JPS60111348A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は垂直記録方式に適した磁気記録媒体の製造方法
に関する。

従来例の構成とその問題点 従来実用に供されている長手記録は、記録波長が弼かく
なるに従って減磁界が大きくなり、大きな残留磁化を得
ることができなくなるのに反し、磁気記録媒体面に垂直
な方向に互いに反平行に記録していく、いわゆる垂直記
録方式は短波長稈減磁界が小さくなるので大きな残留磁
化を得ることができるので、高密度記録方式として注目
されている。この記録方式を具体化するには、磁気記録
層が膜面に垂直に磁化されるいわゆる垂直磁化膜を必要
とし、現在Ｃｏ−Ｃｒ（Ｃｒ２０ｗｔ％前後）のスパッ
タ膜が最も結晶配向性が良好であることが知られている
。

又垂直記録用の媒体になる材料としてはいくつかのＣｏ
　−Ｍ　（ＭはＣｒの他にＷ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｖ、
等のＣＯのもつ飽和磁化を稀釈し減磁界を弱めるために
添加される原子を示している。）合金があり、いずれも
スパッタ膜が良好な結晶配向性を有している。

これらの垂直磁化膜を移動する基板上に形成することは
、垂直記録の実用化には重要なことである。第１図は、
代表的な垂直記録用の磁気配録媒体の拡大断面図である
。基板１の上に軟磁性層２があり、その上に垂直磁化膜
３が配されたもので、表面保護層、裏面塗布層等は適宜
配されるものである。第２図は、スパッタリング法の模
式図で、基板１に対向して、ターゲット４を真空中に配
設し、ある圧力を選んでターゲラ）４に高周波電源６か
らマツチング回路６の調整により、高周波電力を供給し
、高周波グロー放電を生じせしめる。

７は基板ホルダで、８はターゲットホルダである１゜タ
ーゲット４を例えば２０％Ｃｒを含むＣｏ−Ｃｒ合金で
作成しておき、放電ガスにアルコ゛ンを用いて１ｓ、ｐ
；６Ｈ＆の高周波を利用することで、垂直保磁力をいろ
いろ変えた垂直磁化膜を得ることができるのであるが、
基板１を移動しながら（この場合は基板ホルダ７は巻取
蒸着によく用いられる円筒状キャンで置き換えるものと
する。）垂直磁化膜を得ようとすると第３図に曲線りで
示したように極端に保磁力が小さく々ってしまう問題が
あった。

この原因として推察されるものに、基板からの放出ガス
がある。特に軟磁性層を配さない場合は、次々に新しい
基板面がスパッタ雰囲気に入ってくるので、連続したガ
ス源とみることができるが、この見方で基板の前処理を
十分行っても、又前処理した上に軟磁性層を配した上に
垂直磁化膜を形成しても、垂直保磁力がわずかに大きく
なるだけで、明瞭な改善がみられな−かった。

発明の目的 本発明は」二記従来の問題点を解消するもので、スパッ
タリング法により移動する高分子基板上に大きな垂直保
磁力を有する垂直磁化膜を形成することのできる磁気記
＠媒体の製造方法を提供するものである。

発明の構成 本発明は、移動する高分子基板にＣｏ−Ｍ合金から成る
垂直磁化膜をスパッタリング法にて形成する際、ＣＯ原
子のスパッタ速度がＭ原子のスパッタ速度より大きいグ
ロー放電を用いることを特徴とするもので、垂直保磁力
の大きい垂直磁化膜を連続的に形成できるものである。

実施例の説明 本発明は、スパッタリング法により大きい垂直保磁力を
有する垂直磁化膜を移動する高分子基板上に形成するに
は、グロー放電条件の選択が極めて重要であることを尽
きとめ完成させたもので、以下図面を参照しながら実施
例について説明する。

第１図の高分子基板１としては、ポリエチレンテレフタ
レート等のポリエステル類、ポリプロピレン等のポリオ
レフィン類、セルローズジアセテート、ニトロセルロー
ス等のセルロース誘導体。

ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリアミドイミド
、ポリヒダントイン、ポリバラパニック酸。

ポリイミド等が用いられる。

軟磁性層２としては、パーマロイ薄膜が代表的であるが
、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ等で置き換えることもできる。

垂直磁化膜は、Ｃｏ−Ｃｒ　、　Ｃｏ　−Ｔ　ｉ　、　
Ｃｏ　−Ｍｏ　。

Ｃｏ　−Ｗ　、　Ｃｏ−Ｒｕ　、　Ｃｏ　−Ｍｎ　、　
Ｃｏ　−Ｖ　、　Ｃｏ　−Ｃｒ　−Ｒｈ等で三元合金の
場合は、Ｍであられされる元素が２つある訳であるが、
その場合は、重量％の多い方の元素とｃｏとの間のスパ
ッタ速度が本発明の条件を満足するように選ぶものとす
る。

又Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ　、Ｃｏ−Ｎｉ　−Ｖ　、Ｃｏ−Ｎ
ｉ　−Ｔ　ｉ等の場合は、ＣＯがｃｏ　−Ｎ　ｉに置き
換ったものと考えて取扱うこととしＭは、Ｃｏ−Ｎｉ以
外の元素をさし、ＣＯとＭ原子の関係に注目するものと
する。

スパッタリング法は公知の高周波スパッタ、直流スパッ
タ、それぞれのマグネトロン方式等から適宜選択できる
。

第４図は、高周波（周波数１３．５ｅＪ−ｈ　）二極ス
パッタリングでＣｏ−Ｃｒのスパッタ率で、発振管の陽
極電圧とＣｏとＣｒのスパッタ率の関係を示したもので
、Ｃｏの最大値を１に規格化した相対値である。

動作条件を■、■ｔｏｔ■と変えでＣｏ　−Ｃｒ（Ｃｒ
　２１ｗｔ％）をスパッタして、Ｃｏ−Ｃｒの膜厚ば０
．１μｍで一定になるように高周波電力を調整し、高分
子基板の移動速度を変えて垂直磁化膜を作放し、振動試
別型磁束計で垂直方向の保磁力を測定した。

〔実施例−１〕 厚さ８１１ｍのポリエチレンテレフタレートを８０℃の
熱媒を循環させた直径５０ｃｍの円筒状のキャンに沿わ
せて移動させて、キャン表面から１ｏｃｍ離れだ位置に
Ｃｏ−Ｃｒのターゲットを移動方向の長さが１２ｃｍの
ものを２基置いてＣｏ、−Ｃｒをスパッタ蒸着した。真
空槽はあらかじめ１Ｏ−６Ｔｏｒｒまで排気し、基板の
表面を３００Ｗの高周波電力を投入し、（陽極電圧Ｉ　
ＫＶ）　Ａｒ　９Ｘ１０−３Ｔｏｒｒで１．２５Ｅグロ
ー放電処理してからスパック蒸着した。

動作条件を第４図の■、■、■、■にそれぞれ選びＡｒ
の圧力を１×１Ｏ−６Ｔｏｒｒ　−１ｘ　１　ｏ−２Ｔ
ｏｒｒに変え、投入電力をターゲット１基当！１１．５
６０Ｗから２．２ＫＷまで変化させて、得たＣｏ−Ｃｒ
膜の垂直保磁力を移動速度を変えてプロットしたのが第
３図である。

本発明の構成要件を満足する■、■、■は、停止基板上
に得られたＣｏ−Ｃｒ膜の垂直保磁力に比較すると少し
基板が移動する状態で形成したＣｏ　−Ｃｒ膜の方が小
さいが、変化量は抑制されており、大きな保磁力が得ら
れている。それに比べて■では急激な保磁力低下が起っ
ており、本発明との差は大きい。

両者の差異が生じｌｉｃ原因のひとつは、本発明の要件
を満足したグロー放電状態の方がＣｒの励起状態にある
割合が大きいこと−が分光測定により知られるが、それ
による結晶配向性の向上が考えられる。

仙の例として熱媒温度を１２０℃にあげて前記したと同
じ実験を行ったが、■から■の条件では、５ｍ／ｍｍで
９５０−１０５０　［：エルステッド〕、■でｉｄ　４
２０　［：ニルステノド〕であった。

〔実施例−２〕 ６．８μｍのポリアミド基板を１６０℃で２４時間τを
空乾燥した後、キャンの表面温度５０℃でＮｉ−Ｆｅ　
（８０ｗｔ％Ｎｉ　）を０．４３１℃ｍ電子ビーム蒸着
した。

その基板を用いて、実施例−１と同じ要領で、Ｃｏ−Ｃ
ｒターゲットをｃｏ−■ターゲットに変えてＣｏ　−Ｖ
　（Ｖ　２４ｗｔ　％　）　から成る垂直磁化膜を０．
１５μｍ形威し形成 基板の移動速度５　ｍ／ｍｉｎで得られた垂直保磁力は
動作条件によりそれぞれ■が１ｏ２ｏ〔エルステッド〕
、■が９９０〔エルステッド〕、■が９５０（エルステ
ッド〕、■が３８ｏ〔エルステッド〕であった。

発明の効果 以上のように本発明はＣｏ−Ｍ合金から成る垂直磁化膜
をスパッタリング法で形成する際、スパッタ速度がＭ原
子よりＣＯ原子の方が大きい条件のグロー放電でスパッ
タすることで、例え高分子基板が移動しても結晶配向性
の良い、大きい垂直保磁力をもったＣｏ−Ｍ合金垂直磁
化膜が得られるもので、その実用的効果は大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図は、垂直磁気記録用の磁気記録媒体の拡大断面図
、第２図は、スパッタリング法による垂直磁化膜形成を
説明するための図、第３図は、グロー放電条件をパラメ
ータにした垂直保磁力の移動速度依存性を示す特性図、
第４図は、各原子のスパッタ速度のグロー放電条件との
関係を示す特性図である。 １・・・・・・高分子基板、３・・・・・・垂直磁化膜
。 第１図 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 移動する高分子基板にＣｏ−Ｍ合金からガる垂直磁化膜
   をスパッタリング法にて形成する際、ＣＯ原子のスパッ
   タ速度がＭ原子の゛スパッタ速度より、大きいグロー放
   電を用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。