TWI530575B - 濺鍍設備以及保護膜的形成方法 - Google Patents

Description

濺鍍設備以及保護膜的形成方法

本發明是有關於一種濺鍍設備，且特別是有關於一種包括具有延伸元件的承載器的濺鍍設備及使用此設備的保護膜的形成方法。

有機發光二極體(Organic Light Emitting Diode，OLED)內部的電極與有機發光材料容易受到外界氧氣以及水氣的影響，而導致發光區產生暗點以及元件效率與壽命的降低。因此，在製作OLED顯示器或照明時，一般會在玻璃基板上完成有機發光元件的製作之後，利用膠材貼合玻璃基板與蓋板玻璃以密封有機發光元件，並達到阻隔水氣的效果。

雖然透過膠材貼合玻璃基板與蓋板玻璃能達成良好阻隔水氣的效果，但將使得整個元件的厚度增加，且無法應用在可撓性OLED顯示器或照明上。為了因應可撓性的需求，利用阻水薄膜進行元件的封裝為另一OLED封裝技術發展的重點。然而，在目前的技術中，所形成的阻水薄膜容易產生例如凹凸不平的表面 的缺陷，而導致阻水薄膜的阻水、阻氣性不佳，造成水氣滲漏而發生元件劣化的問題。

本發明提供一種濺鍍設備，其能夠在基板上形成膜質均勻的膜層，且適合用於形成具有良好阻水阻氣效果的保護膜。

本發明的濺鍍設備適於濺鍍基板，且基板具有成膜面。所述濺鍍設備包括濺鍍腔體、靶材以及承載器。靶材配置於濺鍍腔體內，用以對基板的成膜面進行濺鍍。承載器配置於濺鍍腔體內，且相對於靶材，承載器能夠在起始位置與終點位置之間沿移動路徑來回移動。承載器包括承載板以及延伸元件。承載板具有相對的第一側邊以及第二側邊，其中當承載器處於起始位置時，相對於第二側邊，第一側邊鄰近於靶材。延伸元件自承載板的第一側邊向外延伸。

本發明的保護膜的形成方法包括以下步驟。首先，提供濺鍍設備。所述濺鍍設備包括濺鍍腔體、靶材以及承載器。靶材配置於濺鍍腔體內。承載器配置於濺鍍腔體內，且相對於靶材，承載器能夠在起始位置與終點位置之間沿移動路徑來回移動，其中承載器包括承載板以及延伸元件。承載板具有相對的第一側邊以及第二側邊，其中當承載器處於起始位置時，相對於第二側邊，第一側邊鄰近於靶材。延伸元件自承載板的第一側邊向外延伸。接著，將基板置於承載板上，其中基板具有成膜面。之後，利用 靶材對基板進行濺鍍，以在成膜面上形成第一無機膜。

基於上述，本發明的濺鍍裝置透過設置延伸元件，使得基板能夠在電漿呈現穩定狀態的情況下進行濺鍍，以於成膜面上形成膜質均勻的無機膜。另外，由於本發明的濺鍍裝置能夠於基板上形成膜質均勻的無機膜，使得後續於其上形成的有機膜不但具有平坦化的功能，亦能夠降低缺陷的產生，故透過本發明的濺鍍裝置能夠於基板上形成具有良好阻水阻氣效果的保護膜。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

10、30‧‧‧濺鍍設備

100‧‧‧濺鍍腔體

110‧‧‧靶材

120、220、320‧‧‧承載器

121‧‧‧第一側板

122‧‧‧承載板

122a‧‧‧第一側邊

122b‧‧‧第二側邊

122c‧‧‧第三側邊

122d‧‧‧第四側邊

123‧‧‧第二側板

124、224、325‧‧‧延伸元件

126‧‧‧容納空間

400‧‧‧基板

400S‧‧‧成膜面

402‧‧‧電漿

404‧‧‧第一無機犧牲膜

406‧‧‧第一無機膜

404a、404b‧‧‧無機犧牲子膜

406a、406b、410a、410b‧‧‧無機子膜

408‧‧‧第一有機膜

410‧‧‧第二無機膜

420‧‧‧保護膜

A、B‧‧‧移動路徑

H1、H2‧‧‧長度

L1、L3‧‧‧起始位置

L2、L4‧‧‧終點位置

P1、P2、P3、P4‧‧‧間距

θ1‧‧‧第一夾角

θ2‧‧‧第二夾角

θ3‧‧‧第三夾角

θ4‧‧‧第四夾角

θ5‧‧‧第五夾角

圖1為本發明一實施方式的濺鍍設備的示意圖。

圖2為圖1的承載器的俯視示意圖。

圖3為本發明之另一實施方式的承載器的示意圖。

圖4為本發明另一實施方式的濺鍍設備的示意圖。

圖5A至圖5F為本發明一實施方式之形成保護膜的流程示意圖。

圖1為本發明的一實施方式的濺鍍設備的示意圖。圖2為圖1的承載器的俯視示意圖。此處需事先說明的是，雖然在圖1 中僅繪示出用以說明本發明的濺鍍設備的主要構件，但本領域具有通常知識的技術人員應可依其具有的相關知識，輕易推知本發明的濺鍍設備所應具有的所有構件。因此，本發明的濺鍍設備並不以圖1中所繪者為限。

請同時參照圖1與圖2，濺鍍設備10包括濺鍍腔體100、靶材110以及承載器120。濺鍍設備10適用於濺鍍具有成膜面的基板。

濺鍍腔體100用以提供一真空濺鍍環境。一般而言，濺鍍腔體100更包括與其相連通的一氣體入口(未繪示)及一氣體出口(未繪示)。所述氣體出口用於與一真空抽取構件(未繪示)相連接，以將濺鍍腔體100內的空氣抽出而維持真空狀態，而所述氣體入口用於與一氣體供應源(未繪示)相連接，以將製程氣體通入濺鍍腔體100內。

靶材110配置於濺鍍腔體100內。在本實施方式中，靶材110的材質包括鋁、鈦、鋯或矽。靶材110用以對基板的成膜面進行濺鍍。一般而言，濺鍍設備10還具有連接至靶材110的電源構件(未繪示)，從而能夠實現在進行濺鍍時，提供電源給靶材110。

承載器120配置於濺鍍腔體100內，且相對於靶材110，承載器120能夠在起始位置L1與終點位置L2之間沿移動路徑A來回移動。詳細而言，承載器120一次的來回移動包括：承載器120自起始位置L1沿移動路徑A移動至終點位置L2後，接著自 終點位置L2沿移動路徑A移動至起始位置L1。圖1中繪示承載器120位於起始位置L1。一般而言，濺鍍設備10還具有連接至承載器120的移動驅動構件(未繪示)，以驅使承載器120在起始位置L1與終點位置L2之間來回移動。另外，移動路徑A的延伸方向平行於X軸方向。

另外，於垂直投影方向上，起始位置L1與靶材110的間距P1大於終點位置L2與靶材110的間距P2。詳細而言，在本文中，所述垂直投影方向平行於Y軸方向，且以起始位置L1至靶材110的中心點的距離定義為間距P1，以終點位置L2至靶材110的中心點的距離定義為間距P2。

在本實施方式中，承載器120包括承載板122、第一側板121、第二側板123以及延伸元件124。

承載板122具有相對的第一側邊122a和第二側邊122b，以及相對的第三側邊122c和第四側邊122d。如圖1所示，當承載器120處於起始位置L1時，相對於第二側邊122b，第一側邊122a鄰近於靶材110。也就是說，當承載器120自起始位置L1朝向終點位置L2移動時，第一側邊122a會先從靶材110上方經過。從另一觀點而言，如圖2所示，承載板122的第一側邊122a和第二側邊122b的延伸方向與移動路徑A的延伸方向互相垂直，而第三側邊122c和第四側邊122d的延伸方向與移動路徑A的延伸方向互相平行。

另外，基板是配置在承載板122上，藉此在對基板進行 濺鍍時，基板能夠在起始位置L1與終點位置L2之間來回移動。一般而言，基板是透過夾持構件(未繪示)而被夾持至承載板122上。

第一側板121和第二側板123分別與承載板122的第一側邊122a以及第二側邊122b連接以定義出容納空間126。容納空間126用以容納基板，並暴露出基板的成膜面。另外，第一側板121與承載板122之間具有第一夾角θ1，以及第二側板123與承載板122之間具有第二夾角θ2。在本實施方式中，第一夾角θ1和第二夾角θ2皆為90度。然而，上述數值僅是舉例說明之用。在其他實施方式中，第一夾角θ1和第二夾角θ2可以隨著實際上不同的使用需求而定，且第一夾角θ1和第二夾角θ2可彼此不相同。

延伸元件124與第一側板121連接且向外延伸。詳細而言，延伸元件124與第一側板121之間具有第三夾角θ3，且第三夾角θ3介於45度至135度之間。在本實施方式中，第三夾角θ3為90度。

另外，在本實施方式中，由於延伸元件124連接至第一側板121，故延伸元件124可視為自承載板122的第一側邊122a向外延伸的一個元件。如此一來，當承載器120自起始位置L1朝向終點位置L2移動時，延伸元件124會在承載板122之前從靶材110上方經過。

另外，承載器120可為一體成型的構件，亦即承載板122、第一側板121、第二側板123以及延伸元件124以一體成型 的方法製作，或是承載器120可為由承載板122、第一側板121、第二側板123以及延伸元件124組裝成的組合構件。另外，雖然在圖1的實施方式中，承載器120包括第一側板121和第二側板123，但在其他實施方式中，承載器120也可以僅包括第一側板121。

圖3為本發明之另一實施方式的承載器的示意圖。

請同時參照圖1及圖3，在另一實施方式中，圖1的濺鍍設備10中的承載器120可替換成圖3的承載器220。圖3的承載器220與圖1的承載器120相似，因此相同的元件以相同的符號表示，且不再重覆贅述。

圖3的承載器220與圖1的承載器120的差異在於：圖3的承載器220不包括第一側板121和第二側板123，以及延伸元件224直接與承載板122的第一側邊122a連接。詳細而言，延伸元件224與承載板122之間具有第四夾角θ4，且第四夾角θ4介於135度至225度之間。在本實施方式中，第四夾角θ4為180度。

另外，在本實施方式中，延伸元件224直接與承載板122的第一側邊122a連接，故延伸元件224可視為自承載板122的第一側邊122a向外延伸的一個元件。如此一來，當承載器220自起始位置L1朝向終點位置L2移動時，延伸元件224會在承載板122之前從靶材110上方經過。

另外，承載器220可為一體成型的構件，亦即承載板122以及延伸元件224以一體成型的方法製作，或是承載器220可為 由承載板122以及延伸元件224組裝成的組合構件。

圖4為本發明之另一實施方式的濺鍍設備的示意圖。

請同時參照圖1及圖4，圖4的濺鍍設備30與圖1的濺鍍設備10相似，因此相同的元件以相同的符號表示，且不再重覆贅述。以下僅針對圖4的濺鍍設備30與圖1的濺鍍設備10之間的差異處進行說明。

相對於靶材110，濺鍍設備30中的承載器320是在起始位置L3與終點位置L4之間沿移動路徑B來回移動。詳細而言，於垂直投影方向上，起始位置L3與靶材110的間距P3等於終點位置L4與靶材110的間距P4。在本文中，所述垂直投影方向平行於Y軸方向，且以起始位置L3至靶材110的中心點的距離定義為間距P3，以終點位置L4至靶材110的中心點的距離定義為間距P4。

另外，承載器320更包括與第二側板123連接且向外延伸的延伸元件325。詳細而言，延伸元件325與第二側板123之間具有第五夾角θ5，且第五夾角θ5介於45度至135度之間。在本實施方式中，第五夾角θ5為90度。

另外，由於延伸元件325連接至第二側板123，故延伸元件325可視為自承載板122的第一側邊122a向外延伸的一個元件。如此一來，當承載器120自終點位置L4朝向起始位置L3移動時，延伸元件325會在承載板122之前從靶材110上方經過。

圖5A至圖5F為本發明一實施方式之形成保護膜的流程 示意圖。

請參照圖5A，首先提供上述圖1的濺鍍設備10，接著將基板400置於承載板122上，其中基板400具有成膜面400S。在本實施方式中，基板400例如是硬質基板(rigid substrate)、可撓性基板(flexible substrate)或是在成膜面上已形成有元件的硬質基板或可撓性基板，其中硬質基板例如是玻璃基板或石英基板、可撓性基板例如是塑膠基板、元件例如是有機發光二極體元件。

另外，在承載器120尚未移動之前，更包括在濺鍍腔體100的電漿區中產生電漿402。一般而言，產生電漿402的方法包括以下步驟：利用真空抽取構件(未繪示)將濺鍍腔體100內的空氣抽出，以使濺鍍腔體100維持真空狀態，接著由氣體供應源(未繪示)提供製程氣體至濺鍍腔體100內，並由電源構件(未繪示)提供電源至靶材110。所述製程氣體例如是作為電漿工作氣體的氬氣和作為反應氣體的氮氣或氧氣的混合氣體。

接著，在電漿402達到穩定狀態後，使承載器120開始沿移動路徑A來回移動，藉此在利用靶材110對基板400進行濺鍍的同時，基板400能夠在起始位置L1與終點位置L2之間來回移動。以下，將參照圖5B至圖5D來詳細描述對基板400進行濺鍍的過程。

請參照圖5B，當承載器120自起始位置L1朝向終點位置L2移動時，靶材110會先對延伸元件124進行濺鍍，而在延伸元件124上形成無機犧牲子膜404a。如上所述，延伸元件124自 承載板122的第一側邊122a向外延伸，因此當承載器120自起始位置L1朝向終點位置L2移動時，延伸元件124會在基板400進入電漿區內之前先進入到電漿區內。

具體而言，形成無機犧牲子膜404a的方法包括：當承載器120開始移動延伸元件124到達靶材110上方時，即藉由電源構件(未繪示)提供電源至靶材110，使電漿區中的電漿402的離子於靶材110上撞擊出原子或原子團，並使所述原子或原子團沉積於延伸元件124上。

接著，請參照圖5C，當靶材110對延伸元件124進行濺鍍的同時，承載器120繼續沿著移動路徑A朝向終點位置L2移動，藉此基板400會進入電漿區內並由靶材110對其進行濺鍍，而於成膜面400S上形成無機子膜406a。

值得說明的是，在實務上無機犧牲子膜404a的成分與無機子膜406a的成分並不相同。詳細而言，無機子膜406a的成分是均勻的，而無機犧牲子膜404a的成分並不均勻的。從另一觀點而言，在一實施例中，當靶材110的材質為鋁，以及製程氣體為氬氣和氧氣的混合氣體時，與無機犧牲子膜404a的成分相比，無機子膜406a的成分為較接近化學劑量組成比2：3的比例的氧化鋁。

進一步而言，在圖5B至圖5C的濺鍍過程中，連續形成的無機犧牲子膜404a與無機子膜406a的成分會不相同的原因如下：當承載器120自遠離電漿區的起始位置L1朝向終點位置L2 移動時，電漿區內原本已達到穩定狀態的電漿402因承載器120靠近而呈現不穩定狀態，然而隨著承載器120持續的移動，延伸元件124提供了電漿402需要達到穩定的時間與空間，故當基板400進入到電漿區內時，電漿402再度呈現穩定狀態。也就是說，在形成無機犧牲子膜404a的過程中，有些時候電漿402是處於不穩定狀態，而無機子膜406a則是在電漿402呈現穩定狀態的情形下形成。如此一來，本發明的濺鍍裝置10透過設置延伸元件124可提供在濺鍍時電漿所需達到穩定的時間與空間，以使基板400移動至電漿區內時，電漿402已經達到穩定狀態，進而在基板400上形成膜質均勻的無機子膜406a。

另外，在本實施方式中，基板400的長度H1為200mm，而延伸元件124的長度H2為100mm。然而，上述數值僅是舉例說明之用。在其他實施方式中，延伸元件124的長度H2可根據實際上製程的條件，例如承載器120移動的速度、基板400的長度H1、靶材尺寸等，而調整，只要能夠使得利用靶材110對基板400進行濺鍍時，電漿402是呈現穩定狀態。

接著，請參照圖5D，當承載器120移動至終點位置L2且形成無機子膜406a之後，承載器120的移動方向改變，藉此承載器120會從終點位置L2沿著移動路徑A朝向起始位置L1移動，以在基板400上形成無機子膜406b及在延伸元件124上形成無機犧牲子膜404b。此時，無機犧牲子膜404a與無機犧牲子膜404b構成第一無機犧牲膜404，且無機子膜406a與無機子膜406b 構成第一無機膜406。

另外，無機子膜406b的成分及無機犧牲子膜404b的成分實質上與無機子膜406a的成分相同。也就是說，在一實施例中，當靶材110的材質為鋁，以及製程氣體為氬氣和氧氣的混合氣體時，與無機犧牲子膜404a相比，無機子膜406a、無機子膜406b和無機犧牲子膜404b的成分皆為較接近化學劑量組成比2：3的比例的氧化鋁。如此一來，由無機子膜406a與無機子膜406b構成的第一無機膜406是一個膜質均勻的膜層。

進一步而言，在圖5D的濺鍍過程中，連續形成的無機子膜406b和無機犧牲子膜404b的成分會相同的原因如下：如上文所述，終點位置L2與靶材110的間距P2小於起始位置L1與靶材110的間距P1，藉此當承載器120到達終點位置L2時，承載器120並未遠離電漿區，因此在承載器120自終點位置L2朝向起始位置L1移動的過程中，電漿402一直都是呈現穩定狀態。也就是說，無機子膜406b和無機犧牲子膜404b是在電漿402呈現穩定狀態的情形下形成。

另外，雖然無機子膜406b的成分與無機犧牲子膜404b的成分相同，但由於無機子膜406a的成分與無機犧牲子膜404a的成分不相同，故第一無機膜406的成分與第一無機犧牲膜404的成分實質上並不相同。進一步而言，除了成分實質上不相同之外，第一無機膜406與第一無機犧牲膜404在例如表面張力、穿透度、應力等的薄膜特性上也有所差異。

基於上述內容可知，在圖5B至圖5D的濺鍍過程中，透過使用本發明的濺鍍裝置10，每當以靶材110對基板400進行濺鍍時，電漿402都是呈現穩定狀態，從而能夠在成膜面400S上形成膜質均勻的第一無機膜406。

在圖5B至圖5D的步驟之後，可將基板400移出承載器120，並接著在第一無機膜406上形成第一有機膜408，如圖5E所示。形成第一有機膜408的方法包括進行轉塗佈製程(spin-on coating process)、滾筒塗佈製程(roller coating process)、狹縫塗佈製程(slit coating process)、噴墨法(ink-jet method)、噴霧式塗佈(spray coating)或真空沉積(vacuum deposition)等。第一有機膜408的材質包括壓克力、聚酯纖維或聚乙烯。

接著，在第一無機膜406上形成第一有機膜408之後，可將基板400再次置於濺鍍設備10的承載板122上，並進行如圖5B至圖5D所述的步驟，以在第一有機膜408上形成第二無機膜410，其中第二無機膜410包括無機子膜410a及無機子膜410b，如圖5F所示。

在本實施方式中，保護膜420包括第一無機膜406、第一有機膜408及第二無機膜410。也就是說，本發明的保護膜420為無機膜與有機膜彼此堆疊而成的膜層。

值得說明的是，在無機膜與有機膜堆疊的情況下，當無機膜的整體的成分均勻時，形成在其上的有機膜具有平坦的表面；反之當無機膜的成分不均勻時，例如部分區域之成份不同於 其他區域，在其上形成有機膜的過程中會發生有機材料聚結成球狀的現象，使得有機膜具有凹凸不平的表面。進一步而言，當無機膜上的有機膜具有平坦表面時，有機膜不但具有平坦化的功能，亦可覆蓋過無機膜中的缺陷，使得無機膜之間的缺陷不會相連；反之，當無機膜上的有機膜具有凹凸不平的表面時，有機膜不但失去平坦化的功能，甚至使得後續形成的膜層發生不連續的情形，進而導致缺陷增加，以及在基板的成膜面上已形成有有機發光二極體元件的情況下，導致有機發光二極體元件的出光效能受到影響。

有鑑於此，本實施方式的保護膜420可作為封裝用的薄膜。進一步而言，保護膜420具有良好的阻水阻氣效果，其原因如下。由於形成在成膜面400S上的第一無機膜406的成分均勻，故第一有機膜408會具有平坦的表面，藉此第一有機膜408不但具有平坦化的功能，使得後續形成的第二無機膜410不會因為表面不平整而發生不連續的情形，亦能夠覆蓋過第一無機膜406中的缺陷，使得無機膜之間的缺陷不會相連，也就是說第一有機膜408可分開(decouple)第一無機膜406與第二無機膜410兩層的缺陷。如此一來，阻水性較佳的第一無機膜406及第二無機膜410中的缺陷降低，藉此水氣或氧氣無法容易的經由保護膜420滲入至基板400上，而達成良好的阻水阻氣效果。進一步而言，當基板400是成膜面上已形成有有機發光二極體元件的基板時，透過基板400上形成有保護膜420，不但可防止水氣或氧氣入侵到所述 元件而對其造成破壞，更可使得所述元件具有適當的出光效能。

在本實施方式中，雖然第一無機膜406和第二無機膜410皆是在承載器120僅進行一次的來回移動後形成(圖5B至圖5D所述的步驟)，但本發明並不限於此。在其他實施方式中，根據第一無機膜406和第二無機膜410所需的厚度，利用濺鍍設備10進行濺鍍時，承載器120可以進行多次的來回移動，或是承載器120可以僅自起始位置L1移動至終點位置L2。

另外，在本實施方式中，雖然保護膜420包括第一無機膜406、第一有機膜408及第二無機膜410，但本發明對保護膜420中的無機膜與有機膜的堆疊層數並不作任何的限制。因此，在其他實施方式中，可依據實際上不同的使用需求而調整無機膜與有機膜的堆疊層數。

另外，在本實施方式中，雖然是以圖1的濺鍍設備10來詳細說明保護膜420的形成方法，但所屬領域中具有通常知識者應可理解，承載器120亦可以圖3的承載器220來實現，並且透過設置有延伸元件224，亦可在基板400上形成膜質均勻的第一無機膜406及第二無機膜410。

同樣地，在本實施方式中，雖然是以圖1的濺鍍設備10來詳細說明保護膜420的形成方法，但所屬領域中具有通常知識者應可理解，亦可以圖4的濺鍍設備30來實現保護膜420的形成。

詳細而言，請同時參照圖4及圖5A至圖5F，透過承載器320設置有延伸元件124及延伸元件325，除了當承載器320 自遠離電漿區的起始位置L3朝向終點位置L4移動時，延伸元件124可提供濺鍍時電漿所需達到穩定的時間與空間，以使得利用靶材110對基板400進行濺鍍時，電漿402是呈現穩定狀態外，由於如上文所述，終點位置L4與靶材110的間距P4等於起始位置L3與靶材110的間距P3，藉此當承載器320自遠離電漿區的終點位置L4朝向起始位置L3移動時，延伸元件325也可提供濺鍍時電漿穩定的所需之時間與空間，以使得利用靶材110對基板400進行濺鍍時，電漿402也是呈現穩定狀態。如此一來，透過使用濺鍍設備30亦可在基板400上形成膜質均勻的第一無機膜406及第二無機膜410。

綜上所述，本發明的濺鍍裝置透過設置延伸元件，可使得基板能夠在電漿呈現穩定狀態的情況下進行濺鍍，以於成膜面上形成膜質均勻的無機膜。另外，由於本發明的濺鍍裝置能夠於基板上形成膜質均勻的無機膜，使得後續於其上形成的有機膜不但具有平坦化的功能，亦能夠避免無機膜之間的缺陷相連，故透過本發明的濺鍍裝置能夠於基板上形成具有良好阻水阻氣效果的保護膜。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10‧‧‧濺鍍設備

100‧‧‧濺鍍腔體

110‧‧‧靶材

120‧‧‧承載器

121‧‧‧第一側板

122‧‧‧承載板

122a‧‧‧第一側邊

122b‧‧‧第二側邊

123‧‧‧第二側板

124‧‧‧延伸元件

126‧‧‧容納空間

A‧‧‧移動路徑

L1‧‧‧起始位置

L2‧‧‧終點位置

P1、P2‧‧‧間距

θ1‧‧‧第一夾角

θ2‧‧‧第二夾角

θ3‧‧‧第三夾角

Claims (15)

1. 一種濺鍍設備，適於濺鍍一基板，該基板具有一成膜面，該濺鍍設備包括：一濺鍍腔體；一靶材，配置於該濺鍍腔體內，用以對該基板的該成膜面進行濺鍍；以及一承載器，配置於該濺鍍腔體內，且相對於該靶材，該承載器能夠在一起始位置與一終點位置之間沿一移動路徑來回移動，其中該承載器包括：一承載板，具有相對的一第一側邊以及一第二側邊，其中當該承載器處於該起始位置時，相對於該第二側邊，該第一側邊鄰近於該靶材；以及一延伸元件，自該承載板的該第一側邊向外延伸。
2. 如申請專利範圍第1項所述的濺鍍設備，其中該承載板的該第一側邊以及該第二側邊的延伸方向與該移動路徑的延伸方向互相垂直。
3. 如申請專利範圍第1項所述的濺鍍設備，其中該承載器更包括一第一側板以及一第二側板，分別與該承載板的該第一側邊以及該第二側邊連接以定義一容納空間，且該第一側板與該承載板之間具有一第一夾角，該第二側板與該承載板之間具有一第二夾角。
4. 如申請專利範圍第3項所述的濺鍍設備，其中該延伸元件 與該第一側板之間具有一第三夾角，該第三夾角介於45度至135度之間。
5. 如申請專利範圍第1項所述的濺鍍設備，其中該延伸元件與該承載板之間具有一第四夾角，該第四夾角介於135度至225度之間。
6. 如申請專利範圍第1項所述的濺鍍設備，其中該靶材的材質包括鋁、鈦、鋯或矽。
7. 一種保護膜的形成方法，包括：提供一濺鍍設備，包括：一濺鍍腔體；一靶材，配置於該濺鍍腔體內；以及一承載器，配置於該濺鍍腔體內，且相對於該靶材，該承載器能夠在一起始位置與一終點位置之間沿一移動路徑來回移動，其中該承載器包括：一承載板，具有相對的一第一側邊以及一第二側邊，其中當該承載器處於該起始位置時，相對於該第二側邊，該第一側邊鄰近於該靶材；以及一延伸元件，自該承載板的該第一側邊向外延伸；將一基板置於該承載板上，其中該基板具有一成膜面；以及利用該靶材對該基板進行濺鍍，以在該成膜面上形成一第一無機膜。
8. 如申請專利範圍第7項所述之保護膜的形成方法，其中該 承載板的該第一側邊以及該第二側邊的延伸方向與該移動路徑的延伸方向互相垂直。
9. 如申請專利範圍第7項所述之保護膜的形成方法，其中該承載器更包括一第一側板以及一第二側板，分別與該承載板的該第一側邊以及該第二側邊連接以定義一容納空間，且該第一側板與該承載板之間具有一第一夾角，該第二側板與該承載板之間具有一第二夾角。
10. 如申請專利範圍第9項所述之保護膜的形成方法，其中該延伸元件與該第一側板之間具有一第三夾角，該第三夾角介於45度至135度之間。
11. 如申請專利範圍第7項所述之保護膜的形成方法，其中該延伸元件與該承載板之間具有一第四夾角，該第四夾角介於135度至225度之間。
12. 如申請專利範圍第7項所述之保護膜的形成方法，其中該靶材的材質包括鋁、鈦、鋯或矽。
13. 如申請專利範圍第7項所述的保護膜的形成方法，更包括在利用該靶材對該基板進行濺鍍之前，在該濺鍍腔體的一電漿區中產生一電漿；其中，當該承載器自該起始位置朝向該終點位置移動時，該延伸元件在該基板進入到該電漿區內之前進入到該電漿區內，且當該延伸元件進入到該電漿區內時，該電漿呈現不穩定狀態，而當該基板進入到該電漿區內時，該電漿呈現穩定狀態。
14. 如申請專利範圍第7項所述之保護膜的形成方法，其中利用該靶材對該基板進行濺鍍時，更包括於該延伸元件上形成一第一無機犧牲膜，並且該第一無機犧牲膜的成分與該第一無機膜的成分不相同。
15. 如申請專利範圍第14項所述之保護膜的形成方法，更包括：於該第一無機膜上形成一第一有機膜；以及利用該靶材對前述包含該第一無機膜與該第一有機膜的基板進行濺鍍，以於該第一有機膜上形成一第二無機膜。