JPS63452A - 磁性薄膜の製造方法 - Google Patents
磁性薄膜の製造方法Info
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- JPS63452A JPS63452A JP14520486A JP14520486A JPS63452A JP S63452 A JPS63452 A JP S63452A JP 14520486 A JP14520486 A JP 14520486A JP 14520486 A JP14520486 A JP 14520486A JP S63452 A JPS63452 A JP S63452A
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Links
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
- C23C14/352—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using more than one target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気記録に使用される磁性薄膜、特に磁気光学
効果に優れた光磁気記録に使用される磁性薄膜の製造方
法に関するものである。
効果に優れた光磁気記録に使用される磁性薄膜の製造方
法に関するものである。
従来の技術
ホイスラー合金（一般式Ａ ２Ｍｎ Ｘ 、ただしＡ：
Ｃｕ、Ｐｄ、Ｎｉ 、Ｐｔ等Ｘ ： Ａｌ、 Ｓｎ 、
Ｓｂ 、Ｇｏ等）は一般に強磁性でない元素が組み合
わされて強磁性を示すものが多く、その磁性には興味が
持たれている。その中でも特にへ原子の半分が規則的に
欠除してｐｔとＭｎ（！：Ｓｂをほぼ１：１：１で含む
ＰｔＭｎＳｂは磁気光学効果が非常に大きい材料として
注目されている。この材料を薄膜にすれば例えば良好な
光磁気ディスク媒体として、将来的に大きなニーズが見
込まれるオフィスオートメーション等の多大な情報の記
憶装置への応用が期待される。しかしＰｔＭｎＳｂの薄
膜作製の報告はあまり成されていない。近年、ＭｎＳｂ
焼結体上にｐｔ片を配置した複合ターゲットを用い、ス
パッタ法を用いて成膜した後熱処理して、ＰｔＭｎＳｂ
の多膜 結晶１を得る方法が報告された。〔犬山、阿部、松原（
日本応用磁気学会誌）ｖｏｌ、９ Ｐ、１４５発明が
解決しようとする問題点 しかし光磁気媒体として磁性膜を使用するには、高密度
記録のために磁性膜が垂直磁化膜である必要がある。と
ころが従来の方法で得られるＰｔＭｎＳｂ膜は多結晶膜
であって磁化方向はむしろ面内方向であり、このような
結晶性の膜では光磁気媒体への応用は困難だと考えられ
る。
Ｃｕ、Ｐｄ、Ｎｉ 、Ｐｔ等Ｘ ： Ａｌ、 Ｓｎ 、
Ｓｂ 、Ｇｏ等）は一般に強磁性でない元素が組み合
わされて強磁性を示すものが多く、その磁性には興味が
持たれている。その中でも特にへ原子の半分が規則的に
欠除してｐｔとＭｎ（！：Ｓｂをほぼ１：１：１で含む
ＰｔＭｎＳｂは磁気光学効果が非常に大きい材料として
注目されている。この材料を薄膜にすれば例えば良好な
光磁気ディスク媒体として、将来的に大きなニーズが見
込まれるオフィスオートメーション等の多大な情報の記
憶装置への応用が期待される。しかしＰｔＭｎＳｂの薄
膜作製の報告はあまり成されていない。近年、ＭｎＳｂ
焼結体上にｐｔ片を配置した複合ターゲットを用い、ス
パッタ法を用いて成膜した後熱処理して、ＰｔＭｎＳｂ
の多膜 結晶１を得る方法が報告された。〔犬山、阿部、松原（
日本応用磁気学会誌）ｖｏｌ、９ Ｐ、１４５発明が
解決しようとする問題点 しかし光磁気媒体として磁性膜を使用するには、高密度
記録のために磁性膜が垂直磁化膜である必要がある。と
ころが従来の方法で得られるＰｔＭｎＳｂ膜は多結晶膜
であって磁化方向はむしろ面内方向であり、このような
結晶性の膜では光磁気媒体への応用は困難だと考えられ
る。
問題点を解決するための手段
このような問題を解決するため本発明は、少なくとも白
金を含む蒸発源とマンガンを含む蒸発源とアンチモンを
含む蒸発源の各個別蒸発源を同時に蒸発させて、Ｐ ｔ
、Ｍｎ 、 Ｓｂを含む磁性薄膜を作製するという方
法である。
金を含む蒸発源とマンガンを含む蒸発源とアンチモンを
含む蒸発源の各個別蒸発源を同時に蒸発させて、Ｐ ｔ
、Ｍｎ 、 Ｓｂを含む磁性薄膜を作製するという方
法である。
作 用
前記方法でＰｔ、Ｍｎ、Ｓｂを含む薄膜を作成すると、
理由はよく分からないが単一方向に配向した結晶性の薄
膜が得られるという本発明者等の発見に基づき本発明は
成された。この場合基板温度としては、成膜中に２ｏｏ
℃以上に加熱するか、または常温で成膜した後２ｏｏ℃
以上で熱処理するというどちらの方法でも配向性薄膜が
得られることが分かった。
理由はよく分からないが単一方向に配向した結晶性の薄
膜が得られるという本発明者等の発見に基づき本発明は
成された。この場合基板温度としては、成膜中に２ｏｏ
℃以上に加熱するか、または常温で成膜した後２ｏｏ℃
以上で熱処理するというどちらの方法でも配向性薄膜が
得られることが分かった。
また個別に蒸発源の蒸発量が制御できるため、従来方法
に比べてはるかに厳密に薄膜組成を設定できるという事
も本発明の優れた点である。
に比べてはるかに厳密に薄膜組成を設定できるという事
も本発明の優れた点である。
蒸発源の蒸発方法としては、融点が高い材料が多いので
電子ビーム蒸着も含めたイオン衝撃法が適している。そ
の中でも特に、ホイスラー合金が非磁性材料から強磁性
材料が構成されていることを考慮すると、マグネトロン
スパッタ法が最適であろう。マグネトロンスパッタはタ
ーゲット表面に生じた磁界によりスパッタ中の放電をタ
ーゲット付近に集中させることができるので、非磁性材
料のスパッタを効率よく行うことができる。従ってホイ
スラー合金を成分毎に分離してマグネトロンスパッタを
行うと、作製速度の非常に速い成膜が行えるという利点
も本発明者等は確認した。
電子ビーム蒸着も含めたイオン衝撃法が適している。そ
の中でも特に、ホイスラー合金が非磁性材料から強磁性
材料が構成されていることを考慮すると、マグネトロン
スパッタ法が最適であろう。マグネトロンスパッタはタ
ーゲット表面に生じた磁界によりスパッタ中の放電をタ
ーゲット付近に集中させることができるので、非磁性材
料のスパッタを効率よく行うことができる。従ってホイ
スラー合金を成分毎に分離してマグネトロンスパッタを
行うと、作製速度の非常に速い成膜が行えるという利点
も本発明者等は確認した。
実施例
本発明の内容のより深い理解のために、以下具体的な実
施例により本発明を説明する。第１図は本発明の磁性薄
膜製造方法の一実施例の概観図を示す。Ｐ ｔｌ １
、Ｍｎ１２ 、 Ｓｂ１３ のスパソタリングターゲ７
トが個別に設けられ、基板位置に焦点を結ぶように３０
０傾いて配置されている。各ターゲ、７１−は個別直流
電源１４．１５．１６で蒸発量を制御される。各ターゲ
ットは非磁性材料なのでターゲット下部の永久磁石によ
り表面に平行磁界１７を生じさせることができる。この
磁界によりマグネトロンスパッタが可能となり、成膜速
度が速くまた低ガス圧のもとマの成膜が行える。チャン
バーを５Ｘ１０ Ｐａの真空に引いた後Ａｒガスを導
入して３Ｐａのガス圧に保った。ｐｔメタ−ットに１０
Ｗ、ＭｎターゲットにｓｏＷ、Ｓｂ 。
施例により本発明を説明する。第１図は本発明の磁性薄
膜製造方法の一実施例の概観図を示す。Ｐ ｔｌ １
、Ｍｎ１２ 、 Ｓｂ１３ のスパソタリングターゲ７
トが個別に設けられ、基板位置に焦点を結ぶように３０
０傾いて配置されている。各ターゲ、７１−は個別直流
電源１４．１５．１６で蒸発量を制御される。各ターゲ
ットは非磁性材料なのでターゲット下部の永久磁石によ
り表面に平行磁界１７を生じさせることができる。この
磁界によりマグネトロンスパッタが可能となり、成膜速
度が速くまた低ガス圧のもとマの成膜が行える。チャン
バーを５Ｘ１０ Ｐａの真空に引いた後Ａｒガスを導
入して３Ｐａのガス圧に保った。ｐｔメタ−ットに１０
Ｗ、ＭｎターゲットにｓｏＷ、Ｓｂ 。
ターゲットに２０Ｗの直流電力を投入することにより、
各成分の成膜速度がほぼ等しいマグネトロンスパッタを
行うことができた。石英ガラス基板１８を用い基板温度
を４ｏ○℃として２０分分間時スパッタを行うと約３０
００ＡのＰｔＭｎ５ｋ＋薄膜が得られた。薄膜の結晶性
をＸ線回折により調１ ぺたところ、第２図のような
Ｘ線回折パターンが得られた。確認された回折ピークは
ＰｔＭｎＳｂの１１１反射２１のみであり、このことか
ら薄膜け１１１配向していることが分かる。
各成分の成膜速度がほぼ等しいマグネトロンスパッタを
行うことができた。石英ガラス基板１８を用い基板温度
を４ｏ○℃として２０分分間時スパッタを行うと約３０
００ＡのＰｔＭｎ５ｋ＋薄膜が得られた。薄膜の結晶性
をＸ線回折により調１ ぺたところ、第２図のような
Ｘ線回折パターンが得られた。確認された回折ピークは
ＰｔＭｎＳｂの１１１反射２１のみであり、このことか
ら薄膜け１１１配向していることが分かる。
また基板加熱せずに成膜した後４００’Ｃで７時間熱処
理した場合にも１１１配向の膜が得られることも合わせ
て確認した。
理した場合にも１１１配向の膜が得られることも合わせ
て確認した。
発明の効果
以上述べてきたように、本発明によれば磁気光学効果に
優れるＰｔＭｎＳｂ系材料の配向性薄膜の製造方法を提
供し、将来的な光磁気媒体としての応用を可能とするも
のであわ、本発明の工業的価値は高い。
優れるＰｔＭｎＳｂ系材料の配向性薄膜の製造方法を提
供し、将来的な光磁気媒体としての応用を可能とするも
のであわ、本発明の工業的価値は高い。
第１図は本発明の一実施例における薄膜製造の概観図、
第２図は本発明の一実施例により作製された薄膜のＸ線
回折パターンを示す特性図である。 １１・・・・・・ｐｔメタ−ット、１２・・・・・・Ｍ
ｎターゲット、１３・・・・・・ｓｂ ターゲット、１
４，１５．１６・・・・・・個別直流電源、１７・・・
・・・平行磁界、１８・川・・石英ガラス基板、２１・
山・・ＰｔＭｎＳｂの１１１回折ピーク。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ｎ−
−−ｐｔターゲッ■ 第 、 図 １２
−・−Ｍｈターケ゛レトｔｓ−−−ｓｂターゲッｈ 第２図 ２ θ （）１【ン （際源二〇ｕ心）
第２図は本発明の一実施例により作製された薄膜のＸ線
回折パターンを示す特性図である。 １１・・・・・・ｐｔメタ−ット、１２・・・・・・Ｍ
ｎターゲット、１３・・・・・・ｓｂ ターゲット、１
４，１５．１６・・・・・・個別直流電源、１７・・・
・・・平行磁界、１８・川・・石英ガラス基板、２１・
山・・ＰｔＭｎＳｂの１１１回折ピーク。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ｎ−
−−ｐｔターゲッ■ 第 、 図 １２
−・−Ｍｈターケ゛レトｔｓ−−−ｓｂターゲッｈ 第２図 ２ θ （）１【ン （際源二〇ｕ心）
Claims (3)
- （１）白金を含む蒸発源とマンガンを含む蒸発源とアン
チモンを含む蒸発源の各個別蒸発源を、同時に蒸発させ
て成膜を行うことを特徴とする磁性薄膜の製造方法。 - （２）イオン衝撃により蒸発を行う蒸発源を含むことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁性薄膜の製造
方法。 - （３）イオン衝撃がマグネトロンスパッタであることを
特徴とする特許請求の範囲第２項記載の磁性薄膜の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14520486A JPS63452A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | 磁性薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14520486A JPS63452A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | 磁性薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63452A true JPS63452A (ja) | 1988-01-05 |
Family
ID=15379811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14520486A Pending JPS63452A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | 磁性薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63452A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5106821A (en) * | 1990-03-09 | 1992-04-21 | International Superconductivity Technology Center | Process for forming thin oxide film |
| US5225393A (en) * | 1990-03-09 | 1993-07-06 | International Superconductivity Technology Center | Process for forming thin oxide film |
-
1986
- 1986-06-20 JP JP14520486A patent/JPS63452A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5106821A (en) * | 1990-03-09 | 1992-04-21 | International Superconductivity Technology Center | Process for forming thin oxide film |
| US5225393A (en) * | 1990-03-09 | 1993-07-06 | International Superconductivity Technology Center | Process for forming thin oxide film |
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