JPH03162739A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH03162739A JPH03162739A JP30251189A JP30251189A JPH03162739A JP H03162739 A JPH03162739 A JP H03162739A JP 30251189 A JP30251189 A JP 30251189A JP 30251189 A JP30251189 A JP 30251189A JP H03162739 A JPH03162739 A JP H03162739A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は情報の書換え可能な光磁気記録媒体の製造方法
に関する。
に関する。
一般にこの種の光磁気記録媒体は、一定方向に磁界を印
加しつつ光磁気記録材料をガラス基板面に磁化の方向を
揃えた状態で膜付けして構威し、記録はレーザ光スポッ
トを膜面に照射して加熱し、その部分の磁化の方向を周
辺磁界によって逆転させることにより、また再生は記録
面に直線偏光のレーザ光スポットを照射し、記録部で生
じる反射光の偏光面の回転を検光子を通して光強度の変
化として検出することにより夫々行っている。
加しつつ光磁気記録材料をガラス基板面に磁化の方向を
揃えた状態で膜付けして構威し、記録はレーザ光スポッ
トを膜面に照射して加熱し、その部分の磁化の方向を周
辺磁界によって逆転させることにより、また再生は記録
面に直線偏光のレーザ光スポットを照射し、記録部で生
じる反射光の偏光面の回転を検光子を通して光強度の変
化として検出することにより夫々行っている。
ところでこの種の光磁気記録媒体においては、その光磁
気記録特性を維持するうえで材料の酸化防止が重要なＲ
題の一つとなっているが、このような材料の酸化に対す
る配慮が不要な構造として従来プラチナ（Ｐｔ）層とコ
バルト（Ｃｏ） ＨＡとを交互に多層に積層した構造の
ものが知られている（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ
Ｌｅｔｔｅｒ ５４（２４） Ｊｕｎｅ １９Ｂ９
２４８１〜２４８３真）。
気記録特性を維持するうえで材料の酸化防止が重要なＲ
題の一つとなっているが、このような材料の酸化に対す
る配慮が不要な構造として従来プラチナ（Ｐｔ）層とコ
バルト（Ｃｏ） ＨＡとを交互に多層に積層した構造の
ものが知られている（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ
Ｌｅｔｔｅｒ ５４（２４） Ｊｕｎｅ １９Ｂ９
２４８１〜２４８３真）。
この光磁気記録媒体はガラス製の基板表面に直接、又は
ＳｉＮＩＱを介在させて蒸着法により厚さ１９人のｐｔ
層，厚さ４．１人のＣｏ層を交互に複数回（２１回）繰
り返し積層して製造されている．このようなｐｔ層とＣ
ｏ層との積層膜を持つ磁気記録媒体は、一般的に性能指
数〆Ｒ・θＫ（Ｒ：反射率．θＫ＝カー回転角）が高く
、また耐食性に優れ、他のＴｂＦｅＣｏ層、或いは希土
類元素の金属一遷移金属アモルファス合金等を用いた光
磁気記録媒体に劣らぬ特性を示し、しかもこれら材料の
欠点である耐食性にも優れ、その上同し熱磁気特性を持
つためこれらと同じ記録，再生装置を適用出来る等の利
点を有している。
ＳｉＮＩＱを介在させて蒸着法により厚さ１９人のｐｔ
層，厚さ４．１人のＣｏ層を交互に複数回（２１回）繰
り返し積層して製造されている．このようなｐｔ層とＣ
ｏ層との積層膜を持つ磁気記録媒体は、一般的に性能指
数〆Ｒ・θＫ（Ｒ：反射率．θＫ＝カー回転角）が高く
、また耐食性に優れ、他のＴｂＦｅＣｏ層、或いは希土
類元素の金属一遷移金属アモルファス合金等を用いた光
磁気記録媒体に劣らぬ特性を示し、しかもこれら材料の
欠点である耐食性にも優れ、その上同し熱磁気特性を持
つためこれらと同じ記録，再生装置を適用出来る等の利
点を有している。
ところでこのような従来品にあっては、ｐｔ層、ＣｏＪ
ｉ等はいずれも蒸着法によって形威されているが、蒸着
法では製作条件の安定性が悪く、また製造コス１・も高
くなるという難点がある。
ｉ等はいずれも蒸着法によって形威されているが、蒸着
法では製作条件の安定性が悪く、また製造コス１・も高
くなるという難点がある。
そこで本発明者等は蒸着法に代えてスパノタ法を用いて
基板上にｐｔ等の白金族元素の金属層と、Ｃｏ等の遷移
金属層とを交互に積層した積層膜の形威を試みたところ
、得られた光磁気記録媒体におけるカーヒステリシスル
ーブの角形比、垂直磁気異方性等の磁気光学効果が蒸着
法を用いて製作した光磁気記録媒体のそれに及ばないこ
とが解った。
基板上にｐｔ等の白金族元素の金属層と、Ｃｏ等の遷移
金属層とを交互に積層した積層膜の形威を試みたところ
、得られた光磁気記録媒体におけるカーヒステリシスル
ーブの角形比、垂直磁気異方性等の磁気光学効果が蒸着
法を用いて製作した光磁気記録媒体のそれに及ばないこ
とが解った。
そこで本発明者等はこれを改善すべく種々の実験，研究
を行った結果、積層膜を形成する下地層の表面にエッチ
ング処理を施すのが磁気光学効果の改善に極めて効果的
であることを知見した。
を行った結果、積層膜を形成する下地層の表面にエッチ
ング処理を施すのが磁気光学効果の改善に極めて効果的
であることを知見した。
本発明はかかる知見に基づきなされたものであって、そ
の目的とするところは蒸着法に依り製造した場合に劣ら
ぬ磁気光学特性が得られる光磁気記録媒体を製造する方
法を提供するにある。
の目的とするところは蒸着法に依り製造した場合に劣ら
ぬ磁気光学特性が得られる光磁気記録媒体を製造する方
法を提供するにある。
Ｃ課題を解決するための手段〕
本発明に係る光磁気記録媒体の製造方法は、下地層表面
にエノチング処理を施した後、遷移金属又はこれと白金
族元素の金属との合金層と、白金族元素の金属又はこれ
を含む合金層とを交互に積層してなる積層膜を形成する
過程を含むことを特徴とする。
にエノチング処理を施した後、遷移金属又はこれと白金
族元素の金属との合金層と、白金族元素の金属又はこれ
を含む合金層とを交互に積層してなる積層膜を形成する
過程を含むことを特徴とする。
本発明にあってはこれによってスパフタ法を用いて高い
角形比、垂直磁気異方性をもつ積層膜が得られる。
角形比、垂直磁気異方性をもつ積層膜が得られる。
以下本発明を図面に基づき具体的に説明する。
第１図は本発明に係る光磁気記録媒体の製造方法の主要
工程であるスパソタ工程の説明図であり、図中１は真空
槽を示している。真空槽１はその一側壁にはＡｒガスの
供給系に接続されたガス導入口１ａが、また他側壁には
排気ポンブＰに接続されたガス排出口ｔｂが設けられて
いる。真空槽１の内側下部には隔壁１ｃで仕切られた片
側にｐｔターゲ・ノト２を載置するカソード４が、また
他の片側にＣｏターゲット３を載置するカソード４が夫
々配設され、一方真空槽１の上部中央には円板形をなす
基板ホルダ５が軸支され、その下面に基板１１を装着す
るようになっている。
工程であるスパソタ工程の説明図であり、図中１は真空
槽を示している。真空槽１はその一側壁にはＡｒガスの
供給系に接続されたガス導入口１ａが、また他側壁には
排気ポンブＰに接続されたガス排出口ｔｂが設けられて
いる。真空槽１の内側下部には隔壁１ｃで仕切られた片
側にｐｔターゲ・ノト２を載置するカソード４が、また
他の片側にＣｏターゲット３を載置するカソード４が夫
々配設され、一方真空槽１の上部中央には円板形をなす
基板ホルダ５が軸支され、その下面に基板１１を装着す
るようになっている。
各カソード４には夫々直流電源６，７が、また基板ホル
ダ５の軸５ａにはコンデンサ８を介在させて高周波電源
９が接続されている。
ダ５の軸５ａにはコンデンサ８を介在させて高周波電源
９が接続されている。
基板１１は透光性材料である、例えばガラス等を用いて
構成されている。
構成されている。
下地層である基板１１表面のエッチングは、まず基板ホ
ルダ５の下面に基板１１を装着し、真空槽ｌ内を所定圧
力に減圧した後、Ａｒガス供給系から真空槽１内にＡｒ
ガスを供給し、スイッチＳｈをオフとしてコンデンサ８
を介して高周波電源（３００Ｗ） ９の電圧を印加し
て５分間エッチング処理する。これによって基板ｌ１の
表面は１００人程度エッチング除去されて、表面が平滑
化、清浄化された状態となる。基板ｌ１表面に対するエ
ッチング処理は別途用意したエソチング装置を用いても
よい。
ルダ５の下面に基板１１を装着し、真空槽ｌ内を所定圧
力に減圧した後、Ａｒガス供給系から真空槽１内にＡｒ
ガスを供給し、スイッチＳｈをオフとしてコンデンサ８
を介して高周波電源（３００Ｗ） ９の電圧を印加し
て５分間エッチング処理する。これによって基板ｌ１の
表面は１００人程度エッチング除去されて、表面が平滑
化、清浄化された状態となる。基板ｌ１表面に対するエ
ッチング処理は別途用意したエソチング装置を用いても
よい。
次に真空槽１内部の空気を排気し、内部を所定の圧力に
設定した後、スイソチＳＷをオンし、基板ホルダ５を接
地し、基板ホルダ５を回転させつつ、各カソード４に直
流電源６，７の直流電圧を印加する。
設定した後、スイソチＳＷをオンし、基板ホルダ５を接
地し、基板ホルダ５を回転させつつ、各カソード４に直
流電源６，７の直流電圧を印加する。
これによってｐｔターゲット２ ＊ Ｃｏターゲソト３
がスバソタされ、ターゲソトされた材料は基板１１表面
に導かれ、基板１１が遮蔽板１ｃで区分された片側の領
域内を移動する過程ではｐｔターゲソト２のスパンタに
よりｐｔ層が、また他の領域内を移動する過程ではＧｏ
ターゲット３のスバ７夕によりＣｏ層が夫々基板１１表
面に基板ホルダ５の回転によって交互に積層形威される
こととなる。
がスバソタされ、ターゲソトされた材料は基板１１表面
に導かれ、基板１１が遮蔽板１ｃで区分された片側の領
域内を移動する過程ではｐｔターゲソト２のスパンタに
よりｐｔ層が、また他の領域内を移動する過程ではＧｏ
ターゲット３のスバ７夕によりＣｏ層が夫々基板１１表
面に基板ホルダ５の回転によって交互に積層形威される
こととなる。
第２図は上述の如き方法で得た光磁気記録媒体の部分拡
大断面図であり、基板１１上に、数原子層乃至数十原子
層のｐｔ層１２，数原子層のＣｏ層１３を交互に繰り返
し積層して構成した積層膜ｌ４を形威した構造となって
いる。
大断面図であり、基板１１上に、数原子層乃至数十原子
層のｐｔ層１２，数原子層のＣｏ層１３を交互に繰り返
し積層して構成した積層膜ｌ４を形威した構造となって
いる。
第３図は上記した本発明方法により製造した光磁気記録
媒体のカーヒステリシスルプープを示すグラフである。
媒体のカーヒステリシスルプープを示すグラフである。
第５図は基板表面にエッチング処理を施さずに直接Ｃｏ
層， ｐｔ層を交互に積層して得た光磁気記録媒体のカ
ーヒステリシスループを示すグラフである。第３．５図
を比較すれば明らかな如く、力一回転角は両者共に夫々
０．２２ｄｅｇ程度で変わりないが、角形比についてみ
ると本発明方法に依った場合には略１００％であるのに
対し、従来方法に依った場合はループが傾斜した状態に
なっているため角形比は１００％に達せず記録時におけ
る磁化の磁化反転のスイッチング特性が悪く、記録ドメ
インに変形が生じることが予測される。
層， ｐｔ層を交互に積層して得た光磁気記録媒体のカ
ーヒステリシスループを示すグラフである。第３．５図
を比較すれば明らかな如く、力一回転角は両者共に夫々
０．２２ｄｅｇ程度で変わりないが、角形比についてみ
ると本発明方法に依った場合には略１００％であるのに
対し、従来方法に依った場合はループが傾斜した状態に
なっているため角形比は１００％に達せず記録時におけ
る磁化の磁化反転のスイッチング特性が悪く、記録ドメ
インに変形が生じることが予測される。
また垂直磁気異方性は従来方法に依った場合には４．２
５ Ｘ １０’ｅｒｇ／ｃｃであったが本発明方法に依
った場合は８．５ Ｘ １０５ｅｒｇ／ｃｃであり、大
幅に向上することが確認された。
５ Ｘ １０’ｅｒｇ／ｃｃであったが本発明方法に依
った場合は８．５ Ｘ １０５ｅｒｇ／ｃｃであり、大
幅に向上することが確認された。
〔実施例２〕
この実施例にあってはガラス製の基板表面に厚さ８００
人で下地層である炭化ケイ素（ＳｉＮ）膜を形威し、こ
の炭化ケイ素膜表面にエンチング処理を施した後、ｐｔ
層， Ｃｏ層を交互に積層して積層膜を設けるプロセス
で光磁気記録媒体を製造した。
人で下地層である炭化ケイ素（ＳｉＮ）膜を形威し、こ
の炭化ケイ素膜表面にエンチング処理を施した後、ｐｔ
層， Ｃｏ層を交互に積層して積層膜を設けるプロセス
で光磁気記録媒体を製造した。
第４図は本発明の実施例２により製造した光磁気記録媒
体の部分断面構造図であり、ガラス製の基板２１上に、
厚さ１０００人のＳｉＮ膜２２を積層し、ＳｉＮ膜２５
の表面を、２００Ｗの高周波電力で１０分間、エソヂン
グ処理を施し、略２００人相当分をエソチング除去した
後、ｐｔ層２２， Ｃｏ層２３を交互に積層形威して積
層膜２４を形威した。
体の部分断面構造図であり、ガラス製の基板２１上に、
厚さ１０００人のＳｉＮ膜２２を積層し、ＳｉＮ膜２５
の表面を、２００Ｗの高周波電力で１０分間、エソヂン
グ処理を施し、略２００人相当分をエソチング除去した
後、ｐｔ層２２， Ｃｏ層２３を交互に積層形威して積
層膜２４を形威した。
第５図は実施例２のカーヒステリシスループを示すグラ
フであり、また第７図はガラス製の基板表面にＳｉＮ膜
を形威し、その表面に対するエッチング処理を施すこと
な＜、ｐｔ層、Ｃｏ層からなる積層膜を形威して得た光
磁気記録媒体のカーヒステリシスループを示すグラフで
ある。
フであり、また第７図はガラス製の基板表面にＳｉＮ膜
を形威し、その表面に対するエッチング処理を施すこと
な＜、ｐｔ層、Ｃｏ層からなる積層膜を形威して得た光
磁気記録媒体のカーヒステリシスループを示すグラフで
ある。
両者を対比すれば明らかな如く、従来方法に依った場合
にはカーヒステリシスループの傾斜が著しいのに対し、
本発明方法に依った場合には角形比が略１００％となっ
ており、磁気光学効果が著しく改善されていることが解
る。
にはカーヒステリシスループの傾斜が著しいのに対し、
本発明方法に依った場合には角形比が略１００％となっ
ており、磁気光学効果が著しく改善されていることが解
る。
また垂直磁気異方性は従来方法に依った場合には１．５
ＸＩＯ’ ｅｒｇ／ｃｃ程度であったが、本発明方法
に依った場合には８．７５Ｘ１０’ ｅｒｇ／ｃｃとな
り、大幅に向上していることが確認された。
ＸＩＯ’ ｅｒｇ／ｃｃ程度であったが、本発明方法
に依った場合には８．７５Ｘ１０’ ｅｒｇ／ｃｃとな
り、大幅に向上していることが確認された。
なお上述の実施例１，２ではいずれもｐｔ層とＣＯ層と
を交互に積層する構威について説明したが、何らこれに
限るものではなく、例えばｐｂ層とＣｏ層、Ｐｂ層とＦ
ｅ層、ｐｂ層とＮｉ層等白金族元素の金属単体層と遷移
金属単体との組み合わせ，或いはｐｔ−ｐｂ合金層とＣ
ｏ層， ｐｔ層とＰｂ−Ｃｏ合金層，Ｐｂ−Ｐｔ合金層
とＦｅ−Ｃｏ合金層，Ｐｔ−Ｆｅ合金層とＰｂ−Ｃｏ合
金層等、白金属元素の金属と白金族元素の金属相互合金
層、又は白金族元素の金属相互の合金層と白金族元素の
金属と遷移金属との合金層、又は白金属元素の合金層と
遷移金属単体層等の組み合わせにも適用し得ることは勿
論である。
を交互に積層する構威について説明したが、何らこれに
限るものではなく、例えばｐｂ層とＣｏ層、Ｐｂ層とＦ
ｅ層、ｐｂ層とＮｉ層等白金族元素の金属単体層と遷移
金属単体との組み合わせ，或いはｐｔ−ｐｂ合金層とＣ
ｏ層， ｐｔ層とＰｂ−Ｃｏ合金層，Ｐｂ−Ｐｔ合金層
とＦｅ−Ｃｏ合金層，Ｐｔ−Ｆｅ合金層とＰｂ−Ｃｏ合
金層等、白金属元素の金属と白金族元素の金属相互合金
層、又は白金族元素の金属相互の合金層と白金族元素の
金属と遷移金属との合金層、又は白金属元素の合金層と
遷移金属単体層等の組み合わせにも適用し得ることは勿
論である。
以上の如く本発明にあっては、製作条件が安定して製造
の容易なスパフタ法を用いて、積層膜を形戒することが
可能となり、しかも高い磁気光学特性が得られ、製造コ
ストの低減が図れる等本発明は優れた効果を奏するもの
である。
の容易なスパフタ法を用いて、積層膜を形戒することが
可能となり、しかも高い磁気光学特性が得られ、製造コ
ストの低減が図れる等本発明は優れた効果を奏するもの
である。
第１図は本発明方法の実施に用いるスバソタ法の実施状
態を示す模式図、第２図は本発明方法により製造した光
磁気記録媒体の部分拡大断面図、第３図は本発明方法に
より得た光磁気記録媒体のカーヒステリシスループを示
すグラフ、第４図は本発明の他の実施例により製造した
光磁気記録媒体の部分拡大断面図、第５図は本発明方法
により得た光磁気記録媒体のカーヒステリシスルーブを
示すグラフ、第６，７図は従来方法により得た光磁気記
録媒体のカーヒステリシスループを示すグラフである。 ｌ・・・真空槽 ２・・・ｐｔターゲソト ３・・・
ＣＯターゲット ４・・・カソード ５・・・基板
ホルダ６．７・・・直流電源 ９・・・高周波電源
１ｌ・・・基板 １２・・・Ｐｔ層 ｌ３・・・Ｃｏ層 １４・・・積層膜 ２１・・・基板 ２２・・・ｐｔ層 ２３・・・ＣＯ層 ２４・・・積層膜 ２５・・・ＳｉＮ 膜 特 許
態を示す模式図、第２図は本発明方法により製造した光
磁気記録媒体の部分拡大断面図、第３図は本発明方法に
より得た光磁気記録媒体のカーヒステリシスループを示
すグラフ、第４図は本発明の他の実施例により製造した
光磁気記録媒体の部分拡大断面図、第５図は本発明方法
により得た光磁気記録媒体のカーヒステリシスルーブを
示すグラフ、第６，７図は従来方法により得た光磁気記
録媒体のカーヒステリシスループを示すグラフである。 ｌ・・・真空槽 ２・・・ｐｔターゲソト ３・・・
ＣＯターゲット ４・・・カソード ５・・・基板
ホルダ６．７・・・直流電源 ９・・・高周波電源
１ｌ・・・基板 １２・・・Ｐｔ層 ｌ３・・・Ｃｏ層 １４・・・積層膜 ２１・・・基板 ２２・・・ｐｔ層 ２３・・・ＣＯ層 ２４・・・積層膜 ２５・・・ＳｉＮ 膜 特 許
Claims (1)
- １、下地層表面にエッチング処理を施した後、遷移金属
又はこれと白金族元素の金属との合金層と、白金族元素
の金属又はこれを含む合金層とを交互に積層してなる積
層膜を形成する過程を含むことを特徴とする光磁気記録
媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1302511A JP2940681B2 (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1302511A JP2940681B2 (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03162739A true JPH03162739A (ja) | 1991-07-12 |
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1989
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62243150A (ja) * | 1986-04-15 | 1987-10-23 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子の製造方法 |
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