JPH03250421A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は高密度磁気記録に適する磁気記録媒体とその製
造方法に関する。

従来の技術 磁気記録の高密度化は記録再生システムに数多くのメリ
ットをもたらすことから、今なお休止することなく継続
的な努力がなされている。特に垂直磁気記録方式は現在
実用化されている面内記録方式と異なり、記録密度が高
くなるほど自己減磁作用が弱まることから、今後の記録
システムの高密度記録化に適用できるよう開発が進めら
れている。垂直磁気記録のもつ能力の高さは当初Ｃｏ−
Ｃｒ合金によって発表され［アイイーイーイートランザ
クションズ　オン　マグネティクス（ＩＥＥＥ　　Ｔｒ
ａｎｓａｃｔｉｏｎｓ　ｏｎ　Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ）　
。

ＭＡＧ−１４，８４９（１９８７）］だが、磁気記録が
磁気ヘッドとの高速摺動を基本としていることから摩耗
に弱い金属であることから改良が続けられている。

一方、最近Ｃｏ−０系の部分酸化膜でも磁気異方性の大
きな垂直磁化膜が得られ、電磁変換特性についても高い
レベルのものが得られ［ジャーナル　オブ　ザ　マグネ
ティック　ソサエティ　オブ　ジャパン（Ｊｏｕｒａｌ
　ｏｆ　ｔｈｅ　ＭａｇｎｅｔｉｃＳｏｃｉｅｔｙ　ｏ
ｆ　Ｊａｐａｎ）　ｖ　ｏ　ｅｌ　３　、　Ｓｕｐｐｌ
ｅｍｅｎｔ。

ＮＱＳｌ、８１９　（１９８９）］注目されている。

かかる構成のものは、現在実用化されている。

Ｃｏ−Ｎｉ−０斜め蒸着膜とヘッドとの高速摺接時の潤
滑系がほぼ使用できる点に利点があることからＣｏ−Ｃ
ｒ系垂直磁化膜以上に期待がかけられている。

発明が解決しようとする課題 しかしながら、これまで得られている構成のものは、高
分子フィルムに耐熱フィルムが用いられていて、汎用性
があり、磁気テープ用ベースフィルムとして実績のある
ポリエステルフィルムが用いられていない。蒸着時か蒸
着後に高温の処理を必要とすることはＣｏ−Ｃｒ系と同
じように、生産技術上の課題をかかえていることになる
。

本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、汎用性の
大きなポリエステルフィルムで構成しても、十分な特性
を与えることのできる磁気記録媒体及びその製造方法を
提供するものである。

課題を解決するための手段 上記した課題を解決するため本発明の磁気記録媒体は、
高分子フィルム上に構成された部分酸化強磁性薄膜の柱
状微粒子が一体で、非磁性酸化物上に垂直磁化部をもつ
ようにしたものである。

作用 本発明の磁気記録媒体は上記した構成により、高分子フ
ィルム上に直接垂直磁化膜を構成したものに比べて、垂
直磁化膜の配向性が良好となり、特に加熱しないでも十
分なＣ／Ｎが得られるようになる。

実施例 以下、図面を参照しながら本発明の実施例について詳し
く説明する。

［実施例１］ 第１図は本発明の第１の実施例の磁気記録媒体の拡大断
面図で、第２図は本発明の別の実施例の磁気記録媒体の
拡大断面図である。第１図、第２図で１はポリエチレン
テレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエ
ステルフィルムで、必要に応じて、微粒子状、波状の突
起等を配したものでもよいし、他の材質のフィルムでも
よい。

２は一体の柱状微粒子で、フィルム側は斜め蒸着部で、
かつ非磁性酸化層３から成るもので４は垂直磁化部であ
る。磁気テープ磁気ディスク等として用いるには図示し
ていないが、保護潤滑層。

バックコート層等を必要に応じて配設し、所定の寸法、
形状に加工する。第２図で５は一体の柱状微粒子で、こ
の場合は積極的に斜め蒸着部をもたない場合で、６は非
磁性酸化層、７は垂直磁化部である。

第１図は、斜め蒸着部を非磁性酸化物にて構成する条件
が必要であるが、第２図では６の部分は、１００人から
５００Ａの範囲であればよい。

第１図、第２図に示した磁気記録媒体を製造するには、
高分子フィルム（あらかじめ表面処理をしたものを含む
）を回転支持体に沿わせ移動させながら、マスクで入射
角を選択すると共に、蒸着開始側と蒸着終了側から０２
．　Ｎ２．　Ａ　ｒ等のガスを単独又は組み合わせて導
入し、Ｃｏ、Ｃ○〜Ｎｉ。

ｃｏ−Ｆｅ等を電子ビーム蒸着することで構成条件のも
のが安定に得られる範囲内に条件設定して製膜すればよ
い。

以下、更に具体的に本発明の実施例について比較例との
対比で説明する。

厚み１０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に直径１５０Ａの５ｉ０２微粒子を２２ケ／μ２配し、
直径５０ｃｍ（キャン冷却温度３０℃）の円筒キャンに
沿わせＣｏｓ入射角を変えると共に、ガス導入を変えて
、異なるパラメータの磁気記録媒体を製造しく８ミリ幅
）、ハイバンド８ミリビデオデツキ（ソニー■製ＥＶＳ
９００）でＬＰモードでのＰ　ＣＭエラー率を比較した
結果を比較例と共に第１表に示した。尚、表面にはモン
テシソン社製の７オンブリンＺ−２５を５０（ｍｇ／ｄ
）塗布した。

［実施例２］ 課題を解決するための別の手段は、高分子フィルム上に
Ｃｏ−０系垂直磁化膜を形成する際、絶縁したガス導入
ノズルに電圧を印加し、ブロー放電蒸着するようにした
ものである。本発明の磁気記録媒体の製造方法は上記し
た構成により、Ｃ。

−０系垂直膜をガス導入量を減らして形成できることに
なり、充てん率の高い耐久性とＣ／Ｎを共に満足した磁
気記録媒体を製造できる。

第３図は本発明を実施するのに用いた蒸着装置の一例の
要部構成図である。第３図で８は高分子フィルムであら
かじめ形状付与したもの又は、Ｎｉ−Ｆｅ等の軟磁性層
や下地層を配したものも含まれる。９は回転支持体で、
４０℃から一３０℃の範囲で冷却されるのが好ましい。

１０は巻出し軸、１１は巻取り軸で、１２はＣｏ、Ｃｏ
−Ｎｉ。

Ｃｏ−Ｍｎ、Ｃｏ−Ｐｒ等のＣｏ系金属２合金の蒸発材
料で、１３は蒸発源容器、１４．１５は放電電極とガス
導入ボートを兼ねたものである。

１６．１７は絶縁導入端子で、１８は放電励起用電源で
、１９は避へい板、２０は真空容器、２１は真空排気系
である。第３図の装置で直径５０ｃｍの円筒キャン（キ
ャン温度２０℃）の直下２　ｃｍの位置に１．００μＳ
の孔をｌ　ｃｍ毎に１０ケ持った絶縁したノズルを６　
ｃｍ離し対向して配置し、直下３０ｃｍの位置に電子ビ
ーム蒸発源を配し、入射角規制を変えて、Ｃｏを電子ビ
ーム蒸着して磁気記録媒体を製造した。

厚み１０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に、直径１２０Ａの５ｉ０２微粒子を１０ケ／μ２配し
、その上にＣｏを電子ビーム蒸着した。その際、ガス導
入条件と、絶縁したノズル間に高周波電界を印加する条
件を変えて、垂直磁化膜を形成し、その上にフォンブリ
ンｚ−２５を５５　＜ｍｚ／ｄ）　塗布して８ミリテー
プとハイバンド８ミリビデオデツキを用い比較評価した
結果を条件と共に第２表に示した。

（以　　下　　余　　白　　） ［実施例３］ 課題を解決するための別の手段は、高分子フィルム上に
、Ｃｏ−０系垂直磁化膜を形成する際に、膜に通電しな
がらグロー放電蒸着するようにしたものである。

本発明の磁気記録媒体は上記した構成により、膜形成時
に膜に通電されることで、膜自体が実効的に昇温された
ものと同様な状態になり、ＣＯＯ系垂直膜の結晶性が改
良され、欠陥も少なくなるので、Ｃ／Ｎと耐久性を向上
させることができるようになる。膜に通電するには、通
電ローラーを設けて、膜に直流又は交流を流すか、プラ
ズマを加速して流すかのいずれでもよい。

厚み１０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に直径１００ＡのＴｉＯ２微粒子を１５ケ／μ２配し、
その上に第３図に示した装置に蒸着完了側に半導体ロー
ラー（表面抵抗２にΩ／口）を配し、Ｃｏ−０系垂直磁
化膜を形成した。放電電極を兼ねたガス導入ノズルに電
圧を印加し、Ｃｏ−０系膜にプラズマより通電する方法
で製膜を行った。

夫々のｃｏ−〇系垂直磁化膜の上にデュポン社製のＫＲ
ＹＴＯＸｌ　５７ＦＳ−Ｍを５５ｍｇ／ｉ塗布し８ミリ
幅の磁気テープに加工し、改造した８ミリビデオにより
、ハイバンドＬＰ使用で比較評価した。製造条件と評価
結果を第３表にまとめて示した。

（以　　下　　余　　白　　） ［実施例４１ 課題を解決する別の手段は高分子フィルム上にＣＯ−〇
系垂直磁化膜を電子ビーム蒸着法で形成する際、酸素ガ
スに加えてＣＯ又はＣ０２ガスを導入するようにしたも
のである。

本発明の磁気記録媒体の製造方法は上記した構成により
、ＣＯ又はＣＯ２ガスの一部が分解し発生するかボンが
Ｃｏ−０の垂直配向性を増大させることで、低温で高性
能な垂直磁化膜を得ることができるものである。ガス導
入法については特に限定はなく、ひとつのガス導入系よ
り、０２＋ＣＯ又は０２＋ＣＯ２、又は０２＋ＣＯ＋Ｃ
Ｏ２を導入する方法でもよいし、ガス導入系を２系統準
備し、蒸着終了側より、０２蒸着開始側よりＣＯ又はＣ
Ｏ２（これにＡｒ、Ｎ２を混合してもよい）を導入して
もよい。尚、厳密に条件を指定するのはむずかしい（蒸
発速度、入射角範囲、排気系の能力等によるので）が一
応の目安としていえるのはＣＯ又はＣＯ２ガスは０２ガ
スに対して１１５〜１／１０の範囲とするのが望ましい
といえる。

本発明は、実施例２．実施例３と組み合わせて実施でき
るのは勿論である。第３図に示した装置で（実施例２と
同じジオメトリ−）厚み１１μｍのポリエチレンナフタ
レートフィルム上に、水溶性高分子の高さが平均１５０
人のミミズ状の隆起層を延伸倍率３倍の条件で形成し、
かつ主としてミミズ状隆起層内に直径１８０Ａの５ｉ０
２微粒子を平均２０ケ／μ２配し、その表面をＡｒ＋０
ｚ＝０．０８　（Ｔｏ　ｒ　ｒ）、Ａｒ　：０２１　：
２＋　１００Ｋ比、１　（ＫＷ）のグロー放電処理で３
秒間処理し、Ｃｏを電子ビーム蒸着した。

入射角は３６度から２２度の範囲とし、２２度側に配し
たノズルをＡとし、３６度側に配したノズルをＢとし、
ガス導入を変えて、Ｃｏ−０系垂直磁化膜を０．２４μ
ｍ形成し、更にその上にパーフルオロシクロブタンのプ
ラズマ重合膜を［１３，５６（ＭＨｚ）、９００　（Ｗ
）、モノマー分圧０．０７Ｔｏ　ｒ　ｒ　］　１２０Ａ
形成し、更にその上にＫＲＹＴＯＸｌ　４３ＡＣを３８
（■／ｎｔ）配し８ミリ幅のテープにして、ハイバンド
仕様の８ミリビデオで比較評価した。製造条件と評価結
果を第４表に示した。

（以　　下　　余　　白　　） 発明の効果 以上のように本発明によれば、ポリエステルフィルムを
用いても十分なＣ／Ｎや耐久性の良好な垂直磁気記録用
磁気記録媒体が得られるといったすぐれた効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図は本発明の実施例の磁気記録媒体の拡大
断面図、第３図は本発明の製造方法を実施するのに用い
た蒸着装置の要部構成図である。 １・・・・・・ポリエステルフィルム、２，５・・・・
・・一体柱状粒子、３，６・・・・・・非磁性部、４，
７・・・・・・垂直磁化部、８・・・・・・高分子フィ
ルム、９・・・・・・回転支持体、１４．１５・・・・
・・ガス導入ポート（電圧印加可能タイプ）。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）高分子フィルム上に形成された部分酸化強磁性金
   属薄膜を構成する柱状微粒子が一体で、非磁性酸化物上
   に垂直磁化部が構成されたことを特徴とする磁気記録媒
   体。
2. （２）高分子フィルム上にＣｏ−Ｏ系垂直磁化膜を形成
   する際、絶縁したガス導入ノズルに電圧を印加し、グロ
   ー放電蒸着することを特徴とする磁気記録媒体の製造方
   法。
3. （３）高分子フィルム上にＣｏ−Ｏ系垂直磁化膜を形成
   する際、膜に通電しながらグロー放電蒸着することを特
   徴とする磁気記録媒体の製造方法。
4. （４）高分子フィルム上にＣｏ−Ｏ系垂直磁化膜を電子
   ビーム蒸着法で形成する際、酸素ガスに加えて少なくと
   もＣＯ又はＣＯ＿２ガスを導入することを特徴とする磁
   気記録媒体の製造方法。