JP2007141419A - 追記型光記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】無機記録膜を有する追記型光記録媒体において、膜総数を少なくすることができ、且つ、パワーマージンを広くすることができるようにする。
【解決手段】追記型光記録媒体１０が無機記録膜６を有し、無機記録膜６が、ゲルマニウムの酸化物からなる酸化物膜３と、酸化物膜と隣接する金属膜２とを備える。酸化物膜６は、第１の酸化物膜３ａおよび第２の酸化物膜３ｂからなり、第１の酸化物膜３ａおよび第２の酸化物膜３ｂの吸収係数は互いに異なるように設定される。
【選択図】図１

Description

この発明は、追記型光記録媒体およびその製造方法に関する。詳しくは、無機記録膜を有する追記型光記録媒体およびその製造方法に関する。

近年、大容量の情報を記録できる高密度記録の光記録媒体が望まれている。例えば、この要求に応えるために、ブルーレイディスク（Blu-ray Disc（登録商標）、以下ＢＤ）の規格が策定され、ハイビジョン画像を光記録媒体に録画、保存することが可能となっている。

このＢＤに代表される高密度記録の光記録媒体には、従来の媒体と同様に、再生専用型光記録媒体、書き換え型光記録媒体、追記型光記録媒体がある。近年では、追記型光記録媒体の記録膜として、無機記録膜を用いることが提案されている（例えば、特許文献１参照）。

特開平１１−１４４３１６号公報

追記型光記録媒体には、書き換え型光記録媒体と比べると安価であること、耐久性が高いことが求められるため、追記型光記録媒体の記録膜を書き換え型記録媒体のものと同様に無機材料で作製する場合には、膜総数を少なくして、設備投資費を削減することが好ましい。

また、このＢＤに代表される光記録媒体は、高密度記録であるがゆえに、耐指紋、耐スキュー、ドライブのばらつきに対する耐性という面で、記録媒体には広いパワーマージンを有することが求められている。しかし、追記型光記録媒体の場合、書き換え型光記録媒体と比べると、消去することができない分だけパワーマージンが狭いことが明らかになっている。つまり、高パワーで記録された際に、書き換え型光記録媒体の場合には、トラックを超えて記録された部分は隣のトラックを記録する際に消去・再記録するため、連続記録する場合にはクロストークが劣化しにくく、また、トラックに沿った方向も同様で、広がって書かれたマークに対してスペースも記録しているためにマークエッジの間隔が保たれやすく、高パワー側には非常に広いマージンをもっている。一方、追記型光記録媒体の場合は高パワーで記録した際にはマークが一方的に大きくなることで、クロストークが大きく、スペースも短くなるため、書き換え型光記録媒体と比べるとパワーマージンが狭い。

したがって、この発明の目的は、無機記録膜を有する追記型光記録媒体において、無機記録膜の膜総数を少なくすることができ、且つ、パワーマージンを広くすることができる追記型光記録媒体およびその製造方法を提供することにある。

上述の課題を解決するために、第１の発明は、無機記録膜を有する追記型光記録媒体であって、
記録膜が、
ゲルマニウムの酸化物からなる酸化物膜と、
酸化物膜に隣接する隣接膜と
を備え、
酸化物膜が、第１および第２の酸化物膜からなり、
第１および第２の酸化物膜の吸収係数は互いに異なることを特徴とする追記型光記録媒体である。

第２の発明は、無機記録膜を有する追記型光記録媒体の製造方法であって、
ゲルマニウムの酸化物からなる酸化物膜を成膜する工程と、
金属からなる隣接膜を成膜する工程と
を備え、
酸化物膜の成膜工程は、
ゲルマニウムの酸化物からなる第１の酸化物膜を成膜する工程と
第１の酸化物膜とは吸収係数が異なるゲルマニウムの酸化物からなる第２の酸化物膜を成膜する工程と
を備え、
酸化物膜および隣接膜の成膜工程では、酸化物膜と隣接膜とは隣接するように成膜されることを特徴とする追記型光記録媒体の製造方法である。

第１および第２の発明では、無機記録膜が、ゲルマニウムの酸化物からなる酸化物膜と、この酸化物膜に隣接する隣接膜とからなるので、光を無機記録膜に照射すると、隣接膜の光触媒効果により酸化物膜の酸素が隣接膜側で多くなるように分離する。これにより、酸化物膜が酸素濃度の高い層と酸素濃度の低い層とに分離し、酸化物膜の光学定数が大きく変化する。したがって、変調度の大きな再生信号が得られるので、良好な記録特性を実現できる。

第１および第２の発明では、酸化物膜が第１および第２の酸化物膜からなり、第１および第２の酸化物膜の吸収係数は互いに異なるので、パワーマージンを広げることができる。

第３の発明は、無機記録膜を有する追記型光記録媒体であって、
無機記録膜が、
ゲルマニウムの酸化物からなる酸化物膜と、
酸化物膜に隣接する隣接膜と
を備え、
隣接膜が、
チタンからなる第１の隣接膜と、
チタンおよびシリコンからなる第２隣接膜と
を備え、
第１の隣接膜が酸化物膜側に設けられていることを特徴とする追記型光記録媒体である。

第４の発明は、無機記録膜を有する追記型光記録媒体の製造方法であって、
ゲルマニウムの酸化物からなる酸化物膜を成膜する工程と、
金属からなる隣接膜を成膜する工程と
を備え、
隣接膜の成膜工程は、
チタンからなる第１の隣接膜を成膜する工程と、
チタンおよびシリコンからなる第２の隣接膜を成膜する工程と
酸化物膜および隣接膜の成膜工程では、酸化物膜と隣接膜とは隣接するように成膜されることを特徴とする追記型光記録媒体の製造方法である。

第３および第４の発明では、無機記録膜が、ゲルマニウムの酸化物からなる酸化物膜と、この酸化物膜に隣接する隣接膜とからなるので、光を無機記録膜に照射すると、隣接膜の光触媒効果により酸化物膜の酸素が隣接膜側で多くなるように分離する。これにより、酸化物膜が酸素濃度の高い層と酸素濃度の低い層とに分離し、酸化物膜の光学定数が大きく変化する。したがって、変調度の大きな再生信号が得られるので、良好な記録特性を実現できる。

第３および第４の発明では、隣接膜が、チタンからなる第１の隣接膜と、チタンおよびシリコンからなる第２の隣接膜とを備え、第１の隣接膜が酸化物側に設けられているので、パワーマージンを広げることができる。

第５の発明は、無機記録膜を有する追記型光記録媒体であって、
無機記録膜が、
ゲルマニウムの酸化物からなる酸化物膜と、
金属の窒化物からなる隣接膜と
を備えることを特徴とする追記型光記録媒体である。

第６の発明は、無機記録膜を有する追記型光記録媒体の製造方法であって、
ゲルマニウムの酸化物からなる酸化物膜を成膜する工程と、
金属の窒化物からなる隣接膜を成膜する工程と
を備え、
酸化物膜および隣接膜の成膜工程では、酸化物膜と隣接膜とは隣接するように成膜されることを特徴とする追記型光記録媒体の製造方法である。

第５および第６の発明では無機記録膜が、ゲルマニウムの酸化物からなる酸化物膜と、この酸化物膜に隣接する隣接膜とからなるので、光を無機記録膜に照射すると、隣接膜の光触媒効果により酸化物膜の酸素が隣接膜側で多くなるように分離する。これにより、酸化物膜が酸素濃度の高い層と酸素濃度の低い層とに分離し、酸化物膜の光学定数が大きく変化する。したがって、変調度の大きな再生信号が得られるので、良好な記録特性を実現できる。

第５および第６の発明では、隣接膜が金属の窒化物からなるので、パワーマージンを広げることができる。

第７の発明は、無機記録膜を有する追記型光記録媒体であって、
無機記録膜が、
ゲルマニウムの酸化物にアンチモンが添加されてなる酸化物膜と、
酸化物膜に隣接する隣接膜と
を備えることを特徴とする追記型光記録媒体である。

第８の発明は、無機記録膜を有する追記型光記録媒体の製造方法であって、
ゲルマニウムの酸化物にアンチモンが添加されてなる酸化物膜酸化物膜を成膜する工程と、
金属からなる隣接膜を成膜する工程と
を備え、
酸化物膜および隣接膜の成膜工程では、酸化物膜と隣接膜とは隣接するように成膜されることを特徴とする追記型光記録媒体の製造方法である。

第７および第８の発明では、無機記録膜が、ゲルマニウムの酸化物からなる酸化物膜と、この酸化物膜に隣接する隣接膜とからなるので、光を無機記録膜に照射すると、隣接膜の光触媒効果により酸化物膜の酸素が隣接膜側で多くなるように分離する。これにより、酸化物膜が酸素濃度の高い層と酸素濃度の低い層とに分離し、酸化物膜の光学定数が大きく変化する。したがって、変調度の大きな再生信号が得られるので、良好な記録特性を実現できる。

第７および第８の発明では、酸化物膜が、ゲルマニウムの酸化物にアンチモンが添加された材料からなるので、パワーマージンを広げることができる。

以上説明したように、この発明によれば、無機記録膜を有する追記型光記録媒体において、無機記録膜の膜総数を少なくすることができ、且つ、パワーマージンを広くすることができる。

以下、この発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態の全図においては、同一または対応する部分には同一の符号を付す。

（１）第１の実施形態
追記型光記録媒体の構成
図１は、この発明の第１の実施形態による追記型光記録媒体の一構成例を示す概略断面図である。この追記型光記録媒体１０は、基板１上に、無機記録膜６、誘電体膜４、光透過層５が順次積層された構成を有する。

この第１の実施形態による追記型光記録媒体１０では、光透過層５の側からレーザ光を無機記録膜６に照射することにより、情報信号の記録または再生が行われる。例えば、４００ｎｍ以上４１０ｎｍ以下の範囲の波長を有するレーザ光を、０．８４以上０．８６以下の範囲の開口数を有する対物レンズにより集光し、光透過層５の側から無機記録膜６に照射することにより、情報信号の記録または再生が行われる。このような追記型光記録媒体１０としては、例えばＢＤ−Ｒ（Blu-ray Disc -Recordable）が挙げられる。
以下、追記型光記録媒体１０を構成する基板１、無機記録膜６、誘電体膜４および光透過層５について順次説明する。

（基板）
基板１は、中央に開口（以下、センターホールと称する）が形成された円環形状を有する。この基板１の一主面は、凹凸面１１となっており、この凹凸面１１上に無機記録膜６が成膜される。以下では、基板１の一主面に対して窪んだ凹部をイングルーブ１１Ｇ、基板１の一主面に対して突出した凸部をオングルーブ１１Ｌと称する。

このイングルーブ１１Ｇおよびオングルーブ１１Ｌの形状としては、例えば、スパイラル状、同心円状などの各種形状が挙げられる。また、イングルーブ１１Ｇおよび／またはオングルーブ１１Ｌが、アドレス情報を付加するためのウォブル（蛇行）されている。

基板１の直径は、例えば１２０ｍｍに選ばれる。基板１の厚さは、剛性を考慮して選ばれ、好ましくは０．３ｍｍ以上１．３ｍｍ以下から選ばれ、より好ましくは０．６ｍｍ以上１．３ｍｍ以下から選ばれ、例えば１．１ｍｍに選ばれる。また、センタホールの径（半径）は、例えば１５ｍｍに選ばれる。

基板１の材料としては、例えばポリカーボネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂若しくはアクリル系樹脂などのプラスチック材料、またはガラスなどを用いることができる。なお、コストを考慮した場合には、基板１の材料として、プラスチック材料を用いることが好ましい。

（無機記録膜）
無機記録膜６は、基板１の凹凸面１１上に順次積層された金属膜２および酸化物膜３からなる。金属膜２は、例えばＴｉまたはＴｉおよび添加物から構成される。Ｔｉを主たる材料とすれば基本的に良好な記録特性を得ることができる。添加物は、光学特性、耐久性または記録感度などを向上させるためのものであり、このような添加物としては、例えばＡｌ，Ａｇ,Ｃｕ，Ｐｄ，Ｇｅ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｍｇ，Ｖ，Ｃ，Ｃａ，Ｂ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｓ，Ｓｅ，Ｍｎ，Ｇａ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｇｄ，Ｎｄ，Ｚｎ，Ｔａ，Ｓｒからなる群より選ばれた１種以上を用いることができる。

また、金属膜２を構成する材料としては、Ｔｉの酸化物およびＴｉと添加物との酸化物を用いることもできる。このような酸化物としては、例えばＴｉＳｉＯを挙げることができる。このように酸化物を用いることで、例えばジッターを改善することができる。

また、金属膜２がＳｉを含有する場合には、Ｓｉの組成比を８原子％以上３２原子％以下であることが好ましい。この範囲とすることで、例えば良好なジッターを得ることができる。

酸化物膜３は、第１の酸化物膜３ａおよび第２の酸化物膜３ｂからなり、第１の酸化物膜３ａが金属膜２と隣接する側に設けられ、第２の酸化物膜３ｂが誘電体膜４と隣接する側に設けられる。第１の酸化物膜３ａおよび第２の酸化物膜３ｂはＧｅの酸化物からなり、第１の酸化物膜３ａおよび第２の酸化物膜３ｂの酸素組成は互いに異なる。すなわち、第１の酸化物膜３ａおよび第２の酸化物膜３ｂの吸収係数は互いに異なる。このように酸化物膜３を構成することで、パワーマージンを広げ、記録特性に優れた追記型光記録媒体１０を提供できる。

ここで、第１の酸化物膜３ａ、第２の酸化物膜３ｂの吸収係数をそれぞれ、ｋ₁、ｋ₂とすると、これらの吸収係数ｋ₁、ｋ₂がそれぞれ０．１５≦ｋ₁、ｋ₂≦０．９０の関係を満たすことが好ましく、０．２０≦ｋ₁、ｋ₂≦０．７０の関係を満たすことがより好ましく、０．２５≦ｋ₁、ｋ₂≦０．６０の関係を満たすことが更により好ましい。０．１５≦ｋ₁、ｋ₂≦０．９０の関係を満たすことで、例えば良好な変調度およびキャリア対ノイズ比（以下、Ｃ／Ｎ比）を得ることができる。０．２０≦ｋ₁、ｋ₂≦０．７０の関係を満たすことで、例えばより良好な変調度およびＣ／Ｎ比を得ることができる。０．２５≦ｋ₁、ｋ₂≦０．６０の関係を満たすことで、例えば更により良好な変調度およびＣ／Ｎ比を得ることができる。

なお、この明細書における吸収係数は波長４１０ｎｍにおけるものである。また、その測定には、エリプソメータ（ルドルフ社製、商品名：Auto EL-462P17）を用いた。

また、吸収係数ｋ₁、ｋ₂がｋ₁＞ｋ₂の関係を満たすことが好ましい。この関係を満たすことで、パワーマージンを広げ、記録特性に優れた追記型光記録媒体１０を実現することができる。

酸化物膜３の膜厚は、好ましくは１０ｎｍ以上３５ｎｍ以下の範囲である。また、酸化物膜３に対して添加物を加えるようにしてもよく、この添加物としては、例えばＴｅ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ａｕ，Ａｇ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｓｎなどを用いることができる。このような添加物を加えることで、耐久性および／または反応性（記録感度）を向上することができる。なお、耐久性を向上させるためには、特にＰｄ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｓｂが特に好ましい。

（誘電体膜）
第１の誘電体膜４ａおよび第２の誘電体膜４ｂは、無機記録膜６上に積層されて、無機記録膜６の光学的、機械的保護、すなわち耐久性の向上や、記録時の無機記録膜６の変形、すなわちふくらみの抑制等を行うためのものである。

第１の誘電体膜４ａは、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ₂より構成される。この第１の誘電体膜４ａの厚さは、好ましくは１０ｎｍ以上５８ｎｍ以下、より好ましくは２３ｎｍ以上５３ｎｍ以下の範囲とされる。膜厚を１０ｎｍ以上にすることで、良好なジッターを得ることができる。例えば追記型光記録媒体１０がＢＤ−Ｒである場合には、膜厚を１０ｎｍ以上にすることで、ＢＤ−Ｒの規格であるジッター６．５％以下を満足することができる。一方、膜厚を５８ｎｍ以下にすることで、良好な反射率を得ることができる。例えば追記型光記録媒体１０がＢＤ−Ｒである場合には、膜厚を５８ｎｍ以下にすることで、ＢＤ−Ｒの規格で要求される反射率１２％以下を満足することができる。
また、膜厚を２３ｎｍ以上にすることで、より良好なジッターを得ることができる。一方、膜厚を５３ｎｍ以下にすることで、より良好な反射率を得ることができる。

第２の誘電体膜４ｂは、例えばＳｉＮより構成される。この第２の誘電体膜４ｂの厚さは、好ましくは３５ｎｍ以下の範囲から選ばれる。膜厚を３５ｎｍ以下にすることで、良好なジッターを得ることができる。例えば追記型光記録媒体１０がＢＤ−Ｒである場合には、膜厚を３５ｎｍ以下にすることで、ＢＤ−Ｒの規格であるジッター６．５％以下を満足することができる。また、上述のように、第１の誘電体膜４ａと第２の誘電体膜４ｂとを積層することで、変調度を大きくでき、且つ、Ｃ／Ｎ比を高くできる。

（光透過層）
光透過層５は、例えば、円環形状を有する光透過性シート（フィルム）と、この光透過性シートを基板１に対して貼り合わせるための接着層とから構成される。接着層は、例えば紫外線硬化樹脂または感圧性粘着剤（ＰＳＡ：Pressure Sensitive Adhesive）からなる。光透過層５の厚さは、好ましくは１０μｍ以上１７７μｍ以下の範囲内から選ばれ、例えば１００μｍに選ばれる。このような薄い光透過層５と、例えば０．８５程度の高ＮＡ(numerical aperture)化された対物レンズとを組み合わせることによって、高密度記録を実現することができる。

光透過性シートは、記録および／または再生に用いられるレーザ光に対して、吸収能が低い材料からなることが好ましく、具体的には透過率９０パーセント以上の材料からなることが好ましい。光透過性シートの材料としては、例えばポリカーボネート樹脂材料、ポリオレフィン系樹脂（例えばゼオネックス（登録商標））が挙げられる。

また、光透過性シートの厚さは、好ましくは０．３ｍｍ以下に選ばれ、より好ましくは３以上１７７μｍ以下の範囲内から選ばれる。また、光透過層５の内径（直径）は、例えば２２．７ｍｍに選ばれる。

追記型光記録媒体の製造方法
次に、この発明の第１の実施形態による追記型光記録媒体の製造方法について説明する。
（基板の成形工程）
まず、一主面に凹凸面１１が形成された基板１を成形する。基板１の成形の方法としては、例えば射出成形（インジェクション）法、フォトポリマー法（２Ｐ法：Photo Polymerization）などを用いることができる。

（金属膜の成膜工程）
次に、例えばＴｉＳｉからなるターゲットが備えられた真空チャンバ内に基板１を搬送し、真空チャンバ内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバ内に例えばＡｒガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、例えばＴｉＳｉからなる金属膜２を基板１上に成膜する。

（第１の酸化物膜の成膜工程）
次に、例えばＧｅ酸化物からなるターゲットが備えられた真空チャンバ内に基板１を搬送し、真空チャンバ内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバ内に例えばＡｒガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、例えばＧｅ酸化物からなる第１の酸化物膜３ａを金属膜２上に成膜する。

（第２の酸化物膜の成膜工程）
次に、例えばＧｅ酸化物からなるターゲットが備えられた真空チャンバ内に基板１を搬送し、真空チャンバ内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバ内に例えばＡｒガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、例えばＧｅ酸化物からなる第２の酸化物膜３ｂを第１の酸化物膜３ａ上に成膜する。

（第１の誘電体膜の成膜工程）
次に、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ₂からなるターゲットが備えられた真空チャンバ内に基板１を搬送し、真空チャンバ内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバ内に例えばＡｒガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ₂からなる第１の誘電体膜４ａを第２の酸化物膜３ｂ上に成膜する。

（第２の誘電体膜の成膜工程）
次に、例えばＳｉからなるターゲットが備えられた真空チャンバ内に基板１を搬送し、真空チャンバ内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバ内に例えばＮ₂ガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、例えばＳｉＮからなる第１の誘電体膜４ｂを第１の誘電体膜４ａ上に成膜する。

（光透過層の形成工程）
次に、円環形状の光透過性シートを、例えば、このシート一主面に予め均一に塗布された感圧性粘着剤（ＰＳＡ）を用いて、基板１上の凹凸面１１側に貼り合わせる。これにより、基板１上に積層された積層膜を覆うように、光透過層５が形成される。
以上の工程により、図１に示す追記型光記録媒体１０が得られる。

ターゲットの構成
以下に、第１の酸化物膜３ａおよび第２の酸化物膜３ｂの成膜に用いられるターゲットの構成について説明する。第１の酸化物膜３ａおよび第２の酸化物膜３ｂを成膜するためのターゲットは、半導体粉末であるＧｅ粉末と半導体酸化物粉末であるＧｅ酸化物粉末との混合物を加圧焼成することによりなるものである。このターゲットは、例えば円盤形状を有し、その直径は、例えば２００ｍｍに選ばれ、厚さは、例えば６ｍｍに選ばれる。

第１の酸化物膜３ａを成膜するためのターゲットと、第２の酸化物膜３ｂを成膜するためのターゲットとは、加圧焼成後の酸素の含有量が異なる。第１の酸化物膜３ａを成膜するためのターゲットの加圧焼成後の酸素含有量を、第２の酸化物膜３ｂを成膜するためのターゲットに比べて少なくすることが好ましい。このような酸素含有量にすることで、上述の吸収係数ｋ₁＞ｋ₂の関係を満たす第１の酸化物膜３ａおよび第２の酸化物膜３ｂをスパッタリング法により成膜することができる。

また、加圧焼成後の酸素の含有量は４５原子％以上６０原子％以下の範囲であることが好ましい。４５原子％未満であると、吸収係数ｋが０．９を越えてしまうため、記録特性などが低下してしまう。また、６０原子％を越えると、吸収係数が０．１５未満になってしまうため、記録特性などが低下してしまう。

ターゲットの製造方法
以下、第１の酸化物膜３ａおよび第２の酸化物膜３ｂの成膜に用いられるターゲットの製造方法について説明する。

（秤量・混合）
半導体粉末であるＧｅ粉末と半導体酸化物粉末であるＧｅ酸化物粉末とをそれぞれ所定量秤量した後、例えば混合乾式を行う。ここで、Ｇｅ粉末とＧｅ酸化物粉末との混合比は、加圧焼成後の酸素の含有量が４５原子％以上６０原子％以下となるように調整することが好ましい。

（加圧焼成）
次に、上述のようにして得られた混合粉末をカーボン製の型に投入し、例えばホットプレス装置によって加圧焼成を行って、焼成体を得る。ここでは、ホットプレス装置は一般的に使用されているものでよく、この装置を用いて、一定圧力および一定の焼成温度で、非酸素雰囲気中にて所定時間焼成が行われる。

（仕上げ工程）
上述のようにして得られた焼成体に対して、所定サイズの円盤形状になるように機械加工を施す。以上により、目的とするターゲットを得ることができる。

この発明の第１の実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
金属膜２、酸化物膜３、誘電体膜４、光透過層５を基板１上に順次積層するだけで追記型光記録媒体１０を製造できるので、単純な膜構成を有する高記録密度の追記型光記録媒体１０を提供することができる。すなわち、低廉な高記録密度の追記型光記録媒体１０を提供することができる。

また、Ｇｅの酸化物からなる第１の酸化物膜３ａと、この第１の酸化物膜３ａとは酸素の組成比が異なるＧｅの酸化物からなる第２の酸化物膜３ｂとから酸化物膜３を構成するので、第１の酸化物膜３ａと第２の酸化物膜３ｂとの吸収係数を異ならせることができる。これにより、パワーマージンを広げることができる。

また、Ｇｅ酸化物からなるターゲットをスパッタリングして酸化物膜３を成膜するので、量産時において、一定の酸素濃度、すなわち一定の吸収係数を有する酸化物膜３を安定して成膜することができる。

（２）第２の実施形態
追記型光記録媒体の構成
図２は、この発明の第２の実施形態による追記型記録媒体の一構成例を示す模式的断面図である。この追記型光記録媒体１０は、無機記録膜６、誘電体膜４、光透過層５を基板１上に順次積層した構成を有する。無機記録膜６以外は上述の第１の実施形態と同様であるので、以下では無機記録膜６についてのみ説明する。

無機記録膜６は、金属膜２および酸化物膜３からなる。金属膜２は、第１の金属膜２ａおよび第２の金属膜２ｂからなり、第１の金属膜２ａが基板１側に設けられ、第２の金属膜２ｂが酸化物膜３側に設けられる。

酸化物膜３は、例えば、Ｇｅの酸化物からなる。酸化物膜３の吸収係数ｋは、好ましくは０．１５以上０．９０以下、より好ましくは０．２０以上０．７０以下、更により好ましくは０．２５以上０．６０以下の範囲である。また、酸化物膜３の膜厚は、好ましくは１０ｎｍ以上３５ｎｍ以下の範囲である。また、酸化物膜３に対して添加物を加えるようにしてもよく、この添加物としては、例えばＴｅ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ａｕ，Ａｇ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｓｎなどを用いることができる。

第1の金属膜２ａは、例えばＴｉおよびＳｉからなる。第２の金属膜２ｂは、例えばＴｉからなる。また、光学特性、耐久性または記録感度などを向上させるために、第１の金属膜２ａおよび第２の金属膜２ｂに添加物をさらに加えるようにしてもよい。このような添加物としては、例えばＡｌ，Ａｇ,Ｃｕ，Ｐｄ，Ｇｅ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｍｇ，Ｖ，Ｃ，Ｃａ，Ｂ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｓ，Ｓｅ，Ｍｎ，Ｇａ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｇｄ，Ｎｄ，Ｚｎ，Ｔａからなる群より選ばれた１種以上を用いることができ、具体的には例えば、反射率を高めるための添加物としては、Ａｌが好ましい。また、第１の金属膜２ａおよび／または第２の金属膜２ｂを構成する材料を窒化するようにしてもよい。

第1の金属膜２ａの膜厚ｄは、２ｎｍ≦ｄ≦１０ｎｍの範囲であることが好ましい。膜厚ｄが２ｎｍ未満であると、第１の金属膜２ａを設けることによる効果が薄れ、金属膜２を第２の金属膜２ｂのみの単層で構成した場合とパワーマージンがほぼ同じになってしまう。

また、第2の金属膜２ｂのＳｉの組成が、８原子％以上３２原子％以下であることが好ましい。８原子％未満であると、良好なジッター値が得られなくなってしまう。３２原子％を越えると、良好な記録感度が得られなくなってしまう。

追記型光記録媒体の製造方法
次に、この発明の第２の実施形態による追記型光記録媒体の製造方法について説明する。
まず、一主面に凹凸面１１が形成された基板１を成形する。次に、例えばＴｉＳｉからなるターゲットが備えられた真空チャンバ内に基板１を搬送し、真空チャンバ内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバ内に例えばＡｒガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、例えばＴｉＳｉからなる第１の金属膜２ａを基板１上に成膜する。

次に、例えばＴｉからなるターゲットが備えられた真空チャンバ内に基板１を搬送し、真空チャンバ内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバ内に例えばＡｒガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、例えばＴｉからなる第２の金属膜２ｂを基板１上に成膜する。

次に、基板１を、例えばＧｅ酸化物からなるターゲットが備えられた真空チャンバ内に搬送し、真空チャンバ内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバ内に例えばＡｒガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、例えばＧｅ酸化物からなる酸化物膜３を第２の金属膜２ｂ上に成膜する。
これ以降の工程は上述の第１の実施形態と同様であるので説明を省略する。

この第2の実施形態では、ＴｉＳｉからなる第1の金属膜２ａと、Ｔｉからなる第２の金属膜２ｂとから金属膜２を構成し、第２の金属膜２ｂを酸化物膜３側に設けるので、パワーマージンを広げることができる。

（３）第３の実施形態
追記型光記録媒体の構成
図３は、この発明の第３実施形態による追記型光記録媒体１０の一構成例を示す模式的断面図である。この追記型光記録媒体１０は、無機記録膜６、誘電体膜４、光透過層５が順次積層された構成を有する。無機記録膜６は、金属膜２、酸化物膜３を基板１上に順次積層された構成を有する。金属膜２以外のことは上述の第２の実施形態と同様であるので説明を省略する。

金属膜２は、Ｔｉの窒化物、またはＴｉと添加物とからなる材料の窒化物からなり、例えばＴｉＳｉ−Ｎからなる。Ｓｉ以外の添加物としては、例えば、上述の第１の実施形態と同様のものを用いることができる。

金属膜２の窒素の組成は、１原子％以上２０原子％以下であることが好ましい。１原子パーセント未満であると、パワーマージンを向上させる効果が薄れてしまう。２０原子パーセントを超えると、ジッターが悪化してしまう。

金属膜２のＳｉの組成が、８原子％以上３２原子％以下であることが好ましい。８原子％未満であると、良好なジッター値が得られなくなってしまう。３２原子％を越えると、良好な記録感度が得られなくなってしまう。

追記型光記録媒体の製造方法
次に、この発明の第３の実施形態による追記型光記録媒体の製造方法について説明する。
まず、一主面に凹凸面１１が形成された基板１を成形する。次に、例えばＴｉＳｉからなるターゲットが備えられた真空チャンバ内に基板１を搬送し、真空チャンバ内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバ内に例えばＮ₂ガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、例えばＴｉＳｉ−Ｎからなる金属膜２を基板１上に成膜する。
これ以降の工程は上述の第２の実施形態と同様であるので説明を省略する。

第３の実施形態では、Ｔｉの窒化物、またはＴｉと添加物とからなる材料の窒化物から金属膜２を構成することで、パワーマージンを広げることができる。

（４）第４の実施形態
追記型光記録媒体の構成
この追記型光記録媒体１０は、上述の第１の実施形態と同様に、基板１上に、無機記録膜６、誘電体膜４、光透過層５が順次積層された構成を有する。無機記録膜６は、金属膜２、酸化物膜を基板１上に順次積層された構成を有する。酸化物膜３以外のことは上述の第１の実施形態と同様であるので説明を省略する。

酸化物膜３は、Ｇｅ酸化物中にＳｂが添加されている材料からなる。酸化物膜３におけるＳｂの組成は、１原子％以上６原子％以下であることが好ましい。この範囲にすることで、パワーマージンを改善することができる。
追記型光記録媒体の製造方法
次に、この発明の第４の実施形態による追記型光記録媒体の製造方法について説明する。
まず、一主面に凹凸面１１が形成された基板１を成形する。次に、例えばＴｉＳｉからなるターゲットが備えられた真空チャンバ内に基板１を搬送し、真空チャンバ内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバ内に例えばＡｒガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、例えばＴｉＳｉからなる金属膜２を基板１上に成膜する。

次に、例えばＧｅＳｂＯからなるターゲットが備えられた真空チャンバ内に基板１を搬送し、真空チャンバ内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバ内に例えばＡｒガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、例えばＧｅＳｂＯからなる酸化物膜３を第２の金属膜２ｂ上に成膜する。
これ以降の工程は、上述の第１の実施形態と同様であるので説明を省略する。

この第４の実施形態では、Ｇｅ酸化物にＳｂが添加されている材料から酸化物膜３を構成するので、パワーマージンを改善することができる。

（３）第５の実施形態
追記型光記録媒体の構成
この第５の実施形態による追記型光記録媒体１０は、上述の第１の実施形態と同様に、基板１上に、無機記録膜６、誘電体膜４、光透過層５が順次積層された構成を有する。基板１およびその上に積層された各層を構成する材料および厚さなどは、上述の第１の実施形態と同様であるので説明を省略する。

図４は、この発明の第５の実施形態による追記型光記録媒体を示す平面図である。図４に示すように、この追記型光記録媒体１０の内周部には、リードイン領域１２が設けられ、このリードイン領域１２の外周側にユーザデータ領域１３が設けられている。また、リードイン領域１２には、識別情報記録領域であるＢＣＡ（Burst Cutting Area）１４が設けられている。

ユーザデータ領域１３は、ユーザが所望のデータを記録するための領域である。リードイン領域１２は、例えば識別情報（ＩＤ）、暗号鍵および複合鍵などの情報を記録するための領域であり、これらの情報は、追記型光記録媒体１０の製造時に記録される。ＢＣＡ１４は、追記型光記録媒体１０の製造時に識別情報を記録するための領域である。識別情報は、各媒体に固有な情報であり、例えば、不正コピーの防止などを目的とするものである。

追記型光記録媒体の製造方法
基板の成形工程から光透過層の形成工程までは、上述の第１の実施形態と同様であるので説明を省略し、以下では光透過層の形成工程の次工程である識別情報の記録工程について説明する。

まず、図５を参照しながら、識別情報の記録に用いられる記録装置について説明する。図５に示すように、この記録装置は、モータ２１、光ピックアップ２２および制御回路２３を備える。

光ピックアップ２２は、追記型光記録媒体１０に対してレーザ光２４を照射して識別情報をバーコードとして記録するための光学系である。レーザ光２４の波長は、ユーザデータの記録または再生に用いられるレーザ光とほぼ等しい波長とするこことが好ましい。例えば、追記型光記録媒体１０が波長４０５ｎｍなどの青色レーザ光によりユーザデータの記録または再生が行われる媒体である場合には、光ピックアップ２２のレーザ光２２の波長を、波長３５０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の範囲に設定すること好ましい。この波長範囲のレーザを用いることで、ユーザデータの記録と同様の原理に基づき、識別情報に対応する記録マークを良好に無機記録膜６に記録することができる。

制御回路２３は、記録装置全体を制御する。例えば、レーザ光２４のフォーカス制御、光ピックアップ２２の位置制御、モータ２１の回転制御、識別情報の生成などを行う。モータ２１は、図示を省略したターンテーブルに載置された追記型光記録媒体１０を回転させる。

次に、上述の記録装置を用いた識別情報の記録工程について説明する。
まず、追記型光記録媒体１０を、その光透過層５の側が光ピックアップ２２に対向するようにして、図示を省略したターンテーブルに載置する。次に、モータ２１を駆動して追記型光記録媒体１０を所定速度で回転させる。

そして、光ピックアップ２２を追記型光記録媒体１０の内周部に設けられたＢＣＡ１４まで移動させた後、光ピックアップ２２を駆動させて、例えば識別情報に応じてパルス状に変調されたレーザ光を光透過層５側から照射する。これにより、無機記録膜６のうちレーザ光２４が照射された部分では、酸化物膜３の酸素が分離して、酸素濃度が高い層が金属膜２の側に形成され、酸素濃度が低い層が誘電体膜４の側に形成される。その結果、識別情報に応じた記録マークが例えばバーコード状に形成され、識別情報がＢＣＡに記録される。なお、この記録マークの形成に用いられるレーザ光の波長は、上述のように３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲にすることが好ましい。以上により、目的とする追記型光記録媒体１０が得られる。

図６（ａ）は、ＢＣＡに形成された記録マークの一例を示す。図６（ｂ）は、ＢＣＡに記録された識別情報を再生したときの再生信号の波形の一例を示す。なお、図６（ａ）において斜線を付した部分が記録マークを示し、この記録マークは、パルス状に変調されたレーザ光を照射することにより形成される。

図６（ａ）に示すように、識別情報は、バーコード状の縞模様としてＢＣＡに記録される。また、記録マークの部分では反射率が低下するために、再生信号は、図６（ｂ）に示すように、パルス状の波形となる。

この第５の実施形態では、例えば波長３５０ｎｍ〜４５０ｎｍのレーザ光を用いて追記型光記録媒体１０のＢＣＡ１４に識別情報を記録するので、ユーザデータの記録と同様の原理により識別情報を無機記録膜６に記録できる。したがって、識別情報の再生信号の乱れを抑制し、所望の再生信号を得ることができる。また、光透過層５の側からレーザ光を照射して基板１上の積層膜を溶融除去して識別情報を記録する場合と比べて、基板１の変形などによって引き起こされる信号の不具合を抑制することができる。また、積層膜の腐食を招く恐れが少ないので、優れた保存安定性を得ることができる。

（４）第６の実施形態
追記型光記録媒体の構成
この第６の実施形態による追記型光記録媒体１０はＢＣＡを有し、このＢＣＡ１４には識別情報が記録されている。この識別情報は、レーザ光を基板１側から照射することにより、基板１上に積層された積層膜を溶融除去することにより形成される。これ以外の追記型光記録媒体１０の構成に関しては上述の第５の実施形態と同様であるので説明を省略する。

追記型光記録媒体の製造方法
基板の成形工程から光透過層の形成工程までは、上述の第５の実施形態と同様であるので説明を省略し、以下では光透過層の形成工程の次工程である識別情報の記録工程について説明する。また、識別情報の記録に用いられる記録装置は、光路長補償素子を光ピックアップ２２に備える以外のことは上述の第５の実施形態と同様であるので説明を省略する。なお、光ピックアップ２２に備えられる光路長補償素子は、上述の第５の実施形態とは異なる基板１側からレーザ光を照射することを考慮して設けたものである。

まず、追記型光記録媒体１０を、その基板１の側が光ピックアップ２２に対向するようにして、図示を省略したターンテーブルに載置する。次に、モータ２１を駆動して追記型光記録媒体１０を所定速度で回転させる。

そして、光ピックアップ２２を追記型光記録媒体１０の内周部に設けられたＢＣＡ１４まで移動させた後、光ピックアップ２２を駆動させて、例えば識別情報に応じてパルス状に変調されたレーザ光を基板１側から照射する。これにより、無機記録膜６のうちレーザ光２４が照射された部分では、基板１上に積層された金属膜２、酸化物膜２、誘電体膜５が溶融除去される。その結果、識別情報に応じたマークが例えばバーコード状に形成され、識別情報がＢＣＡ１４に記録される。

なお、レーザ光は、近赤外レーザ光または赤外レーザ光であることが好ましく、例えば波長８００ｎｍのレーザ光である。また、レーザ光照射時の光学ヘッドスキャンスピードを５ｍ／ｓ〜９ｍ／ｓ、レーザパワーを３４００ｍＷ〜４０００ｍＷの範囲とすることが好ましい。この範囲とすることで、記録マークエッジ部分における急激な反射率の上昇を抑制することができる。したがって、識別情報の再生信号のノイズを低減することができる。

この第６の実施形態では、ユーザデータの記録再生時とは異なる基板１側からレーザ光をＢＣＡ１４に照射して識別情報を記録するため、光透過層５の側からレーザ光を照射した場合とは光吸収特性などが異なるので、マークの境界部分に変形が生じることを抑制きる、ＢＣＡ１４の内部に積層膜の一部が残留することを抑制できる、基板１の変形を抑制できるなどの利点を得ることができる。すなわち、再生信号の乱れを抑制し、所望の再生信号を得ることができる。

また、金属膜２に直接レーザ光を照射できるので、基板１上の積層膜を効果的に破壊除去できる。なお、光透過層５側からレーザ光を照射した場合には、酸化物膜３での吸収発熱などの影響で熱が拡散するため、基板１上の積層膜をきれいに破壊除去できないと考えられる。

以下、実施例として、ＢＤの光学系に対応する追記型光記録媒体に対して、本発明を適用した場合を例として説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。なお、ＢＤの光学系とは、開口数０．８５の２群対物レンズと、波長４０５ｎｍの青紫色半導体レーザ光源とを用いたものである。

以下の実施例および比較例では、評価装置として、パルステック工業株式会社製、ＯＤＵ−１０００（ブルーレイディスク仕様）を用いた。この光源の波長は４０５ｎｍであり、対物レンズのＮＡは０．８５である。記録再生条件は、２５ＧＢ密度とし、２倍速（９．８３ｍ／ｓ）で記録、１倍速（４．９２ｍ／ｓ）で再生した。再生パワーは０．３５ｍＷとし、再生信号はリミットイコライザー（プリイコライザーゲイン７．１ｄＢ）を通し、タイムインターバルアナライザー（横河電機株式会社製、ＴＡ７２０）によりジッターを測定した。
また、吸収係数の測定には、エリプソメータ（ルドルフ社製、商品名：Auto EL-462P17）を用いた。なお、吸収係数は、４１０ｎｍの波長におけるものである。

なお、実施例１〜４は、第１の実施形態に対応するものである。実施例５〜７は、第２の実施形態に対応するものである。実施例８〜９は、第３の実施形態に対応するものである。実施例１０は、第４の実施形態に対応するものである。

まず、第１の実施形態に対応する実施例１〜４について以下の検討の順序で説明する。
（１−１）酸化物膜の構成の検討
（１−２）２層構造を有する酸化物膜の膜厚の検討
（１−３）酸化物膜の酸素濃度の検討

（１−１）酸化物膜の構成の検討
まず、単層構造の酸化物膜３を有する追記型光記録媒体１０と、２層構造の酸化物膜３を有する追記型光記録媒体１０とを作製し、酸化物膜３の構成について検討を行った。以下に、この検討内容について説明する。

比較例１
図７は、比較例１の追記型光記録媒体の膜構成を示す模式的断面図である。図７においては、基板１に設けられたイングルーブ１１Ｇおよびオングルーブ１１Ｌの図示を省略している。なお、以下の実施例および比較例の模式図においても、基板１に設けられたイングルーブ１１Ｇおよびオングルーブ１１Ｌの図示を同様に省略する。この比較例１の追記型光記録媒体１０は、ＴｉＳｉ膜２、ＧｅＯ膜３、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂膜４ａ、ＳｉＮ膜４ｂ、光透過層５を基板１上に順次積層した構成を有する。

以下、図７を参照しながら、比較例１の追記型光記録媒体１０の製造方法について説明する。まず、射出成形法により、一主面にイングルーブ１１Ｇおよびオングルーブ１１Ｌが設けられた基板１を成形した。樹脂材料としては、ポリカーボネート樹脂を用いた。また、トラックピッチを０．３２μｍとし、イングルーブ１１Ｇの深さを２１ｎｍとし、オングルーブ１１Ｌをウォブル（蛇行）させてアドレス情報を付加した。

次に、真空チャンバ内を真空引きした後、真空チャンバ内にＡｒガスを導入しながら、ＴｉＳｉターゲットをスパッタリングして、膜厚２７ｎｍのＴｉＳｉ膜２を基板１上に成膜した。このＴｉＳｉ膜２におけるＳｉの組成比を２０原子％とした。
この成膜工程における成膜条件を以下に示す。
真空到達度：５．０×１０^-5Ｐａ
雰囲気：０．２Ｐａ
投入電力：３ｋＷ
Ａｒガス流量：３０ｓｃｃｍ

次に、真空チャンバ内を真空引きした後、真空チャンバ内にＡｒガスを導入しながら、Ｇｅ酸化物ターゲットをスパッタリングして、膜厚２２ｎｍのＧｅＯ膜３をＴｉＳｉ膜２上に成膜した。なお、Ｇｅ酸化物ターゲットの酸素組成は、ＧｅＯ膜３の吸収係数ｋが０．４０となるように調整した。
この成膜工程における成膜条件を以下に示す。
真空到達度：５．０×１０^-5Ｐａ
雰囲気：０．２Ｐａ
投入電力：２ｋＷ
Ａｒガス流量：３０ｓｃｃｍ

次に、真空チャンバ内を真空引きした後、真空チャンバ内にＡｒガスを導入しながら、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂ターゲットをスパッタリングして、膜厚４５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２膜４ａをＧｅＯ膜３上に成膜した。
この成膜工程における成膜条件を以下に示す。
真空到達度：５．０×１０^-5Ｐａ
雰囲気：０．１Ｐａ
投入電力：１ｋＷ
Ａｒガス流量：６ｓｃｃｍ

次に、真空チャンバ内を真空引きした後、真空チャンバ内にＡｒガスおよびＮ₂ガスを導入しながら、Ｓｉターゲットをスパッタリングして、膜厚１０ｎｍのＳｉＮ膜４ｂを基板１上に成膜した。
この成膜工程における成膜条件を以下に示す。
真空到達度：５．０×１０^-5Ｐａ
雰囲気：０．３Ｐａ
投入電力：４ｋＷ
Ａｒガス流量：５０ｓｃｃｍ
Ｎ₂ガス流量：３７ｓｃｃｍ

次に、円環形状のポリカーボネートシートを、このシート一主面に予め塗布された感圧性粘着材（ＰＳＡ）により基板１上に貼り合わせて、厚さ０．１ｍｍの光透過層５を形成した。以上により、目的とする追記型光記録媒体１０が得られた。

そして、上述のようにして得られた比較例１の追記型光記録媒体１０に対して、マルチパルス（Ｎ−１ライトストラテジー、ブルーレイディスク規格書準拠）にて記録を行った。最適記録光強度は、ピークパワーＰｗが５．９ｍＷ、スペースパワーＰｓが２．８ｍＷ、ボトムパワーＰｂが０．８ｍＷ、クーリングパワーＰｃが０．５ｍＷとした（それぞれのパワーレベルの定義は、ブルーレイディスク規格書準拠のものである）。この際のLeading jitterは５．０％、Trailing jitterは５．４％であった。

また、パワーマージンの測定では、ピークパワーＰｗとスペースパワーＰｓの比を保ったままパワーを変えてゆき、その他のパワーは固定としてジッターを測定した。ここでは、マージンとしては境界値をジッター１０％とし、Leading jitterとTrailing jitterの平均が１０％を下回るピークパワーＰｗの範囲の幅を、最適パワーＰｗｏで割ったものをパワーマージンと定義する。図８に、比較例１の追記型光記録媒体１０に対して、パワーを変えて情報信号を記録した場合の測定結果を示す。この比較例１の追記型光記録媒体１０のパワーマージンは２５％であった。

実施例１

図９は、実施例１の追記型光記録媒体１０の膜構成を示す模式的断面図である。この実施例１の追記型光記録媒体１０は、ＴｉＳｉ膜２、ＧｅＯ膜３ａ、ＧｅＯ膜３ｂ、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂膜４ａ、ＳｉＮ膜４ｂ、光透過層５を基板１上に順次積層した構成を有する。

次に、図９を参照しながら、この実施例１の追記型光記録媒体の製造方法について説明する。まず、比較例１と同様にして、基板１を成形し、この基板上にＴｉＳｉ膜２を成膜した。

次に、真空チャンバ内を真空引きした後、真空チャンバ内にＡｒガスを導入しながら、Ｇｅ酸化物ターゲットをスパッタリングして、膜厚１１ｎｍ、吸収係数０．７７のＧｅＯ膜３ａをＴｉＳｉ膜２上に成膜した。
この成膜工程における成膜条件の一例を以下に示す。
真空到達度：５．０×１０^-5Ｐａ
雰囲気：０．２Ｐａ
投入電力：２ｋＷ
Ａｒガス流量：３０ｓｃｃｍ

次に、真空チャンバ内を真空引きした後、真空チャンバ内にＡｒガスを導入しながら、Ｇｅ酸化物ターゲットをスパッタリングして、膜厚１１ｎｍ、吸収係数０．５０のＧｅＯ膜３ｂを基板１上に成膜した。
この成膜工程における成膜条件の一例を以下に示す。
真空到達度：５．０×１０^-5Ｐａ
雰囲気：０．２Ｐａ
投入電力：２ｋＷ
Ａｒガス流量：３０ｓｃｃｍ
そして、これ以降の工程は上述の実施例１とすべて同様にして追記型光記録媒体１０を得た。

次に、上述のようにして得られた実施例１の追記型光記録媒体１０のパワーマージンを比較例１と同様にして測定した。その結果、この実施例１の追記型光記録媒体１０のパワーマージンは２９．６％であり、そのパワーマージンは、上述の比較例１に比べて大幅に広がっていることが分かった。

したがって、追記型光記録媒体１０の酸化物膜３をＧｅＯ膜３ａ、ＧｅＯ膜３ｂから構成し、これらのＧｅＯ膜３ａ、ＧｅＯ膜３ｂそれぞれの吸収係数ｋ１、ｋ２がｋ１＞ｋ２の関係を満たすようにすることで、酸化物膜３が単層である場合に比べてパワーマージンを大幅に広げることができることが分かる。

（１−２）２層構造を有する酸化物膜の膜厚の検討
次に、酸化物膜３を互いに厚さの異なる第1の酸化物膜３ａおよび第２の酸化物膜３ｂから構成して、第1の酸化物膜３ａおよび第２の酸化物膜３ｂの膜厚について検討を行った。

実施例２
この実施例２の追記型光記録媒体１０は、上述の実施例１と同様に、ＴｉＳｉ膜２、ＧｅＯ膜３ａ、ＧｅＯ膜３ｂ、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂膜４ａ、ＳｉＮ膜４ｂ、光透過層５を基板１上に順次積層した構成を有する。

次に、この実施例２の追記型光記録媒体の製造方法について説明する。まず、実施例１と同様にして、基板１を成形し、この基板１上にＴｉＳｉ膜２を成膜した。そして、成膜時間を適宜調整して、ＧｅＯ膜３ａ、ＧｅＯ膜３ｂの膜厚をそれぞれ、６ｎｍ、１８ｎｍとする以外のことは上述の実施例１と同様にして、ＧｅＯ膜３ａ、ＧｅＯ膜３ｂをＴｉＳｉ膜２上に順次積層した。そして、これ以降の工程は上述の実施例１とすべて同様にして追記型光記録媒体１０を得た。

次に、上述のようにして得られた実施例２の追記型光記録媒体１０のパワーマージンを比較例１と同様にして測定した。その結果、実施例２の追記型光記録媒体１０のパワーマージンは２９．６％であり、そのパワーマージンは、比較例１に比べて大幅に広がっていることが分かった。

したがって、膜厚が互いに異なる第１の酸化物膜３ａおよび第２の酸化物膜３ｂから酸化物膜３を構成した場合にも、パワーマージンを大幅に広げることができることが分かる。

（１−３）酸化物膜の酸素濃度の検討
次に、酸化物膜３を第１の酸化物膜３ａおよび第２の酸化物膜３ｂから構成し、金属膜２側に成膜される第２の酸化物膜３ａの酸素組成、すなわち吸収係数を変えて複数のサンプルを作成し、酸化物膜３の酸素濃度について検討を行った。

実施例３
この実施例３の追記型光記録媒体１０は、上述の実施例１と同様に、ＴｉＳｉ膜２、ＧｅＯ膜３ａ、ＧｅＯ膜３ｂ、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂膜４ａ、ＳｉＮ膜４ｂ、光透過層５を基板１上に順次積層した構成を有する。

次に、この実施例３の追記型光記録媒体の製造方法について説明する。まず、実施例２と同様にして、基板１を成形し、この基板１上にＴｉＳｉ膜２を成膜した。次に、サンプル毎に、酸素組成、すなわち吸収係数が異なるＧｅＯ膜３ａをＴｉＳｉ膜２上に成膜した。なお、吸収係数が０．５〜０．９の範囲となるように、ＧｅＯ膜３ａの酸素組成を変えた。そして、これ以降の工程は上述の実施例２とすべて同様にして、サンプルとしての複数の追記型光記録媒体１０を得た。

次に、上述のようにして得られた複数の追記型光記録媒体１０のパワーマージンを比較例１と同様にして測定した。その結果を図１０に示す。図１０から、ＧｅＯ膜３ｂとＧｅＯ膜３ａとの吸収係数が等しい値となる０．５０から０．７７の範囲でパワーマージンが徐々に広がっていることが分かる。
また、詳細な説明は省略するが、ＧｅＯ膜３ｂの吸収係数が０．９８であるサンプルを作製し、このサンプルのパワーマージンを同様にして測定したところ、記録条件が大幅にずれてしまい、同一記録条件でのボトムジッターが２０％に悪化した。したがって、ＧｅＯ膜３ｂの吸収係数は０．９０以下であることが好ましい。

実施例４
さらに、単層構造のＧｅＯ膜３を有する比較例１の追記型光記録媒体１０を、酸素濃度を変えて複数作製し、これらの追記型光記録媒体１０のＣ／Ｎおよび変調度を測定した。
この実施例４の追記型記録媒体は、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂膜４ａを成膜せず、ＴｉＳｉ膜の膜厚を３０ｎｍ、ＧｅＯ膜の膜厚を２０ｎｍ、ＧｅＯ膜の吸収係数を０．４、ＳｉＮ膜の膜厚を６０ｎｍとした他は上述の実施例３と全く同一の条件である。
Ｃ／Ｎ測定は、マーク長０．６４μｍおよび０．１６μｍの単一搬送波を記録再生し、スペクトルアナライザ（Takeda Riken製、商品名：TR4171）を用いて評価した。これらのマーク長は、２３．３ＧＢ密度記録における、それぞれ８Ｔマーク、２Ｔマークに相当する。
その結果を図１１に示す。この結果から、吸収係数は０．１５以上であることが好ましい。
したがって、実施例３および実施例４の測定結果から、酸化物膜３を２層化した場合には、酸化物膜３の酸素組成は吸収係数０．１５以上０．９０以下であることが好ましい。

次に、第２の実施形態に対応する実施例５〜７について以下の検討の順序で説明する。
（２−１）金属膜の構成の検討
（２−２）２層構造を有する金属膜の膜厚の検討

（２−１）金属膜の構成の検討
まず、２層構造の金属膜２を有する追記型光記録媒体１０とを作製し、金属膜２の構成について検討を行った。以下に、この検討内容について説明する。

実施例５
図１２は、実施例５の追記型光記録媒体１０の膜構成を示す模式的断面図である。この実施例５の追記型光記録媒体１０は、ＴｉＳｉ膜２ａ、Ｔｉ膜２ｂ、ＧｅＯ膜３、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂膜４ａ、ＳｉＮ膜４ｂ、光透過層５を基板１上に順次積層した構成を有する。

次に、図１２を参照しながら、この実施例５の追記型光記録媒体の製造方法について説明する。まず、比較例１と同様にして、基板１を成形した。

次に、真空チャンバ内を真空引きした後、真空チャンバ内にＡｒガスを導入しながら、ＴｉＳｉターゲットをスパッタリングして、膜厚２２ｎｍのＴｉＳｉ膜２ａを基板１上に成膜した。このＴｉＳｉ膜２におけるＳｉの組成比を２０原子％とした。
この成膜工程における成膜条件の一例を以下に示す。
真空到達度：５．０×１０^-5Ｐａ
雰囲気：０．２Ｐａ
投入電力：３ｋＷ
Ａｒガス流量：３０ｓｃｃｍ

次に、真空チャンバ内を真空引きした後、真空チャンバ内にＡｒガスを導入しながら、Ｔｉターゲットをスパッタリングして、膜厚５ｎｍのＴｉ膜２ｂをＴｉＳｉ膜２ａ上に成膜した。ＴｉＳｉ膜２ａおよびＴｉ膜２ｂの膜厚の合計は、上述の比較例１と同様の２７ｎｍとなるように設定した。
この成膜工程における成膜条件の一例を以下に示す。
真空到達度：５．０×１０^-5Ｐａ
雰囲気：０．２Ｐａ
投入電力：３ｋＷ
Ａｒガス流量：３０ｓｃｃｍ
そして、これ以降の工程は上述の比較例１とすべて同様にして追記型光記録媒体１０を得た。

次に、上述のようにして得られた実施例５の追記型光記録媒体１０のパワーマージンを比較例１と同様にして測定した。その結果を図１３に示す。パワーマージンは３３％に広がっていることが分かった。したがって、金属膜２をＴｉＳｉ膜２ａとＴｉ膜２ｂとから構成することで、パワーマージンを大幅に広げることができる。

（２−２）２層構造を有する金属膜の膜厚の検討
次に、第１の金属膜２ａおよび第２の金属膜２ｂの膜厚が上述の実施例５とは異なる追記型光記録媒体１０を制作し、第１の金属膜２ａ、第２の金属膜２ｂの膜厚について検討を行った。

実施例６
この実施例６の追記型光記録媒体１０は、実施例５と同様に、ＴｉＳｉ膜２ａ、Ｔｉ膜２ｂ、ＧｅＯ膜３、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂膜４ａ、ＳｉＮ膜４ｂ、光透過層５を基板１上に順次積層した構成を有する。

次に、この実施例６の追記型光記録媒体の製造方法について説明する。まず、実施例５と同様にして、基板１を成形した。次に、成膜時間を適宜調整して、ＴｉＳｉ膜２ａの膜厚を１７ｎｍ、Ｔｉ膜２ｂの膜厚を１０ｎｍとする以外のことは上述の実施例５とすべて同様にして、ＴｉＳｉ膜２ａ、Ｔｉ膜２ｂを基板１上に積層した。なお、ＴｉＳｉ膜２ｂとＴｉ膜２ａとの膜厚の合計は、上述の実施例５と同様の２７ｎｍとなるように設定した。そして、これ以降の工程は上述の実施例１とすべて同様にして追記型光記録媒体１０を得た。

次に、上述のようにして得られた実施例６の追記型光記録媒体１０のパワーマージンを比較例１と同様にして測定した。その結果を図１４に示す。パワーマージンは３０％であり、やはり金属膜がＴｉＳｉ単層である比較例１に比べるとマージンが広がっていることが示された。但し、ボトムジッターが悪化しており、６．５％となった。
また、Ｔｉ膜３ｂの膜厚を１１ｎｍ以上する以外は実施例６と同様にして追記型光記録媒体１０を作製したところ、ボトムジッターは更に悪化し、７％を超えてしまい、ＢＤの規格値を満たさない範囲となった。したがって、Ｔｉ膜３ｂの膜厚としては１０ｎｍ以下であることがより好ましい。

実施例７
この実施例７の追記型光記録媒体１０は、実施例５と同様に、ＴｉＳｉ膜２ｂ、Ｔｉ膜２ｂ、ＧｅＯ膜３、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂膜４ａ、ＳｉＮ膜４ｂ、光透過層５を基板１上に積層した順次構成を有する。

次に、この実施例７の追記型光記録媒体の製造方法について説明する。まず、実施例５と同様にして、基板１を成形した。次に、成膜時間を適宜調整して、ＴｉＳｉ膜２ａの膜厚を２５ｎｍ、Ｔｉ膜２ｂの膜厚を２ｎｍとする以外のことは上述の実施例５とすべて同様にして、ＴｉＳｉ膜２ａ、Ｔｉ膜２ｂを基板１上に積層した。なお、ＴｉＳｉ膜２ｂとＴｉ膜２ａとの膜厚の合計は、上述の実施例５と同様の２７ｎｍとなるように設定した。そして、これ以降の工程は上述の実施例５とすべて同様にして追記型光記録媒体１０を得た。

次に、上述のようにして得られた実施例７の追記型光記録媒体１０のパワーマージンを比較例１と同様にして測定した。その結果を図１５に示す。パワーマージンは２８．６％であった。Ｔｉ膜２ｂが薄くなっていることによりパワーマージンがやや狭くなっているが、ＴｉＳｉ膜２ｂが単層である比較例１に比べるとパワーマージンは十分広がっており、また、ボトムジッターは５．５％であり、良好な値が得られた。
また、Ｔｉ膜２ｂの膜厚を１nmにする以外は実施例７と同様にして追記型光記録媒体１０を作製し、パワーマージンを測定したところ、パワーマージンはＴｉＳｉ膜２ｂのみの比較例１とほぼ同じ値となった。これは、Ｔｉ膜２ａが薄すぎて効果が得られなくなったためと考えられる。
したがって、本発明の効果を十分得るためには、Ｔｉ膜２の膜厚は２nm以上１０nm以下であることがより好ましい。

次に、第３の実施形態に対応する実施例８〜９について以下の検討の順序で説明する。
（３−１）金属膜の窒化の検討
（３−２）窒素混入量の検討

（３−１）金属膜の窒化の検討
次に、金属膜２が窒化された追記型光記録媒体１０を作製し、金属膜２を窒化することによる効果を検討した。以下に、この検討内容について説明する。

比較例２
この比較例２の追記型光記録媒体１０は、比較例１と同様に、ＴｉＳｉ膜２、ＧｅＯ膜３、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂膜４ａ、ＳｉＮ膜４ｂ、光透過層５を基板１上に順次積層した構成を有する。

次に、この比較例２の追記型光記録媒体の製造方法について説明する。まず、比較例１と同様にして、基板１を成形した。そして、ターゲットの組成を適宜調整する以外のことは比較例１と同様にして、Ｓｉの組成比が２７原子パーセントのＴｉＳｉ膜２を基板１上に積層した。

次に、ターゲットの組成および成膜時間を適宜調整する以外のことは上述の比較例１と同様にして、吸収係数０．４０、膜厚２５ｎｍのＧｅＯ膜３をＴｉＳｉ膜２上に成膜した。
そして、これ以降の工程は上述の比較例１とすべて同様にして追記型光記録媒体１０を得た。

次に、上述のようにして得られた比較例２の追記型光記録媒体１０に対して、マルチパルス（Ｎ−１ライトストラテジー、ブルーレイディスク規格書準拠）にて記録を行った。最適記録光強度は、ピークパワーＰｗが５．９ｍＷ、スペースパワーＰｓが２．８ｍＷ、ボトムパワーＰｂが０．８ｍＷ、クーリングパワーＰｃが０．５ｍＷとした（それぞれのパワーレベルの定義は、ブルーレイディスク規格書準拠のものである）。この際のLeading jitterは５．０％、Trailing jitterは５．４％であった。

また、パワーマージンの測定では、ピークパワーＰｗとスペースパワーＰｓの比を保ったままパワーを変えてゆき、その他のパワーは固定としてジッターを測定した。ここでは、マージンとしては境界値をジッター８．５％とし、これを下回るピークパワーPwの範囲の幅を、最適パワーＰｗｏで割ったものをパワーマージンと定義する。図１６に、比較例２の追記型光記録媒体１０に対してパワーを変えて情報信号を記録した場合の結果を示す。図１６から、パワーマージンは２５％であることが分かる。

実施例８
図１７は、実施例８の追記型光記録媒体１０の膜構成を示す模式的断面図である。この実施例８の追記型光記録媒体１０は、ＴｉＳｉＮ膜２、ＧｅＯ膜３、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂膜４ａ、ＳｉＮ膜４ｂ、光透過層５を基板１上に順次積層した構成を有する。

次に、図１７を参照しながら、この実施例８の追記型光記録媒体の製造方法について説明する。まず、比較例１と同様にして、基板１を成形した。

次に、真空チャンバ内を真空引きした後、真空チャンバ内にＡｒガスおよびＮ₂ガスを導入しながら、ＴｉＳｉＮターゲットをスパッタリングして、膜厚２７ｎｍのＴｉＳｉＮ膜２を基板１上に成膜した。
この成膜工程における成膜条件の一例を以下に示す。
真空到達度：５．０×１０^-5Ｐａ
雰囲気：０．２Ｐａ
投入電力：３ｋＷ
Ａｒガス流量：３０ｓｃｃｍ
Ｎ₂ガス流量：３ｓｃｃｍ
そして、これ以降の工程は上述の比較例２とすべて同様にして追記型光記録媒体１０を得た。

次に、上述のようにして得られた追記型光記録媒体１０のパワーマージンを比較例２と同様にして測定した。その結果を図１８に示す。図１８からパワーマージンが比較例２に比して大幅に向上し、３１パーセントに達していることが分かる。

（３−２）窒素混入量の検討
次に、ＴｉＳｉＮ膜２に対する窒素混入量を変えてサンプルとしての複数の追記型光記録媒体１０を作製し、窒素混入量の検討を行った。以下に、この検討内容について説明する。

実施例９
この実施例９の追記型光記録媒体１０は、上述の実施例１と同様に、ＴｉＳｉＮ膜２、ＧｅＯ膜３、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂膜４ａ、ＳｉＮ膜４ｂ、光透過層５を基板１上に順次積層した構成を有する。ＴｉＳｉＮ膜２の窒素の混入量は媒体毎に異なるものとなっている。

次に、この実施例２の追記型光記録媒体の製造方法について説明する。まず、比較例１と同様にして、基板１を成形した。次に、窒素ガス流量を０〜９ｓｃｃｍの範囲で媒体毎に変更するなど成膜条件を適宜調整する以外のことは上述の実施例８と同様にして、窒素の組成比が２〜２３原子％の範囲のＴｉＳｉＮ膜２を基板上に成膜した。
これ以降の工程は上述の比較例１とすべて同様にして、サンプルとしての複数の追記型光記録媒体１０を得た。

図１９に、上述のようにして得られた実施例９の追記型光記録媒体１０の窒素ガス流量、最適記録パワー、そのパワーにおけるジッター値が得られるパワーマージン(peak to peak)、およびＴｉＳｉＮ膜中の窒素組成を示す。ここで、パワーマージンの定義は比較例２と同一とする。記録再生条件は、記録を１倍速（４．９２ｍ／ｓ）とした以外は実施例８と同様である。
ここで、窒素組成はＸ線光電子分析装置（ESCA,ULVAC-PHI ESCA5400MC）を用いて以下のようにして測定したものである。まず、グルーブの無い鏡面ポリカーボネート基板上にＴｉＳｉ（Ｎ）を３０ｎｍ成膜し、保護膜としてＡｇを５ｎｍ程度成膜してサンプルを作製した。そして、イオンエッチングにて表面を１５ｎｍ程度けずり、ＴｉＳｉ表面を露出させて窒素組成を測定した。定量分析は、Ｔｉ，Ｓｉ，Ｏ，Ｎを合計したものを１００％とし、窒素の組成を原子比で示したものである。なお、Ｘ線はＭｇＫα、出力は１４ｋＶ（４００Ｗ）、分析径は１．１ｍｍφ、真空度１．２×１０^-5Ｐａ、光電子脱出角度４５度である。

また、Ｘ線光電子分析装置（ESCA,ULVAC-PHI ESCA5400MC）を用いると窒素がＴｉもしくはＳｉのどちらに結合しているかを明らかにできる。そこで、ＴｉおよびＳｉのスペクトルのずれを観測したところ、Ｔｉにピークのシフトが観測された一方で、Ｓｉはほとんど変化していなかったため、窒素のうち殆どはＴｉに結合していることが判明した。

図１９の記録特性から以下のことが分かる。すなわち、窒素ガス流量を３ｓｃｃｍにして、窒素組成を７原子％含めることにより、窒素を流さない場合に比べるとパワーマージンが２０％から２４％へ、大幅に向上していることが分かる。この際、ボトムジッターは共に５．５％程度でほぼ同じレベルである。記録感度は０．１ｍＷ悪化しているが、この程度の記録感度の悪化は問題のないレベルである。

さらに、窒素ガス流量を増やして、窒素ガス流量を６ｓｃｃｍとし、窒素組成を１５原子％とすると、パワーマージンは２２％となり、窒素ガス流量３ｓｃｃｍの場合に比して若干狭まるが、窒素ガス流量０ｓｃｃｍの場合のパワーマージン２０％よりは改善されている。一方、ボトムジッターは若干悪化し、記録感度は更に悪化している。

窒素流量を９ｓｃｃｍ、窒素組成を２３原子％にすると、ジッターは８％以上となるため、Ｔｉ合金膜であるＴｉＳｉ膜２に窒素を混入させる場合には、窒素組成でおよそ２０原子％以下までが好ましい範囲である。

次に、第４の実施形態に対応する実施例１０について説明する。
（４）酸化物膜に対する添加物の混入の検討
次に、酸化物膜３に対するアンチモンの混入量を変化させて複数の追記型光記録媒体１０を作製し、酸化物膜３に対するアンチモンの混入量について検討を行った。以下に、この検討内容について説明する。

実施例１０
図２０は、実施例１０の追記型光記録媒体の膜構成を示す模式的断面図である。この実施例１０の追記型光記録媒体１０は、ＴｉＳｉ膜２、ＧｅＳｂＯ膜３、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂膜４ａ、ＳｉＮ膜４ｂ、光透過層５を基板１上に順次積層した構成を有する。酸化物膜３であるＧｅＳｂＯ膜３がＳｂを含有している点において、実施例１０と比較例１とは異なる。

次に、図２０を参照しながら、この実施例１０の追記型光記録媒体の製造方法について説明する。まず、比較例１と同様にして、基板１を成形し、この基板１上にＴｉＳｉ膜２を成膜した。

次に、真空チャンバ内を真空引きした後、真空チャンバ内にＡｒガスを導入しながら、ＧｅＳｂＯターゲットをスパッタリングして、膜厚２２ｎｍのＧｅＳｂＯ膜３を基板１上に成膜した。なお、媒体毎にアンチモンの組成比が異なるＧｅＳｂＯターゲットを用いてＧｅＳｂＯ膜の成膜を行った。
この成膜工程における成膜条件の一例を以下に示す。
真空到達度：５．０×１０^-5Ｐａ
雰囲気：０．２Ｐａ
投入電力：２ｋＷ
Ａｒガス流量：３０ｓｃｃｍ
そして、これ以降の工程は上述の比較例１とすべて同様にして複数の追記型光記録媒体１０を得た。

次に、上述のようにして得られた追記型光記録媒体１０のパワーマージンを比較例１と同様にして測定した。その結果を図２１に示す。図２１から、Ｓｂを１原子％混ぜることでは記録感度、パワーマージン共に大きな改善は見られないが、２原子％混ぜるとパワーマージンが大幅に改善することが分かる。また、その際にボトムジッターはほぼ同等である。
さらに、Ｓｂを１０原子％以上混ぜると、記録時のノイズが上昇することが原因でボトムジッターが悪化し、パワーマージンも狭くなる。したがって、Ｓｂ添加量としては、１原子％以上６原子％以下が好ましい。

次に、第５の実施形態に対応する実施例１１〜１２について説明する。
（３）青色レーザによるＢＣＡの形成方法の検討
次に、青色レーザによるＢＣＡの形成方法について検討を行った。以下に、この検討内容について説明する。

実施例１１
この実施例１５の追記型光記録媒体１０は、ＴｉＳｉ膜２、ＧｅＯ膜３、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂膜４ａ、ＳｉＮ膜４ｂ、光透過層５を基板１上に順次積層した構成を有する。

以下、実施例１５の追記型光記録媒体１０の製造方法について説明する。まず、射出成形法により、一主面にイングルーブ１１Ｇおよびオングルーブ１１Ｌが設けられた基板１を成形した。樹脂材料としては、ポリカーボネート樹脂を用いた。また、トラックピッチを０．３２μｍとし、イングルーブ１１Ｇの深さを２１ｎｍとし、オングルーブ１１Ｌをウォブル（蛇行）させてアドレス情報を付加した。

次に、真空チャンバ内を真空引きした後、真空チャンバ内にＡｒガスを導入しながら、ＴｉＳｉターゲットをスパッタリングして、膜厚２７ｎｍのＴｉＳｉ膜２を基板１上に成膜した。このＴｉＳｉ膜２におけるＳｉの組成比を２７原子％とした。
この成膜工程における成膜条件を以下に示す。
真空到達度：５．０×１０^-5Ｐａ
雰囲気：０．２Ｐａ
投入電力：３ｋＷ
Ａｒガス流量：３０ｓｃｃｍ

次に、真空チャンバ内を真空引きした後、真空チャンバ内にＡｒガスを導入しながら、Ｇｅ酸化物ターゲットをスパッタリングして、膜厚２６ｎｍのＧｅＯ膜３をＴｉＳｉ膜２上に成膜した。なお、Ｇｅ酸化物ターゲットの酸素組成は、ＧｅＯ膜３の吸収係数ｋが０．４０となるように調整した。
この成膜工程における成膜条件を以下に示す。
真空到達度：５．０×１０^-5Ｐａ
雰囲気：０．２Ｐａ
投入電力：２ｋＷ
Ａｒガス流量：３０ｓｃｃｍ

次に、真空チャンバ内を真空引きした後、真空チャンバ内にＡｒガスを導入しながら、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂ターゲットをスパッタリングして、膜厚４５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２膜４ａをＧｅＯ膜３上に成膜した。
この成膜工程における成膜条件を以下に示す。
真空到達度：５．０×１０^-5Ｐａ
雰囲気：０．１Ｐａ
投入電力：１ｋＷ
Ａｒガス流量：６ｓｃｃｍ

次に、真空チャンバ内を真空引きした後、真空チャンバ内にＡｒガスおよびＮ₂ガスを導入しながら、Ｓｉターゲットをスパッタリングして、膜厚７ｎｍのＳｉＮ膜４ｂを基板１上に成膜した。
この成膜工程における成膜条件を以下に示す。
真空到達度：５．０×１０^-5Ｐａ
雰囲気：０．３Ｐａ
投入電力：４ｋＷ
Ａｒガス流量：５０ｓｃｃｍ
Ｎ₂ガス流量：３７ｓｃｃｍ

次に、円環形状のポリカーボネートシートを、このシート一主面に予め塗布された感圧性粘着材（ＰＳＡ）により基板１上に貼り合わせて、厚さ０．１ｍｍの光透過層５を形成した。

次に、波長４０５ｎｍのレーザ光をパルス状に変調して、光透過層５の側からＢＣＡに照射した。これにより、ＢＣＡにバーコード状の記録マークが形成された追記型光記録媒体１０を得た。なお、ビーム幅を約５μｍ、線速度を１０ｍ／ｓ、レーザ照射パワーを１６０ｍＷ、１回転あたりのビーム送り量を２μｍとした。

実施例１２
次に、波長８００ｎｍ帯のレーザ光を照射して記録マークを形成する以外のことは上述の実施例１５とすべて同様にして、ＢＣＡにバーコードが形成された追記型光記録媒体１０を得た。

次に、上述のようにして得られた実施例１１〜１２のＢＣＡに記録された信号を再生し、この再生信号を評価した。

図２２（ａ）は、ＢＣＡに形成される記録マークのイメージを示す。図２２（ｂ）は、実施例１１の再生信号の波形を示す。図２２（ｃ）は、実施例１２の再生信号の波形を示す。なお、図２２（ｂ）および図２２（ｃ）では、実施例１１および実施例１２の比較を容易にするため微少なノイズの図示は省略している。

図２２（ｂ）および図２２（ｃ）を比較すると以下のことが分かる。すなわち、実施例１２では、記録マークの境界部分に急激に反射率が高くなる領域があるのに対して、実施例１１では、記録マークの境界部分に急激に反射率が高くなる領域がないことが分かる。これは、８００ｎｍ帯のレーザでは波長依存性があるため、４００ｎｍ帯での記録再生に最適化された追記型光記録媒体１０ではＢＣＡに対する情報信号の記録が困難であるためと考えられる。また、図示は省略するが、実施例１１では、ＢＣＡ部の全体の信号レベルも比較的均一であった。

次に、第６の実施形態に対応する実施例１３〜３２について説明する。
（４）赤外レーザによるＢＣＡの形成方法の検討
次に、赤外レーザによるＢＣＡの形成方法について検討を行った。以下に、この検討内容について説明する。

実施例１３〜１７
まず、上述の実施例１１とすべて同様にして複数の追記型光記録媒体１０を得た。次に、上述のようにして得られた複数の追記型光記録媒体１０ごとに光学ヘッドスキャンスピードを３ｍ／ｓ〜１１ｍ／ｓの範囲で変えて、出力パワー４０００ｍＷ、波長８１０ｎｍのレーザ光をパルス状に変調して、基板１側からＢＣＡに照射した。これにより、ＴｉＳｉ膜２、ＧｅＯ膜３、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂膜４ａおよびＳｉＮ膜４ｂを溶融除去され、ＢＣＡにバーコード状のマークが形成された複数の追記型光記録媒体１０を得た。なお、ビーム幅を約３０μｍ、レーザ照射パワーを４０００ｍＷ、１回転あたりのビーム送り量を１０μｍとした。

実施例１８〜２２
出力パワー３４００ｍＷにする以外のことは上述の実施例１３〜１７とすべて同様にして、ＢＣＡにバーコード状のマークが形成された複数の追記型光記録媒体１０を得た。

実施例２３〜２７
光透過層側からＢＣＡにレーザ光を照射する以外のことは実施例１３〜１７とすべて同様にして、ＢＣＡにバーコード状のマークが形成された複数の追記型光記録媒体１０を得た。

実施例２８〜３２
光透過層側からＢＣＡにレーザ光を照射する以外のことは実施例１８〜２２とすべて同様にして、ＢＣＡにバーコード状のマークが形成された複数の追記型光記録媒体１０を得た。

上述の実施例１３〜３２では、実用上の観点から、波長８１０ｎｍの赤外レーザを用いたが、レーザ光の波長は適宜選択できるものであり、赤外レーザは、波長８１０ｎｍのものに限定されるものではなく、例えば７２０ｎｍ〜２５００ｎｍの波長範囲のものを用いることができる。上述の実施例１３〜３２において波長８１０ｎｍのレーザ光を用いたのは具体的には以下の理由による。すなわち、基板１上の積層膜を破壊除去することが可能なレーザパワーを、波長８１０ｎｍ以外のレーザでは得ることが困難である。すなわち、６５０ｎｍ帯や４００ｎｍ帯のレーザではレーザパワーが不足であるため、積層膜を破壊除去することは困難である。

次に、上述のようにして得られた実施例１３〜３２のＢＣＡに記録された信号を再生し、この再生信号を評価した。

図２３は、実施例１３〜１７のＢＣＡの再生信号の評価結果を示す。図２４は、実施例１８〜２２のＢＣＡの再生信号の評価結果を示す。図２５は、実施例２３〜２７のＢＣＡの再生信号の評価結果を示す。図２６は、実施例２８〜３２のＢＣＡの再生信号の評価結果を示す。図２７は、実施例１３〜１７の再生信号を示す。図２８は、実施例１８〜２２の再生信号を示す。図２９は、実施例２３〜２７の再生信号を示す。図３０は、実施例２８〜３２の再生信号を示す。なお、図２３〜図２６の評価結果の欄において、「○」は、ＢＣＡ部の信号レベルが比較的均一で、且つ、マークの境界部分に急激に反射率が高くなる領域がない再生信号を示し、「×」は、ＢＣＡ部の信号レベルが均一でなく、且つ、マークの境界部分に急激に反射率が高くなる領域がある再生信号を示している。また、図２７〜図３０のＡ〜Ｅの各図において、下部に示された信号波形は、上部に示された信号波形の一部を拡大したものである。Ａ〜Ｅはそれぞれ、スキャンスピード３ｍ／ｓ〜１１ｍ／ｓにてＢＣＡを形成した追記型光記録媒体１０の信号波形に対応する。

図２３〜図２６から、光透過層５側からレーザ光を照射した場合には、光学ヘッドスキャンスピードおよびレーザパワーに関わらず、ＢＣＡ部の信号レベルが均一でなく、且つ、マークの境界部分に急激に反射率が高くなる領域があることが分かる。
これに対して、基板１側からレーザ光を照射した場合には、光学ヘッドスキャンスピードを５ｍ／ｓ〜９ｍ／ｓ、レーザパワーを３４００ｍＷ〜４０００ｍＷの範囲とすることにより、ＢＣＡ部の信号レベルが比較的均一で、且つ、マークの境界部分に急激に反射率が高くなる領域がないことが分かる。

以上、この発明の第１〜第６の実施形態について具体的に説明したが、この発明は、上述の第１〜第６の実施形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

例えば、上述の第１〜第６の実施形態において挙げた数値はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる数値を用いてもよい。

また、上述の第１〜第６の実施形態において、酸化物膜３を３以上の複数層から構成するようにしてもよい。また、金属膜２を３以上の複数層から構成するようにしてもよい。

また、上述の第１〜第６の実施形態では、金属膜３をＴｉから構成する場合について説明したが、Ｔｉ以外の光触媒効果を発現する金属材料などから金属膜３を構成しても、上述の第１〜第６の実施形態と同様に情報信号を記録可能な追記型光記録媒体が得られると考えられる。

この発明の第１の実施形態による追記型光記録媒体の一構成例を示す概略断面図である。 この発明の第２の実施形態による追記型光記録媒体の一構成例を示す概略断面図である。 この発明の第３の実施形態による追記型光記録媒体の一構成例を示す概略断面図である。 この発明の第５の実施形態による追記型光記録媒体を示す平面図である。 この発明の第５の実施形態による追記型光記録媒体に対する固有情報の記録に用いられる記録装置の構成を示すブロック図である。 図６（ａ）は、ＢＣＡに形成された記録マークの一例を示す略線図、図６（ｂ）は、ＢＣＡに記録された固有情報を再生したときの再生信号の波形の一例を示す略線図である。 比較例１の追記型光記録媒体の膜構成を示す模式的断面図である。 比較例１の追記型光記録媒体１０のピークパワーＰｗとジッターとの関係を示すグラフである。 実施例１の追記型光記録媒体の膜構成を示す模式的断面図である。 実施例３の追記型光記録媒体の吸収係数とパワーマージンとの関係を示すグラフである。 実施例４の追記型光記録媒体の吸収係数とＣ／Ｎ比および変調度との関係を示すグラフである。 実施例５の追記型光記録媒体の膜構成を示す模式的断面図である。 実施例５の追記型光記録媒体のピークパワーＰｗとジッターとの関係を示すグラフである。 実施例６の追記型光記録媒体のピークパワーＰｗとジッターとの関係を示すグラフである。 実施例７の追記型光記録媒体のピークパワーＰｗとジッターとの関係を示すグラフである。 実施例７の追記型光記録媒体のピークパワーＰｗとジッター、変調度およびアシメトリーとの関係を示すグラフである。 実施例８の追記型光記録媒体の膜構成を示す模式的断面図である。 実施例８の追記型光記録媒体のピークパワーＰｗとジッター、変調度およびアシメトリーとの関係を示すグラフである。 実施例９の追記型光記録媒体の窒素ガス流量、最適記録パワー、ジッター、パワーマージンおよびＴｉ合金膜中の窒素組成を示す表である。 実施例１０の追記型光記録媒体の膜構成を示す模式的断面図である。 実施例１０の追記型光記録媒体のＳｂの組成、最適記録パワー、ジッターおよびパワーマージンを示す表である。 図２２（ａ）は、ＢＣＡに形成される記録マークのイメージを示す略線図、図２２（ｂ）は、実施例１５の再生信号の波形を示す略線図、図２２（ｃ）は、実施例１６の再生信号の波形を示す略線図である。 実施例１３〜１７の再生信号の評価結果を示す表である。 実施例１８〜２２の再生信号の評価結果を示す表である。 実施例２３〜２７の再生信号の評価結果を示す表である。 実施例２８〜３２の再生信号の評価結果を示す表である。 実施例１３〜１７のＢＣＡの再生信号を示す略線図である。 実施例１８〜２２のＢＣＡの再生信号を示す略線図である。 実施例２３〜２７のＢＣＡの再生信号を示す略線図である。 実施例２８〜３２のＢＣＡの再生信号を示す略線図である。

符号の説明

１ 基板
２ 金属膜
２ａ 第１の金属膜
２ｂ 第２の金属膜
３ 酸化物膜
３ａ 第１の酸化物膜
３ｂ 第１の酸化物膜
４ 誘電体膜
５ 光透過層
６ 無機記録膜
１０ 追記型光記録媒体

Claims (61)

1. 無機記録膜を有する追記型光記録媒体であって、
   上記記録膜が、
   ゲルマニウムの酸化物からなる酸化物膜と、
   上記酸化物膜に隣接する隣接膜と
   を備え、
   上記酸化物膜が、第１および第２の酸化物膜からなり、
   上記第１および第２の酸化物膜の吸収係数は互いに異なることを特徴とする追記型光記録媒体。
2. 上記隣接膜が、チタンからなることを特徴とする請求項１記載の追記型光記録媒体。
3. 上記隣接膜が、シリコンをさらに含有することを特徴とする請求項２記載の追記型光記録媒体。
4. 上記隣接膜のシリコンの組成比が、８原子％以上３２原子％以下であることを特徴とする請求項３記載の追記型光記録媒体。
5. 上記第１および第２の酸化物膜の吸収係数をそれぞれｋ₁、ｋ₂としたとき、上記吸収係数ｋ₁、ｋ₂がそれぞれ０．１５≦ｋ₁、ｋ₂≦０．９０の関係を満たすことを特徴とする請求項１記載の追記型光記録媒体。
6. 上記第１の酸化物膜が上記隣接膜と接するように設けられ、
   上記第１および第２の酸化物膜の吸収係数をそれぞれｋ₁、ｋ₂としたとき、上記吸収係数ｋ₁、ｋ₂がｋ₁＞ｋ₂の関係を満たすことを特徴とする請求項１記載の追記型光記録媒体。
7. 上記酸化物膜の上記隣接膜とは反対側の面には、誘電体膜がさらに設けられていることを特徴とする請求項１記載の追記型光記録媒体。
8. 上記誘電体膜が、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂からなることを特徴とする請求項７記載の追記型光記録媒体。
9. 上記誘電体膜が、上記酸化物膜に隣接する第１の誘電体膜と、該第１の誘電体膜に隣接する第２の誘電体膜とを備え、
   上記第１の誘電体膜がＺｎＳ−ＳｉＯ₂からなり、上記第２の誘電体膜がＳｉＮからなることを特徴とする請求項７に記載の追記型光記録媒体。
10. 識別情報が記録された識別情報記録領域を有し、
    上記識別情報は、上記酸化物膜に上記識別情報に応じた記録マークを形成することにより記録されていることを特徴とする請求項１記載の追記型光記録媒体。
11. 識別情報が記録された識別情報記録領域を有し、
    上記識別情報は、上記無機記録膜を上記識別情報に応じたパターンで除去することにより記録されていることを特徴とする請求項１記載の追記型光記録媒体。
12. 無機記録膜を有する追記型光記録媒体の製造方法であって、
    ゲルマニウムの酸化物からなる酸化物膜を成膜する工程と、
    金属からなる隣接膜を成膜する工程と
    を備え、
    上記酸化物膜の成膜工程は、
    ゲルマニウムの酸化物からなる第１の酸化物膜を成膜する工程と
    上記第１の酸化物膜とは吸収係数が異なるゲルマニウムの酸化物からなる第２の酸化物膜を成膜する工程と
    を備え、
    上記酸化物膜および上記隣接膜の成膜工程では、上記酸化物膜と上記隣接膜とは隣接するように成膜されることを特徴とする追記型光記録媒体の製造方法。
13. 上記酸化物膜および上記隣接膜の成膜工程を連続して行うことを特徴とする請求項１２記載の追記型光記録媒体の製造方法。
14. 上記酸化物膜の成膜工程では、ゲルマニウムの酸化物からなるターゲットをスパッタリングすることにより上記酸化物膜を成膜することを特徴とする請求項１２記載の追記型光記録媒体の製造方法。
15. 波長３５０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下のレーザ光を上記酸化物膜側から上記追記型光記録媒体に対して照射することにより、識別情報を記録する工程をさらに備えることを特徴とする請求項１２記載の追記型光記録媒体の製造方法。
16. レーザ光を上記隣接膜側から上記追記型光記録媒体に対して照射することにより、識別情報を記録する工程をさらに備えることを特徴とする請求項１２記載の追記型光記録媒体の製造方法。
17. 上記レーザ光は、光学ヘッドスキャンスピード５ｍ／ｓ以上９ｍ／ｓ以下、レーザパワー３４００ｍＷ以上４０００ｍＷ以下の条件で上記追記型光記録媒体に照射されることを特徴とする請求項１６記載の追記型光記録媒体の製造方法。
18. 無機記録膜を有する追記型光記録媒体であって、
    上記無機記録膜が、
    ゲルマニウムの酸化物からなる酸化物膜と、
    上記酸化物膜に隣接する隣接膜と
    を備え、
    上記隣接膜が、
    チタンからなる第１の隣接膜と、
    チタンおよびシリコンからなる第２の隣接膜と
    を備え、
    上記第１の隣接膜が上記酸化物膜側に設けられていることを特徴とする追記型光記録媒体。
19. 上記記録膜のＴｉの膜厚ｄが、２nm≦ｄ≦１０nmの範囲に設定されていることを特徴とする請求項１８記載の追記型光記録媒体。
20. 上記第２の隣接膜のシリコンの組成比が、８％原子％以上３２原子％以下であることを特徴とする請求項１８記載の追記型光記録媒体。
21. 上記酸化物膜の吸収係数ｋが、０．１５≦ｋ≦０．９０の範囲であることを特徴とする請求項１８記載の追記型光記録媒体。
22. 上記酸化物膜の上記隣接膜とは反対側の面には、誘電体膜がさらに設けられていることを特徴とする請求項１８記載の追記型光記録媒体。
23. 上記誘電体膜が、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂からなることを特徴とする請求項２２記載の追記型光記録媒体。
24. 上記誘電体膜が、上記酸化物膜に隣接する第１の誘電体膜と、該第１の誘電体膜に隣接する第２の誘電体膜とを備え、
    上記第１の誘電体膜がＺｎＳ−ＳｉＯ₂からなり、上記第２の誘電体膜がＳｉＮからなることを特徴とする請求項２２に記載の追記型光記録媒体。
25. 識別情報が記録された識別情報記録領域を有し、
    上記識別情報は、上記酸化物膜に上記識別情報に応じた記録マークを形成することにより記録されていることを特徴とする請求項１８記載の追記型光記録媒体。
26. 識別情報が記録された識別情報記録領域を有し、
    上記識別情報は、上記無機記録膜を上記識別情報に応じたパターンで除去することにより記録されていることを特徴とする請求項１８記載の追記型光記録媒体。
27. 無機記録膜を有する追記型光記録媒体の製造方法であって、
    ゲルマニウムの酸化物からなる酸化物膜を成膜する工程と、
    金属からなる隣接膜を成膜する工程と
    を備え、
    上記隣接膜の成膜工程は、
    チタンからなる第１の隣接膜を成膜する工程と、
    チタンおよびシリコンからなる第２の隣接膜を成膜する工程と
    上記酸化物膜および上記隣接膜の成膜工程では、上記酸化物膜と上記隣接膜とは隣接するように成膜されることを特徴とする追記型光記録媒体の製造方法。
28. 上記酸化物膜および上記隣接膜の成膜工程を連続して行うことを特徴とする請求項２７記載の追記型光記録媒体の製造方法。
29. 上記酸化物膜の成膜工程では、ゲルマニウムの酸化物からなるターゲットをスパッタリングすることにより上記酸化物膜を成膜することを特徴とする請求項２７記載の追記型光記録媒体の製造方法。
30. 波長３５０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下のレーザ光を上記酸化物膜側から上記追記型光記録媒体に対して照射することにより、識別情報を記録する工程をさらに備えることを特徴とする請求項２７記載の追記型光記録媒体の製造方法。
31. レーザ光を上記隣接膜側から上記追記型光記録媒体に対して照射することにより、識別情報を記録する工程をさらに備えることを特徴とする請求項２７記載の追記型光記録媒体の製造方法。
32. 上記レーザ光は、光学ヘッドスキャンスピード５ｍ／ｓ以上９ｍ／ｓ以下、レーザパワー３４００ｍＷ以上４０００ｍＷ以下の条件で上記追記型光記録媒体に照射されることを特徴とする請求項３１記載の追記型光記録媒体の製造方法。
33. 無機記録膜を有する追記型光記録媒体であって、
    上記無機記録膜が、
    ゲルマニウムの酸化物からなる酸化物膜と、
    金属の窒化物からなる隣接膜と
    を備えることを特徴とする追記型光記録媒体。
34. 上記隣接膜が、チタンからなることを特徴とする請求項３３記載の追記型光記録媒体。
35. 上記隣接膜が、シリコンをさらに含有することを特徴とする請求項３４記載の追記型光記録媒体。
36. 上記隣接膜のシリコンの組成比が、８原子％以上３２原子％以下であることを特徴とすることを特徴とする請求項３５記載の追記型光記録媒体。
37. 上記隣接膜の窒素の組成が、1原子％以上２０原子％以下の範囲であることを特徴とする請求項３３記載の追記型光記録媒体。
38. 上記酸化物膜の吸収係数ｋが、０．１５≦ｋ≦０．９０の範囲であることを特徴とする請求項３３記載の追記型光記録媒体。
39. 上記酸化物膜の上記隣接膜とは反対側の面には、誘電体膜がさらに設けられていることを特徴とする請求項３３記載の追記型光記録媒体。
40. 上記誘電体膜が、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂からなることを特徴とする請求項３９記載の追記型光記録媒体。
41. 上記誘電体膜が、上記酸化物膜に隣接する第１の誘電体膜と、該第１の誘電体膜に隣接する第２の誘電体膜とを備え、
    上記第１の誘電体膜がＺｎＳ−ＳｉＯ₂からなり、上記第２の誘電体膜がＳｉＮからなることを特徴とする請求項３９に記載の追記型光記録媒体。
42. 識別情報が記録された識別情報記録領域を有し、
    上記識別情報は、上記酸化物膜に上記識別情報に応じた記録マークを形成することにより記録されていることを特徴とする請求項３３記載の追記型光記録媒体。
43. 識別情報が記録された識別情報記録領域を有し、
    上記識別情報は、上記無機記録膜を上記識別情報に応じたパターンで除去することにより記録されていることを特徴とする請求項３３記載の追記型光記録媒体。
44. 無機記録膜を有する追記型光記録媒体の製造方法であって、
    ゲルマニウムの酸化物からなる酸化物膜を成膜する工程と、
    金属の窒化物からなる隣接膜を成膜する工程と
    を備え、
    上記酸化物膜および上記隣接膜の成膜工程では、上記酸化物膜と上記隣接膜とは隣接するように成膜されることを特徴とする追記型光記録媒体の製造方法。
45. 上記酸化物膜および上記隣接膜の成膜工程を連続して行うことを特徴とする請求項４４記載の追記型光記録媒体の製造方法。
46. 上記酸化物膜の成膜工程では、ゲルマニウムの酸化物からなるターゲットをスパッタリングすることにより上記酸化物膜を成膜することを特徴とする請求項４４記載の追記型光記録媒体の製造方法。
47. 波長３５０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下のレーザ光を上記酸化物膜側から上記追記型光記録媒体に対して照射することにより、識別情報を記録する工程をさらに備えることを特徴とする請求項４４記載の追記型光記録媒体の製造方法。
48. レーザ光を上記隣接膜側から上記追記型光記録媒体に対して照射することにより、識別情報を記録する工程をさらに備えることを特徴とする請求項４４記載の追記型光記録媒体の製造方法。
49. 上記レーザ光は、光学ヘッドスキャンスピード５ｍ／ｓ以上９ｍ／ｓ以下、レーザパワー３４００ｍＷ以上４０００ｍＷ以下の条件で上記追記型光記録媒体に照射されることを特徴とする請求項４８記載の追記型光記録媒体の製造方法。
50. 無機記録膜を有する追記型光記録媒体であって、
    上記無機記録膜が、
    ゲルマニウムの酸化物にアンチモンが添加されてなる酸化物膜と、
    上記酸化物膜に隣接する隣接膜と
    を備えることを特徴とする追記型光記録媒体。
51. 上記隣接膜が、チタンからなることを特徴とする請求項５０記載の追記型光記録媒体。
52. 上記酸化物膜のアンチモンの組成が、１原子％以上６原子％以下の範囲であることを特徴とする請求項５０記載の追記型光記録媒体。
53. 上記酸化物膜の吸収係数ｋが、０．１５≦ｋ≦０．９０の範囲であることを特徴とする請求項５０記載の追記型光記録媒体。
54. 識別情報が記録された識別情報記録領域を有し、
    上記識別情報は、上記酸化物膜に上記識別情報に応じた記録マークを形成することにより記録されていることを特徴とする請求項５０記載の追記型光記録媒体。
55. 識別情報が記録された識別情報記録領域を有し、
    上記識別情報は、上記無機記録膜を上記識別情報に応じたパターンで除去することにより記録されていることを特徴とする請求項５０記載の追記型光記録媒体。
56. 無機記録膜を有する追記型光記録媒体の製造方法であって、
    ゲルマニウムの酸化物にアンチモンが添加されてなる酸化物膜を成膜する工程と、
    金属からなる隣接膜を成膜する工程と
    を備え、
    上記酸化物膜および上記隣接膜の成膜工程では、上記酸化物膜と上記隣接膜とは隣接するように成膜されることを特徴とする追記型光記録媒体の製造方法。
57. 上記酸化物膜および上記隣接膜の成膜工程を連続して行うことを特徴とする請求項５６記載の追記型光記録媒体の製造方法。
58. 上記酸化物膜の成膜工程では、ゲルマニウムの酸化物にアンチモンが添加されてなるターゲットをスパッタリングすることにより上記酸化物膜を成膜することを特徴とする請求項５６記載の追記型光記録媒体の製造方法。
59. 波長３５０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下のレーザ光を上記酸化物膜側から上記追記型光記録媒体に対して照射することにより、識別情報を記録する工程をさらに備えることを特徴とする請求項５６記載の追記型光記録媒体の製造方法。
60. レーザ光を上記隣接膜側から上記追記型光記録媒体に対して照射することにより、識別情報を記録する工程をさらに備えることを特徴とする請求項５６記載の追記型光記録媒体の製造方法。
61. 上記レーザ光は、光学ヘッドスキャンスピード５ｍ／ｓ以上９ｍ／ｓ以下、レーザパワー３４００ｍＷ以上４０００ｍＷ以下の条件で上記追記型光記録媒体に照射されることを特徴とする請求項６０記載の追記型光記録媒体の製造方法。

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