JPS6174141A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS6174141A JPS6174141A JP19712984A JP19712984A JPS6174141A JP S6174141 A JPS6174141 A JP S6174141A JP 19712984 A JP19712984 A JP 19712984A JP 19712984 A JP19712984 A JP 19712984A JP S6174141 A JPS6174141 A JP S6174141A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度磁気記録に適する磁気記録媒体の製造方
法に関する。
法に関する。
従来例の構成とその問題点
近年、膜面に垂直方向に記録する垂直磁気記録方式が、
短波長になる程減磁が少なくなることで注目されている
。
短波長になる程減磁が少なくなることで注目されている
。
この方式には従来の媒体を用いることはできず、膜面に
垂直に磁化容易軸を有する２０％程度のＣｒを含有する
Ｃｏ膜やＣｏ −Ｖ 、 Ｃｏ −Ｗ 、 Ｃｏ −Ｍ
ｏ 。
垂直に磁化容易軸を有する２０％程度のＣｒを含有する
Ｃｏ膜やＣｏ −Ｖ 、 Ｃｏ −Ｗ 、 Ｃｏ −Ｍ
ｏ 。
Ｃｏ −Ｎｉ −Ｐ 等の特定の条件の薄膜を必要と
する。
する。
最近になって、前記した材料の池にも、垂直磁化膜が確
認されてきており、中でもＣｏ−０，Ｃ。
認されてきており、中でもＣｏ−０，Ｃ。
−Ｎｉ−０は、製法的にみて有望である。
Ｃｏ−Ｃｒ にしても、Ｃｏ −Ｖにしても高周波ス
パッタリング法では、高速成膜はできない欠点があり、
真空蒸着法は高速作成が可能であるといわれるが性能的
に劣るのと、蒸気圧が異なるので、ならないのに対して
、酸素中でＣＯ又はＣｏ −Ｎｉを蒸着する技術は既に
、一部で実用になっている技術であり、それをベースに
できるＣＯ−○。
パッタリング法では、高速成膜はできない欠点があり、
真空蒸着法は高速作成が可能であるといわれるが性能的
に劣るのと、蒸気圧が異なるので、ならないのに対して
、酸素中でＣＯ又はＣｏ −Ｎｉを蒸着する技術は既に
、一部で実用になっている技術であり、それをベースに
できるＣＯ−○。
Ｃｏ −Ｎｉ −０膜は室温でも垂直抗磁力として５０
０（Ｏｅ）以上が得られることが報告されている点は有
利に思える。
０（Ｏｅ）以上が得られることが報告されている点は有
利に思える。
しかし詳細に検討を加えると、Ｃ軸配向性は更に、Ｃｏ
−Ｃｒ蒸着膜より劣り、十分な記録再生を垣波長で行う
には、今後の改良を必要とする。
−Ｃｒ蒸着膜より劣り、十分な記録再生を垣波長で行う
には、今後の改良を必要とする。
一方、Ａｒ と０２の混合ガスの放電によるス、Ｓツタ
リング法でもＣｏ−０系の垂直磁化膜が出来ることは知
られるが、やはり、膜形成速度は小さい。
リング法でもＣｏ−０系の垂直磁化膜が出来ることは知
られるが、やはり、膜形成速度は小さい。
これはＣｏをターゲットとしているため、ターゲット・
を薄くして、磁場を強くしても、いわゆるマグネトロン
放電によるスパッタリングの高速化が意図通りにいかな
いためである。
を薄くして、磁場を強くしても、いわゆるマグネトロン
放電によるスパッタリングの高速化が意図通りにいかな
いためである。
従って、膜形成速度、性能の両方を要求に近ずけること
は当面の課題になる。
は当面の課題になる。
発明の目的
本発明は上記事情に鑑みなされたもので、スパッタリン
グ法により高速で、高性能の垂直磁化膜を得る方法を提
供するものである。
グ法により高速で、高性能の垂直磁化膜を得る方法を提
供するものである。
発明の構成
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、非磁性のＣｏ−０
又はＣｏ −Ｎｉ−０をターゲットとし、Ｈ２又はＣ２
Ｈ２のいずれか一方又は両方を含む放電ガスを用いてス
パッタリング法により垂直磁化可能なＣｏ−〇膜又はＣ
ｏ −Ｎｉ −０膜を形成することを特徴とし、高速で
、リング型磁気ヘッドにより記録再生を十分な信号対雑
音比（Ｓ／Ｎ比）で行うことができる媒体を得ることが
できるものである。
又はＣｏ −Ｎｉ−０をターゲットとし、Ｈ２又はＣ２
Ｈ２のいずれか一方又は両方を含む放電ガスを用いてス
パッタリング法により垂直磁化可能なＣｏ−〇膜又はＣ
ｏ −Ｎｉ −０膜を形成することを特徴とし、高速で
、リング型磁気ヘッドにより記録再生を十分な信号対雑
音比（Ｓ／Ｎ比）で行うことができる媒体を得ることが
できるものである。
実施例の説明
以下本発明の実施例について詳しく説明する。
図は、本発明の製造方法を実施するのに用いたスパッタ
リング装置の要部構成図である。
リング装置の要部構成図である。
図中１は円筒状キャン、２は高分子基板３は送り出し軸
、４は巻取り軸、６はターゲット６は磁界発生器７は真
空容器、８はガス導入管１，９は可変リーク弁、１ｏは
真空ポンプである。
、４は巻取り軸、６はターゲット６は磁界発生器７は真
空容器、８はガス導入管１，９は可変リーク弁、１ｏは
真空ポンプである。
本発明は、高周波スパッタリング法、直流スパッタリン
グ法のいずれも実施できる。
グ法のいずれも実施できる。
本発明のターゲット６は、非磁性であるから磁界発生器
６の作る磁界を遮へいすることがないから、いわゆるマ
グネトロン放電による高速化がはかれるのである。
６の作る磁界を遮へいすることがないから、いわゆるマ
グネトロン放電による高速化がはかれるのである。
又、放電ガスとしては、Ｈ２かＣ２Ｈ２のいずれか一方
、又は両方のガスを必要ならばアルゴン等と混合させて
用いることで、ターゲットの状態では飽和磁化量（Ｍｓ
）が○であるが、磁気記録層に必要な４膜Ｍｓが４キロ
ガウスから６キロガウスになるよう調整できる。
、又は両方のガスを必要ならばアルゴン等と混合させて
用いることで、ターゲットの状態では飽和磁化量（Ｍｓ
）が○であるが、磁気記録層に必要な４膜Ｍｓが４キロ
ガウスから６キロガウスになるよう調整できる。
特にＣ２Ｈ２を用いると、薄膜をリング型磁気ヘッドに
よりくり返し摺動した時の耐すりきず性が改良される利
点もある。
よりくり返し摺動した時の耐すりきず性が改良される利
点もある。
又、得られる垂直磁化膜が真空蒸着膜より適するのは、
Ｃｏ−Ｃｒ 膜で得られている結果と同じで、一般に
、スパッタリング法の方が薄膜形成時に高い運動エネル
ギーを原子が有していることに根ざしていると考えられ
ている現象である。
Ｃｏ−Ｃｒ 膜で得られている結果と同じで、一般に
、スパッタリング法の方が薄膜形成時に高い運動エネル
ギーを原子が有していることに根ざしていると考えられ
ている現象である。
以下さらに具体的な一実施例について説明する。
図の装置で、円筒状キャンの直径は６０ｃｍ、ターゲッ
トは６インチ×１２インチで、磁界発生器は電磁石で構
成し、ターゲン）には直流の負電圧を印加した。
トは６インチ×１２インチで、磁界発生器は電磁石で構
成し、ターゲン）には直流の負電圧を印加した。
真空ポンプは、ターボ分子ポンプで構成した。
放電を発生させる萌に、どの実験も、初期排気として１
０−６（Ｔｏｒｒ ］ まで排気を行った。
０−６（Ｔｏｒｒ ］ まで排気を行った。
比較例は、ターゲットをＣｏ、１００チとした場合のＣ
ｏ−０膜と、Ｃｏ −Ｃｒ （Ｃｒ ２２ ａｔ％）と
した場合で、ターゲットの厚みは全て５−で統一した。
ｏ−０膜と、Ｃｏ −Ｃｒ （Ｃｒ ２２ ａｔ％）と
した場合で、ターゲットの厚みは全て５−で統一した。
主な製造条件と、特性比較を表にまとめた。
Ｓ／Ｎ比較は、アモルファス合金のリング型磁気ヘッド
（ギャップ長０．２６μｍ、トラック幅１２μｍ）で、
記録波長０．４８μｍの値である。
（ギャップ長０．２６μｍ、トラック幅１２μｍ）で、
記録波長０．４８μｍの値である。
上表より明らかなように、Ｓ／ＮでもＣｏ −Ｃｒスパ
ッタ膜より若干改良されている上に、基板移動速度は３
０倍から４０倍に高速化されていることがわかる。
ッタ膜より若干改良されている上に、基板移動速度は３
０倍から４０倍に高速化されていることがわかる。
この速度はターゲットを２〜３ケ配設すれば、十分実用
になる速度である。
になる速度である。
又、Ｃ２Ｈ２を含む放電ガスを利用した場合の薄膜を比
較例と共に、耐すり偏性で評価すると、前記した磁気ヘ
ッドでストップモーションでくり返し、同一個所を高速
摺動させた時、比較例が２０分程度ですりきすが発生す
るのに対して、６０分しても全く表面変化がみられない
ことも得られる媒体の特徴となるものである。
較例と共に、耐すり偏性で評価すると、前記した磁気ヘ
ッドでストップモーションでくり返し、同一個所を高速
摺動させた時、比較例が２０分程度ですりきすが発生す
るのに対して、６０分しても全く表面変化がみられない
ことも得られる媒体の特徴となるものである。
発明の効果
以上のように本発明の磁気記録媒体の製造方法は、Ｃｏ
−０又はＣｏ −Ｎｉ −０を非磁性状態のターゲット
とし、放電ガスとしてＨ２又はＣ２Ｈ２を少くとも一種
含むガスを用い、スパッタリング法にて、Ｃｏ−０又は
Ｃｏ−Ｎｉ−０膜から成る垂直磁化膜を形成することで
、高速での膜形成が行える上、得られる媒体の記録再生
性能も良好であシ、その実用性は大きい。
−０又はＣｏ −Ｎｉ −０を非磁性状態のターゲット
とし、放電ガスとしてＨ２又はＣ２Ｈ２を少くとも一種
含むガスを用い、スパッタリング法にて、Ｃｏ−０又は
Ｃｏ−Ｎｉ−０膜から成る垂直磁化膜を形成することで
、高速での膜形成が行える上、得られる媒体の記録再生
性能も良好であシ、その実用性は大きい。
図は本発明を実施するための装置の要部構成図である。
１・・・・・−円筒状キャン、５・・・・・・ターゲッ
ト（非磁性Ｃｏ−０又は、Ｃｏ −Ｎｉ −０χ６・・
・・・・磁界発生器。
ト（非磁性Ｃｏ−０又は、Ｃｏ −Ｎｉ −０χ６・・
・・・・磁界発生器。
Claims (1)
- 非磁性Ｃｏ−Ｏ又はＣｏ−Ｎｉ−Ｏをターゲットとし、
Ｈ＿２、Ｃ＿２Ｈ＿２の単独又は両者を含む放電ガスに
よりスパッタ蒸着することを特徴とする磁気記録媒体の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19712984A JPS6174141A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19712984A JPS6174141A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6174141A true JPS6174141A (ja) | 1986-04-16 |
Family
ID=16369223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19712984A Pending JPS6174141A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6174141A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6378342A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH04276314A (ja) * | 1991-01-11 | 1992-10-01 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 薄膜磁気記録ディスク製造プロセス |
-
1984
- 1984-09-20 JP JP19712984A patent/JPS6174141A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6378342A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH04276314A (ja) * | 1991-01-11 | 1992-10-01 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 薄膜磁気記録ディスク製造プロセス |
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