JPH01146312A - 軟磁性薄膜 - Google Patents
軟磁性薄膜Info
- Publication number
- JPH01146312A JPH01146312A JP30454287A JP30454287A JPH01146312A JP H01146312 A JPH01146312 A JP H01146312A JP 30454287 A JP30454287 A JP 30454287A JP 30454287 A JP30454287 A JP 30454287A JP H01146312 A JPH01146312 A JP H01146312A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- magnetic
- soft magnetic
- magnetic thin
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 7
- 239000011162 core material Substances 0.000 abstract description 6
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 6
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 abstract description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 abstract description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910000702 sendust Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018459 Al—Ge Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017112 Fe—C Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910021364 Al-Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020641 Co Zr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020520 Co—Zr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017060 Fe Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002544 Fe-Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000007499 fusion processing Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229910001337 iron nitride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000700 radioactive tracer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は良好な磁気特性を示す軟磁性薄膜に関し、特に
磁気記録媒体への磁気記録、再生、消去に用いられる磁
気ヘッドのコア材料としてすぐれる軟磁性材料に関する
ものである。
磁気記録媒体への磁気記録、再生、消去に用いられる磁
気ヘッドのコア材料としてすぐれる軟磁性材料に関する
ものである。
磁気記録における高密度化、高品質化への要求に伴い磁
気記録媒体として７−ＦｅｚＯ，、、Ｆｅ）Ｏ，、γ−
Ｆｅ、０３とＦｅ５ｇ４のへルトライド化合物を磁性材
料として用いるものから、Ｃｏドープの７−ＦｅｔＯｚ
、ＣｏドープのＦｅ３０ａ、窒化鉄、Ｃｒ（ｈさらには
Ｃｏ−Ｆｅ−Ｃｒ等の合金磁性粉末を磁性材料としてな
る磁気記録媒体へと移行してきており、今後さらに高飽
和磁束密度および高保磁力の磁気記録媒体の開発が進め
られていく。
気記録媒体として７−ＦｅｚＯ，、、Ｆｅ）Ｏ，、γ−
Ｆｅ、０３とＦｅ５ｇ４のへルトライド化合物を磁性材
料として用いるものから、Ｃｏドープの７−ＦｅｔＯｚ
、ＣｏドープのＦｅ３０ａ、窒化鉄、Ｃｒ（ｈさらには
Ｃｏ−Ｆｅ−Ｃｒ等の合金磁性粉末を磁性材料としてな
る磁気記録媒体へと移行してきており、今後さらに高飽
和磁束密度および高保磁力の磁気記録媒体の開発が進め
られていく。
一方、このような磁気記録媒体の高保磁力化に伴って、
これらの磁気記録媒体に記録再生を行なわしめるために
は間飽和磁束密度を有する磁気へ・７ド材料が必要とな
ってきている。例えば従来磁気ヘッド材料として使用さ
れてきているフェライト材料では飽和磁束密度が５００
０ Ｇａｕｓｓと低くもはや合金粉末磁性材料を用いた
磁気記録媒体のトランスジューサーとしては使用不可で
Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金よりなるセンダスト合金材料あ
るいはＣｏ−Ｚｒ系合金を代表とする非晶質磁性合金材
料の実用化が進められている。しかしながら、Ｆｅ−＾
１−５ｉ系合金では、磁歪λＳと結晶磁気異方性Ｋが共
に零付近の組成が軟磁気特性にすぐれるのであるが、飽
和磁束密度もこの組成に対応して一義的に決まり、１０
ｋＧａｕｓｓ程度である。一方、非晶質磁性合金材料で
は飽和磁束密度が１２ｋＧａｕｓｓ程度のものも得られ
るが熱安定性の点で問題があり、ガラス融着のように各
種熱処理を必要とする加工工程で結晶化してしまい磁気
へラドの製造ができぬという欠点を有している。
これらの磁気記録媒体に記録再生を行なわしめるために
は間飽和磁束密度を有する磁気へ・７ド材料が必要とな
ってきている。例えば従来磁気ヘッド材料として使用さ
れてきているフェライト材料では飽和磁束密度が５００
０ Ｇａｕｓｓと低くもはや合金粉末磁性材料を用いた
磁気記録媒体のトランスジューサーとしては使用不可で
Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金よりなるセンダスト合金材料あ
るいはＣｏ−Ｚｒ系合金を代表とする非晶質磁性合金材
料の実用化が進められている。しかしながら、Ｆｅ−＾
１−５ｉ系合金では、磁歪λＳと結晶磁気異方性Ｋが共
に零付近の組成が軟磁気特性にすぐれるのであるが、飽
和磁束密度もこの組成に対応して一義的に決まり、１０
ｋＧａｕｓｓ程度である。一方、非晶質磁性合金材料で
は飽和磁束密度が１２ｋＧａｕｓｓ程度のものも得られ
るが熱安定性の点で問題があり、ガラス融着のように各
種熱処理を必要とする加工工程で結晶化してしまい磁気
へラドの製造ができぬという欠点を有している。
このような状況から磁気記録媒体の高性能化に見合った
磁気ヘッドの高性能化のために飽和磁束密度の大きい軟
磁性薄膜の開発に拍車がかかっている。高飽和磁束密度
を有する軟磁性Ｆｊｌ膜としてはＦｅ−Ｃｏ−５ｉ系（
特開昭６１−２４０６１２号、特開昭６２−６０１１３
号、特開昭６２−７３６０４号）、Ｆｅ−Ｃｏ−３ｉ−
ＡＩ系（特開昭６２−５２９０７号）、Ｆｅ−Ｃｏ−５
ｔ−Ｎ系（特開昭６２−８９３０９号）、Ｆｅ−Ｃｏ−
５ｉ−ＡＩ−Ｎ系（特開昭６２−８９３１０号）、Ｆｅ
−５ｉ−Ｇｅ系（特開昭６１−２３４５０７号）、Ｆｅ
−Ａｌ−Ｇｅ系（特開昭６１−２３４５０８号）、Ｆｅ
−Ｇａ−５ｉ系（特開昭６ｌ−２３４Ｓ０９号）、Ｆｅ
−Ｇａ−Ｇｅ系（特開昭６１−２３４５１０号）、Ｆｅ
−Ｃｏ−Ａｌ−Ｇｅ系（特開昭６２−７８８０４号）、
Ｆｅ−Ｃｏ−Ｇａ等が開示されている。
磁気ヘッドの高性能化のために飽和磁束密度の大きい軟
磁性薄膜の開発に拍車がかかっている。高飽和磁束密度
を有する軟磁性Ｆｊｌ膜としてはＦｅ−Ｃｏ−５ｉ系（
特開昭６１−２４０６１２号、特開昭６２−６０１１３
号、特開昭６２−７３６０４号）、Ｆｅ−Ｃｏ−３ｉ−
ＡＩ系（特開昭６２−５２９０７号）、Ｆｅ−Ｃｏ−５
ｔ−Ｎ系（特開昭６２−８９３０９号）、Ｆｅ−Ｃｏ−
５ｉ−ＡＩ−Ｎ系（特開昭６２−８９３１０号）、Ｆｅ
−５ｉ−Ｇｅ系（特開昭６１−２３４５０７号）、Ｆｅ
−Ａｌ−Ｇｅ系（特開昭６１−２３４５０８号）、Ｆｅ
−Ｇａ−５ｉ系（特開昭６ｌ−２３４Ｓ０９号）、Ｆｅ
−Ｇａ−Ｇｅ系（特開昭６１−２３４５１０号）、Ｆｅ
−Ｃｏ−Ａｌ−Ｇｅ系（特開昭６２−７８８０４号）、
Ｆｅ−Ｃｏ−Ｇａ等が開示されている。
さらにはＦｅ−Ａｌ−５ｉ−Ｎ系［Ｊ、＾ｐｐ１． Ｐ
ｈｙｓ、６Ｈ８）。
ｈｙｓ、６Ｈ８）。
３８４４（１９８７）） 、Ｆｅ−Ｎ系（Ｊ、Ａｐｐｌ
、Ｐｈｙｓ、６１（８）、３８４１（１９８７） ）等
の材料やＦｅ−Ｃ／５ｉＯｚ多層膜、Ｆｅ−Ｃ／Ｎｉ−
Ｆｅ多層膜〔口ｉｇｅｓｔｓ ｏｆ Ｔｈｅ Ｔｎｔｅ
ｒｍａｇ Ｃｏｎｆ、、 ＤＤ−０８（１９８７） ）
、Ｃｏ系アモルファス／窒化Ｃｏ系アモルファス多層
膜〔信学技報Ｖｏ１．８７ Ｎｏ、１２８ ＭＲ８７−
１４（１９８７） ）等の積層構造とした磁性薄膜が従
来より大きい飽和磁束密度を有する材料として発表され
ている。
、Ｐｈｙｓ、６１（８）、３８４１（１９８７） ）等
の材料やＦｅ−Ｃ／５ｉＯｚ多層膜、Ｆｅ−Ｃ／Ｎｉ−
Ｆｅ多層膜〔口ｉｇｅｓｔｓ ｏｆ Ｔｈｅ Ｔｎｔｅ
ｒｍａｇ Ｃｏｎｆ、、 ＤＤ−０８（１９８７） ）
、Ｃｏ系アモルファス／窒化Ｃｏ系アモルファス多層
膜〔信学技報Ｖｏ１．８７ Ｎｏ、１２８ ＭＲ８７−
１４（１９８７） ）等の積層構造とした磁性薄膜が従
来より大きい飽和磁束密度を有する材料として発表され
ている。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら上記の軟磁性材料ではＦｅ、 Ｃｏの磁性
金属に添加される非磁性元素が従来のＦｅＡｌＳｉと同
程度のため飽和磁束密度が必ずしも充分に大きくなかっ
たり、積層構造のものでは耐熱温度がヘッド加工や接合
工程での加熱処理に耐えるに充分でない等の欠点があり
改良が望まれている。
金属に添加される非磁性元素が従来のＦｅＡｌＳｉと同
程度のため飽和磁束密度が必ずしも充分に大きくなかっ
たり、積層構造のものでは耐熱温度がヘッド加工や接合
工程での加熱処理に耐えるに充分でない等の欠点があり
改良が望まれている。
本発明の目的は上述した従来技術の欠点が改良された高
飽和磁束密度を有する新規の軟磁性薄膜を提供すること
にある。
飽和磁束密度を有する新規の軟磁性薄膜を提供すること
にある。
〔問題点を解決するための手段及び作用〕本発明は高密
度磁気記録に用いられる磁気ヘッドのコア材料の構成部
材として使用される軟磁性薄膜であって、原子％でＣｏ
を０〜２０％、Ｇａを１〜６％、Ｓｉを０〜４％含有し
、残部がＦｅおよび不可避の不純物からなることを特徴
とする軟磁性薄膜である。
度磁気記録に用いられる磁気ヘッドのコア材料の構成部
材として使用される軟磁性薄膜であって、原子％でＣｏ
を０〜２０％、Ｇａを１〜６％、Ｓｉを０〜４％含有し
、残部がＦｅおよび不可避の不純物からなることを特徴
とする軟磁性薄膜である。
本発明者等は軟磁性薄膜、特にＦｅ−Ｃｏ−Ｇａ−５ｉ
系の軟磁性薄膜に関して鋭意研究の結果本発明に達した
もので、従来のセンダスト系膜あるいはＦｅ−Ｇａ−３
ｉ系膜に比し大きな飽和磁束密度を有すると共にすぐれ
た軟磁気特性を有する軟磁性薄膜を見出したものである
。
系の軟磁性薄膜に関して鋭意研究の結果本発明に達した
もので、従来のセンダスト系膜あるいはＦｅ−Ｇａ−３
ｉ系膜に比し大きな飽和磁束密度を有すると共にすぐれ
た軟磁気特性を有する軟磁性薄膜を見出したものである
。
本発明の軟磁性膜において、高飽和磁束密度、低保磁力
の軟磁気特性を得るためには原子％でＣ。
の軟磁気特性を得るためには原子％でＣ。
を０〜２０％、Ｇａを１〜６％、Ｓｉを０〜４％、残部
Ｆｅとする必要があり、特にＧａ、 Ｓｉをそれぞれ３
．０〜５．５％、０〜２．５％とするのが好ましい。
Ｆｅとする必要があり、特にＧａ、 Ｓｉをそれぞれ３
．０〜５．５％、０〜２．５％とするのが好ましい。
本発明における軟磁性薄膜の製法としては電気メツキ、
無電解メツキで代表される湿式プロセス、あるいはＰＶ
Ｄ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉ
ｏｎ）、 ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）のような乾式プロセス等が用いら
れるが、なかでもスパンタリング、真空蒸着、イオンプ
レーテング、クラスターイオンビーム蒸着法等の真空薄
膜形成技術が好ましい。
無電解メツキで代表される湿式プロセス、あるいはＰＶ
Ｄ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉ
ｏｎ）、 ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）のような乾式プロセス等が用いら
れるが、なかでもスパンタリング、真空蒸着、イオンプ
レーテング、クラスターイオンビーム蒸着法等の真空薄
膜形成技術が好ましい。
真空薄膜形成技術については例えばり、Ｈ］ａｌｌａｎ
ｄ著”Ｖａｃｕｕｍ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｏｆ Ｔ
ｈ１ｎ Ｆｉ１ｍｓ’。
ｄ著”Ｖａｃｕｕｍ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｏｆ Ｔ
ｈ１ｎ Ｆｉ１ｍｓ’。
Ｃｈａｐｍａｎ ＆ Ｈａｌｌ Ｌｔｄ、＋
１９５６； Ｌ、１． Ｍａｉｓｓｅｌ ＆
Ｒ。
１９５６； Ｌ、１． Ｍａｉｓｓｅｌ ＆
Ｒ。
Ｇｌａｎｇ ｋｍ“Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｒ Ｔｈ１ｎ
Ｆｉｌｍ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ″。
Ｆｉｌｍ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ″。
ＭｃＧｒａｗ Ｈｉｌｌ Ｃｏ、、１９７０ ；日本学
術振興会第１３１委員会編°“薄膜ハンドブック”オー
ム社、 １９８３に記述されており、本発明ではこれら
の技術が使用できる。
術振興会第１３１委員会編°“薄膜ハンドブック”オー
ム社、 １９８３に記述されており、本発明ではこれら
の技術が使用できる。
本発明による軟磁性薄膜を形成する基板は、該軟磁性薄
膜の最終的応用形態によって決定されるもので、磁気ヘ
ッドのコア材料として用いる場合でも旧Ｇ（Ｍｅｔａｌ
ｉｎ Ｇａｐ）ヘッドのような複合へラド、あるいは
薄膜ヘッド、さらには垂直磁化ヘッド等のいずれに利用
されるかによって異なる。磁気ヘッドのコア材料として
利用する場合の代表的基板材料としては磁性フェライト
、非磁性フェライト、サファイア、セラミック等がある
。また本発明による軟磁性薄膜の膜厚は０．５〜５０μ
ｍとするのが好ましく、軟磁気特性をさらに改善するた
めにＳｉＯ□あるいはパーマロイ等の中間層を介しての
積層構造としても良い。なお本発明の軟磁性薄膜は上述
の真空薄膜形成技術により形成したままの状態では必ず
しも十分な軟磁気特性が得られないので、真空中あるい
は不活性ガス中のような非酸化性雰囲気中で熱処理を施
し膜の歪を除去することが好ましい。熱処理の温度は膜
組成、膜作成条件等によって異なり一義的に定められな
いが一般的には３００＠〜５５０°Ｃである。
膜の最終的応用形態によって決定されるもので、磁気ヘ
ッドのコア材料として用いる場合でも旧Ｇ（Ｍｅｔａｌ
ｉｎ Ｇａｐ）ヘッドのような複合へラド、あるいは
薄膜ヘッド、さらには垂直磁化ヘッド等のいずれに利用
されるかによって異なる。磁気ヘッドのコア材料として
利用する場合の代表的基板材料としては磁性フェライト
、非磁性フェライト、サファイア、セラミック等がある
。また本発明による軟磁性薄膜の膜厚は０．５〜５０μ
ｍとするのが好ましく、軟磁気特性をさらに改善するた
めにＳｉＯ□あるいはパーマロイ等の中間層を介しての
積層構造としても良い。なお本発明の軟磁性薄膜は上述
の真空薄膜形成技術により形成したままの状態では必ず
しも十分な軟磁気特性が得られないので、真空中あるい
は不活性ガス中のような非酸化性雰囲気中で熱処理を施
し膜の歪を除去することが好ましい。熱処理の温度は膜
組成、膜作成条件等によって異なり一義的に定められな
いが一般的には３００＠〜５５０°Ｃである。
本発明において、Ｇａの一部をＡＩで置換してもよく、
またＳｉの一部をＧｅで置換してもよい。
またＳｉの一部をＧｅで置換してもよい。
次に本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明は
これらに限定されるものではない。
これらに限定されるものではない。
実施例１
厚さｌＩＩｍの非磁性フェライト基板にデュアルイオン
ビームスパッタリング法により厚さ４μｍの磁性薄膜を
形成させた。ターゲットとしては、Ｆｅ。
ビームスパッタリング法により厚さ４μｍの磁性薄膜を
形成させた。ターゲットとしては、Ｆｅ。
Ｃｏ５Ｇａ％Ｓｉを所望の組成となるよう真空溶解し、
円板状に加工したものを用いた。イオン源としてはＫａ
ｕｆｍａｎ型イオン銃を使用しターゲット照射のＡｒ主
イオン源の加速電圧は７５０ｖとし、基板表面の薄膜堆
積面への照射Ａｒイオンの加速電圧は１００ｖとした。
円板状に加工したものを用いた。イオン源としてはＫａ
ｕｆｍａｎ型イオン銃を使用しターゲット照射のＡｒ主
イオン源の加速電圧は７５０ｖとし、基板表面の薄膜堆
積面への照射Ａｒイオンの加速電圧は１００ｖとした。
スパッタリングにより得られた磁性薄膜を２ Ｘ１０″
Ｐａ以下の真空中で４５０°Ｃ，１時間加熱処理後徐冷
して軟磁性薄膜を得た゛。
Ｐａ以下の真空中で４５０°Ｃ，１時間加熱処理後徐冷
して軟磁性薄膜を得た゛。
こうして得られた各サンプルにつき飽和磁束密度ＢＳ、
保磁力Ｈｅについて測定したところ表１のような結果を
得た。飽和磁束密度Ｂｓは試料振動型磁束計（ＶＳＭ）
にて、保磁力Ｈｃはｅ−■カーブトレーサーにて測定を
行なった。
保磁力Ｈｅについて測定したところ表１のような結果を
得た。飽和磁束密度Ｂｓは試料振動型磁束計（ＶＳＭ）
にて、保磁力Ｈｃはｅ−■カーブトレーサーにて測定を
行なった。
（以下余白）
表 １
これから本発明による軟磁性薄膜は飽和磁束密度、保磁
力の点ですぐれた特性を有することは明らかである。
力の点ですぐれた特性を有することは明らかである。
実施例２
厚さ０．４ ｒｍのサファイア基板上にＲＦスパッタリ
ング法により磁性薄膜を形成した。ターゲットとしては
Ｆｅ、 Ｃｏ、 Ｇａ、 Ｓｉを所望の組成として真空
溶解し、円板状にしたものを用い、種々の組成の磁性薄
膜を厚さ１．５μ麟となるようスパッタ成膜した。スパ
ッタ時のアルゴン圧力は２Ｐａ、投入電力はＩ Ｗ ／
ｃ＋ｌｌとした。こうして得られた磁性薄膜を２Ｘ
１０− ’Ｐａ以下の真空下で５２０°Ｃ１１時間熱処
理後徐冷して軟磁性薄膜を得た。
ング法により磁性薄膜を形成した。ターゲットとしては
Ｆｅ、 Ｃｏ、 Ｇａ、 Ｓｉを所望の組成として真空
溶解し、円板状にしたものを用い、種々の組成の磁性薄
膜を厚さ１．５μ麟となるようスパッタ成膜した。スパ
ッタ時のアルゴン圧力は２Ｐａ、投入電力はＩ Ｗ ／
ｃ＋ｌｌとした。こうして得られた磁性薄膜を２Ｘ
１０− ’Ｐａ以下の真空下で５２０°Ｃ１１時間熱処
理後徐冷して軟磁性薄膜を得た。
得られたサンプルについて飽和磁束密度Ｂｓ、保磁力Ｈ
ｃを実施例１と同様にして測定したところ表２のような
結果が得られた。
ｃを実施例１と同様にして測定したところ表２のような
結果が得られた。
表２
これから本発明による軟磁性薄ＷｊＩ！１よ飽和磁束密
度、保磁力の点ですぐれた特性を有することが明白であ
る。
度、保磁力の点ですぐれた特性を有することが明白であ
る。
以上の実施例から明らかなようにＦｅ−Ｃｏ−Ｇａ−５
ｉ系の磁性薄膜であって、Ｃｏを０〜２０原子％、Ｇａ
を１〜６原子％、ＳｔをＯ〜４原子％、Ｆｅが残部より
なる磁性ｆｊｌｌｌｌは、従来のセンダストや非晶ｆ磁
性薄膜に比して極めて大きな飽和磁束密度を有すると共
に、すぐれた軟磁気特性を有するもので、磁気ヘッドの
コア材等への応用上極めて実用価値の高いものである。
ｉ系の磁性薄膜であって、Ｃｏを０〜２０原子％、Ｇａ
を１〜６原子％、ＳｔをＯ〜４原子％、Ｆｅが残部より
なる磁性ｆｊｌｌｌｌは、従来のセンダストや非晶ｆ磁
性薄膜に比して極めて大きな飽和磁束密度を有すると共
に、すぐれた軟磁気特性を有するもので、磁気ヘッドの
コア材等への応用上極めて実用価値の高いものである。
Claims (1)
- 原子％でＣｏを０〜２０％、Ｇａを１〜６％、Ｓｉを
０〜４％含有し、残部がＦｅからなることを特徴とする
軟磁性薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30454287A JPH01146312A (ja) | 1987-12-03 | 1987-12-03 | 軟磁性薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30454287A JPH01146312A (ja) | 1987-12-03 | 1987-12-03 | 軟磁性薄膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01146312A true JPH01146312A (ja) | 1989-06-08 |
Family
ID=17934256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30454287A Pending JPH01146312A (ja) | 1987-12-03 | 1987-12-03 | 軟磁性薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01146312A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021049583A1 (ja) * | 2019-09-11 | 2021-03-18 | 日本電産株式会社 | 軟磁性合金、磁性コア |
-
1987
- 1987-12-03 JP JP30454287A patent/JPH01146312A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021049583A1 (ja) * | 2019-09-11 | 2021-03-18 | 日本電産株式会社 | 軟磁性合金、磁性コア |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH01146312A (ja) | 軟磁性薄膜 | |
| JPS6039157A (ja) | 非晶質磁性合金の製造方法 | |
| JP2508462B2 (ja) | 軟磁性薄膜 | |
| JPS6313256B2 (ja) | ||
| JP3087265B2 (ja) | 磁性合金 | |
| JP2522284B2 (ja) | 軟磁性薄膜 | |
| JPS61234510A (ja) | 軟磁性薄膜 | |
| JPS6278804A (ja) | 結晶質軟磁性薄膜 | |
| JPH03250706A (ja) | 磁性合金 | |
| JPS633406A (ja) | 結晶質軟磁性薄膜 | |
| JPH0645146A (ja) | 軟磁性膜の製造方法 | |
| JPS61234509A (ja) | 軟磁性薄膜 | |
| JPH0789523B2 (ja) | 磁気ヘッド用軟磁性薄膜 | |
| JPH0789526B2 (ja) | 結晶質軟磁性薄膜 | |
| JPS6278805A (ja) | 結晶質軟磁性薄膜 | |
| JPH0789527B2 (ja) | 結晶質軟磁性薄膜 | |
| JPH0376102A (ja) | 多層磁性薄膜およびこれを用いた磁気ヘッド | |
| JPH03288410A (ja) | 磁性合金 | |
| JPH0746656B2 (ja) | 結晶質軟磁性薄膜 | |
| JPH03270204A (ja) | 磁性合金 | |
| JPH02175618A (ja) | 磁性合金 | |
| JPH03270202A (ja) | 磁性合金 | |
| JPH0789522B2 (ja) | 磁気ヘッド用軟磁性薄膜 | |
| JPH0584566B2 (ja) | ||
| JPH03250707A (ja) | 磁性合金 |