,?
  • the pressure sintering is a vacuum hot press, a hot isostatic press or the like.
  • the component composition of the plate-like sintered body to be used is a component composition that is already known as the component composition of the sputtering target for forming a perpendicular magnetic recording medium film. Omitted.
  • the sputtering target for forming a perpendicular magnetic recording medium film produced by the method of the present invention has a maximum in-plane magnetic permeability: 50 or less.
  • a sputtering target capable of efficiently forming magnetron sputtering with a low in-plane relative permeability and capable of forming an excellent magnetic recording film can contribute greatly to the development of industries such as computers and digital home appliances.
  • magnetron sputtering can be performed efficiently because the in-plane relative permeability is low and the leakage magnetic flux density is high. Contributing greatly to industrial development obtain.
  • FIG. 1 is an explanatory diagram for explaining a method of measuring a leakage magnetic flux density.
  • the balance is blended so that it has a component composition consisting of Co and inevitable impurities, and the resulting blended powder is put into a 10 liter container together with zirconia balls as a grinding medium, and the atmosphere in this container is placed in an Ar gas atmosphere. After replacement, the container was sealed. This container was rotated with a ball mill for 16 hours to produce a mixed powder.
  • the obtained mixed powder was filled into a vacuum hot press apparatus, and a plate-like hot press body was prepared by vacuum hot pressing in a vacuum atmosphere under conditions of temperature: 1200 ° C., pressure: 15 MPa, and holding for 3 hours.
  • the present invention target:! ⁇ 8, comparative target:! ⁇ 3, and conventional target 1 force
  • a cube sample with a side of 5 mm was cut out.
  • Apply a DC magnetic field of up to 4 X 10 5 A / m in the in-plane direction with a commercially available DC magnetization measurement device for this cubic sample draw a magnetization 'magnetic field curve (M ⁇ H curve), and display the initial magnetization curve.
  • M ⁇ H curve magnetization 'magnetic field curve
  • a tangent line was drawn from the origin, the inclination was obtained, and the maximum relative permeability in the in-plane direction was obtained from the inclination +1.
  • Table 1 The results are shown in Table 1.
  • the present invention target:! ⁇ 8, comparative target:! ⁇ 3, and conventional target 1 force, a cube sample of 5mm on each side was cut out.
  • M ⁇ H curve magnetization 'magnetic field curve
  • the measurement of the leakage magnetic flux density was performed based on ASTM F2086-01.
  • the measuring jig is made of a non-magnetic material (for example, aluminum).
  • the table 2 on which the target (disc) 1 is placed and the magnet 6 placed under it are fixed. It consists of a column 5 that can hold the jig 3 and the hole probe 4 above the target 1 and can move in the vertical direction or in the arc direction around the column 5.
  • a horseshoe-shaped magnet Alnico magnet 5K215 manufactured by Dexter
  • the magnet 6 and the Hall probe 4 were attached and fixed to the measurement jig, and the Gauss meter 7 was connected to the Hall probe 4.
  • the horizontal magnetic flux density was measured on the target 1 while swinging the hall probe 4 slightly to the left and right in the arc direction without placing the target 1, and the hole probe 4 was fixed where the magnetic flux density reached the maximum.
  • the magnetic flux density in the direction parallel to the table surface measured at this position was defined as the Source Field defined by ASTM, and it was confirmed that it was in the range of 85 to 95mT.
  • the target 1 that had been sufficiently demagnetized was placed on the table 2.
  • the position of the hole probe 4 was fixed as described above, and the target 1 was slid from below.
  • Target 1 was placed so that the distance between the center of the target 1 surface and the point immediately below the hole probe 4 on the target 1 surface was 41.7 to 45.7 mm.
  • target 1 was rotated 5 times counterclockwise so that it was uniformly magnetized.
  • the magnetic flux density in the horizontal direction was recorded on the tape surface measured after rotation, and this was taken as the magnetic flux density at the 0 degree position.
  • the magnetic flux density was recorded at the positions rotated 30 degrees, 60 degrees, 90 degrees and 120 degrees counterclockwise without moving the target 1 to the center position.
  • the raw material powder prepared in advance contains mol: Cr: 9.9%, Pt: 13.5%, TiO: 10.0%
  • the balance is made up of a component composition consisting of Co and unavoidable impurities, and the resulting blended powder is put into a 10-liter container together with zirconia balls as a grinding medium, and the atmosphere in the container is filled with Ar gas. The atmosphere was replaced, and then the container was sealed. This container was rotated with a ball mill for 16 hours to produce a mixed powder.
  • the obtained mixed powder was filled into a vacuum hot press apparatus, and a plate-like hot press body was produced by vacuum hot pressing in a vacuum atmosphere at a temperature of 1000 ° C. and a pressure of 15 MPa for 3 hours.
  • This plate-like hot press body was cut into a plate having a thickness of 6.5 mm, and then rolled at a temperature shown in Table 2 so that the rolling reduction shown in Table 2 was achieved.
  • rolling after rolling at a fixed roll interval in one direction in order to obtain uniform rolling, rotate it by 90, 180, and 270 degrees from the original direction at the same roll interval. A total of four rollings were performed, and powerful four-way cross rolling was performed. After that, by repeating this while narrowing the roll interval, the desired reduction ratio was obtained.
  • the present invention targets 9 to 16 and comparative targets 4 to 6 having dimensions of diameter: 155.4 mm and thickness: 5 mm were produced. Further, the conventional target 2 having a diameter of 152.4 mm and a thickness of 5 mm was manufactured by cutting without rolling.
  • Targets 9 to 16 of the present invention, comparative targets 4 to 6, and conventional target 2 In the same manner as in Example 1, the in-plane direction maximum relative permeability, the thickness direction maximum relative permeability, and the leakage magnetic flux leaking above the target Density was measured. The results are shown in Table 2.
  • the targets 9 to 16 of the present invention have a higher leakage magnetic flux density than the conventional target 2.
  • the comparative targets 4 to 6 produced under conditions outside the scope of the present invention are not preferable because the characteristics are deteriorated or cracking occurs during compression processing.
  • the raw material powder prepared earlier contains mol: Cr: 13.4%, Pt: 15.4%, TaO: 4.0%
  • the balance is made up of a component composition consisting of Co and unavoidable impurities, and the resulting blended powder is put into a 10-liter container together with zirconia balls as a grinding medium, and the atmosphere in the container is filled with Ar gas. The atmosphere was replaced, and then the container was sealed. This container was rotated with a ball mill for 16 hours to produce a mixed powder.
  • the obtained mixed powder was filled into a vacuum hot press apparatus, and a plate-like hot press body was prepared by vacuum hot pressing in a vacuum atmosphere under the conditions of temperature: 1050 ° C., pressure: 15 MPa, and holding for 3 hours.
  • This plate-like hot press body was cut into a plate having a thickness of 6.5 mm, and then rolled so as to achieve the rolling reduction shown in Table 3 at the temperature shown in Table 3.
  • rolling Rolling at a constant roll interval in one direction to cover a single roll, and then rotating 90, 180, and 270 degrees from the original direction at the same roll interval, rolling a total of 4 times In this way, four-way cross rolling was performed, and after that, the desired rolling reduction was obtained by repeating this while narrowing the roll interval.
  • the present targets 17 to 24 and comparative targets 7 to 9 having a diameter of 152.4 mm and a thickness of 5 mm were produced.
  • the conventional target 3 having a diameter of 152.4 mm and a thickness of 5 mm was produced by cutting without rolling.
  • Example 3 In the same manner as in Example 1 for the present invention targets 17-24, comparative targets 7-9, and conventional target 3, the in-plane direction maximum relative permeability, the thickness direction maximum relative permeability, and the leakage that leaks over the target The magnetic flux density was measured. The results are shown in Table 3.
  • the raw material powder prepared earlier contains mol: Cr: 14.7%, Pt: 14.7%, AlO: 8.0%
  • the balance is made up of a component composition consisting of Co and unavoidable impurities, and the resulting blended powder is put into a 10-liter container together with zirconia balls as a grinding medium, and the atmosphere in the container is filled with Ar gas. The atmosphere was replaced, and then the container was sealed. This container was rotated with a ball mill for 16 hours to produce a mixed powder.
  • the obtained mixed powder was filled into a vacuum hot press apparatus, and a plate-like hot press body was produced by vacuum hot pressing in a vacuum atmosphere at a temperature of 980 ° C. and a pressure of 15 MPa for 3 hours.
  • This plate-like hot press body was cut into a plate having a thickness of 6.5 mm, and then rolled at the temperature shown in Table 4 so that the rolling reduction shown in Table 4 was achieved.
  • rolling after rolling at a fixed roll interval in one direction in order to obtain uniform rolling, rotate it by 90, 180, and 270 degrees from the original direction at the same roll interval. A total of four rollings were performed, and powerful four-way cross rolling was performed. After that, by repeating this while narrowing the roll interval, the desired reduction ratio was obtained.
  • the rolled plates obtained in this way were cut and processed, thereby producing the inventive targets 25 to 32 and comparative targets 10 to 12 having dimensions of diameter: 152.4 mm and thickness: 5 mm. Further, the conventional target 4 having a diameter of 152.4 mm and a thickness of 5 mm was manufactured by cutting without rolling.
  • Inventive target 25 to 32, comparative target 10 to 12 and conventional target 4 In the same manner as in Example 1, the in-plane direction maximum relative permeability, the thickness direction maximum relative permeability, and the leakage magnetic flux leaking over the target Density was measured. The results are shown in Table 4.
  • the sputtering target for forming a perpendicular magnetic recording medium film of the present invention can be used, magnetron sputtering can be performed efficiently, which can greatly contribute to the development of industries such as computers and digital home appliances.

Abstract

　この垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法は、非磁性酸化物：２～１５モル％、Ｃｒ：３～２０モル％、Ｐｔ：５～３０モル％を含有し残部：Ｃｏおよび不可避不純物を含む成分組成を有する板状焼結体を、温度：４５０°C以下に保持しながら板状焼結体の厚さ方向に圧縮加工する。この垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの第１の態様は、面内方向最大比透磁率：５０以下であり、前記方法で製造されている。この垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの第２の態様は、非磁性酸化物：２～１５モル％、Ｃｒ：３～２０モル％、Ｐｔ：５～３０モル％を含有し残部：Ｃｏおよび不可避不純物を含む成分組成を有し、面内方向比透磁率が５０以下、かつ面内方向比透磁率が厚み方向比透磁率より小さい。

Description

明 細 書
面内方向比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングター ゲットの製造方法、面内方向比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッ タリングターゲット、漏洩磁束密度の高い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリ ングターゲット
技術分野
[0001] この発明は、ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に 垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜を形成するための面内比透磁率の低い 垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法、面内方向比透磁 率の低レ、垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット、漏洩磁束密度の高 い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットに関する。
本願は、 2006年 3月 31日に出願された日本国特許出願第 2006— 97226号、 20 06年 9月 26曰に出願された曰本国特許出願第 2006— 260118号、および 2007年 3月 26日に出願された日本国特許出願第 2007— 78249号に対し優先権を主張し 、その内容をここに援用する。
背景技術
[0002] ハードディスク装置は一般にコンピューターやデジタル家電等の外部記録装置とし て用いられており、記録密度の一層の向上が求められている。そのため、近年、超高 密度の記録を実現できる垂直磁気記録方式が注目されてきた。この垂直磁気記録 方式は、従来の面内記録方式と異なり、原理的に高密度化するほど記録磁化が安 定すると言われており、実用化に向けて開発が進められ、既に実用化されているもの もある。この垂直磁気記録方式のハードディスク媒体の記録層に適用する材料の有 力な候補として CoCrPt_Si〇ダラ二ユラ磁気記録膜が提案されており、この CoCr
2
Pt- SiOダラ二ユラ磁気記録膜は Crおよび Ptを含む Co基焼結合金相と二酸化珪
2
素相の混合相を有するスパッタリングターゲットを用いてマグネトロンスパッタ法により 作製することが知られてレ、る (非特許文献 1参照)。
[0003] このスパッタリングターゲットは、通常、二酸化珪素粉末、 Cr粉末、 Pt粉末および C o粉末を、二酸化珪素： 2〜： 15モル％、〇1：: 3〜20モノレ％、 5〜30モル％を含有 し、残部： Coを含む組成となるように配合し混合したのち、真空ホットプレスまたは熱 間静水圧プレスすることにより作製されることが知られている。その他に市販の Crおよ び Ptを含む Co基合金粉末または急冷凝固して作製した Crおよび Ptを含む Co基合 金粉末と二酸化珪素粉末を、二酸化珪素： 2〜： 15モル0 /0、〇1": 3〜20モノレ％、 Pt : 5 〜30モル％を含有し、残部： Coを含む組成となるように配合し混合したのち、真空ホ ットプレスまたは熱間静水圧プレスすることにより作製されることが知られている。 （特 許文献 1、特許文献 2などを参照）。
さらに、前記 Si〇 のほかに TiO、 Cr O、 TiO 、 Ta〇 、 Al〇 、 BeO 、 MgO、 Th
2 2 3 2 2 5 2 3 2
O、 Zr〇 、 CeO 、 Y Oなどの非磁性酸化物が使用できることが知られている（特許
2 2 2 2 3
文献 3、 4参照）。
[0004] しかし、この磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットは、強磁性合金である Crおよび Ptを含む Co基合金を主体として構成されてレ、るために、非磁性体ターゲッ トと比較して磁束がターゲット内部を通過する割合が大きぐターゲット上空に漏れ出 る磁束が極めて少ない。このことはターゲット下部に磁気回路を配置し、ターゲット上 空に漏れ出る磁束を利用して希ガスの電離効率を高めることで放電を安定化させ、 成膜速度を向上させているマグネトロンスパッタリング法にとっては大きな問題となる 。すなわち、ターゲット上空に漏れ出る磁束が少ない漏洩磁束密度の低いターゲット を用いてマグネトロンスパッタリングを行なうと、放電が安定しないあるいは放電できて も成膜速度が極端に遅くなるなどの問題を引き起こすからである。
[0005] この問題点を解消するための手段の一つとして、ターゲットの厚さを薄くして磁束を ターゲット上空へ抜けやすくする方法が取られている。しかし、ターゲットを薄くすると 、ターゲットの交換頻度が頻繁になるので成膜効率が悪くなり、コスト的に好ましくな レ、。
また、漏洩磁束密度の低いターゲットは、ー且マグネトロンスパッタリングを行ってェ ロージヨンが形成されると、エロージョン部分力 磁束が集中的に漏洩し、その部分だ けがますます集中的にスパッタされていくためにターゲットの利用効率が低下したり、 成膜速度が経時変化したり、基板面内に膜厚のばらつきが生じたり、さらにターゲット 上への再デポ膜の大量付着が生じるなどといった問題を引き起こしゃすい。
非特許文献 1 :「富士時報」 Vol. 75、 No. 3 2002 (169〜： 172ページ）
特許文献 1 :特開 2001 - 236643号公報
特許文献 2：特開 2004- 339586号公報
特許文献 3：特開 2003- 36525号公報
特許文献 4 :特開 2006 - 24346号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0006] 本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、ターゲットの厚さを薄くすることなくマ グネトロンスパッタリングを効率よく行なうことができ、優れた磁気記録膜を形成できる スパッタリングターゲットとその製造方法の提供を目的とする。
課題を解決するための手段
[0007] そこで、本発明者らは、ターゲットの厚さを薄くすることなくマグネトロンスパッタリン グを行うことができるスパッタリングターゲットを得るべく研究を行なった結果、以下の 知見を得た。
(a)磁束は比透磁率の大きな方向に通りやすく小さな方向に通りにくいため、ターゲ ットの面内方向の比透磁率を 50以下（より望ましくは 40以下）となるように小さくするこ とにより磁束はターゲットの上空に抜けやすくなる。
(b)この面内方向の比透磁率が小さいターゲットは、二酸化珪素、酸化タンタル、酸 ィ匕チタン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸ィ匕トリウム、酸化ジルコニウム、酸 化セリウムおよび酸化イットリウムなどの非磁性酸化物： 2〜： 15モル％、 Cr : 3〜20モ ル％、？ 5〜30モル％を含有し、残部： Coを含む組成を有する板状焼結体を温度 : 450°C以下に保持しながら圧下率： 2〜20%で厚さ方向に圧縮カ卩ェすることにより 作製できる。
(c)内方向の比透磁率をターゲットの厚み方向の比透磁率より小さくすることによって 、さらに漏れ磁束密度を大きくすることができる。
[0008] この発明は、力、かる知見に基づいてなされたものである。
(1)本発明の垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法は、非 磁性酸化物 2〜15モル0 /0、 0": 3〜20モノレ％、？ 5〜30モル％を含有し、残部： C oおよび不可避不純物を含む成分組成を有する板状焼結体を、温度： 450°C以下に 保持しながら板状焼結体の厚さ方向に圧縮加工することを特徴とする。
(2)前記非磁性酸化物は、二酸化珪素、酸化タンタル、酸化チタン、酸化アルミニゥ ム、酸化マグネシウム、酸化トリウム、酸化ジルコニウム、酸化セリウムおよび酸化イツ トリウムのうちのいずれかであってもよレ、。
(3)前記圧縮加工は、圧下率： 2〜20%の範囲内の圧縮加工であってもよい。
(4)本発明の垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの第 1の態様は、 面内方向最大比透磁率： 50以下であり、前記（1)乃至（3)のいずれかに記載の方法 で製造されたことを特徴とする。
(5)本発明の垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの第 2の態様は、 非磁性酸化物： 2〜15モル0 /0、〇1": 3〜20モノレ％、？ 5〜30モル％を含有し、残部 ： Coおよび不可避不純物を含む成分組成を有する板状焼結スパッタリングターゲット であって、面内方向比透磁率が 50以下、かつ面内方向比透磁率が厚み方向比透 磁率より小さいことを特徴とする。
(6)本発明の垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットでは、前記面内方 向比透磁率が 40以下であってもよい。
(7)前記非磁性酸化物は、二酸化珪素、酸化タンタル、酸化チタン、酸化アルミニゥ ム、酸化マグネシウム、酸化トリウム、酸化ジルコニウム、酸化セリウムおよび酸化イツ トリウムのうちのいずれかであってもよレ、。
[0009] 本発明の垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの面内方向比透磁 率を 50以下に限定した理由は、面内方向比透磁率が 50を越えるとスパッタリングタ 一ゲットの下部に配置されるマグネットによる磁束がターゲット内部を通過しやすくな り、ターゲット上部へと透過する磁束の割合が減少してしまうからである。さらに、面内 方向の比透磁率を厚み方向の比透磁率より小さくすることによって、前記マグネット による磁束がターゲット内部を通過しにくくなり、一層効果的にターゲット上部に漏れ 磁束を形成できる。
[0010] 本発明の垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットは、二酸化珪素、酸 化タンタル、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化トリウム、酸化ジ ルコニゥム、酸化セリウムおよび酸化イットリウムなどの非磁性酸化物： 2〜： 15モル0 /0 、〇1：: 3〜20モノレ％、？ 5〜30モル％を含有し、残部： Coを含む組成を有する板状 焼結体を温度: 450°C以下に保持しながら圧下率： 2〜20%で厚さ方向に圧縮加工 することにより作製できる。
[0011] 板状焼結体を圧縮加工する際の「圧下率」は、元の板状焼結体の厚みを h、すべ
1 ての圧縮カ卩ェ工程を終了した時点での厚みを hとした時、 （h -h ) /h X 100 (%)
2 1 2 1 で定義される。
前記圧縮加工により面内方向の比透磁率が低下する理由は現時点では明確では ないが、以下のような二つの原因が推測される。第一に磁性体合金を圧縮加工する と内部の転位密度が上昇し、転位により磁壁の移動および磁化の回転が妨げられる ため、磁化されに《なり、比透磁率が低下する。第二に通常の粉末焼結による CoC rPt合金は高温相である fee構造が室温まで冷却しても完全には変態せず、低温相 である hep構造との混合状態となりやすいが、低温で圧縮力卩ェを行なうことにより、残 留している fee相の一部が歪み誘起マルテンサイト変態を生じて hep相に変化し、タ 一ゲット中の hep相の占める割合が増加する。 hep相は fee相よりも磁気異方性が大 きぐ低温で板厚方向に圧縮加工すると、磁化容易方向である c軸方向がターゲット 面に垂直に配向する傾向がある。これにより面内方向には磁化されにくい非 c軸方向 で占められることとなる。すなわち磁気異方性の小さい fee相が減少して磁気異方性 の大きレ、 hep相が増加し、なおかつ hep相は面内方向に磁化されにくい方向を示す のであるから、面内方向比透磁率は小さくなり、厚み方向比透磁率は大きくなる。
[0012] 圧下率が 2%未満では、面内方向の比透磁率が十分に小さなターゲットが得られな いので好ましくない。一方、圧下率が 20%を越えると、圧縮カ卩ェ中に割れが生じるの で好ましくない。このため板状焼結体の圧下率を 2〜20%に限定する。圧下率の一 層好ましい範囲は 4〜： 10%である。なお、この発明で行なう圧縮加工は圧延加工、 鍛造加工、プレス加工など板状焼結体の厚さ方向に一方向圧縮できる加工方法で あればいかなる塑性加工方法であっても良い。
[0013] また、前記非磁性酸化物： 2〜： 15モル0 /0、 Cr : 3〜20モノレ0 /0、 Pt : 5〜30モル0 /0を 含有し、残部： Coおよび不可避不純物を含む成分組成を有する板状焼結体を 450 °C以下で圧縮加工を行なう理由は、 450°Cを越える温度では hep結晶構造が fee結 晶構造へと相転移してしまったり、圧延しても歪が緩和されて比透磁率が低下しなか つたりするので好ましくないからである。より好ましくは 400°C以下である。
[0014] 本発明で使用する前記板状焼結体は以下の方法などで作製できる。
非磁性酸化物粉末： 2〜： 15モル％、 Cr粉末： 3〜20モル％、 Pt粉末： 5〜30モル %を含有し、残部： Co粉末を含む組成となるように配合し混合したのち加圧焼結する 方法。
Co, Cr, Ptのいずれか 2種以上を任意の組成で含む合金粉末と非磁性酸化物粉 末を、非磁性酸化物： 2〜15モル0 /0、〇 3〜20モノレ％、？ 5〜30モル％を含有し 、残部： Coを含む組成となるように配合し混合したのち加圧焼結する方法。
Co, Cr, Ptのいずれか 2種以上を任意の組成で含む合金粉末、非磁性酸化物粉 末および Cr粉末、 Pt粉末、 Co粉末の内の 1種または 2種以上を非磁性酸化物： 2〜 15モノレ0 /0、 0": 3〜20モノレ％、？ 5〜30モル％を含有し、残部： Coを含む組成とな るように配合し混合したのち加圧焼結する方法。
前記加圧焼結は、具体的には真空ホットプレス、熱間静水圧プレスなどである。
[0015] なお、使用する前記板状焼結体の成分組成は、垂直磁気記録媒体膜形成用スパ ッタリングターゲットの成分組成としてすでに知られている成分組成であるのでその限 定理由の説明は省略する。この発明の方法により作製した垂直磁気記録媒体膜形 成用スパッタリングターゲットは、面内方向最大透比磁率： 50以下となる。
発明の効果
[0016] 本発明の垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法によると 、面内方向比透磁率が低くマグネトロンスパッタリングを効率よく行なうことができ、優 れた磁気記録膜を形成できるスパッタリングターゲットを提供でき、コンピューター並 びにデジタル家電等の産業の発展に大いに貢献し得る。
本発明の垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットを用いると、面内方 向比透磁率が低く漏洩磁束密度が高いため、マグネトロンスパッタリングを効率よく行 なうことができ、コンピューター並びにデジタル家電等の産業の発展に大いに貢献し 得る。
図面の簡単な説明
[0017] [図 1]図 1は、漏洩磁束密度の測定方法を説明するための説明図である。
発明を実施するための最良の形態
[0018] 原料粉末として、市販の 50%粒径： 10 μ mの Co粉末、 50%粒径： 15 μ mの Pt粉 末、 50%粒径： 10 β mの Cr粉末、いずれも 50%粒径： 3 μ mの Si〇粉末、 TiO、 T
2 2 a〇粉末および Al〇を用意した。
2 5 2 3
[0019] (実施例 1)
これら原料粉末をモル0 /0で Cr : 10· 8%、 Pt : 15. 3%、 SiO : 10. 0%を含有し、
2
残部が Coおよび不可避不純物からなる成分組成となるように配合し、得られた配合 粉末を粉砕媒体となるジルコユアボールと共に 10リットルの容器に投入し、この容器 内の雰囲気を Arガス雰囲気中で置換し、その後、容器を密閉した。この容器をボー ルミルで 16時間回転させ、混合粉末を作製した。得られた混合粉末を真空ホットプレ ス装置に充填し、真空雰囲気中、温度： 1200°C、圧力： 15MPa、 3時間保持の条件 で真空ホットプレスすることにより板状ホットプレス体を作製した。
[0020] この板状ホットプレス体を切削加工により厚さ： 6. 5mmの板にしたのち、表 1に示さ れる温度で表 1に示される圧下率となるように圧延加工を実施した。圧延の際には均 一な圧延をカ卩えるために一定のロール間隔での圧延を一方向で行なった後、同じ口 ール間隔において元の方向から 90度、 180度、 270度回転させて計 4回の圧延を行 なレ、、力かる 4方向のクロス圧延を実施し、その後、ロール間隔を狭めながらこれを繰 り返すことで目的の圧下率を得るようにした。このようにして得られた圧延板を切削加 ェすることによりいずれも直径： 152· 4mm、厚さ： 5mmの寸法を有する本発明ター ゲット：!〜 8および比較ターゲット:!〜 3を作製した。さらに圧延加工することなく切削 加工することにより直径： 152· 4mm、厚さ： 5mmの寸法を有する従来ターゲット 1を 作製した。
[0021] 本発明ターゲット:!〜 8、比較ターゲット：!〜 3および従来ターゲット 1について下記 の方法により面内方向最大比透磁率、厚み方向最大比透磁率およびターゲット上空 に漏れ出る漏洩磁束密度を測定し、その結果を表 1に示した。 [0022] (a)面内方向最大比透磁率の測定：
本発明ターゲット:!〜 8、比較ターゲット:!〜 3および従来ターゲット 1力 一辺 5mm の立方体試料を切り出した。この立方体試料について市販の直流磁化測定装置に て面内方向に最大 4 X 105A/mの直流磁場を印加し、磁化'磁場曲線 (M— H曲線 )を描画し、その初期磁化曲線に対して原点から接線を引き、その傾きを求め、傾き + 1により面内方向の最大比透磁率を求めた。その結果を表 1に示した。
[0023] (b)厚み方向最大比透磁率の測定：
本発明ターゲット:!〜 8、比較ターゲット:!〜 3および従来ターゲット 1力、ら一辺 5mm の立方体試料を切り出した。この立方体試料について市販の直流磁化測定装置に て厚み方向に最大 4 X 105A/mの直流磁場を印加し、磁化'磁場曲線 (M— H曲線 )を描画し、その初期磁化曲線に対して原点から接線を引き、その傾きを求め、傾き + 1により面内方向の最大比透磁率を求めた。その結果を表 1に示した。
[0024] (c)漏洩磁束密度の測定：
漏洩磁束密度の測定は ASTM F2086— 01に基づき実施した。測定治具は、非 磁性体の材質 (例えば、アルミニウム)からなり、図 1に示されるようにターゲット（円板） 1を載せるテーブル 2と、その下に配置する磁石 6を固定するための固定治具 3、ホー ルプローブ 4をターゲット 1上空に保持しかつ上下方向あるいは支柱 5を中心とした円 弧方向に移動させることのできる支柱 5から構成されている。磁束を発生させるため の磁石 6には馬蹄形磁石（Dexter社製アルニコ磁石 5K215)を用いた。測定手順と しては、まず測定治具に磁石 6とホールプローブ 4を取り付けて固定し、ホールプロ一 ブ 4にガウスメーター 7を接続した。ターゲット 1を載せずにテーブル 2にホールプロ一 ブ 4を若干円弧方向に左右に振りながらターゲット 1に水平な磁束密度を測定し、磁 束密度が最大となるところでホールプローブ 4を固定した。この位置で測定されたテ 一ブル面に水平な方向の磁束密度を ASTMで定義されている Source Fieldとし、 これが 85〜95mTの範囲にあることを確認した。
つぎに、ホールプローブ 4の先端を、測定するターゲット 1の厚み + 0. 5mmの高さ まで上昇させ、ホールプローブ 4を若干円弧方向に左右に振りながらテーブル面に 水平な方向の磁束密度を測定し、磁束密度が最大となるところでホールプローブ 4を 固定した。この位置で測定された磁場を ASTMで定義される Referennce fieldとし て記録した。
一方、十分に脱磁された (ターゲット 1表面にてターゲット 1に垂直な方向の残留磁 束密度が 0. 3mT以下になるように脱磁された)ターゲット 1をテーブル 2の上に載せ た。この際ホールプロ一ブ 4の位置は上記のまま固定し、ターゲット 1をその下から滑 り込ませた。ターゲット 1表面の中心と、ターゲット 1表面のホールプローブ 4直下の点 の間の距離は 41. 7〜45. 7mmになるようにターゲット 1を配置した。次に均一に磁 化されるようにターゲット 1を反時計回りに 5回転させた。回転後に測定されるテープ ル面に水平な方向の磁束密度を記録し、これを 0度の位置での磁束密度とした。さら にターゲット 1を中心位置に移動せずに反時計回りに 30度、 60度、 90度、 120度回 転した位置での磁束密度を記録した。
これらの値を Referennce fieldの値で割って 100を掛けた値について 5点の平均 をとり、その 5点平均値をそのターゲット 1の漏洩磁束密度（％)として表 1に示した。
[表 1]
Figure imgf000011_0001
*印は、 この発明の範囲から外れた条件を示す。 [0026] 表 1に示される結果から、本発明ターゲット：!〜 8は従来ターゲット 1に比べて、漏洩 磁束密度が大きいことが分かる。しかし、本発明の範囲から外れた条件で作製された 比較ターゲット:!〜 3は特性が低下したりまたは圧縮加工中に割れが発生するなどし て好ましくないことが分かる。
[0027] (実施例 2)
先に用意した原料粉末をモル％で Cr: 9. 9%、 Pt : 13. 5%、TiO : 10. 0%を含
2
有し、残部が Coおよび不可避不純物からなる成分組成となるように配合し、得られた 配合粉末を粉砕媒体となるジルコユアボールと共に 10リットルの容器に投入し、この 容器内の雰囲気を Arガス雰囲気中で置換し、その後、容器を密閉した。この容器を ボールミルで 16時間回転させ、混合粉末を作製した。得られた混合粉末を真空ホッ トプレス装置に充填し、真空雰囲気中、温度： 1000°C、圧力： 15MPa、 3時間保持 の条件で真空ホットプレスすることにより板状ホットプレス体を作製した。
[0028] この板状ホットプレス体を切削加工により厚さ： 6. 5mmの板にしたのち、表 2に示さ れる温度で表 2に示される圧下率となるように圧延加工を実施した。圧延の際には均 一な圧延をカ卩えるために一定のロール間隔での圧延を一方向で行なった後、同じ口 ール間隔において元の方向から 90度、 180度、 270度回転させて計 4回の圧延を行 なレ、、力かる 4方向のクロス圧延を実施し、その後、ロール間隔を狭めながらこれを繰 り返すことで目的の圧下率を得るようにした。このようにして得られた圧延板を切削加 ェすることによりいずれも直径： 152· 4mm、厚さ： 5mmの寸法を有する本発明ター ゲット 9〜： 16および比較ターゲット 4〜6を作製した。さらに圧延加工することなく切削 加工することにより直径： 152· 4mm、厚さ： 5mmの寸法を有する従来ターゲット 2を 作製した。
[0029] 本発明ターゲット 9〜： 16、比較ターゲット 4〜6および従来ターゲット 2について実施 例 1と同様にして面内方向最大比透磁率、厚み方向最大比透磁率およびターゲット 上空に漏れ出る漏洩磁束密度を測定した。その結果を表 2に示した。
[0030] [表 2] 圧延条件
ターゲ 面内方向の最 厚み方向の最 漏洩磁束密度 卜 圧下率
温度 (V) 大比透磁率 大比透磁率 (%)
(%)
9 25 3 46.9 49.8 50.1
10 100 4 25.8 38.4 55.6
11 25 7 9.4 16.7 57.1
本 12 200 10 8.5 15.9 57.9 発
明 13 300 12 15.8 23.6 56.4
14 450 16 39.4 46.4 50.2
15 400 17 29.6 35.7 52.6
16 450 20 37.6 47.5 50.9
4 25 1* 64.4 60.2 41.2
比
5 450 21* ターゲットに割れ発生
較
6 460* 10 65.6 63.2 40.5
従来 2 - - 85.6 77.3 38.6
*印は、 この発明の範囲から外れた条件を示す。
[0031] 表 2に示される結果から、本発明ターゲット 9〜： 16は従来ターゲット 2に比べて、漏 洩磁束密度が大きいことが分かる。しかし、本発明の範囲から外れた条件で作製され た比較ターゲット 4〜6は特性が低下したりまたは圧縮加工中に割れが発生するなど して好ましくないことが分かる。
[0032] (実施例 3)
先に用意した原料粉末をモル％で Cr: 13. 4%、 Pt : 15. 4%、 Ta O : 4. 0%を含
2 5
有し、残部が Coおよび不可避不純物からなる成分組成となるように配合し、得られた 配合粉末を粉砕媒体となるジルコユアボールと共に 10リットルの容器に投入し、この 容器内の雰囲気を Arガス雰囲気中で置換し、その後、容器を密閉した。この容器を ボールミルで 16時間回転させ、混合粉末を作製した。得られた混合粉末を真空ホッ トプレス装置に充填し、真空雰囲気中、温度： 1050°C、圧力： 15MPa、 3時間保持 の条件で真空ホットプレスすることにより板状ホットプレス体を作製した。
[0033] この板状ホットプレス体を切削加工により厚さ： 6. 5mmの板にしたのち、表 3に示さ れる温度で表 3に示される圧下率となるように圧延加工を実施した。圧延の際には均 一な圧延をカ卩えるために一定のロール間隔での圧延を一方向で行なった後、同じ口 ール間隔において元の方向から 90度、 180度、 270度回転させて計 4回の圧延を行 なレ、、力かる 4方向のクロス圧延を実施し、その後、ロール間隔を狭めながらこれを繰 り返すことで目的の圧下率を得るようにした。このようにして得られた圧延板を切削加 ェすることによりいずれも直径： 152. 4mm、厚さ： 5mmの寸法を有する本発明ター ゲット 17〜24および比較ターゲット 7〜9を作製した。さらに圧延加工することなく切 削加工することにより直径： 152. 4mm、厚さ： 5mmの寸法を有する従来ターゲット 3 を作製した。
[0034] 本発明ターゲット 17〜24、比較ターゲット 7〜9および従来ターゲット 3について実 施例 1と同様にして面内方向最大比透磁率、厚み方向最大比透磁率およびターゲッ ト上空に漏れ出る漏洩磁束密度を測定した。その結果を表 3に示した。
[0035] [表 3]
Figure imgf000014_0001
*印は、 この発明の範囲から外れた条件を示す。
表 3に示される結果から、本発明ターゲット 17〜24は従来ターゲット 3に比べて、漏 洩磁束密度が大きいことが分かる。しかし、本発明の範囲から外れた条件で作製され た比較ターゲット 7〜9は特性が低下したりまたは圧縮加工中に割れが発生するなど して好ましくないことが分かる。
[0037] (実施例 4)
先に用意した原料粉末をモル％で Cr: 14. 7%、 Pt : 14. 7%、 Al O : 8. 0%を含
2 3
有し、残部が Coおよび不可避不純物からなる成分組成となるように配合し、得られた 配合粉末を粉砕媒体となるジルコユアボールと共に 10リットルの容器に投入し、この 容器内の雰囲気を Arガス雰囲気中で置換し、その後、容器を密閉した。この容器を ボールミルで 16時間回転させ、混合粉末を作製した。得られた混合粉末を真空ホッ トプレス装置に充填し、真空雰囲気中、温度： 980°C、圧力： 15MPa、 3時間保持の 条件で真空ホットプレスすることにより板状ホットプレス体を作製した。
[0038] この板状ホットプレス体を切削加工により厚さ： 6. 5mmの板にしたのち、表 4に示さ れる温度で表 4に示される圧下率となるように圧延加工を実施した。圧延の際には均 一な圧延をカ卩えるために一定のロール間隔での圧延を一方向で行なった後、同じ口 ール間隔において元の方向から 90度、 180度、 270度回転させて計 4回の圧延を行 なレ、、力かる 4方向のクロス圧延を実施し、その後、ロール間隔を狭めながらこれを繰 り返すことで目的の圧下率を得るようにした。このようにして得られた圧延板を切削加 ェすることによりいずれも直径： 152· 4mm、厚さ： 5mmの寸法を有する本発明ター ゲット 25〜32および比較ターゲット 10〜： 12を作製した。さらに圧延加工することなく 切削加工することにより直径： 152. 4mm、厚さ： 5mmの寸法を有する従来ターゲット 4を作製した。
[0039] 本発明ターゲット 25〜32、比較ターゲット 10〜12および従来ターゲット 4について 実施例 1と同様にして面内方向最大比透磁率、厚み方向最大比透磁率およびター ゲット上空に漏れ出る漏洩磁束密度を測定した。その結果を表 4に示した。
[0040] [表 4] 圧延条件
タ一ゲ 面内方向の最 厚み方向の最 漏洩磁束密度 ッ卜 圧下率
温度 (V) 大比透磁率 大比透磁率 (%)
(%)
25 25 2 34.2 39.9 51.5
26 100 4 19.4 25.1 55.6
27 25 5 10.2 15.7 57.2
本 28 200 7 5.9 9.8 67.0 発
明 29 300 10 12.5 17.5 56.9
30 450 13 21.3 28.6 54.7
31 400 15 18.9 25.3 55.9
32 450 20 25.6 30.0 54.0
10 25 1* 52.2 50.8 48.7
比
11 450 21* ターゲットに割れ発生
較
12 460* 8 50.1 52.6 49.0
従来 4 - - 55.4 53.7 46.9
*印は、 この発明の範囲から外れた条件を示す。
[0041] 表 4に示される結果から、本発明ターゲット 25〜32は従来ターゲット 4に比べて、漏 洩磁束密度が大きいことが分かる。しかし、本発明の範囲から外れた条件で作製され た比較ターゲット 10〜： 12は特性が低下したりまたは圧縮カ卩ェ中に割れが発生するな どして好ましくなレ、ことが分かる。
産業上の利用可能性
[0042] 本発明の垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットを用いると、マグネト ロンスパッタリングを効率よく行なうことができるため、コンピューター並びにデジタル 家電等の産業の発展に大いに貢献し得る。

Claims

請求の範囲
[1] 非磁性酸化物： 2〜： 15モル0 /0、〇1": 3〜20モノレ％、？ 5〜30モル％を含有し、残 部： Coおよび不可避不純物を含む成分組成を有する板状焼結体を、温度： 450°C 以下に保持しながら板状焼結体の厚さ方向に圧縮加工することを特徴とする垂直磁 気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法。
[2] 前記非磁性酸化物は、二酸化珪素、酸化タンタル、酸化チタン、酸化アルミニウム 、酸化マグネシウム、酸化トリウム、酸化ジルコニウム、酸化セリウムおよび酸化イツトリ ゥムのうちのいずれかであることを特徴とする請求項 1記載の垂直磁気記録媒体膜形 成用スパッタリングターゲットの製造方法。
[3] 前記圧縮加工は、圧下率： 2〜20%の範囲内の圧縮カ卩ェであることを特徴とする 請求項 1記載の垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法。
[4] 面内方向最大比透磁率： 50以下であり、請求項 1記載の方法で製造されたことを 特徴とする垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット。
[5] 非磁性酸化物： 2〜： 15モル0 /0、 0": 3〜20モノレ％、？ 5〜30モル％を含有し、残部 ： Coおよび不可避不純物を含む成分組成を有する板状焼結スパッタリングターゲット であって、面内方向比透磁率が 50以下、かつ面内方向比透磁率が厚み方向比透 磁率より小さいことを特徴とする垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット
[6] 前記面内方向比透磁率が 40以下であることを特徴とする請求項 5記載の垂直磁気 記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット。
[7] 前記非磁性酸化物は、二酸化珪素、酸化タンタル、酸化チタン、酸化アルミニウム、 酸化マグネシウム、酸化トリウム、酸化ジノレコニゥム、酸化セリウムおよび酸化イットリウ ムのうちのいずれかであることを特徴とする請求項 5記載の垂直磁気記録媒体膜形 成用スパッタリングターゲット。
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