JP4618300B2 - 情報記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

Description

この発明は、情報記録媒体およびその製造方法に関する。詳しくは、光を照射することにより情報信号を記録可能な情報記録媒体に関する。

追記型光記録媒体は、繰り返し記録特性が求められない反面、消去されてはならない（改ざんができない）、耐久性が高い、安価である、といった特性が求められる。一般に、追記型光記録媒体の記録膜には、熱により屈折率および吸収係数のうち少なくともどちらかが変化する材料を用いる。更に、記録後に記録膜が体積膨張を起こしたり、基板変形を起こすことにより実質的に膜厚が変化し、再生信号に寄与する場合もある。このような体積変化や基板変形は有機色素を記録材料とする場合に特に顕著に現れることが広く知られているが、無機材料であってもこのような体積変化は大なり小なり存在する。
また、記録膜の耐久性の観点からは、金属膜や誘電体膜がその両側もしくは片方の界面に設けられる。例えば、相変化材料の保護膜として広く採用されているＺｎＳ−ＳｉＯ_２系誘電体膜は、保護膜としてだけでなく、良好な記録特性を実現する、理想的な材料である。この材料は熱伝導率が低く、記録感度を高感度化することも可能である。また、記録膜との密着性も良く、相変化材料の場合には書き換え特性が良好となる。更に、屈折率が高いために光学特性を最適化しやすく、反射率や変調度を適切な値に調整することも可能となる。
そして、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２は内部応力が少ないために亀裂、割れが生じにくいという特徴もある。上述のように、追記型光記録媒体の場合には記録前後で膜厚が大きく変化する場合が多く、記録後に保護膜に亀裂が入り隙間が生ずると、そこから水分などが入り込み耐久性に深刻な問題を起こすことがある。ＺｎＳ−ＳｉＯ_２は、こうした問題も起こしにくい材料である。
このように、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２は追記型光記録媒体においても非常に良好な誘電体膜である。しかしながら、Ｓ（硫黄）成分が遊離し、隣接する層に拡散、反応し劣化を引き起こしやすいという欠点がある。特に、ＢＤ−Ｒ（Ｂｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃ−Ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ（登録商標））のように記録膜の上に光透過層を有し、その光透過層に感圧性接着剤（ＰＳＡ：Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ Ａｄｈｅｓｉｖｅ）を用いる場合、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２とＰＳＡが隣接しているとＰＳＡが劣化する。具体的には、ＰＳＡが広い範囲で変質することにより、光スポットに大きな収差が生じ、再生信号の劣化を引き起こす。
そこで、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２とＰＳＡの間に誘電体膜をさらに設けることが提案されている。その誘電体膜としては、保護膜として広く使われているＳｉ_３Ｎ_４を用いると、ＳとＰＳＡとが反応せず、上述の収差の問題を解決できる（例えば特開２００３−５９１０６号公報参照）。
しかしながら、上述のように誘電体膜をさらに設けると、耐久性の観点から別の問題が生じてしまう。すなわち、情報信号の記録後に記録膜が膨張し、Ｓｉ_３Ｎ_４膜に亀裂が入り、更に、Ｓｉ_３Ｎ_４膜に隣接するＺｎＳ−ＳｉＯ_２膜にも亀裂が発生してしまう。そして、この亀裂により、記録膜に水分が浸入し、耐久性に深刻な問題を招いてしまう。
したがって、この発明の目的は、記録膜として大きな体積膨張を起こす材料を用いた場合にも、高い耐久性を得ることができる情報記録媒体およびその製造方法を提供することにある。

上述の課題を解決するために、第１の発明は、基板上に記録膜および誘電体膜が設けられた情報記録媒体であって、
記録膜が、光エネルギーの照射によって体積膨張を起こす記録材料からなり、
誘電体膜が、ＺｒＯ_２およびＣｒ_２Ｏ_３からなることを特徴とする情報記録媒体である。
第２の発明は、基板上に記録膜および誘電体膜が設けられた情報記録媒体の製造方法であって、
光エネルギーの照射によって体積膨張を起こす記録材料から記録膜を形成する工程と、
ＺｒＯ_２およびＣｒ_２Ｏ_３からなる誘電体膜を形成する工程と
を備えることを特徴とする情報記録媒体の製造方法である。
第１および第２の発明では、誘電体膜のＣｒ_２Ｏ_３の含有量が４０原子％以上９０原子％以下であることが好ましい。誘電体膜が、ＳｉＯ_２をさらに含有することが好ましい。誘電体膜の膜厚が、２ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることが好ましい。記録膜とＳｉＯ_２からなる誘電体膜との間に、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２からなる誘電体膜をさらに設けることが好ましい。
第１および第２の発明では、記録膜が、Ｇｅの酸化物からなる酸化物膜を有することが好ましい。この場合、記録膜が、酸化物膜に隣接する隣接膜をさらに有し、該隣接膜がＴｉまたはＴｉＳｉからなることが好ましい。
第１および第２の発明では、誘電体膜がＺｒＯ_２およびＣｒ_２Ｏ_３からなるので、光エネルギーの照射によって記録膜が体積膨張を起こした場合にも、誘電体膜に亀裂が入ることを抑えることができる。したがって、記録膜に水分が浸入することを抑えることができる。
以上説明したように、この発明によれば、記録膜として大きな体積膨張を起こす材料を用いた場合にも、高い耐久性を得ることができる。

第１図は、この発明の第１の実施形態による追記型光記録媒体の一構成例を示す概略断面図、第２図は、この発明の第２の実施形態による追記型光記録媒体の一構成例を示す概略断面図、第３図は、この発明の第３の実施形態による追記型光記録媒体の一構成例を示す概略断面図、第４図は、比較例１の追記型光記録媒体の加速試験前後におけるエラーレートを示すグラフ、第５図は、実施例１の追記型光記録媒体の加速試験前後におけるエラーレートを示すグラフである。

符号の説明

１ 基板
２ 金属膜
２ａ 第１の金属膜
２ｂ 第２の金属膜
３ 酸化物膜
３ａ 第１の酸化物膜
３ｂ 第２の酸化物膜
４ 誘電体膜
４ａ 第１の誘電体膜
４ｂ 第２の誘電体膜
５ 光透過層
６ 無機記録膜
１０ 追記型光記録媒体

以下、この発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態の全図においては、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
（１）第１の実施形態
（１−１）追記型光記録媒体の構成
第１図は、この発明の第１の実施形態による追記型光記録媒体の一構成例を示す概略断面図である。この追記型光記録媒体１０は、基板１上に、無機記録膜６、誘電体膜４、光透過層５が順次積層された構成を有する。ここでは、レーザ光の照射によって体積膨張を起こす記録膜として、ゲルマニウム（Ｇｅ）の酸化物からなる酸化物膜を備える無機記録膜６を用いる場合を例として説明する。
この第１の実施形態による追記型光記録媒体１０では、光透過層５の側からレーザ光を無機記録膜６に照射することにより、情報信号の記録または再生が行われる。例えば、４００ｎｍ以上４１０ｎｍ以下の範囲の波長を有するレーザ光を、０．８４以上０．８６以下の範囲の開口数を有する対物レンズにより集光し、光透過層５の側から無機記録膜６に照射することにより、情報信号の記録または再生が行われる。このような追記型光記録媒体１０としては、例えばＢＤ−Ｒ（Ｂｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃ−Ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ）が挙げられる。
以下、追記型光記録媒体１０を構成する基板１、無機記録膜６、誘電体膜４および光透過層５について順次説明する。
（基板）
基板１は、中央に開口（以下、センターホールと称する）が形成された円環形状を有する。この基板１の一主面は、凹凸面１１となっており、この凹凸面１１上に無機記録膜６が成膜される。以下では、凹凸面１１の凹部をイングルーブ１１Ｇ、凹凸面１１の凸部をオングルーブ１１Ｌと称する。
このイングルーブ１１Ｇおよびオングルーブ１１Ｌの形状としては、例えば、スパイラル状、同心円状などの各種形状が挙げられる。また、イングルーブ１１Ｇおよび／またはオングルーブ１１Ｌが、アドレス情報を付加するためにウォブル（蛇行）されている。このウォブルの振幅は、９ｎｍ以上１３ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。トラックピッチは、０．２９μｍ以上０．３５μｍ以下の範囲内であることが好ましく、グルーブ深さは、１８ｎｍ以上２１．５ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。
また、オングルーブ１１Ｌにトラッキングをかけたときのブルーレイ評価装置などの戻り光量をＲ_ＯＮ、イングルーブ１１Ｇにトラッキングをかけたときのブルーレイ評価装置などの戻り光量Ｒ_ＩＮとしたとき、−０．０１＜２（Ｒ_ＯＮ−Ｒ_ＩＮ）／（Ｒ_ＯＮ＋Ｒ_ＩＮ）の関係を満たすことが好ましい。
基板１の直径は、例えば１２０ｍｍに選ばれる。基板１の厚さは、剛性を考慮して選ばれ、好ましくは０．３ｍｍ以上１．３ｍｍ以下から選ばれ、より好ましくは０．６ｍｍ以上１．３ｍｍ以下から選ばれ、例えば１．１ｍｍに選ばれる。また、センタホールの径（直径）は、例えば１５ｍｍに選ばれる。
基板１の材料としては、例えばポリカーボネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂若しくはアクリル系樹脂などのプラスチック材料、またはガラスなどを用いることができる。なお、コストを考慮した場合には、基板１の材料として、プラスチック材料を用いることが好ましい。
（無機記録膜）
無機記録膜６は、基板１の凹凸面１１上に順次積層された金属膜２および酸化物膜３からなる。金属膜２は、酸化物膜３に隣接して設けられる隣接膜であって、実質的にチタン（Ｔｉ）から構成される。Ｔｉを主たる材料とすれば基本的に良好な記録特性を得ることができる。
また、光学特性、耐久性および記録感度などの向上を目的として、金属膜２に添加物を加えるようにしてもよい。このような添加物としては、例えばアルミニウム（Ａｌ），銀（Ａｇ），銅（Ｃｕ），パラジウム（Ｐｄ），ゲルマニウム（Ｇｅ），ケイ素（Ｓｉ），スズ（Ｓｎ），ニッケル（Ｎｉ），鉄（Ｆｅ），マグネシウム（Ｍｇ），バナジウム（Ｖ），炭素（Ｃ），カルシウム（Ｃａ），ホウ素（Ｂ），クロム（Ｃｒ），ニオブ（Ｎｂ），ジルコニウム（Ｚｒ），硫黄（Ｓ），セレン（Ｓｅ），マンガン（Ｍｎ），ガリウム（Ｇａ），モリブデン（Ｍｏ），タングステン（Ｗ），テルビウム（Ｔｂ），ジスプロシウム（Ｄｙ），ガドリニウム（Ｇｄ），ネオジウム（Ｎｄ），亜鉛（Ｚｎ），タンタル（Ｔａ）およびストロンチウム（Ｓｒ）からなる群より選ばれた１種以上を用いることができる。
例えば金属膜２にＳｉを添加する場合には、Ｓｉの組成比が８原子％以上３２原子％以下の範囲内であることが好ましい。８原子％未満であると、良好なジッター値が得られなくなってしまい、３２原子％を越えると、良好な記録感度が得られなくなってしまうからである。
また、金属膜２を構成する材料を酸化するようにしてもよく、このような酸化物としては、例えばＴｉＳｉＯを挙げることができる。このように酸化することで、ジッターを改善することができる。
また、金属膜２を構成する材料を窒化するようにしてもよく、このような窒化物としては、例えばＴｉＳｉ−Ｎを挙げることができる。このように窒化することで、パワーマージンを広げることができる。
金属膜２の窒素の組成は、１原子％以上２０原子％以下の範囲内であることが好ましい。１原子パーセント未満であると、パワーマージンを向上させる効果が薄れてしまい、２０原子パーセントを超えると、ジッターが悪化してしまうからである。
酸化物膜３は、実質的にゲルマニウム（Ｇｅ）の酸化物であるＧｅＯから構成される。酸化物膜３の吸収係数ｋは、好ましくは０．１５以上０．９０以下、より好ましくは０．２０以上０．７０以下、更により好ましくは０．２５以上０．６０以下の範囲内である。また、酸化物膜３の膜厚は、好ましくは１０ｎｍ以上３５ｎｍ以下の範囲内である。０．１５以上０．９０以下の範囲を満たすことで、例えば良好な変調度およびキャリア対ノイズ比（以下、Ｃ／Ｎ比と称する）を得ることができる。０．２０以上０．７０以下の範囲を満たすことで、例えばより良好な変調度およびＣ／Ｎ比を得ることができる。０．２５以上０．６０以下の範囲を満たすことで、例えば更により良好な変調度およびＣ／Ｎ比を得ることができる。
なお、この明細書における吸収係数は波長４１０ｎｍにおけるものである。また、その測定値は、エリプソメータ（ルドルフ社製、商品名：Ａｕｔｏ ＥＬ−４６２Ｐ１７）により測定されたものである。
また、酸化物膜３に添加物を加えるようにしてもよく、この添加物としては、例えばテルル（Ｔｅ），クロム（Ｃｒ），パラジウム（Ｐｄ），白金（Ｐｔ），銅（Ｃｕ），亜鉛（Ｚｎ），金（Ａｕ），銀（Ａｇ），ケイ素（Ｓｉ），チタン（Ｔｉ），鉄（Ｆｅ），ニッケル（Ｎｉ），スズ（Ｓｎ）およびアンチモン（Ｓｂ）からなる群より選ばれた１種以上を用いることができる。このような添加物を加えることで、耐久性および／または反応性（記録感度）を向上することができる。なお、耐久性を向上させるためには、特にパラジウム（Ｐｄ），白金（Ｐｔ），ケイ素（Ｓｉ），アンチモン（Ｓｂ），クロム（Ｃｒ）が好ましい。
例えば、酸化物膜３にアンチモン（Ｓｂ）を添加する場合には、酸化物膜３におけるＳｂの組成は、１原子％以上６原子％以下の範囲内であることが好ましい。この範囲にすることで、パワーマージンを改善することができるからである。
（誘電体膜）
誘電体膜４は、無機記録膜６上に順次積層された第１の誘電体膜４ａおよび第２の誘電体膜４ｂからなる。第１の誘電体膜４ａおよび第２の誘電体膜４ｂは、無機記録膜６の光学的、機械的保護、すなわち耐久性の向上や、記録時の無機記録膜６の変形、すなわちふくらみの抑制などを行うためのものである。
第１の誘電体膜４ａは、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ_２より構成される。この第１の誘電体膜４ａの厚さは、好ましくは１０ｎｍ以上５８ｎｍ以下、より好ましくは２３ｎｍ以上５３ｎｍ以下の範囲内である。膜厚を１０ｎｍ以上にすることで、良好なジッターを得ることができ、膜厚を５８ｎｍ以下にすることで、良好な反射率を得ることができる。例えば追記型光記録媒体１０がＢＤ−Ｒである場合には、膜厚を１０ｎｍ以上にすることで、ＢＤ−Ｒの規格であるジッター６．５％以下を満足することができ、膜厚を５８ｎｍ以下にすることで、ＢＤ−Ｒの規格で要求される反射率１２％以下を満足することができる。また、膜厚を２３ｎｍ以上にすることで、より良好なジッターを得ることができ、膜厚を５３ｎｍ以下にすることで、より良好な反射率を得ることができる。
第２の誘電体膜４ｂは、例えばＺｒＯ_２およびＣｒ_２Ｏ_３からなる。Ｃｒ_２Ｏ_３の含有量は、４０原子％以上９０原子％以下の範囲内であることが好ましい。４０原子％未満であると、耐久性が低下してしまい、９０原子％を超えると、耐久性が低下すると共に初期の記録特性も低下するからである。第２の誘電体膜４ｂが、ＳｉＯ_２をさらに含有することが好ましい。ＳｉＯ_２を含有することで、記録感度、パワーマージンおよびライトストラテジーといった記録特性の調整が可能となる。第２の誘電体膜４ｂの膜厚は、２ｎｍ以上２０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。２ｎｍ未満であると、第２の誘電体膜４ｂの均一性が低下してしまい、２０ｎｍを越えると、成膜時間が長くなるため生産性が低下するからである。
（光透過層）
光透過層５は、例えば、円環形状を有する光透過性シート（フィルム）と、この光透過性シートを基板１に対して貼り合わせるための接着層とから構成される。接着層は、例えば紫外線硬化樹脂または感圧性粘着剤（ＰＳＡ）からなる。光透過層５の厚さは、好ましくは１０μｍ以上１７７μｍ以下の範囲内から選ばれ、例えば１００μｍに選ばれる。このような薄い光透過層５と、例えば０．８５程度の高ＮＡ（ｎｕｍｅｒｉｃａｌａｐｅｒｔｕｒｅ）化された対物レンズとを組み合わせることによって、高密度記録を実現することができる。
光透過性シートは、記録および／または再生に用いられるレーザ光に対して、吸収能が低い材料からなることが好ましく、具体的には透過率９０パーセント以上の材料からなることが好ましい。光透過性シートの材料としては、例えばポリカーボネート樹脂材料、ポリオレフィン系樹脂（例えばゼオネックス（登録商標））が挙げられる。
また、光透過性シートの厚さは、好ましくは０．３ｍｍ以下に選ばれ、より好ましくは３μｍ以上１７７μｍ以下の範囲内から選ばれる。また、光透過層５の内径（直径）は、例えば２２．７ｍｍに選ばれる。
（１−２）追記型光記録媒体の製造方法
次に、この発明の第１の実施形態による追記型光記録媒体の製造方法について説明する。
（基板の成形工程）
まず、一主面に凹凸面１１が形成された基板１を成形する。基板１の成形の方法としては、例えば射出成形（インジェクション）法、フォトポリマー法（２Ｐ法：Ｐｈｏｔｏ Ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）などを用いることができる。
（金属膜の成膜工程）
次に、基板１を、例えばＴｉ窒化物からなるターゲットが備えられた真空チャンバ内に搬送し、真空チャンバ内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバ内にプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、基板１上に金属膜２を成膜する。
この成膜工程における成膜条件の一例を以下に示す。
真空到達度：５．０×１０^−５Ｐａ
雰囲気：０．１〜０．６Ｐａ
投入電力：１〜３ｋＷ（ＤＣ）
ガス種：Ａｒガス
ガス流量：１０〜４０ｓｃｃｍ
（酸化物膜の成膜工程）
次に、基板１を、例えばＧｅ酸化物からなるターゲットが備えられた真空チャンバ内に搬送し、真空チャンバ内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバ内にプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、基板１上に酸化物膜３を成膜する。
この成膜工程における成膜条件の一例を以下に示す。
真空到達度：５．０×１０^−５Ｐａ
雰囲気：０．１〜０．６Ｐａ
投入電力：１〜３ｋＷ（ＲＦ）
ガス種：Ａｒガス
Ａｒガス流量：１０〜８０ｓｃｃｍ
（第１の誘電体膜の成膜工程）
次に、基板１を、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ_２からなるターゲットが備えられた真空チャンバ内に搬送し、真空チャンバ内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバ内にプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、基板１上に第１の誘電体膜４ａを成膜する。
この成膜工程における成膜条件の一例を以下に示す。
真空到達度：５．０×１０^−５Ｐａ
雰囲気：０．１〜０．６Ｐａ
投入電力：１〜５ｋＷ（ＲＦ）
ガス種：Ａｒガス
Ａｒガス流量：６ｓｃｃｍ
（第２の誘電体膜の成膜工程）
次に、基板１を、例えばＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３−ＺｒＯ_２からなるターゲットが備えられた真空チャンバ内に搬送し、真空チャンバ内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバ内にプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、基板１上に第２の誘電体膜４ｂを成膜する。
この成膜工程における成膜条件の一例を以下に示す。
真空到達度：５．０×１０^−５Ｐａ
雰囲気：０．１〜０．６Ｐａ
投入電力：１〜３ｋＷ（ＲＦ）
ガス種：Ａｒガス
Ａｒガス流量：１５ｓｃｃｍ
（光透過層の形成工程）
次に、円環形状の光透過性シートを、例えば、このシート一主面に予め均一に塗布された感圧性粘着剤（ＰＳＡ）を用いて、基板１上の凹凸面１１側に貼り合わせる。これにより、基板１上に積層された膜を覆うように、光透過層５が形成される。
以上の工程により、第１図に示す追記型光記録媒体１０が得られる。
（１−３）ターゲットの構成
以下に、この発明の第１の実施形態によるターゲットの構成について説明する。まず、酸化物膜３を成膜するためのターゲットの構成について説明する。酸化物膜３を成膜するためのターゲットは、半導体粉末であるＧｅ粉末と半導体酸化物粉末であるＧｅ酸化物粉末との混合物を加圧焼成することによりなるものである。このターゲットは、例えば円盤形状を有し、その直径は、例えば２００ｍｍに選ばれ、厚さは、例えば６ｍｍに選ばれる。
加圧焼成後の酸素の含有量は４５原子％以上６０原子％以下の範囲内であることが好ましい。４５原子％未満であると、吸収係数ｋが０．９を越えてしまうため、記録特性などが低下してしまう。また、６０原子％を越えると、吸収係数が０．１５未満になってしまうため、記録特性などが低下してしまう。
次に、金属膜２を成膜するためのターゲットの構成について説明する。金属膜２を成膜するためのターゲットは、遷移金属粉末であるＴｉ粉末と遷移金属窒化物粉末であるＴｉ窒化物粉末との混合物を加圧焼成することによりなるものである。このターゲットは、例えば円盤形状を有し、その直径は、例えば２００ｍｍに選ばれ、厚さは、例えば６ｍｍに選ばれる。
加圧焼成後の窒素の含有量は１原子％以上２０原子％以下の範囲内であることが好ましく、１原子％以上１０原子％以下の範囲内であるこがより好ましい。１原子％以上２０原子％以下の範囲内にすることで、パワーマージンを大きくし、且つ、ジッターの上昇を抑えることができる。５原子％以上１５原子％以下の範囲内にすることで、パワーマージンをより大きくし、且つ、ジッターの上昇をより抑えることができる。
（１−４）ターゲットの製造方法
以下、この発明の第１の実施形態によるターゲットの製造方法について説明する。まず、酸化物膜３を成膜するためのターゲットの製造方法について説明する。
（秤量・混合）
半導体粉末であるＧｅ粉末と半導体酸化物粉末であるＧｅ酸化物粉末とをそれぞれ所定量秤量した後、例えば混合乾式を行う。ここで、Ｇｅ粉末とＧｅ酸化物粉末との混合比は、加圧焼成後の酸素の含有量が４５原子％以上６０原子％以下となるように調整することが好ましい。
（加圧焼成）
次に、上述のようにして得られた混合粉末をカーボン製の型に投入し、例えばホットプレス装置によって加圧焼成を行って、焼成体を得る。ここでは、ホットプレス装置は一般的に使用されているものでよく、この装置を用いて、一定圧力および一定の焼成温度で、非酸素雰囲気中にて所定時間焼成が行われる。
（仕上げ工程）
上述のようにして得られた焼成体に対して、所定サイズの円盤形状になるように機械加工を施す。以上により、目的とするターゲットを得ることができる。
次に、金属膜２を成膜するためのターゲットの製造方法について説明する。
（秤量・混合）
遷移金属粉末であるＴｉと遷移金属窒化物粉末であるＴｉ窒化物粉末とをそれぞれ所定量秤量した後、例えば混合乾式を行う。ここで、Ｔｉ粉末とＴｉ窒化物粉末との混合比は、加圧焼成後の窒素の含有量が１原子％以上２０原子％以下の範囲となるように調整することが好ましく、５原子％以上１５原子％以下の範囲となるように調整することがより好ましい。
（加圧焼成）
次に、上述のようにして得られた混合粉末をカーボン製の型に投入し、例えばホットプレス装置によって加圧焼成を行う。ここでは、ホットプレス装置は一般的に使用されているものでよく、この装置を用いて、一定圧力および一定の焼成温度で、非酸素雰囲気中にて所定時間焼成が行われる。
（仕上げ工程）
上述のようにして得られた焼成体に対して、所定サイズの円盤形状になるように機械加工を施す。以上により、目的とするターゲットを得ることができる。
上述したように、第１の実施形態では、金属膜２、酸化物膜３、誘電体膜４、光透過層５を基板１上に順次積層するだけで追記型光記録媒体１０を製造できるので、単純な膜構成を有する高記録密度の追記型光記録媒体１０を提供することができる。すなわち、膜総数が少ない安価な追記型光記録媒体を提供できる。
また、無機記録膜６が、Ｇｅの酸化物からなる酸化物膜３と、この酸化物膜３に隣接する金属膜２とからなるので、レーザ光を無機記録膜６に照射すると、金属膜２の光触媒効果により酸化物膜３の酸素が金属膜２側で多くなるように分離する。これにより、酸化物膜３が酸素濃度の高い層と酸素濃度の低い層とに分離し、酸化物膜３の光学定数が大きく変化する。したがって、変調度の大きな再生信号が得られるので、良好な記録特性を実現できる。
また、ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３−ＺｒＯ_２からなる第２の誘電体膜４ｂを、ＰＳＡを有する光透過層５とＺｎＳ−ＳｉＯ_２とからなる第１の誘電体膜４ａとの間に設けることで、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２とＰＳＡとの隣接を防いでＰＳＡの劣化を抑制できる。したがって、光スポットに大きな収差が生じ、再生信号が劣化することを抑えることができる。
また、第２の誘電体膜４ｂの材料としてＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３−ＺｒＯ_２を用いるので、レーザ光の照射により無機記録膜６が体積膨張を起こした場合にも、第２の誘電体膜４ｂに亀裂が入り、更に、隣接する第１の誘電体膜４ａに亀裂が入ることを抑えることができる。したがって、無機記録膜６に対する水分の浸入を抑え、追記型光記録媒体１０の耐久性を向上できる。
また、ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３−ＺｒＯ_２からなる第２の誘電体膜４ｂと、ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３−ＺｒＯ_２に比してスパッタレートが速いＺｎＳ−ＳｉＯ_２との２層から誘電体膜４を構成しているので、ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３−ＺｒＯ_２のみで誘電体膜４を構成する場合に比べてタクトタイムの低減が可能である。すなわち、生産性を向上することができる。
また、Ｇｅ酸化物からなるターゲットをスパッタリングして酸化物膜３を成膜するので、量産時において、一定の酸素濃度、すなわち一定の吸収係数を有する酸化物膜３を成膜することができる。
また、Ｔｉ窒化物からなるターゲットをスパッタリングして金属膜２を成膜するので、少ない流量の窒素ガスを一定に制御する困難な作業をする必用がなくなる。したがって、量産時において金属膜２を安定して成膜することができる。
（２）第２の実施形態
第２図は、この発明の第２の実施形態による追記型光記録媒体の一構成例を示す概略断面図である。この追記型光記録媒体１０は、基板１上に、無機記録膜６、誘電体膜４、光透過層５が順次積層された構成を有する。無機記録膜６は、基板１上に、金属膜２、酸化物膜３が順次積層された構成を有する。酸化物膜３以外のことは上述の第１の実施形態と同様であるので、酸化物膜３以外の部分については説明を省略する。
酸化物膜３は、第１の酸化物膜３ａおよび第２の酸化物膜３ｂからなり、第１の酸化物膜３ａが金属膜２と隣接する側に設けられ、第２の酸化物膜３ｂが誘電体膜４と隣接する側に設けられる。第１の酸化物膜３ａおよび第２の酸化物膜３ｂはＧｅの酸化物からなり、第１の酸化物膜３ａおよび第２の酸化物膜３ｂの酸素組成は互いに異なる。すなわち、第１の酸化物膜３ａおよび第２の酸化物膜３ｂの吸収係数は互いに異なる。このように酸化物膜３を構成することで、パワーマージンを広げ、記録特性に優れた追記型光記録媒体１０を提供できる。
ここで、第１の酸化物膜３ａ、第２の酸化物膜３ｂの吸収係数をそれぞれ、ｋ_１，ｋ_２とすると、これらの吸収係数ｋ_１，ｋ_２がそれぞれ０．１５≦ｋ_１，ｋ_２≦０．９０の関係を満たすことが好ましく、０．２０≦ｋ_１，ｋ_２≦０．７０の関係を満たすことがより好ましく、０．２５≦ｋ_１，ｋ_２≦０．６０の関係を満たすことが更により好ましい。０．１５≦ｋ_１，ｋ_２≦０．９０の関係を満たすことで、例えば良好な変調度およびＣ／Ｎ比を得ることができる。０．２０≦ｋ_１，ｋ_２≦０．７０の関係を満たすことで、例えばより良好な変調度およびＣ／Ｎ比を得ることができる。０．２５≦ｋ_１，ｋ_２≦０．６０の関係を満たすことで、例えば更により良好な変調度およびＣ／Ｎ比を得ることができる。
また、吸収係数ｋ_１、ｋ_２がｋ_１＞ｋ_２の関係を満たすことが好ましい。この関係を満たすことで、パワーマージンを広げ、記録特性に優れた追記型光記録媒体１０を実現することができる。
以下に、第１の酸化物膜３ａおよび第２の酸化物膜３ｂの成膜工程の一例を示す。
（第１の酸化物膜の成膜工程）
例えばＧｅ酸化物からなるターゲットが備えられた真空チャンバ内に、金属膜２が設けられた基板１を搬送し、真空チャンバ内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバ内に例えばＡｒガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、例えばＧｅ酸化物からなる第１の酸化物膜３ａを金属膜２上に成膜する。
この成膜工程における成膜条件の一例を以下に示す。
真空到達度：５．０×１０^−５Ｐａ
雰囲気：０．１〜０．６Ｐａ
投入電力：１〜３ｋＷ（ＲＦ）
ガス種：Ａｒガス
Ａｒガス流量：１０〜８０ｓｃｃｍ
（第２の酸化物膜の成膜工程）
次に、例えばＧｅ酸化物からなるターゲットが備えられた真空チャンバ内に基板１を搬送し、真空チャンバ内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバ内に例えばＡｒガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、例えばＧｅ酸化物からなる第２の酸化物膜３ｂを第１の酸化物膜３ａ上に成膜する。
この成膜工程における成膜条件の一例を以下に示す。
真空到達度：５．０×１０^−５Ｐａ
雰囲気：０．１〜０．６Ｐａ
投入電力：１〜３ｋＷ（ＲＦ）
ガス種：Ａｒガス
Ａｒガス流量：１０〜８０ｓｃｃｍ
上述したように、この第２の実施形態では、Ｇｅの酸化物からなる第１の酸化物膜３ａと、この第１の酸化物膜３ａとは酸素の組成比が異なるＧｅの酸化物からなる第２の酸化物膜３ｂとから酸化物膜３を構成するので、第１の酸化物膜３ａと第２の酸化物膜３ｂとの吸収係数を異ならせることができる。これにより、パワーマージンを広げることができる。
（３）第３の実施形態
第３図は、この発明の第３の実施形態による追記型光記録媒体の一構成例を示す概略断面図である。この追記型光記録媒体１０は、基板１上に、無機記録膜６、誘電体膜４、光透過層５が順次積層された構成を有する。無機記録膜６は、基板１上に、金属膜２、酸化物膜３が順次積層された構成を有する。金属膜２以外のことは上述の第１の実施形態と同様であるので、金属膜２以外の部分については説明を省略する。
金属膜２は、第１の金属膜２ａおよび第２の金属膜２ｂからなり、第１の金属膜２ａが基板１側に設けられ、第２の金属膜２ｂが酸化物膜３側に設けられる。
第１の金属膜２ａは、例えばＴｉおよびＳｉからなる。第２の金属膜２ｂは、例えばＴｉからなる。また、光学特性、耐久性および記録感度などの向上を目的として、第１の金属膜２ａおよび／または第２の金属膜２ｂに添加物をさらに加えるようにしてもよい。このような添加物としては、例えば上述の第１の実施形態と同様のものを用いることができる。また、第１の金属膜２ａおよび／または第２の金属膜２ｂを構成する材料を酸化するようにしてもよい。このように酸化することで、ジッターを改善することができる。また、第１の金属膜２ａおよび／または第２の金属膜２ｂを構成する材料を窒化するようにしてもよい。このように窒化することで、パワーマージンを広げることができる。
第１の金属膜２ａの膜厚は、２ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。膜厚が２ｎｍ未満であると、第１の金属膜２ａを設けることによる効果が薄れ、金属膜２を第２の金属膜２ｂのみの単層で構成した場合とパワーマージンがほぼ同じになってしまうからである。
また、第１の金属膜２ａのＳｉの組成が、８原子％以上３２原子％以下の範囲内であることが好ましい。８原子％未満であると、良好なジッター値が得られなくなってしまい、３２原子％を越えると、良好な記録感度が得られなくなってしまうからである。
以下に、第１の金属膜２ａおよび第２の金属膜２ｂの成膜工程の一例を示す。
（第１の金属膜の成膜工程）
例えばＴｉＳｉからなるターゲットが備えられた真空チャンバ内に基板１を搬送し、真空チャンバ内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバ内に例えばＡｒガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、例えばＴｉＳｉからなる第１の金属膜２ａを基板１上に成膜する。
この成膜工程における成膜条件の一例を以下に示す。
真空到達度：５．０×１０^−５Ｐａ
雰囲気：０．１〜０．６Ｐａ
投入電力：１〜３ｋＷ（ＤＣ）
ガス種：Ａｒガス
ガス流量：１０〜４０ｓｃｃｍ
（第２の金属膜の成膜工程）
次に、例えばＴｉからなるターゲットが備えられた真空チャンバ内に基板１を搬送し、真空チャンバ内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバ内に例えばＡｒガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、例えばＴｉからなる第２の金属膜２ｂを基板１上に成膜する。
この成膜工程における成膜条件の一例を以下に示す。
真空到達度：５．０×１０^−５Ｐａ
雰囲気：０．１〜０．６Ｐａ
投入電力：１〜３ｋＷ（ＤＣ）
ガス種：Ａｒガス
ガス流量：１０〜４０ｓｃｃｍ
上述したように、この第３の実施形態では、ＴｉＳｉからなる第１の金属膜２ａと、Ｔｉからなる第２の金属膜２ｂとから金属膜２を構成し、第２の金属膜２ｂを酸化物膜３側に設けるので、パワーマージンを広げることができる。
（４）第４の実施形態
この第４の実施形態による追記型光記録媒体１０は、第１の金属膜２ａおよび第２の金属膜２ｂ以外のことは上述の第３の実施形態と同様であるので、第１の金属膜２ａおよび第２の金属膜２ｂ以外の部分については説明を省略する。
金属膜２は、Ａｌからなる第１の金属膜２ａとＴｉＳｉからなる第２の金属膜２ｂとからなり、第２の金属膜２ｂが酸化物膜に隣接するように設けられる。第１の金属膜２ａの膜厚は、７ｎｍ以下にすることが好ましい。また、第１の金属膜２ａおよび／または第２の金属膜２ｂが添加物をさらに含有するようにしてもよく、この添加物としては、例えば、上述の第１の実施形態と同様のものを用いることができる。また、第１の金属膜２ａおよび／または第２の金属膜２ｂを窒化および／または酸化してもよい。
以下に、第１の金属膜２ａおよび第２の金属膜２ｂの成膜工程の一例を示す。
（第１の金属膜の成膜工程）
例えばＡｌからなるターゲットが備えられた真空チャンバ内に基板１を搬送し、真空チャンバ内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバ内にプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、基板１上に第１の金属膜２ａを成膜する。
この成膜工程における成膜条件の一例を以下に示す。
真空到達度：５．０×１０^−５Ｐａ
雰囲気：０．１〜０．６Ｐａ
投入電力：１〜３ｋＷ（ＤＣ）
ガス種：Ａｒガス
ガス流量：１０〜４０ｓｃｃｍ
（第２の金属膜の成膜工程）
例えばＴｉＳｉからなるターゲットが備えられた真空チャンバ内に基板１を搬送し、真空チャンバ内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバ内にプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、基板１上に第２の金属膜２ｂを成膜する。
この成膜工程における成膜条件の一例を以下に示す。
真空到達度：５．０×１０^−５Ｐａ
雰囲気：０．１〜０．６Ｐａ
投入電力：１〜３ｋＷ（ＤＣ）
ガス種：Ａｒガス
ガス流量：１０〜４０ｓｃｃｍ
上述したように、この第４の実施形態では、Ａｌからなる第１の金属膜とＴｉＳｉからなる第２の金属膜２ｂとから金属膜２を構成し、第２の金属膜２ｂを酸化物膜３の側に設けるので、記録感度を向上することができる。
（５）第５の実施形態
この第５の実施形態による追記型光記録媒体１０は、第１の金属膜２ａおよび第２の金属膜２ｂ以外のことは上述の第３の実施形態と同様であるので、第１の金属膜２ａおよび第２の金属膜２ｂ以外の部分については説明を省略する。
第１の金属膜２ａおよび第２の金属膜２ｂは、ＴｉＳｉからなる。第１の金属膜２ａ、第２の金属膜２ｂの組成をそれぞれＴｉＳｉ_ｘ、ＴｉＳｉ_ｙと表した場合、ＴｉＳｉ_ｘ、ＴｉＳｉ_ｙがｘ＜ｙの関係を満たすことことが好ましい。
また、第１の金属膜２ａおよび／または第２の金属膜２ｂが添加物をさらに含有するようにしてもよく、この添加物としては、例えば、上述の第１の実施形態と同様のものを用いることができる。また、第１の金属膜２ａおよび／または第２の金属膜２ｂを窒化および／または酸化してもよい。
以下に、第１の金属膜２ａおよび第２の金属膜２ｂの成膜工程の一例を示す。
（第１の金属膜の成膜工程）
例えばＴｉＳｉからなるターゲットが備えられた真空チャンバ内に基板１を搬送し、真空チャンバ内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバ内にプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、基板１上に第１の金属膜２ａを成膜する。
この成膜工程における成膜条件の一例を以下に示す。
真空到達度：５．０×１０^−５Ｐａ
雰囲気：０．１〜０．６Ｐａ
投入電力：１〜３ｋＷ（ＤＣ）
ガス種：Ａｒガス
ガス流量：１０〜４０ｓｃｃｍ
（第２の金属膜の成膜工程）
次に、例えばＴｉＳｉからなるターゲットが備えられた真空チャンバ内に基板１を搬送し、真空チャンバ内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバ内にプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、基板１上に第２の金属膜２ｂを成膜する。なお、この第２の金属膜２ｂの成膜工程では、第１の金属膜２ａの成膜工程にて用いられるターゲットとは組成の異なるものが用いられる。また、第２の金属膜２ｂの成膜工程にて用いられるターゲットは、第１の金属膜２ａの成膜工程にて用いられるものよりも高いＳｉの含有率を有する。例えば、第１の金属膜２ａ、第２の金属膜２ｂを成膜するためのターゲットの組成をそれぞれ、ＴｉＳｉｘ、ＴｉＳｉｙと表した場合、ＴｉＳｉｘ、ＴｉＳｉｙがｘ＜ｙの関係を満たす。
この成膜工程における成膜条件の一例を以下に示す。
真空到達度：５．０×１０^−５Ｐａ
雰囲気：０．１〜０．６Ｐａ
投入電力：１〜３ｋＷ（ＤＣ）
ガス種：Ａｒガス
ガス流量：１０〜４０ｓｃｃｍ
上述したように、この第５の実施形態では、また、金属膜２をＴｉＳｉからなる第１の金属膜２ａと、この第１の金属膜２ｂとは組成の異なるＴｉＳｉからなる第２の金属膜２ｂとから構成し、第１の金属膜２ａのＳｉの含有量を第２の金属膜のＳｉの含有量に比して少なくするので、記録感度を向上することができる。これにより、高パワー側のマージンが広く確保され、ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｍｕｍ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ、ドライブによる記録範囲の最適化）範囲が広がる。更に、高線速記録や２層以上の高容量多層メディアへの対応も容易となる。

以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
比較例１
比較例１として、耐久性に問題があったＳｉＮを第２の誘電体膜（保護膜）として用いた場合について説明する。
まず、射出成形法により、一主面にイングルーブおよびオングルーブが設けられた基板を成形した。なお、この基板は、厚さ１．１ｍｍ、トラックピッチ０．３２μｍ、グルーブ深さ２０ｎｍのＢＤ用の基板である。
次に、スパッタリング法により、金属膜、酸化物膜、第１の誘電体膜、第２の誘電体膜を基板上に順次成膜した。なお、成膜には、Ｕｎａｘｉｓ製Ｓｐｒｉｎｔｅｒ（登録商標）を用いた。
以下に、各膜の材料および膜厚を示す。
金属膜
材料：Ｔｉ_７５Ｓｉ_２５、膜厚：２２ｎｍ
酸化物膜
材料：Ｇｅ_５０Ｏ_５０、膜厚：２５ｎｍ
第１の誘電体膜
材料：ＺｎＳ−ＳｉＯ_２、膜厚：５５ｎｍ
第２の誘電体膜
材料：Ｓｉ_３Ｎ_４、膜厚：４ｎｍ
［０１００］
以下に、各膜の成膜条件を示す。
金属膜
ガス種：Ａｒ，Ｎ、ガス流量：３０ｓｃｃｍ（Ａｒ），５ｓｃｃｍ（Ｎ）、投入電力：３ｋＷ（ＤＣ）
酸化物膜
ガス種：Ａｒ、ガス流量：３０ｓｃｃｍ、投入電力：２ｋＷ（ＲＦ）
第１の誘電体膜
ガス種：Ａｒ、ガス流量：６ｓｃｃｍ、投入電力：４．５ｋＷ（ＲＦ）
第２の誘電体膜
ガス種：Ａｒ，Ｎ、ガス流量：５０ｓｃｃｍ，３７ｓｃｃｍ、投入電力：４ｋＷ（ＤＣ）
次に、円環形状のポリカーボネートシートを、このシート一主面に予め塗布された感圧性粘着材（ＰＳＡ）により基板１上に貼り合わせて、厚さ０．１ｍｍの光透過層を形成した。この光透過層は、ＢＤの規格に準拠したものであり、この光透過層側が記録再生光の入射面となる。以上により、目的とする追記型光記録媒体が得られた。
次に、上述のようにして得られた追記型光記録媒体について、（ａ）記録直後のＳＥＲ（Ｓｙｍｂｏｌ Ｅｒｒｏｒ Ｒａｔｅ）、（ｂ）恒温槽による加速試験後のＳＥＲ、（ｃ）耐久性の判定、（ｄ）ボトムジッター、（ｅ）パワーマージンを評価した。
（ａ）記録直後のＳＥＲ
ＢＤ用光ディスクテスタ（パルステック工業社製、ＯＤＵ−１０００）を用いて、ＢＤにおける２５ＧＢ密度、２ｘ記録にて追記型光記録媒体に情報信号を記録、再生し、ＳＥＲを測定した。その結果、記録直後のＳＥＲは非常に良好で、２×１０^−５程度であった。
（ｂ）恒温槽による加速試験後のＳＥＲ
恒温槽にて温度８０℃湿度８５％の環境下に追記型光記録媒体を２００ｈ保持して加速試験を行った後、室温に戻して、（ａ）記録直後のＳＥＲを測定したのと同じエリアを再生し、ＳＥＲを測定した。その結果、第４図に示すように、エラーが悪化しているエリアが現れた。
（ｃ）耐久性の判定
このエラーの高いエリアをＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）などで解析したところ、部分的にＧｅの凝集している箇所があり、それがエラーの悪化するエリアが発生する原因となっていることが判明した。これは、ＧｅＯからなる酸化物膜に水分が入り込んだ場合に起こる現象であり、記録後に第２の誘電体膜が十分な保護膜として機能していなかったことが原因と判明した。
（ｄ）ボトムジッター
Ｌｉｍｉｔ Ｅｑｕａｌｉｚｅｒ（Ｐｕｌｓｔｅｃ社製）を通し、Ｔｉｍｅ Ｉｎｔｅｒｖａｌ Ａｎａｌｙｚｅｒ（横河電機製、ＴＡ７２０）でジッターを測定し、ジッターが最小となる値をボトムジッターとした。
（ｅ）パワーマージン
Ｌｉｍｉｔ Ｅｑｕａｌｉｚｅｒ（Ｐｕｌｓｔｅｃ社製）を通し、Ｔｉｍｅ Ｉｎｔｅｒｖａｌ Ａｎａｌｙｚｅｒ（横河電機製、ＴＡ７２０）で測定し、こうして測定したジッター値が８．５％以下となるパワーの幅を、ジッター最小となるパワーで割った値をパワーマージンとした。
実施例１
次に、第２の誘電体膜として、（ＳｉＯ_２）_１５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_７０（ＺｒＯ_２）_１５を用いる以外はすべて比較例１と同様に行い追記型光記録媒体を得た。そして、比較例１と同様にして、（ａ）〜（ｅ）の評価を行った。
初期の記録特性は比較例１とほぼ同等もしくはより記録特性が良好であった。すなわち、反射率、記録感度、ボトムジッターは比較例１とほぼ同じであり、記録パワーマージンは実施例１の方が比較例１より若干広く、記録特性の面でもやや改善が見られた。また、加速試験の結果から、第５図に示すように、ＳＥＲの悪化がほぼ完全に改善された。
このように、第２の誘電体膜の材料としては、初期の記録特性の点ではＳｉ_３Ｎ_４および（ＳｉＯ_２）_１５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_７０（ＺｒＯ_２）_１５共に良好であったが、耐久性の点では（ＳｉＯ_２）_１５（Ｃｒ_２Ｏ_３）_７０（ＺｒＯ_２）_１５の方が良好であった。その理由は、第２の誘電体膜の内部応力が関与していると考えられる。すなわち、ＳｉＮ膜は内部応力が大きく亀裂が入りやすい材料であり、またＺｎＳ−ＳｉＯ_２膜との密着性が良いこともあって、わずか４ｎｍの厚さであっても、ＳｉＮ膜に亀裂が入った際にＺｎＳ−ＳｉＯ_２膜までも同時に亀裂が入り、耐久性が悪化したものと考えられる。
実施例２〜８
表１に示すように、第２の誘電体膜としてＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３−ＺｒＯ_２を用い、Ｃｒ_２Ｏ_３の組成を４０原子％以上９０原子％以下の範囲内となるように調整する以外はすべて比較例１と同様に行い追記型光記録媒体を得た。そして、比較例１と同様にして、（ａ）〜（ｅ）の評価を行った。
比較例２〜５
表１に示すように、第２の誘電体膜としてＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３−ＺｒＯ_２を用い、Ｃｒ_２Ｏ_３の組成を４０原子％以上９０原子％以下の範囲外となるように調整する以外はすべて比較例１と同様に行い追記型光記録媒体を得た。そして、比較例１と同様にして、（ａ）〜（ｅ）の評価を行った。
比較例６〜９
第２の誘電体膜の材料として、表１に示す材料を用いる以外はすべて比較例１と同様に行い追記型光記録媒体を得た。そして、比較例１と同様にして、（ａ）〜（ｅ）の評価を行った。
比較例１０
表１に示すように、第２の誘電体膜の形成を省略する以外はすべて比較例１と同様に行い追記型光記録媒体を得た。そして、比較例１と同様にして、（ａ）〜（ｅ）の評価を行った。
表１に、実施例１〜８および比較例１〜１０の（ａ）記録直後のＳＥＲ、（ｂ）恒温槽による加速試験後のＳＥＲ、（ｃ）耐久性の判定、（ｄ）ボトムジッター、（ｅ）パワーマージンの評価結果を示す。ここで、ＳＥＲとは、内周から外周までシンボルエラーレートを測定したときの全データの平均値である。
総合判定は、○：良好である、×：実用にならない、の２段階とした。
以下に、その判定基準を示す。
○：ＳＥＲの上昇およびＧｅの凝集もなく、ジッターやパワーマージンも良好な場合
×：ＳＥＲの上昇、Ｇｅの凝集、ジッターおよびパワーマージンの悪化のいずれかがある場合

表１から以下のことが分かる。
第２の誘電体膜の膜厚はわずか４ｎｍでありながら、また、金属膜、酸化物膜には直接接していないにもかかわらず、記録特性（ジッター、パワーマージン）に影響があり、また、耐久性には大きく関与していることがわかる。これは、第２の誘電体膜の硬度などの機械特性が関与していると考えられる。記録膜の膜厚が記録後に大きく変化するために、特に高パワー側での記録特性が影響を受けている。
また、Ｃｒ_２Ｏ_３およびＺｒＯ_２を含む第２の誘電体膜は良好な特性を示し、特に、Ｃｒ_２Ｏ_３組成が４０原子％以上９０原子％以下である場合に耐久性改善の効果に優れていた。これは、このような体積膨張の大きな記録膜を使ったときに固有の特徴であり、保護膜として良好な特性が得られる範囲を提示するものである。
以上、この発明の実施形態および実施例について具体的に説明したが、この発明は、上述の実施形態および実施例に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、上述の実施形態および実施例において挙げた数値はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる数値を用いてもよい。
また、上述の実施形態および実施例の各構成は、この発明の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
また、上述の実施形態および実施例では、無機材料からなる無機記録膜６を有する追記型光記録媒体１０に対してこの発明を適用する場合について説明したが、有機色素からなる記録膜を有する追記型光記録媒体に対しても適用可能である。
また、上述の実施形態および実施例では、酸化物膜３を１層または２層の酸化物膜から構成する場合について説明したが、酸化物膜３を３以上の複数層から構成するようにしてもよい。
また、上述の実施形態および実施例では、金属膜２を１層または２層の金属膜から構成する場合について説明したが、金属膜２を３以上の複数層から構成するようにしてもよい。
また、上述の実施形態および実施例では、金属膜２をＴｉから構成する場合について説明したが、Ｔｉ以外の光触媒効果を発現する金属材料などから金属膜２を構成しても、上述の実施形態および実施例と同様に情報信号を記録可能な追記型光記録媒体が得られると考えられる。

Claims (8)

1. 基板上に無機記録膜および誘電体膜が設けられた情報記録媒体であって、
   上記無機記録膜が、ゲルマニウム（Ｇｅ）の酸化物からなる酸化物膜と、上記酸化物膜に隣接する、チタン（Ｔｉ）からなる金属膜とを有し、
   上記誘電体膜が、ＺｒＯ₂およびＣｒ₂Ｏ₃からなり、
   上記酸化物膜が上記誘電体膜側に設けられていることを特徴とする情報記録媒体。
2. 基板上に無機記録膜および誘電体膜が設けられた情報記録媒体であって、
   上記無機記録膜が、ゲルマニウム（Ｇｅ）の酸化物からなる酸化物膜と、上記酸化物膜に隣接する、ＴｉＳｉからなる金属膜とを有し、
   上記誘電体膜が、ＺｒＯ₂およびＣｒ₂Ｏ₃からなり、
   上記酸化物膜が上記誘電体膜側に設けられていることを特徴とする情報記録媒体。
3. 上記誘電体膜のＣｒ₂Ｏ₃の含有量が４０原子％以上９０原子％以下であることを特徴とする請求項１または２記載の情報記録媒体。
4. 上記誘電体膜が、ＳｉＯ₂をさらに含有することを特徴とする請求項１または２記載の情報記録媒体。
5. 上記誘電体膜の膜厚が、２ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１または２記載の情報記録媒体。
6. 上記記録膜と、ＺｒＯ₂およびＣｒ₂Ｏ₃からなる上記誘電体膜との間に、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂からなる誘電体膜がさらに設けられていることを特徴とする請求項１または２記載の情報記録媒体。
7. 基板上に無機記録膜および誘電体膜が設けられた情報記録媒体の製造方法であって、
   上記基板上に上記無機記録膜を形成する工程と、
   上記無機記録膜上にＺｒＯ₂およびＣｒ₂Ｏ₃からなる上記誘電体膜を形成する工程と
   を備え、
   上記無機記録膜の形成工程は、
   上記基板上に、チタン（Ｔｉ）からなる金属膜を形成する工程と
   上記金属膜上に、ゲルマニウム（Ｇｅ）の酸化物からなる酸化物膜を形成する工程と
   を有し、
   上記酸化物膜が上記誘電体膜側に設けられていることを特徴とする情報記録媒体の製造方法。
8. 基板上に無機記録膜および誘電体膜が設けられた情報記録媒体の製造方法であって、
   上記基板上に上記無機記録膜を形成する工程と、
   上記無機記録膜上にＺｒＯ₂およびＣｒ₂Ｏ₃からなる上記誘電体膜を形成する工程と
   を備え、
   上記無機記録膜の形成工程は、
   上記基板上に、ＴｉＳｉからなる金属膜を形成する工程と
   上記金属膜上に、ゲルマニウム（Ｇｅ）の酸化物からなる酸化物膜を形成する工程と
   を有し、
   上記酸化物膜が上記誘電体膜側に設けられていることを特徴とする情報記録媒体の製造方法。

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