JP3365060B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【産業上の利用分野】本発明は、蒸着法によって金属磁
性薄膜が成膜される，蒸着タイプの磁気記録媒体に関
し、特に短波長領域における特性の改善に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来より、磁気記録媒体としては、非磁
性支持体上に酸化物磁性粉末あるいは合金磁性粉末等の
粉末磁性材料を塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体，ポ
リエステル樹脂，ウレタン樹脂，ポリウレタン樹脂等の
有機バインダー中に分散せしめた磁性塗料を塗布，乾燥
することで磁性層が形成される，いわゆる塗布型の磁気
記録媒体が広く使用されている。 【０００３】一方、高密度記録への要求の高まりととも
に、Ｃｏ−Ｎｉ合金，Ｃｏ−Ｃｒ合金，Ｃｏ−Ｎｉ−
Ｏ，Ｃｏ−Ｏ等の金属磁性材料をメッキや真空薄膜形成
手段（真空蒸着法，スパッタリング法，イオンプレーテ
ィング法等）によって、ポリエステルフィルムやポリア
ミド、ポリイミドフィルム等の非磁性支持体上に直接被
着することで磁性層が形成される，いわゆる金属磁性薄
膜型の磁気記録媒体が提案され注目を集めている。 【０００４】この金属磁性薄膜型の磁気記録媒体は、保
磁力や角形比等に優れ、短波長での電磁変換特性に優れ
るばかりでなく、磁性層の厚みを極めて薄くできるた
め、記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さいこと、
磁性層中に非磁性材であるバインダーを混入する必要が
ないため、磁性材料の充填密度を高めることができる
等、数々の利点を有している。 【０００５】特に、金属磁性材料を斜め方向から蒸着し
た，斜方蒸着タイプの磁気記録媒体は、電磁変換特性に
優れ、大きな再生出力が得られることから既に実用化さ
れている。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、磁気
記録の分野では、高画質化等を目的として記録信号のさ
らなる短波長化が進行しており、媒体に対しても短波長
記録領域で大きな出力が得られることが求められるよう
になっている。 【０００７】このため、例えば上記蒸着タイプの磁気記
録媒体では、雰囲気に酸素ガスを導入しながら蒸着を行
う反応性蒸着法を採用し、酸素を混入した形の金属磁性
薄膜を形成する等の工夫がなされている。 【０００８】しかしながら、短波長領域での出力を増加
させるには、磁性層の組成の制御も重要であるが、これ
だけでは不足し、磁性粒子の配向性を向上させることも
必須である。ところが、このような観点からの検討は十
分になされていないのが実情である。 【０００９】そこで、本発明はこのような従来の実情に
鑑みて提案されたものであり、磁性粒子の配向性が良
く、短波長記録領域で大きな再生出力が得られる磁気記
録媒体を提供することを目的とする。 【００１０】 【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明は、非磁性支持体上に、蒸着法によって成
膜された金属磁性薄膜が形成されてなる磁気記録媒体に
おいて、上記非磁性支持体と上記金属磁性薄膜との間
に、膜厚が４〜２５ｎｍのＧｅ下地膜が設けられ、上記
金属磁性薄膜はＣｏ−Ｎｉよりなり、その保磁力分布Δ
Ｈｃ／Ｈｃの値が０，２５未満で磁化容易軸が膜法線方
向に対して０〜７０°傾いているとともに膜厚が１００
〜２００ｎｍであることを特徴とするものである。 【００１１】本発明は、金属磁性薄膜が蒸着法によって
成膜された，蒸着タイプの磁気記録媒体に適用される。 【００１２】本発明では、このような蒸着タイプの磁気
記録媒体において、短波長領域での再生出力の向上を図
るために、図１に示すように、非磁性支持体２１上にＧ
ｅ下地膜２２を設け、この上に金属磁性薄膜２３を蒸着
法で成膜するようにし、そして金属磁性薄膜の保磁力分
布ΔＨｃ／Ｈｃの値を０．２５未満とする。 【００１３】まず、Ｇｅ下地膜の作用と金属磁性薄膜の
配向性について以下に説明する。 【００１４】Ｇｅ下地膜２２上に蒸着法で金属磁性薄膜
２３を成膜すると、蒸着粒子の配向性がこのＧｅ下地膜
２２の影響を受け、金属磁性薄膜２３の異方性磁界Ｈｋ
分布が非磁性支持体２１上に直接金属磁性薄膜を成膜す
る場合と異なったものになる。磁気記録媒体では、この
異方性磁界Ｈｋ分布が小さい場合程、短波長領域におい
て大きな出力が得られる。 【００１５】このような磁性層のＨｋ分布は、ΔＨｃ／
Ｈｃによって推定できることが、田河，中村による日本
応用学会誌 Ｖｏｌ．１５，Ｎｏ２，１５５−１５８，
１９９１において報告されている。 【００１６】ここで、従来、磁性層のＨｋ分布の指標と
しては、ＳＦＤ（反転磁界分布の半値幅）等が用いられ
ている。しかし、このＳＦＤは磁性層の磁化容易軸が膜
面に対して平行に配向している面内媒体の場合には正確
な値が得られるが、斜方蒸着タイプの媒体のように、磁
化容易軸が膜面に対して傾いている媒体では反磁界の影
響でＭ−Ｈループが傾き正確な値が得られない。 【００１７】一方、本発明で用いるΔＨｃ／Ｈｃは、磁
化容易軸の向きに関わらず正確な値が得られ、これを用
いることで、例えば斜方蒸着タイプの媒体であってもＨ
ｋ分布を推定することが可能である。 【００１８】すなわち、ΔＨｃとは、図２に示すよう
に、磁化容易方向Ｍ−Ｈループにおける、磁化容易方向
メジャーループと保磁力Ｈｃから反転させたマイナー曲
線との間の，Ｍｓ／２における磁界の幅である。Ｈｋ分
布を正規分布で近似すると、ΔＨｃ／Ｈｃから、その標
準偏差σｈｋは次式で算出される。 【００１９】 【数１】 【００２０】この式からわかるように、Ｈｋ分布の標準
偏差σｈｋはΔＨｃ／Ｈｃが大きい程大きくなり、逆に
ΔＨｃ／Ｈｃが小さい程Ｈｋ分布の標準偏差σｈｋは小
さくなる。つまり、蒸着法で成膜された金属磁性薄膜で
は、蒸着粒子のＨｋ分布は、ΔＨｃ／Ｈｃが小さい場合
程優れていることになる。 【００２１】因みに、ΔＨｃ／Ｈｃと波長０．５０μｍ
での再生出力の関係を図３に示す。なお、再生出力のｄ
Ｂ値は市販のＭＥテープの再生出力を０ｄＢとした場合
の相対値である。このように、ΔＨｃ／Ｈｃと再生出力
には相関があり、ΔＨｃ／Ｈｃが小さくなる程、短波長
での再生出力が大きくなる。 【００２２】そこで、本発明では、Ｇｅ下地膜２２を設
け、これによって金属磁性薄膜２３のΔＨｃ／Ｈｃを
０．２５未満に調整する。金属磁性薄膜２３のΔＨｃ／
Ｈｃをこのような範囲にすることにより、短波長記録領
域での特性に優れた磁気記録媒体がより確実に獲得され
ることになる。 【００２３】この金属磁性薄膜２３のΔＨｃ／Ｈｃは、
主にＧｅ下地膜２２の膜厚、金属磁性薄膜２３の磁化容
易軸によって変化する。したがって、金属磁性薄膜２３
のΔＨｃ／Ｈｃを０．２５未満にするにはこれらパラメ
ータを適正化すれば良い。 【００２４】すなわち、Ｇｅ下地膜２２の膜厚を４〜２
５ｎｍとし、金属磁性薄膜２３の磁化容易軸を膜法線方
向に対して０〜７０°とすることで、金属磁性薄膜２３
のΔＨｃ／Ｈｃを０．２５未満とすることができる。Ｇ
ｅ下地膜２２の膜厚が４ｎｍ未満であったり、２５ｎｍ
を越える場合にはΔＨｃ／Ｈｃが０．２５よりも大きく
なってしまい、短波長記録領域での出力が不足する。な
お、Ｇｅ下地膜２２の膜厚は、より好ましくは１０ｎｍ
以上、さらには２０ｎｍ以下である。また、このときの
磁性層の保磁力Ｈｃの適正範囲は、１２００〜１６００
Ｏｅである。 【００２５】さらに、金属磁性薄膜２３の磁化容易軸の
膜法線方向に対する角度が７０°を越える場合にも、当
該金属磁性薄膜２３のΔＨｃ／Ｈｃが０．２５を越え、
短波長記録領域において大きな出力が得られない。 【００２６】なお、再生出力を増大させるには、ΔＨｃ
／Ｈｃに影響を与えるＧｅ下地膜２２の膜厚，金属磁性
薄膜２３の磁化容易軸とともに、金属磁性薄膜２３の膜
厚も重要である。この金属磁性薄膜２３の膜厚が、余り
薄過ぎると上記パラメータが適正範囲であっても十分な
再生出力が得られない。したがって、金属磁性薄膜２３
の膜厚は１００ｎｍ以上とすることが望ましく、生産性
を考慮すると１００〜２００ｎｍが適当である。 【００２７】以上のような構成の磁気記録媒体は、非磁
性支持体２１上にＧｅ下地膜２２、金属磁性薄膜２３を
順次成膜することで製造される。 【００２８】ここで、金属磁性薄膜は、蒸着タイプの磁
気記録媒体で、通常用いられる．例えば図４に示すよう
な構成の真空蒸着装置によって成膜される。 【００２９】すなわち、図４に示す真空蒸着装置は、頭
部と底部にそれぞれ設けられた排気口１５から排気され
た内部が真空状態となされた真空室１内に、図中の時計
回り方向に定速回転する送りロール３と、図中の時計回
り方向に定速回転する巻取りロール４とが設けられ、こ
れら送りロール３から巻取りロール４にテープ状に非磁
性支持体２１とが順次走行するようになされている。 【００３０】これら送りロール３から巻取りロール４側
に上記非磁性支持体２１が走行する中途部には、上記各
ロール３，４の径よりも大径となされた冷却キャン５が
設けられている。この冷却キャン５は、上記非磁性支持
体２１を図中下方に引き出すように設けられ、図中の時
計回り方向に定速回転する構成とされる。尚、上記送り
ロール３，巻取りロール４及び冷却キャン５は、それぞ
れ非磁性支持体２１の幅と略同じ長さからなる円筒状を
なすものであり、また上記冷却キャン５には、内部に図
示しない冷却装置が設けられ、上記非磁性支持体２１の
温度上昇による変形等を抑制し得るようになされてい
る。 【００３１】したがって、上記非磁性支持体２１は、送
りロール３から順次送り出され、さらに上記冷却キャン
５の周面を通過し、巻取りロール４に巻き取られていく
ようになされている。なお、上記送りロール３と上記冷
却キャン５との間及び該冷却キャン５と上記巻取りロー
ル４との間にはそれぞれガイドロール６，７が配設さ
れ、上記送りロール３から冷却キャン５及び該冷却キャ
ン５から巻取りロール４に亘って走行する非磁性支持体
２１に所定のテンションをかけ、該非磁性支持体２１が
円滑に走行するようになされている。また、上記真空室
１内には、上記冷却キャン５の下方にルツボ８が設けら
れ、このルツボ８内に金属磁性材料９が充填されてい
る。このルツボ８は、上記冷却キャンの長手方向の幅と
略同一の幅を有している。 【００３２】一方、上記真空室１の側壁部には、上記ル
ツボ内に充填された金属磁性材料９を加熱蒸発させるた
めの電子銃１０が取り付けられている。この電子銃１０
は、当該電子銃１０より放出される電子線が上記ルツボ
８内に金属磁性材料９に照射されるような位置に配設さ
れる。そして、この電子銃１０によって蒸発した金属磁
性材料９が上記冷却キャン５の周面を定速走行する非磁
性支持体２１上に磁性層として被着形成されるようにな
っている。また、上記冷却キャン５と上記ルツボ８との
間であって該冷却キャン５の近傍には、シャッタ１３が
配設されている。このシャッタ１３は、上記冷却キャン
５の周面を定速走行する非磁性支持体２１の所定領域を
覆う形で形成され、このシャッタ１３により上記蒸発せ
しめられた金属磁性材料９が上記非磁性支持体２１に対
して所定の角度範囲で斜めに蒸着されるようになってい
る。さらに、このような蒸着に際し、上記真空室１の側
壁部を貫通して設けられる酸素ガス導入口１４を介して
非磁性支持体２１の表面に酸素ガスが供給され、磁気特
性，耐久性及び耐候性の向上が図られている。 【００３３】この真空蒸着装置は、真空室１を例えば真
空度１×１０^-2Ｐａに保ちながら、これらに真空室１内
にガス導入口１４により酸素ガスを例えば０．２５リッ
トル／ｍｉｎの割合で導入しながら行う。この場合、非
磁性支持体２１に対する蒸発金属の入射角は例えば４５
〜９０°の範囲とする。 【００３４】このような真空蒸着装置によって成膜され
る金属磁性材料としては、蒸着タイプの磁気記録媒体で
通常用いられているものがいずれも使用可能である。例
えば、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の強磁性金属、Ｆｅ−Ｃｏ，
Ｃｏ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｃｕ，Ｃｏ−Ｃ
ｕ，Ｃｏ−Ａｕ，Ｃｏ−Ｐｔ，Ｍｎ−Ｂｉ，Ｍｎ−Ａ
ｌ，Ｆｅ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｃｒ，Ｎｉ−Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃｏ
−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等
の強磁性合金、さらにはＣｉ−Ｎｉ−Ｏ，Ｃｏ−Ｏ等が
挙げられる。このうち、特にＣｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｎｉ−
Ｏ，Ｃｏ−Ｏが適している。なお、金属磁性薄膜は、こ
れらの単層膜であってもよいし、多層膜であってもよ
い。 【００３５】一方、金属磁性薄膜の下面に形成するＧｅ
下地膜は、スパッタリング法，真空蒸着法，ＣＶＤ法，
イオンプレーティング法等によって成膜される。 【００３６】このうち、例えば、真空蒸着法で成膜する
場合には、金属磁性薄膜を成膜するのと同構成の蒸着装
置を用い、蒸着源のみをＧｅに変えて蒸着を行えば良
い。また、スパッタリングで成膜する場合には、図５に
示すようなスパッタリング装置が用いられる。 【００３７】上記スパッタリング装置は、図５に示すよ
うに、頭部と底部にそれぞれ設けられた排気口４５から
排気された内部が真空状態となされた真空室３１内に、
図中の時計回り方向に定速回転する送りロール３３と、
図中の時計回り方向に定速回転する巻取りロール３４と
が設けられ、これら送りロール３３から巻取りロール３
４に、金属磁性薄膜が形成されたテープ状の非磁性支持
体２１が順次走行するようになされている。 【００３８】これら送りロール３３から巻取りロール３
４側に上記非磁性支持体２１が走行する中途部には、上
記各ロール３３，３４の径よりも大径となされたスパッ
タアノード用キャン３５が設けられている。このスパッ
タアノード用キャン３５は、グロー放電を起こさせるた
めのアノードとして機能するものであり、上記非磁性支
持体２１を図中下方に引き出すように設けられ、図中の
時計回り方向に定速回転する構成とされる。 【００３９】なお、上記ロール３３，巻取りロール３４
及びスパッタアノード用キャン３５は、それぞれ非磁性
支持体２１の幅と略同じ長さからなる円筒状をなすもの
であり、また上記スパッタアノード用キャン３５には、
内部に図示しない冷却装置が設けられ、上記非磁性支持
体２１の温度上昇による変形等を抑制し得るようになさ
れている。 【００４０】そして、さらに上記送りロール３４と上記
スパッタアノード用キャン３５との間及び該スパッタア
ノード用キャン３５と上記巻き取りロール３４との間に
は、それぞれガイドロール３６，３７が配設され、上記
送りロール３３からスパッタアノード用キャン３５及び
該スパッタアノード用キャン３５から巻取りロール３４
に亘って走行する非磁性支持体２１に所定のテンション
をかけ、該非磁性支持体２１が円滑に走行するようにな
されている。 【００４１】また、上記真空室３１内には、直流電源４
６と接続された板状のスパッタカソード部３８が上記ス
パッタアノード用キャン３５の下方にこれと対向して設
けられている。このスパッタカソード部３８の上面には
ターゲット３９となるＧｅが接着固定されている。 【００４２】このスパッタリング装置では、真空室３１
内にガス導入口４４を通じてスパッタガスが導入される
とともに、上記スパッタカソード部３８と上記スパッタ
アノード用キャン３５の間に電圧が印加されることで、
グロー放電が起こる。これにより、真空室３１内に導入
されたスパッタガスがイオン化して、スパッタカソード
部３８上に接着固定されたターゲット３９表面に衝突
し、スパッタ粒子がたたき出される。このたたき出され
たスパッタ粒子が金属磁性薄膜上に堆積し、スパッタ膜
が形成される。 【００４３】Ｇｅ下地膜と金属磁性薄膜とは、このよう
に独立に構成されたスパッタリング装置と真空蒸着装置
とを用いた場合には、一旦、Ｇｅ下地膜を非磁性支持体
全面に成膜した後、この上に金属磁性薄膜を成膜すると
いったように２ラインで形成される。ここで、図６に示
すように、Ｇｅ下地膜成膜用の蒸着室８１ａと金属磁性
薄膜成膜用の蒸着室８１ｂの両方が並設された２室タイ
プの真空蒸着装置、あるいは、図７に示すようにＧｅ下
地膜成膜用のスパッタリング室１０１と金属磁性薄膜成
膜用の蒸着室１０２とが上下に設けられたスパッタリン
グ−蒸着装置を用いればインラインで２層を連続して成
膜することができる。 【００４４】すなわち、図６に示す２室タイプの蒸着装
置は、真空排気口８３から排気されて内部が真空蒸着と
なされた真空室９２が間仕切り板８２によって左右に仕
切られ、図中左側がＧｅ下地膜成膜用の蒸着室８１ａ，
右側が金属磁性薄膜成膜用の蒸着室８１ｂとなされてい
る。 【００４５】この蒸着装置では、送りロール８４がＧｅ
下地膜成膜用の蒸着室８１ａに配設され、巻き取りロー
ル８５が金属磁性薄膜成膜用の蒸着室８１ｂに配設され
ている。そして、これら２つの蒸着室８１ａ，８１ｂを
仕切る間仕切り板８２には、窓部９３が設けられ、この
窓部９３に対応する位置にガイドロール８６が配設され
ている。したがって、非磁性支持体２１は送りロール８
４，ガイドロール８６，巻き取りロール８５に沿って走
行し、その際にＧｅ下地膜成膜用の蒸着室８１ａ，金属
磁性薄膜成膜用の蒸着室８１ｂの両方に順次移送される
ことになる。 【００４６】このように非磁性支持体が移送される上記
Ｇｅ下地膜成膜用の蒸着室８１ａ，金属磁性薄膜成膜用
の蒸着室８１ｂには、いずれも冷却キャン８７ａ，８７
ｂが設けられている。これら冷却キャン８７ａ，８７ｂ
は、非磁性支持体２１が、送りロール８４からガイドロ
ール８６側に走行する中途部と、このガイドロール８６
から巻き取りロール８５側に走行する中途部で、それぞ
れ非磁性支持体２１を下方に引き出すように設けられて
いる。 【００４７】さらに、Ｇｅ下地膜成膜用の蒸着室８１
ａ，金属磁性薄膜成膜用の蒸着室８１ｂには、冷却キャ
ン８７ａ，８７ｂの下方にルツボ８８ａ，８８ｂが設け
られ、これらルツボ８８ａ，８８ｂには、それぞれの蒸
着源，すなわちＧｅ下地膜成膜用の蒸着室ではＧｅが、
金属磁性薄膜成膜用の蒸着室では金属磁性材料が充填さ
れている。そして、各蒸着室８１ａ，８１ｂには、上述
した蒸着装置の場合と同様に、蒸着源を加熱するための
電子銃８９ａ，８９ｂ，シャッタ９０ａ，９０ｂ，酸素
導入口９１ａ，９１ｂがそれぞれ設けられている。 【００４８】このような２室タイプの蒸着装置では、非
磁性支持体２１が送りロール８４から送り出され、巻き
取りロール８５に巻き取られる間にＧｅ下地膜成膜用の
蒸着室８１ａと金属磁性薄膜成膜用の蒸着室８１ｂを順
次通過する。Ｇｅ下地膜成膜用の蒸着室８１ａでは、電
子銃によって蒸発されたＧｅが非磁性支持体２１上に下
地膜として被着形成され、次いで金属磁性薄膜成膜用の
蒸着室８１ｂでは、Ｇｅ下地膜上に金属磁性材料が磁性
層として被着形成される。すなわち、Ｇｅ下地膜と金属
磁性薄膜とがインラインで連続して形成されることにな
る。なお、この複数の蒸着室８１ａ，８１ｂを有する蒸
着装置は、金属磁性薄膜を２層構成とするような場合に
用いるようにしても良い。 【００４９】一方、図７に示すスパッタリング−蒸着装
置は、図４に示す蒸着装置を基本構成とするものであ
り、この蒸着装置が、冷却キャンを挟んで左右に中間室
１２０が設けられることで上下に分けられた構成とされ
ている。但し、冷却キャン１２２は、この場合、スパッ
タリングの際のスパッタアノードとしての機能を備えて
いる。 【００５０】この上下に分けられた室のうち下方は、金
属磁性薄膜を成膜するための蒸着室１２４となされてい
る。この蒸着室１２４では、冷却キャン１２２の下半分
が上側から張り出しており、金属磁性材料１０９が充填
されたルツボ１０８、電子銃１１０，シャッター１１
３，酸素導入口１１４が図４の蒸着装置と同じように配
設されている。 【００５１】一方、この装置の上方は、Ｇｅ下地膜を成
膜するためのスパッタリング室１２５となされている。
このスパッタリング室１２５では、冷却キャン１２２が
下側から張り出しており、送りロール１０３，巻き取り
ロール１０４及びガイドロール１０６，１０７が図４の
蒸着装置と同じように配設されるとともに、ターゲット
となるＧｅ１２６が固定されたスパッタカソード１１９
とＡｒ等のスパッタガスを導入するためのスパッタガス
導入管１１７が設けられている。スパッタカソード１１
９は、冷却キャン１２２の送りロール１０３側の近傍
に、スパッタガス導入管１１７は真空室の側壁を貫通す
るようにしてそれぞれ設けられている。また、このスパ
ッタリング室１２５の排気口１１５にはコンダクタンス
バルブ１２１が設けられている。 【００５２】また、これら蒸着室１２４とスパッタリン
グ室１２５の間の中間室１２０は、真空室１０１を上下
に仕切るとともに蒸着室１２４とスパッタリング室１２
５とで差圧を持たせるためのものである。すなわち、こ
の装置では冷却キャン１２２を挟んで左右に中間室１２
０が設けられ、これら中間室１２０にはそれぞれ中間室
排気口１１６が連結されている。蒸着室１２４の排気
は、図中左側の中間室１２０を介してそれと連結されて
いる中間室排気口１１６からなされ、スパッタリング室
１２５の排気は、図中右側の中間室１２０を介してそれ
と連結されている中間室排気口１１６からなされる。し
たがって、これら中間室排気口１１６からの排気をそれ
ぞれ別々に制御することにより蒸着室１２４内とスパッ
タリング室１２５内の真空度を異ならしめることができ
る。例えば、蒸着室は１０^-3Ｐａ台，スパッタリング室
はコンダクタンスバルブ閉時で１０^-1Ｐａ台に調整する
ことが可能である。 【００５３】このようなスパッタリング−蒸着装置で
は、非磁性支持体２１が送りロール１０３から巻き取り
ロール１０４に巻き取られる間にスパッタリング室１２
５と蒸着室１２４を順次通過する。スパッタリング室１
２５では、Ｇｅターゲットから叩き出されたターゲット
粒子が非磁性支持体２１上に下地膜として被着形成さ
れ、次いで蒸着室１２４では電子銃によって蒸発された
金属磁性材料が磁性層といて被着形成される。すなわ
ち、Ｇｅ下地膜と金属磁性薄膜とがインラインで連続し
て形成されることになる。 【００５４】なお、以上のようなＧｅ下地膜２２，金属
磁性薄膜２３が成膜される非磁性支持体２１としては、
通常、磁気記録媒体において用いられているものがいず
れも使用可能である。例えば、ポリエチレンテレフタレ
ート等のポリエステル類、ポリエチレン，ポリプロピレ
ン等のポリオレフィン類、セルローストリアセテート，
セルロースダイアセテート，セルロースブチレート等の
セルロース誘導体、ポリ塩化ビニル，ポリ塩化ビニリデ
ン等のビニル系樹脂、ポリカーボネート，ポリイミド，
ポリアミドイミド等のプラスチックが挙げられる。 【００５５】これら非磁性支持体２１には、層状作用に
よる媒体の表面性制御を目的として、複数の微細な表面
突起を形成するようにしても良い。これら表面突起は、
上記非磁性支持体の原材料（チップ）内に所定の大きさ
のフィラーを分散させ、所定の密度で凝集させて上記非
磁性支持体の表面に浮き出させることによって上記非磁
性支持体の表面を凹凸状とする方法や、上記非磁性支持
体上に所定の粒径を有する微粒子を所定の密度で分散さ
せ、これをバインダー樹脂等により定着させる方法等に
よって形成される。フィラーとしては、ＳｉＯ₂ 粒子や
水溶性ラテックス等が挙げられる。 【００５６】また、以上が本発明の磁気記録媒体の基本
的な構成であるが、この場合にも通常の蒸着タイプの磁
気記録媒体と同様に、金属磁性薄膜上に潤滑剤，防錆剤
等のトップコート層を設けたり、非磁性支持体の金属磁
性薄膜を形成した側と反対側の面にバックコート層を設
けることで、さらなる特性の改善を図るようにしても良
い。潤滑剤，防錆剤及びバックコート層を構成する材料
は、通常用いられているものがいずれも使用可能であ
る。 【００５７】 【作用】非磁性支持体上に、蒸着法によって成膜された
金属磁性薄膜が形成されてなる磁気記録媒体において、
上記非磁性支持体と金属磁性薄膜との間にＧｅ下地膜を
設け、金属磁性薄膜のΔＨｃ／Ｈｃの値を０．２５未満
にすると、短波長領域における出力が増大する。 【００５８】金属磁性薄膜のΔＨｃ／Ｈｃの値は、Ｇｅ
下地膜の膜厚，金属磁性薄膜の磁化容易軸によって制御
される。このＧｅ下地膜の膜厚を４〜２５ｎｍ，金属磁
性薄膜の磁化容易軸を膜法線方向に対して０〜７０°と
することでΔＨｃ／Ｈｃの値が適正な値０．２５未満に
なる。 【００５９】また、このように金属磁性薄膜のΔＨｃ／
Ｈｃの値を０．２５未満とするとともに金属磁性薄膜の
膜厚を１００ｎｍ以上にするとより一層再生出力が増大
する。但し、生産性を考慮すると金属磁性薄膜の膜厚の
上限は２００ｎｍとするのが望ましい。 【００６０】 【実施例】以下、本発明の好適な実施例について、実験
結果に基づいて説明する。 【００６１】実施例１ まず、厚さ１０μｍ，幅１５０ｍｍのポリエチレンテレ
フタレートフィルム上に、アクリルエステルを主成分と
する水溶性ラテックスを分散させた微粒子分散液を塗布
することで密度１０００万個／ｍｍ² の表面突起を形成
した。 【００６２】次に、このポリエチレンテレフタレートフ
ィルムの表面突起を形成した側の面に膜厚１０ｎｍのＧ
ｅ下地膜をＤＣマグネトロンスパッタ法により成膜し
た。スパッタ条件は以下の通りである。 【００６３】スパッタ条件 ターゲット：Ｇｅ スパッタ方式：ＤＣマグネトロンスパッタ 投入パワー：１１ｗ／ｃｍ² スパッタガス：Ａｒ 真空度：０．５Ｐａ 続いて、このＧｅ下地膜上に、膜厚２００ｎｍのＣｏ−
Ｎｉ蒸着膜を成膜した。蒸着条件は以下の通りである。 【００６４】蒸着条件 蒸着源：Ｃｏ８０−Ｎｉ２０インゴット（但し、数字は
各元素の含有率を重量％で示すものである） 入射角：４５〜９０° 非磁性支持体の走行速度：０．１７ｍ／秒 磁性層厚：０．２μｍ 酸素導入量：３．３×１０^-6ｍ³ ／秒 蒸着時真空度：７×１０^-2Ｐａ 以上のようにしてＧｅ下地膜，Ｃｏ−Ｎｉ蒸着膜を成膜
した後、非磁性支持体のこれら各膜を形成した側とは反
対側の面にカーボンとウレタンバインダーよりなるバッ
クコート塗料を塗布厚０．６μｍで塗布することでバッ
クコート層を形成した。 【００６５】そして、Ｃｏ−Ｎｉ蒸着膜上に潤滑剤とし
てパーフルオロポリエーテルを塗布してトップコート層
を形成し、８ｍｍ幅に裁断することで磁気テープを作製
した。 【００６６】比較例１ Ｇｅ下地膜を形成しないこと以外は実施例１と同様にし
て磁気テープを作製した。なお、この構成は市販のＭＥ
テープと同構成である。 【００６７】以上のようにして作製された磁気テープに
ついて、ΔＨｃ／Ｈｃ及び波長０．５０μｍでの再生出
力を調べた。その結果を表１に示す。 【００６８】なお、ΔＨｃ及びＨｃは磁気振動型磁力計
（ＶＳＭ）を用いて測定した。また、再生出力は８ミリ
ＶＴＲを評価用に改造した改造機を用いて測定した。但
し、表中のｄＢ値は比較例１の再生出力を０ｄＢとした
ときの相対値である。 【００６９】 【表１】 【００７０】表１で示すように、Ｇｅ下地膜を設けた実
施例１の磁気テープは、比較例１の磁気テープと比較し
てΔＨｃ／Ｈｃが０．１５と小さく、再生出力が大きな
値になっている。 【００７１】このことから、金属磁性薄膜をＧｅ下地膜
上に形成することは、磁性層の配向性良くし、短波長領
域において大きな出力を発揮する磁気テープを得る上で
有効であることがわかった。 【００７２】Ｇｅ下地膜の膜厚の検討 Ｇｅ下地膜の膜厚を表２に示すように変えたこと以外は
実施例１と同様にして磁気テープを作製し、ΔＨｃ／Ｈ
ｃ及び波長０．５０μｍでの再生出力を調べた。その結
果を、Ｇｅ下地膜の膜厚と併せて表２に示す。但し、表
中のｄＢ値は比較例１の再生出力を０ｄＢとしたときの
相対値である。 【００７３】 【表２】 【００７４】表２からわかるように、Ｇｅ下地膜の膜厚
が薄過ぎても厚過ぎてもΔＨｃ／Ｈｃが大きな値にな
り、再生出力が劣化する。そして、ΔＨｃ／Ｈｃが適正
範囲，すなわち０．２５未満（未満）になるのは、Ｇｅ
下地膜の膜厚が４〜２５ｎｍの場合であると判断され
る。したがって、Ｇｅ下地膜の膜厚は４〜２５ｎｍとす
るのが適当である。 【００７５】金属磁性薄膜の磁化容易軸の検討 Ｃｏ−Ｎｉ蒸着膜を成膜する際の蒸着粒子入射角を制御
することで、当該Ｃｏ−Ｎｉ蒸着膜の磁化容易軸を表３
に示すように変えたこと以外は実施例１と同様にして磁
気テープを作製した。そして、作製された磁気テープに
ついて、ΔＨｃ／Ｈｃ及び波長０．５０μｍでの再生出
力を調べた。その結果を表３に示す。但し、表中のｄＢ
値はＣｏ−Ｎｉ蒸着膜の磁化容易軸を膜法線方向から８
０°とした磁気テープの再生出力を０ｄＢとしたときの
相対値である。 【００７６】 【表３】 【００７７】表３からわかるように、Ｃｏ−Ｎｉ蒸着膜
の磁化容易軸が小さくなる程、ΔＨｃ／Ｈｃは小さくな
り再生出力が大きくなる。そして、ΔＨｃ／Ｈｃが０．
２５未満になるのはＣｏ−Ｎｉ蒸着膜の磁化容易軸が膜
法線方向から７０°以下の場合である。このことから、
金属磁性薄膜の磁化容易軸は膜法線方向から７０°とす
るのが適当であることがわかる。 【００７８】金属磁性薄膜の膜厚の検討 Ｃｏ−Ｎｉ蒸着膜の膜厚を表４に示すように変えたこと
以外は実施例１と同様にして磁気テープを作製した。そ
して、作製された磁気テープについて、波長０．５０μ
ｍでの再生出力を調べた。その結果を表４に示す。但
し、表中のｄＢ値はＣｏ−Ｎｉ蒸着膜の膜厚を３００ｎ
ｍとした磁気テープの再生出力を０ｄＢとしたときの相
対値である。 【００７９】 【表４】【００８０】表４からわかるように、再生出力はＣｏ−
Ｎｉ蒸着膜の膜厚が薄くなる程小さくなる。したがっ
て、大きな再生出力を得るにはＣｏ−Ｎｉ蒸着膜の膜厚
が厚い程好ましいが、この膜厚が余り厚くなると成膜に
時間がかかり生産上問題がある。したがって、これらの
兼ね合いから、金属磁性薄膜の膜厚は１００〜２００ｎ
ｍとするのが適当である。 【００８１】 【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の磁気記録媒体では、非磁性支持体上に、蒸着法によ
って成膜された金属磁性薄膜が形成されてなる磁気記録
媒体において、上記非磁性支持体と金属磁性薄膜との間
にＧｅ下地膜を設け、金属磁性薄膜のΔＨｃ／Ｈｃの値
を０．２５未満に規制するので、Ｈｋ分布が小さく、短
波長領域で大きな出力を得ることができる。したがっ
て、蒸着タイプの磁気記録媒体の高密度記録化に大いに
貢献することになる。

【図面の簡単な説明】 【図１】本発明を適用した磁気記録媒体の１構成例を示
す要部概略断面図である。 【図２】保磁力分布ΔＨｃ／Ｈｃを説明するためのＭ−
Ｈループを示す特性図である。 【図３】ΔＨｃ／Ｈｃと出力の関係を示す特性図であ
る。 【図４】金属磁性薄膜を成膜するための蒸着装置の１構
成例を示す模式図である。 【図５】Ｇｅ下地膜を成膜するためのスパッタリング装
置の１構成例を示す模式図である。 【図６】Ｇｅ下地膜と金属磁性薄膜を連続成膜するため
の２室タイプの蒸着装置を示す模式図である。 【図７】Ｇｅ下地膜と金属磁性薄膜を連続成膜するため
のスパッタリング−蒸着装置を示す模式図である。 【符号の説明】 ２１ 非磁性支持体 ２２ Ｇｅ下地膜 ２３ 金属磁性薄膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 5/66 G11B 5/73

Claims (1)

1. (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 非磁性支持体上に、蒸着法によって成膜
   された金属磁性薄膜が形成されてなる磁気記録媒体にお
   いて、 上記非磁性支持体と上記金属磁性薄膜との間に、膜厚４
   〜２５ｎｍのGｅ下地膜が設けられ、上記金属磁性薄膜
   はＣｏ−Ｎｉよりなり、その保磁力分布ΔＨｃ／Ｈｃの
   値が０．２５未満で磁化容易軸が膜法線方向に対して０
   〜７０°傾いているとともに膜厚が１００〜２００ｎｍ
   であることを特徴とする磁気記録媒体。