CN1839052B - 记录介质 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种能够以高密度记录信息的记录介质，尤其是一种对于宽范围的记录功率具有有利的记录信号特性的一次写入多次读取的光学记录介质。所述记录介质具有记录层，并通过加热所述记录层而进行记录。所述记录介质的特征在于所述记录层包含物质A和物质B，所述物质A当在记录期间进行加热时记录层所达到的温度下分解，而物质B在上述温度下不会发生化学反应或相变。

Description

记录介质
技术领域
本发明涉及通过加热记录层而进行记录的记录介质。特别地，所述记录介质是通过激光照射而进行记录的一次写入多次读取的光学记录介质，其特征在于记录层包含可以在用激光加热时记录层所达到的温度下分解的物质，和在该温度下并不发生变化如化学反应的物质。
背景技术
作为用于记录例如文字、声音或图像等信息的记录介质，用于记录层的使用例如由磁性材料、磁光性材料、有机染料材料或无机材料制成的相变材料的记录介质迄今为止是已知的。
设计该记录介质，使得通过对记录层施加外部因素，例如通过用光照射或通电流来加热记录层，或对记录层施加磁场来改变记录层的物理参数，如折射率、电阻、形状、体积或密度。并且，该记录介质通常被设计成通过利用在对记录层施加外部因素之前和之后所述物理参数值间的差异来进行信息的记录或读取。
该记录介质的实例是通过激光束的照射进行记录的光学记录介质。该光学记录介质通常可进一步分为只能写入一次而不能改写的一次写入多次读取的光学记录介质，和可重复改写的可改写光学记录介质。在该光学记录介质中，一次写入多次读取的光学记录介质由于其适用于记录例如禁止改变信息的公文、适用于高速记录或可使其生产成本降低的原因，因而在近年来受到关注。
对于一次写入多次读取的光学记录介质，已经提出了例如使用无机材料的相变型、合金型和穿孔型等多种类型，或使用有机化合物的光学记录介质。其中，在JP-A-4-298389中所公开的一种类型因其可以使用大信号振幅并且可以确保防止改写的高不可逆性，因而是很有前景的，在 该类型中，将能够释放气体的无机物质加入到薄记录层中，且在通过激光照射的加热下可释放出气体，从而通过由此形成的形变来进行记录。
根据JP-A-4-298389，如果将通过加热分解而释放气体的无机物质，例如氧化银或氮化铁用作记录层，则在通过在激光照射的加热下可释放出气体，且由于气体释放可形成空隙或由于所释放气体的压力而在记录层的界面上形成凹穴。并且，由于所述空隙或凹穴的形成，将改变被照射部分的光学常数或诸如光程长等光学条件，并且将降低反射率，由此可得到大的信号振幅。
发明内容
对于上述的一次写入多次读取的光学记录介质，为了进行大容量数据如长时间动画的记录/读取，近年来希望开发一种与迄今的光学记录介质相比，使得信息高密度化成为可能的一次写入多次读取的光学记录介质。
根据本发明人所进行的研究，发现为了得到使得所述更高密度化成为可能的一次写入多次读取的光学记录介质，即使使用在上述JP-A-4-298389中所公开的技术，也不可能得到具有实用的充分性能的光学记录介质。即，采用其中使用在激光束的照射加热下可分解的氧化物或氮化物的单一物质的记录层用光学记录介质，不可能得到充分的记录特性。即，发现尽管可以采用足够大的记录信号振幅，但其中可以获得优良的记录信号特性的记录功率范围(功率余量)很窄，并且采用利用由单一物质制成的记录层的分解作用的记录介质，高密度化是困难的。
本发明的目的是解决上述问题，并实现具有比传统记录介质更高密度的记录介质。特别地，本发明的目的是提供一种对宽范围的记录功率具有优良记录信号特性的一次写入多次读取的光学记录介质，特别是对于需要借此进行比传统的一次写入多次读取的光学记录介质更高密度记录的一次写入多次读取的光学记录介质。
本发明人在上述情况下进行了深入研究，作为结果，发现了通过加入在记录时的加热中记录层所达到的温度下可分解的物质，和在该温度下不会发生改变如化学变化的物质，可拓宽其中可以获得优良记录信号 特性的记录功率的范围，且使信息的高密度化成为可能。因此完成了本发明。
即，本发明提供了一种具有记录层、由此通过加热记录层而进行记录的记录介质，其特征在于所述记录层包含物质A和物质B，所述物质A在记录时的加热中记录层所达到的温度下分解，所述物质B在记录时的加热中记录层所达到的温度下不会发生化学反应或相变。
根据本发明，在通过加热记录层而进行信息记录的记录介质中，将加热时可分解的物质A加入到记录层中，并通过该物质A的分解，改变记录层的物理参数值如折射率或形状等。并且，通过使在记录时通过加热不会发生化学反应或相变的稳定物质B共存在记录层中，可以控制整个记录层的分解率，由此改善了记录密度和记录特性的稳定性。
在本发明中，优选上述物质B在上述记录层所达到的温度下不发生化学反应和相变。在该情况下，优选物质B在记录层所达到的温度下不发生分解或化学反应。此外，优选物质B在记录层所达到的温度下不会熔融或升华。如果将具有上述性质的一种物质用作物质B，可以进一步提高物质B的稳定性。
此外，在本发明中，优选物质A的分解温度与物质B的分解温度或熔点之间的差值为至少200℃。
如果物质A的分解温度与物质B的分解温度或熔点之间的差值在上述范围内，则物质A和物质B的作用将更加明显。
此外，本发明的记录介质优选为在基质上具有记录层，由此通过激光照射进行记录的一次写入多次读取的光学记录介质。
即，在本发明的记录介质特别地为一次写入多次读取的光学记录介质的情况下，通过由包含在用激光照射进行加热下可分解的物质A和不发生化学变化或相变的物质B的混合物来形成记录层，使用高密度光学记录介质，对于宽范围的记录功率可以获得优良的记录信号特性。
此外，在本发明中，优选物质A是分解温度最高为1200℃的物质，且物质B是在最高1,500℃下没有分解温度或熔点的物质。即，对于通过激光照射加热记录层，约1,200℃是实用的上限。因此，物质A优选是分 解温度最高为1,200℃的物质。此外，如果将在最高1,500℃下既不具有分解温度也不具有熔点的物质用作物质B，则在记录时的加热或其它环境变化时，不会发生分解或其它变化。
此外，在本发明中，物质A和物质B各自优选为氮化物和/或氧化物。
氮化物和氧化物具有小的粒径，因此可降低记录信号中的噪声，且可选择具有合适光学常数的物质。此外，当将氮化物或氧化物用作物质A时，由分解造成的体积变化趋于很大，由此可获得较大的信号振幅。此外，当将氮化物或氧化物用作物质B时，其可选自具有高熔点和低反应活性的物质，由此可获得优良的记录信号特性。
在上述情况中，物质A优选为至少一种元素选自Cr、Mo、W、Fe、Ge、Sn和Sb的氮化物。此外，上述物质B优选为至少一种元素选自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Al和Si的氮化物。即，这些元素的氮化物是在作为物质A和物质B的合适范围内具有分解温度和熔点的物质。
此外，在该情况中，优选构成物质A的元素中除氮和氧之外的元素α和构成物质B的元素中除氮和氧之外的元素β满足0.03≤(β的原子数)/((α的原子数)+(β的原子数))≤0.95的关系。
特别优选地，(β的原子数)/((α的原子数)+(β的原子数))≤0.7。
即，在上述范围内，可以拓宽在其中可获得优良的记录信号特性的记录功率的范围，同时可以充分确保记录信号的振幅。
此外，在本发明中，优选记录层的厚度为4nm～30nm。在该范围内，将充分吸收入射激光束，因此记录灵敏度优良，且记录信号的振幅将足够大。另一方面，可充分确保反射率，且通过物质A的分解所释放的气体的量将在适当的范围内，因此使记录层具有上述结构的效果是显著的。
此外，在本发明中，优选提供与记录层相接触的粘着层。通过提供该粘着层，当物质A在记录期间分解时，可以防止与记录层相接触的层从记录层上剥离。
在该情况下，优选提供与粘着层相接触的保护层。即，在记录期间，在上述记录层和上述保护层之间容易发生剥离，通过在它们之间提供粘 着层，可以防止它们之间的剥离。
此外，优选上述粘着层包含分解温度高于上述物质A的物质。即，如果上述粘着层包含分解温度高于上述物质A的物质，即使上述物质A在记录期间分解，包含在粘着层中的材料也不会分解，由此可以获得良好的记录状态。
此外，优选上述粘着层包含选自GeN、ZrO、ZnO和SiC的至少一种物质作为主要成分。即，即使上述物质A在记录期间分解，上述粘着层也会因包含GeN、ZrO、ZnO或SiC作为主要成分而不会分解，从而可以获得良好的记录状态。
此外，在本发明中，优选在记录层的记录激光波长处的消光系数为至少0.2且最大为1.6。在该范围内，入射激光束的吸收是充分的，因此记录灵敏度优良，且可获得充分的反射率。
在本发明中，“化学反应”是指物质通过自身或与其它物质相互作用而变成另一种物质的现象。具体地，“物质B发生化学反应”是指物质B分解，或物质B与其它物质化合。这里，“化合”是指至少两种元素的原子通过化学键合力而彼此键合。因此，“物质B的化合”是指物质B键合到其它物质或其它元素的原子上。
另一方面，相变中的“相”是指固相、液相和气相中的一种。因此，“相变”是指在固相、液相和气相中的两相间从一相向另一相的变化。
此外，“物质”是指单一的元素或由多种元素构成的化合物，并为在常温(25℃)和正常湿度(50％相对湿度)下通常为固体的物质。
物质“分解”是指在该物质是由多种元素构成的化合物的情况下“该物质变成至少两种更简单物质”。
物质的“分解温度”是指在该物质是由多种元素构成的化合物的情况下“该物质变成至少两种更简单物质的温度”。此外，物质的“熔点”是指“物质熔融的温度”。
根据本发明，可以得到适用于信息高密度化的记录介质。特别地，可以得到具有宽记录功率范围的一次写入多次读取的光学记录介质，在该记录功率范围内可以获得优良的记录信号特性。
附图说明
图1是说明本发明的一次写入多次读取的光学记录介质的结构例的示意图。
图2是说明本发明的一次写入多次读取的光学记录介质的结构例的示意图。
图3是说明本发明的一次写入多次读取的光学记录介质的结构例的示意图。
图4是说明本发明的一次写入多次读取的光学记录介质的结构例的示意图。
图5是说明本发明的一次写入多次读取的光学记录介质的结构例的示意图。
图6是说明本发明的一次写入多次读取的光学记录介质的结构例的示意图。
图7是显示本发明实施例的一次写入多次读取的光学记录介质的抖动与记录功率的关系图。
图8是显示本发明另一实施例的一次写入多次读取的光学记录介质的抖动与记录功率的关系图。
图9是显示本发明又一实施例的一次写入多次读取的光学记录介质的抖动与记录功率的关系图。
图10是说明本发明的一次写入多次读取的光学记录介质的结构例的示意图。
图11是说明本发明的一次写入多次读取的光学记录介质的结构例的示意图。
图12是说明本发明的一次写入多次读取的光学记录介质的结构例的示意图。
图13是显示本发明另一实施例的一次写入多次读取的光学记录介质的抖动与记录功率的关系图。
符号说明
1：基质
2：反射层
3，5：保护层
4：记录层
6：透光层
7：防扩散层
8：底层
9：保护性涂层
10：粘着层
具体实施方式
现在，通过参考实用的实施方式对本发明进行详细描述，但应理解本发明绝不局限于这些实施方式，并可在其范围内通过对其进行多种改进而实施。
本发明的记录介质是具有记录层，由此可通过加热记录层进行记录的记录介质，其特征在于所述记录层包含物质A和物质B，所述物质A在记录时的加热中记录层所达到的温度下分解，所述物质B在记录时的加热中记录层所达到的温度下不会发生化学反应或相变。
设计所述记录介质，使得通过加热记录层来改变记录层的物理参数，如折射率或形状，且可以利用改变之前和之后所述物理参数值间的差值进行信息的记录或读取。
例如，可通过用光对记录介质进行局部照射，且通过用光照射所产生的热来加热记录层的方法(例如，通过用激光束照射对记录介质的记录层进行加热的方法)来进行记录层的加热。此外，例如，可通过将电压局部施加到记录介质上，且用焦耳(Joule)热加热记录层的方法来进行记录层的加热。加热记录层的方法没有特别的限定。并且，物质A在加热时记录层所达到的温度下分解，由此改变了记录层的物理参数值如折射率、电阻、形状或密度。在该情况下，如果仅将物质A加入到记录层中，记录层的分解量的控制趋于困难。
在本发明中，在通过记录层的加热所达到的温度下稳定的物质B与物质A一起包含在记录层中。由于物质B的存在，可以令人满意地控制 物质A的分解量和控制信息记录部分的形状(尺寸)以及控制信息的记录位置。例如，通过调节物质A和物质B的含量，可以有助于控制记录标记的尺寸或用于形成记录标记的位置。
具体地，可作出调节以使得物质B在加热时记录层所达到的温度下不发生化学变化或相变。通过如上所述调节物质B的性质，可进行恒定的记录。
为了得到更稳定的物质B，物质B优选在加热时记录层所达到的温度下不发生化学反应和相变。这里，“物质B的化学反应”可以为例如物质B分解的情况，或为物质B与其它物质化合的情况。此外，“物质B的相变”可以为例如物质B熔融的情况，或为物质B升华的情况。
因此，优选物质B在记录层所达到的温度下不发生分解或化合。同样，优选物质B在记录层所达到的温度下不熔融或升华。即，通过使用具有上述性质的物质作为物质B，可更加令人满意地控制记录标记的尺寸或记录标记的位置。
为了维持物质A和物质B之间的关系，物质A的分解温度和物质B的分解温度或熔点之间的差值优选至少为200℃，更优选至少为300℃，进一步优选至少为500℃，特别优选至少为1,000℃。在该范围内，本发明的效果是明显的。
物质A的分解温度和物质B的分解温度或熔点之间的差值越大越好。然而，实际上该差值最高为3,000℃。
本发明中所使用的物质A和物质B并没有特别的限定，只要它们是在记录时的加热中记录层所达到的温度下具有上述特性的物质便可。因此，根据通过如上所述加热记录层的方法在记录期间记录层所达到的温度，物质A和物质B可有多种选择。通过参考下述作为实例的一次写入多次读取的光学记录介质的记录层，将进一步详细描述物质A和物质B的优选类型、物质A和物质B的比、物质A和物质B在整个记录层中的比例等。
这里，一次写入多次读取的光学记录介质是用在本发明中的记录介质的优选实例。因此，下面涉及物质A和B的描述并不仅仅限于应用于 一次写入多次读取的光学记录介质。即，不用说，下面涉及物质A和B的描述可应用于除一次写入多次读取的光学记录介质以外的记录介质。
本发明的记录介质的层结构并没有特别的限定，只要其至少具有记录层并根据记录方法进行适当选择便可。
在本发明中，特别优选上述记录介质是在基质上具有记录层的一次写入多次读取的光学记录介质，由此可通过激光照射进行记录。一次写入多次读取的光学记录介质应用广泛，且对其高密度化的需求很高。因此，当将本发明的记录介质制成一次写入多次读取的光学记录介质时，可显著获得本发明的效果。
现在，将参考该特别优选实施方式进一步详细地描述本发明。当然，用于本发明的记录介质决不局限于下面的一次写入多次读取的光学记录介质的模式。
一次写入多次读取的光学记录介质
在本发明中作为特别优选实施方式的一次写入多次读取的光学记录介质是在基质上具有记录层的记录介质，因此通常通过用激光照射记录层来进行记录。现在，将详细描述构成一次写入多次读取的光学记录介质的记录层和基质
(1)记录层
用于本发明的记录层是包含物质A和物质B的记录层，物质A可以在记录时的加热中记录层所达到的温度下分解，而物质B在记录时的加热中记录层所达到的温度下不发生化学反应或相变。
在本发明中，包含在记录层中的物质A和物质B的关系优选如下。
即，优选物质A是分解温度最高为1,200℃的物质，物质B是在最高1,500℃时并不具有分解温度和熔点的物质。现在将描述组合使用物质A和物质B的原因以及在上述范围内调节分解温度等的原因。
通过由激光照射造成的记录层温度的升高(通常温度升高的极限约为1,200℃)，物质A将会分解。
如果使用在分解时释放气体的物质，例如具有低分解温度的氮化物 或氧化物作为物质A，且通过仅使用该物质A用于记录层来尝试进行高密度记录，可充分地获得信号振幅。然而，使用该记录层的一次写入多次读取的光学记录介质具有记录信号特性如抖动值趋于不足，以及提供合适记录信号特性的记录功率范围非常窄的问题。这被认为如果只将物质A用于记录层，则不能令人满意地控制记录标记的尺寸。即，如果只将物质A用于记录层，通过激光照射所释放的气体的量将增加，且记录层的形变量将趋于过度。因此，据认为很难以良好的精度控制高密度记录所需的小记录标记的尺寸。
在本发明中，作为通过激光照射可分解的物质A，例如可以使用在通过激光照射分解时放出气体的物质。并且，在本发明中，通过与所述物质A组合使用在激光照射时不发生化学反应或相变或者其它变化的物质B(将稳定地存在于记录层中)，即使当应用于高密度记录时也能得到宽的功率余量。
即，与含有物质A的单一物质的记录层相比，在组合使用物质A和物质B的记录层中，如果记录层的厚度相等，通过激光照射从单位面积释放出的气体量将减少。因此，还可以降低记录时的形变量，并能够以良好的精度控制记录标记的尺寸。
如上所述，对于通过激光照射加热记录层，约1,200℃是实用的上限。因此，在通过加热记录层时记录层所达到的温度下要求物质A分解，且分解温度优选为最高1,200℃。然而，如果物质A的分解温度过低，有时会损害记录介质随时间的稳定性。因此，物质A的分解温度的下限通常为至少100℃，优选为至少150℃，更优选为至少200℃。根据记录介质的特定应用，可以设定物质A的分解温度的下限，使得可以得到足够的余量。
另一方面，作为物质B，优选使用在最高1,500℃下不具有分解温度和熔点的物质。如果将该物质用作物质B，通过记录时的加热或通过其它环境变化它将不会发生分解和其它变化，这是合乎需要的。物质B的分解温度和熔点的上限并没有特别的限定，但通常其分解温度或熔点最高为3,500℃。
物质A和物质B的种类
用作物质A和物质B的材料并没有特别地限定，只要它们满足在本发明中的规定性质便可。出于可很容易地满足该性质的原因，对于物质A和物质B均优选使用无机物质。无机物质具有这样的优点：能够容易地分别得到在记录层的温度升高时可分解的物质和在记录层温度升高时可稳定存在而不会分解的物质。
更具体地，物质A和物质B各自优选为氮化物和/或氧化物。即，氮化物和氧化物具有小的粒径并在降低记录信号噪声方面是优异的，并且可以选择具有合适的光学常数(折射率和消光系数)的物质。
此外，如果将达到分解温度时可放出气态氮气或气态氧气的氮化物和/或氧化物用作物质A，通过此时的体积改变在记录层上将产生大的形变，同时，可产成大的光学变化，由此可得到大的信号振幅。
此外，如果将在记录时的加热中记录层所达到的温度下不发生化学反应或相变的氧化物和/或氮化物(优选具有至少为1,500℃的分解温度和熔点)用作物质B，可以选择极其稳定的物质。此外，该物质具有与其它物质的低反应活性，因此可制备极其稳定的记录介质。
如上所述，作为物质A和物质B，优选使用氮化物和/或氧化物。作为物质A，可以选择单独的氮化物、单独的氧化物和氮化物与氧化物的混合物中的任意一种。同样，作为物质B，可以选择单独的氮化物、单独的氧化物和氮化物与氧化物的混合物中的任意一种。
其中，作为物质A，优选使用单独的氮化物或单独的氧化物。即，如果将氮化物和氧化物的混合物用作物质A，当加热记录层时分解反应将是多步进行的，因此有时标记形状的控制将变得困难。
另一方面，物质B可以仅仅是在加热记录层的状态下稳定地存在，并且可以为单独的氮化物、单独的氧化物和氮化物与氧化物的混合物中的任意一种。通过适当地选择物质B的类型，可以令人满意地控制记录层的光学特性等。
当将氮化物或氧化物用作物质A时，所使用的氮化物或氧化物可以为一种类型或多种类型。然而，物质A(例如，分解温度最高为1,200℃ 的物质)优选为一种类型。即，如果通过用激光照射的温度升高进行分解的物质是多种类型，则在记录时的反应将为多步反应，因此将可能是标记形状的控制变得困难的情况。
另一方面，如上所述，用作物质B的在记录时的加热中记录层所达到的温度下不发生化学反应或相变的的物质(优选在最高1,500℃下不具有分解温度和熔点)可以是以一种类型或多种类型使用的氮化物或氧化物。根据记录层所需的特性，可以适当地选择用于物质B的氮化物或氧化物的类型。
作为物质A和物质B的组合，可以使用氮化物的组合、氧化物的组合或氮化物和氧化物的组合。然而，优选氮化物与氮化物的组合或氧化物与氧化物的组合。即，优选在最高为在记录时的加热中记录层所达到的温度(例如1,200℃)具有分解温度的氮化物，与在记录时的加热中记录层所达到的温度下不发生化学反应或相变的氮化物(其优选在最高1,500℃不具有分解温度和熔点)的组合。此外，优选在最高为在记录时的加热中记录层所达到的温度(例如1,200℃)具有分解温度的氧化物，与在记录时的加热中记录层所达到的温度下不发生化学反应或相变的氧化物(其优选在最高1,500℃不具有分解温度和熔点)的组合。即，在制备该记录层的许多情况中可以使用反应性溅射法，氮化物的组合或氧化物的组合使制备变得更为容易。
此外，作为物质A和物质B的优选组合，可以提及相同金属或半导体氧化物和氮化物的组合。即，优选在最高为在记录时的加热中记录层所达到的温度(例如1,200℃)具有分解温度的金属或半导体氮化物，与在记录时的加热中记录层所达到的温度下不发生化学反应或相变的金属或半导体氧化物(其优选在最高1,500℃不具有分解温度和熔点)的组合。此外，优选在最高为在记录时的加热中记录层所达到的温度(例如1,200℃)具有分解温度的金属或半导体氧化物，与在记录时的加热中记录层所达到的温度下不发生化学反应或相变的金属或半导体氮化物(其优选在最高1,500℃不具有分解温度和熔点)的组合。即，在制备该记录层的许多情况中可以使用反应性溅射法，且通过利用包含氧气和氮气的混合气体作为 反应性气体可以使制备变得更为容易。
作为物质A，优选使用在最高为在记录时的加热中记录层所达到的温度(例如1,200℃)具有分解温度的金属氮化物或半导体氮化物。作为该氮化物，可以提及选自Cr、Mo、W、Fe、Ge、Sn和Sb的一种元素的氮化物。其中，从记录后的稳定性和低噪声的角度来看，优选Mo、Ge、Sn或Sb的氮化物，特别优选Sn或Sb的氮化物。
此外，作为物质A，还可以提及在最高为在记录时的加热中记录层所达到的温度(例如1,200℃)具有分解温度的金属氧化物或半导体氧化物。作为该氧化物，优选使用选自Ir、Au、Ag和Pt的一种元素的氧化物。其中，从记录后的稳定性和低噪声的角度来看，特别优选Au、Ag或Pt的氧化物。
在记录时记录层所达到的温度下，该金属氮化物、半导体氮化物、金属氧化物或半导体氧化物可以释放出氮气或氧气，并可分解成金属或半导体单体。
对于上面所例举的一些作为物质A的金属氮化物、半导体氮化物、金属氧化物和半导体氧化物，其分解温度示于表1中。
表1
  物质A的实例   分解温度(℃)   *1
  Cr氮化物   1,080   文献1
  Mo氮化物   200   实验
  W氮化物   300   实验
  Fe氮化物   200～440   文献2
  Ge氮化物   700   实验
  Sn氮化物   340   实验
  Sb氮化物   280   实验
  Ir氧化物   400   文献2
  Au氧化物   205   文献2
  Ag氧化物   300   文献2
  Pt氧化物   500～560   文献2
*1
文献1：丸善株式会社于1988年9月20日出版的Encyclopedia ofChemical Technology。
文献2：丸善株式会社于1975年6月20日出版的Handbook ofChemistry，Basic，第2版。
实验：TG-MS(热重分析法-质谱法)法：在使用Agilent生产的装置5773N，Seiko Tg/DTA6300于氦气氛中以10℃/分钟的速率加热用溅射法以约 的厚度形成在硅晶片上的薄膜的过程中，检测了薄膜的质量变化和(氮气)气体的释放。将开始释放出能够以较高精度测量的氮气时的温度作为分解温度。
因此，作为物质A，可以使用具有在记录时的加热中记录层所达到的温度下分解这种性质的物质。当然，在记录时存在于记录层的被加热部分(记录层达到预定温度的部分)中的所有物质A都分解并不是必要的。即，在本发明中，在记录层中进行记录的部分(在记录时达到预定温度的部分)中的物理值进行所需变化是足够的。如果进行该记录的区域中所存在的物质A的分解量能够引发物理值的所需变化，则该分解量是足够的。通过记录所分解的物质A的量通常为存在于记录区域中的所有物质A的至少50％，优选为至少60％，更优选为至少70％。另一方面，所分解的物质A的量越大越好。然而，其通常最高为99.9％。
另一方面，作为物质B，优选使用在记录时的加热中记录层所达到的温度下不发生化学反应或相变的金属氮化物或半导体氮化物(其优选在最高1,500℃下不具有分解温度和熔点)。作为该氮化物，可以提及选自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Al和Si的至少一种元素的氮化物。其中，从稳定性或低价格的角度来看，优选Ti、V、Nb、11a、Al或Si的氮化物，特别优选Ti、V、Nb、Ta或Si的氮化物。最优选V或Nb的氮化物。
此外，作为物质B，还可以提及在记录时的加热中记录层所达到的温度下不发生化学反应或相变的金属氧化物或半导体氧化物(其优选在最高1,500℃下不具有分解温度和熔点)。作为该氧化物，优选使用选自Zn、 Al、Y、Zr、Ti、Nb、Ni、Mg和Si的至少一种元素的氧化物。其中，从记录后的稳定性和低噪声的角度来看，特别优选Zn、Al、Y、Zr、Nb或Si的氧化物。
对于上述的一些作为物质B的金属氮化物、半导体氮化物、金属氧化物和半导体氧化物，其分解温度或熔点示于表2中。
表2
Figure S04823951520060302D000151
*2
文献1：丸善株式会社于1988年9月20日出版的Encyclopedia ofChemical Technology。
文献2：丸善株式会社于1975年6月20日出版的Handbook of Chemistry，Basic，第2版。
因此，作为物质B，可以使用在记录时的加热中记录层所达到的温度下不发生化学反应(作为化学反应，例如可以提及“分解”或“化合”)或相变(作为相变，例如可提及“熔融”或“升华”)的物质。即，理想地，物质B优选在记录时通过加热不发生化学反应或相变。然而，实际上，存在于记录层的加热部分(记录层达到预定温度的区域)的物质B在记录时可以微量地发生化学反应或相变。即，只要可以令人满意地保持记录品质(例如记录标记的的形状和位置)，在记录时并不要求存在于记录层的加热部分(记录层达到预定温度的区域)的物质B在全部量上保持稳定。通过记录可发生化学反应或相变的物质B的量通常为存在于进行记录的区域内的所有物质B的至多10％，优选至多为5％，更优选至多为1％。另一方面，所分解的物质B的量越少越好。然而，实际上，据推测发生了0.01％水平的分解。
物质A和物质B的比例
当物质A和物质B各自由氮化物和/或氧化物构成时，优选构成物质A的元素中除氮和氧之外的元素α和构成物质B的元素中除氮和氧之外的元素β满足0.03≤(β的原子数)/((α的原子数)+(β的原子数))≤0.95的关系。即，优选存在于记录层中的元素β的原子数相对于元素α的原子数和元素β的原子数的总和至少为0.03且至多为0.95。(β的原子数)/((α的原子数)+(β的原子数))优选至少为0.03，更优选至少为0.05。在该范围内，加入物质B的效果变得足够显著。另一方面，(β的原子数)/((α的原子数)+(β的原子数))优选至多为0.95，更优选至多为0.9，进一步更优选至多为0.8，特别优选至多为0.7。在该范围内，可以充分地得到记录信号的振幅。
在组合使用至少两种类型的氮化物和/或氧化物作为物质A或物质B的情况下，将适用于以下情况。即，(α的原子数)是构成物质A的元素中除氮和氧之外的元素的原子数的总和。此外，(β的原子数)是构成物质B的元素中除氮和氧之外的元素的原子数的总和。且优选(α的原子数)和(β 的原子数)满足上述关系。
例如，在只使用一种类型的分解温度最高为1,200℃的氮化物或氧化物作为物质A，和组合使用至少两种类型的在最高1,500℃下不具有分解温度和熔点的氮化物或氧化物作为物质B的情况下，优选使物质A和物质B为如下比例。
即，当用ANx或AOx(例如A是金属或半导体)代表分解温度最高为1,200℃的氮化物或氧化物，且用B1Ny1…BnNyn，或B1Oy1…BnOyn (B1…Bn是金属元素或半导体)代表n种类型的在最高1,500℃下不具有分解温度和熔点的氮化物或氧化物时，由下式(1)代表的原子数比优选至少为0.03，更优选至少为0.05，另一方面，优选至多为0.95，更优选至多为0.9，进一步优选至多为0.8，特别优选至多为0.7：
(B1的原子数+…+Bn的原子数)/(A的原子数+B1的原子数+…Bn的原子数)(1)
在上述范围内，可以充分地得到记录信号的振幅，同时可充分地获得添加在最高1,500℃下不具有分解温度和熔点的氮化物或氧化物的效果。
可以用电子探针微量分析法(EPMA)、X射线光电子谱法(XPS)、俄歇电子谱法(AES)、卢瑟福背散射法(RBS)、电感耦合等离子体法(ICP)等或其组合来进行所述记录层的组成分析。
物质A和物质B在整个记录层中的比例
在本发明中，记录层优选包含物质A和物质B作为主要成分。
这里，在本发明中，“包含预定材料(预定材料可解释为“预定物质”或“预定组成”)作为主要组分”是指所述预定材料在全部材料或在整个层中的含量至少为50重量％。
为了充分地得到本发明的效果，物质A和物质B在整个记录层中的总量通常为至少50重量％，优选至少为60重量％，更优选为至少为70重量％。
此外，作为记录层，为了调节记录层的光学常数和导热性，除物质A和物质B外，在整个记录层中还可以以至多30重量％，优选至多为20重量％，更优选至多为10重量％的量包含例如Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Co、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Al、Si、Ge、Sn、Sb、Bi或镧系金属等金属和半导体的单体或半氧化物。另一方面，在加入上述金属和半导体的单体或半氧化物的情况下，其含量通常为至少0.001重量％。在上述范围内，可以令人满意地得到加入金属和半导体的单体或半氧化物的效果。
这里，“半氧化物”是指在氧化物的化学计量组成中欠缺氧的状态。
所述金属和半导体的单体或半氧化物在通过激光照射造成的温度升高下在氧化状态下发生熔融或变化。然而，该变化与物质A的分解相比通常很小。因此，如果在整个记录层中占有的比例处于上述范围内，该变化不会对记录特性产生严重影响。并且，为了例如调节光学常数或导热性，可以使用上述金属和半导体的单体或半氧化物。
记录层的其它特性
在本发明中，根据特定应用可以适当地确定记录层的消光系数。然而，记录层的消光系数的下限在用于记录/读取的激光的波长处优选为至少0.2，更优选为至少0.3。在该范围内，记录层上入射激光束的吸收是充分的，且记录灵敏度优良。另一方面，消光系数的上限优选为至多1.6，更优选为至多1.4，特别优选为至多1.2。在该范围内，将不存在记录层上的光吸收如此之大使得不能得到足够的反射率的问题。
在本发明中，可以通过椭圆光度法同时测量消光系数和折射率。
此外，根据特定应用可以适当地确定记录层的厚度。记录层的厚度的下限通常为至少4nm，优选为至少6nm。在该范围内，入射激光束的吸收变得很大，由此灵敏度优良，此外，可以充分得到记录信号的振幅。另一方面，记录层的厚度的上限通常为至多30nm，优选为至多25nm，更优选为至多20nm。在该范围内，将不存在记录层上的吸收如此之大使得反射率下降，或所释放的气体量变得如此之大以至于添加物质B(其优选是在最高1,500℃下不具有分解温度和熔点的氮化物或氧化物)的效果 很小的问题。
记录层的制备方法
在本发明中，通常以溅射法制备记录层。例如，可以通过如下的溅射法进行制备：使微量Ar气在真空室中流通到预定的真空度，并对由物质A制成的靶和由物质B制成的靶施加电压以进行放电从而形成薄膜。此外，例如，可以通过如下的溅射法进行制备：使微量Ar气在真空室中流通到预定的真空度，并对由物质A和物质B的混合物制成的靶施加电压以进行放电从而形成薄膜。
在采用金属氮化物或氧化物、或者半导体氮化物或氧化物作为物质A和物质B的情况下，也可使用通过下面的反应性溅射法的制备方法。
即，通过将微量的Ar、N2或O2的混合气体在真空室中流通到预定的真空度来进行反应性溅射。并且，将电压施加到由包含使其氮化物或氧化物成为物质A的金属或半导体和使其氮化物或氧化物成为物质B的金属或半导体的混合物制成的靶上以进行放电。并且，所溅射的金属或半导体的复合物可以与N2或O2反应形成为膜形式的氮化物或氧化物，以进行反应性溅射。
此外，除了使用混合物的靶外，可通过由多个单体靶同时进行放电的共溅射法来形成记录层。
(2)基质
特别是在本发明的记录介质是一次写入多次读取的光学记录介质的情况下，将上述记录层形成在基质上。
作为用于本发明的一次写入多次读取的光学记录介质的基质，可以使用树脂例如聚碳酸酯、丙烯酸树酯或聚烯烃；玻璃；或诸如铝等金属。通常，在基质上形成深度为约15nm～250nm的导槽，且优选基质是由树脂制成，因此可以通过模塑法形成该导槽。此外，在使用于记录/读取的聚焦激光束从基质侧入射的所谓基质侧入射(图5和6)的情况下，基质优选是透明的。
根据特定应用可以适当地确定该基质的厚度。然而，下限通常为至 少0.3mm，优选至少0.5mm，和上限通常为最大3mm，优选为最大2mm。
(3)其它层
本发明的一次写入多次读取的光学记录介质可以为至少具有基质和记录层的光学记录介质。因此，对层结构并没有特别的限定。例如，本发明的一次写入多次读取的光学记录介质可以具有形成在记录层的至少一侧上的耐热保护层。此外，例如，本发明的一次写入多次读取的光学记录介质可以在与激光照射侧相对的记录层侧上具有反射层。所以，本发明的一次写入多次读取的光学记录介质可以具有叠压的具有具备特定功能的层的光学多层结构。
此外，所述各层可以由两层或两层以上形成，并且可以在它们之间提供中间层。例如，在使聚焦激光束从基质侧入射的情况下，可以将半透明的极薄金属、半导体或吸收性介电层提供在基质和保护层之间，或者在使聚焦激光束从与基质的相对侧入射的情况下，将其提供在保护层上。通过该介电层，例如可以控制进入到记录层中的激光的能量。现在，将通过参考具体例子来详细描述本发明的一次写入多次读取的光学记录介质的层结构，但应理解本发明并不仅限于下面的具体例子。
一次写入多次读取的光学记录介质的一个实施方式
图1是说明可用于本发明的一次写入多次读取的光学记录介质的一个实施方式的放大截面图。如图1中所示，该一次写入多次读取的光学记录介质通过顺序地依次在基质1上层压反射层2、反射层侧的保护层3、记录层4、激光束入射侧的保护层5和透光层6而构成，并被设计成可以通过使激光束从透光层6侧进入而进行记录和读取。
层结构并不需要限于图1的结构。例如，如图2中所示，也可以采用基于图1的结构，在反射层2和保护层3之间提供防扩散层7的层结构。另外，如图3和图4中所示，可以采用基于图1和图2所示的结构，在基质1和反射层2之间提供底层8的层结构。另外，如图10中所示，可以采用在记录层4和保护层3之间以及在记录层4和保护层5之间提供粘着层10的层结构(当然，可以将粘着层10提供在记录层4和保护层 3之间或者提供在记录层4和保护层5之间)。此外，如图11中所示，可以采用用粘着层10来代替保护层3的层结构(当然，可以用粘着层10来代替保护层5)。这里，根据所期望的性能，当然可以适当地对上述层结构进行组合。
此外，如图5和图6中所示，相对于图1和图2中所示的层结构，可以使用相对于基质进行反向层压所形成的基质侧入射型光学记录介质的层结构。此外，在基质侧入射型光学记录介质中，当然可以选择性地使用上述防扩散层7或上述粘着层10。
此外，作为本发明的一次写入多次读取的光学记录介质，可以广泛使用例如保护层或反射层是由双层构成的结构。现在将详细描述各层。
(1)记录层4
记录层4如以上[1]中所述。
(2)基质1
基质1如以上[1]中所述。
(3)反射层2
对于反射层2，除Ag或Ag合金以外，可以使用诸如Al、Au和包含它们作为主要成分的合金等各种材料。
作为用于反射层的材料，优选使用包含Ag或Al作为主要成分的合金，该合金具有高导热性和高散热效果。
更具体地，适用于本发明的反射层的材料可以为纯Ag或在Ag中包含选自Ti、V、Ta、Nb、W、Co、Cr、Si、Ge、Sn、Sc、Hf、Pd、Rh、Au、Pt、Mg、Zr、Mo、Cu、Nd和Mn的至少一种元素的Ag合金。在随时间的稳定性更为重要的情况下，优选使用Ti、Mg、Au、Cu、Nd和Pd中的至少一种作为添加成分。
此外，作为用于反射层的材料的另一个优选实例，可以提及在Al中包含选自Ta、Ti、Co、Cr、Si、Sc、Hf、Pd、Pt、Mg、Zr、Mo和Mn 的至少一种元素的Al合金。已知该合金可以改善耐小丘性(hillockresistance)，并且考虑到耐用性、体积电阻率、沉积速度等，该合金也可以使用。
加入到Ag和Al中的其它元素的量通常为至少0.1原子％，优选为至少0.2原子％。相对于Al合金，如果所述元素的含量太小，尽管还取决于沉积条件，但在很多情况下耐小丘性将趋于不足。另一方面，上述元素的含量通常为最高5原子％，优选为最高2原子％，更优选为最高1原子％。如果该量过大，则反射层的电阻将趋于变高(导热性趋于变小)。
在使用Al合金的情况下，可以使用包含0～2重量％的Si、0.5～2重量％的Mg和0～0.2重量％的Ti的Al合金。Si具有抑制细微剥离缺陷的作用。然而，如果其含量过大，则随着时间的推移导热性会发生变化。因此，Si通常为最高2重量％，优选为最高1.5重量％。此外，Mg能够改善反射层的耐腐蚀性，但如果其含量过大，则随着时间的推移导热性易于发生变化，其含量通常为最高2重量％，优选为最高1.5重量％。Ti含量通常为最高0.2重量％。Ti具有防止溅射率变化的作用。然而，如果Ti含量过大，则反射层的导热性趋于变低，且具有在微观水平上均匀地固溶化的Ti的本体的铸造将趋于困难，而且靶成本趋于升高。因此，Ti的含量优选在上述范围内。
反射层的厚度通常为至少40nm，优选为至少50nm，另一方面，通常为最大300nm，优选为最大200nm。如果厚度过厚，即使可以降低薄层电阻，但是不仅不能得到充分的散热效果，而且记录灵敏度趋于恶化。据认为这归因于以下事实：每单位面积的热容量增大，且自身的散热需要时间，因此散热效果趋于变小。另外，因为厚度增大，沉积需要时间，且材料成本趋于升高。另一方面，如果厚度过薄，在膜生长的初始阶段的岛状结构的影响趋于明显，因此有时反射率或导热性会下降。
通常用溅射法或真空气相沉积法形成反射层。优选将包括靶或气相沉积材料本身中的杂质的量以及沉积过程中所包括的湿气和氧气的量的杂质总量控制到小于2原子％的水平。为了这个目的，当用溅射法形成反射层时，优选将处理室的极限真空度调节到小于1×10-3Pa。
此外，当在极限真空度小于10-4Pa下进行沉积时，优选通过将沉积速率调节到至少为1nm/秒，优选至少为10nm/秒的水平来防止夹杂有杂质。另外，在包含大于1原子％的有目的的添加元素的情况下，优选通过将沉积速率调节到至少10nm/秒的水平来尽可能地防止夹杂其它杂质。
为了获得更高的导热性和可靠性，具有由多层构成的反射层也是有效的。在该情况下，至少一层优选由具有反射层总厚度的至少50％的厚度的上述材料制成。通常，如此进行设计以使得该层实质上可以支配散热效果，并且其它层有助于耐腐蚀性、对保护层的粘合性和对耐小丘性的改善性。
(4)保护层3和5
保护层3和保护层5通常具有下面三种作用。即，它们具有防止在记录过程中在记录层上产生的热向其它层如基质扩散的作用、通过干涉效应控制光学记录介质的反射率的作用和在高温高湿度环境下作为隔绝层来阻隔湿气的作用。
作为用于形成保护层的材料，通常可以提及介电材料。介电材料例如可以为Sc、Y、Ce、La、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Zn、Al、Cr、In、Si、Ge、Sn、Sb或Te的氧化物；Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Zn、B、Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Sb或Pb的氮化物；或Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Zn、B、Al、Ga、In或Si的碳化物。此外，可以提及该氧化物、氮化物和碳化物的混合物。此外，介电材料可以为Zn、Y、Cd、Ga、In、Si、Ge、Sn、Pb、Sb或Bi的硫化物、硒化物或碲化物，Mg或Ca等的氟化物，或其混合物。
在这些材料中，从高沉积速度、低膜应力、由温度变化导致的低体积变化和优良的耐候性的角度来看，例如可以广泛使用ZnS-SiO2、SiN、Ta2O5或Y2O2S。
保护层的厚度根据保护层在光学记录介质中的使用位置而变化。然而，通常保护层的厚度至少为5nm以行使作为保护层的功能。另一方面，为了使构成保护层的介电材料自身的内部应力和与其接触的层的弹性特征的差异达到最小化以避免破裂，优选其厚度最大为500nm。通常，采
用构成保护层的材料，沉积速度小且沉积时间长。为了缩短沉积时间从而缩短制备时间来降低成本，优选将保护层的厚度控制到最大为300nm的水平。保护层的厚度更优选最大为200nm。
根据保护层在光学记录介质中的使用位置，可以改变保护层所需的功能。因此，其厚度根据保护层的使用位置而改变。
在图1～6和图10～12各图中在激光束入射侧的保护层5的厚度通常为至少10nm，优选为至少20nm，更优选为至少30nm。在该范围内，具有防止由于基质或记录层的受热而导致的变形的充分效果，并且可以充分得到保护层的作用。另一方面，其厚度通常为最大500nm，优选为最大300nm，更优选为最大200nm。如果厚度过大，则由于层自身的内部应力可能会导致破裂，且生产性也会恶化。在上述范围内，可以防止破裂且可以令人满意地保持生产性。
另一方面，在图1～6、10～12各图中在反射层侧的保护层3的厚度通常为至少2nm，优选为至少4nm，更优选为至少6nm。在该范围内，可以有效地抑制记录层的过度变形。另一方面，在反射层侧的保护层3的厚度通常为最大100nm，优选为最大80nm。在该范围内，可以得到对记录层的冷却效果，且可以确保对记录标记长度的控制。
保护层通常由溅射法形成。优选将包括靶本身中的杂质的量以及沉积过程中所包括的湿气和氧气的量的杂质总量控制到小于2原子％的水平。为了这个目的，当用溅射法形成保护层时，优选将处理室的极限真空度设定为小于1×10-3Pa。
(5)透光层6
需要透光层6来对溅射膜进行防潮或防尘，并同时行使作为薄入射基质的作用。因此，优选其对于用于记录/读取的激光束是透明的，同时其厚度优选为50μm～150μm。此外，对于透光层6的厚度分布，优选在光学记录介质上实现5μm以内的均匀的厚度分布。通常通过旋涂法施加紫外线固化性树脂，然后固化或通过粘合透明片材来形成透光层6。
(6)防扩散层7
防扩散层7的主要目的是防止用于反射层侧的保护层3的介电材料的成分向金属反射层2扩散。对于反射层2，从优良导热性或经济性的角度考虑，可以广泛使用银或银合金。另一方面，对于在反射层侧的保护层3，从沉积后的膜应力小、耐热性优良、沉积速度高等角度考虑，可以广泛使用ZnS-SiO2。如图1、3或5中所示，如果提供这两者作为反射层2和反射层侧的保护层3使得它们相互直接接触，则反射层侧的保护层3的ZnS-SiO2中的硫可能会扩散到由银或银合金制成的反射层2上，因此导致反射层的反射率下降或导热性下降。因此，优选提供防扩散层7以防止扩散并提高储存稳定性。
因此，作为用于防扩散层7的材料，可以使用本身极其稳定且几乎不扩散到反射层的材料(特别是银或银合金中)中的材料(其与银或银合金几乎不形成物质或固溶体)。另一方面，作为用于防扩散层7的材料，可以使用与包含在保护层中的硫具有低反应活性或其硫化物化学上稳定的材料。
作为用于防扩散层7的材料，优选是能够满足以下条件的材料：几乎不扩散到反射层中，对反射层的粘合性优良，几乎不允许保护层的材料扩散和对保护层的粘合性优良。只要满足这些条件，可从诸如金属、半导体、金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物、半导体氧化物、半导体氮化物、半导体碳化物、氟化物和无定形碳等单一物质及其混合物中适当地选用防扩散层7的材料。满足上述条件的金属和半导体例如可以为Si、Ti、Cr、Ta、Nb、Pd、Ni、Co、Mo和W。其中，从粘合性和与反射层的低反应性的角度考虑，优选Cr、Ta、Nb、Ni或Mo。此外，作为化合物，例如可以提及SiN、SiO2、SiC、GeN、ZnO、Al2O3、Ta2O5、TaN、Nb2O5、ZrO2、稀土氧化物、TiN、CrN、CaF2和MgF2。其中，从粘合性和与反射层的低反应性的角度考虑，优选SiN、GeN、ZnO或Nb2O5。
单一物质的实例为如上所述，但也可提及它们的混合物。作为该材料的典型实例，可以提及使用Ge-N的实例，包括Ge-Si-N、Ge-Sb-N、Ge-Cr-N、Ge-Al-N、Ge-Mo-N和Ge-Ti-N。即，可以提及与Ge一起包含例如Al、B、Ba、Bi、C、Ca、Ce、Cr、Dy、Eu、Ga、In、K、La、Mo、 Nb、Ni、Pb、Pd、Si、Sb、Sn、Ta、Te、Ti、V、W、Yb、Zn或Zr的材料。
防扩散层7可以只由单层构成，或者具有包含两层或两层以上的多层结构。此外，防扩散层通常由溅射法或反应性溅射法形成。
防扩散层7的厚度可以根据特定应用适当地进行确定。通常，其下限为至少1nm，优选为至少2nm，且上限为最大20nm，优选最大为10nm。
(7)底层8
底层8通常具有防止基质1和反射层2之间剥离的作用，因此可以获得耐候性优良的记录介质。因此，优选在基质1和反射层2之间提供底层8。如上所述，形成底层8的目的是为了防止在基质1和反射层2之间的界面处的膜剥离，该剥离在温度改变时易于发生。
用于底层8的材料并没有特别限制，只要可满足上述目的便可。例如，用于底层8的材料优选是对基质1和反射层2具有良好粘合性的材料，该材料不会腐蚀反射层2或者不会扩散到反射层2中，且该材料具有优良的膜表面平整度。只要满足上述条件，可以从诸如金属、半导体、金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物、半导体氧化物、半导体氮化物、半导体碳化物、氟化物和无定形碳等单一物质及其混合物中来适当地选用底层8的材料。满足上述条件的金属和半导体例如可以为Si、Ti、Cr、Ta、Nb、Pd、Ni、Co、Mo和W。其中，从粘合性和与反射层的低反应性的角度考虑，优选Cr、Ta、Nb或Ni。此外，作为化合物，可以提及例如SiN、SiO2、SiC、GeN、ZnO、Al2O3、Ta2O5、TaN、Nb2O5、ZrO2、稀土元素氧化物、TiN、CrN、CaF2和MgF2。其中，从粘合性和与反射层的低反应性的角度考虑，优选SiN、GeN、ZnO或Nb2O5。
单一物质的实例为如上所述，但也可以提及它们的混合物。作为该材料的典型实例，可以提及使用Ge-N的实例，包括Ge-Si-N、Ge-Sb-N、Ge-Cr-N、Ge-Al-N、Ge-Mo-N和Ge-Ti-N。即，可以提及与Ge一起包含例如Al、B、Ba、Bi、C、Ca、Ce、Cr、Dy、Eu、Ga、In、K、La、Mo、Nb、Ni、Pb、Pd、Si、Sb、Sn、Ta、Te、Ti、V、W、Yb、Zn或Zr的材 料。
此外，底层并不必须具有单一材料的单层结构，而是可以具有包含所层压的多种材料的多层结构。例如，可以想到具有层压在基质上的ZnS和SiO2的混合物、和Ge-Cr-N的双层结构。采用该构成，ZnS-SiO2对基质具有优良的粘合性，而且，通过Ge-Cr-N的存在，即使在将银和银合金用于反射层时，也可以防止ZnS-SiO2中的硫导致的腐蚀。
底层8能够在基质1上形成均匀的厚度就可以了。相反地，如果其变厚，则生产成本或生产时间将增加，且例如基质1的沟槽形状将发生变化。因此，其厚度优选为2nm～20nm。此外，与其它层一样，底层可以用溅射法或反应性溅射法来制备。
(8)保护性涂层9
如图5或图6中所示，在基质侧入射型一次写入多次读取的光学记录介质的情况下，优选在最外表面侧上提供保护性涂层9以防止与空气的直接接触，或防止与外物接触而造成的划伤。用于保护性涂层9的材料没有特定限制，只要其具有该功能便可，例如可以使用有机材料如热塑性树脂、热固性树脂、电子束固化性树脂或UV固化性树脂或者无机材料如SiO2、SiN4、MgF2或SnO2。
通常可以用诸如旋涂法或浇铸法等涂覆方法，或者用溅射法来形成保护性涂层9。
在使用热塑性树脂或热固性树脂等作为用于保护性涂层9的材料的情况下，可将其溶解在溶剂中，然后进行涂覆并干燥以形成层。在使用UV固化性树脂的情况下，可将其直接进行涂覆或溶解在适当溶剂中进行涂覆，然后用UV光束照射进行固化以形成层。这些材料可单独使用或作为两种或两种以上材料的混合物组合使用。此外，可以将保护性涂层9制成包含两层或更多层的多层膜。保护性涂层9的厚度可以根据特定应用适当地确定。其下限通常为至少0.1μm，优选至少为0.5μm，且上限通常为最大100μm，优选为最大50μm。
(9)粘着层10
可在记录层4和保护层3和/或保护层5之间提供粘着层。在用于本发明的记录介质的记录层中，物质A在记录时记录层所达到的温度下分解。然而，在该物质A分解时，记录层4和与其相接触的层(在图1～6中为保护层3或保护层5)有时会剥离。具体地，当通过用激光照射一次写入多次读取的光学记录介质进行记录时，保护层3或保护层5有时会从记录层4上剥离下来。在该情况下，优选提供与记录层4接触的粘着层10。并且，优选提供与该粘着层10接触的保护层3和/或保护层5。具体地，如图10中所示，优选在记录层4和保护层3之间，和/或在记录层4和保护层5之间提供粘着层10。特别是，记录后的剥离易于在记录层4和在其前面形成的保护层(在图10中为保护层3)之间发生，因此，特别优选在记录层4和保护层3之间插入粘着层10。
此外，在作为用于粘着层10的材料，使用了同样可以用于保护层3或保护层5的材料的情况下，可以使用粘着层10来代替保护层3和/或保护层5。作为这样的光学记录介质的实例，图11说明了使用粘着层10来代替保护层3的光学记录介质。
作为用于粘着层10的材料，通常可以提及介电材料。介电材料例如可以为例如Sc、Y、Ce、La、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Zn、Al、Cr、In、Si、Ge、Sn、Sb或Te的氧化物；例如Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Zn、B、Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Sb或Pb的氮化物；或例如Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Zn、B、Al、Ga、In或Si的碳化物。此外，可以提及所述氧化物、氮化物和碳化物的混合物。此外，介电材料可以为例如Zn、Y、Cd、Ga、In、Si、Ge、Sn、Pb、Sb或Bi的硫化物、硒化物或碲化物、例如Mg或Ca的氟化物或它们的混合物。
在这些材料中，从耐热性、记录层4和保护层3和保护层5之间的粘合性能或工业可得性的角度来看，优选的材料如下。即，它们是选自Y、Zr、Nb、Zn、Al、Si和Sn的至少一种元素的氧化物；Ge和/或Cr的氮化物和Si的碳化物。当然，同样优选使用所述氧化物、氮化物和碳化物的混合物。从工业角度更优选的是Sn-Nb的氧化物(其可为Sn氧化物和Nb氧化物的混合物)、Zr的氧化物、Y的氧化物、Si的氧化物、Zn的氧 化物、Al的氧化物、Ge的氮化物、Ge-Cr的氮化物(其可为Ge氮化物和Cr氮化物的混合物)或Si的碳化物。特别优选的是包含选自GeN、ZrO、ZnO和SiC的至少一种作为主要成分(即，基于整个粘着层，包含至少50原子％)的那些材料。此外，当作为混合物使用时，从工业角度特别优选的组合是Zr的氧化物、Y的氧化物和Si的氧化物的组合，或Zn的氧化物和Al的氧化物的组合。
当然，可以以多种上述材料的任意比例的任意组合来使用上述材料。
作为用于粘着层10的材料，特别优选的是分解温度高于用于记录层的物质A的物质。即，如果用于粘着层10的材料的分解温度最高是物质A的分解温度，则在室温下粘着层10的材料将部分发生分解作用，因此一次写入多次读取的光学记录介质的储存稳定性趋于降低。此外，如果粘着层10中所包含的材料在记录时记录层所达到的温度下，在物质A的分解前或在物质A分解的同时发生分解，则有时将不能得到所期望的记录状态。
在该情况下，用于粘着层10的材料可以为与用于记录层的物质A相比，具有相对较高的分解温度的材料。例如，在将Sn氮化物(由表1可知，分解温度为约340℃)用作物质A的情况下，也可以将通常用作物质A的物质，例如Ge氮化物(由表1可知，分解温度为约700℃)或Cr氮化物(由表1可知，分解温度为约1,080℃)用于粘着层10。
上述材料在粘着层10中的含量通常为至少50重量％，优选为至少60重量％，更优选为至少70重量％，进一步优选为至少80重量％，特别优选为至少90重量％，最优选为至少95重量％。为了确保记录层4和保护层3或保护层5之间的粘合性，上述材料的含量越大越好。在粘着层的形成期间，将不可避免的引入杂质(例如氧)，上述材料的含量的上限通常为99.9重量％。
粘着层10的厚度通常为至少1nm，优选为至少2nm，更优选为至少3nm，另一方面，通常最大为50nm，优选最大为30nm，更优选最大为20nm。如果厚度在该范围内，则可以令人满意地确保记录层4和保护层3或保护层5之间的粘合性，并且可以充分地确保激光透射到记录层 上。
作为制备粘着层10的方法，可以使用已知的溅射法。具体地，可以通过溅射法制备粘着层，在该溅射法中，使少量Ar气在真空室中流通到预定的真空度，且对由将加入到粘着层中的预定材料制成的靶施加电压以进行用于沉积的放电。
此外，在粘着层10是由氧化物、氮化物或氮氧化合物制成的情况下，可以如下使用反应性溅射法。即，使微量的Ar、N2和/或O2的混合气体在真空室中流通到预定的真空度。并且，对由预定材料制成的靶施加电压以进行放电。以及，使由靶溅射出的元素的单一物质或多种元素的复合物与N2和/或O2反应，从而以膜形式形成氮化物、氧化物或氮氧化合物。
在该反应性溅射法中，可以通过改变流通在真空室中的Ar、N2和/或O2的混合气体中N2的分压和/或O2的分压(具体地是N2和/或O2的混合气体相对于整个Ar和N2和/或O2混合气体的流速)来改变氮化量或氧化量。
此外，本发明绝不限于上述实施方式。上述实施方式是示例性的，且任何实施方式，只要其具有与本发明的权利要求所披露的范围内的技术思想实质上相同的构成并能提供实质上相同的效果，均包含在本发明的技术范围之内。
实施例
现在，将参考实施例进一步详细描述本发明。
实施例1
作为本发明实施方式的一个例子，制备了具有如图4所示结构的光学记录介质。对于基质1，使用了厚度为1.1mm且直径为120mm的盘状聚碳酸酯树脂。对于底层8，使用了Ta。对于反射层2，使用了Ag-Cu-Nd合金。对于防扩散层7，使用了Ge-Cr-N。对于保护层3和5，使用了包含ZnS-SiO2的混合物。对于记录层4，使用氮化锡(Sn的氮化物)作为物质A，并使用氮化钽(Ta的氮化物)作为物质B。
关于透光层6，将2.5g粘度为3,000mPa·s的未固化的(未聚合的)丙烯酸酯紫外线固化剂滴到保护层的中央部位，并以1,500rpm的转速旋涂6秒钟，然后用紫外线照射进行固化(聚合)以得到透光层6。在用紫外线照射期间，为了防止氧气对聚合的抑制作用，通过氮气吹扫来将氧气浓度控制在不超过5％。将透光层6的厚度调节至95μm～105μm范围内。为了测量厚度，在透光层6固化后，将透光层机械地剥离，并通过测微计测量其厚度。
采用溅射法来制备除基质1和透光层6以外的多层膜。各个层的沉积条件和厚度如下。
(A)底层8
·溅射靶：Ta
·溅射功率：直流(DC)500W
·Ar气体压力：0.18Pa
·厚度：10nm
(B)金属反射层2
·溅射靶：Ag97.4Cu0.9Nd0.7(原子％)
·溅射功率：DC 1,000W
·Ar气体压力：0.15Pa
·厚度：80nm
(C)防扩散层7
·溅射靶：Ge80Cr20(原子％)
·溅射功率：射频(RF)300W
·Ar+N2气体压力：0.18Pa
·N2/(Ar+N2)流速比：0.5
·厚度：3nm
(G)反射层侧的保护层3
·溅射靶：(ZnS)80(SiO2)20(摩尔％)
·溅射功率：RF 2,000W
·Ar气体压力：0.25Pa
·厚度：22nm
(D)记录层4
·溅射靶：Sn和Ta(共溅射)
·Sn的溅射功率：DC 210W
·Ta的溅射功率：RF 300W
·Ar+N2气体压力：0.35Pa
·N2/(Ar+N2)流速比：0.75
·厚度：15nm
(G)激光束入射侧的保护层5
·溅射靶：(ZnS)80(SiO2)20(摩尔％)
·溅射功率：RF 2,000W
·Ar气体压力：0.25Pa
·厚度：50nm
将具有上述结构的光学记录介质指定为实施例1。作为由EPMA法进行的组成分析的结果，记录层中Sn和Ta的组成比例用Ta/(Sn+Ta)的原子比表示为0.04。
此外，实施例2～4具有与实施例1中相同的结构，不同之处仅在于记录层通过如下改变条件而形成。
实施例2
·溅射靶：Sn和Ta(共溅射)
·Sn的溅射功率：DC 210W
·Ta的溅射功率：RF 500W
·Ar+N2气体压力：0.35Pa
·N2/(Ar+N2)流速比：0.75
·厚度：15nm
实施例3
·溅射靶：Sn和Ta(共溅射)
·Sn的溅射功率：DC 210W
·Ta的溅射功率：RF 700W
·Ar+N2气体压力：0.35Pa
·N2/(Ar+N2)流速比：0.75
·厚度：15nm
实施例4
·溅射靶：Sn和Ta(共溅射)
·Sn的溅射功率：DC 210W
·Ta的溅射功率：RF 900W
·Ar+N2气体压力：0.35Pa
·N2/(Ar+N2)流速比：0.75
·厚度：15nm
并且在实施例2～4中，作为以相同方式由EPMA法进行的组成分析的结果，发现记录层中Sn和Ta的组成比例用Ta/(Sn+Ta)的原子比表示分别为0.09、0.15和0.23。
实施例5～8
以与实施例1中相同的方式制备光学记录介质，不同的是将实施例1中用于记录层4的物质B由氮化钽(Ta的氮化物)变为氮化钒(V的氮化物)(实施例5)。
以与实施例1中相同的方式制备光学记录介质，不同的是将实施例1中用于记录层4的物质B由氮化钽(Ta的氮化物)变为氮化铌(Nb的氮化物)(实施例6)。
以与实施例1中相同的方式制备光学记录介质，不同的是将实施例1中用于记录层4的物质B由氮化钽(Ta的氮化物)变为氮化钛(Ti的氮化物)(实施例7)。
以与实施例1中相同的方式制备光学记录介质，不同的是将实施例1中用于记录层4的物质B由氮化钽(Ta的氮化物)变为氮化钛(Ti的氮化物)和氮化硅(Si的氮化物)(实施例8)。
然而，在各实施例中，为了调节记录介质的反射率，将保护层5的厚度适当地控制在40nm～50nm的范围内以对记录层4不存在热影响。此外，对于实施例5～8中记录层的沉积，以与实施例1中相同的方式使用溅射法，但是各个实施例中的记录层的沉积条件如下。
(实施例5中记录层的沉积条件)
·溅射靶：Sn和V(共溅射)
·Sn的溅射功率：DC 90W
·V的溅射功率：RF 900W
·Ar+N2气体压力：0.35Pa
·N2/(Ar+N2)流速比：0.75
·厚度：15nm
(实施例6中记录层的沉积条件)
·溅射靶：Sn和Nb(共溅射)
·Sn的溅射功率：DC 90W
·Nb的溅射功率：RF 900W
·Ar+N2气体压力：0.35Pa
·N2/(Ar+N2)流速比：0.75
·厚度：15nm
(实施例7中记录层的沉积条件)
·溅射靶：SnTi混合物(Sn33.3Ti66.7(原子％))
·溅射功率：Sn33.3Ti66.7(原子％)RF 900W
·Ar+N2气体压力：0.35Pa
·N2/(Ar+N2)流速比：0.75
·厚度：15nm
(实施例8中记录层的沉积条件)
·溅射靶：SnTi混合物(Sn33.3Ti66.7(原子％))和Si(共溅射)
·溅射功率：Sn33.3Ti66.7(原子％)RF 900W
Si：DC 150W
·Ar+N2气体压力：0.35Pa
·N2/(Ar+N2)流速比：0.75
·厚度：15nm
此外，作为由EPMA进行的组成分析的结果，发现在各实施例5～7中记录层中的组成比例分别为V/(Sn+V)＝0.47(实施例5)、Nb/(Sn+Nb)＝0.49(实施例6)和Ti/(Sn+Ti)＝0.58(实施例7)。
此外，对于各实施例5～8中的记录层，借助于椭圆偏振计测量了波长405nm处的折射率n和消光系数k，分别为n＝2.60，k＝0.97(实施例5)、n＝2.84，k＝0.89(实施例6)、n＝2.92，k＝1.01(实施例7)和n＝2.80，k＝0.76(实施例8)。
对比例1
作为对比例，制备了具有与实施例1中相同结构的光学记录介质，不同的是由氮化锡(Sn的氮化物)的单一物质作为物质A制备记录层。记录层的沉积条件如下。
·溅射靶：Sn
·Sn的溅射功率：DC 210W
·Ar+N2气体压力：0.35Pa
·N2/(Ar+N2)流速比：0.75
·厚度：15nm
实施例9和10
以与实施例1中相同的方式制备光学记录介质，不同的是将实施例1中的物质A由氮化锡(Sn的氮化物)变为氮化锑(Sb的氮化物)，和物质B由氮化钽(Ta的氮化物)变为氮化钒(V的氮化物)(实施例9)。
以与实施例1中相同的方式制备光学记录介质，不同的是将实施例1中的物质A由氮化锡(Sn的氮化物)变为氮化锑(Sb的氮化物)，和物质B由氮化钽(Ta的氮化物)变为氮化铌(Nb的氮化物)(实施例10)。
然而，在每个实施例中，为了调节记录介质的反射率，将保护层5的厚度适当地控制在40nm～50nm的范围内以对记录层4不存在热影 响。此外，对于实施例9和10中的记录层的沉积，以与实施例1中相同的方式使用溅射法。然而，各个实施例中记录层的沉积条件如下。(实施例9中记录层的沉积条件)
·溅射靶：Sb和V(共溅射)
·Sb的溅射功率：DC 85W
·V的溅射功率：RF 900W
·Ar+N2气体压力：0.35Pa
·N2/(Ar+N2)流速比：0.75
·厚度：15nm
(实施例10中记录层的沉积条件)
·溅射靶：Sb和Nb(共溅射)
·Sb的溅射功率：DC 85W
·Nb的溅射功率：RF 900W
·Ar+N2气体压力：0.35Pa
·N2/(Ar+N2)流速比：0.75
·厚度：15nm
作为由EPMA进行的组成分析的结果，发现在实施例9和10中记录层的组成比例各自分别为V/(Sb+V)＝0.27(实施例9)和Nb/(Sb+Nb)＝0.40(实施例10)。
对比例2
作为对比例，制备了具有与实施例1中相同结构的光学记录介质，不同的是由氮化锑(Sb的氮化物)的单一物质作为物质A制备记录层。记录层的沉积条件如下。
·溅射靶：Sb
·Sb的溅射功率：DC 85W
·Ar+N2气体压力：0.35Pa
·N2/(Ar+N2)流速比：0.75
·厚度：15nm
评价
对于实施例1～10和对比例1和2中的光学记录介质，通过使用光源波长为405nm和数值孔径NA为0.85的评价仪器，在包括线速度为5.7m/秒、RLL1-7调制和通道时钟(channel clock)为66MHz的条件下进行随机信号的记录。当在这些条件下进行记录时抖动与记录功率的关系如图7～9所示。对于抖动，记录信号用限制均衡器进行波形均衡，然后进行二值化，并且通过时间间隔分析仪测量了二值化信号的上升边和下降边与周期时钟信号的上升边之间的时差分布(对时钟抖动的数据)。
如图7～9中所示，与对比例相比，很显然改善了各实施例中的光学记录介质的可以得到优良记录信号特性的记录功率范围。
然后，为了使粘着层的效果更为明显，制备了具有如图4中所示结构的光学记录介质作为实施例11，并且如下制备了具有如图12中所示结构并具有加入该结构中的粘着层的光学记录介质作为实施例12～18。
实施例11
基质1和透光层6与实施例1～10中相同。对于多层膜，将Ta用于底层8、将Ag-Cu-Au合金用于反射层2、将Ge-Cr-N用于防扩散层7和将包含ZnS-SiO2的混合物用于保护层3和5。通过使用氮化锡(Sn的氮化物)作为物质A和由氮化铌(Nb的氮化物)制成的物质作为物质B用溅射法制备记录层4。
各层的沉积条件和厚度如下。
(A)底层8
·溅射靶：Ta
·溅射功率：DC 500W
·Ar气体压力：0.18Pa
·厚度：5nm
(B)金属反射层2
·溅射靶：Ag97Cu1Au2(原子％)
·溅射功率：DC 1,000W
·Ar气体压力：0.15Pa
·厚度：80nm
(C)防扩散层7
·溅射靶：Ge80Cr20(原子％)
·溅射功率：RF 300W
·Ar+N2气体压力：0.18Pa
·N2/(Ar+N2)流速比：0.5
·厚度：3nm
(G)反射层侧的保护层3
·溅射靶：(ZnS)80(SiO2)20(摩尔％)
·溅射功率：RF 2,000W
·Ar气体压力：0.25Pa
·厚度：27nm
(D)记录层4
·溅射靶：Sn50Nb50(重量％)
·Sn的溅射功率：RF 500W
·Ar+N2气体压力：0.35Pa
·N2/(Ar+N2)流速比：0.75
·厚度：13nm
(G)激光束入射侧的保护层5
·溅射靶：(ZnS)80(SiO2)20(摩尔％)
·溅射功率：RF 2,000W
·Ar气体压力：0.25Pa
·厚度：60nm
实施例12～18
基于实施例11中的结构，通过在反射层侧的保护层3和记录层4之间提供粘着层10制备了实施例12～18。各个层的结构如表3所示。
关于实施例12～18中的各层，对于底层8、金属反射层2、反射层侧的保护层3、记录层4和激光束入射侧的保护层5，使用了与实施例11中相同的材料和沉积条件。
此外，在实施例12中，将GeCrN用于防扩散层，和将SnNbO用于粘着层10。此外，在实施例13～18中，使用相同的材料在相同的沉积条件下制备了防扩散层7和粘着层10。此外，在实施例13中，使用了GeCrN，在实施例14和15中，使用了ZrO-Y2O3-SiO2，在实施例16和17中，使用了ZnO-Al2O3，和在实施例18中，使用了SiC。GeCrN的沉积条件与实施例11中相同，且在下列沉积条件下制备了其它的SnNbO、ZrO-Y2O3-SiO2、ZnO-Al2O3和SiC。
(SnNbO)
·溅射靶：Sn50Nb50(重量％)
·Sn的溅射功率：RF 500W
·Ar+N2+O2气体压力：0.35Pa
·Ar∶N2∶O2的流速比：5∶15∶5
(ZrO-Y2O3-SiO2)
·溅射靶：((ZrO)97(Y2O3)3)80(SiO2)20(摩尔％)
·溅射功率：RF 1,000W
·Ar气体压力：0.35Pa
(ZnO-Al2O3)
·溅射靶：((ZrO)97(Y2O3)3(摩尔％)
·溅射功率：RF 1,000W
·Ar气体压力：0.35Pa
(SiC)
·溅射靶：SiC
·溅射功率：RF 1,000W
·Ar气体压力：0.28Pa
(评价)
对于实施例11～18中的光学记录介质，通过使用光源波长为406nm和数值孔径NA为0.85的评价仪器(其不同于评价实施例1～10中的光学记录介质所使用的评价仪器)，在包括线速度为4.92m/秒、17PP调制和通道时钟为66MHz的条件下在径向上以0.5mm的宽度进行记录。然后，将它们在85℃/85％RH(相对湿度)的环境下储存100小时(环境测试)。并且，在环境测试之前或之后，测量了在记录部分的中央部分处的抖动值。抖动值以与实施例1～10中相同的方式进行测定。此外，将记录时的功率选择为使抖动最小时的记录功率。
在实施例11中，在环境测试前显示出了优良的抖动值，但是在环境测试后，在所记录的信号中存在尖峰状的高反射率部分，并且难以测量抖动。通过光学显微镜观测环境测试后的该光学记录介质，由此观察到了许多明亮缺陷(bright defect)。据认为该明亮缺陷归因于记录层4和反射层侧的保护层3之间发生的剥离。
而对于实施例12～18，如表4中所示，环境测试前和环境测试后之间的抖动值的变化被抑制在1％以内。此外，通过光学显微镜观测环境测试后的这些光学记录介质，由此并没有观察到在实施例11中所观察到的所述缺陷。
表4
  环境测试前的  抖动(％)   环境测试后的  抖动(％)   环境测试后通过光学显微  镜的观测结果
  实施例11   5.9   -   观察到许多明亮缺陷
  实施例12   6.2   6.4   未观察到缺陷
  实施例13   5.9   6.1   未观察到缺陷
  实施例14   5.9   6.0   未观察到缺陷
  实施例15   6.2   6.2   未观察到缺陷
  实施例16   6.2   7.1   未观察到缺陷
  实施例17   6.4   7.2   未观察到缺陷
  实施例18   6.0   5.8   未观察到缺陷
由以上可以看出，很明显通过提供粘着层10，可以抑制与记录层4相接触部分处的剥离，因此可得到具有改善的耐候性的光学记录介质。
实施例19
此外，作为氮化物和氧化物共存于记录层中的例子，制备了其中具有实施例11中的结构的记录层是由氮化物和氧化物的混合物制成的光学记录介质。
基质1和透光层6与实施例1～18中相同。对于多层膜，除将Nb用于底层8，和包含Sn的氮化物、Sn的氧化物、Nb的氮化物和Nb的氧化物的混合物用于记录层4外，采用了与实施例11中相同的结构。各层的沉积条件和厚度如下。
(A)底层8
·溅射靶：Nb
·溅射功率：DC 500W
·Ar气体压力：0.18Pa
·厚度：5nm
(B)金属反射层2
·溅射靶：Ag97Cu1Au2(原子％)
·溅射功率：DC 1,000W
·Ar气体压力：0.15Pa
·厚度：80nm
(C)防扩散层7
·溅射靶：Ge80Cr20(原子％)
·溅射功率：RF 300W
·Ar+N2气体压力：0.18Pa
·N2/(Ar+N2)流速比：0.5
·厚度：3nm
(G)反射层侧的保护层3
·溅射靶：(ZnS)80(SiO2)20(摩尔％)
·溅射功率：RF 2,000W
·Ar气体压力：0.25Pa
·厚度：25nm
(D)记录层4
·溅射靶：Sn50Nb50(重量％)
·Sn50Nb50的溅射功率：DC 500W
·Ar+N2+O2气体压力：0.30Pa
·Ar∶N2∶O2流速比：25∶73.75∶1.25
·厚度：14nm
(G)激光束入射侧的保护层5
·溅射靶：(ZnS)80(SiO2)20(摩尔％)
·溅射功率：RF 2,000W
·Ar气体压力：0.25Pa
·厚度：50nm
(评价)
通过使用光源波长为406nm和数值孔径NA为0.85的评价仪器(其不同于评价实施例1～10中的光学记录介质所使用的评价仪器)，以与实施例11～18中相同的方式评价实施例19的记录介质的记录特性。具体地，在包括线速度为4.92m/秒和通道时钟为66MHz的条件下，通过记录包含17PP调制码的随机信号并测定抖动值而进行评价。
图13显示了抖动值与记录功率的关系。如图13所示，在高记录密度的条件下，可得到优良的抖动值，并且存在可以得到优良抖动值的宽的记录功率范围。
据认为通过将Ar、N2和O2的混合气体用于记录层的沉积，记录层成为氮化锡、氧化锡、氮化铌和氧化铌的混合物。在实施例19中混合物氧化物的目的为了通过在记录层中混合与氮化锡和氮化铌相比具有较小吸收率的氧化锡和氧化铌，来降低整个记录层的吸收率和增大光学记录介质的反射率。实际上，使用实施例19的光学记录介质，可以在非记录状态下得到21％的高反射率。
这里，难以精确测定氧化物在记录层中的比例，这是因为通过分析手段如EPMA难以鉴定存在于气氛中的气态元素组分。然而，在实施例 19中，在用于沉积的气体中氧气所占的比例非常小，为1.25％的水平，因此，据认为在整个记录层中的氧化物的比例最大为各化合物的30摩尔％。
工业实用性
根据本发明，可以获得适用于信息高密度化的记录介质。特别地，可以获得具有可以获得优良的记录信号特性的宽范围记录功率的一次写入多次读取的光学记录介质。
本申请基于2003年8月21日提交的日本专利申请(日本专利申请2003-297711)、2003年10月31日提交的日本专利申请(日本专利申请2003-371871)和2004年5月31日提交的日本专利申请(日本专利申请2004-161554)，且其所有公开内容以参考的方式在此引入。 

Claims (14)

1.一种记录介质，该记录介质具有记录层和与所述记录层相接触提供的粘着层，由此通过加热所述记录层进行记录，其特征在于，所述记录层包含物质A和物质B，所述物质A在记录时的加热中记录层所达到的温度下分解，所述物质B在记录时的加热中记录层所达到的温度下不会发生化学反应或相变，其中所述物质A是选自Cr、Mo、W、Fe、Ge、Sn和Sb的至少一种元素的氮化物；所述物质B为选自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Al和Si的至少一种元素的氮化物和/或选自Zn、Al、Y、Zr、Ti、Nb、Ni、Mg和Si的至少一种元素的氧化物；所述粘着层为Sc、Y、Ce、La、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Zn、Al、Cr、In、Si、Ge、Sn、Sb或Te的氧化物，或者Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Zn、B、Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Sb或Pb的氮化物，或者Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Zn、B、Al、Ga、In或Si的碳化物，或者Zn、Y、Cd、Ga、In、Si、Ge、Sn、Pb、Sb或Bi的硫化物、硒化物或碲化物，或者Mg或Ca的氟化物，或者所述粘着层为以上氧化物、氮化物、碳化物、硫化物、硒化物、碲化物和氟化物的任意组合的混合物。
2.如权利要求1所述的记录介质，其特征在于，在所述记录层所达到的温度下，所述物质B不会分解或化合。
3.如权利要求1所述的记录介质，其特征在于，在所述记录层所达到的温度下，所述物质B不会熔融或升华。
4.如权利要求1所述的记录介质，其特征在于，所述物质A的分解温度与所述物质B的分解温度或熔点之间的差值至少为200℃。
5.如权利要求1所述的记录介质，其特征在于，所述记录介质是在基质上具有记录层的、由此通过激光照射进行记录的一次写入多次读取的光学记录介质。
6.如权利要求1所述的记录介质，其特征在于，所述物质A是分解温度最高为1200℃的物质，所述物质B是在最高1500℃没有分解温度或熔点的物质。
7.如权利要求1所述的记录介质，其特征在于，所述物质B是选自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Al和Si的至少一种元素的氮化物。
8.如权利要求1所述的记录介质，其特征在于，当所述物质B为选自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Al和Si的至少一种元素的氮化物时，构成所述物质A的元素中除氮之外的元素α和构成所述物质B的元素中除氮之外的元素β满足0.03≤(β的原子数)/((α的原子数)+(β的原子数))≤0.95的关系，当所述物质B为选自Zn、Al、Y、Zr、Ti、Nb、Ni、Mg和Si的至少一种元素的氧化物时，构成所述物质A的元素中除氮之外的元素α和构成所述物质B的元素中除氧之外的元素β满足0.03≤(β的原子数)/((α的原子数)+(β的原子数))≤0.95的关系，当所述物质B为选自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Al和Si的至少一种元素的氮化物和选自Zn、Al、Y、Zr、Ti、Nb、Ni、Mg和Si的至少一种元素的氧化物时，构成所述物质A的元素中除氮之外的元素α和构成所述物质B的元素中除氮和氧之外的元素β满足0.03≤(β的原子数)/((α的原子数)+(β的原子数))≤0.95的关系。
9.如权利要求8所述的记录介质，其中(β的原子数)/((α的原子数)+(β的原子数))≤0.7。
10.如权利要求1所述的记录介质，其特征在于，所述记录层的厚度为4nm～30nm。
11.如权利要求1所述的记录介质，其特征在于，提供与所述粘着层相接触的保护层。
12.如权利要求1所述的记录介质，其特征在于，所述粘着层包含的物质的分解温度高于所述物质A的分解温度。
13.如权利要求1所述的记录介质，其特征在于，所述粘着层包含选自GeN、ZrO、ZnO和SiC的至少一种作为主要成分。
14.如权利要求5所述的记录介质，其特征在于，在所述记录层的记录激光波长处的消光系数至少为0.2且最大为1.6。
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