JP3302185B2 - 光磁気記録媒体およびエンハンス膜の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体およびエンハンス膜の製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は、光磁気記録媒体およびエ
ンハンス膜の製造方法に関し、さらに詳しくは、低磁界
記録が可能であって、しかも効率よく製造しうるような
光磁気記録媒体およびこの光磁気記録媒体に用いられる
エンハンス膜の製造方法に関する。
ンハンス膜の製造方法に関し、さらに詳しくは、低磁界
記録が可能であって、しかも効率よく製造しうるような
光磁気記録媒体およびこの光磁気記録媒体に用いられる
エンハンス膜の製造方法に関する。
【０００２】
【発明の技術的背景】光磁気記録媒体の記録方式として
は、光変調方式と磁界変調方式とがあり、このうち磁界
変調方式は一定のレーザ光などの熱エネルギーを光磁気
記録膜に照射して光磁気記録膜の保磁力を小さくしなが
ら、信号「０」、「１」に対応して外部磁界を反転して
記録する方式である。
は、光変調方式と磁界変調方式とがあり、このうち磁界
変調方式は一定のレーザ光などの熱エネルギーを光磁気
記録膜に照射して光磁気記録膜の保磁力を小さくしなが
ら、信号「０」、「１」に対応して外部磁界を反転して
記録する方式である。
【０００３】このような磁界変調方式の光磁気記録媒体
では、低い外部磁界によっても記録しうることが望まれ
ている。もし低磁界による記録媒体への記録が可能であ
れば、記録ヘッドを小型化しうるとともに消費電力を抑
制することができる。
では、低い外部磁界によっても記録しうることが望まれ
ている。もし低磁界による記録媒体への記録が可能であ
れば、記録ヘッドを小型化しうるとともに消費電力を抑
制することができる。
【０００４】ところで従来光磁気記録媒体としては、基
板上に、第１エンハンス膜、光磁気記録膜、第２エンハ
ンス膜および反射膜とがこの順序で積層されてなる４層
構造の光磁気記録媒体が知られている。そして基板とし
ては、たとえばポリカーボネート、非晶質ポリオレフィ
ンなどが用いられ、光磁気記録膜としては、たとえばＴ
ｂＦｅＣｏ合金膜などに代表される希土類−遷移金属合
金膜などが用いられており、また第１および第２エンハ
ンス膜としてはＳｉ3Ｎ4などのＳｉＮ系膜などが用いら
れており、反射膜としてはＡｌ合金膜などが用いられて
いる。
板上に、第１エンハンス膜、光磁気記録膜、第２エンハ
ンス膜および反射膜とがこの順序で積層されてなる４層
構造の光磁気記録媒体が知られている。そして基板とし
ては、たとえばポリカーボネート、非晶質ポリオレフィ
ンなどが用いられ、光磁気記録膜としては、たとえばＴ
ｂＦｅＣｏ合金膜などに代表される希土類−遷移金属合
金膜などが用いられており、また第１および第２エンハ
ンス膜としてはＳｉ3Ｎ4などのＳｉＮ系膜などが用いら
れており、反射膜としてはＡｌ合金膜などが用いられて
いる。
【０００５】このような光磁気記録媒体は、通常、基板
上に、第１エンハンス膜、光磁気記録膜、第２エンハン
ス膜および反射膜を、スパッタリング法などの方法によ
って順次成膜することによって製造されている。特にＳ
ｉＮ系膜などのエンハンス膜は、Ｓｉをターゲットとし
て、アルゴンと窒素との混合ガスからなる雰囲気中でス
パッタリング法などによって成膜されている。
上に、第１エンハンス膜、光磁気記録膜、第２エンハン
ス膜および反射膜を、スパッタリング法などの方法によ
って順次成膜することによって製造されている。特にＳ
ｉＮ系膜などのエンハンス膜は、Ｓｉをターゲットとし
て、アルゴンと窒素との混合ガスからなる雰囲気中でス
パッタリング法などによって成膜されている。
【０００６】ところがこのようにして得られた光磁気記
録媒体は、低い外部磁界では満足なＣ／Ｎ比を得ること
ができず、２００エルステッド（Ｏｅ）程度の外部磁界
をかけなければならないという問題点があった。
録媒体は、低い外部磁界では満足なＣ／Ｎ比を得ること
ができず、２００エルステッド（Ｏｅ）程度の外部磁界
をかけなければならないという問題点があった。
【０００７】またエンハンス膜としてのＳｉＮx膜は、
成膜速度が小さく、光磁気記録媒体の生産性が低いとい
う問題点もあった。本発明者らは、このような問題点を
解決するため鋭意検討したところ、第１エンハンス膜ま
たは第２エンハンス膜のいずれか一方あるいは両方とし
てＳｉＣＯ膜を用いると、低い外部磁界によっても記録
媒体への記録が可能となるとともに、ＳｉＣＯ膜の成膜
速度もＳｉＮx膜と比較して大きくすることができるこ
とを見出して、本発明を完成するに至った。
成膜速度が小さく、光磁気記録媒体の生産性が低いとい
う問題点もあった。本発明者らは、このような問題点を
解決するため鋭意検討したところ、第１エンハンス膜ま
たは第２エンハンス膜のいずれか一方あるいは両方とし
てＳｉＣＯ膜を用いると、低い外部磁界によっても記録
媒体への記録が可能となるとともに、ＳｉＣＯ膜の成膜
速度もＳｉＮx膜と比較して大きくすることができるこ
とを見出して、本発明を完成するに至った。
【０００８】なお特開平４−３１３８３５号公報には、
基板上に光磁気記録膜および誘電体膜（第２エンハンス
膜）とを順次成膜する光磁気記録媒体の製造方法におい
て、光磁気記録膜を成膜した後に、一酸化炭素または二
酸化炭素を含む放電状態の雰囲気中に基板を保持するこ
とを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法が開示されて
いる。
基板上に光磁気記録膜および誘電体膜（第２エンハンス
膜）とを順次成膜する光磁気記録媒体の製造方法におい
て、光磁気記録膜を成膜した後に、一酸化炭素または二
酸化炭素を含む放電状態の雰囲気中に基板を保持するこ
とを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法が開示されて
いる。
【０００９】
【発明の目的】本発明は、低い外部磁界によっても記録
媒体への記録が可能であるとともに、効率よく製造しう
るような光磁気記録媒体およびこの光磁気記録媒体に用
いられるエンハンス膜の製造方法を提供することを目的
としている。
媒体への記録が可能であるとともに、効率よく製造しう
るような光磁気記録媒体およびこの光磁気記録媒体に用
いられるエンハンス膜の製造方法を提供することを目的
としている。
【００１０】
【発明の概要】本発明に係る第１の光磁気記録媒体は、
基板上に、第１エンハンス膜、希土類−遷移金属合金薄
膜からなる光磁気記録膜、第２エンハンス膜および反射
膜が設けられてなり、第１エンハンス膜および／または
第２エンハンス膜が、ＳｉxＣyＯz膜（式中ｘは２０〜
４５原子％であり、ｙは５〜２０原子％であり、ｚは２
０〜７５原子％である）であることを特徴としている。
基板上に、第１エンハンス膜、希土類−遷移金属合金薄
膜からなる光磁気記録膜、第２エンハンス膜および反射
膜が設けられてなり、第１エンハンス膜および／または
第２エンハンス膜が、ＳｉxＣyＯz膜（式中ｘは２０〜
４５原子％であり、ｙは５〜２０原子％であり、ｚは２
０〜７５原子％である）であることを特徴としている。
【００１１】また本発明に係る第２の光磁気記録媒体
は、基板上に、第１エンハンス膜、希土類−遷移金属合
金薄膜からなる光磁気記録膜、第２エンハンス膜および
反射膜が設けられてなり、第１エンハンス膜および／ま
たは第２エンハンス膜が、ＳｉＮx膜（０＜ｘ≦４／
３）と、ＳｉxＣyＯz膜（式中ｘは２０〜４５原子％で
あり、ｙは５〜２０原子％であり、ｚは２０〜７５原子
％である）との積層膜であって、第１エンハンス膜およ
び／または第２エンハンス膜の光磁気記録膜と接する側
は前記ＳｉxＣyＯz膜であることを特徴としている。
は、基板上に、第１エンハンス膜、希土類−遷移金属合
金薄膜からなる光磁気記録膜、第２エンハンス膜および
反射膜が設けられてなり、第１エンハンス膜および／ま
たは第２エンハンス膜が、ＳｉＮx膜（０＜ｘ≦４／
３）と、ＳｉxＣyＯz膜（式中ｘは２０〜４５原子％で
あり、ｙは５〜２０原子％であり、ｚは２０〜７５原子
％である）との積層膜であって、第１エンハンス膜およ
び／または第２エンハンス膜の光磁気記録膜と接する側
は前記ＳｉxＣyＯz膜であることを特徴としている。
【００１２】このような第１エンハンス膜および／また
は第２エンハンス膜としてのＳｉxＣyＯz膜は、Ｓｉタ
ーゲットを、アルゴンガスと、一酸化炭素または二酸化
炭素との混合ガス雰囲気中でスパッタリングすることに
よって製造することができる。 本発明の光磁気記録媒
体は、低い外部磁界によって記録を行うことが可能であ
り、しかもＳｉＣＯ膜は成膜速度が大きいため効率よく
製造することができる。
は第２エンハンス膜としてのＳｉxＣyＯz膜は、Ｓｉタ
ーゲットを、アルゴンガスと、一酸化炭素または二酸化
炭素との混合ガス雰囲気中でスパッタリングすることに
よって製造することができる。 本発明の光磁気記録媒
体は、低い外部磁界によって記録を行うことが可能であ
り、しかもＳｉＣＯ膜は成膜速度が大きいため効率よく
製造することができる。
【００１３】
【発明の具体的説明】以下本発明に係る光磁気記録媒体
およびエンハンス膜の製造方法について、具体的に説明
する。
およびエンハンス膜の製造方法について、具体的に説明
する。
【００１４】本発明に係る第１の光磁気記録媒体１０
は、図１に示すように基板１上に、第１エンハンス膜
（第１誘電体膜）２、光磁気記録膜３、第２エンハンス
膜（第２誘電体膜）４および反射膜５がこの順序で成膜
された構造を有している。
は、図１に示すように基板１上に、第１エンハンス膜
（第１誘電体膜）２、光磁気記録膜３、第２エンハンス
膜（第２誘電体膜）４および反射膜５がこの順序で成膜
された構造を有している。
【００１５】基板１としては、ポリカーボネート、非晶
質ポリオレフィン、ポリメチルメタクリレート、ガラス
など従来基板として用いられるものが広く用いられる。
このような基板１上には、第１エンハンス膜２、光磁気
記録膜３、第２エンハンス膜４および反射膜５がこの順
序で成膜されているが、以下まず光磁気記録膜３および
反射膜５について説明する。
質ポリオレフィン、ポリメチルメタクリレート、ガラス
など従来基板として用いられるものが広く用いられる。
このような基板１上には、第１エンハンス膜２、光磁気
記録膜３、第２エンハンス膜４および反射膜５がこの順
序で成膜されているが、以下まず光磁気記録膜３および
反射膜５について説明する。
【００１６】光磁気記録膜３としては、光磁気記録膜と
して用いられる希土類−遷移金属合金膜が広く用いられ
る。希土類元素としては、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｎ
ｄ、Ｃｅ、Ｅｕ、Ｓｍ、Ｐｒなどが用いられ、遷移金属
としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｐｄなどが用いら
れる。
して用いられる希土類−遷移金属合金膜が広く用いられ
る。希土類元素としては、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｎ
ｄ、Ｃｅ、Ｅｕ、Ｓｍ、Ｐｒなどが用いられ、遷移金属
としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｐｄなどが用いら
れる。
【００１７】このような光磁気記録膜の具体例として
は、たとえば以下のような合金膜が挙げられる。Ｔｂ−
Ｆｅ−Ｃｏ合金膜、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｔ合金膜、Ｔ
ｂ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ合金膜。
は、たとえば以下のような合金膜が挙げられる。Ｔｂ−
Ｆｅ−Ｃｏ合金膜、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｔ合金膜、Ｔ
ｂ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ合金膜。
【００１８】この光磁気記録膜３の膜厚は１００〜５０
０オングストローム、好ましくは１５０〜３００オング
ストロームであることが望ましい。また反射膜として
は、アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜が用いら
れるが、具体的には、アルミニウム合金膜としては下記
のようなアルミニウム合金膜が挙げられる。
０オングストローム、好ましくは１５０〜３００オング
ストロームであることが望ましい。また反射膜として
は、アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜が用いら
れるが、具体的には、アルミニウム合金膜としては下記
のようなアルミニウム合金膜が挙げられる。
【００１９】 Ａｌ−Ｃｒ合金膜 Ａｌ−Ｔｉ合金膜 Ａｌ−Ｃｒ−Ｔｉ合金膜 Ａｌ−Ｎｉ合金膜 Ａｌ−Ｔｉ−Ｎｉ合金膜 反射膜としてのアルミニウム合金膜におけるアルミニウ
ム以外の金属は、アルミニウム合金膜中に０.２〜１０
原子％の量で添加されていることが好ましい。
ム以外の金属は、アルミニウム合金膜中に０.２〜１０
原子％の量で添加されていることが好ましい。
【００２０】この反射膜５の膜厚は、１００〜１２００
オングストローム、好ましくは５００〜７００オングス
トロームであることが望ましい。本発明に係る第１の光
磁気記録媒体では、第１エンハンス膜２または第２エン
ハンス膜４のいずれか一方あるいは両方が、ＳｉxＣyＯ
z膜から構成されている。式中ｘは２０〜４５原子％、
好ましくは２５〜３５原子％であり、ｙは５〜２０原子
％、好ましくは８〜１６原子％であり、ｚは２０〜７５
原子％、好ましくは３０〜６０原子％であることが望ま
しい。
オングストローム、好ましくは５００〜７００オングス
トロームであることが望ましい。本発明に係る第１の光
磁気記録媒体では、第１エンハンス膜２または第２エン
ハンス膜４のいずれか一方あるいは両方が、ＳｉxＣyＯ
z膜から構成されている。式中ｘは２０〜４５原子％、
好ましくは２５〜３５原子％であり、ｙは５〜２０原子
％、好ましくは８〜１６原子％であり、ｚは２０〜７５
原子％、好ましくは３０〜６０原子％であることが望ま
しい。
【００２１】このように第１エンハンス膜２および／ま
たは第２エンハンス膜４は、ＳｉxＣyＯz膜であるが、
第１エンハンス膜または第２エンハンス膜がＳｉxＣyＯ
z膜以外のエンハンス膜である場合には、この膜はＳｉ
Ｎx膜（０＜ｘ≦４／３）であることが好ましく、たと
えばＳｉ3Ｎ4膜であることが好ましい。またこの膜はＡ
ｌＮ膜、ＺｎＳｅ膜、ＺｎＳ膜、Ｓｉ膜またはＣｄＳ膜
であってもよい。
たは第２エンハンス膜４は、ＳｉxＣyＯz膜であるが、
第１エンハンス膜または第２エンハンス膜がＳｉxＣyＯ
z膜以外のエンハンス膜である場合には、この膜はＳｉ
Ｎx膜（０＜ｘ≦４／３）であることが好ましく、たと
えばＳｉ3Ｎ4膜であることが好ましい。またこの膜はＡ
ｌＮ膜、ＺｎＳｅ膜、ＺｎＳ膜、Ｓｉ膜またはＣｄＳ膜
であってもよい。
【００２２】この第１エンハンス膜２の膜厚は、４００
〜２０００オングストローム、好ましくは８００〜１５
００オングストロームであることが望ましい。さらに第
２エンハンス膜４の膜厚は、５０〜４００オングストロ
ーム、好ましくは１５０〜３００オングストロームであ
ることが望ましい。
〜２０００オングストローム、好ましくは８００〜１５
００オングストロームであることが望ましい。さらに第
２エンハンス膜４の膜厚は、５０〜４００オングストロ
ーム、好ましくは１５０〜３００オングストロームであ
ることが望ましい。
【００２３】本発明に係る第２の光磁気記録媒体２０で
は、図２に示すように、第１エンハンス膜２が、ＳｉＮ
x膜２ｂとＳｉＣＯ膜２ａとの積層膜で形成されている
か、または第２エンハンス膜４がＳｉＣＯ膜４ａとＳｉ
Ｎx膜４ｂとの積層膜で形成されているか、あるいは第
１エンハンス膜がＳｉＮx膜２ｂとＳｉＣＯ膜２ａとの
積層膜で形成されかつ第２エンハンス膜がＳｉＣＯ膜４
ａとＳｉＮx膜４ｂとの積層膜で形成されている。
は、図２に示すように、第１エンハンス膜２が、ＳｉＮ
x膜２ｂとＳｉＣＯ膜２ａとの積層膜で形成されている
か、または第２エンハンス膜４がＳｉＣＯ膜４ａとＳｉ
Ｎx膜４ｂとの積層膜で形成されているか、あるいは第
１エンハンス膜がＳｉＮx膜２ｂとＳｉＣＯ膜２ａとの
積層膜で形成されかつ第２エンハンス膜がＳｉＣＯ膜４
ａとＳｉＮx膜４ｂとの積層膜で形成されている。
【００２４】このように第１エンハンス膜２がＳｉＮx
膜２ｂとＳｉＣＯ膜２ａとの積層膜である場合には、光
磁気記録膜３に接する側がＳｉＣＯ膜２ａであり、また
第２エンハンス膜４がＳｉＣＯ膜４ａとＳｉＮx膜４ｂ
との積層膜である場合には、光磁気記録膜３に接する側
がＳｉＣＯ膜４ａである。
膜２ｂとＳｉＣＯ膜２ａとの積層膜である場合には、光
磁気記録膜３に接する側がＳｉＣＯ膜２ａであり、また
第２エンハンス膜４がＳｉＣＯ膜４ａとＳｉＮx膜４ｂ
との積層膜である場合には、光磁気記録膜３に接する側
がＳｉＣＯ膜４ａである。
【００２５】第１エンハンス膜２がＳｉＮx膜２ｂとＳ
ｉＣＯ膜２ａとの積層膜である場合には、ＳｉＮx膜２
ｂの膜厚は１０〜２０００オングストローム、好ましく
は５０〜１２００オングストロームであり、ＳｉＣＯ膜
２ａの膜厚は１０〜２０００オングストローム、好まし
くは２０〜１２００オングストロームであることが望ま
しい。
ｉＣＯ膜２ａとの積層膜である場合には、ＳｉＮx膜２
ｂの膜厚は１０〜２０００オングストローム、好ましく
は５０〜１２００オングストロームであり、ＳｉＣＯ膜
２ａの膜厚は１０〜２０００オングストローム、好まし
くは２０〜１２００オングストロームであることが望ま
しい。
【００２６】また第２エンハンス膜４がＳｉＣＯ膜４ａ
とＳｉＮx膜４ｂとの積層膜である場合には、ＳｉＣＯ
膜４ａの膜厚は１０〜１０００オングストローム、好ま
しくは１０〜５００オングストロームであり、ＳｉＮx
膜４ｂの膜厚は１０〜１０００オングストローム、好ま
しくは１０〜５００オングストロームであることが好ま
しい。
とＳｉＮx膜４ｂとの積層膜である場合には、ＳｉＣＯ
膜４ａの膜厚は１０〜１０００オングストローム、好ま
しくは１０〜５００オングストロームであり、ＳｉＮx
膜４ｂの膜厚は１０〜１０００オングストローム、好ま
しくは１０〜５００オングストロームであることが好ま
しい。
【００２７】特に本発明では、第１エンハンス膜２がＳ
ｉＮx膜２ｂとＳｉＣＯ膜２ａとの積層膜であって、第
２エンハンス膜４がＳｉＣＯ膜またはＳｉＮx膜である
ことが好ましい。
ｉＮx膜２ｂとＳｉＣＯ膜２ａとの積層膜であって、第
２エンハンス膜４がＳｉＣＯ膜またはＳｉＮx膜である
ことが好ましい。
【００２８】本発明では、第１エンハンス膜および／ま
たは第２エンハンス膜の少なくとも光磁気記録膜と接す
る側をＳｉＣＯ膜で形成しているが、このＳｉＣＯ膜
は、ＳｉＮx膜と比較して成膜速度を大きくすることが
できる。たとえばＳｉＣＯ膜の成膜速度は５０オングス
トローム／秒程度であり、ＳｉＮx膜の成膜速度は３０
オングストローム／秒程度であり、ＳｉＣＯ膜の成膜速
度はＳｉＮx膜の成膜速度よりも大きい。
たは第２エンハンス膜の少なくとも光磁気記録膜と接す
る側をＳｉＣＯ膜で形成しているが、このＳｉＣＯ膜
は、ＳｉＮx膜と比較して成膜速度を大きくすることが
できる。たとえばＳｉＣＯ膜の成膜速度は５０オングス
トローム／秒程度であり、ＳｉＮx膜の成膜速度は３０
オングストローム／秒程度であり、ＳｉＣＯ膜の成膜速
度はＳｉＮx膜の成膜速度よりも大きい。
【００２９】さらに本発明では第１エンハンス膜および
／または第２エンハンス膜の少なくとも光磁気記録膜と
接する側をＳｉＣＯ膜で形成しているため、低い外部磁
界での光磁気記録媒体への記録が可能となる。具体的に
は、第１エンハンス膜および／または第２エンハンス膜
の少なくとも光磁気記録膜と接する側をＳｉＣＯ膜で形
成すると、８０〜１００エルステッドの外部磁界によっ
て記録すると、必要なＣ／Ｎ比（約４６ｄＢ）を得るこ
とができるのに対し、第１エンハンス膜および第２エン
ハンス膜をＳｉＮx膜（０＜ｘ≦４／３）で形成する
と、約２００エルステッドの外部磁界によって記録しな
ければ、必要なＣ／Ｎ比を得ることはできない。
／または第２エンハンス膜の少なくとも光磁気記録膜と
接する側をＳｉＣＯ膜で形成しているため、低い外部磁
界での光磁気記録媒体への記録が可能となる。具体的に
は、第１エンハンス膜および／または第２エンハンス膜
の少なくとも光磁気記録膜と接する側をＳｉＣＯ膜で形
成すると、８０〜１００エルステッドの外部磁界によっ
て記録すると、必要なＣ／Ｎ比（約４６ｄＢ）を得るこ
とができるのに対し、第１エンハンス膜および第２エン
ハンス膜をＳｉＮx膜（０＜ｘ≦４／３）で形成する
と、約２００エルステッドの外部磁界によって記録しな
ければ、必要なＣ／Ｎ比を得ることはできない。
【００３０】次に本発明に係る光磁気記録媒体の製造方
法について説明する。光磁気記録膜、ＳｉＣＯ膜以外の
エンハンス膜および反射膜は従来公知のスパッタリング
法、真空蒸着法などによって成膜することができるの
で、以下にＳｉＣＯ膜の成膜方法についてのみ具体的に
説明する。
法について説明する。光磁気記録膜、ＳｉＣＯ膜以外の
エンハンス膜および反射膜は従来公知のスパッタリング
法、真空蒸着法などによって成膜することができるの
で、以下にＳｉＣＯ膜の成膜方法についてのみ具体的に
説明する。
【００３１】ＳｉxＣyＯz膜（ｘは２０〜４５原子％で
あり、ｙは５〜２０原子％であり、ｚは２０〜７５原子
％である）は、Ｓｉをターゲットとし、アルゴンと、一
酸化炭素（ＣＯ）および／または二酸化炭素（ＣＯ2）
との混合ガス雰囲気中で、Ｓｉをスパッタリング、たと
えば高周波反応性スパッタリングあるいは直流スパッタ
リングすることによって成膜することができる。
あり、ｙは５〜２０原子％であり、ｚは２０〜７５原子
％である）は、Ｓｉをターゲットとし、アルゴンと、一
酸化炭素（ＣＯ）および／または二酸化炭素（ＣＯ2）
との混合ガス雰囲気中で、Ｓｉをスパッタリング、たと
えば高周波反応性スパッタリングあるいは直流スパッタ
リングすることによって成膜することができる。
【００３２】この際のスパッタリング装置内のガス圧は
０.２〜５×１０-3Torr、好ましくは１〜３×１０-3Tor
rである。またアルゴンガスのガス分圧は０.２〜５×１
０- 3Torr、好ましくは１〜３×１０-3Torrであり、一酸
化炭素および／または二酸化炭素のガス分圧は０.０１
〜２×１０-3Torr、好ましくは０.１〜１×１０-3Torr
であることが望ましい。
０.２〜５×１０-3Torr、好ましくは１〜３×１０-3Tor
rである。またアルゴンガスのガス分圧は０.２〜５×１
０- 3Torr、好ましくは１〜３×１０-3Torrであり、一酸
化炭素および／または二酸化炭素のガス分圧は０.０１
〜２×１０-3Torr、好ましくは０.１〜１×１０-3Torr
であることが望ましい。
【００３３】より具体的には、スパッタリング装置内
に、アルゴンと、一酸化炭素および／または二酸化炭素
とを流しながらスパッタリングを行うが、この際にアル
ゴン流量を１００sccmとした場合に、一酸化炭素および
／または二酸化炭素の流量を０.１〜２０sccm、好まし
くは１〜１０sccmとすることが望ましい。
に、アルゴンと、一酸化炭素および／または二酸化炭素
とを流しながらスパッタリングを行うが、この際にアル
ゴン流量を１００sccmとした場合に、一酸化炭素および
／または二酸化炭素の流量を０.１〜２０sccm、好まし
くは１〜１０sccmとすることが望ましい。
【００３４】
【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体は、低い外部磁
界によっても記録媒体への記録が可能である。
界によっても記録媒体への記録が可能である。
【００３５】本発明のエンハンス膜の製造方法は、光磁
気記録媒体の低磁界記録が可能となるようなエンハンス
膜を効率よく製造することができる。
気記録媒体の低磁界記録が可能となるようなエンハンス
膜を効率よく製造することができる。
【００３６】
【実施例】次に本発明を実施例により具体的に説明する
が、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
が、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００３７】
【実施例１】厚さ１.２mmのポリカーボネート基板上
に、以下のようにしてＳｉＮエンハンス膜、ＴｂＦｅＣ
ｏ磁性膜、ＳｉＣＯエンハンス膜、Ａｌ反射膜を順次ス
パッタリング法によって成膜して、光磁気記録媒体を製
造した。
に、以下のようにしてＳｉＮエンハンス膜、ＴｂＦｅＣ
ｏ磁性膜、ＳｉＣＯエンハンス膜、Ａｌ反射膜を順次ス
パッタリング法によって成膜して、光磁気記録媒体を製
造した。
【００３８】Ｓｉターゲットを用いて、アルゴンガスと
窒素ガスの混合ガス雰囲気中で周波数１２.５６ＭＨｚ
の高周波スパッタ法を用いて、Ｓｉ3Ｎ4エンハンス膜を
８００オングストロームの膜厚に成膜した。この際のア
ルゴン流量は１００sccmであり、窒素流量は２８sccmで
あった。
窒素ガスの混合ガス雰囲気中で周波数１２.５６ＭＨｚ
の高周波スパッタ法を用いて、Ｓｉ3Ｎ4エンハンス膜を
８００オングストロームの膜厚に成膜した。この際のア
ルゴン流量は１００sccmであり、窒素流量は２８sccmで
あった。
【００３９】次に、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い
てＡｒガス雰囲気中でＴｂＦｅＣｏ合金層を２５０オン
グストロームの膜厚に成膜した。次いで、Ｓｉターゲッ
トを用いて、アルゴンガスと炭酸ガス（ＣＯ2）との混
合ガス雰囲気中で、周波数１２.５６ＭＨｚの高周波ス
パッタ法を用いて、Ｓｉ3 3Ｃ13Ｏ54膜を２００オングス
トロームの膜厚に成膜した。この際のアルゴン流量は１
００sccmであり、炭酸ガス流量は８.０sccmであった。
最後にＡｌターゲットを用いて、アルゴンガス雰囲気中
でアルミニウム膜を５００オングストロームの膜厚で成
膜して光磁気記録媒体（光磁気ディスク）とした。
てＡｒガス雰囲気中でＴｂＦｅＣｏ合金層を２５０オン
グストロームの膜厚に成膜した。次いで、Ｓｉターゲッ
トを用いて、アルゴンガスと炭酸ガス（ＣＯ2）との混
合ガス雰囲気中で、周波数１２.５６ＭＨｚの高周波ス
パッタ法を用いて、Ｓｉ3 3Ｃ13Ｏ54膜を２００オングス
トロームの膜厚に成膜した。この際のアルゴン流量は１
００sccmであり、炭酸ガス流量は８.０sccmであった。
最後にＡｌターゲットを用いて、アルゴンガス雰囲気中
でアルミニウム膜を５００オングストロームの膜厚で成
膜して光磁気記録媒体（光磁気ディスク）とした。
【００４０】このような光磁気記録媒体の成膜条件およ
び層構成を下記に示す。
び層構成を下記に示す。
【００４１】
【表１】
【００４２】
【実施例２】ポリカーボネート基板上に、以下のように
してＳｉＣＯエンハンス膜、ＴｂＦｅＣｏ磁性膜、Ｓｉ
Ｎエンハンス膜、Ａｌ反射膜を順次スパッタリング法に
よって成膜して、光磁気記録媒体を製造した。
してＳｉＣＯエンハンス膜、ＴｂＦｅＣｏ磁性膜、Ｓｉ
Ｎエンハンス膜、Ａｌ反射膜を順次スパッタリング法に
よって成膜して、光磁気記録媒体を製造した。
【００４３】Ｓｉターゲットを用いて、アルゴンガスと
炭酸ガス（ＣＯ2）の混合ガス雰囲気中で、周波数１２.
５６ＭＨｚの高周波スパッタ法を用いてＳｉ33Ｃ13Ｏ54
エンハンス膜を８００オングストロームの膜厚で成膜し
た。この際のアルゴン流量は１００sccmであり、炭酸ガ
ス流量は８sccmであった。
炭酸ガス（ＣＯ2）の混合ガス雰囲気中で、周波数１２.
５６ＭＨｚの高周波スパッタ法を用いてＳｉ33Ｃ13Ｏ54
エンハンス膜を８００オングストロームの膜厚で成膜し
た。この際のアルゴン流量は１００sccmであり、炭酸ガ
ス流量は８sccmであった。
【００４４】次に、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い
てＡｒガス雰囲気中でＴｂＦｅＣｏ合金層を２５０オン
グストロームの膜厚で成膜した。次いで、Ｓｉターゲッ
トに対して、アルゴンガスと窒素ガスとの混合ガス雰囲
気中で、周波数１２.５６ＭＨｚの高周波スパッタ法を
用いてＳｉ3Ｎ4エンハンス膜を２００オングストローム
の膜厚で成膜した。この際のアルゴン流量は１００sccm
であり、窒素流量は２８sccmであった。最後にＡｌター
ゲットを用いて、アルゴンガス雰囲気中でアルミニウム
膜を５００オングストロームの膜厚で成膜して光磁気記
録媒体とした。
てＡｒガス雰囲気中でＴｂＦｅＣｏ合金層を２５０オン
グストロームの膜厚で成膜した。次いで、Ｓｉターゲッ
トに対して、アルゴンガスと窒素ガスとの混合ガス雰囲
気中で、周波数１２.５６ＭＨｚの高周波スパッタ法を
用いてＳｉ3Ｎ4エンハンス膜を２００オングストローム
の膜厚で成膜した。この際のアルゴン流量は１００sccm
であり、窒素流量は２８sccmであった。最後にＡｌター
ゲットを用いて、アルゴンガス雰囲気中でアルミニウム
膜を５００オングストロームの膜厚で成膜して光磁気記
録媒体とした。
【００４５】このような光磁気記録媒体の成膜条件およ
び層構成を下記に示す。
び層構成を下記に示す。
【００４６】
【表２】
【００４７】
【実施例３】ポリカーボネート基板上に、以下のように
してＳｉＣＯエンハンス膜、ＴｂＦｅＣｏ磁性膜、Ｓｉ
ＣＯエンハンス膜、Ａｌ反射膜を順次スパッタリング法
によって成膜して、光磁気記録媒体を製造した。
してＳｉＣＯエンハンス膜、ＴｂＦｅＣｏ磁性膜、Ｓｉ
ＣＯエンハンス膜、Ａｌ反射膜を順次スパッタリング法
によって成膜して、光磁気記録媒体を製造した。
【００４８】Ｓｉターゲットを用いて、アルゴンガスと
炭酸ガス（ＣＯ2）の混合ガス雰囲気中で、周波数１２.
５６ＭＨｚの高周波スパッタ法を用いて、Ｓｉ33Ｃ13Ｏ
56エンハンス膜を８００オングストロームの膜厚で成膜
した。この際のアルゴン流量は１００sccmであり、二酸
化炭素流量は８.０sccmであった。
炭酸ガス（ＣＯ2）の混合ガス雰囲気中で、周波数１２.
５６ＭＨｚの高周波スパッタ法を用いて、Ｓｉ33Ｃ13Ｏ
56エンハンス膜を８００オングストロームの膜厚で成膜
した。この際のアルゴン流量は１００sccmであり、二酸
化炭素流量は８.０sccmであった。
【００４９】次に、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い
てＡｒガス雰囲気中でＴｂＦｅＣｏ合金層を２５０オン
グストロームの膜厚で成膜した。次いで、Ｓｉターゲッ
トを用いて、アルゴンガスと炭酸ガス（ＣＯ2）の混合
ガス雰囲気中で周波数１２.５６ＭＨｚの高周波スパッ
タ法を用いてＳｉ33Ｃ13Ｏ56エンハンス膜を２００オン
グストロームの膜厚で成膜した。この際のアルゴン流量
は１００sccmであり、二酸化炭素流量は８.０sccmであ
った。最後にＡｌターゲットを用いて、アルゴンガス雰
囲気中でアルミニウム膜を５００オングストロームの膜
厚に成膜して光磁気記録媒体とした。
てＡｒガス雰囲気中でＴｂＦｅＣｏ合金層を２５０オン
グストロームの膜厚で成膜した。次いで、Ｓｉターゲッ
トを用いて、アルゴンガスと炭酸ガス（ＣＯ2）の混合
ガス雰囲気中で周波数１２.５６ＭＨｚの高周波スパッ
タ法を用いてＳｉ33Ｃ13Ｏ56エンハンス膜を２００オン
グストロームの膜厚で成膜した。この際のアルゴン流量
は１００sccmであり、二酸化炭素流量は８.０sccmであ
った。最後にＡｌターゲットを用いて、アルゴンガス雰
囲気中でアルミニウム膜を５００オングストロームの膜
厚に成膜して光磁気記録媒体とした。
【００５０】このような光磁気記録媒体の成膜条件およ
び層構成を下記に示す。
び層構成を下記に示す。
【００５１】
【表３】
【００５２】
【比較例１】ポリカーボネート基板上に、ＳｉＮエンハ
ンス膜、ＴｂＦｅＣｏ磁性膜、ＳｉＮエンハンス膜、Ａ
ｌ反射膜を順次スパッタリング法によって成膜して、光
磁気記録媒体を製造した。
ンス膜、ＴｂＦｅＣｏ磁性膜、ＳｉＮエンハンス膜、Ａ
ｌ反射膜を順次スパッタリング法によって成膜して、光
磁気記録媒体を製造した。
【００５３】Ｓｉターゲットを用いて、アルゴンガスと
窒素ガスの混合ガス雰囲気中で、周波数１２.５６ＭＨ
ｚの高周波スパッタ法を用いてＳｉ3Ｎ4エンハンス膜を
８００オングストロームの膜厚に成膜した。この際のア
ルゴン流量は１００sccmであり、炭酸ガス流量は２８sc
cmであった。
窒素ガスの混合ガス雰囲気中で、周波数１２.５６ＭＨ
ｚの高周波スパッタ法を用いてＳｉ3Ｎ4エンハンス膜を
８００オングストロームの膜厚に成膜した。この際のア
ルゴン流量は１００sccmであり、炭酸ガス流量は２８sc
cmであった。
【００５４】次に、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い
てＡｒガス雰囲気中でＴｂＦｅＣｏ合金層を２５０オン
グストロームの膜厚で成膜した。次いで、Ｓｉターゲッ
トを用いて、アルゴンガスと窒素ガスとの混合ガス雰囲
気中で、周波数１２.５６ＭＨｚの高周波スパッタ法を
用いてＳｉ3Ｎ4エンハンス膜を２００オングストローム
の膜厚に成膜した。この際のアルゴン流量は１００sccm
であり、炭酸ガス流量は２８sccmであった。最後にＡｌ
ターゲットを用いて、アルゴンガス雰囲気中でアルミニ
ウム膜を５００オングストロームの膜厚に成膜して光磁
気記録媒体とした。
てＡｒガス雰囲気中でＴｂＦｅＣｏ合金層を２５０オン
グストロームの膜厚で成膜した。次いで、Ｓｉターゲッ
トを用いて、アルゴンガスと窒素ガスとの混合ガス雰囲
気中で、周波数１２.５６ＭＨｚの高周波スパッタ法を
用いてＳｉ3Ｎ4エンハンス膜を２００オングストローム
の膜厚に成膜した。この際のアルゴン流量は１００sccm
であり、炭酸ガス流量は２８sccmであった。最後にＡｌ
ターゲットを用いて、アルゴンガス雰囲気中でアルミニ
ウム膜を５００オングストロームの膜厚に成膜して光磁
気記録媒体とした。
【００５５】このような光磁気記録媒体の成膜条件およ
び層構成を下記に示す。
び層構成を下記に示す。
【００５６】
【表４】
【００５７】
【実施例４】実施例１において、ＳｉＮxエンハンス膜
の膜厚を６００オングストロームとした以外は、実施例
１と同様にして光磁気記録媒体を製造した。
の膜厚を６００オングストロームとした以外は、実施例
１と同様にして光磁気記録媒体を製造した。
【００５８】
【実施例５】ポリカーボネート基板上に、以下のように
してＳｉＮエンハンス膜、ＳｉＣＯエンハンス膜、Ｔｂ
ＦｅＣｏ磁性膜、ＳｉＣＯエンハンス膜、Ａｌ反射膜を
順次スパッタリング法によって成膜して、光磁気記録媒
体を製造した。
してＳｉＮエンハンス膜、ＳｉＣＯエンハンス膜、Ｔｂ
ＦｅＣｏ磁性膜、ＳｉＣＯエンハンス膜、Ａｌ反射膜を
順次スパッタリング法によって成膜して、光磁気記録媒
体を製造した。
【００５９】Ｓｉターゲットを用いて、アルゴンガスと
窒素ガスとの混合ガス雰囲気中で周波数１２.５６ＭＨ
ｚの高周波スパッタ法を用いてＳｉ3Ｎ4エンハンス膜を
６００オングストロームの膜厚に成膜した。この際のア
ルゴン流量は１００sccmであり、窒素流量は２８sccmで
あった。次に、同ターゲットを用いて、アルゴンガスと
炭酸ガス（ＣＯ2）の混合ガス雰囲気中で周波数１２.５
６ＭＨｚの高周波スパッタ法を用いてＳｉ37Ｃ12Ｏ51エ
ンハンス膜を２００オングストロームの膜厚に成膜し
た。この際のアルゴン流量は１００sccmであり、二酸化
炭素流量は８.０sccmであった。
窒素ガスとの混合ガス雰囲気中で周波数１２.５６ＭＨ
ｚの高周波スパッタ法を用いてＳｉ3Ｎ4エンハンス膜を
６００オングストロームの膜厚に成膜した。この際のア
ルゴン流量は１００sccmであり、窒素流量は２８sccmで
あった。次に、同ターゲットを用いて、アルゴンガスと
炭酸ガス（ＣＯ2）の混合ガス雰囲気中で周波数１２.５
６ＭＨｚの高周波スパッタ法を用いてＳｉ37Ｃ12Ｏ51エ
ンハンス膜を２００オングストロームの膜厚に成膜し
た。この際のアルゴン流量は１００sccmであり、二酸化
炭素流量は８.０sccmであった。
【００６０】次いでＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い
てアルゴンガス雰囲気中でＴｂＦｅＣｏ合金層を２５０
オングストロームの膜厚に成膜した。次いで、Ｓｉター
ゲットを用いて、アルゴンガスと炭酸ガス（ＣＯ2）と
の混合ガス雰囲気中で、周波数１２.５６ＭＨｚの高周
波スパッタ法を用いてＳｉ37Ｃ12Ｏ51エンハンス膜を２
００オングストロームの膜厚に成膜した。この際のアル
ゴン流量は１００sccmであり、二酸化炭素流量は８.０s
ccmであった。最後にＡｌターゲットを用いて、アルゴ
ンガス雰囲気中でアルミニウム膜５００オングストロー
ムを形成して光磁気記録媒体とした。
てアルゴンガス雰囲気中でＴｂＦｅＣｏ合金層を２５０
オングストロームの膜厚に成膜した。次いで、Ｓｉター
ゲットを用いて、アルゴンガスと炭酸ガス（ＣＯ2）と
の混合ガス雰囲気中で、周波数１２.５６ＭＨｚの高周
波スパッタ法を用いてＳｉ37Ｃ12Ｏ51エンハンス膜を２
００オングストロームの膜厚に成膜した。この際のアル
ゴン流量は１００sccmであり、二酸化炭素流量は８.０s
ccmであった。最後にＡｌターゲットを用いて、アルゴ
ンガス雰囲気中でアルミニウム膜５００オングストロー
ムを形成して光磁気記録媒体とした。
【００６１】このような光磁気記録媒体の成膜条件およ
び層構成を下記に示す。
び層構成を下記に示す。
【００６２】
【表５】
【００６３】
【実施例６】ポリカーボネート基板上に、以下のように
してＳｉＮエンハンス膜、ＳｉＣＯエンハンス膜、Ｔｂ
ＦｅＣｏ磁性膜、ＳｉＮエンハンス膜、Ａｌ反射膜を順
次スパッタリング法によって成膜して、光磁気記録媒体
を製造した。
してＳｉＮエンハンス膜、ＳｉＣＯエンハンス膜、Ｔｂ
ＦｅＣｏ磁性膜、ＳｉＮエンハンス膜、Ａｌ反射膜を順
次スパッタリング法によって成膜して、光磁気記録媒体
を製造した。
【００６４】Ｓｉターゲットを用いて、アルゴンガスと
窒素ガスとの混合ガス（ＣＯ2）雰囲気中で周波数１２.
５６ＭＨｚの高周波スパッタ法を用いてＳｉ3Ｎ4エンハ
ンス膜を４００オングストロームの膜厚に成膜した。こ
の際のアルゴン流量は１００sccmであり、窒素流量は２
８sccmであった。次に、同ターゲットを用いて、アルゴ
ンガスと炭酸ガス（ＣＯ2）の混合ガス雰囲気中で周波
数１２.５６ＭＨｚの高周波スパッタ法を用いてＳｉ37
Ｃ12Ｏ51エンハンス膜を２００オングストロームの膜厚
に成膜した。この際のアルゴン流量は１００sccmであ
り、二酸化炭素流量は８.０sccmであった。
窒素ガスとの混合ガス（ＣＯ2）雰囲気中で周波数１２.
５６ＭＨｚの高周波スパッタ法を用いてＳｉ3Ｎ4エンハ
ンス膜を４００オングストロームの膜厚に成膜した。こ
の際のアルゴン流量は１００sccmであり、窒素流量は２
８sccmであった。次に、同ターゲットを用いて、アルゴ
ンガスと炭酸ガス（ＣＯ2）の混合ガス雰囲気中で周波
数１２.５６ＭＨｚの高周波スパッタ法を用いてＳｉ37
Ｃ12Ｏ51エンハンス膜を２００オングストロームの膜厚
に成膜した。この際のアルゴン流量は１００sccmであ
り、二酸化炭素流量は８.０sccmであった。
【００６５】次いでＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い
てアルゴンガス雰囲気中でＴｂＦｅＣｏ合金層を２５０
オングストロームの膜厚に成膜した。次いで、Ｓｉター
ゲットを用いて、アルゴンガスと窒素ガスとの混合ガス
雰囲気中で、周波数１２.５６ＭＨｚの高周波スパッタ
法を用いてＳｉ3Ｎ4エンハンス膜を２００オングストロ
ームの膜厚に成膜した。この際のアルゴン流量は１００
sccmであり、窒素流量は２８sccmであった。最後にＡｌ
ターゲットを用いて、アルゴンガス雰囲気中でアルミニ
ウム膜５００オングストロームを形成して光磁気記録媒
体とした。
てアルゴンガス雰囲気中でＴｂＦｅＣｏ合金層を２５０
オングストロームの膜厚に成膜した。次いで、Ｓｉター
ゲットを用いて、アルゴンガスと窒素ガスとの混合ガス
雰囲気中で、周波数１２.５６ＭＨｚの高周波スパッタ
法を用いてＳｉ3Ｎ4エンハンス膜を２００オングストロ
ームの膜厚に成膜した。この際のアルゴン流量は１００
sccmであり、窒素流量は２８sccmであった。最後にＡｌ
ターゲットを用いて、アルゴンガス雰囲気中でアルミニ
ウム膜５００オングストロームを形成して光磁気記録媒
体とした。
【００６６】このような光磁気記録媒体の成膜条件およ
び層構成を下記に示す。
び層構成を下記に示す。
【００６７】
【表６】
【００６８】このようにして得られた光磁気記録媒体に
ついて、記録磁界強度（エルステッド）とＣ／Ｎ比との
関係を調べた。結果を図３および図４に示す。
ついて、記録磁界強度（エルステッド）とＣ／Ｎ比との
関係を調べた。結果を図３および図４に示す。
【図１】 本発明に係る光磁気記録媒体の断面図であ
る。
る。
【図２】 本発明に係る光磁気記録媒体の断面図であ
る。
る。
【図３】 本発明に係る光磁気記録媒体および比較例の
光磁気記録媒体における記録磁界強度とＣ／Ｎ比との関
係を示す図である。
光磁気記録媒体における記録磁界強度とＣ／Ｎ比との関
係を示す図である。
【図４】 本発明に係る光磁気記録媒体および比較例の
光磁気記録媒体における記録磁界強度とＣ／Ｎ比との関
係を示す図である。
光磁気記録媒体における記録磁界強度とＣ／Ｎ比との関
係を示す図である。
１…基板 ２…第１エンハンス膜 ３…光磁気記録膜 ４…第２エンハンス膜 ５…反射膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｇ１１Ｂ 11/105 ５４６ Ｇ１１Ｂ 11/105 ５４６Ｆ (56)参考文献 特開 平４−364249（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−313835（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−337543（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−258361（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 11/105
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上に、第１エンハンス膜、希土類−
遷移金属合金薄膜からなる光磁気記録膜、第２エンハン
ス膜および反射膜が設けられてなる光磁気記録媒体にお
いて、 第１エンハンス膜および／または第２エンハンス膜が、
ＳｉxＣyＯz膜（式中ｘは２０〜４５原子％であり、ｙ
は５〜２０原子％であり、ｚは２０〜７５原子％であ
る）であることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 基板上に、第１エンハンス膜、希土類−
遷移金属合金薄膜からなる光磁気記録膜、第２エンハン
ス膜および反射膜が設けられてなる光磁気記録媒体にお
いて、 第１エンハンス膜および／または第２エンハンス膜が、
ＳｉＮx膜（０＜ｘ≦４／３）とＳｉxＣyＯz膜（ｘは２
０〜４５原子％であり、ｙは５〜２０原子％であり、ｚ
は２０〜７５原子％である）との積層膜であり、光磁気
記録膜と接する側がＳｉxＣyＯz膜であることを特徴と
する光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 基板上に、第１エンハンス膜、希土類−
遷移金属合金薄膜からなる光磁気記録膜、第２エンハン
ス膜および反射膜を順次成膜して光磁気記録媒体を製造
するに際して、 Ｓｉターゲットを、アルゴンガスと、一酸化炭素または
二酸化炭素との混合ガス雰囲気中で、スパッタリングす
ることによって、 基板上にＳｉxＣyＯz膜（式中ｘは２０〜４５原子％で
あり、ｙは５〜２０原子％であり、ｚは２０〜７５原子
％である）を成膜して第１エンハンス膜を形成すること
を特徴とする第１エンハンス膜の製造方法。 - 【請求項４】 基板上に、第１エンハンス膜、希土類−
遷移金属合金薄膜からなる光磁気記録膜、第２エンハン
ス膜および反射膜を順次成膜して光磁気記録媒体を製造
するに際して、 Ｓｉターゲットを、アルゴンガスと、一酸化炭素または
二酸化炭素との混合ガス雰囲気中で、スパッタリングす
ることによって、 光磁気記録膜上にＳｉxＣyＯz膜（式中ｘは２０〜４５
原子％であり、ｙは５〜２０原子％であり、ｚは２０〜
７５原子％である）を成膜して第２エンハンス膜を形成
することを特徴とする第２エンハンス膜の製造方法。 - 【請求項５】 基板上に、第１エンハンス膜、希土類−
遷移金属合金薄膜からなる光磁気記録膜、第２エンハン
ス膜および反射膜を順次成膜する光磁気記録媒体を製造
するに際して、 Ｓｉターゲットを、アルゴンガスと、窒素ガスとの混合
ガス雰囲気中で、基板上にスパッタリングすることによ
って、基板上にＳｉＮx膜（０＜ｘ≦４／３）を成膜
し、 次いでこのＳｉＮx膜上に、Ｓｉターゲットを、アルゴ
ンガスと、一酸化炭素または二酸化炭素との混合ガス雰
囲気中で、スパッタリングして、ＳｉxＣyＯz膜（ｘは
２０〜４５原子％であり、ｙは５〜２０原子％であり、
ｚは２０〜７５原子％である）を成膜して第１エンハン
ス膜を形成することを特徴とする第１エンハンス膜の製
造方法。 - 【請求項６】 基板上に、第１エンハンス膜、希土類−
遷移金属合金薄膜からなる光磁気記録膜、第２エンハン
ス膜および反射膜を順次成膜して光磁気記録媒体を製造
するに際して、 Ｓｉターゲットを、アルゴンガスと、一酸化炭素または
二酸化炭素との混合ガス雰囲気中でスパッタリングし
て、光磁気記録膜上にＳｉxＣyＯz膜（式中ｘは２０〜
４５原子％であり、ｙは５〜２０原子％であり、ｚは２
０〜７５原子％である）を成膜し、 次いでこのＳｉxＣyＯz膜上に、Ｓｉターゲットを、ア
ルゴンガスと窒素ガスとの混合ガス中でスパッタリング
してＳｉＮx膜（０＜ｘ≦４／３）を成膜して第２エン
ハンス膜を形成することを特徴とする第２エンハンス膜
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19709894A JP3302185B2 (ja) | 1994-08-22 | 1994-08-22 | 光磁気記録媒体およびエンハンス膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19709894A JP3302185B2 (ja) | 1994-08-22 | 1994-08-22 | 光磁気記録媒体およびエンハンス膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0863813A JPH0863813A (ja) | 1996-03-08 |
| JP3302185B2 true JP3302185B2 (ja) | 2002-07-15 |
Family
ID=16368699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19709894A Expired - Fee Related JP3302185B2 (ja) | 1994-08-22 | 1994-08-22 | 光磁気記録媒体およびエンハンス膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3302185B2 (ja) |
-
1994
- 1994-08-22 JP JP19709894A patent/JP3302185B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0863813A (ja) | 1996-03-08 |
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