JPH05334743A - 光磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 基板上にスパッタリングにより誘電体層、磁
性層が順次形成されている光磁気記録媒体において、ス
パッタリングの際、基板とターゲットを静止状態に保っ
て誘電体層を形成し、基板表面に形成された誘電体層に
スパッタリング法によってエッチングを施した後に磁性
層を形成する。 【効果】 １００Ｏｅ以下の低磁場でオーバーライトが
可能であり、良好な記録磁界感度特性を有する品質の向
上された光磁気記録媒体を得ることができ、製造設備の
縮小が可能であり、生産性を向上させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録媒体及びそ
の製造方法に関するものであり、詳細には、誘電体層の
形状及び形成方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光磁気記録方式は、磁性薄膜を部分的に
キュリー点または温度補償点を越えて昇温し、この部分
の保磁力を消滅させて外部から印加される記録磁界の方
向に磁化の向きを反転することを基本原理とするもの
で、光ファイルシステムやコンピューターの外部記憶装
置、あるいは音響、映像情報の記録装置等において実用
化されつつある。

【０００３】この光磁気記録において光磁気記録媒体と
して用いられる光磁気ディスクとしては、ポリカーボネ
ート等からなる透明基板の一主面に、第１の誘電体層，
磁性層，第２の誘電体層，反射層が順次積層された記録
部と該記録部を覆うように記録部の上に保護層が形成さ
れてなるものが挙げられる。上記磁性層は、膜面と垂直
に磁化容易軸を有し、且つ磁気光学効果の大きな膜であ
り、希土類─遷移金属合金非晶質薄膜等により形成され
る。また、誘電体層は、磁性層の磁気光学効果である見
掛け上のカー回転角の増加を図るために形成されるもの
であり、Ｓｉ₃Ｎ₄ 等により形成される。さらに、反射
層は、Ａｌ等の金属、保護層は紫外線硬化樹脂等により
形成される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、光磁気記録
方式には、大きく分けて光変調方式と磁界変調方式があ
るが、このうち磁界変調方式は、オーバーライト可能で
あることから注目されており、例えば直径６４ｍｍ程度
の小型光磁気ディスクの記録方式として採用が検討され
ている。

【０００５】上記磁界変調記録方式は、印加磁界を高速
で反転することにより上述のような光磁気記録媒体であ
る光磁気ディスクの磁性層に情報を書き込むものであっ
て、磁界の印加は通常磁界発生手段を有する磁気ヘッド
によって行われ、情報の読み出しは、光磁気ディスクに
光を照射し、磁性層の磁気光学効果による偏光面の回転
角（カー回転角）の違いを読み出すことによって行われ
る。この場合、高速反転磁界を印加する磁気ヘッドで
は、諸々の制約から非常に小さな磁界しか発生すること
ができず、光磁気ディスクには１００Ｏｅ以下の低磁場
でオーバーライト可能であることが要求されている。と
ころが、前述のような光磁気ディスクにおいては、１０
０Ｏｅ以下の低磁場でのオーバーライトは可能であるも
のの、記録磁界感度特性があまり良好ではないという問
題が生じている。

【０００６】一方、前記のように、光磁気ディスクは、
ポリカーボネート等からなる透明基板の一主面に、第１
の誘電体層，磁性層，第２の誘電体層，反射層が順次積
層された記録部と該記録部を覆うように保護層が形成さ
れたものであり、誘電体層，磁性層，反射層はスパッタ
リングにより形成される。この時、スパッタリングは、
内部が真空状態とされた真空容器内でターゲットと複数
の基板を対向させ、基板を回転させながら行われるもの
であるが、上記光磁気ディスクにおいては第１の誘電体
層を形成する際に、その前処理として基板に脱ガス処理
を施している。この脱ガス処理は、基板への成膜速度，
磁性層の磁気特性，反射層の反射率の安定化を図り、あ
る程度の記録磁界感度特性を確保するために必要なもの
である。そのため、光磁気ディスク製造装置には、基板
の脱ガス処理を行うためのガスストッカーと脱ガス効率
を向上させるための真空ベークオーブンを配設する必要
がある。ところが、これらの設備に必要とされるスペー
スはかなり大きく、また脱ガス処理に所要する時間も長
く、製造コストを引き上げる原因になっており、問題と
なっている。

【０００７】そこで本発明は、従来の実情に鑑みて提案
されたものであって、低磁場でのオーバーライトが可能
であり、記録磁界感度特性の向上された光磁気記録媒体
と、製造に要するスペース及び時間を縮小することがで
き、製造コストを低下させることが可能であり、低磁場
でのオーバーライトが可能で、記録磁界感度特性の向上
された光磁気記録媒体を得ることの可能な光磁気記録媒
体の製造方法を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明者等が鋭意検討を重ねた結果、誘電体層の
表面状態が光磁気記録媒体の記録磁界感度特性に影響す
るという知見を得た。前述のように光磁気記録媒体にお
いては、基板の上に誘電体層が形成され、その上に磁性
層が形成される。この時、誘電体層の表面を観察する
と、例えばＳｉ₃Ｎ₄ を誘電体層として用いた場合にお
いては、６０ｎｍの粒状構造の上にさらに１０ｎｍの粒
状構造が形成されていることが確認されている。このよ
うな誘電体層の上に磁性層を形成すると、磁性層はこれ
らの影響を受けて磁気的な分散を起こし、良好な記録磁
界感度特性を得ることができない。そこで、誘電体層の
表面状態を平らにすることによって、良好な記録磁界感
度特性を有する磁性層を形成するものである。

【０００９】すなわち、本発明の光磁気記録媒体におい
ては、基板上にスパッタリングにより誘電体層、磁性層
が順次形成されてなる光磁気記録媒体において、スパッ
タリングの際、基板とターゲットが静止状態に保たれて
誘電体層が形成され、基板表面に形成された誘電体層が
スパッタリング法によってエッチングされた後に該誘電
体層上に磁性層が形成されてなることを特徴とするもの
である。

【００１０】また、本発明の光磁気記録媒体において
は、上記の光磁気記録媒体において、基板表面に形成さ
れた誘電体層をスパッタリング法によってエッチングす
る際、エッチングされる誘電体層の膜厚が、２〜２００
Åであることを特徴とするものである。上記のエッチン
グされる誘電体層の膜厚が２Å未満ではエッチングによ
る表面平滑効果が発揮されず、２００Åより大であると
基板の温度が上昇していまい、変形するおそれがある。
尚、上記膜厚は１５Å〜２００Åの範囲であることがさ
らに望ましい。

【００１１】さらに、本発明者等は、光磁気記録媒体を
製造する際、基板とターゲットを静止状態に保って誘電
体層を形成し、誘電体層上に磁性層を形成する前に該誘
電体層表面にスパッタリング法によりエッチングを施す
ことで、スパッタリングにより誘電体層を形成する前処
理として基板に施す脱ガス処理に要する時間を短縮で
き、設備の縮小を図れるという知見を得た。

【００１２】すなわち、本発明の光磁気記録媒体の製造
方法においては、基板上にスパッタリングにより誘電体
層、磁性層を順次形成する光磁気記録媒体の製造方法に
おいて、スパッタリングの際、基板とターゲットを静止
状態に保って誘電体層を形成し、基板表面に形成した誘
電体層にスパッタリング法によってエッチングを施した
後に該誘電体層上に磁性層を形成することを特徴とする
ものである。

【００１３】

【作用】基板上にスパッタリングにより誘電体層、磁性
層が順次形成されてなる光磁気記録媒体において、スパ
ッタリングの際、基板とターゲットを静止状態に保って
誘電体層を形成し、さらに基板表面に形成された誘電体
層をスパッタリング法によってエッチングした後に該誘
電体層上に磁性層を形成すると、１００Ｏｅ以下の低磁
場でオーバーライトが可能となり、良好な記録磁界感度
特性を発揮する。

【００１４】また、基板表面に形成した誘電体層にスパ
ッタリング法によってエッチングを施した後に該誘電体
層上に磁性層を形成すると、誘電体層形成前に脱ガス処
理を基板に施す際の真空度や排気時間に関係なく良好な
記録磁界感度特性が得られ、基板に施す脱ガス処理に要
する時間が短縮され、設備の縮小が図られる。

【００１５】

【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて、実験結果に基づいて説明する。

【００１６】実験例 １ 本実験例は、光磁気記録媒体において、基板上に形成さ
れる誘電体層にスパッタリング法によりエッチングを施
し、エッチング量と得られる光磁気記録媒体の記録磁界
感度特性、或いはエッチング量と得られる光磁気記録媒
体の磁気特性について調査を行った例である。

【００１７】本実験例においては、図１に示されるよう
に、基板１上に第１の誘電体層２，磁性層３，第２の誘
電体層４，反射層５よりなる記録部６が形成され、さら
にその上に記録部６を覆うように紫外線硬化樹脂等より
なる保護層７が形成された光磁気記録媒体である光磁気
ディスクを形成した。

【００１８】先ず、本発明を適用した光磁気記録媒体製
造装置である静止対向型薄膜形成装置の構成について説
明する。静止対向型薄膜形成装置は、図２に示すよう
に、真空容器１２，２２，３２を有し、内部には薄膜を
形成すべき基板１１，２１，３１がそれぞれ配されてい
る。真空容器１２においては、基板１１に対向して誘電
体層を形成するためのターゲット１３、真空容器２２に
おいては、基板２１に対向して磁性層を形成するための
ターゲット２３、真空容器３２においては、基板３１に
対向して反射層を形成するためのターゲット３３が内部
に配されている。該ターゲット１３，２３，３３はそれ
ぞれ直径１０インチの円型である。

【００１９】また、真空容器１２，２２，３２には、そ
れぞれガス供給系１７，２７，３７及びガス排気系１
６，２６，３６が図示しないバルブを介して接続されて
いる。そして、真空容器１２の外部には、基板１１に高
周波電力を印加するためのＲＦ電源１５、ターゲット１
３に高周波電力を印加するためのＲＦ電源１４が接続さ
れている。また、真空容器２２の外部にはターゲット２
３に直流電力を印加するためのＤＣ電源２４、同様に真
空容器３２の外部にはターゲット３３に直流電力を印加
するためのＤＣ電源３４が接続されている。さらに、各
真空容器１２，２２，３２の間にはアイソレーションバ
ルブ４１，４２が設けられており、各真空容器１２，２
２，３２内の基板１１，２１，３１は図示しない基板搬
送装置を使用して、アイソレーションバルブ４１，４２
を開閉することにより各真空容器１２，２２，３２間を
移動することができるようになされている。

【００２０】上記のような静止対向型薄膜形成装置を用
いて先ず、記録部の形成を行った。本実験例においては
基板としてポリカーボネートを用い、誘電体層を形成す
るターゲット１３としてはＳｉを用いてＳｉ₃ Ｎ₄ 誘電
体層が形成されるようにし、磁性層を形成するターゲッ
ト２３としてはＴｂＦｅＣｏ合金を用い、反射層を形成
するターゲット３３としてはＡｌを用いた。

【００２１】静止対向型薄膜形成装置の真空容器１２に
ポリカーボネートを基板１１として配し、真空容器１２
に接続される排気系１６により１×１０^-4Ｐａまで真空
容器１２内を排気した後、ガス供給系１７よりアルゴン
ガスを６２ｓｃｃｍ，窒素ガスを１８ｓｃｃｍ導入し、
排気系１６を調節することにより真空容器１２内の圧力
を０．４Ｐａに設定した。次に、誘電体層を形成するタ
ーゲット１３であるＳｉにＲＦ電源１４により４．０ｋ
Ｗの電力を印加し、スパッタリングによって基板１１上
に第１のＳｉ₃ Ｎ₄ 誘電体層の成膜を行った。この時、
第１の誘電体層の膜厚は、後にスパッタリング法により
エッチングされる予定のエッチング量と１１００Åの和
とし、予定のエッチング量が０であるサンプル、すなわ
ちエッチングを施さないサンプルを比較サンプル１，予
定のエッチング量が２，５，１０，１５，２０，３０，
９０，２００であるサンプルをそれぞれ実施サンプル１
〜８とした。所望の膜厚のＳｉ₃ Ｎ₄ 誘電体層の成膜を
行った後、ＲＦ電源１４を切り、ガス供給も停止した。

【００２２】次いで、実施サンプル１〜８の基板１１上
に形成された第１の誘電体層の表面にスパッタリング法
によってエッチングを施した。なお、比較サンプル１に
ついては、エッチングを施さなかった。真空容器１２内
を再び排気系１６により１×１０^-4Ｐａまで排気した
後、ガス供給系１７よりアルゴンガスを１６０ｓｃｃｍ
導入し、排気系１６を調節することにより真空容器１２
内の圧力を０．５Ｐａに設定した。そして、基板１１に
接続されたＲＦ電源１５により２００Ｗの電力を基板１
１に印加し、基板１１上に形成された第１の誘電体層の
表面にスパッタリング法によりエッチングを施した。エ
ッチング時間を制御することにより、実施サンプル１〜
８の予定のエッチング量をエッチングし、各実施サンプ
ルにおいて第１のＳｉ₃ Ｎ₄ 誘電体層の膜厚が１１００
Åとなるようにした。なお、第１の誘電体層のエッチン
グ速度は、上記の条件下において、１６．７Å／分であ
り、アルゴンガスプラズマ励起中は、基板１１はプラズ
マに対して約−２１０Ｖの負電位に自己バイアスされる
ことになる。エッチング終了後、ＲＦ電源１５を切り、
ガス供給も停止した。

【００２３】次に、比較サンプル１及び実施サンプルの
基板の上に形成された第１の誘電体層上に磁性層の形成
を行った。静止対向型薄膜形成装置の真空容器２２内を
これに接続された排気系２６により５×１０^-5Ｐａまで
排気し、アイソレーションバルブ４１を開閉し、基板運
搬装置を操作することにより真空容器１２内の第１の誘
電体層が形成された基板を真空容器２２内に基板２１と
して配した。ガス供給系２７よりアルゴンガスを１３０
ｓｃｃｍ導入し、排気系２６を調節することにより真空
容器２２内の圧力を０．６Ｐａに設定した。次に、磁性
層を形成するターゲット２３であるＴｂＦｅＣｏ合金に
ＤＣ電源２４により２．０ｋＷの電力を印加し、スパッ
タリングによって基板２１上にＴｂＦｅＣｏ磁性層の成
膜を行った。この時、ＴｂＦｅＣｏ磁性層の膜厚は２３
０Åとした。よって、比較サンプル１及び実施サンプル
１〜８のポリカーボネート基板上に第１のＳｉ₃ Ｎ₄ 誘
電体層，ＴｂＦｅＣｏ磁性層が形成された。所望の膜厚
のＴｂＦｅＣｏ磁性層の成膜を行った後、ＤＣ電源２４
を切り、ガス供給も停止した。

【００２４】さらに、比較サンプル１及び実施サンプル
１〜８の基板上の第１の誘電体層の上に形成された磁性
層上に第２の誘電体層の形成を行った。真空容器１２内
をこれに接続された排気系１６により１×１０^-4Ｐａま
で排気し、アイソレーションバルブ４１を開閉し、基板
運搬装置を操作することにより真空容器２２内の磁性層
及び第１の誘電体層が形成された基板を真空容器１２内
に基板１１として配した。第１の誘電体層形成時と同様
にアルゴンガス，窒素ガスを導入し、真空容器１２内圧
力を０．４Ｐａとし、ターゲット１３にＲＦ電源１４に
より４．０ｋＷの電力を印加し、スパッタリングによっ
て基板１１上に第２のＳｉ₃ Ｎ₄ 誘電体層を膜厚４００
Åで形成した。よって、比較サンプル１及び実施サンプ
ル１〜８のポリカーボネート基板上に第１のＳｉ₃ Ｎ₄
誘電体層，ＴｂＦｅＣｏ磁性層，第２のＳｉ₃ Ｎ₄ 誘電
体層が形成された。第２のＳｉ₃ Ｎ₄ 誘電体層の成膜を
行った後、ＲＦ電源１４を切り、ガス供給も停止した。

【００２５】次いで、比較サンプル１及び実施サンプル
１〜８の基板上に形成される第１の誘電体層，磁性層，
第２の誘電体層上に反射層の形成を行った。真空容器３
２内をこれに接続された排気系３６により５×１０^-5Ｐ
ａまで排気し、アイソレーションバルブ４１，４２を開
閉し、基板運搬装置を操作することにより真空容器１２
内の磁性層及び第１，２の誘電体層が形成された基板を
真空容器３２内に基板３１として配した。ガス供給系３
７よりアルゴンガスを６０ｓｃｃｍ導入し、排気系３６
を調節することにより真空容器３２内の圧力を０．４Ｐ
ａに設定した。次に、反射層を形成するターゲット３３
であるＡｌにＤＣ電源３４により３．０ｋＷの電力を印
加し、スパッタリングによって基板３１上にＡｌ反射層
の成膜を行った。この時、Ａｌ反射層の膜厚は６００Å
とした。Ａｌ反射層の成膜を行った後、ＤＣ電源３４を
切り、ガス供給も停止した。よって、比較サンプル１及
び実施サンプル１〜８のポリカーボネート基板上に第１
のＳｉ₃ Ｎ₄ 誘電体層，ＴｂＦｅＣｏ磁性層，第２のＳ
ｉ₃ Ｎ₄ 誘電体層，Ａｌ反射層が順次形成され、記録部
が形成された。

【００２６】最後に、比較サンプル１及び実施サンプル
１〜８の基板上に形成された記録部上に保護層の形成を
行った。基板上に記録部の形成された各サンプルを静止
対向型薄膜形成装置の真空容器３２より取り出し、スピ
ンコーティング法により紫外線硬化樹脂を記録部の反射
層上にこれを覆うように保護層として形成した。

【００２７】このようにして得られた第１の誘電体層に
エッチングを施していない比較サンプル１とそれぞれ第
１の誘電体層に施したエッチング量の異なる実施サンプ
ル１〜８に情報の記録を行い、エッチング量と記録磁界
感度特性及びエッチング量と磁気特性の関係について評
価を行った。各サンプルへの情報の記録は、光変調方式
（記録を実施する前に消去を行った。）で行い、レーザ
ー波長８３０ｎｍ，記録周波数４．９３ＭＨｚ，パルス
幅５１ｎｓ，ディスク回転数２４００ｒｐｍとした。記
録磁界感度特性の評価は、ナカミチ（株）製のディスク
評価装置ＯＳＭ─２０００を使用し、測定位置は５．２
５インチ基板の半径３０ｍｍの位置とし、記録外部磁界
が５Ｏｅの場合と５０Ｏｅの場合についてＣＮ比の測定
を行った。また、保磁力Ｈｃの測定及びＴｂＦｅＣｏ磁
性層のキュリー温度の測定しはカーループトレーサーを
使用し、該磁性層の磁化の測定はＶＳＭを使用した。結
果を表１に示す。

【００２８】

【表１】

【００２９】表１に示されるように、第１の誘電体層の
エッチング量が、０〜１５Åの範囲である比較サンプル
１及び実施サンプル１〜３においては記録外部磁界が５
Ｏｅの場合、５０Ｏｅの場合においても記録磁界感度特
性の向上が著しいが、１５Å以上の実施サンプル４〜８
においては、エッチング量の増大による記録磁界感度特
性のそれ以上の改善は見られない。また、エッチング量
が増大すると共に保磁力Ｈｃが低下する傾向にあるが、
エッチング量が５Å以下の場合であるエッチング量が２
Åである実施サンプル１とエッチングを行わない比較サ
ンプル１を比較すると保磁力Ｈｃが約２ｋＯｅも低下し
ているが、エッチング量が５Åより大である実施サンプ
ル３〜８においては保磁力Ｈｃの低下は微小である。よ
って、エッチング量が２Å以上、望ましくは１５Å以上
２００Å以下の範囲において、記録磁界感度特性の改善
に効果のあることが確認され、１００Ｏｅ以下の低磁場
でオーバーライトが可能であり、良好な記録磁界感度特
性を有する光磁気記録媒体を得ることが可能であること
が確認された。なお、この時、室温での磁化の大きさ，
キュリー温度は、エッチングの有無とは無関係であり、
エッチング量は記録時の条件や記録状態に影響を及ぼす
ことはない。

【００３０】走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によりエッチ
ングを施した後の第１のＳｉ₃ Ｎ₄誘電体層表面を観察
したところ（原子間力顕微鏡法による観察も可。）、該
誘電体層表面の凹凸は削られており、平滑となっている
ことが確認された。このように第１のＳｉ₃ Ｎ₄ 誘電体
層表面が平滑になることにより、その上に形成されるＴ
ｂＦｅＣｏ磁性層中の原子が、第１のＳｉ₃ Ｎ₄ 誘電体
層の界面に対して凹凸なく配列するため、磁性層内での
磁気特性が均一となり、保磁力Ｈｃが低下し、記録時の
磁壁の移動が容易となるため、記録磁界感度特性が改善
されるものと思われる。

【００３１】実験例 ２ 本実験例においては、光磁気記録媒体において、基板上
に誘電体層を形成する前に基板に脱ガス処理を行う際の
真空度を変化させて基板上に誘電体層を形成した後、ス
パッタリング法によりエッチングを施して光磁気記録媒
体を形成し、脱ガス処理の際の真空度と得られる光磁気
記録媒体の記録磁界感度特性、或いは磁気特性との関係
について調査を行った例である。

【００３２】先ず、実験例１と同様に静止対向型薄膜形
成装置によりポリカーボネートよりなる基板上に記録部
を形成した。その際、本実験例においては、誘電体層を
形成する前処理として、ロータリーポンプとクライオポ
ンプを組み合わせた排気装置により真空度を変化させ、
基板に脱ガス処理を行い、真空度１．０×１０^-4Ｐａの
サンプルを比較サンプル２、真空度４．４×１０^-4，
２．５×１０^-4，１．２×１０^-4，１．１×１０^-4，
０．７×１０^-4Ｐａのサンプルをそれぞれ実施サンプル
９〜１３とした。

【００３３】そして、実験例１と同様に第１のＳｉ₃ Ｎ
₄ 誘電体層を形成した。実施サンプル９〜１３は膜厚を
１１３０Åとし、該誘電体層形成後、その表面を３０Å
スパッタリング法によりエッチングした。比較サンプル
２は、膜厚１１００Åの第１のＳｉ₃ Ｎ₄ 誘電体層を形
成した。

【００３４】上記のような比較サンプル２及び実施サン
プル９〜１３に実験例１と同様に磁性層，第２の誘電体
層，反射層，保護層の形成を行い、光磁気ディスクを得
た。これらの光磁気ディスクに実験例１と同様に情報の
記録を行い、実験例１と同様に記録磁界感度特性と保磁
力Ｈｃの評価を行い、基板の脱ガス処理時の真空度とこ
れらの特性の関係について調査した。結果を図３，図４
に示す。

【００３５】図３には、脱ガス処理時の真空度と記録外
部磁界に対する記録磁界感度特性の関係を示すが、図中
○は真空度が４．４×１０^-4である実施サンプル９，図
中□は真空度が，２．５×１０^-4である実施サンプル１
０，図中△は真空度が１．２×１０^-4である実施サンプ
ル１１，図中■は真空度が１．１×１０^-4である実施サ
ンプル１２，図中×は真空度が０．７×１０^-4Ｐａであ
る実施サンプル１３、図中▲は真空度が１．０×１０^-4
であり、第１の誘電体層のエッチングを施さなかった比
較サンプル２のデータを示す。

【００３６】図３の結果より、第１の誘電体層の形成後
にエッチングを施した実施サンプル９〜１３において
は、脱ガス処理時の真空度に関係なく、良好な記録磁界
感度特性を得ている。また、脱ガス処理時の真空度が略
同じである図中▲で示される比較サンプル２と図中■で
示される実施サンプル１２を比較すると、記録磁界が５
０Ｏｅの時にはエッチングの有無によってＣＮ比に２ｄ
ｂの差が生じていることがわかった。さらには、図中○
で示される実施サンプル９と図中▲で示される比較サン
プル２を比較すると、実施サンプル９の真空度が比較サ
ンプル２の真空度の約４倍であるにもかかわらず、実施
サンプル９は比較サンプル２と同等の記録磁界感度特性
を有しており、エッチングの効果によるものと思われ
る。

【００３７】また、図４には、基板の脱ガス処理時の真
空度と保磁力の関係を示すが、真空度の違いが保磁力に
影響を及ぼすことはないことが確認された。

【００３８】よって、第１の誘電体層の形成後にその表
面をスパッタリング法によってエッチングすることによ
り、基板に第１の誘電体層を形成する前に基板に前処理
として施していた脱ガス処理に要する排気時間及び要す
る設備の縮小が可能であることが確認された。

【００３９】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の光磁気記録媒体においては、基板上にスパッタリン
グにより誘電体層、磁性層が順次形成されてなる光磁気
記録媒体において、スパッタリングの際、基板とターゲ
ットが静止状態に保たれて誘電体層が形成され、基板表
面に形成された誘電体層がスパッタリング法によってエ
ッチングされた後に該誘電体層上に磁性層が形成されて
なり、また、エッチングされる誘電体層の膜厚が、２〜
２００Åであるため、１００Ｏｅ以下の低磁場でオーバ
ーライトが可能であり、良好な記録磁界感度特性を有
し、品質の向上された光磁気記録媒体を得ることが可能
である。

【００４０】また、本発明の光磁気記録媒体の製造方法
においては、基板上にスパッタリングにより誘電体層、
磁性層を順次形成する光磁気記録媒体の製造方法におい
て、スパッタリングの際、基板とターゲットを静止状態
に保って誘電体層を形成し、基板表面に形成した誘電体
層にスパッタリング法によってエッチングを施した後に
該誘電体層上に磁性層を形成するため、１００Ｏｅ以下
の低磁場でオーバーライトが可能であり、良好な記録磁
界感度特性を有し、品質の向上された光磁気記録媒体を
製造することが可能である。

【００４１】さらに本発明の光磁気記録媒体の製造方法
によれば、エッチングにより誘電体層表面を平滑にする
ことにより、その上に形成される磁性層中の原子の分散
が均一となり、製造時のマージンを大きくすることがで
き、生産性を向上させることが可能であり、また、誘電
体層形成の前に基板に施す脱ガス処理に要する時間を短
縮でき、設備の縮小を図ることが可能であり、製造コス
トを低下させて生産性を向上させることが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した光磁気記録媒体を示す断面図
である。

【図２】本発明を適用した光磁気記録媒体製造装置であ
る静止対向型薄膜形成装置の構成を示す模式図である。

【図３】脱ガス処理時の真空度と記録外部磁界に対する
記録磁界感度特性の関係を示す図である。

【図４】脱ガス処理時の真空度と保磁力の関係を示す図
である。

【符号の説明】

１・・・・・・・・・・・基板 ２，４・・・・・・・・・誘電体層 ３・・・・・・・・・・・磁性層 ５・・・・・・・・・・・反射層 ６・・・・・・・・・・・記録部 ７・・・・・・・・・・・保護層 １１，２１，３１・・・・基板 １２，２２，３２・・・・真空容器 １３，２３，３３・・・・ターゲット １４，１５・・・・・・・ＲＦ電源 １６，２６，３６・・・・排気系 １７，２７，３７・・・・ガス供給系 ２４，３４・・・・・・・ＤＣ電源

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上にスパッタリングにより誘電体
   層、磁性層が順次形成されてなる光磁気記録媒体におい
   て、 スパッタリングの際、基板とターゲットが静止状態に保
   たれて誘電体層が形成され、基板表面に形成された誘電
   体層がスパッタリング法によってエッチングされた後に
   該誘電体層上に磁性層が形成されてなることを特徴とす
   る光磁気記録媒体。
2. 【請求項２】 基板表面に形成された誘電体層をスパッ
   タリング法によってエッチングする際、エッチングされ
   る誘電体層の膜厚が、２〜２００Åであることを特徴と
   する請求項１記載の光磁気記録媒体。
3. 【請求項３】 基板上にスパッタリングにより誘電体
   層、磁性層を順次形成する光磁気記録媒体の製造方法に
   おいて、 スパッタリングの際、基板とターゲットを静止状態に保
   って誘電体層を形成し、基板表面に形成した誘電体層に
   スパッタリング法によってエッチングを施した後に該誘
   電体層上に磁性層を形成することを特徴とする光磁気記
   録媒体の製造方法。