JPH08129741A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH08129741A JPH08129741A JP26594194A JP26594194A JPH08129741A JP H08129741 A JPH08129741 A JP H08129741A JP 26594194 A JP26594194 A JP 26594194A JP 26594194 A JP26594194 A JP 26594194A JP H08129741 A JPH08129741 A JP H08129741A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 非磁性支持体１上に、金属磁性薄膜３が形成
されてなる磁気記録媒体において、上記非磁性支持体１
と金属磁性薄膜３との間にＧｅ−Ｃｏ下地層２を設け
る。なお、Ｇｅ−Ｃｏ下地層２においてＧｅ含有量は２
０ａｔｍ％〜８０ａｔｍ％が適当である。 【効果】 金属磁性薄膜の保磁力分布ΔＨｃ／Ｈｃが小
さくなり、電磁変換特性に優れ、特に短波長領域におい
て大きな再生出力を発揮する磁気記録媒体が得られる。
されてなる磁気記録媒体において、上記非磁性支持体１
と金属磁性薄膜３との間にＧｅ−Ｃｏ下地層２を設け
る。なお、Ｇｅ−Ｃｏ下地層２においてＧｅ含有量は２
０ａｔｍ％〜８０ａｔｍ％が適当である。 【効果】 金属磁性薄膜の保磁力分布ΔＨｃ／Ｈｃが小
さくなり、電磁変換特性に優れ、特に短波長領域におい
て大きな再生出力を発揮する磁気記録媒体が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、いわゆる金属磁性薄膜
型の磁気記録媒体に関し、特に短波長領域における特性
の改善に関する。
型の磁気記録媒体に関し、特に短波長領域における特性
の改善に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、磁気記録媒体としては、非磁
性支持体上に酸化物磁性粉末あるいは合金磁性粉末等の
粉末磁性材料を塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体、ポ
リエステル樹脂、ウレタン樹脂、ポリウレタン樹脂等の
有機バインダー中に分散せしめた磁性塗料を塗布、乾燥
することにより磁性層が形成される、いわゆる塗布型の
磁気記録媒体が広く使用されている。
性支持体上に酸化物磁性粉末あるいは合金磁性粉末等の
粉末磁性材料を塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体、ポ
リエステル樹脂、ウレタン樹脂、ポリウレタン樹脂等の
有機バインダー中に分散せしめた磁性塗料を塗布、乾燥
することにより磁性層が形成される、いわゆる塗布型の
磁気記録媒体が広く使用されている。
【０００３】これに対して、高密度記録への要求の高ま
りとともに、Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ、Ｃｏ−Ｏ等の金属磁性材料をメッキや
真空薄膜形成手段（真空蒸着法、スパッタリング法、イ
オンプレーティング法等）によってポリエステルフィル
ムやポリアミド、ポリイミドフィルム等の非磁性支持体
上に直接被着することで磁性層が形成される、いわゆる
金属磁性薄膜型の磁気記録媒体が提案され注目を集めて
いる。
りとともに、Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ、Ｃｏ−Ｏ等の金属磁性材料をメッキや
真空薄膜形成手段（真空蒸着法、スパッタリング法、イ
オンプレーティング法等）によってポリエステルフィル
ムやポリアミド、ポリイミドフィルム等の非磁性支持体
上に直接被着することで磁性層が形成される、いわゆる
金属磁性薄膜型の磁気記録媒体が提案され注目を集めて
いる。
【０００４】この金属磁性薄膜型の磁気記録媒体は、保
磁力や角型比等に優れ、短波長での電磁変換特性に優れ
るばかりでなく、磁性層の厚みを極めて薄くできるた
め、記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さいこと、
磁性層中に非磁性材であるバインダーを混入させる必要
がないため、磁性材料の充填密度を高めることができる
等、数々の利点を有している。
磁力や角型比等に優れ、短波長での電磁変換特性に優れ
るばかりでなく、磁性層の厚みを極めて薄くできるた
め、記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さいこと、
磁性層中に非磁性材であるバインダーを混入させる必要
がないため、磁性材料の充填密度を高めることができる
等、数々の利点を有している。
【０００５】特に、金属磁性材料を斜め方向から蒸着し
た、斜法蒸着タイプの磁気記録媒体は、電磁変換特性に
優れ、大きな再生出力が得られることから既に実用化さ
れている。
た、斜法蒸着タイプの磁気記録媒体は、電磁変換特性に
優れ、大きな再生出力が得られることから既に実用化さ
れている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、磁気
記録の分野では、さらなる高密度記録化が望まれてお
り、媒体に対しても短波長記録領域で大きな再生出力が
得られることが求められるようになっている。
記録の分野では、さらなる高密度記録化が望まれてお
り、媒体に対しても短波長記録領域で大きな再生出力が
得られることが求められるようになっている。
【０００７】このため、例えば上記蒸着タイプの磁気記
録媒体では、上述のように金属磁性材料性の蒸着方向を
斜めにしたり、成膜雰囲気中に酸素ガスを導入すること
で金属磁性薄膜に酸素を混入させ、磁気特性を最適化す
るようにしている。
録媒体では、上述のように金属磁性材料性の蒸着方向を
斜めにしたり、成膜雰囲気中に酸素ガスを導入すること
で金属磁性薄膜に酸素を混入させ、磁気特性を最適化す
るようにしている。
【０００８】しかしながら、短波長領域での出力を向上
させるには、これらの手法も有効であるがそれだけでは
不足し、例えば磁性粒子の配向性を向上させることも必
須である。ところが、このような観点からの検討は十分
になされていないのが実情である。
させるには、これらの手法も有効であるがそれだけでは
不足し、例えば磁性粒子の配向性を向上させることも必
須である。ところが、このような観点からの検討は十分
になされていないのが実情である。
【０００９】そこで、本発明はこのような従来の実情に
鑑みて提案されたものであり、磁性粒子の配向性が良
く、短波長記録領域で大きな再生出力が得られる磁気記
録媒体を提供することを目的とする
鑑みて提案されたものであり、磁性粒子の配向性が良
く、短波長記録領域で大きな再生出力が得られる磁気記
録媒体を提供することを目的とする
【００１０】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明は、非磁性支持体上に、金属磁性薄膜が形
成されてなる磁気記録媒体において、上記非磁性支持体
と金属磁性薄膜との間にＧｅ−Ｃｏ下地層が設けられて
いることを特徴とするものである。
めに、本発明は、非磁性支持体上に、金属磁性薄膜が形
成されてなる磁気記録媒体において、上記非磁性支持体
と金属磁性薄膜との間にＧｅ−Ｃｏ下地層が設けられて
いることを特徴とするものである。
【００１１】また、Ｇｅ−Ｃｏ下地層のＧｅ含有量が、
２０原子％〜８０原子％であることを特徴とするもので
ある。
２０原子％〜８０原子％であることを特徴とするもので
ある。
【００１２】本発明は、非磁性支持体上に、磁性層とし
て金属磁性薄膜が形成されてなる、金属磁性薄膜型の磁
気記録媒体に適用される。
て金属磁性薄膜が形成されてなる、金属磁性薄膜型の磁
気記録媒体に適用される。
【００１３】金属磁性薄膜の材料としては、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ等の強磁性金属、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆ
ｅ−Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｕ、Ｃｏ−Ｃｕ、Ｃｏ−Ａ
ｕ、Ｃｏ−Ｐｔ、Ｍｎ−Ｂｉ、Ｍｎ−Ａｌ、Ｆｅ−Ｃ
ｒ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ
−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等の強磁性合金
が挙げられる。金属磁性薄膜としては、これらの単層膜
であってもよいし多層膜であってもよい。
ｏ、Ｎｉ等の強磁性金属、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆ
ｅ−Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｕ、Ｃｏ−Ｃｕ、Ｃｏ−Ａ
ｕ、Ｃｏ−Ｐｔ、Ｍｎ−Ｂｉ、Ｍｎ−Ａｌ、Ｆｅ−Ｃ
ｒ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ
−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等の強磁性合金
が挙げられる。金属磁性薄膜としては、これらの単層膜
であってもよいし多層膜であってもよい。
【００１４】上記金属磁性薄膜の形成手段としては、真
空下で強磁性金属材料を加熱蒸発させ非磁性支持体上に
沈着させる真空蒸着法や、強磁性金属材料の蒸発を放電
中で行うイオンプレーティング法、アルゴンを主成分と
する雰囲気中でグロー放電を起こし、生じたアルゴンイ
オンでターゲット表面の原子をたたき出すスパッタ法等
のいわゆるＰＶＤ技術が挙げられる。特に、酸素ガス存
在雰囲気下、金属磁性材料を斜め方向から蒸着する斜方
蒸着法で成膜を行うと、電磁変換特性に優れた金属磁性
薄膜が得られる。
空下で強磁性金属材料を加熱蒸発させ非磁性支持体上に
沈着させる真空蒸着法や、強磁性金属材料の蒸発を放電
中で行うイオンプレーティング法、アルゴンを主成分と
する雰囲気中でグロー放電を起こし、生じたアルゴンイ
オンでターゲット表面の原子をたたき出すスパッタ法等
のいわゆるＰＶＤ技術が挙げられる。特に、酸素ガス存
在雰囲気下、金属磁性材料を斜め方向から蒸着する斜方
蒸着法で成膜を行うと、電磁変換特性に優れた金属磁性
薄膜が得られる。
【００１５】また、非磁性支持体としては、例えば、ポ
リエチレンテレフタレート等のポリエステル類、ポリエ
チレン，ポリプロピレン等のポリオレフィン類、セルロ
ーストリアセテート，セルロースダイアセテート，セル
ロースブチレート等のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニ
ル，ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリカーボ
ネート、ポリイミド、ポリアミド等の高分子材料の他、
アルミニウム合金，チタン合金等の軽金属、アルミナガ
ラス等のセラミック等が挙げられる。
リエチレンテレフタレート等のポリエステル類、ポリエ
チレン，ポリプロピレン等のポリオレフィン類、セルロ
ーストリアセテート，セルロースダイアセテート，セル
ロースブチレート等のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニ
ル，ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリカーボ
ネート、ポリイミド、ポリアミド等の高分子材料の他、
アルミニウム合金，チタン合金等の軽金属、アルミナガ
ラス等のセラミック等が挙げられる。
【００１６】本発明では、以上のような金属磁性薄膜型
の磁気記録媒体において、非磁性支持体と金属磁性薄膜
の間にＧｅ−Ｃｏ下地層を設ける。すなわち、図１に示
すように、非磁性支持体１上に、Ｇｅ−Ｃｏ下地層２を
介して金属磁性薄膜３が形成された構成とする。非磁性
支持体と金属磁性薄膜の間にＧｅ−Ｃｏ下地層を設ける
と、その影響を受けることで金属磁性薄膜の配向性が改
善され、保磁力分布ΔＨｃ／Ｈｃが０．２５より小さ
く、短波長領域において大きな再生出力が得られるもの
となる。
の磁気記録媒体において、非磁性支持体と金属磁性薄膜
の間にＧｅ−Ｃｏ下地層を設ける。すなわち、図１に示
すように、非磁性支持体１上に、Ｇｅ−Ｃｏ下地層２を
介して金属磁性薄膜３が形成された構成とする。非磁性
支持体と金属磁性薄膜の間にＧｅ−Ｃｏ下地層を設ける
と、その影響を受けることで金属磁性薄膜の配向性が改
善され、保磁力分布ΔＨｃ／Ｈｃが０．２５より小さ
く、短波長領域において大きな再生出力が得られるもの
となる。
【００１７】なお、この保磁力分布ΔＨｃ／Ｈｃにおい
て、Ｈｃとは当該金属磁性薄膜の保磁力である。一方、
ΔＨｃとは、図２に示すように、磁化容易方向Ｍ−Ｈル
ープにおける、磁化容易方向メジャーループと保磁力Ｈ
ｃから反転させたマイナー曲線との間の、Ｍｓ／２にお
ける磁界の幅である。
て、Ｈｃとは当該金属磁性薄膜の保磁力である。一方、
ΔＨｃとは、図２に示すように、磁化容易方向Ｍ−Ｈル
ープにおける、磁化容易方向メジャーループと保磁力Ｈ
ｃから反転させたマイナー曲線との間の、Ｍｓ／２にお
ける磁界の幅である。
【００１８】このΔＨｃとＨｃの比、ΔＨｃ／Ｈｃは、
田河、中村による日本応用学会誌Ｖｏｌ．１５，Ｎｏ
２，１５５−１５８，１９９１で報告されているよう
に、金属磁性薄膜の異方性磁界Ｈｋ分布の指標となる。
すなわち、ΔＨｃ／Ｈｃが小さい値であるもの程、Ｈｋ
分布の標準偏差σｈｋが小さく、それ故に短波長領域に
おいて大きな再生出力が発揮されることになる。ちなみ
に、ΔＨｃ／Ｈｃを横軸にしてプロットした再生出力を
図３に示す。但し、再生出力は、信号波長λが０．５μ
ｍの場合であり、市販のＭＥテープの値で規格化したも
のである。このように、ΔＨｃ／Ｈｃと再生出力とは相
関があり、ΔＨｃ／Ｈｃが小さいもの程大きな再生出力
が得られる。
田河、中村による日本応用学会誌Ｖｏｌ．１５，Ｎｏ
２，１５５−１５８，１９９１で報告されているよう
に、金属磁性薄膜の異方性磁界Ｈｋ分布の指標となる。
すなわち、ΔＨｃ／Ｈｃが小さい値であるもの程、Ｈｋ
分布の標準偏差σｈｋが小さく、それ故に短波長領域に
おいて大きな再生出力が発揮されることになる。ちなみ
に、ΔＨｃ／Ｈｃを横軸にしてプロットした再生出力を
図３に示す。但し、再生出力は、信号波長λが０．５μ
ｍの場合であり、市販のＭＥテープの値で規格化したも
のである。このように、ΔＨｃ／Ｈｃと再生出力とは相
関があり、ΔＨｃ／Ｈｃが小さいもの程大きな再生出力
が得られる。
【００１９】以上のように金属磁性薄膜の保磁力分布Δ
Ｈｃ／ＨｃはＧｅ−Ｃｏ下地層によって低められるが、
このＧｅ−Ｃｏ下地層のＧｅの含有量は、２０原子％〜
８０原子％であることが望ましい。Ｇｅの含有量が、２
０原子％〜８０原子％から外れる場合には、効果が不足
し、媒体の短波長領域での再生出力を十分に高めること
ができない。
Ｈｃ／ＨｃはＧｅ−Ｃｏ下地層によって低められるが、
このＧｅ−Ｃｏ下地層のＧｅの含有量は、２０原子％〜
８０原子％であることが望ましい。Ｇｅの含有量が、２
０原子％〜８０原子％から外れる場合には、効果が不足
し、媒体の短波長領域での再生出力を十分に高めること
ができない。
【００２０】また、Ｇｅ−Ｃｏ下地層は、膜厚が薄い程
効果が大きくなる傾向があるが、５ｎｍ未満とあまり薄
くなると、やはり保磁力分布ΔＨｃ／Ｈｃ分布を小さく
せしめる効果が低くなり、短波長領域での再生出力を十
分に向上させることができない。なお、Ｇｅ−Ｃｏ下地
層の膜厚の上限は、実用性の観点から３０ｎｍである。
効果が大きくなる傾向があるが、５ｎｍ未満とあまり薄
くなると、やはり保磁力分布ΔＨｃ／Ｈｃ分布を小さく
せしめる効果が低くなり、短波長領域での再生出力を十
分に向上させることができない。なお、Ｇｅ−Ｃｏ下地
層の膜厚の上限は、実用性の観点から３０ｎｍである。
【００２１】
【作用】非磁性支持体上に、金属磁性薄膜が形成されて
なる磁気記録媒体において、上記非磁性支持体と金属磁
性薄膜との間にＧｅ−Ｃｏ下地層を設けると、上記金属
磁性薄膜の配向性が改善され、保磁力分布ΔＨｃ／Ｈｃ
が０．２５より小さく、電磁変換特性に優れ、特に短波
長領域において大きな再生出力が得られるものとなる。
なる磁気記録媒体において、上記非磁性支持体と金属磁
性薄膜との間にＧｅ−Ｃｏ下地層を設けると、上記金属
磁性薄膜の配向性が改善され、保磁力分布ΔＨｃ／Ｈｃ
が０．２５より小さく、電磁変換特性に優れ、特に短波
長領域において大きな再生出力が得られるものとなる。
【００２２】
【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について実験
結果に基づいて説明する。
結果に基づいて説明する。
【００２３】実施例１ 本実施例では、以下にようにしてＧｅ−Ｃｏ下地層を有
する磁気テープを作製した。
する磁気テープを作製した。
【００２４】まず、厚み１０μｍのポリエチレンテレフ
タレートフィルムを用意し、この上に直径１０ｎｍのＳ
ｉＯ2微粒子を１．５×１０10個／ｃｍ2なる密度で塗布
し、表面突起を形成した。
タレートフィルムを用意し、この上に直径１０ｎｍのＳ
ｉＯ2微粒子を１．５×１０10個／ｃｍ2なる密度で塗布
し、表面突起を形成した。
【００２５】そして、このポリエチレンテレフタレート
フィルムの表面突起を形成した側の面に、膜厚２０ｎｍ
のＧｅ−Ｃｏ下地層（Ｇｅ／Ｃｏ組成比＝７５／２５）
をＤＣマグネトロンスパッタにより形成した。Ｇｅ−Ｃ
ｏ下地層の形成に用いたスパッタリング装置を図４に示
す。
フィルムの表面突起を形成した側の面に、膜厚２０ｎｍ
のＧｅ−Ｃｏ下地層（Ｇｅ／Ｃｏ組成比＝７５／２５）
をＤＣマグネトロンスパッタにより形成した。Ｇｅ−Ｃ
ｏ下地層の形成に用いたスパッタリング装置を図４に示
す。
【００２６】このスパッタリング装置は、図４に示すよ
うに、コンダクタンスバルブを備えた真空排気系９によ
って内部が真空状態となされた真空室１０内に、図中の
反時計回り方向に定速回転する送りロール４と、図中の
反時計回り方向に定速回転する巻取りロール５とが設け
られ、これら送りロール４から巻取りロール５に、金属
磁性薄膜が形成されたテープ状の非磁性支持体１が順次
走行するようになされている。
うに、コンダクタンスバルブを備えた真空排気系９によ
って内部が真空状態となされた真空室１０内に、図中の
反時計回り方向に定速回転する送りロール４と、図中の
反時計回り方向に定速回転する巻取りロール５とが設け
られ、これら送りロール４から巻取りロール５に、金属
磁性薄膜が形成されたテープ状の非磁性支持体１が順次
走行するようになされている。
【００２７】これら送りロール４から巻取りロール５側
に上記非磁性支持体１が走行する中途部には、上記各ロ
ール４，５の径よりも大径となされたスパッタアノード
用キャン３が設けられている。このスパッタアノード用
キャン３は、グロー放電を起こさせるためのアノードと
して機能するものであり、上記非磁性支持体１を図中下
方に引き出すように設けられ、図中の時計回り方向に定
速回転する構成とされる。
に上記非磁性支持体１が走行する中途部には、上記各ロ
ール４，５の径よりも大径となされたスパッタアノード
用キャン３が設けられている。このスパッタアノード用
キャン３は、グロー放電を起こさせるためのアノードと
して機能するものであり、上記非磁性支持体１を図中下
方に引き出すように設けられ、図中の時計回り方向に定
速回転する構成とされる。
【００２８】なお、上記送りロール４，巻取りロール５
及びスパッタアノード用キャン３は、それぞれ非磁性支
持体１の幅と略同じ長さからなる円筒状をなすものであ
り、また上記スパッタアノード用キャン３には、内部に
図示しない冷却装置が設けられ、上記非磁性支持体１の
温度上昇による変形等を抑制し得るようになされてい
る。
及びスパッタアノード用キャン３は、それぞれ非磁性支
持体１の幅と略同じ長さからなる円筒状をなすものであ
り、また上記スパッタアノード用キャン３には、内部に
図示しない冷却装置が設けられ、上記非磁性支持体１の
温度上昇による変形等を抑制し得るようになされてい
る。
【００２９】そして、さらに上記送りロール４と上記ス
パッタアノード用キャン３との間及び該スパッタアノー
ド用キャン３と上記巻き取りロール５との間には、それ
ぞれガイドロール１１，１２が配設され、上記送りロー
ル４からスパッタアノード用キャン３及び該スパッタア
ノード用キャン３から巻取りロール５に亘って走行する
非磁性支持体１に所定のテンションをかけ、該非磁性支
持体１が円滑に走行するようになされている。
パッタアノード用キャン３との間及び該スパッタアノー
ド用キャン３と上記巻き取りロール５との間には、それ
ぞれガイドロール１１，１２が配設され、上記送りロー
ル４からスパッタアノード用キャン３及び該スパッタア
ノード用キャン３から巻取りロール５に亘って走行する
非磁性支持体１に所定のテンションをかけ、該非磁性支
持体１が円滑に走行するようになされている。
【００３０】また、上記真空室１０内には、直流電源８
と接続された板状のスパッタカソード部６が上記スパッ
タアノード用キャン３の下方にこれと対向して設けられ
ている。このスパッタカソード部６の上面にはターゲッ
ト１３が接着固定されている。
と接続された板状のスパッタカソード部６が上記スパッ
タアノード用キャン３の下方にこれと対向して設けられ
ている。このスパッタカソード部６の上面にはターゲッ
ト１３が接着固定されている。
【００３１】このスパッタリング装置では、真空室１０
内にガス導入口７を通じてスパッタガスが導入されると
ともに、上記スパッタカソード部６と上記スパッタアノ
ード用キャン３の間に電圧が印加されることで、グロー
放電が起こる。これにより、真空室１０内に導入された
スパッタガスがイオン化して、スパッタカソード部６上
に接着固定されたターゲット１３表面に衝突し、スパッ
タ粒子がたたき出される。このたたき出されたスパッタ
粒子が金属磁性薄膜上に堆積し、スパッタ膜が形成され
る。なお、本実施例で採用したスパッタ条件は以下の通
りである。
内にガス導入口７を通じてスパッタガスが導入されると
ともに、上記スパッタカソード部６と上記スパッタアノ
ード用キャン３の間に電圧が印加されることで、グロー
放電が起こる。これにより、真空室１０内に導入された
スパッタガスがイオン化して、スパッタカソード部６上
に接着固定されたターゲット１３表面に衝突し、スパッ
タ粒子がたたき出される。このたたき出されたスパッタ
粒子が金属磁性薄膜上に堆積し、スパッタ膜が形成され
る。なお、本実施例で採用したスパッタ条件は以下の通
りである。
【００３２】 スパッタアノード用キャンの直径：直径６０ｃｍ スパッタガス：Ａｒガス スパッタガスの導入量：１．０リットル／ｍｉｎ 成膜時真空度：０．５Ｐａ ターゲット：Ｇｅ−Ｃｏ 以上のようにして、Ｇｅ−Ｃｏ下地層を形成した後、こ
のＧｅ−Ｃｏ下地層上に、酸素雰囲気中での斜め蒸着法
により、膜厚２００ｎｍのＣｏ磁性薄膜もしくはＣｏ−
Ｎｉ磁性薄膜を磁性層として成膜し、磁気テープを作製
した。なお、蒸着は、磁性薄膜の磁化容易軸が当該磁性
薄膜の膜法線方向に対して７０°となるような方向で行
った。
のＧｅ−Ｃｏ下地層上に、酸素雰囲気中での斜め蒸着法
により、膜厚２００ｎｍのＣｏ磁性薄膜もしくはＣｏ−
Ｎｉ磁性薄膜を磁性層として成膜し、磁気テープを作製
した。なお、蒸着は、磁性薄膜の磁化容易軸が当該磁性
薄膜の膜法線方向に対して７０°となるような方向で行
った。
【００３３】実施例２，実施例３ Ｇｅ−Ｃｏ下地層のＧｅ／Ｃｏ組成比を、表１に示すよ
うに変えたこと以外は実施例１と同様にして磁気テープ
を作製した。
うに変えたこと以外は実施例１と同様にして磁気テープ
を作製した。
【００３４】比較例１ Ｇｅ−Ｃｏ下地層の代わりにＧｅ単独よりなるＧｅ下地
層を形成したこと以外は実施例１と同様にして磁気テー
プを作製した。
層を形成したこと以外は実施例１と同様にして磁気テー
プを作製した。
【００３５】比較例２ Ｇｅ−Ｃｏ下地層の代わりにＣｏ単独よりなるＣｏ下地
層を形成したこと以外は実施例１と同様にして磁気テー
プを作製した。
層を形成したこと以外は実施例１と同様にして磁気テー
プを作製した。
【００３６】比較例３ Ｇｅ−Ｃｏ下地層を形成しないこと以外は実施例１と同
様にして磁気テープを作製した。
様にして磁気テープを作製した。
【００３７】実施例４〜実施例６ Ｇｅ−Ｃｏ下地層の膜厚を１０ｎｍにし、Ｇｅ／Ｃｏ組
成比を表２に示すように変えたこと以外は実施例１と同
様にして磁気テープを作製した。
成比を表２に示すように変えたこと以外は実施例１と同
様にして磁気テープを作製した。
【００３８】比較例４ Ｇｅ−Ｃｏ下地層の膜厚を１０ｎｍにし、Ｇｅ−Ｃｏ下
地層の代わりにＧｅ単独よりなるＧｅ下地層を形成した
こと以外は実施例１と同様にして磁気テープを作製し
た。
地層の代わりにＧｅ単独よりなるＧｅ下地層を形成した
こと以外は実施例１と同様にして磁気テープを作製し
た。
【００３９】比較例５ Ｇｅ−Ｃｏ下地層の膜厚を１０ｎｍにし、Ｇｅ−Ｃｏ下
地層の代わりにＣｏ単独よりなるＣｏ下地層を形成した
こと以外は実施例４と同様にして磁気テープを作製し
た。
地層の代わりにＣｏ単独よりなるＣｏ下地層を形成した
こと以外は実施例４と同様にして磁気テープを作製し
た。
【００４０】以上のようにして作製された磁気テープに
ついて、保磁力分布ΔＨｃ／Ｈｃ及び信号波長λが０．
５μｍでの再生出力を測定した。その結果をＧｅ−Ｃｏ
下地層の膜厚およびＧｅ／Ｃｏ組成比と併せて表１，表
２に示す。
ついて、保磁力分布ΔＨｃ／Ｈｃ及び信号波長λが０．
５μｍでの再生出力を測定した。その結果をＧｅ−Ｃｏ
下地層の膜厚およびＧｅ／Ｃｏ組成比と併せて表１，表
２に示す。
【００４１】
【表１】
【００４２】
【表２】
【００４３】表１，表２に示すように、Ｇｅ−Ｃｏ下地
層を設けた実施例１〜実施例６の磁気テープは、Ｇｅ−
Ｃｏ下地層を設けていない比較例３の磁気テープに比べ
て保磁力分布ΔＨｃ／Ｈｃが小さく、また格段に大きな
再生出力が得られる。また、下地層としてＧｅ単独膜、
Ｃｏ単独膜を形成した比較例１，比較例２そして比較例
４，比較例５の磁気テープに比べても大きな再生出力が
得られている。
層を設けた実施例１〜実施例６の磁気テープは、Ｇｅ−
Ｃｏ下地層を設けていない比較例３の磁気テープに比べ
て保磁力分布ΔＨｃ／Ｈｃが小さく、また格段に大きな
再生出力が得られる。また、下地層としてＧｅ単独膜、
Ｃｏ単独膜を形成した比較例１，比較例２そして比較例
４，比較例５の磁気テープに比べても大きな再生出力が
得られている。
【００４４】このことから、Ｇｅ−Ｃｏ下地層は、金属
磁性薄膜の保磁力分布ΔＨｃ／Ｈｃを小さくせしめる効
果に優れ、媒体の短波長領域での再生出力を高める上で
極めて有効であることがわかった。
磁性薄膜の保磁力分布ΔＨｃ／Ｈｃを小さくせしめる効
果に優れ、媒体の短波長領域での再生出力を高める上で
極めて有効であることがわかった。
【００４５】また、Ｇｅ−Ｃｏ下地層の膜厚を２０ｎｍ
にした実施例１〜実施例３の磁気テープと、膜厚を１０
ｎｍにした実施例４〜実施例６の磁気テープを比較する
と、膜厚を１０ｎｍにしたものの方が、同じＧｅ／Ｃｏ
組成比であって大きな再生出力が得られる。このことか
ら、Ｇｅ−Ｃｏ下地層は膜厚の薄い方が比較的効果が高
いことがわかった。
にした実施例１〜実施例３の磁気テープと、膜厚を１０
ｎｍにした実施例４〜実施例６の磁気テープを比較する
と、膜厚を１０ｎｍにしたものの方が、同じＧｅ／Ｃｏ
組成比であって大きな再生出力が得られる。このことか
ら、Ｇｅ−Ｃｏ下地層は膜厚の薄い方が比較的効果が高
いことがわかった。
【００４６】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明では、非磁性支持体上に、金属磁性薄膜が形成されて
なる磁気記録媒体において、上記非磁性支持体と金属磁
性薄膜との間にＧｅ−Ｃｏ下地層を設けるので、上記金
属磁性薄膜の保磁力分布ΔＨｃ／Ｈｃが小さく、電磁変
換特性に優れ、特に短波長領域において大きな再生出力
が得られる。したがって、本発明は、磁気記録分野にお
ける高密度記録化に大きく貢献するものであると言え
る。
明では、非磁性支持体上に、金属磁性薄膜が形成されて
なる磁気記録媒体において、上記非磁性支持体と金属磁
性薄膜との間にＧｅ−Ｃｏ下地層を設けるので、上記金
属磁性薄膜の保磁力分布ΔＨｃ／Ｈｃが小さく、電磁変
換特性に優れ、特に短波長領域において大きな再生出力
が得られる。したがって、本発明は、磁気記録分野にお
ける高密度記録化に大きく貢献するものであると言え
る。
【図１】本発明を適用した磁気記録媒体の１構成例を示
す要部概略断面図である。
す要部概略断面図である。
【図２】保磁力分布ΔＨｃ／Ｈｃを説明するためのＭ−
Ｈループを示す特性図である。
Ｈループを示す特性図である。
【図３】保磁力分布ΔＨｃ／Ｈｃと再生出力の関係を示
す特性図である。
す特性図である。
【図４】Ｇｅ−Ｃｏ下地層を形成するためのスパッタリ
ング装置の構成を示す模式図である。
ング装置の構成を示す模式図である。
１ 非磁性支持体 ２ Ｇｅ−Ｃｏ下地層 ３ 金属磁性薄膜
Claims (3)
- 【請求項１】 非磁性支持体上に、金属磁性薄膜が形成
されてなる磁気記録媒体において、 上記非磁性支持体と金属磁性薄膜との間にＧｅ−Ｃｏ下
地層が設けられていることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 Ｇｅ−Ｃｏ下地層のＧｅ含有量が、２０
原子％〜８０原子％であることを特徴とする請求項１記
載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】 Ｇｅ−Ｃｏ下地層の膜厚が、５〜３０ｎ
ｍであることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26594194A JPH08129741A (ja) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26594194A JPH08129741A (ja) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08129741A true JPH08129741A (ja) | 1996-05-21 |
Family
ID=17424213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26594194A Withdrawn JPH08129741A (ja) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08129741A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013025853A (ja) * | 2011-07-25 | 2013-02-04 | Fujifilm Corp | 磁気テープおよび磁気記録装置 |
-
1994
- 1994-10-31 JP JP26594194A patent/JPH08129741A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013025853A (ja) * | 2011-07-25 | 2013-02-04 | Fujifilm Corp | 磁気テープおよび磁気記録装置 |
| US8841009B2 (en) | 2011-07-25 | 2014-09-23 | Fujifilm Corporation | Magnetic tape and magnetic recording device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020115 |