TWI274342B

TWI274342B - Recording medium

Info

Publication number: TWI274342B
Application number: TW093125249A
Authority: TW
Inventors: Kenjirou Kiyono
Original assignee: Mitsubishi Kagaku Media Co Ltd
Priority date: 2003-08-21
Filing date: 2004-08-20
Publication date: 2007-02-21
Also published as: US20060120262A1; EP1657071A4; WO2005018947A1; CN1839052B; EP1657071A1; TW200511306A; CN1839052A; US7381458B2; EP1657071B1

Description

1274342 ⑴ 九、發明說明【發明所屬之技術領域】本發明爲關於經由加熱記錄層進行記錄的記錄媒體。特別，關於上述記錄媒體爲以雷射照射進行記錄的追記型光記錄媒體，記錄層爲含有在雷射加熱到達記錄層之溫度中分解的物質和不會產生化學反應等之變化的物質爲其特徵的記型光記錄媒體。 [先前技術】用以記錄文書、聲音、影像等資料的記錄媒體，自以往已知於記錄層使用磁氣材料'光磁氣材料、有機色素材料、無機材料所構成之相變化材料等的記錄媒體。此些記錄媒體爲經由光照射和通電（電流流過）所伴隨之記錄層的加熱，和對記錄層提供外加磁場等之外部因子，造成記錄層的物理性參數，例如，折射率、電阻、形狀、體積、密度等變化。此些記錄媒體通常利用在對記錄層提供上述外部因子之前後之上述物理性參數値的差別，進行資料的記錄進而重放。此類記錄媒體的一例爲以照射雷射光進行記錄的光記錄媒體。此光記錄媒體可再大致分成僅記錄一回且不可改寫的追記型光記錄媒體，和可重複記錄的改寫型光記錄媒體。此類光記錄媒體中，近年，記型光記錄媒體因爲適於不可竄改資料之公文類等之記錄，適於高速記錄、和製造費用便宜％而被注目。 (2) 1274342 追記型光記錄媒體已提案使用有機化合物者，和使用無機材料之相變化型、合金化型、控孔型等多數方式，但其中，以特開平4 - 2 9 8 3 8 9號公報所揭示般之令記錄層薄膜含有釋出氣體的無機物質，且以雷射照射之加熱釋出氣體，並且經由此時所產生之變形進行記錄的方式因信號振幅大，且防止重複記錄的不可逆性高故有希望。若根據特開平4 -2 9 8 3 8 9號公報，使用氧化銀和氮化鐵等之加熱分解釋出氣體的無機物質做爲記錄層，則在雷射照射所造成的加熱下釋出氣體，並且因發生氣體之空隙，或發生氣體之壓力形成記錄層界面的凹部。經由發生此些空隙和凹部等，使得記錄照射部的光學常數和光路長等之光學條件變化，且在反射率降低下取得大的信號振幅。 [發明內容】〔發明之揭不〕近年，於上述追記型光記錄媒體中，爲了記錄、重放長時間動畫等之大容量數據，乃期望開發出與先前相比較可令資料高密度化的追記型光記錄媒體。若根據本發明者之檢討，欲取得上述之更加高密度化的追記型光記錄媒體上，即使使用上述特開平4 - 2 9 8 3 8 9號公報所記載的技術，亦判定無法取得具有實用上充分性能的光記錄媒體。即，於記錄層使用在雷射光照射加熱下分解的氧化物和氮化物單體的光記錄媒體，並無法取得充分的記錄特性。即，雖然記錄信號的振幅大，但可取得良好 -6 - (3) 1274342 之記錄信號特性的記錄功率範圍（功率f 可知在利用物質單體所構成之記錄層分以高密度化。本發明之課題爲在於解決如上述的先前之記錄媒體更高密度的記錄媒體。前之追記型光記錄媒體更高密度記錄的中，提供對於廣範圍之記錄媒體具有良的追記型光記錄媒體。本發明者等人爲鑑於上述實情進行現經由含有在記錄時之加熱溫度到達記之物質，和在此溫度不會發生化學變化可令取得良好記錄信號特性之記錄功率資料高密度化，並且達到完成本發明。即，本發明爲提供具有記錄層，且熱進行記錄的記錄媒體，該記錄層爲含到達該記錄層的溫度中分解的物質A，: 到達該記錄層的溫度中不會引起化學反 B爲其特徵的記錄媒體。本發明中，於將記錄層加熱進行資中，令記錄層含有加熱時分解的物質A 的分解使得記錄層之折射率和形狀等之。且在令記錄層中共存有不會經由記錄反應或相變化安定物質B，則可抑制對：解量，並且進行記錄特性的安定化，記$ ^限）極爲狹窄，且解的記錄媒體中難問題，並且實現比特別，於必須比先追記型光記錄媒體好之記錄信號特性致力檢討，結果發錄層之溫度中分解等變化之物質，則範圍廣，並且可令經由將該記錄層加有在記錄時之加熱和在記錄時之加熱應或相變化的物質料記錄的記錄媒體 ’且經由此物質A 物理性參數値變化時之加熱引起化學於記錄層全體的分綠密度的提高。 -7- (5) 1274342 更且，於本發明中，上述物質A及上述物質B分別爲氮化物和/或氧化物爲佳。氮化物及氧化物於粒徑小且可減低記錄信號之雜訊上，亦可選擇具有適切光學常數的物質。更且，使用氮化物及氧化物做爲物質A時，分解所造成之體積變化變大’取得更大的信號振幅。又，使用氮化物及氧化物做爲物質B 時，由於選擇熔點高且反應性低之物質，故可取得良好的記錄信號特性。上述之情況，上述物質A爲由Cr、Mo、W、Fe、Ge、 Sn、及Sb所組成群中選出一種元素之氮化物爲佳。又，上述物質B爲由Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、A1、及Si所組成群中選出至少一種元素之氮化物爲佳。以此些元素之氮化物做爲物質A及物質B爲於適度範圍具有分解溫度及熔點的物質。又，此時，上述物質A之構成元素中之氮及氧以外的元素α ，與上述物質B之構成元素中之氮及氧以外的元素冷爲滿足0.03 之原子數）/((^之原子數）+ (冷之原子數））€ 0.95之關係爲佳。經由作成上述關係，則可充分確保記錄信號的振幅，且取得良好記錄信號特性之記錄功率範圍變廣。

更且，於本發明中，上述記錄層之膜厚爲4 n m以上 3 0 n m以下爲佳。經由作成此範圍，則因入射雷射光之吸收充分，故記錄靈敏度良好。記錄信號之振幅亦取得充分的大小。另一方面，亦可充分確保反射率，且上述物質A -9- (6) 1274342 之分解所造成的氣體釋出量亦爲適度之範圍，故作成上述構成之記錄層的效果顯著。又，於本發明中，設置連接上述記錄層的密合層爲佳。經由設置上述密合層，則在記錄時將物質A分解時’可防止記錄層’與連接至記錄層之層剝離。此時，設置連接上述密合層的保護層爲佳。記錄時，由於易引起上述記錄層與上述保護層的剝離，故於兩層間設置密合層則可防止層彼此間的剝離。又，上述密合層爲含有比上述物質A更高分解溫度之物質爲佳。上述密合層含有比上述物質A更高分解溫度之物質，則即使於記錄時上述物質A分解，亦不會令上述密合層中所含有之材料分解，可取得良好的記錄狀態。更且，上述密合層爲由GeN、ZrO、ZnO、及SiC所組成群中選出至少一種做爲主成分爲佳。即使於記錄時上述物質A 分解，亦因上述密合層爲以GeN、ZrO、ZnO或SiC 任一種做爲主成份故不分解，並且取得良好的記錄狀態。又，於本發明中，上述記錄層於記錄雷射波長中的消光係數爲〇 . 2以上1 . 6以下爲佳。若爲此範圍，則因入射雷射光的吸收充分，故記錄靈敏度爲良好，可取得充分的反射率。還有，於本發明中，所謂「化學反應」爲指物質本身或與其他物質的相互作用造成其他物質變化的現象。具|| 而言，所謂「物質B爲引起化學反應」，係指物質B爲分解、或、物質B爲與其他物質化合。此處，所謂「化合， -10 - (7) 1274342 係ί曰一種以上元素之原子爲彼此間經由化學結合力而結 η。因此，所謂「物質Β爲化合」，係指物質Β爲與其他元素之原子和物質等結合。另一方面，相變化中之「相」爲指固相 '液相及氣相之任一考。因此，所謂「相變化」爲指於固相、液相、及取相中之任二個相中，由任一相至另一相的變化。又’所謂「物質」爲指單一元素或複數元素所構成的化合物，爲指於常溫（25°C )、常濕（50%RH)下具有通常爲固體的物質。物質爲「分解」係指物質爲以複數元素構成之化合物之· 1青形中「物質爲變化成二種以上之更簡單的物質」。物質之「分解溫度」爲指物質爲以複數元素構成之化 n物之情形中「物質爲變化成二種以上之更簡單物質的溫 j^: 7 」°又’物質之「熔點」爲指「物質熔解的溫度」。〔發明之效果〕若根據本發明，則可取得能應付資料高密度化的記錄 ^體。特別，取得良好記錄信號特性之記錄功率範圍廣的追記型光記錄媒體。〔用以實施發明之最佳形態〕以下’詳細說明本發明之實施形態，但本發明並非被限定於下列之實施形態，且在其要旨之範圍內當然可進行各種變形實施。 -11 - (8) 1274342 本發明之記錄媒體爲具有記錄層，且經由將該記錄層加熱進行記錄的記錄媒體，該記錄層爲含有在記錄時之加熱到達該記錄層的溫度中分解的物質A，和在記錄時之加熱到達該記錄層的溫度中不會引起化學反應或相變化的物質B爲其特徵。此類記錄媒體爲經由加熱記錄層而令折射率和形狀等之記錄層的物理性參數變化，且利用此物理性參數變化前後之差値進行資料的記錄且進而重放。記錄層之加熱爲例如對記錄媒體進行局部的光照射，且經由光照射所發生的熱將記錄層加熱的方法（例如，以雷射光之照射進行記錄媒體之記錄層加熱的方法）。又，記錄層之加熱爲例如對記錄媒體局部外加電壓，且經由此焦耳熱將記錄層加熱之方法亦可進行。記錄層之加熱方法並無特別限定。於記錄層之加熱到達之溫度中令物質A 分解，且令折射率、電阻、形狀、密度等之記錄層的物理性參數値變化。此時，若於記錄層中僅含有物質A則難以控制記錄層的分解量。於本發明中，於記錄層中含有物質A並且含有在記錄層之加熱到達溫度中安定的物質B。經由物質B的存在則可控制物質A的分解量，並且可良好進行資料記錄部之形狀（大小）的控制，資料之記錄位置的控制等。例如，經由調整物質A及物質B的含量，則可輕易控制記錄標記的大小和記錄標記的形成位置。

具體而言，於經由加熱到達記錄層之溫度中，物質B -12 - (9) 1274342 爲不會發生化學反應或相變化。經由令物質B之性質如上述’則可進行安定的記錄。爲了取得更安定的物質B，令物質B於加熱到達記錄層之溫度中，不會引起化學反應或相變化爲佳。此處，所謂「物質B之化學反應」可列舉例如物質B分解時，或，物貞B爲與其他物質化合時。又，所謂「物質B之相變化」可列舉例如物質B熔解時，或，物質b昇華時。因此’於到達記錄層之溫度中物質B爲未分解或未化口爲佳。同樣地，於到達記錄層之溫度中物質B爲未熔解或未昇華爲佳。經由使用具有上述性質的物質B，則可更加良好進行記錄標記之大小和記錄檫記之位置控制。爲」良好保持物質A與物質B的關係，令物質a之分解溫度與物質B之分解溫度或熔點之差爲2〇〇它以上爲佳，且更佳爲30CTC以上，再佳爲5 00。(：以上，特佳爲…⑽^以上。若爲上述範圍，則可顯著發揮本發明之效果。另一方面，物質A之分解溫度與物質β之分解溫度或熔點之差愈大則愈佳，現實上爲3 00 〇。(：以下。本發明中所用之物質A及物質B，若於$ & @ ^ 々化妃錄時之加熱到達記錄層之溫度中具有上述特性之物暂pn ^ 」舆即可，並無特限定。因此，根據上述記錄層之加熱方法於$ I β錄時可到達記錄層的溫度，選擇各種物質Α及物質Β。闕^ ^ 口於較佳物質a及物質B種類，物質A與物質B之比例，記錄障八^ 曰王险中之物質媒體之記錄 A及物質B的比例等，爲以後述追記型光記錄層爲一例更詳細說明。 -13- (10) 1274342 還有，追記型光記錄媒體爲本發明中所用之記錄媒體的一較佳例。因此，以下關於物質A及物質B之說明並非限定於追記型光記錄媒體的應用。即，以下關於物質A及物質B之說明，當然亦可應用於追記型光記錄媒體以外之記錄媒體。本發明之記錄媒體的層構成，若爲至少有記錄層者即可，並無特別限定，可根據記錄方式而適當選取。本發明中特佳者爲令上述記錄媒體，作成於基板上具有記錄層，且經由雷射照射進行記錄的追記型光記錄媒體。追記型光記錄媒體爲被強烈要求泛用性高且高密度化。因此，本發明之記錄媒體若作成追記型光記錄媒體，則顯著發揮本發明之效果。以下，對於此特佳態樣更加詳細說明本發明。當然，本發明中所用之記錄媒體並非限定於下述之追記型光記錄媒體的態樣。 [1]追記型光記錄媒體本發明特佳態樣之追記型光記錄媒體爲於基板上具有記錄層，且一般爲對上述記錄層照射雷射光而進行記錄。以下，詳細說明構成追記型光記錄媒體之記錄層及基板。 (])記錄層本發明所用之記錄層爲含有在記錄時之加熱到達記錄層之溫度中分解的物質A，和在記錄時之加熱到達記錄餍 -14- (11) 1274342 之溫度中不會引起化學反應或相變化的物質B。於本發明中，記錄層中所含之物質A、物質B之關係如下爲佳。即，物質A爲於1 2 0 0 °C以下具有分解溫度的物質，且物質B爲於1 5 0 0 °C以下不具有分解溫度及熔點之物質爲佳。以下，敘述關於倂用物質A及物質B之理由，令分解溫度等爲上述範圍之理由。物質A爲經由照射雷射光所引起之記錄層的升溫（通常，1 2 0 0 °C左右爲升溫的界限）而分解。若使用具有低分解溫度之氮化物和氧化物等分解釋出氣體的物質做爲物質A，且僅將此物質A使用於記錄層並嘗試高密度記錄，則信號振幅爲充分。但是，使用此類記錄層的追記型光記錄媒體爲顫動値等之記錄信號特性不夠充分，具有提供適切之記錄信號特性的記錄功率範圍狹窄等問題。推測其係因若於記錄層僅使用物質A，則無法良好控制記錄標記的大小。即，若於記錄層僅使用物質A，則因雷射照射所產生之氣體釋出量變多，使得記錄層的變形量變成過大。因此，難以良好精確度控制高密度記錄所必要之記錄標記的大小。於本發明中，經由雷射照射而分解的物質A可使用例如因雷射照射而分解釋出氣體的物質。於本發明中，此物質A、與雷射照射下不會發生化學反應或相變化或其他變化（於記錄層中安定存在）的物質B倂用下，即使應用於高密度記錄亦可取得廣功率界限。 -15- (12) 1274342 即，與物質A單體所構成之記錄層相比較，倂用上述物質A和上述物質B之記錄層中，若記錄層膜厚爲相同，則經雷射照射由單位面積所釋出之氣體量減低。因此，亦可減低記錄時之變形量，且可以良好精確度控制記錄標記的大小。如上述，經雷射照射造成記錄層之加熱以；! 2 〇〇。(；左右爲實用上之上限。因此，物質A於記錄層之加熱到達記錄層的溫度中必須分解，故分解溫度爲1 2 0 0 °C以下爲佳。但，若物質A之分解溫度爲極低，則有時損害記錄媒體的經時安定性，故物質A之分解溫度的下限通常爲1 〇〇〇c以上，較佳爲1 5 0 °C以上，更佳爲2 0 0 °C以上。物質a之分解溫度的下限爲根據使用記錄媒體之用途設定成具有充分界限即可。另·一方面，使用於1 5 0 0 °C以下具有分解溫度及·熔點之物質做爲物質B爲佳。若使用上述物質做爲物質b，則因不會經由記錄時之加熱和其他環境變化而產生分解及其他變化故爲佳。還有，物質B之分解溫度及熔點之上限並無特別限定，通常爲於3 5 0 0 °C以下具有分解溫度和熔點。 (物質A及物質B之種類）使用做爲物貝A及物負B之材料，若可滿足本發明中之指定性質者即可，並無特別限定。由於易滿足上述性質之理由，物質A、物質B均使用無機物質爲佳。無機物質具有可分別輕易取得因錄層之升溫而分解的物質及因記 -16- (13) 1274342 錄層之升溫而不分解且安定存在之物質的優點。更具體而言，物質A及物質B分別爲氮化物和/或氧化物爲佳。化物及氧化物由於粒徑小且可減低記錄信號之雑訊方面’可選擇具有適切光學常數（折射率及消光係數）之物質方面而言爲優良。又’物質A若使用到達分解溫度釋出氣體氮或氣體氧的氮化物和/或氧化物，則經由此時之體積變化令記錄層產生大的變形，或經由同時產生大的光學變化而取得大的信號振幅。又，物質B若使用於記錄時之加熱到達記錄層之溫度中不會引起化學反應或相變化（較佳爲分解溫度及熔點爲 1 5 0 0 °C以上的）氧化物和/或氮化物，則可選擇極安定的物質。更且，此些物質因爲與其他物質的反應性亦低，故可製作極安定的記錄媒體。如上述，物質A及物質B以使用氮化物和/或氧化物爲佳。物質A可選擇僅爲氮化物、僅爲氧化物、氮化物及氧化物之混合物的任一種。同樣地，物質B可選擇僅爲氮化物、僅爲氧化物、氮化物及氧化物之混合物的任一種。上述中，物質A僅使用氮化物、或、僅使用氧化物爲佳。若使用氮化物及氧化物之混合物做爲物質A，則在將記錄層加熱時分解反應變成多階段且有時難以控制標記形另一方面，物質B若在記錄層被加熱之狀態下安定存在即可，故可僅爲氮化物、僅爲氧化物、氮化物及氧化物 -17- (14) 1274342 之混合物的任一種。經由適當選擇物質B的種類，則可良好進行記錄層之光學特性等的控制。使用氮化物或氧化物做爲物質A時，所使用之氮化物或氧化物的種類可爲一種或數種。但，物質A (例如，於 1 2 00 °C以下具有分解溫度的物質）以一種爲佳。若經由雷射照射之升溫下分解的物質爲複數種類，則記錄時的反應變成多階段的反應，可想像有時難以控制標記的形狀。另一方面，如上述，使用做爲物質B之於記錄時之加熱到達記錄層之溫度中不會引起化學反應或相變化（較佳，於1 5 0 0 °C以下不具有分解溫度及熔點）的物質爲使用之氮化物和氧化物的各種類爲一種或含有數種亦無妨。物質 B所使用之氮化物和氧化物之種類可根據記錄層所要求之特性而適當選擇。物質A與物質B之組合可使用各種氮化物、各種氧化物、氮化物與氧化物之組合，但以氮化物與氮化物之組合、或、氧化物與氧化物之組合爲佳。即，於記錄時之加熱到達記錄層之溫度（例如，1 2 0 0 °C )以下具有分解溫度之氮化物、與記錄時之加熱到達記錄層之溫度中不會引起化學反應或相變化（較佳，於1 5 0 0 °C以下不具有分解溫度及熔點）之氮化物的組合爲佳。又，於記錄時之加熱到達記錄層之溫度（例如，1 200 °C )以下具有分解溫度之氧化物、與記錄時之加熱到達記錄層之溫度中不會引起化學反應或相變化（較佳，於15 00 t以下不具有分解溫度及熔點）之氧化物的組合爲佳。因爲，於此些記錄層之製作上多使用反應 -18 - (15) 1274342 性濺鍍法，故以氮化物彼此間之組合，氧化物彼此間之合於製作上爲容易的。又’物質A與物質B之$父佳組合可列舉相同金屬或導體之氧化物與氮化物的組合。即，於記錄時之加熱到 S己錄層之溫度（例如’ 1 2 0 0 C )以下具有分解溫度之金屬半導體的氮化物、與記錄時之加熱到達記錄層之溫度中會引起化學反應或相變化（較佳，於15()crc以下不_ 解溫度及溶點）之金屬或半導體的氧化物的組合爲丨圭。，於記錄時之加熱到達記錄層之溫度（例如，} 2 〇〇〇C )以具有分解溫度之金屬或半導體的氧化物、與記錄時之加到達記錄層之溫度中不會引起化學反應或相變化（較佳於1 5 00 °c以下不具有分解溫度及熔點）之金屬或半導體氮化物的組合爲佳。因爲於此些記錄層之製作上多使用應性濺鍍法，故以利用含有氧及氮之混合氣體做爲反應氣體於製作上爲谷易的。物質A以使用於記錄時之加熱到達記錄層之溫度（例，：1 2 0 0 °C )以下具有分解溫度之金屬的氮化物或半導體氮化物爲佳。此類氮化物可列舉Cr、Mo、W、Fe、G e S η、及S b所組成群中選出一種元素的氮化物。其中，由定性，記錄後之雜訊低方面而言，以Μ 〇、G e、S η、或之氮化物爲佳，且以S η或S b之氮化物爲特佳。又，物質A亦可列舉於記錄時之加熱到達記錄層之度（例如，]2 0 0 t )以下具有分解溫度之金屬的氧化物或導體的氧化物。此類氧化物以使用Ir、Au、Ag& pt所組組半達或不分又下熱 3 的反性如之安 Sb 溫半成 -19- (16) 1274342 群中選出一種元素的氧化物爲佳。其中，Au、Ag或Pt之氧化物就安定性，記錄後之雜訊低方面而言爲特佳。此些金屬之氮化物、半導體之氮化物、金屬之氧化物、半導體之氧化物爲於記錄時到達記錄層之溫度中，釋出氮或氧，且分解成金屬或半導體單體。關於做爲物質A之上述例示之數個金屬的氮化物、半導體的氮化物、金屬的氧化物、及半導體的氧化物的分解溫度示於表-1。 [表-1] 物質A之例示分解溫度（°C ) XI C r氮化物 1080 文獻1 Μ 〇氮化物 200 實驗 W氮化物 3 00 貝居双 F e氮化物 200〜440 文獻2 G e氮化物 700 實驗 S η氮化物 340 貝1双 S b氮化物 280 實驗 Ir 氧化物 400 文獻2 Αυ 氧化物 205 文獻2 A g氧化物 3 00 文獻2 P t氧化物 5 0 0 〜5 6 0 文獻2 來1 文獻]: 九善株式會社Cock Osmer化學大辭典昭和6 3年9月2 0日發行 -20- (17) 1274342 文獻2 : 九善株式會社化學便覽基礎編改訂2版昭和5 0年6月2 0日發行實驗：T G - M S ( T h e 1· m 〇 G r a v i m e 11. y - M a s s S p e c 11· 〇 m e 11· y )法：於矽晶圓上以濺鍍法成膜出約2 5 0 0 A之薄膜，使用A g i 1 e n t 公司5773N、Seiko TG/DTA 6300，檢測於He環境氣體中 ’以10°C /min升溫之過程中之薄膜質量變化和（氮）氣體釋出。分解溫度爲更高檢測精確度且氮氣開始釋出的溫度。如此，物質A爲使用於記錄時之加熱到達記錄層之溫度中具有分解性質之物質。當然，記錄時之記錄層的加熱部分（指定溫度到達記錄層的區域）中存在的物質A並非必要全部分解。其係因於本發明中，於記錄層中進行記錄之區域（記錄時到達指定溫度之區域）的物性値若發生所欲之變化即可。進行上述記錄之區域中存在之物質A的分解量 ’若爲引起上述物性値之所欲變化的份量即爲充分。因記錄而分解之物質A的份量通常爲進行記錄之區域中存在之物質A全體的50%以上，較佳爲60%以上，更佳爲70%以上。另一方面，分解之物質A量愈多則愈佳，但通常爲 9 9.9 %以下。另一方面，物質B爲於記錄時之加熱到達記錄層之溫度中不會引起化學反應或相變化（較佳，於1 5 0 (TC以下不具有分解溫度及熔點）之金屬的氮化物或半導體之氮化物爲佳。此類氮化物可列舉T i、Z r、H f、V、N b、T a、A1、及S i所組成群中選出至少一種元素之氮化物。其中，由安定性和廉價方面而言，以Ti、V、Nb、Ta、A1、或Si之氮 -21 - (18) 1274342 化物爲佳，且以丁1、v、Nb、丁&或以之氮化物爲特佳。最佳爲V或N b。又，物質B亦可列舉於記錄時之加熱到達記錄層之溫度中不會引起化學反應或相變化（較佳’於1 5 0 0 °C以下不具有分解溫度及熔點）之金屬的氧化物或半導體之氧化物。此類氧化物以使用Zn、Al、Y、Zr ' Ti、Nb、Ni、Mg及 S i所組成群中選出至少一種元素的氧化物爲佳。其中，Zn 、Al、Y、Zr、Nb及Si之氧化物就安定性，記錄後之雜訊低方面而言爲特佳。關於做爲物質B之上述例示之數個金屬的氮化物、半導體氮化物 '金屬的氧化物、及半導體的氧化物分解溫度示於表-2。 (19) 1274342 [表-2] 物質B之例示分解溫度或熔點（°C ) % 2 Ti氮化物熔點2 9 5 0 文獻1 Zr氮化物熔點2 9 8 0 文獻1 Hf氮化物熔點3 3 0 0 文獻1 V氮化物熔點2 3 5 0 文獻1 Nb氮化物分解2 6 3 0 文獻1 Ta氮化物分解2 9 5 0 文獻1 A]氮化物至2200安定文獻1 S i氮化物至1 9 0 0安定文獻1 Zn 氧化物熔點2 0 0 0 文獻2 A1氧化物熔點2 0 1 5 文獻2 Y 氧化物熔點2 4 1 0 文獻2 Zr氧化物熔點2 7 0 0〜2 7 1 5 文獻2 T!氧化物熔點1 6 4 0 文獻2 Nb氧化物熔點1 5 4 0 文獻2 Ni氧化物熔點]9 8 0 文獻2 Mg 氧化物熔點2 8 0 0 文獻2 S i氧化物熔點1 6 1 0〜1 7 03 文獻2 X 2 文獻1 : 九善株式會社C 〇 c k 0 s m e ]·化學大辭典日召和6 3年9月2 0日發行文獻2 : 九善株式會社化學便覽基礎編改訂2版昭和5 0年6月2 0日發行 -23 - (20) 1274342 如此’物質B爲使用於記錄時之加熱到達記錄層之溫度中不會引起化學反應（化學反應可列舉例如「分解」或化3」）或相變化（相變化可列舉例如「熔解」或「昇華」）的物質。即，理想上，物質B完全不會因記錄時之加熱而引起化學反應和相變化爲佳。但是，實際上，記錄時之曰己錄層加熱部分（指定溫度到達記錄層的區域）中存在的物質B若微量發生化學反應或相變化亦可。即，只要良好保持記錄品質（例如記錄標記之形狀和位置），則記錄時之記錄層加熱部分（指定溫度到達記錄層的區域）中存在的物質 B並非必須全量爲安定。此類因記錄引起化學反應或相變化之物質B的份量通常進行記錄之區域中存在之物質B全體的1 0 %以下，較佳爲5 %以下，更佳爲1 %以下。另一方面，分解之物質B量愈少愈佳，但現實上，推測發生 0.0 1 %左右的分解。 (物質A和物質B之比例）物質A及物質B分別以氮化物和/或氧化物所構成之情形中，令物質A之構成元素中之氮及氧以外之元素α ，與物暂B之構成兀素中之氣及執以外之兀素Θ爲滿足— (/5之原子數）/((α之原子數）+ (yS之原子數）$0·95之關係爲佳。即，記錄層中存在之元素/5之原子數爲相對於元素 α，之原子數與元素々之原子數之合計，以0 · 0 3以上，〇 · 9 5 以下爲佳。（点之原子數）/( α之原子數）+ ( /5之原子數））爲 -24- (21) 1274342 Ο . Ο 3以上爲佳，且以〇 . Ο 5以上爲更佳。作成此範圍，則可令添加物質Β之效果充分。另一方面，（之原子數）/(( α 之原子數）+ ( /?之原子數））爲〇.95以下爲佳，且以〇·9以下爲更佳，0.8以下爲再佳，0.7以下爲特佳。作成此範圍則記錄信號之振幅充分。物質Α或物質Β組合使用二種以上氮化物和/或氧化物時，可如下考慮。即，令（α之原子數）爲物質A之構成元素中氮及氧以外之元素的原子數合計。又，令（/?之原子數）爲物質B之構成元素中氮及氧以外之元素的原子數合計。（α之原子數）與（A之原子數）爲滿足上述關係爲佳。例如，物質A僅使用一種於1 2 0 0 °C以下具有分解溫度之氮化物或氧化物，物質B爲組合使用二種以上於1 5 0 0 t 以下不具有分解溫度及熔點之氮化物或氧化物時，物質A 與物質B之比例如下爲佳。即，於]2 0 0 °C以下具有分解溫度之氮化物或氧化物以 ANx或AOx表示（例如A爲金屬或半導體），於1 50CTC以下不具有分解溫度及溶點之一種以上之η種氮化物或氧化物分別以 BlNyl 、 .........BnNyn 或 BlOyl ' .........Β η O y η ( Β 1 、 .........Β η爲金屬元素或半導體元素）表示時，下述式（1)式所示之原子數比較佳爲0 · 0 3以上，更佳爲〇 · 〇 5以上，另一方面，較佳爲0.9 5以下，更佳爲〇 · 9以下，再佳爲0.8以下，特佳爲0.7以下。 (Β]之原子數+.........+Βη之原子數）/(Α之原亍數+ Β1之原子數+.........+ Β η之原子數）（]) -25- (22) 1274342 經由作成上述範圍，則可充分發揮添加於1 5 0 Ot以卞不具有分解溫度及熔點之氮化物或氧化物的效果，另\ $ 面，可令記錄信號之振幅充分。此些記錄層之組成分析可根據電子射線微分桁 (ΕΡΜΑ)、X射線電子分光分析裝置（XPS)、〇J電子分光法 (AES)、盧瑟福散射法（RBS)、誘導結合高周波電漿分光法 (I C P )等、或其組合予以鑑定。 (言己錄層全體中之物質A與物質B的比例）於本發明中，記錄層以物質A及物質B做爲主成分爲佳。此處，於本發明中，所謂「以指定材料」（指定材料亦司*改寫成「指定物質」或「指定組成」）做爲主成分」，係意指材料全體或層全體中，該指定材料之含量爲5 0 重量％以上。於有效發揮本發明之效果上，記錄層全體中，物質A 與物質B之合計量通常爲50重量％以上，較佳爲60重量 %以上，更佳爲含有7 0重量％以上。又，記錄層除了物質A及物質B以外’於調整記錄層之光學常數及導熱度之目的下，以Tl、Zr、、V、Nb、

Ta、Cr ' Mo、W、Μη、Co、Νί、Pd、Pt、Cu、Ag、Αυ、

Zn、Al、Si、Ge、Sn、Sb、Bi或鑭糸金屬等之金屬及半導體之單體或半氧化物爲於記錄層全體中’含有3 〇重量％以下，較佳爲2 0重量％以下，更佳爲1 0重量％以下之比 -26 - (23) 1274342 例亦可。另一方面，通常，含有上述金屬及半導體之單體和半氧化物之情況，通常含有0 · 0 0 1重量％以上。若爲上述範圍，則可良好取得含有上述金屬及半導體之單體和半氧化物的效果° 此處，所謂「半氧化物」爲指由氧化物之化學計量組成中缺損氧之狀態者。此些金屬及半導體之單體以及半氧化物爲雷射照射升溫下產生熔融和氧化狀態的變化。但是，此些變化若與一物質A之分解相比較爲較小之變化。因此，若記錄層全體中所佔之比例爲上述範圍，則上述變化不會對記錄特性造成深刻影響。因此，上述金屬及半導體之單體及半氧化物可在調整光學常數和導熱度之目的中使用。 <記錄層之其他特性> 於本發明中，記錄層之消光係數爲根據用途而適當決定。記錄層之消光係數的下限於記錄重放所用之雷射波長中，較佳爲〇 . 2以上，更佳爲〇 . 3以上。若爲此範圍，則於記錄層之入射雷射光的吸收充分且記錄靈敏度良好。另一方面，上述消光係數之上限較佳爲].6以下，更佳爲1.4以下，特佳爲].2以下。若爲此範圍，則記錄層之光吸收不會過大且不會無法取得充分的反射率。還有’於本發明中，消光係數之測定爲根據折射率及橢圓對稱法進行測定。又’記錄層之膜厚爲根據用途而適當決定。記錄層之 -27- (24) 1274342 膜厚下限通常爲4 n m以上，較佳爲6 n m以上。經由作成此範圍，則可令入射雷射光之吸收變大且靈敏度良好，加上記錄信號之振幅亦爲充分。另一方面，記錄層之膜厚上限通常爲30nm以下，較佳爲25nm以下，更佳爲20nm以下。經由作成此範圍，則不會令記錄層的吸收變大且不會令反射率降低’或者’不會令氣體釋出量變爲過大且添加物質 B (較佳’於1 5 00 °C以下不具有分解溫度及熔點之氮化物或氧化物）的效果變小。 (言己錄層之製造方法）

於本發明中記錄層爲通常以濺鍍法製造。例如，於真空槽內流入微量的氬氣且作成指定的真空壓力，並對物質 A所構成的標的和物質b所構成的標的，加以電壓並令其放電成膜之濺鍍法則可製造。又，例如，於真空槽內流入微量的氬氣且作成指定的真空壓力，並對物質A和物質B 之混合物所構成的標的，加以電壓並令其放電成膜之濺鍍法則可製造。物質A及物質B於使用金屬之氮化物和氧化物、或半導體之氮化物和氧化物之情形中，亦可使用以下述之反應性濺鍍法之製造方法。即，於真空槽內流入微量之A I.、N 2或0 2之混合氣體，作成指定之真空壓力。其次，對以此氮化物或氧化物爲物質A般之金屬或半導體，和以此氮化物或氧化物爲物質b 般之金屬或半導體之混合物所構成之標的，加以電壓且令 -28- (25) 1274342 其放電。其次，令反彈之金屬或半導體的複合物以N 2或Ο 2 反應作成氮化物或氧化物且進行成膜，則可進行反應性濺又，不使用混合物之標的，由複數之單體標的物同時放電之共濺鍍法進行形成亦可。 (2)基板本發明之記錄媒體特別爲追記型光記錄媒體時，上述記錄層爲於基板上形成。本發明之追記型光記錄媒體所用之基板可使用聚碳酸酯、丙烯酸、聚烯烴等之樹脂；玻璃；鋁等金屬。通常，於基板上設置深度15〜2 5 0 nm左右的導向溝，故以可形成導向溝的樹脂製基板爲佳。又，記錄重放用之集束光束由基板側入射，所謂之基板面入射（參照圖5、6)時，基板爲透明爲佳。此類基板之厚度爲根據用途而適當決定，通常下限爲〇 . 3 m m以上，較佳爲0.5 m m以上，上限通常爲3 m m以下，較佳爲2 m m以下。 (3 )其他層本發明之追記型光記錄媒體若至少具有基板和記錄層即可。因此，層構造並無特別限定。例如，本發明之追記型光記錄媒體爲於記錄層之至少一面設置耐熱性之保護層亦可。又，例如，本發明之追記型光記錄媒體爲於記錄層 -29- (26) 1274342 之雷射照射面的反側設置反射層亦可。如此，本發明之追記型光記錄媒體可作成令具有特定機能之層疊層的任意多層構造。又，此些層亦可分別形成二層以上，且於其中設置中間層亦可。例如，於集束光束由基板側入射時之基板/保護層間，和由基板反側入射集束光束時之保護層上，亦可設置半透明之極薄金屬、半導體，具有吸收之介電體層等。經由此類介電體層，例如，可控制入射至記錄層之光能量份量。以下，列舉具體例詳細說明本發明之追記型光記錄媒體的層構成，但本發明並非被限定於下述具體例。 [2]追記型光記錄媒體之實施態樣的一例圖].爲示出於本發明中可使用之追記型光記錄媒體之一例的放大剖面圖。如圖1所示般，此追記型光記錄媒體爲於基板1上令反射層2，反射層側之保護層3，記錄層4 , 雷射光入射側之保護層5，光穿透層6以此順序依序疊層所構成。由光穿透層6側入射雷射光並進行記錄及重放。層構造並非必須限定於圖1之構造。例如，圖2所示般 ’由圖1之構造採用於反射層2與保護層3之間設置防止擴散層7之層構造亦可。或者如圖3、4所示般，採用於圖1、 2所示之構造中在基板1與反射層2之間設置頭道層8的層構造亦可。或者如圖]0所示般，採用於記錄層4與保護層3之間’記錄層4與保護層5之間設置密合層！〇之層構造（當然，密合層]〇亦可僅於記錄層4與保護層3之間，或，記錄層 -30 - (27) 1274342 4與保護層5之間之任一者設置）。更且，如圖i〗所示般，採用以密合層1 〇更換保護層3之層構造（當然，亦可以密合層1 〇更換保護層5)亦可。此處，當然亦可根據所求之性能與上述層構造適當組合。又，如圖5、6所不般，令圖1、2所示之層構造相對於基板以逆相疊層’作成基板面入射型光記錄媒體之層構造亦可採用。又，於基板面入射型光記錄媒體中，當然亦可適當使用上述之防止擴散層7和上述之密合層1〇。此外’本發明之追記型光記錄媒體亦可廣泛應用於保護層和反射層作成二層的構造等。以下，詳細說明各層。 (1) 記錄層4 記錄層4爲如上述[1 ]中說明。 (2) 基板1 基板1爲如上述[1 ]中說明。 [3 ]反射層2 反射層2除了 Ag或Ag合金以外，例如可使用以Al、Au 及彼等做爲主成分之合金等之各種材料。反射層之材料以使用導熱率高且放熱效果大之Ag或 A1做爲主成分之合金爲佳。若更具體敘述本發明所合適的反射層材料，則可列舉純 Ag、或於 Ag 中含有 Ti、V、Ta、Nb、W、Co、Cr、Si、 Ge、Sn、Sc、Hf、Pd、Rh、Au、Pt、Mg、Zr、Mo、Cu、 Nd及Mn所組成群中選出之至少一種元素的Ag合金。於加重視經時安定性之情形中，添加成分以使用一種以上Ti、 -31 - (28) 1274342

Mg、AU、Cu、Nd 或 Pd爲佳。又’反射層材料之其他較佳例可列舉於A1中含有Ta、 Ti、Co、Cr Si、Sc、Hf、Pd、Pt、Mg、Zi·、Mo 及 Mn 所組成群中選出至少一種元素之A1合金。此些合金已知爲耐熱封性被改善’故可考慮使用耐久性、體積電阻率 '成膜速度等。上述Ag和A1中所含有之其他元素量通常爲〇1原子％以上’較彳土爲0.2原子％以上。關於A1合金，若上述兀素之含量過少’雖亦根據成膜條件而異，但多爲耐熱黏性不夠充分。另一方面，上述元素之含量通常爲5原子％以下，較佳爲2原子％以下，更佳爲1原子％以下。若過多則反射層的電阻率變高（導熱率變小）。使用A1合金時，亦可使用含有si 0〜2 重量％，Mg 0.5〜2 重量％，Ti 0〜0 · 2 重量％的A 1合金。S i雖具有抑制微細剝離缺陷的效果，但含量若過多則導熱率經時變化，故通常以2重量％以下，較佳爲].5重量％以下。又，Mg 雖令反射層的耐蝕性提高，但含量若過多則導熱率經時變化，故通常以2重量％以下，較佳爲1，5重量％以下。Ti 之含量通常爲〇 . 2重量％以下。T i爲具有防止濺鍍級數變動的效果。但，Ti之含量若過多，則令反射層之導熱率降低，並且難令Ti以微米等級鑄造均勻且固溶的鑄塊，具有令標的費用上升的傾向。因此，令丁丨之含量爲上述範圍爲佳。反射層之厚度通常爲4 〇 n m以上，較佳爲5 0 n m以上5 -32- (29) 1274342 另一方面，通常爲3 0 0 11 111以下’較佳厚過厚，則即使可降低面積電阻率亦效果，且記錄靈敏度容易惡化。其係量增大且其本身的放熱耗費時間’反，隨著膜厚變厚使得成膜上耗費時間的傾向。又，膜厚若過薄，則膜成長現影響，且反射層和導熱率降低。反射層通常爲以灑鑛法和真空激物和澱積材料本身的雜質量和成膜時且全雜質量未滿2原子％爲佳。因此時，加工槽的到達真空度期望爲未滿又，以1(T4 Pa更差之到達真空度速率爲lnm/秒以上，較佳爲l〇nm/秒。或者，意圖的添加元素多於1原子爲lOnm/秒以上則可極力防止附加的亲爲了取得更局導熱和局信賴性上爲有效。此時，至少一層爲具有令反厚的上述枋料爲佳。通常，此層實質其他層爲有助於改善耐蝕性、與保護性般爲其構成。 (4)保護層3及5 保護層3及保護層5通常具有以下曰己錄層於§2錄時所發生之熱擴散至基 :爲2 0 On m以下。若膜不能取得充分的放熱因每單位面積之熱容而減小放熱效果。又 ’且材料費亦有增加初期的島狀氣體易出積法形成，包含標的混入的水分和氧量，以濺鍍法形成反射層 1 X 1 0·3Pa。下成膜時，期望成膜以上則可防攝入雜質 %時，期望成膜速率隹質混入。，令反射層多層化亦 :射層膜厚5 0 %以上膜上爲掌控放熱效果，層之密合性、耐熱封三種職務。即，防止板等之其他層的職務 -33 - (30) 1274342 。經由干涉效果控制光記錄媒體之反射率的職務，s_ 爲於高溫高濕環境下阻斷水的阻擋層的職務。形成保護層之材料通常可列舉介電體材料。介m p才才料可歹 IJ 舉例如，Sc、Y、C e、La、T i、Z r、H f、V、n b、 T a、Z n、A 】' C r、I li、S i、G e、S n、S b、或丁 e 等之氧化物 ;Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Zn、b、Ai、

Ga、In、Si、Ge、Sn' Sb、或 Pb 等之氧化物；Ti、Zr、Hf 、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Zn、B、Al、Ga、in、或 si 等之碳化物。更且，可列舉彼等氧化物、氮化物及碳化物的混合物。又，介電體材料可列舉Zn、Y、Cd、Ga、In、 S i、G e、S η、P b、S b、或B i等之硫化物、硒化物或碲化物、M g、C a等之氟化物或其混合物。此些材料中，ZnS-Si〇2、SiN、Ta2〇5或Y2〇2S等因爲成膜速率快速、膜應力小、溫度變化所造成之體積變化率小及優良的耐候性故廣被利用。保護層之膜厚爲根據光記錄媒體中使用保護層的位置而異。但，一般而言，保護層之膜厚爲在做爲保護層之機能上以5 nm以上爲佳。另一方面，爲了令構成保護層之介電體本身的內部應力和連接膜之彈性特性差縮小，且難發生裂痕，故膜厚5 0 0 nm以下爲佳。一般，構成保護層之材料爲成膜速度小且成膜時間長。經由減短成膜時間且縮短製造時間，使得費用削減上，將保護層膜厚控制於3 OOnm 以下爲佳。保護層膜厚更佳爲20 Onm以下。保護層爲根據光記錄媒體中使用保護層的位置’使得 -34 - (31)43 42 月獒取 $求的機能爲不同，故根據使用保護層的位置使得其爲不同 _】〜6及圖1〇〜20中雷射光入射側之保護層5的膜厚通 1〇nm以上，較佳爲2〇nm以上，更佳爲3〇11111以上。若爲 μ、 ~ 述範圍’則抑制基板和記錄層因熱造成變形的效果充分，1 町充分發揮保護層的職務。另一方面，通常以50〇nm '"'κ h ’較佳爲3 0 0nm以下，更佳爲200nm以下。膜厚若過 > ’則因膜本身的內部應力而易發生裂痕且生產性亦差。 $爲上述範圍則可防止裂痕的發生，且生產性亦保持良好另一方面，圖1〜6、圖10及圖12中反射層側之保護層3 的fe厚通常爲2 n m以上、較佳爲4 n m以上、更佳爲6 n m以上 °若爲此範圍，則可有效抑制記錄層的過度變形。另一方面’反射層側之保護層3的膜厚通常爲1 0 〇nm以下、較佳 _ 8 〇nm以下。若爲此範圍，則可取得對於記錄層的冷卻效果’並且可確保記錄標記長度的控制性。保護層通常爲以濺鍍法形成，包含標的本身的雜質量和成膜時混入的水分和氧量，且全雜質量未滿2原子％爲佳°因此’以濺鍍法形成保護層時，加工槽的到達真空度其月望爲未滿1 X 1 〇·3 Pa。 (5)光穿透層6 光穿透層6亦必須做爲保護濺鍍膜免受水分和塵埃且同時做爲薄入射基板的職務。因此，對於記錄、再生所用 -35 - (38) 1274342 合 ° 當然，上述材料爲以任意的組合及比率使用數種亦可〇密合層1 〇中所用材料特佳者爲使用比記錄層所用物質 A之分解溫度更高的物質。即，密合層1 0所用材料之分解溫度爲物質A之分解溫度以下時，室溫中，密合層丨〇之材料一部分發生分解，令追記型光記錄媒體的保存安定性有降低的傾向。又，於記錄時到達記錄層之溫度中，若於物質A分解前或物質A分解同時密合層1 0中所含有的材料分解，則有時無法取得所欲的記錄狀態。此時，密合層1 〇所用之材料若與記錄層所用之物質A 相比較’爲分解溫度相對高之材料即可。例如，使用Sn_ 化物（由表-1分解溫度爲3 4 0 °C左右）做爲物質A時，如Ge 氮化物（由表-1分解溫度爲7 0 0 °C左右）和Cr氮化物（由袠」分解溫度爲108 (TC左右）般，一般使用做爲物質A的材料亦可使用於密合層1 0。上述材料於密合層1 〇中的含量通常爲5 0重量％以^ ，較佳爲60 重量％以上，更佳爲70 重量。/。以上，再佳爲 80重量％以上，特佳爲90重量％以上，最佳爲95 5隻 %以上。由確保記錄層4與保護層3或與保護層5之接合个生的觀點而言，上述材料之含量愈多則愈佳，但因形成密$ 層時不可避免含有雜質（例如氧），故上述材料之含量上_ 通常爲9 9 · 9 重量。/。左右。密合層]0之膜厚通常爲]n m以上' 較佳爲2 nm以上、 -42 - (40) 1274342 以下示出實施例更加具體說明本發明。 (實施例1) 本實施形態之例爲製作圖4所示構成的光記錄媒體。基板】爲使用^度1 .] m m ’直徑1 2 0 m m之碟狀聚碳酸醋樹脂。頭道層8爲使用Ta。反射層2爲使用Ag-Cu-Nd所構成的合金。防止擴散層7爲使用Ge-Cr-N。保護層3、5爲使用 ZnS-Si02所構成的混合物。記錄層4爲使用氮化錫（Sn氮化物）做爲物質A、及氮化鉅（Ta氮化物）做爲物質B。光穿透層6爲將黏度3〇〇〇 m Pa· s之未硬化（未聚合）的丙烯酸酯系紫外線硬化劑，於保護層之中央附近滴下2.5 克，且以1 5 0 0 1· p m迴轉延拉6秒鐘後，照射紫外線且硬化（聚合）下則可製作。照射紫外線時爲防止氧氣所造成之阻礙聚合作用’乃以氮氣吹掃至氧濃度爲5 %以下。光穿透層6之膜厚爲95〜10 5 μι之範圍。還有，膜厚之測定爲於光穿透層6之硬化後機械性剝離光穿透層並且使用測微計進行測定。基板1與光穿透層6以外之多層膜製作上使用濺鍍法。各層之成膜條件及膜厚爲如下。 (A ) 頭道層8 •濺鑛標的 Ta •濺鍍電力 DC5 00W • A ]·氣壓 0.1 8 P a ]Onm •膜厚 -44 - (42) 1274342 •濺鍍標的 (ZnS)8G(Si〇2)2〇(莫耳。/〇) •濺鍍電力 RF2000W • Ar氣壓 0.2 5 P a •膜厚 5 0 n m 上述構成之光記錄媒體爲實施例1。此時記錄層中之 Sn與Ta之組成比以ΕΡΜΑ法進行組成分析。結果原子數比 Ta/(Sn + Ta)爲 0.04。更且，於實施例1中僅以下列條件改變記錄層進行成膜以外，製作具有相同構成的實施例2〜4。 (實施例2)

•濺鍍標的 Sn及Ta(共同濺鍍） •濺鍍電力 S n D C 2 1 0 W

Ta RF5 00W • Α ι· + Ν 2 氣壓 0.35Pa • N2/(Ar + N2)流量比 0.75

•膜厚 1 5 n m (實施例3) •濺鍍標的 Sn及Ta(共同濺鍍） •濺鍍電力 S n D C 2 1 0 W

Ta RF7 00W • A.r + N2 氣壓 0.35Pa • N 2 / ( A r + N 2)流量比 0.75 -46 - (44) 1274342 r/7 f ^ i氧化物） (Ta氮化物）變更成氮化鈦（Ti氮化物）及氮化砂a 以外，同實施例1處理製作光記錄媒體（實施例8) ° 但，任一個實施例中，保護層5之膜厚’爲7調^ $ 錄媒體的反射率，乃於對於記錄層4不會造成熱性 # & 4 0 n m至5 0 n m的範圍中適當限制。又，於實施例5〜8之p己錄層的成膜上，雖使用與實施例1同樣之濺鍍法’但各® M 例中之記錄層的成膜條件爲如下。 (實施例5中記錄層的成膜條件） •濺鍍標的 Sn及V(共同濺鍍） •濺鍍電力 S n DC90 W V RF90 0 W • Ar + N 2氣壓 0.35Pa • N2/(Ar + N2)流量比 0.75 •膜厚 15n m 例6記錄層的成膜條件） •濺鍍標的 Sn及Nb(共同濺鍍 •濺鍍電力 Sn D C 9 0 W Nb RF900W • A r + N 2氣壓 0.3 5 P a • N2/(Ar + N2)流量比 0.75 •膜厚 1 5 n m ) -48 - (45) 1274342 (實施例7中記錄層的成膜條件） •濺鍍標的 S η Τι混合物 (Sll33_3Ti66.7(原子 •濺鍍電力 S η 3 3.3 T i 6 6. 7 (原子％ ) R F 9 0 0 W • A1· + N 2 氣壓 0.35Pa • N2/(Ar + N2)流量比 0.75 •膜厚 1 5 n m 例8中記錄層的成膜條件） •濺鍍標的 S η T i混合物（S η 3 3 .3Ti66.7(原子％))及Si (共同濺鍍 •濺鍍電力 81133.31^66.7(原子°/。）11?9 0 0^/ Si D C 1 5 0 W • A r + Ν 2氣壓 0.35Pa • N2/(Ar + N2)流量比 0.75 •膜厚 1 5 n m 還有’實施例5〜7中之記錄層的組成比以ΕΡΜΑ進行組成分析，結果分析爲V/(Sn + V) = 〇.47(實施例5)、 Nb/(Sn + Nb) = 0.49(實施例 6)、Ti/(Sn + Ti) = 0.5 8(實施例 7)。又’關於實施例5〜8之記錄層，使用橢圓對稱器測定波長4 0 5 n m下之折射率及消光係數k時，η = 2.6 0、k = 0.9 7 ( 實施例 5 )、η = 2 · 8 4、k = Ο . 8 9 (實施例 6 )、η = 2.9 2、k = 1 · Ο ](實施例 7 )、η = 2 · 8 Ο、k = Ο . 7 6 (實施例 8 )。 - 49- (47) 1274342 施例中之記錄層的成膜條件爲如下。 (實施例9中記錄層的成膜條件） •濺鍍標的 Sb及V(共同濺鍍）

•濺鍍電力 S b DC85 W

V RF900W • Ar + N2 氣壓〇.35Pa • N2/(Ar + N2)流量比 0.75 •膜厚 1 5 n m (實施例1 〇中記錄層的成膜條件） •濺鍍標的 S b及N b (共同濺鍍）

•濺鍍電力 S b D C 8 5 W

Nb RF900W • Ar + N2 氣壓 Q.35Pa • N 2 / (A r + N 2 )流量比 0.7 5 •膜厚 15nm 實施例9、1 0中之記錄層的組成比以E P M A進行組成分析，結果分SU爲 V/(Sb + V) = 0.27(實施例9)、 N b / ( S b + N b) = 〇 . 4 〇 (實施例 1 〇 )。 (比較例2 ) 比較例除了由物質六之氮化鍊（Sb氮化物）單體製作記錄層以外，作成完全同實施例1構成的光記錄媒體。記錄 - 51 - (48) 1274342 層之成膜條件爲如下。 •濺鍍標的 Sb •濺鍍電力 Sb DC8: .A r + Ν 2氣壓 0.3 5 P a • N2/(Ar + N2)流量比 0.75 •膜厚 1 5 n m 對於實施例1〜l 〇及比較例1、2之光記錄媒體，使用光源波長4 0 5 n m、開口數N A 0.8 5的評價器’以線速5 . 7 m / s e c 、RLL1-7變調、頻道鐘（channel c 1 o c k) 6 6 Μ Η z之條件下進行無規信號的記錄。以此條件進行記錄時之顫動的記錄功率依賴性分別示於圖7〜9。顫動爲經由以限制均等器將記錄信號予以波形等化後進行二値化，且二値化信號之開始邊緣及下降邊緣，與周期鐘信號之開始邊緣的時間差的分佈，以時間間隙分析器予以測定（D a t a t 〇 C 1 〇 c k 11 e r)。如圖7〜9所示般，可知各實施例之光記錄媒體爲較比較例，取得更良好的記錄信號特性且記錄功率的範圍爲提局。其次爲了闡明密合層的效果，乃以圖4所示構成之光記錄媒體視爲實施例Η，又於其構成中追加密合層之圖1 2 所示構成的光記錄媒體視爲實施例1 2〜]8且如下述製作。 (實施例1 ]) -52- (49)1274342 關於基板1及光穿透層6爲同實施例1〜10。關於多層膜，於頭道層8使用T a、反射層2使用A g _ C u - A U所構成的合金、防止擴散層7使用Ge-Cr-N、保護層3、5使用ZnS-Si02 所構成的混合物。記錄層4爲使用氮化錫（Sn氮化物）做爲物質A，及使用氮化鈮（Nb氮化物）做爲物質B且依據濺鍍法進行製作。各層之成膜條件及膜厚如下。 (A) 頭道層8 •濺鍍標的 •濺鍍電力 • Ar氣壓 •膜厚 (B) 金屬反射層2 •濺鍍標的 •濺鍍電力 • Ar氣壓 •膜厚 (C) 防止擴散層7 •濺鍍標的 •濺鍍電力 • A r + N 2氣壓 • N2/(Ar + N2)流量比 0.5

Ta DC500W 0.1 8Pa 5 nm

Ag97CuiAu2(原子 °/o) DC 1 000W 0. 1 5Pa 8 0nm

Ge8〇Cr2G(原子％)

RF3 00W 0. 1 8P； -53- (50) 1274342 •膜厚 (G)反射層側保護層3 •濺鍍標的 •濺鍍電力 • A r氣壓 •膜厚 (D)記錄層4 •濺鑛標的 •濺鍍電力 • A r + N 2氣壓 • N2/(Ar + N2)流量比 •膜厚 3 n m (ZnS)8〇(Si〇2)：2()(原子 0/。） RF2000W 0.25Pa 2 7 n m

SnsGNbsG(重量％)

Sn RF5 00W 0.35Pa 0.7 5 1 3 n m (C〇雷射光入射側保護層 •濺鍍標的 •濺鍍電力 • Ar氣壓 •膜厚 (ZnS)8G(Si02)2G(莫耳。/〇 R F 2 0 0 0 W 0.25Pa 6 0n m (實施例12〜18) 由實施例1 1之構成製作於反射層側保護層3與記錄層4 之間設置密合層1 0的實施例1 2〜1 8。各個層構成爲如表1 所示。 -54 - (51)1274342 雷射光入射側保護層5 (ZnS-Si〇2) 60 am 60 am 60nm 60nm 60iim 60nm 60nm 60nm 記錄層4 (SnNbN) 13nm 13nm 13nm 13nm 1311m 13nm 13nm 13nm 密合層10 撻 SnNbO 3nm Ge CrN 3nm Z1O-Y2O3-S1O2 3mn Zr〇-Y2〇3-Si〇2 5nm Z11O-AI2O3 311m Z11O-AI2O3 511m SiC 3nm 反射層側保護層3 (ZnS-Si02) 27ηηι I 27nm 25nm 25mn 1 25nm 25nm 25nm 25nm 防止擴散層7 Ge CrN 3mn Ge CrN 3nm Ge CrN 3nm ZrO-Y2〇3-Si〇2 3nm Zr〇-Y2〇rSi〇2 3i皿 ZnO-Al2〇3 3nm Zn〇-Al2〇3 3nm SiC 3nm 金屬反射層2 (AgCuAu) t- 80nm 80nm 80nm 80nm 80nm 8 On m 80nm --1 80nm 頭道層8 (Ta) ! 5nm 5nm 5nm 5nm 5nm 5nm — 5nm 5nm } 實施例11 實施例12 實施例Π 實施例14 實施例15 實施例16 實施例17 實施例18 -55 - (52) 1274342 關於實施例1 2〜1 8之各層，於頭道層8、金屬反射層2 、反射層側保護層3、記錄層4、及雷射光入射側保護層5 爲使用與實施例1 ]相同材料，成膜條件。又，實施例1 2中於防止擴散層使用G e C z.N、密合層]0 使用S nN b〇。更且，實施例1 3〜1 8中以相同材料，相同成膜條件製作防止擴散層7和密合層1 0。又，實施例1 3中使用G e C r N，實施例1 4、1 5中使用Z r 0 - Y 2 0 3 - S i 0 2，實施例 16、17中使用ΖηΟ-Α12〇3，實施例18中使用SiC。關於 GeCrN之成膜條件與實施例11相同，關於其他之SnNbO、 Zr〇-Y2〇3-Si02、Zn0-Al2 0 3、SiC以下述之成膜條件製作 (S η N b Ο )

Sn RF5 00 W 0.3 5 P a Ar:N2：〇2 = 5:15:5

•濺鍍標的 •濺鍍電力 • A r + N 2 +〇2氣壓 •流量比 (Z r Ο - Y 2 0 3 - S i Ο 2) •濺鍍標的（（ZrO)97(Y2〇3)3)8G(SiO2)20 (莫耳％)

•濺鍍電力 RF 1 000 W .A1·氣壓 0 · 3 5 P a -56- (54) 1274342 相對地，關於實施例1 2至]8，如表_ 4所示般，於環境試驗前後之顫動値變化爲抑制於1 %以內。又，此些環境試驗後之光記錄媒體即使以光學顯微鏡觀察亦未察見如實施例1 1般之缺陷。 [表-4] 環境試驗環境試驗環境試驗後光前顫動（％) 後顫動（％) 學顯微鏡觀察實施例1 1 5.9 許多明顯缺陷實施例1 2 6.2 6.4 未觀察到缺陷實施例1 3 5.9 6.1 未觀察到缺陷實施例1 4 5.9 6.0 未觀察到缺陷實施例1 5 6.2 6.2 未觀察到缺陷實施例1 6 6.2 7. 1 未觀察到缺陷實施例1 7 6.4 7.2 未觀察到缺陷實施例1 8 6.0 5.8 未觀察到缺陷如上述設置密合層]〇則可抑制連接記錄層4部分的剝離，可取得耐候性更優良的光記錄媒體。 (實施例19) 再製作於記錄層中混合存在氮化物和氧化物之例，由實施例1 ]之構成製作記錄層爲以氮化物和氧化物之混合物的光記錄媒體。關於基板1及光穿透層6爲同實施例]〜1 8。除了多層膜 -58- (55) 1274342 之頭道層8使用Nb、記錄層4使用Sn之氮化物、Sn之氧化物、N b之氮化物、及N b之氧化物的混合以外，作成與實施例Π相同之構造。各層之成膜條件及膜厚爲如下。 (A )頭道層8

Nb DC 5 0 0 W 0. 1 8Pa 5 n m Ag97Cu】All2(原子％) DC 1 00 0 W 0. 1 5Pa 8 0 n m 〇68〇〇1_20(原子％) R F 3 0 0 W 0. 1 8Pa •濺鍍標的 •濺鍍電力 • Ar氣壓 •膜厚 (B )金屬反射層2 •濺鍍標的 •濺鍍電力 • Ar氣壓 •膜厚 (C )防止擴散層7 •濺鍍標的 •濺鍍電力 • A 1· + N 2 氣壓 • N 2 / (A1· + N 2)流量比 0.5 •膜厚 3 n m (G)反射層側保護層3 •濺鍍標的耳％) -59- (56) 1274342 •濺鍍電力 • Αι·氣壓 •膜厚 (D )記錄層4 •濺鍍標的 •濺鍍電力 • Αΐ· + Ν2 + 〇2氣壓 • Ar:N2：〇2 = 25:73.7f •膜厚 (G)雷射光入射側保護層 •濺鍍標的 •濺鍍電力 • Ar氣壓 •膜厚 R F 2 0 0 0 W 0.25Pa 2 5 n m S η 5 ο N b 5 ο (重量％ ) Sn5〇Nb5〇 DC 5 0 0 W O.SOPa 1.25 1 4 n m (ZnS)8〇(Si02)2()(莫耳。/(〇 R F 2 0 0 0 W 0.25Pa 5 0 n m (評價）實施例1 9之光記錄媒體的記錄特性評價同實施例 1 8 (與實施例1〜1 0之光記錄媒體的評價中所用者不同）用波長光線40 6nm，開口數NA 0.85之評價機進行。而言’以線速4.92m/sec、頻道鐘66MHz之條件記錄由 _ g弦所構成的無規信號，並且測定顫動値，進行評』圖1 3中示出顫動値的記錄功率依賴性。如圖]3所 1 1至，使具體 17pp [賈。示般 -60- (57) 1274342 ，於提高記錄密度之條件中存在良好的顫動値及存好顫動値的廣泛記錄功率範圍。於記錄層成膜上使用Ar、N2、02之混合氣體，層乃成爲氮化錫、氧化錫、氮化鈮、氧化鈮的混合例1 9中混合氧化物目的爲在令記錄層中混合比氮化化鈮之吸收更小的氧化錫、氧化鈮下，使得記錄層吸收減小，並且提高光記錄媒體的反射率。實際上施例1 9之光記錄媒體中，以未記錄之狀態下取得高的反射率。此處，難以正確求出記錄層中的氧化物比率。以ΕΡΜΑ等之分析手段鑑定大氣中存的氣體元素成難。但是，因爲實施例1 9中成膜氣體中之氧氣的佔僅爲1 · 2 5 %，故認爲記錄層全體中氧化物所佔比率合物莫耳比之30%以下。 [產業上之可利用性] 若根據本發明，則可取得能應付資料高密度化媒體。特別，可取得良好記錄信號特性之記錄功率的追記型光記錄媒體。還有，本申請爲根據2 0 0 3年8月2 1日所申請之願（特願2003-29 7 711)、2003年10月31日所申請之願（特願2 0 0 3 - 3 7 1 8 7 ])、2 0 0 4年5月3 1日所申請之日；特願2 001 1 6 1 5 5 4 )，此些申請說明書全體爲以本申示內容型式於此處引用援用。在取得則記錄。實施錫、氮全體的，於實至2 1 % 當然，分爲困有比例爲各化的記錄範圍廣曰本出曰本出匕出願（請的揭 -61 - (58) 1274342 [圖式簡單說明】圖1爲本發明之追記型光記錄媒體之構造例的模型圖 c 圖2爲本發明之追記型光記錄媒體之構造例的模型圖〇圖3爲本發明之追記型光記錄媒體之構造例的模型圖〇圖4爲本發明之追記型光記錄媒體之構造例的模型圖〇圖5爲本發明之追記型光記錄媒體之構造例的模型圖〇圖6爲本發明之追記型光記錄媒體之構造例的模型圖〇圖7爲示出本發明實施例之追記型光記錄媒體之顫動的記錄功率賴性之圖。圖8爲示出本發明之其他實施例之追記型光記錄媒體之顫動的記錄功率依賴性之圖。圖9爲示出本發明之再其他實施例之追記型光記錄媒體之顫動的記錄功率依賴性之圖。圖1 〇爲本發明之追記型光記錄媒體之構造例的模型圖〇圖]1爲本發明之追記型光記錄媒體之構造例的模型圖 -62 - (59) 1274342 圖1 2爲本發明之追記型光記錄媒體之構造例的模型圖圖1 3爲示出本發明之又再其他實施例之追記型光記錄媒體之顫動的記錄功率依賴性之圖。【主要元件符號說明】 1 基板

2 反射層 3、5 保護層 4 記錄層 6 光穿透層 7 防止擴散層 8 頭道層 9 保護塗覆層 10 密合層 -63-

Claims

十、申請專利範圍第93 1 25249號專利申請案中文申請專利範圍修正本民國95年9月27;日修正 1. 一種記錄媒體，其特徵爲具有記錄層’且經由將該記錄層加熱進行記錄的記錄媒體，該記錄層含有在記錄時之加熱到達該記錄層之溫度中分解的物質A，和在記錄時之加熱到達該記錄層之溫度中不會引起化學反應或相變化的物質B。 2 ·如申請專利範圍第1項之記錄媒體，其中在到達該記錄層的溫度中，該物質B爲不引起化學反應或相變化。 3 .如申請專利範圍第1項或第2項之記錄媒體，其中在到達該記錄層的溫度中，該物質B爲不分解或不化合。 4 ·如申請專利範圍第1項或第2項之記錄媒體，其中在到達該記錄層的溫度中，該物質B爲不熔解或不昇華。 5 ·如申請專利範圍第1項或第2項之記錄媒體，其中該物質A之分解溫度與該物質b之分解溫度或熔點之差爲 2 0 0 °C以上。 6 ·如申請專利範圍第1項或第2項之記錄媒體，其中該記錄媒體爲於基板上具有記錄層，且經由雷射照射而進行記錄的追記型光記錄媒體。 7 .如申請專利範圍第1項或第2項之記錄媒體，其中該物質A爲於1 200 t以下具有分解溫度的物質，該物質b 爲於1 500°C以下不具有分解溫度及熔點的物質。 12743博 2 8 .如申請專利範圍第1項或第2項之記錄媒體，其中該物質A及該物質B分別爲氮化物和/或氧化物。 9. 如申請專利範圍第8項之記錄媒體，其中該物質A 爲由Cr、Mo、W、Fe、Ge、Sn、及Sb所組成群中選出至少一種元素的氮化物。 10. 如申請專利範圍第8項之記錄媒體，其中該物質B 爲由Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、A1、及Si所組成群中選出至少一種元素氮化物。 1 1 ·如申請專利範圍第8項之記錄媒體，其中該物質 A之構成元素中氮及氧以外之元素α、和該物質B之構成元素中氮及氧以外之元素Θ，爲滿足〇·〇3 ^ ( /3之原子數 )/((α之原子數）+ (万之原子數））$0·95之關係。 12. 如申請專利範圍第1 1項之記錄媒體，其中（/5之原子數）/((α之原子數）+ (/?之原子數））S 0·7。 13. 如申請專利範圍第1項或第2項之記錄媒體，其中該記錄層之膜厚爲4nm以上3〇nm以下。 14. 如申請專利範圍第1項或第2項之記錄媒體，其爲設置密合層連接至該記錄層。 15·如申請專利範圍第1 4項之記錄媒體，其爲設置保護層連接至該密合層。 16.如申請專利範圍第1 4項之記錄媒體，其中該密合層爲含有比該物質A之分解溫度更高的物質。 17·如申請專利範圍第1 4項之記錄媒體，其中該密合層爲以GeN、ZrO、ZnO、及SiC所組成群中選出至少一種 1274342 做爲主成分。 18.如申請專利範圍第6項之記錄媒體，其中該記錄層之記錄雷射波長中的消光係數爲0.2以上1.6以下。

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