JPH0518179B2 - - Google Patents
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- JPH0518179B2 JPH0518179B2 JP19712784A JP19712784A JPH0518179B2 JP H0518179 B2 JPH0518179 B2 JP H0518179B2 JP 19712784 A JP19712784 A JP 19712784A JP 19712784 A JP19712784 A JP 19712784A JP H0518179 B2 JPH0518179 B2 JP H0518179B2
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- cylindrical
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は、高密度磁気記録再生に適する垂直磁
気記録媒体の製造方法に関する。 従来例の構成とその問題点 近年、短波長記録再生に於て原理的に減磁の少
ない基板面に垂直に反平行に記録する、いわゆる
垂直磁気記録の提案がなされ実用化に向けて開発
が進められている。 この方式の実用化にはいくつかの技術要素の進
歩が必要であるが、中でも磁気記録媒体の高速作
成は重大な課題である。 それは垂直磁気記録の提案が、高周波スパツタ
リング法で形成したCo−Cr膜によりなされ、そ
れを中心に検討が進められ、媒体の高速作成につ
いては高温に基板を保持し、真空蒸着することで
得られるCo−Cr膜は一部垂直磁気記録に用いる
ことができることが知られる程度で開発が不十分
である。 最近Co−Ｏ、Co−Ni−Ｏ膜でも垂直配向の磁
化膜が得られることが知られ、特に耐熱基板を必
要としない条件で作成が可能であるとして注目さ
れている。しかしこの膜は、実際に磁気特性、Ｘ
線回折からみてCo−Cr蒸着膜と類似した特性を
示すものも得られるが、記録再生に必要な面積の
もので確認されていない。 本発明者は、斜方蒸着に実用化した蒸着装置を
改造し、ほぼ垂直蒸着できるようにして、実験を
くり返した。 第１図は垂直磁気記録媒体の構成の一部であ
る。第１図で１は高分子基板、２は軟磁性層、３
は垂直磁化層である。 垂直磁化層としてHc2（垂直方向の抗磁力）は
500（O¨e）から1900（O¨e）、の値が得られるが、発
表されているCo−Crスパツタ膜の出力より6dB
から12dBと極めて低い再生出力しか得られない。 この点について解析したところ、磁区構造的に
差違が認められ、Co−Cr膜と同様に単磁区構造
の膜を得ることの出来る条件について鋭意検討を
加え本発明を完成したものである。 発明の目的 本発明は上記事情に鑑みなされたもので、優れ
た短波長再生出力を与える垂直磁気記録媒体をポ
リエステル基板を用いても製造可能な方法を提供
するものである。 発明の構成 本発明の磁気記録媒体の製造方法は、円筒状キ
ヤンを−10℃以下に保持し、グロー放電蒸着によ
りCo−Ｏ、又はCo−Ni−Ｏ膜を形成することを
特徴とし、短波長再生出力の優れた媒体を汎用性
の高いポリエステル基板を用いて製造できるもの
である。 実施例の説明 以下、本発明の実施例について説明する。 第２図は本発明の製法を実施した蒸着装置の内
部構成図である。 第２図に於て４は高分子基板、５は送り出し
軸、６は巻取り軸、７は円筒状キヤン、８は冷媒
の循環器、９は蒸発源容器、１０は蒸着材料、１
１は電子ビーム発生器、１２は加速電子ビーム、
１３は高周波コイル、１４はマスク、１５はスリ
ツトである。 高周波としては20kHzから52MHzまで特に依存
性はみられなかつたので、100kHzで実験した。 本発明の製法の条件で重要なのは、ひとつは基
板を冷却するための円筒状キヤンの温度条件であ
り、もうひとつは、グロー放電にさらしたCo又
はCo−Ni蒸気流により、酸素中でCo−Ni−Ｏ膜
を形成することである。 温度条件としては０℃以下、好ましくは−10℃
以下にして、グロー放電としては、蒸気流の量に
応じて調整した。 本発明でグロー放電については数値的制約を加
えなかつたのは通常の知識を有する当業界の者が
容易に設定し得る範囲でその効果が確認できるか
らである。 しかし通常の電子ビーム蒸着とキヤン温度条件
のみでは不十分なものしか得られないので、グロ
ー放電の利用は必須である。 本発明に於て、−10℃以下の限定は結晶配向性
の向上のために通常、当業者がとる方法と全く逆
であるが、本発明の課題解決には、むしろ、温度
は低くして、原子の易動度を抑制し、結晶配向性
の向上はグロー放電の手助けによることで、磁区
構造を改良できるものと考えられるものである。 以下さらに具体的に一実施例について説明す
る。 （実施例） 直径50cmの円筒状キヤンを用い、その直下38cm
にCo又はCo−Niの蒸発源容器を配し、270度偏
向電子ビームにより加熱蒸発するようにした。マ
スクは、蒸発源容器から33cm上部にスリツト幅
（基板の移動方向の長さ）７cmのものを配し、高
周波コイルは５ターンのものを下端が蒸発源から
19cm上端が29cmになるように配設した。真空ポン
プ系は液体窒素トラツプを有する油拡散ポンプ系
で予備排気は８×10-7Torrまで行うものとした。 動作真空度は10-4Torrから10-6Torrまで可変
した。放電ガスはアルゴンを用いた。尚酸素分圧
は１×10-3Torrとした 。 高分子基板は、厚み12μのポリエチレンテレ
フタレートフイルムを用いた。 尚記録再生をCo−Crスパツタ膜と比較しなが
ら行うために、あらかじめ前記フイルムに同一条
件でパーマロイ薄膜を0.46μｍ高周波スパツタリ
ング法で形成し、その上に0.15μｍのCo−Ｏ又は
Co−Ni−Ｏ膜の形成を行つたものと、比較例と
して0.15μｍCo−Cr膜を高周波スパツタリング法
にて形成したものを準備した。記録再生は補助磁
極励磁型の垂直ヘツドを用いて行つた。条件と結
果を表に示した。
気記録媒体の製造方法に関する。 従来例の構成とその問題点 近年、短波長記録再生に於て原理的に減磁の少
ない基板面に垂直に反平行に記録する、いわゆる
垂直磁気記録の提案がなされ実用化に向けて開発
が進められている。 この方式の実用化にはいくつかの技術要素の進
歩が必要であるが、中でも磁気記録媒体の高速作
成は重大な課題である。 それは垂直磁気記録の提案が、高周波スパツタ
リング法で形成したCo−Cr膜によりなされ、そ
れを中心に検討が進められ、媒体の高速作成につ
いては高温に基板を保持し、真空蒸着することで
得られるCo−Cr膜は一部垂直磁気記録に用いる
ことができることが知られる程度で開発が不十分
である。 最近Co−Ｏ、Co−Ni−Ｏ膜でも垂直配向の磁
化膜が得られることが知られ、特に耐熱基板を必
要としない条件で作成が可能であるとして注目さ
れている。しかしこの膜は、実際に磁気特性、Ｘ
線回折からみてCo−Cr蒸着膜と類似した特性を
示すものも得られるが、記録再生に必要な面積の
もので確認されていない。 本発明者は、斜方蒸着に実用化した蒸着装置を
改造し、ほぼ垂直蒸着できるようにして、実験を
くり返した。 第１図は垂直磁気記録媒体の構成の一部であ
る。第１図で１は高分子基板、２は軟磁性層、３
は垂直磁化層である。 垂直磁化層としてHc2（垂直方向の抗磁力）は
500（O¨e）から1900（O¨e）、の値が得られるが、発
表されているCo−Crスパツタ膜の出力より6dB
から12dBと極めて低い再生出力しか得られない。 この点について解析したところ、磁区構造的に
差違が認められ、Co−Cr膜と同様に単磁区構造
の膜を得ることの出来る条件について鋭意検討を
加え本発明を完成したものである。 発明の目的 本発明は上記事情に鑑みなされたもので、優れ
た短波長再生出力を与える垂直磁気記録媒体をポ
リエステル基板を用いても製造可能な方法を提供
するものである。 発明の構成 本発明の磁気記録媒体の製造方法は、円筒状キ
ヤンを−10℃以下に保持し、グロー放電蒸着によ
りCo−Ｏ、又はCo−Ni−Ｏ膜を形成することを
特徴とし、短波長再生出力の優れた媒体を汎用性
の高いポリエステル基板を用いて製造できるもの
である。 実施例の説明 以下、本発明の実施例について説明する。 第２図は本発明の製法を実施した蒸着装置の内
部構成図である。 第２図に於て４は高分子基板、５は送り出し
軸、６は巻取り軸、７は円筒状キヤン、８は冷媒
の循環器、９は蒸発源容器、１０は蒸着材料、１
１は電子ビーム発生器、１２は加速電子ビーム、
１３は高周波コイル、１４はマスク、１５はスリ
ツトである。 高周波としては20kHzから52MHzまで特に依存
性はみられなかつたので、100kHzで実験した。 本発明の製法の条件で重要なのは、ひとつは基
板を冷却するための円筒状キヤンの温度条件であ
り、もうひとつは、グロー放電にさらしたCo又
はCo−Ni蒸気流により、酸素中でCo−Ni−Ｏ膜
を形成することである。 温度条件としては０℃以下、好ましくは−10℃
以下にして、グロー放電としては、蒸気流の量に
応じて調整した。 本発明でグロー放電については数値的制約を加
えなかつたのは通常の知識を有する当業界の者が
容易に設定し得る範囲でその効果が確認できるか
らである。 しかし通常の電子ビーム蒸着とキヤン温度条件
のみでは不十分なものしか得られないので、グロ
ー放電の利用は必須である。 本発明に於て、−10℃以下の限定は結晶配向性
の向上のために通常、当業者がとる方法と全く逆
であるが、本発明の課題解決には、むしろ、温度
は低くして、原子の易動度を抑制し、結晶配向性
の向上はグロー放電の手助けによることで、磁区
構造を改良できるものと考えられるものである。 以下さらに具体的に一実施例について説明す
る。 （実施例） 直径50cmの円筒状キヤンを用い、その直下38cm
にCo又はCo−Niの蒸発源容器を配し、270度偏
向電子ビームにより加熱蒸発するようにした。マ
スクは、蒸発源容器から33cm上部にスリツト幅
（基板の移動方向の長さ）７cmのものを配し、高
周波コイルは５ターンのものを下端が蒸発源から
19cm上端が29cmになるように配設した。真空ポン
プ系は液体窒素トラツプを有する油拡散ポンプ系
で予備排気は８×10-7Torrまで行うものとした。 動作真空度は10-4Torrから10-6Torrまで可変
した。放電ガスはアルゴンを用いた。尚酸素分圧
は１×10-3Torrとした 。 高分子基板は、厚み12μのポリエチレンテレ
フタレートフイルムを用いた。 尚記録再生をCo−Crスパツタ膜と比較しなが
ら行うために、あらかじめ前記フイルムに同一条
件でパーマロイ薄膜を0.46μｍ高周波スパツタリ
ング法で形成し、その上に0.15μｍのCo−Ｏ又は
Co−Ni−Ｏ膜の形成を行つたものと、比較例と
して0.15μｍCo−Cr膜を高周波スパツタリング法
にて形成したものを準備した。記録再生は補助磁
極励磁型の垂直ヘツドを用いて行つた。条件と結
果を表に示した。
【表】
【表】
信号対雑音比はCo−Crスパツタ膜の場合をＯ
〔dB〕としていずれの波長でも相対比較した値を
示したものである。 尚表の媒体の生産性について比較するならば、
スパツタリング法の15倍から33倍の速度で本発明
は実施されている。（但し、放電電力を同一にし
ての比較である。） 又０℃でも性能は格別劣るものではないが、長
尺の媒体を製造する上でやや安定性に欠けるので
−10℃以下にするのが好ましいのである。 以上のように本発明品は性能上も又生産性も従
来品より優れていることが理解できる。 尚、基板としては、他の公知の基板も他の要求
から用いられてもよいのは勿論である。 発明の効果 以上のように本発明によれば、高分子基板を冷
却してCo又はCo−Niを酸素中でアルゴンを補助
的に導入しグロー放電蒸着をすることで、高速で
かつ、性能の良い垂直記録媒体を製造できるもの
でその実用価値は大きい。
〔dB〕としていずれの波長でも相対比較した値を
示したものである。 尚表の媒体の生産性について比較するならば、
スパツタリング法の15倍から33倍の速度で本発明
は実施されている。（但し、放電電力を同一にし
ての比較である。） 又０℃でも性能は格別劣るものではないが、長
尺の媒体を製造する上でやや安定性に欠けるので
−10℃以下にするのが好ましいのである。 以上のように本発明品は性能上も又生産性も従
来品より優れていることが理解できる。 尚、基板としては、他の公知の基板も他の要求
から用いられてもよいのは勿論である。 発明の効果 以上のように本発明によれば、高分子基板を冷
却してCo又はCo−Niを酸素中でアルゴンを補助
的に導入しグロー放電蒸着をすることで、高速で
かつ、性能の良い垂直記録媒体を製造できるもの
でその実用価値は大きい。
第１図は磁気記録媒体の拡大断面図、第２図は
本発明の製法を実施するのに用いた蒸着装置の内
部構成図である。 ７……円筒状キヤン、８……冷媒循環路、１３
……高周波コイル。
本発明の製法を実施するのに用いた蒸着装置の内
部構成図である。 ７……円筒状キヤン、８……冷媒循環路、１３
……高周波コイル。
Claims (1)
- １ 円筒状キヤンに沿つて移動する高分子基板上
にCo−Ｏ又はCo−Ni−Ｏのいずれかの垂直磁化
膜の形成を、円筒状キヤンを−10℃以下に保持
し、グロー放電蒸着にて行うことを特徴とする磁
気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19712784A JPS6174140A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19712784A JPS6174140A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6174140A JPS6174140A (ja) | 1986-04-16 |
| JPH0518179B2 true JPH0518179B2 (ja) | 1993-03-11 |
Family
ID=16369188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19712784A Granted JPS6174140A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6174140A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03250421A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
-
1984
- 1984-09-20 JP JP19712784A patent/JPS6174140A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6174140A (ja) | 1986-04-16 |
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