CN104131257A - 溅镀设备以及保护膜的形成方法 - Google Patents

Abstract

一种溅镀设备，适于溅镀基板且基板具有成膜面。溅镀设备包括溅镀腔体、靶材以及承载器。靶材配置于溅镀腔体内，用以对基板的成膜面进行溅镀。承载器配置于溅镀腔体内，且相对于靶材，承载器能够在起始位置与终点位置之间沿移动路径来回移动。承载器包括承载板以及延伸元件。承载板具有相对的第一侧边以及第二侧边，其中当承载器处于起始位置时，相对于第二侧边，第一侧边邻近于靶材。延伸元件自承载板的第一侧边向外延伸。本发明的溅镀装置通过设置延伸元件，使得基板能够在等离子体呈现稳定状态的情况下进行溅镀，以于成膜面上形成膜质均匀的无机膜。

Description

溅镀设备以及保护膜的形成方法

技术领域

本发明涉及一种溅镀设备，且尤其涉及一种包括具有延伸元件的承载器的溅镀设备及使用此设备的保护膜的形成方法。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)内部的电极与有机发光材料容易受到外界氧气以及水气的影响，而导致发光区产生暗点以及元件效率与寿命的降低。因此，在制作OLED显示器或照明时，一般会在玻璃基板上完成有机发光元件的制作之后，利用胶材贴合玻璃基板与盖板玻璃以密封有机发光元件，并达到阻隔水气的效果。

虽然通过胶材贴合玻璃基板与盖板玻璃能达成良好阻隔水气的效果，但将使得整个元件的厚度增加，且无法应用在可挠性OLED显示器或照明上。为了因应可挠性的需求，利用阻水薄膜进行元件的封装为另一OLED封装技术发展的重点。然而，在目前的技术中，所形成的阻水薄膜容易产生例如凹凸不平的表面的缺陷，而导致阻水薄膜的阻水、阻气性不佳，造成水气渗漏而发生元件劣化的问题。

发明内容

为了克服现有技术中存在的缺陷，本发明提供一种溅镀设备，其能够在基板上形成膜质均匀的膜层，且适合用于形成具有良好阻水阻气效果的保护膜。

本发明的溅镀设备适于溅镀基板，且基板具有成膜面。所述溅镀设备包括溅镀腔体、靶材以及承载器。靶材配置于溅镀腔体内，用以对基板的成膜面进行溅镀。承载器配置于溅镀腔体内，且相对于靶材，承载器能够在起始位置与终点位置之间沿移动路径来回移动。承载器包括承载板以及延伸元件。承载板具有相对的第一侧边以及第二侧边，其中当承载器处于起始位置时，相对于第二侧边，第一侧边邻近于靶材。延伸元件自承载板的第一侧边向外延伸。

本发明的保护膜的形成方法包括以下步骤。首先，提供溅镀设备。所述溅镀设备包括溅镀腔体、靶材以及承载器。靶材配置于溅镀腔体内。承载器配置于溅镀腔体内，且相对于靶材，承载器能够在起始位置与终点位置之间沿移动路径来回移动，其中承载器包括承载板以及延伸元件。承载板具有相对的第一侧边以及第二侧边，其中当承载器处于起始位置时，相对于第二侧边，第一侧边邻近于靶材。延伸元件自承载板的第一侧边向外延伸。接着，将基板置于承载板上，其中基板具有成膜面。之后，利用靶材对基板进行溅镀，以在成膜面上形成第一无机膜。

基于上述，本发明的溅镀装置通过设置延伸元件，使得基板能够在等离子体呈现稳定状态的情况下进行溅镀，以于成膜面上形成膜质均匀的无机膜。另外，由于本发明的溅镀装置能够于基板上形成膜质均匀的无机膜，使得后续于其上形成的有机膜不但具有平坦化的功能，也能够降低缺陷的产生，故通过本发明的溅镀装置能够于基板上形成具有良好阻水阻气效果的保护膜。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1为本发明一实施方式的溅镀设备的示意图。

图2为图1的承载器的俯视示意图。

图3为本发明的另一实施方式的承载器的示意图。

图4为本发明另一实施方式的溅镀设备的示意图。

图5A至图5F为本发明一实施方式的形成保护膜的流程示意图。

附图标记说明如下：

10、30：溅镀设备

100：溅镀腔体

110：靶材

120、220、320：承载器

121：第一侧板

122：承载板

122a：第一侧边

122b：第二侧边

122c：第三侧边

122d：第四侧边

123：第二侧板

124、224、325：延伸元件

126：容纳空间

400：基板

400S：成膜面

402：等离子体

404：第一无机牺牲膜

406：第一无机膜

404a、404b：无机牺牲子膜

406a、406b、410a、410b：无机子膜

408：第一有机膜

410：第二无机膜

420：保护膜

A、B：移动路径

H1、H2：长度

L1、L3：起始位置

L2、L4：终点位置

P1、P2、P3、P4：间距

θ1：第一夹角

θ2：第二夹角

θ3：第三夹角

θ4：第四夹角

θ5：第五夹角

具体实施方式

图1为本发明的一实施方式的溅镀设备的示意图。图2为图1的承载器的俯视示意图。此处需事先说明的是，虽然在图1中仅绘示出用以说明本发明的溅镀设备的主要构件，但本领域具有通常知识的技术人员应可依其具有的相关知识，轻易推知本发明的溅镀设备所应具有的所有构件。因此，本发明的溅镀设备并不以图1中所示的为限。

请同时参照图1与图2，溅镀设备10包括溅镀腔体100、靶材110以及承载器120。溅镀设备10适用于溅镀具有成膜面的基板。

溅镀腔体100用以提供一真空溅镀环境。一般而言，溅镀腔体100还包括与其相连通的一气体入口(未绘示)及一气体出口(未绘示)。所述气体出口用于与一真空抽取构件(未绘示)相连接，以将溅镀腔体100内的空气抽出而维持真空状态，而所述气体入口用于与一气体供应源(未绘示)相连接，以将工艺气体通入溅镀腔体100内。

靶材110配置于溅镀腔体100内。在本实施方式中，靶材110的材质包括铝、钛、锆或硅。靶材110用以对基板的成膜面进行溅镀。一般而言，溅镀设备10还具有连接至靶材110的电源构件(未绘示)，从而能够实现在进行溅镀时，提供电源给靶材110。

承载器120配置于溅镀腔体100内，且相对于靶材110，承载器120能够在起始位置L1与终点位置L2之间沿移动路径A来回移动。详细而言，承载器120一次的来回移动包括：承载器120自起始位置L1沿移动路径A移动至终点位置L2后，接着自终点位置L2沿移动路径A移动至起始位置L1。图1中绘示承载器120位于起始位置L1。一般而言，溅镀设备10还具有连接至承载器120的移动驱动构件(未绘示)，以驱使承载器120在起始位置L1与终点位置L2之间来回移动。另外，移动路径A的延伸方向平行于X轴方向。

另外，于垂直投影方向上，起始位置L1与靶材110的间距P1大于终点位置L2与靶材110的间距P2。详细而言，在本文中，所述垂直投影方向平行于Y轴方向，且以起始位置L1至靶材110的中心点的距离定义为间距P1，以终点位置L2至靶材110的中心点的距离定义为间距P2。

在本实施方式中，承载器120包括承载板122、第一侧板121、第二侧板123以及延伸元件124。

承载板122具有相对的第一侧边122a和第二侧边122b，以及相对的第三侧边122c和第四侧边122d。如图1所示，当承载器120处于起始位置L1时，相对于第二侧边122b，第一侧边122a邻近于靶材110。也就是说，当承载器120自起始位置L1朝向终点位置L2移动时，第一侧边122a会先从靶材110上方经过。从另一观点而言，如图2所示，承载板122的第一侧边122a和第二侧边122b的延伸方向与移动路径A的延伸方向互相垂直，而第三侧边122c和第四侧边122d的延伸方向与移动路径A的延伸方向互相平行。

另外，基板是配置在承载板122上，由此在对基板进行溅镀时，基板能够在起始位置L1与终点位置L2之间来回移动。一般而言，基板是通过夹持构件(未绘示)而被夹持至承载板122上。

第一侧板121和第二侧板123分别与承载板122的第一侧边122a以及第二侧边122b连接以定义出容纳空间126。容纳空间126用以容纳基板，并暴露出基板的成膜面。另外，第一侧板121与承载板122之间具有第一夹角θ1，以及第二侧板123与承载板122之间具有第二夹角θ2。在本实施方式中，第一夹角θ1和第二夹角θ2均为90度。然而，上述数值仅是举例说明之用。在其他实施方式中，第一夹角θ1和第二夹角θ2可以随着实际上不同的使用需求而定，且第一夹角θ1和第二夹角θ2可彼此不相同。

延伸元件124与第一侧板121连接且向外延伸。详细而言，延伸元件124与第一侧板121之间具有第三夹角θ3，且第三夹角θ3介于45度至135度之间。在本实施方式中，第三夹角θ3为90度。

另外，在本实施方式中，由于延伸元件124连接至第一侧板121，故延伸元件124可视为自承载板122的第一侧边122a向外延伸的一个元件。如此一来，当承载器120自起始位置L1朝向终点位置L2移动时，延伸元件124会在承载板122之前从靶材110上方经过。

另外，承载器120可为一体成型的构件，也即承载板122、第一侧板121、第二侧板123以及延伸元件124以一体成型的方法制作，或是承载器120可为由承载板122、第一侧板121、第二侧板123以及延伸元件124组装成的组合构件。另外，虽然在图1的实施方式中，承载器120包括第一侧板121和第二侧板123，但在其他实施方式中，承载器120也可以仅包括第一侧板121。

图3为本发明的另一实施方式的承载器的示意图。

请同时参照图1及图3，在另一实施方式中，图1的溅镀设备10中的承载器120可替换成图3的承载器220。图3的承载器220与图1的承载器120相似，因此相同的元件以相同的符号表示，且不再重复赘述。

图3的承载器220与图1的承载器120的差异在于：图3的承载器220不包括第一侧板121和第二侧板123，以及延伸元件224直接与承载板122的第一侧边122a连接。详细而言，延伸元件224与承载板122之间具有第四夹角θ4，且第四夹角θ4介于135度至225度之间。在本实施方式中，第四夹角θ4为180度。

另外，在本实施方式中，延伸元件224直接与承载板122的第一侧边122a连接，故延伸元件224可视为自承载板122的第一侧边122a向外延伸的一个元件。如此一来，当承载器220自起始位置L1朝向终点位置L2移动时，延伸元件224会在承载板122之前从靶材110上方经过。

另外，承载器220可为一体成型的构件，也即承载板122以及延伸元件224以一体成型的方法制作，或是承载器220可为由承载板122以及延伸元件224组装成的组合构件。

图4为本发明的另一实施方式的溅镀设备的示意图。

请同时参照图1及图4，图4的溅镀设备30与图1的溅镀设备10相似，因此相同的元件以相同的符号表示，且不再重复赘述。以下仅针对图4的溅镀设备30与图1的溅镀设备10之间的差异处进行说明。

相对于靶材110，溅镀设备30中的承载器320是在起始位置L3与终点位置L4之间沿移动路径B来回移动。详细而言，于垂直投影方向上，起始位置L3与靶材110的间距P3等于终点位置L4与靶材110的间距P4。在本文中，所述垂直投影方向平行于Y轴方向，且以起始位置L3至靶材110的中心点的距离定义为间距P3，以终点位置L4至靶材110的中心点的距离定义为间距P4。

另外，承载器320还包括与第二侧板123连接且向外延伸的延伸元件325。详细而言，延伸元件325与第二侧板123之间具有第五夹角θ5，且第五夹角θ5介于45度至135度之间。在本实施方式中，第五夹角θ5为90度。

另外，由于延伸元件325连接至第二侧板123，故延伸元件325可视为自承载板122的第一侧边122a向外延伸的一个元件。如此一来，当承载器120自终点位置L4朝向起始位置L3移动时，延伸元件325会在承载板122之前从靶材110上方经过。

图5A至图5F为本发明一实施方式的形成保护膜的流程示意图。

请参照图5A，首先提供上述图1的溅镀设备10，接着将基板400置于承载板122上，其中基板400具有成膜面400S。在本实施方式中，基板400例如是硬质基板(rigid substrate)、可挠性基板(flexible substrate)或是在成膜面上已形成有元件的硬质基板或可挠性基板，其中硬质基板例如是玻璃基板或石英基板、可挠性基板例如是塑胶基板、元件例如是有机发光二极管元件。

另外，在承载器120尚未移动之前，还包括在溅镀腔体100的等离子体区中产生等离子体402。一般而言，产生等离子体402的方法包括以下步骤：利用真空抽取构件(未绘示)将溅镀腔体100内的空气抽出，以使溅镀腔体100维持真空状态，接着由气体供应源(未绘示)提供工艺气体至溅镀腔体100内，并由电源构件(未绘示)提供电源至靶材110。所述工艺气体例如是作为等离子体工作气体的氩气和作为反应气体的氮气或氧气的混合气体。

接着，在等离子体402达到稳定状态后，使承载器120开始沿移动路径A来回移动，由此在利用靶材110对基板400进行溅镀的同时，基板400能够在起始位置L1与终点位置L2之间来回移动。以下，将参照图5B至图5D来详细描述对基板400进行溅镀的过程。

请参照图5B，当承载器120自起始位置L1朝向终点位置L2移动时，靶材110会先对延伸元件124进行溅镀，而在延伸元件124上形成无机牺牲子膜404a。如上所述，延伸元件124自承载板122的第一侧边122a向外延伸，因此当承载器120自起始位置L1朝向终点位置L2移动时，延伸元件124会在基板400进入等离子体区内之前先进入到等离子体区内。

具体而言，形成无机牺牲子膜404a的方法包括：当承载器120开始移动延伸元件124到达靶材110上方时，即通过电源构件(未绘示)提供电源至靶材110，使等离子体区中的等离子体402的离子于靶材110上撞击出原子或原子团，并使所述原子或原子团沉积于延伸元件124上。

接着，请参照图5C，当靶材110对延伸元件124进行溅镀的同时，承载器120继续沿着移动路径A朝向终点位置L2移动，由此基板400会进入等离子体区内并由靶材110对其进行溅镀，而于成膜面400S上形成无机子膜406a。

值得说明的是，在实务上无机牺牲子膜404a的成分与无机子膜406a的成分并不相同。详细而言，无机子膜406a的成分是均匀的，而无机牺牲子膜404a的成分并不均匀的。从另一观点而言，在一实施例中，当靶材110的材质为铝，以及工艺气体为氩气和氧气的混合气体时，与无机牺牲子膜404a的成分相比，无机子膜406a的成分为较接近化学剂量组成比2：3的比例的氧化铝。

进一步而言，在图5B至图5C的溅镀过程中，连续形成的无机牺牲子膜404a与无机子膜406a的成分会不相同的原因如下：当承载器120自远离等离子体区的起始位置L1朝向终点位置L2移动时，等离子体区内原本已达到稳定状态的等离子体402因承载器120靠近而呈现不稳定状态，然而随着承载器120持续的移动，延伸元件124提供了等离子体402需要达到稳定的时间与空间，故当基板400进入到等离子体区内时，等离子体402再度呈现稳定状态。也就是说，在形成无机牺牲子膜404a的过程中，有些时候等离子体402是处于不稳定状态，而无机子膜406a则是在等离子体402呈现稳定状态的情形下形成。如此一来，本发明的溅镀装置10通过设置延伸元件124可提供在溅镀时等离子体所需达到稳定的时间与空间，以使基板400移动至等离子体区内时，等离子体402已经达到稳定状态，进而在基板400上形成膜质均匀的无机子膜406a。

另外，在本实施方式中，基板400的长度H1为200 mm，而延伸元件124的长度H2为100 mm。然而，上述数值仅是举例说明之用。在其他实施方式中，延伸元件124的长度H2可根据实际上工艺的条件，例如承载器120移动的速度、基板400的长度H1、靶材尺寸等，而调整，只要能够使得利用靶材110对基板400进行溅镀时，等离子体402是呈现稳定状态。

接着，请参照图5D，当承载器120移动至终点位置L2且形成无机子膜406a之后，承载器120的移动方向改变，由此承载器120会从终点位置L2沿着移动路径A朝向起始位置L1移动，以在基板400上形成无机子膜406b及在延伸元件124上形成无机牺牲子膜404b。此时，无机牺牲子膜404a与无机牺牲子膜404b构成第一无机牺牲膜404，且无机子膜406a与无机子膜406b构成第一无机膜406。

另外，无机子膜406b的成分及无机牺牲子膜404b的成分实质上与无机子膜406a的成分相同。也就是说，在一实施例中，当靶材110的材质为铝，以及工艺气体为氩气和氧气的混合气体时，与无机牺牲子膜404a相比，无机子膜406a、无机子膜406b和无机牺牲子膜404b的成分均为较接近化学剂量组成比2：3的比例的氧化铝。如此一来，由无机子膜406a与无机子膜406b构成的第一无机膜406是一个膜质均匀的膜层。

进一步而言，在图5D的溅镀过程中，连续形成的无机子膜406b和无机牺牲子膜404b的成分会相同的原因如下：如上文所述，终点位置L2与靶材110的间距P2小于起始位置L1与靶材110的间距P1，由此当承载器120到达终点位置L2时，承载器120并未远离等离子体区，因此在承载器120自终点位置L2朝向起始位置L1移动的过程中，等离子体402一直都是呈现稳定状态。也就是说，无机子膜406b和无机牺牲子膜404b是在等离子体402呈现稳定状态的情形下形成。

另外，虽然无机子膜406b的成分与无机牺牲子膜404b的成分相同，但由于无机子膜406a的成分与无机牺牲子膜404a的成分不相同，故第一无机膜406的成分与第一无机牺牲膜404的成分实质上并不相同。进一步而言，除了成分实质上不相同之外，第一无机膜406与第一无机牺牲膜404在例如表面张力、穿透度、应力等的薄膜特性上也有所差异。

基于上述内容可知，在图5B至图5D的溅镀过程中，通过使用本发明的溅镀装置10，每当以靶材110对基板400进行溅镀时，等离子体402都是呈现稳定状态，从而能够在成膜面400S上形成膜质均匀的第一无机膜406。

在图5B至图5D的步骤之后，可将基板400移出承载器120，并接着在第一无机膜406上形成第一有机膜408，如图5E所示。形成第一有机膜408的方法包括进行转涂布工艺(spin-on coating process)、滚筒涂布工艺(rollercoating process)、狭缝涂布工艺(slit coating process)、喷墨法(ink-jet method)、喷雾式涂布(spray coating)或真空沉积(vacuum deposition)等。第一有机膜408的材质包括压克力、聚酯纤维或聚乙烯。

接着，在第一无机膜406上形成第一有机膜408之后，可将基板400再次置于溅镀设备10的承载板122上，并进行如图5B至图5D所述的步骤，以在第一有机膜408上形成第二无机膜410，其中第二无机膜410包括无机子膜410a及无机子膜410b，如图5F所示。

在本实施方式中，保护膜420包括第一无机膜406、第一有机膜408及第二无机膜410。也就是说，本发明的保护膜420为无机膜与有机膜彼此堆迭而成的膜层。

值得说明的是，在无机膜与有机膜堆迭的情况下，当无机膜的整体的成分均匀时，形成在其上的有机膜具有平坦的表面；反之当无机膜的成分不均匀时，例如部分区域的成份不同于其他区域，在其上形成有机膜的过程中会发生有机材料聚结成球状的现象，使得有机膜具有凹凸不平的表面。进一步而言，当无机膜上的有机膜具有平坦表面时，有机膜不但具有平坦化的功能，也可覆盖过无机膜中的缺陷，使得无机膜之间的缺陷不会相连；反之，当无机膜上的有机膜具有凹凸不平的表面时，有机膜不但失去平坦化的功能，甚至使得后续形成的膜层发生不连续的情形，进而导致缺陷增加，以及在基板的成膜面上已形成有有机发光二极管元件的情况下，导致有机发光二极管元件的出光效能受到影响。

有鉴于此，本实施方式的保护膜420可作为封装用的薄膜。进一步而言，保护膜420具有良好的阻水阻气效果，其原因如下。由于形成在成膜面400S上的第一无机膜406的成分均匀，故第一有机膜408会具有平坦的表面，由此第一有机膜408不但具有平坦化的功能，使得后续形成的第二无机膜410不会因为表面不平整而发生不连续的情形，也能够覆盖过第一无机膜406中的缺陷，使得无机膜之间的缺陷不会相连，也就是说第一有机膜408可分开(decouple)第一无机膜406与第二无机膜410两层的缺陷。如此一来，阻水性较佳的第一无机膜406及第二无机膜410中的缺陷降低，由此水气或氧气无法容易的经由保护膜420渗入至基板400上，而达成良好的阻水阻气效果。进一步而言，当基板400是成膜面上已形成有有机发光二极管元件的基板时，通过基板400上形成有保护膜420，不但可防止水气或氧气入侵到所述元件而对其造成破坏，更可使得所述元件具有适当的出光效能。

在本实施方式中，虽然第一无机膜406和第二无机膜410均是在承载器120仅进行一次的来回移动后形成(图5B至图5D所述的步骤)，但本发明并不限于此。在其他实施方式中，根据第一无机膜406和第二无机膜410所需的厚度，利用溅镀设备10进行溅镀时，承载器120可以进行多次的来回移动，或是承载器120可以仅自起始位置L1移动至终点位置L2。

另外，在本实施方式中，虽然保护膜420包括第一无机膜406、第一有机膜408及第二无机膜410，但本发明对保护膜420中的无机膜与有机膜的堆迭层数并不作任何的限制。因此，在其他实施方式中，可依据实际上不同的使用需求而调整无机膜与有机膜的堆迭层数。

另外，在本实施方式中，虽然是以图1的溅镀设备10来详细说明保护膜420的形成方法，但本领域技术人员应可理解，承载器120也可以图3的承载器220来实现，并且通过设置有延伸元件224，也可在基板400上形成膜质均匀的第一无机膜406及第二无机膜410。

同样地，在本实施方式中，虽然是以图1的溅镀设备10来详细说明保护膜420的形成方法，但本领域技术人员应可理解，也可以图4的溅镀设备30来实现保护膜420的形成。

详细而言，请同时参照图4及图5A至图5F，通过承载器320设置有延伸元件124及延伸元件325，除了当承载器320自远离等离子体区的起始位置L3朝向终点位置L4移动时，延伸元件124可提供溅镀时等离子体所需达到稳定的时间与空间，以使得利用靶材110对基板400进行溅镀时，等离子体402是呈现稳定状态外，由于如上文所述，终点位置L4与靶材110的间距P4等于起始位置L3与靶材110的间距P3，由此当承载器320自远离等离子体区的终点位置L4朝向起始位置L3移动时，延伸元件325也可提供溅镀时等离子体稳定的所需的时间与空间，以使得利用靶材110对基板400进行溅镀时，等离子体402也是呈现稳定状态。如此一来，通过使用溅镀设备30也可在基板400上形成膜质均匀的第一无机膜406及第二无机膜410。

综上所述，本发明的溅镀装置通过设置延伸元件，可使得基板能够在等离子体呈现稳定状态的情况下进行溅镀，以于成膜面上形成膜质均匀的无机膜。另外，由于本发明的溅镀装置能够于基板上形成膜质均匀的无机膜，使得后续于其上形成的有机膜不但具有平坦化的功能，也能够避免无机膜之间的缺陷相连，故通过本发明的溅镀装置能够于基板上形成具有良好阻水阻气效果的保护膜。

虽然本发明已以实施例公开如上，然而其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的改动与润饰，故本发明的保护范围应当以所附的权利要求所界定的为准。

Claims (15)

1.一种溅镀设备，适于溅镀一基板，该基板具有一成膜面，该溅镀设备包括：

一溅镀腔体；

一靶材，配置于该溅镀腔体内，用以对该基板的该成膜面进行溅镀；以及

一承载器，配置于该溅镀腔体内，且相对于该靶材，该承载器能够在一起始位置与一终点位置之间沿一移动路径来回移动，

其中该承载器包括：

一承载板，具有相对的一第一侧边以及一第二侧边，其中当该承载器处于该起始位置时，相对于该第二侧边，该第一侧边邻近于该靶材；

以及

一延伸元件，自该承载板的该第一侧边向外延伸。

2.如权利要求1所述的溅镀设备，其中该承载板的该第一侧边以及该第二侧边的延伸方向与该移动路径的延伸方向互相垂直。

3.如权利要求1所述的溅镀设备，其中该承载器还包括一第一侧板以及一第二侧板，分别与该承载板的该第一侧边以及该第二侧边连接以定义一容纳空间，且该第一侧板与该承载板之间具有一第一夹角，该第二侧板与该承载板之间具有一第二夹角。

4.如权利要求3所述的溅镀设备，其中该延伸元件与该第一侧板之间具有一第三夹角，该第三夹角介于45度至135度之间。

5.如权利要求1所述的溅镀设备，其中该延伸元件与该承载板之间具有一第四夹角，该第四夹角介于135度至225度之间。

6.如权利要求1所述的溅镀设备，其中该靶材的材质包括铝、钛、锆或硅。

7.一种保护膜的形成方法，包括：

提供一溅镀设备，包括：

一溅镀腔体；

一靶材，配置于该溅镀腔体内；以及

一承载器，配置于该溅镀腔体内，且相对于该靶材，该承载器能够在一起始位置与一终点位置之间沿一移动路径来回移动，其中该承载器包括：

一承载板，具有相对的一第一侧边以及一第二侧边，其中当该承载器处于该起始位置时，相对于该第二侧边，该第一侧边邻近于该靶材；以及

一延伸元件，自该承载板的该第一侧边向外延伸；

将一基板置于该承载板上，其中该基板具有一成膜面；以及

利用该靶材对该基板进行溅镀，以在该成膜面上形成一第一无机膜。

8.如权利要求7所述的保护膜的形成方法，其中该承载板的该第一侧边以及该第二侧边的延伸方向与该移动路径的延伸方向互相垂直。

9.如权利要求7所述的保护膜的形成方法，其中该承载器还包括一第一侧板以及一第二侧板，分别与该承载板的该第一侧边以及该第二侧边连接以定义一容纳空间，且该第一侧板与该承载板之间具有一第一夹角，该第二侧板与该承载板之间具有一第二夹角。

10.如权利要求9所述的保护膜的形成方法，其中该延伸元件与该第一侧板之间具有一第三夹角，该第三夹角介于45度至135度之间。

11.如权利要求7所述的保护膜的形成方法，其中该延伸元件与该承载板之间具有一第四夹角，该第四夹角介于135度至225度之间。

12.如权利要求7所述的保护膜的形成方法，其中该靶材的材质包括铝、钛、锆或硅。

13.如权利要求7所述的保护膜的形成方法，还包括在利用该靶材对该基板进行溅镀之前，在该溅镀腔体的一等离子体区中产生一等离子体；其中，当该承载器自该起始位置朝向该终点位置移动时，该延伸元件在该基板进入到该等离子体区内之前进入到该等离子体区内，且当该延伸元件进入到该等离子体区内时，该等离子体呈现不稳定状态，而当该基板进入到该等离子体区内时，该等离子体呈现稳定状态。

14.如权利要求7所述的保护膜的形成方法，其中利用该靶材对该基板进行溅镀时，还包括于该延伸元件上形成一第一无机牺牲膜，并且该第一无机牺牲膜的成分与该第一无机膜的成分不相同。

15.如权利要求14所述的保护膜的形成方法，还包括：

于该第一无机膜上形成一第一有机膜；以及

利用该靶材对前述包含该第一无机膜与该第一有机膜的基板进行溅镀，以于该第一有机膜上形成一第二无机膜。