JPH0863812A

JPH0863812A - 光磁気記録媒体およびエンハンス膜の製造方法

Info

Publication number: JPH0863812A
Application number: JP19709794A
Authority: JP
Inventors: Kazuyuki Miyamoto; 本和幸宮; Hidehiko Hashimoto; 本英彦橋; Kunihiko Mizumoto; 本邦彦水
Original assignee: ZEUSU KK
Current assignee: ZEUSU KK
Priority date: 1994-08-22
Filing date: 1994-08-22
Publication date: 1996-03-08

Abstract

(57)【要約】【構成】基板上に、第１エンハンス膜、希土類−遷移金
属合金薄膜からなる光磁気記録膜、第２エンハンス膜お
よび反射膜が設けられてなる光磁気記録媒体において、
第１エンハンス膜および／または第２エンハンス膜が、
Ｓｉ_xＣ_yＯ_zＮ_p膜（式中ｘは２０〜４５原子％、ｙは５
〜２０原子％、ｚは２０〜７５原子％、ｐは０.０１〜
２.０原子％）である光磁気記録媒体およびエンハンス
膜の製造方法。前記第１エンハンス膜および／または第
２エンハンス膜が、ＳｉＮ_x膜（０＜ｘ≦４／３）とＳ
ｉ_xＣ_yＯ_zＮ_p膜との積層膜であり、光磁気記録膜と接す
る側がＳｉ_xＣ_yＯ_zＮ_p膜である前記光磁気記録媒体およ
びエンハンス膜の製造方法。【効果】低い外部磁界によっても記録媒体への記録が可
能であるとともに、効率よく製造しうるような光磁気記
録媒体およびエンハンス膜の製造方法を提供することが
できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の技術分野】本発明は、光磁気記録媒体およびエ
ンハンス膜の製造方法に関し、さらに詳しくは、低磁界
記録が可能であって、しかも効率よく製造しうるような
光磁気記録媒体およびこの光磁気記録媒体に用いられる
エンハンス膜の製造方法に関する。

【０００２】

【発明の技術的背景】光磁気記録媒体の記録方式として
は、光変調方式と磁界変調方式とがあり、このうち磁界
変調方式は一定のレーザ光などの熱エネルギーを光磁気
記録膜に照射して光磁気記録膜の保磁力を小さくしなが
ら、信号「０」、「１」に対応して外部磁界を反転して
記録する方式である。

【０００３】このような磁界変調方式の光磁気記録媒体
では、低い外部磁界によっても記録しうることが望まれ
ている。もし低磁界による記録媒体への記録が可能であ
れば、記録ヘッドを小型化しうるとともに消費電力を抑
制することができる。

【０００４】ところで従来光磁気記録媒体としては、基
板上に、第１エンハンス膜、光磁気記録膜、第２エンハ
ンス膜および反射膜とがこの順序で積層されてなる４層
構造の光磁気記録媒体が知られている。そして基板とし
ては、たとえばポリカーボネート、非晶質ポリオレフィ
ンなどが用いられ、光磁気記録膜としては、たとえばＴ
ｂＦｅＣｏ合金膜などに代表される希土類−遷移金属合
金膜などが用いられており、また第１および第２エンハ
ンス膜としてはＳｉ₃Ｎ₄などのＳｉＮ系膜などが用いら
れており、反射膜としてはＡｌ合金膜などが用いられて
いる。

【０００５】このような光磁気記録媒体は、通常、基板
上に、第１エンハンス膜、光磁気記録膜、第２エンハン
ス膜および反射膜を、スパッタリング法などの方法によ
って順次成膜することによって製造されている。特にＳ
ｉＮ系膜などのエンハンス膜は、Ｓｉをターゲットとし
て、アルゴンと窒素との混合ガスからなる雰囲気中でス
パッタリング法などによって成膜されている。

【０００６】ところがこのようにして得られた光磁気記
録媒体は、低い外部磁界では満足なＣ／Ｎ比を得ること
ができず、２００エルステッド（Ｏｅ）程度の外部磁界
をかけなければならないという問題点があった。

【０００７】またエンハンス膜としてのＳｉＮ_x膜は、
成膜速度が小さく、光磁気記録媒体の生産性が低いとい
う問題点もあった。本発明者らは、このような問題点を
解決するため鋭意検討したところ、第１エンハンス膜ま
たは第２エンハンス膜のいずれか一方あるいは両方とし
てＳｉＣＯＮ膜を用いると、低い外部磁界によっても記
録媒体への記録が可能となるとともに、ＳｉＣＯＮ膜の
成膜速度もＳｉＮ_x膜と比較して大きくすることができ
ることを見出して、本発明を完成するに至った。

【０００８】なお特開平４−３１３８３５号公報には、
基板上に光磁気記録膜および誘電体膜（第２エンハンス
膜）とを順次成膜する光磁気記録媒体の製造方法におい
て、光磁気記録膜を成膜した後に、一酸化炭素または二
酸化炭素を含む放電状態の雰囲気中に基板を保持するこ
とを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法が開示されて
いる。

【０００９】

【発明の目的】本発明は、低い外部磁界によっても記録
媒体への記録が可能であるとともに、効率よく製造しう
るような光磁気記録媒体およびこの光磁気記録媒体に用
いられるエンハンス膜の製造方法を提供することを目的
としている。

【００１０】

【発明の概要】本発明に係る第１の光磁気記録媒体は、
基板上に、第１エンハンス膜、希土類−遷移金属合金薄
膜からなる光磁気記録膜、第２エンハンス膜および反射
膜が設けられてなり、第１エンハンス膜および／または
第２エンハンス膜が、Ｓｉ_xＣ_yＯ_zＮ_p膜（式中ｘは２０
〜４５原子％であり、ｙは５〜２０原子％であり、ｚは
２０〜７５原子％であり、ｐは０.０１〜２.０原子％で
ある）であることを特徴としている。

【００１１】また本発明に係る第２の光磁気記録媒体
は、基板上に、第１エンハンス膜、希土類−遷移金属合
金薄膜からなる光磁気記録膜、第２エンハンス膜および
反射膜が設けられてなり、第１エンハンス膜および／ま
たは第２エンハンス膜が、ＳｉＮ_x膜（０＜ｘ≦４／
３）と、Ｓｉ_xＣ_yＯ_zＮ_p膜（式中ｘは２０〜４５原子％
であり、ｙは５〜２０原子％であり、ｚは２０〜７５原
子％であり、ｐは０.０１〜２.０原子％である）との積
層膜であって、第１エンハンス膜および／または第２エ
ンハンス膜の光磁気記録膜と接する側は前記Ｓｉ_xＣ_yＯ
_zＮ_p膜であることを特徴としている。

【００１２】このような第１エンハンス膜および／また
は第２エンハンス膜としてのＳｉ_xＣ_yＯ_zＮ_p膜は、Ｓｉ
ターゲットを、アルゴンガスと、一酸化炭素または二酸
化炭素と、窒素との混合ガス雰囲気中でスパッタリング
することによって製造することができる。

【００１３】本発明の光磁気記録媒体は、低い外部磁界
によって記録を行うことが可能であり、しかもＳｉＣＯ
Ｎ膜は成膜速度が大きいため効率よく製造することがで
きる。

【００１４】

【発明の具体的説明】以下本発明に係る光磁気記録媒体
およびエンハンス膜の製造方法について、具体的に説明
する。

【００１５】本発明に係る第１の光磁気記録媒体１０
は、図１に示すように基板１上に、第１エンハンス膜
（第１誘導体膜）２、光磁気記録膜３、第２エンハンス
膜（第２誘電体膜）４および反射膜５がこの順序で成膜
された構造を有している。

【００１６】基板１としては、ポリカーボネート、非晶
質ポリオレフィン、ポリメチルメタクリレート、ガラス
など従来基板として用いられるものが広く用いられる。
このような基板１上には、第１エンハンス膜２、光磁気
記録膜３、第２エンハンス膜４および反射膜５がこの順
序で成膜されているが、以下まず光磁気記録膜３および
反射膜５について説明する。

【００１７】光磁気記録膜３としては、光磁気記録膜と
して用いられる希土類−遷移金属合金膜が広く用いられ
る。希土類元素としては、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｎ
ｄ、Ｃｅ、Ｅｕ、Ｓｍ、Ｐｒなどが用いられ、遷移金属
としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｐｄなどが用いら
れる。

【００１８】このような光磁気記録膜の具体例として
は、たとえば以下のような合金膜が挙げられる。Ｔｂ−
Ｆｅ−Ｃｏ合金膜、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｔ合金膜、Ｔ
ｂ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ合金膜。

【００１９】この光磁気記録膜３の膜厚は１００〜５０
０オングストローム、好ましくは１５０〜３００オング
ストロームであることが望ましい。また反射膜として
は、アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜が用いら
れるが、具体的には、アルミニウム合金膜としては下記
のようなアルミニウム合金膜が挙げられる。

【００２０】Ａｌ−Ｃｒ合金膜Ａｌ−Ｔｉ合金膜Ａｌ−Ｃｒ−Ｔｉ合金膜Ａｌ−Ｎｉ合金膜Ａｌ−Ｔｉ−Ｎｉ合金膜反射膜としてのアルミニウム合金膜におけるアルミニウ
ム以外の金属は、アルミニウム合金膜中に０.２〜１０
原子％の量で添加されていることが好ましい。

【００２１】この反射膜５の膜厚は、１００〜１２００
オングストローム、好ましくは５００〜７００オングス
トロームであることが望ましい。本発明に係る第１の光
磁気記録媒体では、第１エンハンス膜２または第２エン
ハンス膜４のいずれか一方あるいは両方が、Ｓｉ_xＣ_yＯ
_zＮ_p膜から構成されている。式中ｘは２０〜４５原子
％、好ましくは２５〜３５原子％であり、ｙは５〜２０
原子％、好ましくは８〜１６原子％であり、ｚは２０〜
７５原子％、好ましくは３０〜６０原子％であり、ｐは
０.０１〜２.０原子％、好ましくは０.１〜１.５原子％
であることが望ましい。

【００２２】このように第１エンハンス膜２および／ま
たは第２エンハンス膜４は、Ｓｉ_xＣ_yＯ_zＮ_p膜である
が、第１エンハンス膜または第２エンハンス膜がＳｉ_x
Ｃ_yＯ_zＮ_p膜以外のエンハンス膜である場合には、この
膜はＳｉＮ_x膜（０＜ｘ≦４／３）であることが好まし
く、たとえばＳｉ₃Ｎ₄膜であることが好ましい。またこ
の膜はＡｌＮ膜、ＺｎＳｅ膜、ＺｎＳ膜、Ｓｉ膜または
ＣｄＳ膜であってもよい。

【００２３】この第１エンハンス膜２の膜厚は、４００
〜２０００オングストローム、好ましくは８００〜１５
００オングストロームであることが望ましい。さらに第
２エンハンス膜４の膜厚は、５０〜４００オングストロ
ーム、好ましくは１５０〜３００オングストロームであ
ることが望ましい。

【００２４】本発明に係る第２の光磁気記録媒体２０で
は、図２に示すように、第１エンハンス膜２が、ＳｉＮ
_x膜２ｂとＳｉＣＯＮ膜２ａとの積層膜で形成されてい
るか、または第２エンハンス膜４がＳｉＣＯＮ膜４ａと
ＳｉＮ_x膜４ｂとの積層膜で形成されているか、あるい
は第１エンハンス膜がＳｉＮ_x膜２ｂとＳｉＣＯＮ膜２
ａとの積層膜で形成されかつ第２エンハンス膜がＳｉＣ
ＯＮ膜４ａとＳｉＮ_x膜４ｂとの積層膜で形成されてい
る。

【００２５】このように第１エンハンス膜２がＳｉＮ_x
膜２ｂとＳｉＣＯＮ膜２ａとの積層膜である場合には、
光磁気記録膜３に接する側がＳｉＣＯＮ膜２ａであり、
また第２エンハンス膜４がＳｉＣＯＮ膜４ａとＳｉＮ_x
膜４ｂとの積層膜である場合には、光磁気記録膜３に接
する側がＳｉＣＯＮ膜４ａである。

【００２６】第１エンハンス膜２がＳｉＮ_x膜２ｂとＳ
ｉＣＯＮ膜２ａとの積層膜である場合には、ＳｉＮ_x膜
２ｂの膜厚は１０〜２０００オングストローム、好まし
くは５０〜１２００オングストロームであり、ＳｉＣＯ
Ｎ膜２ａの膜厚は１０〜２０００オングストローム、好
ましくは２０〜１２００オングストロームであることが
望ましい。

【００２７】また第２エンハンス膜４がＳｉＣＯＮ膜４
ａとＳｉＮ_x膜４ｂとの積層膜である場合には、ＳｉＣ
ＯＮ膜４ａの膜厚は１０〜１０００オングストローム、
好ましくは１０〜５００オングストロームであり、Ｓｉ
Ｎ_x膜４ｂの膜厚は１０〜１０００オングストローム、
好ましくは１０〜５００オングストロームであることが
好ましい。

【００２８】特に本発明では、第１エンハンス膜２がＳ
ｉＮ_x膜２ｂとＳｉＣＯＮ膜２ａとの積層膜であって、
第２エンハンス膜４がＳｉＣＯＮ膜またはＳｉＮ_x膜で
あることが好ましい。

【００２９】本発明では、第１エンハンス膜および／ま
たは第２エンハンス膜の少なくとも光磁気記録膜と接す
る側をＳｉＣＯＮ膜で形成しているが、このＳｉＣＯＮ
膜は、ＳｉＮ_x膜と比較して成膜速度を大きくすること
ができる。たとえばＳｉＣＯＮ膜の成膜速度は５０オン
グストローム／秒程度であり、ＳｉＮ_x膜の成膜速度は
３０オングストローム／秒程度であり、ＳｉＣＯＮ膜の
成膜速度はＳｉＮ_x膜の成膜速度よりも大きい。

【００３０】さらに本発明では第１エンハンス膜および
／または第２エンハンス膜の少なくとも光磁気記録膜と
接する側をＳｉＣＯＮ膜で形成しているため、低い外部
磁界での光磁気記録媒体への記録が可能となる。具体的
には、第１エンハンス膜および／または第２エンハンス
膜の少なくとも光磁気記録膜と接する側をＳｉＣＯＮ膜
で形成すると、８０〜１００エルステッドの外部磁界に
よって記録すると、必要なＣ／Ｎ比（約４６ｄＢ）を得
ることができるのに対し、第１エンハンス膜および第２
エンハンス膜をＳｉＮ_x膜（０＜ｘ≦４／３）で形成す
ると、約２００エルステッドの外部磁界によって記録し
なければ、必要なＣ／Ｎ比を得ることはできない。

【００３１】次に本発明に係る光磁気記録媒体の製造方
法について説明する。光磁気記録膜、ＳｉＣＯＮ膜以外
のエンハンス膜および反射膜は従来公知のスパッタリン
グ法（高周波スパッタ法あるいは直流スパッタ法）、真
空蒸着法などによって成膜することができるので、以下
にＳｉＣＯＮ膜の成膜方法についてのみ具体的に説明す
る。

【００３２】Ｓｉ_xＣ_yＯ_zＮ_p膜（ｘは２０〜４５原子％
であり、ｙは５〜２０原子％であり、ｚは２０〜７５原
子％であり、ｐは０.０１〜２.０である）は、Ｓｉをタ
ーゲットとし、アルゴンと、一酸化炭素（ＣＯ）および
／または二酸化炭素（ＣＯ₂）と、窒素との混合ガス雰
囲気中で、Ｓｉをスパッタリング、たとえば高周波反応
性スパッタリング、あるいは直流スパッタリングするこ
とによって成膜することができる。

【００３３】この際のスパッタリング装置内のガス圧は
０.２〜５×１０^-3Torr、好ましくは１〜３×１０^-3Tor
rである。またアルゴンガスのガス分圧は０.２〜５×１
０^- ³Torr、好ましくは１〜３×１０^-3Torrであり、一酸
化炭素および／または二酸化炭素のガス分圧は０.０１
〜２×１０^-3Torr、好ましくは０.１〜１×１０^-3Torr
であり、窒素のガス分圧は０.０１〜２×１０^-3Torr、
好ましくは０.１〜１×１０^-3Torrであることが望まし
い。

【００３４】より具体的には、スパッタリング装置内
に、アルゴンと、一酸化炭素および／または二酸化炭素
と、窒素とを流しながらスパッタリングを行うが、この
際にアルゴン流量を１００sccmとした場合に、一酸化炭
素および／または二酸化炭素の流量を０.１〜２０scc
m、好ましくは１〜１０sccmとし、窒素の流量を０.１〜
５０sccm、好ましくは１〜１０sccmとすることが望まし
い。

【００３５】

【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体は、低い外部磁
界によっても記録媒体への記録が可能である。

【００３６】本発明のエンハンス膜の製造方法は、光磁
気記録媒体の低磁界記録を可能とするようなエンハンス
膜を効率よく製造することができる。

【００３７】

【実施例】次に本発明を実施例により具体的に説明する
が、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。

【００３８】

【実施例１】厚さ１.２mmのポリカーボネート基板上
に、以下のようにしてＳｉＣＯエンハンス膜、ＴｂＦｅ
Ｃｏ合金膜、ＳｉＣＯＮエンハンス膜およびＡｌ反射膜
を順次スパッタリング法によって成膜して、光磁気記録
媒体を製造した。

【００３９】Ｓｉターゲットを用いて、アルゴンガスと
炭酸ガスとの混合ガス雰囲気中で、周波数１２.５６Ｍ
Ｈｚの高周波スパッタ法を用いてＳｉ₃₃Ｃ₁₃Ｏ₅₄エンハ
ンス膜を８００オングストロームの膜厚に成膜した。こ
の際のアルゴン流量は１００sccmであり、炭酸ガス流量
は８.０sccmであった。

【００４０】次に、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い
て、アルゴンガス雰囲気中でＴｂＦｅＣｏ合金層を２５
０オングストロームの膜厚に成膜した。次いで、Ｓｉタ
ーゲットを用いて、アルゴンガスと炭酸ガスと窒素ガス
との混合ガス雰囲気中で、周波数１２.５６ＭＨｚの高
周波スパッタ法によりＳｉ₃₃Ｃ₁ ₃Ｏ_53.5Ｎ_0.5エンハン
ス膜を２００オングストロームの膜厚に成膜した。この
際のアルゴン流量は１００sccmであり、二酸化炭素流量
は６.０sccmであり、窒素ガス流量は５.０sccmであっ
た。最後にＡｌターゲットを用いて、アルゴンガス雰囲
気中でアルミニウム膜を５００オングストロームの膜厚
で成膜して光磁気記録媒体とした。

【００４１】このような光磁気記録媒体の成膜条件およ
び層構成を下記に示す。

【００４２】

【表１】

【００４３】

【実施例２】厚さ１.２mmのポリカーボネート基板上
に、以下のようにしてＳｉＣＯＮエンハンス膜、ＴｂＦ
ｅＣｏ合金膜、ＳｉＣＯエンハンス膜およびＡｌ反射膜
を順次スパッタリング法によって成膜して、光磁気記録
媒体を製造した。

【００４４】Ｓｉターゲットを用いて、アルゴンガスと
炭酸ガスと窒素ガスとの混合ガス雰囲気中で周波数１
２.５６ＭＨｚの高周波スパッタ法によりＳｉ₃₃Ｃ₁₃Ｏ
_53.5Ｎ₀ _.5エンハンス膜を８００オングストロームの膜
厚に成膜した。この際のアルゴン流量は１００sccmであ
り、二酸化炭素流量は６.０sccmであり、窒素流量は５.
０sccmであった。

【００４５】次に、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い
て、Ａｒガス雰囲気中でＴｂＦｅＣｏ合金層を２５０オ
ングストロームの膜厚で成膜した。次いで、Ｓｉターゲ
ットを用いて、アルゴンガスと炭酸ガスとの混合ガス雰
囲気中で、周波数１２.５６ＭＨｚの高周波スパッタ法
によりＳｉ₃₃Ｃ₁₃Ｏ₅₄エンハンス膜を２００オングスト
ロームの膜厚で成膜した。この際のアルゴン流量は１０
０sccmであり、二酸化炭素流量は８.０sccmであった。
最後にＡｌターゲットを用いて、アルゴンガス雰囲気中
でアルミニウム膜を５００オングストロームの膜厚で成
膜して光磁気記録媒体とした。

【００４６】このような光磁気記録媒体の成膜条件およ
び層構成を下記に示す。

【００４７】

【表２】

【００４８】

【実施例３】ポリカーボネート基板上に、以下のように
してＳｉＣＯＮエンハンス膜、ＴｂＦｅＣｏ磁性膜、Ｓ
ｉＣＯエンハンス膜、Ａｌ反射膜を順次スパッタリング
法によって成膜して、光磁気記録媒体を製造した。

【００４９】Ｓｉターゲットを用いて、アルゴンガスと
炭酸ガスと窒素ガスとの混合ガス雰囲気中で周波数１
２.５６ＭＨｚの高周波スパッタ法を用いてＳｉ₃₃Ｃ₁₃
Ｏ_53.5Ｎ_0.5エンハンス膜を８００オングストロームの
膜厚に成膜した。この際のアルゴン流量は１００sccmで
あり、二酸化炭素流量は６.０sccmであり、窒素流量は
５.０sccmであった。

【００５０】次に、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い
て、Ａｒガス雰囲気中でＴｂＦｅＣｏ合金層を２５０オ
ングストロームの膜厚で成膜した。次いで、Ｓｉターゲ
ットを用いて、アルゴンガスと炭酸ガスと窒素ガスとの
混合ガス雰囲気中で、周波数１２.５６ＭＨｚの高周波
スパッタ法によりＳｉ₃₃Ｃ₁ ₃Ｏ_53.5Ｎ_0.5エンハンス膜
を２００オングストロームの膜厚で成膜した。この際の
アルゴン流量は１００sccmであり、二酸化炭素流量は
６.０sccmであり、窒素流量は５.０sccmであった。最後
にＡｌターゲットを用いて、アルゴンガス雰囲気中でア
ルミニウム膜を５００オングストロームの膜厚で成膜し
て光磁気記録媒体とした。

【００５１】このような光磁気記録媒体の成膜条件およ
び層構成を下記に示す。

【００５２】

【表３】

【００５３】

【実施例４】ポリカーボネート基板上に、以下のように
してＳｉＣＯＮエンハンス膜、ＴｂＦｅＣｏ磁性膜、Ｓ
ｉＮエンハンス膜、Ａｌ反射膜を順次スパッタリング法
によって成膜して、光磁気記録媒体を製造した。

【００５４】Ｓｉターゲットを用いて、アルゴンガスと
炭酸ガスと窒素ガスとの混合ガス雰囲気中で周波数１
２.５６ＭＨｚの高周波スパッタ法によってＳｉ₃₃Ｃ₁₃
Ｏ_53.5Ｎ_0.5エンハンス膜を８００オングストロームの
膜厚に成膜した。この際のアルゴン流量は１００sccmで
あり、二酸化炭素流量は６.０sccmであり、窒素流量は
５.０sccmであった。

【００５５】次に、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い
て、Ａｒガス雰囲気中でＴｂＦｅＣｏ合金層を２５０オ
ングストロームの膜厚で成膜した。次いで、Ｓｉターゲ
ットを用いて、アルゴンガスと窒素ガスとの混合ガス雰
囲気中で、周波数１２.５６ＭＨｚの高周波スパッタ法
を用いてＳｉ₃Ｎ₄エンハンス膜を２００オングストロー
ムの膜厚で成膜した。この際のアルゴン流量は１００sc
cmであり、窒素流量は２８sccmであった。最後にＡｌタ
ーゲットを用いて、アルゴンガス雰囲気中でアルミニウ
ム膜を５００オングストロームの膜厚で成膜して光磁気
記録媒体とした。

【００５６】このような光磁気記録媒体の成膜条件およ
び層構成を下記に示す。

【００５７】

【表４】

【００５８】

【実施例５】ポリカーボネート基板上に、以下のように
してＳｉＮエンハンス膜、ＳｉＣＯＮエンハンス膜、Ｔ
ｂＦｅＣｏ磁性膜、ＳｉＣＯエンハンス膜、Ａｌ反射膜
を順次スパッタリング法によって成膜して、光磁気記録
媒体を製造した。

【００５９】Ｓｉターゲットを用いて、アルゴンガスと
窒素ガスとの混合ガス雰囲気中で周波数１２.５６ＭＨ
ｚの高周波スパッタ法を用いてＳｉ₃Ｎ₄エンハンス膜を
５５０オングストロームの膜厚に成膜した。この際のア
ルゴン流量は１００sccmであり、窒素流量は２８sccmで
あった。次に、同ターゲットを用いて、アルゴンガスと
炭酸ガス（ＣＯ₂）と窒素ガスとの混合ガス雰囲気中で
周波数１２.５６ＭＨｚの高周波スパッタ法を用いてＳ
ｉ₃₃Ｃ₁₃Ｏ_53.5Ｎ_0.5エンハンス膜を２５０オングスト
ロームの膜厚に成膜した。この際のアルゴン流量は１０
０sccmであり、二酸化炭素流量は６.０sccmであり、窒
素ガス流量は５.０sccmであった。

【００６０】次いでＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い
てアルゴンガス雰囲気中でＴｂＦｅＣｏ合金層を２５０
オングストロームの膜厚に成膜した。次いで、Ｓｉター
ゲットを用いて、アルゴンガスと炭酸ガス（ＣＯ₂）と
の混合ガス雰囲気中で、周波数１２.５６ＭＨｚの高周
波スパッタ法を用いてＳｉ₃₃Ｃ₁₃Ｏ₅₄エンハンス膜を２
００オングストロームの膜厚に成膜した。この際のアル
ゴン流量は１００sccmであり、二酸化炭素流量は８.０s
ccmであった。最後にＡｌターゲットを用いて、アルゴ
ンガス雰囲気中でアルミニウム膜５００オングストロー
ムを形成して光磁気記録媒体とした。

【００６１】このような光磁気記録媒体の成膜条件およ
び層構成を下記に示す。

【００６２】

【表５】

【００６３】

【実施例６】ポリカーボネート基板上に、以下のように
してＳｉＮエンハンス膜、ＳｉＣＯＮエンハンス膜、Ｔ
ｂＦｅＣｏ磁性膜、ＳｉＮエンハンス膜、Ａｌ反射膜を
順次スパッタリング法によって成膜して、光磁気記録媒
体を製造した。

【００６４】Ｓｉターゲットを用いて、アルゴンガスと
窒素ガスとの混合ガス雰囲気中で周波数１２.５６ＭＨ
ｚの高周波スパッタ法を用いてＳｉ₃Ｎ₄エンハンス膜を
５００オングストロームの膜厚に成膜した。この際のア
ルゴン流量は１００sccmであり、窒素流量は２８sccmで
あった。次に、同ターゲットを用いて、アルゴンガスと
窒素ガスと炭酸ガス（ＣＯ₂）の混合ガス雰囲気中で周
波数１２.５６ＭＨｚの高周波スパッタ法を用いてＳｉ
₃₃Ｃ₁₃Ｏ_53.5Ｎ_0.5エンハンス膜を３００オングストロ
ームの膜厚に成膜した。この際のアルゴン流量は１００
sccmであり、二酸化炭素流量は６.０sccmであり窒素ガ
ス流量は５.0sccmであった。

【００６５】次いでＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い
てアルゴンガス雰囲気中でＴｂＦｅＣｏ合金層を２５０
オングストロームの膜厚に成膜した。次いで、Ｓｉター
ゲットを用いて、アルゴンガスと窒素ガスとの混合ガス
雰囲気中で、周波数１２.５６ＭＨｚの高周波スパッタ
法を用いてＳｉ₃Ｎ₄エンハンス膜を２００オングストロ
ームの膜厚に成膜した。この際のアルゴン流量は１００
sccmであり、窒素流量は２８sccmであった。最後にＡｌ
ターゲットを用いて、アルゴンガス雰囲気中でアルミニ
ウム膜５００オングストロームを形成して光磁気記録媒
体とした。

【００６６】このような光磁気記録媒体の成膜条件およ
び層構成を下記に示す。

【００６７】

【表６】

【００６８】

【比較例１】ポリカーボネート基板上に、以下のように
してＳｉＮエンハンス膜、ＴｂＦｅＣｏ磁性膜、ＳｉＮ
エンハンス膜、Ａｌ反射膜を順次スパッタリング法によ
って成膜して、光磁気記録媒体を製造した。

【００６９】Ｓｉターゲットを用いて、アルゴンガスと
窒素ガスの混合ガス雰囲気中で、周波数１２.５６ＭＨ
ｚの高周波スパッタ法を用いてＳｉ₃Ｎ₄エンハンス膜を
８００オングストロームの膜厚に成膜した。次に、Ｔｂ
ＦｅＣｏ合金ターゲットを用いてＡｒガス雰囲気中でＴ
ｂＦｅＣｏ合金層を２５０オングストロームの膜厚で成
膜した。

【００７０】次いで、Ｓｉターゲットを用いて、アルゴ
ンガスと窒素ガスとの混合ガス雰囲気中で、周波数１
２.５６ＭＨｚの高周波スパッタ法によりＳｉ₃Ｎ₄エン
ハンス膜を２００オングストロームの膜厚で成膜し、最
後にＡｌターゲットを用いて、アルゴンガス雰囲気中で
アルミニウム膜を５００オングストロームの膜厚で成膜
して光磁気記録媒体とした。

【００７１】このような光磁気記録媒体の成膜条件およ
び層構成を下記に示す。

【００７２】

【表７】

【００７３】これらの光磁気記録媒体（光磁気ディス
ク）の特性を下記のようにして測定した。各光磁気ディ
スクについて、線速１.４ｍ／ｓ、記録周波数７２０ｋ
Ｈｚの記録条件にて、磁界変調記録方式によって記録再
生特性の評価を行った。磁界強度１００エルステッドで
のＣＮ比を示す。

【００７４】結果を表８に示す。

【００７５】

【表８】

【００７６】この表８から、本発明の光磁気記録媒体
は、１００エルステッドの低磁界領域においても、実用
領域４６ｄＢを越えていることがわかる。またこのよう
にして得られた光磁気記録媒体について、記録磁界強度
（エルステッド）とＣ／Ｎ比との関係を調べた。

【００７７】結果を図３および図4に示す。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る光磁気記録媒体の断面図であ
る。

【図２】本発明に係る光磁気記録媒体の断面図であ
る。

【図３】本発明に係る光磁気記録媒体および比較例の
光磁気記録媒体における記録磁界強度とＣ／Ｎ比との関
係を示す図である。

【図４】本発明に係る光磁気記録媒体および比較例の
光磁気記録媒体における記録磁界強度とＣ／Ｎ比との関
係を示す図である。

【符号の説明】

１…基板２…第１エンハンス膜３…光磁気記録膜４…第２エンハンス膜５…反射膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に、第１エンハンス膜、希土類−
遷移金属合金薄膜からなる光磁気記録膜、第２エンハン
ス膜および反射膜が設けられてなる光磁気記録媒体にお
いて、第１エンハンス膜および／または第２エンハンス膜が、
Ｓｉ_xＣ_yＯ_zＮ_p膜（式中ｘは２０〜４５原子％であり、
ｙは５〜２０原子％であり、ｚは２０〜７５原子％であ
り、ｐは０.０１〜２.０原子％である）であることを特
徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２】基板上に、第１エンハンス膜、希土類−
遷移金属合金薄膜からなる光磁気記録膜、第２エンハン
ス膜および反射膜が設けられてなる光磁気記録媒体にお
いて、第１エンハンス膜および／または第２エンハンス膜が、
ＳｉＮ_x膜（０＜ｘ≦４／３）とＳｉ_xＣ_yＯ_zＮ_p膜（式
中ｘは２０〜４５原子％であり、ｙは５〜２０原子％で
あり、ｚは２０〜７５原子％であり、ｐは０.０１〜２.
０原子％である）との積層膜であり、光磁気記録膜と接
する側がＳｉ_xＣ_yＯ_zＮ_p膜であることを特徴とする光磁
気記録媒体。
【請求項３】基板上に、第１エンハンス膜、希土類−
遷移金属合金薄膜からなる光磁気記録膜、第２エンハン
ス膜および反射膜を順次成膜して光磁気記録媒体を製造
するに際して、Ｓｉターゲットを、アルゴンガスと、一酸化炭素または
二酸化炭素と、窒素との混合ガス雰囲気中で、スパッタ
リングすることによって、基板上にＳｉ_xＣ_yＯ_zＮ_p膜（式中ｘは２０〜４５原子％
であり、ｙは５〜２０原子％であり、ｚは２０〜７５原
子％であり、ｐは０.０１〜２.０原子％である）を成膜
して第１エンハンス膜を形成することを特徴とする第１
エンハンス膜の製造方法。
【請求項４】基板上に、第１エンハンス膜、希土類−
遷移金属合金薄膜からなる光磁気記録膜、第２エンハン
ス膜および反射膜を順次成膜して光磁気記録媒体を製造
するに際して、Ｓｉターゲットを、アルゴンガスと、一酸化炭素または
二酸化炭素と、窒素との混合ガス雰囲気中で、スパッタ
リングすることによって、光磁気記録膜上にＳｉ_xＣ_yＯ_zＮ_p膜（式中ｘは２０〜４
５原子％であり、ｙは５〜２０原子％であり、ｚは２０
〜７５原子％であり、ｐは０.０１〜２.０原子％であ
る）を成膜して第２エンハンス膜を形成することを特徴
とする第２エンハンス膜の製造方法。
【請求項５】基板上に、第１エンハンス膜、希土類−
遷移金属合金薄膜からなる光磁気記録膜、第２エンハン
ス膜および反射膜を順次成膜して光磁気記録媒体を製造
するに際して、Ｓｉターゲットを、アルゴンガスと、窒素ガスとの混合
ガス雰囲気中で、基板上にスパッタリングすることによ
って、基板上にＳｉＮ_x膜（０＜ｘ≦４／３）を成膜
し、次いでこのＳｉＮ_x膜上に、Ｓｉターゲットを、アルゴ
ンガスと、一酸化炭素または二酸化炭素と、窒素との混
合ガス雰囲気中で、スパッタリングして、Ｓｉ _xＣ_yＯ_z
Ｎ_p膜（式中ｘは２０〜４５原子％であり、ｙは５〜２
０原子％であり、ｚは２０〜７５原子％であり、ｐは
０.０１〜２.０原子％である）を成膜して第１エンハン
ス膜を形成することを特徴とする第１エンハンス膜の製
造方法。
【請求項６】基板上に、第１エンハンス膜、希土類−
遷移金属合金薄膜からなる光磁気記録膜、第２エンハン
ス膜および反射膜を順次成膜して光磁気記録媒体を製造
するに際して、Ｓｉターゲットを、アルゴンガスと、一酸化炭素または
二酸化炭素と、窒素との混合ガス雰囲気中でスパッタリ
ングして、光磁気記録膜上にＳｉ_xＣ_yＯ_zＮ_p膜（式中ｘ
は２０〜４５原子％であり、ｙは５〜２０原子％であ
り、ｚは２０〜７５原子％であり、ｐは０.０１〜２.０
原子％である）を成膜し、次いでこのＳｉ_xＣ_yＯ_zＮ_p膜上に、Ｓｉターゲットを、
アルゴンガスと窒素ガスとの混合ガス中でスパッタリン
グしてＳｉＮ_x膜（０＜ｘ≦４／３）を成膜して第２エ
ンハンス膜を形成することを特徴とする第２エンハンス
膜の製造方法。